KR100927391B1 - Chiller device for semiconductor process equipment and its control method - Google Patents
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Abstract
압축기와 상기 압축기 후단에 설치된 응축기로 이루어진 공통의 고압유닛; 및 각각의 반도체 공정설비와 관련하여 독립된 브라인 경로를 형성하고, 상기 공통의 고압유닛과 관련하여 각각 독립된 냉매 경로를 형성하는 다수의 증발기를 포함하며, 상기 증발기 각각의 냉매 인렛은 제 1 경로와 제 2 경로를 통하여 상기 응축기 후단과 상기 응축기 전단에 연결되고, 상기 제 1 경로에는 전자식 팽창밸브를 설치되고 상기 제 2 경로에는 직렬 연결된 전자밸브와 핫가스 조정밸브의 쌍이 설치되며, 상기 증발기 각각의 냉매 아웃렛은 각각 상기 압축기 전단에 연결되는 반도체 공정설비용 칠러 장치가 개시된다.A common high pressure unit comprising a compressor and a condenser installed at the rear of the compressor; And a plurality of evaporators forming independent brine paths in association with each of the semiconductor processing equipment and forming independent refrigerant paths in association with the common high pressure unit, wherein each refrigerant inlet of the evaporator comprises a first path and a first path. A second path is connected to the rear end of the condenser and the front of the condenser, an electronic expansion valve is installed in the first path, and a pair of a solenoid valve and a hot gas control valve connected in series are installed in the second path, and the refrigerant of each of the evaporators is provided. Disclosed is a chiller apparatus for semiconductor processing equipment, each outlet connected to the front end of the compressor.
전자밸브, 핫가스, 팽창밸브, 수액기 Solenoid valve, hot gas, expansion valve, receiver
Description
본 발명은 반도체 공정설비용 칠러(chiller)장치에 관한 것으로, 특히 단일의 고압 유닛을 적용한 다수 챔버 제어용 칠러장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chiller device for semiconductor processing equipment, and more particularly to a chiller device for controlling multiple chambers to which a single high pressure unit is applied.
반도체 공정설비에 있어서 챔버의 온도를 균일하게 유지하는 방법은 여러 가지가 있으나 냉동사이클을 이용하는 방식이 가장 널리 이용된다.In the semiconductor processing equipment, there are various methods of maintaining the temperature of the chamber uniformly, but a method using a refrigeration cycle is most widely used.
도 1은 종래의 반도체 공정설비의 칠러장치의 냉각계통도를 보여준다.1 shows a cooling system diagram of a chiller device of a conventional semiconductor processing equipment.
도시된 바와 같이, 냉동사이클을 수행하기 위해서는 기본적으로 압축기(10), 응축기(20), 팽창밸브(25) 및 증발기(31)가 필요하다.As shown, a
반도체 공정설비(40)의 챔버에 일정 온도의 브라인을 공급하기 위해서는, 도 1에서 도시된 바와 같이, 브라인이 증발기(31) 및 브라인 히터(33)와의 열교환을 통해서 브라인을 일정한 온도로 유지할 필요가 있다.In order to supply a brine of a predetermined temperature to the chamber of the
이를 구체적으로 설명하면 다음과 같다.This will be described in detail as follows.
