KR100845808B1 - Clock mismatch correction circuit and DL circuit including the same - Google Patents
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Abstract
본 발명의 클럭 미스매치 보정 회로는 피드백된 출력 라이징 클럭과 출력 폴링 클럭의 위상차를 감지하여 그에 따라 입력받은 입력 라이징 클럭과 입력 폴링 클럭 중 하나를 소정 시간 지연시켜 내부 라이징 클럭과 내부 폴링 클럭을 출력하는 미스매치 보정부; 및 내부 라이징 클럭과 내부 폴링 클럭을 입력받아 출력 라이징 클럭과 출력 폴링 클럭을 출력하는 클럭 전송부를 포함한다.The clock mismatch correction circuit of the present invention detects the phase difference between the fed-out output rising clock and the output polling clock and accordingly outputs the internal rising clock and the internal falling clock by delaying one of the input rising clock and the input falling clock for a predetermined time. A mismatch correction unit; And a clock transmitter configured to receive an internal rising clock and an internal falling clock and output an output rising clock and an output falling clock.
Description
도 1은 본 발명에 따른 클럭 미스매치 보정 회로의 블록도,1 is a block diagram of a clock mismatch correction circuit according to the present invention;
도 2는 도 1에 도시된 클럭 미스매치 보정 회로의 타이밍도,2 is a timing diagram of the clock mismatch correction circuit shown in FIG. 1;
도 3은 도 1에 도시된 클럭 미스매치 보정 회로의 타이밍도,3 is a timing diagram of a clock mismatch correction circuit shown in FIG. 1;
도 4는 도 1에 도시된 클럭 미스매치 보정 회로의 타이밍도,4 is a timing diagram of a clock mismatch correction circuit shown in FIG. 1;
도 5는 도 1에 도시된 클럭 미스매치 보정 회로를 포함하는 디엘엘 회로의 블록도,5 is a block diagram of a DL circuit including the clock mismatch correction circuit shown in FIG. 1;
도 6은 도 1에 도시된 클럭 미스매치 보정 회로의 다른 실시예를 나타낸 블록도이다.6 is a block diagram illustrating another embodiment of the clock mismatch correction circuit shown in FIG. 1.
<도면의 주요 부분에 대한 부호 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
10 : 미스매치 보정부 20 : 클럭 전송부10: mismatch correction unit 20: clock transmission unit
30 : 디엘엘 클럭 생성부 40 : 출력 드라이버30: DL clock generator 40: output driver
50 : 위상 스플리팅부 60 : 미스매치 보정부50: phase splitting unit 60: mismatch correction unit
본 발명은 반도체 집적 회로에 관한 것으로, 구체적으로는 클럭 미스매치 보정 회로 및 이를 이용한 디엘엘 회로(DLL:Delayed Locked Loop)에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit, and more particularly, to a clock mismatch correction circuit and a DL circuit using the same.
일반적으로, 디엘엘 회로는 반도체 집적 회로의 외부에서 인가되는 클럭과 내부에서 사용되는 클럭의 위상을 일치시키기 위하여 사용된다.In general, the DL circuit is used to match the phase of the clock applied from the outside of the semiconductor integrated circuit and the clock used therein.
일반적인 반도체 집적 회로의 설계는 아날로그 듀티 싸이클 보정 회로(DCC:duty cycle corrector)를 디엘엘 회로 앞단에 배치하여 입력 버퍼단에서 듀티 싸이클 보정 회로의 동작을 콘트롤하게 설계되었다. 이러한 회로의 문제점은 외부 신호(External Signal)가 왜곡되었을 경우에는 이를 보정하여 올바른 동작을 하겠지만, 내부 회로에서 발생할 수 있는 미스매치에는 대응하기가 곤란하다는 점이다. 또한, 외부 공급 파워(Power)가 변화할 때 응답 속도가 느리다는 단점이 있다. 반도체 집적 회로는 이러한 내부 미스매치가 일어나거나, 듀티 싸이클 보정 회로의 응답 속도가 느리면 리드 페일(Read fail)로 심각한 불량을 초래할 수 있다. 따라서, 시스템의 파워가 불안정하거나 프로세스(Process) 변수가 심할 경우 안정적으로 동작을 하도록 설계적 대응이 필요하게 된다.A typical semiconductor integrated circuit design is designed to control the operation of the duty cycle correction circuit at the input buffer stage by placing an analog duty cycle corrector (DCC) in front of the DL circuit. The problem with such a circuit is that if the external signal is distorted, it will correct it, but it will be difficult to cope with mismatches that may occur in the internal circuit. In addition, there is a disadvantage that the response speed is slow when the external supply power (Power) changes. In semiconductor integrated circuits, such internal mismatches may occur, or if the duty cycle correction circuit responds slowly, read fail may cause serious failures. Therefore, if the power of the system is unstable or the process (Process) is severe, the design response is required to operate stably.
예를 들면, 디엘엘 회로에서 외부 파워 1.8V 기준으로 인에이블되어, 듀티 싸이클 보정 회로가 동작한 후 라킹 스테이트(Locking state)가 유지되는데. 이때, 외부 파워가 2.0V로 상승하게 된다면, 듀티 싸이클 보정 회로는 또 다시 듀티를 맞추기 위하여 동작을 시작하게 된다. 이러한 경우 외부에서 리드(Read) 명령이 인가된다면, 듀티가 틀어진 상태 그대로 디엘엘 출력으로 내보내게 되고, 결국 출력인 데이터(DQ) 및 데이터 스트로브 신호(DQS)가 틀어져 리드 페일을 초래하게 된다. 즉, 듀티 싸이클 보정 회로의 완벽한 보정이 일어나기 전인 상태에도 리드 페일 현상이 발생하지 않도록 하는 보정 회로가 필요하다.For example, the DC circuit is enabled with an external power of 1.8V, so that the locking state is maintained after the duty cycle correction circuit is operated. At this time, if the external power rises to 2.0V, the duty cycle correction circuit starts operation to meet the duty again. In this case, if a read command is applied from the outside, the duty is output to the DL output as it is, and the output data DQ and data strobe signal DQS are turned off, resulting in read fail. In other words, there is a need for a correction circuit that does not cause a lead fail even when the duty cycle correction circuit is completely corrected.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로 파워나 공정 변동에도 능동적으로 대처하여 디엘엘 클럭간의 미스매치를 보정하는 클럭 미스매치 보정 회로 및 이를 포함하는 디엘엘 회로를 제공하는데 목적이 있다.Disclosure of Invention The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a clock mismatch correction circuit for correcting mismatch between DL clocks by actively coping with power or process variation, and a DL circuit including the same.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 클럭 미스매치 보정 회로는 피드백된 출력 라이징 클럭과 출력 폴링 클럭의 위상차를 감지하여 그에 따라 입력받은 입력 라이징 클럭과 입력 폴링 클럭 중 하나를 소정 시간 지연시켜 내부 라이징 클럭과 내부 폴링 클럭을 출력하는 미스매치 보정부; 및 상기 내부 라이징 클럭과 상기 내부 폴링 클럭을 입력받아 출력 라이징 클럭과 출력 폴링 클럭을 출력하는 클럭 전송부를 포함한다.The clock mismatch correction circuit of the present invention for achieving the above-described technical problem detects the phase difference between the fed-back output rising clock and the output polling clock and delays one of the input rising clock and the input polling clock accordingly accordingly. A mismatch correction unit for outputting a rising clock and an internal polling clock; And a clock transmitter configured to receive the internal rising clock and the internal falling clock and output an output rising clock and an output falling clock.
본 발명의 클럭 미스매치 보정 회로를 포함하는 디엘엘 회로는 외부 클럭을 입력받아 디엘엘 클럭을 생성하는 디엘엘 클럭 생성부; 상기 디엘엘 클럭의 위상을 스플리팅하여 입력 폴링 클럭과 입력 라이징 클럭을 생성하는 위상 스플리팅부; 피드백된 출력 라이징 클럭과 출력 폴링 클럭의 위상차를 감지하여 그에 따라 입력받은 입력 라이징 클럭과 입력 폴링 클럭 중 하나를 소정 시간 지연시켜 내부 라이징 클럭과 내부 폴링 클럭을 출력하는 미스매치 보정부; 및 상기 내부 라이징 클럭과 상기 내부 폴링 클럭을 입력받아 상기 출력 라이징 클럭과 상기 출력 폴링 클럭을 출력하는 클럭 전송부; 및 상기 출력 폴링 클럭과 상기 출력 라이징 클럭에 동기되어 데이터를 출력하는 출력 드라이버를 포함한다.The DL circuit including the clock mismatch correction circuit of the present invention includes a DL clock generator configured to receive an external clock and generate a DL clock; A phase splitter for splitting a phase of the DL clock to generate an input polling clock and an input rising clock; A mismatch correction unit for detecting a phase difference between the feedback output rising clock and the output polling clock and delaying one of the input rising clock and the input polling clock for a predetermined time to output an internal rising clock and an internal falling clock; A clock transmitter configured to receive the internal rising clock and the internal falling clock and output the output rising clock and the output falling clock; And an output driver configured to output data in synchronization with the output polling clock and the output rising clock.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.