증발기(31)에는 한 쌍의 냉매입구와 출구, 다른 한 쌍의 브라인 입구와 출구가 있어 냉매와 브라인이 상호 열교환될 수 있는 구조로 되어 있으며, 브라인 탱 크(30)내에는 증발기(31)와 브라인 히터(33)가 탱크내부격리판(32)에 의해서 분리되어 있다. The
반도체 공정설비(40)로부터 브라인 유입관(42)으로 유입된 브라인은 증발기(31)로 들어가서 냉매관과 열교환을 통해서 설정된 브라인 온도 이하의 온도로 된 후 브라인탱크(30) 내로 배출된다. The brine introduced into the
설정온도 이하로 냉각된 브라인은 탱크내부격리판(32)의 하부에 있는 브라인히터(33)와 열교환을 하여 설정온도로 맞추어진 후, 브라인 유출관(41)을 통해서 반도체 공정설비(40)로 유입된다.The brine cooled below the set temperature is heat-exchanged with the
이때 브라인온도를 설정온도의 편차 범위내에서 일정하게 유지하기 위해서는 브라인 히터(33)를 PID(비례, 적분, 미분)제어에 의해서 온/오프한다.At this time, in order to keep the brine temperature constant within the deviation range of the set temperature, the
상기의 과정은 브라인의 온도를 일정하게 유지하기 위한 과정이었으며, 브라인의 설정온도를 기존의 설정온도 편차범위를 벗어나는 고온으로 올릴 경우에는, 냉동사이클을 수행하지 않고 브라인 히터(33)만 계속 가동시켜 변경된 설정온도까지 끌어올리며, 브라인의 설정온도를 기존의 설정온도 편차범위를 벗어나는 저온으로 내릴 경우에는, 브라인 히터(33)의 가동없이 냉동사이클만 수행하여 변경된 설정온도까지 끌어내린다.The above process was a process for maintaining the temperature of the brine constant, and if the brine set temperature is raised to a high temperature outside the range of the existing set temperature deviation, by continuing to operate only the
그러나, 이러한 종래의 기술에 의하면, 챔버와 칠러장치가 일대일로 대응하기 때문에 챔버의 수만큼의 칠러장치가 필요하게 된다. 따라서, 전체 칠러장치에서 소모되는 소비전력량이 높아지며, 이는 장치의 운전비용을 지나치게 증대시키게 된다.However, according to this conventional technology, since the chamber and the chiller device correspond one-to-one, as many chiller devices as the number of chambers are required. Therefore, the amount of power consumed in the entire chiller apparatus is increased, which increases the operating cost of the apparatus excessively.
또한, 전체 운전온도 영역(-20℃ - 80℃)에 대해 브라인 히터를 제어해야 하기 때문에, 장치의 소비전력량이 증가하고, 운전 전류값을 증가시켜 메인 차단기의 용량이 커지는 한편, 전력공급용 배관의 직경이나 사이즈가 증가하여 결국에는 철러장치의 크기가 증가한다는 문제점이 있다.In addition, since the brine heater must be controlled for the entire operating temperature range (-20 ° C. to 80 ° C.), the power consumption of the device increases, the operating current value increases, and the capacity of the main circuit breaker increases, while the power supply piping There is a problem that the size or size of the end to increase the size of the warping apparatus eventually increases.
이와 함께, 칠러장치의 수가 증가함으로써 전체 운전 소음이 증가하며, 설치면적이 증가한다는 문제점이 있다.In addition, as the number of chiller devices increases, the overall operating noise increases, and there is a problem that the installation area increases.
따라서, 본 발명의 목적은 다수의 챔버에 대해 단일의 고압 유닛을 적용한 칠러장치를 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a chiller apparatus employing a single high pressure unit for multiple chambers.
본 발명의 다른 목적은 특정 온도영역에 대해서만 브라인 히터를 적용함으로써, 소비전력량을 줄이고 관련 부품의 용량이나 크기 및 설치비용을 줄이는 것이다.Another object of the present invention is to apply the brine heater only for a specific temperature range, thereby reducing the amount of power consumption and the capacity, size and installation cost of the relevant components.
상기한 목적은, 압축기와 상기 압축기 후단에 설치된 응축기로 이루어진 공통의 고압유닛; 및 각각의 반도체 공정설비와 관련하여 독립된 브라인 경로를 형성 하고, 상기 공통의 고압유닛과 관련하여 각각 독립된 냉매 경로를 형성하는 다수의 증발기를 포함하며, 상기 증발기 각각의 냉매 인렛은 제 1 경로와 제 2 경로를 통하여 상기 응축기 후단과 상기 응축기 전단에 연결되고, 상기 제 1 경로에는 전자식 팽창밸브를 설치되고 상기 제 2 경로에는 직렬 연결된 전자밸브와 핫가스 조정밸브의 쌍이 설치되며, 상기 증발기 각각의 냉매 아웃렛은 각각 상기 압축기 전단에 연결되는 반도체 공정설비용 칠러 장치에 의해 달성된다.The above object is a common high pressure unit consisting of a compressor and a condenser installed at the rear of the compressor; And a plurality of evaporators forming independent brine paths in association with each of the semiconductor processing equipment and forming independent refrigerant paths in association with the common high pressure unit, wherein each of the refrigerant inlets comprises a first path and a first path. A second path is connected to the rear end of the condenser and the front of the condenser, an electronic expansion valve is installed in the first path, and a pair of a solenoid valve and a hot gas control valve connected in series are installed in the second path, and the refrigerant of each of the evaporators is provided. The outlet is achieved by a chiller apparatus for semiconductor processing equipment, each connected to the front end of the compressor.
바람직하게, 상기 응축기 후단의 상기 제 1 및 제 2 경로 이전 위치에 설치되는 수액기를 추가로 포함할 수 있다.Preferably, the apparatus may further include a receiver installed at a position before the first and second paths after the condenser.
또한, 상기 수액기 후단과 상기 압축기의 전단은 제 3 경로를 통하여 연결되고, 상기 제 3 경로에는 액체분사용 전자식 팽창밸브가 설치될 수 있다.Further, the rear end of the receiver and the front end of the compressor may be connected through a third path, and the third path may be provided with an electronic expansion valve for liquid injection.
선택적으로, 상기 직렬 연결된 전자밸브와 핫가스 조정밸브의 쌍이 병렬로 추가 설치될 수 있다.Optionally, the pair of series-connected solenoid valves and hot gas regulating valves may be further installed in parallel.
상기한 구조에 의하면, 브라인 히터를 브라인의 온도 유지용으로 사용하지 않음으로써 장비의 소비전력량을 감소시켜 운전비용을 절감할 수 있다.According to the above structure, by not using the brine heater for maintaining the temperature of the brine can reduce the power consumption of the equipment to reduce the operating cost.
또한, 압축기와 응축기를 하나만 이용함으로써 설치가 용이하고 칠러장치의 전체적인 사이즈를 줄일 수 있으며, 운전 소음을 현저하게 감소시킬 수 있다. In addition, by using only one compressor and a condenser, it is easy to install, reduce the overall size of the chiller device, it is possible to significantly reduce the operating noise.
또한, 설치대수를 줄임으로써 당연히 원가절감을 이룰 수 있다.In addition, by reducing the number of installation can be naturally reduced costs.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 공정용 칠러장치를 나타내는 냉각 계통도이 다. 설명의 편의를 위해 하나의 응축기 및 압축기에 대해 2대의 설비가 운용되는 경우를 예로 든다.2 is a cooling system diagram showing a chiller apparatus for a semiconductor process according to the present invention. For the sake of convenience, we will take an example where two facilities are operated for one condenser and compressor.
도 2를 참조하면, 본 발명의 칠러장치는 공통의 고압유닛(H)과 각 증발기(121, 122)가 관련하여 구성하는 냉매경로(Ra, Rb)와, 각 증발기(121, 122)와 각 반도체 공정용 설비(161, 162)가 관련하여 구성하는 브라인 경로(Ba, Bb)로 이루어진다.Referring to FIG. 2, the chiller apparatus of the present invention includes a refrigerant path Ra and Rb configured by a common high-pressure unit H and each of the
공통의 고압유닛(H)은 하나의 압축기(111)와 압축기(111) 후단에 설치된 하나의 응축기(112)로 이루어진다.The common high pressure unit H is composed of one
이러한 구성에 의하면, 압축기(111)와 응축기(112)를 하나만 이용함으로써 설치가 용이하고 칠러장치의 전체적인 사이즈를 줄일 수 있으며, 운전 소음을 현저하게 감소시킬 수 있다. 또한, 설치대수를 줄임으로써 당연히 원가절감을 이룰 수 있다.According to this configuration, by using only one
바람직하게, 응축기(112) 후단에 수액기(receiver tank; 113)를 추가로 설치할 수 있다. 구체적으로, 하나의 압축기(111)를 이용하여 다수의 반도체 공정용 설비(161, 162)를 운전하기 때문에 온도를 상승시키는 경우, 가령 증발기(122)로 유입되는 저온의 냉매를 전자식 팽창밸브(117)의 밸브 개도를 닫아 냉매를 차단함으로써 상대적으로 다른 전자식 팽창밸브(114)의 입구 압력인 응축압력의 변동이 발생할 수 있다.Preferably, a