도 1은 본 발명에 따른 클럭 미스매치 보정 회로의 블록도이다.1 is a block diagram of a clock mismatch correction circuit in accordance with the present invention.
도시한 것과 같이, 본 발명에 따른 클럭 미스매치 보정 회로는 미스매치 보정부(10), 클럭 전송부(20) 및 위상 스플리팅부(50)로 구성된다.As shown, the clock mismatch correction circuit according to the present invention includes a
상기 미스매치 보정부(10)는 피드백된 출력 라이징 클럭(RCLK)과 출력 폴링 클럭(FCLK)의 위상차를 감지하여 그에 따라 입력받은 입력 라이징 클럭(IPRCLK)과 입력 폴링 클럭(IPFCLK) 중 하나를 소정 시간 지연시켜 내부 라이징 클럭(IRCLK)과 내부 폴링 클럭(IFCLK)을 출력한다.The
상기 클럭 전송부(20)는 상기 내부 라이징 클럭(IRCLK)과 상기 내부 폴링 클럭(IFCLK)을 입력받아 상기 출력 라이징 클럭(RCLK)과 상기 출력 폴링 클럭(FCLK)을 출력한다. 상기 클럭 전송부(20)는 일반적인 드라이버 회로로 구현할 수 있다.The
상기 미스매치 보정부(10)는 지연 유닛(11), 위상 검출 유닛(12) 및 지연 선택 유닛(13)을 포함한다.The
상기 지연 유닛(11)은 상기 출력 폴링 클럭(FCLK)을 일정 시간 지연시킨다. 상기 지연 유닛(11)은 제1 내지 제N 지연 유닛(11-1~11-N)으로 구성될 수 있으며(N은 자연수) 그 중 하나인 제n 지연 유닛(11-n)은(n은 1이상이며 N이하의 자연수) 상기 제1 지연 유닛(11-1)의 지연량의 n배로 구성할 수 있다. 상기 지연 유닛(11) 은 상기 제1 지연 유닛(11-1)에서 상기 제N 지연 유닛(11-N)으로 갈수록, 그 지연량이 많도록 구성될 수 있다.The delay unit 11 delays the output polling clock FCLK for a predetermined time. The delay unit 11 may be composed of first to Nth delay units 11-1 to 11-N (N is a natural number), and one of the nth delay units 11-n (n is A natural number equal to or greater than 1 and equal to or less than N) It can be configured as n times the delay amount of the first delay unit 11-1. The delay unit 11 may be configured such that the amount of delay increases from the first delay unit 11-1 to the Nth delay unit 11-N.