이와 같이, 다른 반도체 공정용 설비의 설정온도 변환이나 냉각부하의 변화와 같은 외란이 인가되어 발생하는 응축압력의 변화폭을 줄이기 위해 수액기(113) 를 설치하는 것이 바람직하다.In this way, it is preferable to provide the
또한, 수액기(113) 후단과 압축기의 전단(111)을 연결하는 경로에 액체분사용 전자식 팽창밸브(120)를 추가로 설치할 수 있다. 다시 말해, 고온의 냉매를 공급할 경우 압축기(111)로 유입되는 흡입가스의 온도상승을 방지하기 위하여 액체분사용 전자식 팽창밸브(120)를 설치함으로써 전반적인 냉동사이클의 안정화를 이룰 수 있다.In addition, the liquid injection
상기한 바와 같이, 다수의 냉매경로는 각 증발기(121, 122)와 고압 유닛(H) 사이를 순환하는 경로가 병렬로 구성되어 이루어진다.As described above, the plurality of refrigerant paths are configured in parallel with the paths circulating between the
도 2를 참조하면, 각 냉매경로의 냉매 인렛은 전자식 팽창밸브(114, 117)를 통하여 수액기(113) 후단에 연결됨과 동시에, 직렬 연결된 전자밸브(131, 132)와 핫가스 조정밸브(115, 116)의 쌍을 통하여 응축기(112) 전단에 연결된다. Referring to FIG. 2, the refrigerant inlets of each refrigerant path are connected to the rear end of the
여기서, 직렬 연결된 전자밸브(131, 132)와 핫가스 조정밸브(115, 116)를 병렬 쌍으로 설치한 것은, 가령 어느 하나의 쌍을 고온용으로 사용하고 다른 하나의 쌍은 저온용으로 사용하기 위한 편의를 위한 것이며, 반드시 병렬 쌍으로 설치할 필요는 없다. 이하의 설명에서는 직렬 연결된 전자밸브(132)와 핫가스 조정밸브(116)의 쌍을 고온용으로 사용하는 경우를 가정한다.In this case, the series-connected
한편, 각 냉매경로의 냉매 아웃렛은 압축기(111) 전단에 연결된다.Meanwhile, the refrigerant outlet of each refrigerant path is connected to the front end of the
이하, 상기한 구성의 칠러장치의 동작에 대해 설명한다.The operation of the chiller device having the above-described configuration will be described below.
반도체 공정용 설비 중 하나의 온도를 상승시키는 경우When raising the temperature of one of the facilities for semiconductor processing
도 3은 반도체 공정용 설비(161, 162)가 설정온도를 유지하고 있는 과정에서, 반도체 공정용 설비(162)의 설정온도만을 상승시키는 경우를 나타내는 냉각계통도이다.3 is a cooling system diagram illustrating a case where only the set temperature of the
도 3을 참조하면, 압축기(111)에서 토출된 고온의 냉매는 핫가스 조정밸브(116)와 전자밸브(132)를 통하여 냉매탱크(141)의 내부에 있는 증발기(121) 입구로 유입되고, 응축기(112)에서 응축된 냉매는 전자식 팽창밸브(114) 내에서 교축 과정을 통해 저온·저압의 2상 기체의 냉매 상태로 냉매탱크(141) 내부의 증발기(121)에 유입된 후 브라인과 열교환되어 설정된 온도를 유지시킨다. Referring to FIG. 3, the high temperature refrigerant discharged from the
이와 동시에 압축기(111)에서 토출된 고온의 냉매는 핫가스 조정밸브(119)와 전자밸브(134)를 통하여 냉매 탱크(143) 내부의 증발기(122)로 유입되지만, 응축기(112)에서 응축된 냉매는 전자식 팽창밸브(117)의 개도를 닫음으로써 증발기(122)로의 유입이 차단된다. 또한, 브라인 히터(144)가 발열하게 됨으로써 증발기(122)에서 브라인의 온도를 상승시킨다.At the same time, the hot refrigerant discharged from the
이에 따라, 반도체 공정용 설비(161)는 온도를 그대로 유지하는 반면, 반도체 공정용 설비(162)는 온도가 상승한다.Accordingly, the
반도체 공정용 설비의 온도를 하강시키는 경우When lowering the temperature of semiconductor processing equipment
도 4는 본 발명에 있어서 반도체 공정용 설비의 온도를 하강시키는 경우를 나타내는 냉각계통도이다. 이 과정은 종래기술과 동일하며 간략하게 기술하면 다음과 같다.4 is a cooling system diagram showing a case where the temperature of the semiconductor process equipment is lowered in the present invention. This process is the same as the prior art and briefly described as follows.