상기 위상 검출 유닛(12)은 상기 출력 라이징 클럭(FCLK)과 상기 지연 유닛(11)의 출력의 위상을 비교하여 위상 검출 신호(Pcontrol_1~Pcontrol_N)를 출력한다. 상기 위상 검출 유닛(12)은 제1 내지 제N 위상 검출 유닛(12-1~12-N)으로 구성되며 그 중 하나인 제n 위상 검출 유닛(12-n)은 상기 제 n 지연 유닛(11-n)의 출력과 상기 출력 라이징 클럭(RCLK)의 위상차를 비교하여 제n 위상 검출 신호(Pcontrol_N)를 출력한다.The
상기 지연 선택 유닛(13)은 상기 위상 검출 신호(Pcontrol_1~Pcontrol_N)에 따라 상기 입력 폴링 클럭(IPFCLK)의 지연시키는 양을 달리한다. 상기 지연 선택 유닛(13)은 제1 내지 제N 지연 선택 유닛(13-1~13-N)으로 구성되며 그 중 하나인 제n 지연 선택 유닛(13-n)은 상기 제n 위상 검출 신호(Pcontrol_N)에 따라 상기 제n 지연 선택 유닛(13-n)의 입력 신호를 지연시키거나 바로 출력한다.The
상기 지연 선택 유닛(13)은 상기 제1 내지 제N 지연 선택 유닛(13-1~13-N)이 동일한 지연량을 갖도록 구성할 수 있으며, 상기 제1 내지 제N 지연 선택 유닛(13-1~13-N)을 순차적으로 연결시켜 구성된다. 즉, 상기 지연 선택 유닛(13)은 상기 제1 지연 선택 유닛(13-1)의 출력(dly_CLK1)은 상기 제2 지연 선택 유닛(13-2)의 입력이 되고, 상기 제2 지연 선택 유닛(12-1)의 출력(dly_CLK2)은 도시하지 않았지만, 상기 제3 지연 선택 유닛(13-3)의 입력이 되도록 구성된다. 따라서, 상기 제N 지연 선택 유닛(13-N)의 출력은 상기 내부 폴링 클럭(IFCLK)과 같다.The
도 1에 도시한 바와 같이, 상기 제n 지연 선택 유닛(13-n)은 상기 제n 위상 검출 신호(Pcontrol_n)를 게이트에 입력받고, 소스와 드레인이 연결된 모스 트랜지스터로 구성할 수 있다. 이 경우, 상기 제1 내지 제N 지연 선택 유닛(13-1~13-N)의 지연량을 모두 동일하게 구성할 수 있으며, 상기 제n 지연 선택 유닛(13-n)의 지연량은 상기 제1 지연 유닛(11-1)의 지연량과 같도록 구성할 수 있다.As illustrated in FIG. 1, the n-th delay selecting unit 13-n may be configured as a MOS transistor receiving the n-th phase detection signal Pcontrol_n from a gate and having a source and a drain connected thereto. In this case, all of the delay amounts of the first to Nth delay selection units 13-1 to 13-N can be configured to be the same, and the delay amount of the nth delay selection unit 13-n is equal to It can be comprised so that it may become equal to the delay amount of one delay unit 11-1.
또한, 본 발명에 따른 상기 클럭 미스매치 보정 회로는 디엘엘 클럭을 입력받아 서로 위상이 반전된 상기 입력 라이징 클럭(IPRCLK)과 상기 입력 폴링 클럭(IPFCLK)을 출력하는 위상 스플리팅부(50)를 추가로 구비할 수도 있다.The clock mismatch correction circuit according to the present invention may further include a
상기 위상 스플리팅부(50)는 상기 디엘엘 클럭(DLL_CLK)을 입력받아 반전시켜 상기 입력 라이징 클럭(IPRCLK)을 출력하는 인버터; 및 상기 디엘엘 클럭(DLL_CLK)을 입력받아 상기 입력 폴링 클럭(IPFCLK)을 출력하는 패스게이트로 구성될 수 있다. 상기 입력 폴링 클럭(IPFCLK)이 상기 입력 라이징 클럭(IPRCLK)과 동일한 타이밍에서 동기되도록 하기 위해 패스게이트(PG1)를 사용하였다. 본 발명에 따른 상기 클럭 미스매치 보정 회로는 입력 클럭으로 상기 디엘엘 클럭(DLL_CLK)을 적용하여, 디엘엘 클럭의 미스 매치를 보정하는 것을 예를 들어 설명한 것이며, 일반적인 클럭 미스매치 보정 회로에 적용될 수 있다.The
또한, 상기 클럭 미스매치 보정 회로는 상기 출력 라이징 클럭(RCLK)과 상기 출력 폴링 클럭(FCLK)에 동기되어 데이터를 출력하는 출력 드라이버를 추가로 구비할 수 있다.The clock mismatch correction circuit may further include an output driver configured to output data in synchronization with the output rising clock RCLK and the output falling clock FCLK.
도 1에 도시된 상기 미스매치 보정부(10)의 구성을 보다 상세히 설명하면 다 음과같다.Referring to the configuration of the
상기 제1 지연 유닛(11-1)은 상기 출력 폴링 클럭(FCLK)을 제1 지연 시간(delay_1)을 지연시킨다. 상기 제1 지연 유닛(11-1)은 일반적인 지연 회로로 구현할 수 있다. 상기 제2 내지 제N 지연 유닛(11-2~11-N) 중 하나인 상기 제n 지연 유닛(11-n)은 상기 출력 폴링 클럭(FCLK)을 상기 제n 지연 시간(delay_n)을 지연시킨다. 또한, 상기 제n 지연 유닛(11-n)은 상기 제n-1 지연 유닛(11-n-1)에 비해 소정 시간을 더 지연시키는 것을 특징으로 한다.(n은 2이상의 자연수). 상기 제n 지연 유닛(11-n)은 상기 제n-1 지연 유닛(11-n-1)에 비해 지연 시간이 더 길다. 예를 들면, 상기 제n 지연 유닛(11-n)의 지연 시간은 제1 지연 유닛(11-1)의 지연 시간의 n배로 구현할 수 있다. 상기 제2 내지 제N 지연 유닛(11-2~11-N)은 일반적인 지연 회로로 구현할 수 있다.The first delay unit 11-1 delays the output polling clock FCLK by a first delay time delay_1. The first delay unit 11-1 may be implemented with a general delay circuit. The n th delay unit 11-n, which is one of the second to N th delay units 11-2 to 11 -N, delays the output polling clock FCLK to the n th delay time delay_n. . The nth delay unit 11-n further delays a predetermined time more than the n-1 delay unit 11-n-1. (N is a natural number of 2 or more). The n-th delay unit 11-n has a longer delay time than the n-th delay unit 11-n-1. For example, the delay time of the nth delay unit 11-n may be implemented at n times the delay time of the first delay unit 11-1. The second to Nth delay units 11-2 to 11 -N may be implemented as general delay circuits.
상기 제1 위상 검출 유닛(12-1)은 상기 출력 라이징 클럭(RCLK)과 상기 제1 지연 유닛(11-1)의 출력의 위상을 비교하여 제1 위상 검출 신호(Pcontrol_1)를 출력한다. 상기 제n 위상 검출 유닛(12-n)은 상기 출력 라이징 클럭(RCLK)과 상기 제n 지연 유닛(11-n)의 출력의 위상을 비교하여 제n 위상 검출 신호(Pcontrol_n)를 출력한다. 또는, 도 1에 도시한 것과 같이, 상기 제n 위상 검출 유닛(12-n)은 상기 제n 지연 유닛(11-n)의 출력을 반전시킨 신호와 상기 출력 라이징 클럭(RCLK)의 위상을 비교한다(n은 1이상이며 N이하의 자연수). 상기 제1 내지 제N 위상 검출 유닛(12-1~12-N)은 일반적인 위상 디텍터 회로로 구현할 수 있다.The first phase detection unit 12-1 compares the phase of the output rising clock RCLK and the output of the first delay unit 11-1 to output a first phase detection signal Pcontrol_1. The n-th phase detection unit 12-n outputs an n-th phase detection signal Pcontrol_n by comparing the phase of the output rising clock RCLK and the output of the n-th delay unit 11-n. Alternatively, as shown in FIG. 1, the n-th phase detection unit 12-n compares the phase of the output rising clock RCLK with a signal inverting the output of the n-th delay unit 11-n. (N is more than 1 and natural number less than or equal to N). The first to Nth phase detection units 12-1 to 12 -N may be implemented by general phase detector circuits.
상기 제1 지연 선택 유닛(13-1)은 상기 제1 위상 검출 신호(Pcontrol_1)에 따라 상기 입력 폴링 클럭(IPFCLK)을 상기 소정 시간을 지연시켜 상기 제1 지연 클럭(dly_CLK_1)을 출력한다.The first delay selecting unit 13-1 delays the input polling clock IPFCLK by the predetermined time according to the first phase detection signal Pcontrol_1 to output the first delay clock dly_CLK_1.
상기 제1 지연 선택 유닛(13-1)은 상기 제1 위상 검출 신호(Pcontrol_1)가 인에이블됨에 따라 상기 입력 폴링 클럭(IPFCLK)을 상기 소정 시간을 지연시키고, 상기 제1 위상 검출 신호(Pcontrol_1)가 디스에이블됨에 따라 상기 입력 폴링 클럭(IPFCLK)을 지연시키지 않고 상기 제1 지연 클럭(dly_CLK_1)으로 출력한다. The first delay selecting unit 13-1 delays the input polling clock IPFCLK by the predetermined time as the first phase detection signal Pcontrol_1 is enabled, and the first phase detection signal Pcontrol_1. As is disabled, the output signal is output to the first delayed clock dly_CLK_1 without delaying the input polling clock IPFCLK.