도 4를 참조하면, 압축기(111)에서 토출되고 응축기(112)에서 응축과정을 수행하여 수액기로 유입된 냉매는 액화된 상태에서 각 냉동사이클의 전자식 팽창밸브(114, 117)에서 팽창과정을 수행하게 되며 팽창된 냉매는 증발기(121, 122)로 유입되어 브라인와 열교환하여 증발과정을 수행한 후 다시 압축기(111)로 흡입된다. Referring to FIG. 4, the refrigerant discharged from the
이때, 온도를 하강시키기 직전의 고온영역에서 흡입냉매의 온도를 일정하게 낮추기 위해 사용하였던 액체분사용 전자식 팽창밸브(120)의 밸브 개도는 점차 줄어들게 되어 닫히게 된다.At this time, the valve opening degree of the liquid injection
반도체 공정용 설비의 온도를 설정한 온도로 유지시키는 경우When maintaining the temperature of semiconductor processing equipment at the set temperature
도 5는 본 발명에 있어서 반도체 공정용 설비의 온도를 설정온도로 유지시키는 경우를 나타내는 냉각계통도이다.5 is a cooling system diagram showing a case where the temperature of a semiconductor process facility is maintained at a set temperature in the present invention.
브라인의 온도를 하강시키는 과정과 상승시키는 과정을 동시에 수행함으로써 그 목적을 달성할 수 있다.The purpose can be achieved by simultaneously lowering and raising the temperature of the brine.
도 5를 참조하면, 압축기(111)에서 토출된 냉매는 응축기(112)로 유입되어 응축과정을 통해 수액기(113)로 일시 저장된다.Referring to FIG. 5, the refrigerant discharged from the
이때 수액기(113)는 100%의 액화상태의 냉매를 팽창밸브로 보내는 역할과 부가적으로 각각의 반도체 공정용 설비(161, 162)의 냉각부하 등 외란에 따라 감온 역할을 수행하는 전자식 팽창밸브(114, 117)의 밸브 개도에 따른 응축압력의 변동폭을 상당부분 흡수할 수 있다.At this time, the
수액기(113)에서 토출된 액냉매는 각각의 전자식 팽창밸브(114, 117)에서 팽창과정을 수행하게 되며, 팽창된 냉매는 증발기(121, 122)로 유입되어 브라인과 열교환하게 되며, 이 과정에서 브라인은 온도가 하강하게 되고 냉매는 증발과정을 수행하게 된다. 증발기(121, 122)에서 나온 냉매는 기체의 상태로 압축기(111)로 유입된다.The liquid refrigerant discharged from the
또한 증발기(121, 122)에서 브라인의 온도를 설정온도로 맞추기 위한 과정은 다음과 같다.In addition, the process for adjusting the temperature of the brine to the set temperature in the evaporator (121, 122) is as follows.
압축기(111)에서 토출된 냉매는 전자식 팽창밸브(114, 117)로 유입되어 상기에서 기술한 과정과 같이 브라인을 냉각시킴과 동시에 브라인을 설정온도로 유지하기 위해 브라인 히터를 사용하지 않고 압축기(111)의 열원인 핫 가스(hot gas)를 이용한다.The refrigerant discharged from the
브라인의 온도를 하강하지 않게 유지하는 열원인 핫 가스는 반도체 공정용 설비(161)의 경우, 핫가스 조정밸브(115)와 전자밸브(131)를 통과한 후 전자식 팽창밸브(114)로 유출된 차가운 냉매와 혼합되어 증발기(121)로 유입된다. 상기와 같이 혼합된 냉매는 증발기(121)에서 브라인과 열교환 과정을 수행하여 설정온도를 유지하게 된다The hot gas, which is a heat source that maintains the temperature of the brine not to fall, passes through the hot
또한, 반도체 공정용 설비(162)의 경우, 동일한 압축기(111)에서 토출된 고온의 핫 가스는 핫가스 조정밸브(118)과 전자밸브(133)을 통과한 후 전자식 팽창밸브(117)를 통과한 냉매와 혼합되어 증발기(121)로 유입된 후 상기에서 기술된 바와 같은 방식으로 브라인의 온도를 유지한다.In addition, in the case of the
한편, 압축기(111)로 흡입되는 기체상태의 저압 냉매의 온도가 높다면 외부 제어부(External Controller)에 의해 액체분사용 전자식 팽창밸브(120)가 열려 수액기(113)에서 나온 차가운 고압의 액냉매가 공급되어 압축기(111)로 회수된다.On the other hand, if the temperature of the low-pressure refrigerant in the gaseous state sucked into the
상기에서, 고온의 브라인 설정온도를 유지하는 경우, 고온 저압의 기체상태의 냉매가 압축기(111)로 유입될 수 있으며, 이 경우 냉동사이클에 불안한 부하(Load)로 작용할 수 있으므로 시스템의 안정적인 운전을 위해 액체분사 시스템을 본 발명에 적용시켜 안정적인 냉동사이클을 이룰 수 있다.In the above, when maintaining the high temperature brine set temperature, the refrigerant of the high-temperature low-pressure gas state may be introduced into the
본 발명에서는 팽창과정을 수행하는 부품과 핫가스 제어용 부품을 도 2에 나타낸 바와 같이 종래기술에서 사용하던 온도식 밸브를 배제하고 스테핑 모터(Stepping Motor)가 적용된 전자식 팽창밸브(114, 117, 120)를 적용함으로써 팽창장치에서의 밸브 개도율(Valve Lift)을 0% ~ 100%까지 완벽하게 구현할 수 있다.In the present invention, the components for performing the expansion process and the components for hot gas control as shown in Figure 2, the
또한, 온도제어시 압축기(111)에서 발생하는 열원인 핫 가스를 핫가스 조정밸브(115, 116, 118, 119)에 공급하는 핫가스 바이패스 방식과 상기에서 기술된 전자식 팽창밸브의 기술을 접목시킴으로써 종래에 히터를 사용하여 실현하였던 온도제어 과정을 수행할 수 있도록 하였다. In addition, the hot gas bypass method of supplying hot gas, which is a heat source generated by the
이상에서는 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였지만, 당업자의 수준에서 다양한 변경과 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명의 범주는 상기한 실시예에 한정되어서는 안 되며 이하에 기술되는 청구범위에 의해 해석되어야 할 것이다.Although the above has been described with reference to the embodiments of the present invention, various changes and modifications are possible at the level of those skilled in the art. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the above embodiment but should be interpreted by the claims described below.
도 1은 종래의 반도체 공정설비의 칠러장치의 냉각계통도를 보여준다.1 shows a cooling system diagram of a chiller device of a conventional semiconductor processing equipment.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 공정용 칠러장치를 나타내는 냉각 계통도이다.2 is a cooling system diagram showing a chiller apparatus for a semiconductor process according to the present invention.
도 3은 반도체 공정용 설비(161, 162)가 설정온도를 유지하고 있는 과정에서, 반도체 공정용 설비(162)의 설정온도만을 상승시키는 경우를 나타내는 냉각계통도이다.3 is a cooling system diagram illustrating a case where only the set temperature of the
도 4는 본 발명에 있어서 반도체 공정용 설비의 온도를 하강시키는 경우를 나타내는 냉각계통도이다. 4 is a cooling system diagram showing a case where the temperature of the semiconductor process equipment is lowered in the present invention.
도 5는 본 발명에 있어서 반도체 공정용 설비의 온도를 설정온도로 유지시키는 경우를 나타내는 냉각계통도이다.5 is a cooling system diagram showing a case where the temperature of a semiconductor process facility is maintained at a set temperature in the present invention.
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