상기 제n 지연 선택 유닛(13-n)은 상기 제n 위상 검출 신호(Pcontrol_n)에 응답하여 상기 제n-1 지연 클럭(dly_CLK_n-1)을 상기 소정 시간을 지연시켜 상기 제n 지연 클럭(dly_CLK_n)을 출력한다. The n-th delay selecting unit 13-n delays the n−1 th delay clock dly_CLK_n−1 by the predetermined time in response to the n th phase detection signal Pcontrol_n, so that the n th delay clock dly_CLK_n )
상기 제n 지연 선택 유닛(13-n)은 상기 제 n 위상 검출 신호(Pcontrol_n)가 인에이블됨에 따라 상기 제n-1 지연 클럭(dly_CLK_n-1)을 상기 소정 시간을 지연시키고, 상기 제 n 위상 검출 신호(Pcontrol_n)가 디스에이블됨에 따라 상기 제n-1 지연 클럭(dly_CLK_n-1)을 지연시키지 않고 상기 제n 지연 클럭(dly_CLK_n)으로 출력한다. The nth delay selecting unit 13-n delays the n−1 th delay clock dly_CLK_n−1 by the predetermined time as the nth phase detection signal Pcontrol_n is enabled, and the nth phase As the detection signal Pcontrol_n is disabled, the detection signal Pcontrol_n is output to the nth delay clock dly_CLK_n without delaying the n-1th delay clock dly_CLK_n-1.
상기 제1 내지 제N 지연 선택 유닛(13-1~13-N)의 지연 시간들은 동일하도록 구성할 수 있다. 그리고, 상기 제1 내지 제N 지연 선택 유닛(13-1~13-N)의 지연 시간과 상기 제1 지연 유닛(13-1)의 지연 시간을 같도록 구성하고, 상기 제n 지연 유닛(13-n)의 지연 시간은 상기 제1 지연 유닛(13-1)의 지연 시간의 n배가 되도록 구성할 수 있다. 상기 제n 지연 선택 유닛(13-n)의 지연 시간은 상기 제n 지연 유닛(11-n)의 지연 시간과 같도록 할 수 있다. 상기 제n 지연 선택 유닛(13-n)은 도 2과 같이 캐패시터로 구현할 수 있으며, 상기 제n 위상 검출 신호(Pcontrol_n)가 인에이블됨에 따라, 상기 캐패시터가 구동되어 소정의 지연 시간의 특성을 갖게 되고, 상기 제n 위상 검출 신호(Pcontrol_n)가 디스에이블됨에 따라 상기 캐패시터는 단지 졍선(junction) 캐패시턴스만 나타나므로 상기 제n-1 지연 클럭(dly_CLK_n-1)을 상기 제n 지연 클럭(dly_CLK_n)으로 지연없이 출력하게 된다.The delay times of the first to Nth delay selection units 13-1 to 13 -N may be configured to be the same. The delay time of the first to Nth delay selection units 13-1 to 13 -N is equal to the delay time of the first delay unit 13-1, and the
상기 n의 개수는 본 발명의 정밀성과 관련된다. 본 발명은 상기 n의 개수가 많고 각각의 제1 내지 제N 지연 유닛(11-1 ~ 11-N) 또는 각각의 제1 내지 제N 지연 선택 유닛(13-1~13-N)의 지연 시간들의 차이를 작게 할수록 보다 정밀하게 미스매치를 보정할 수 있다.The number of n is related to the precision of the present invention. The present invention has a large number of n and delay times of each of the first to Nth delay units 11-1 to 11 -N or each of the first to Nth delay selection units 13-1 to 13 -N. The smaller the difference between them, the more accurate the mismatch can be corrected.
이하 도 2 내지 도 4의 타이밍도를 참조하여 도 1에 도시된 클럭 미스매치 회로의 동작을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the operation of the clock mismatch circuit shown in FIG. 1 will be described with reference to the timing diagrams of FIGS. 2 to 4.
도 2는 도 1에 도시된 클럭 미스매치 보정 회로의 타이밍도이다.FIG. 2 is a timing diagram of the clock mismatch correction circuit shown in FIG. 1.
상기 출력 폴링 클럭(FCLK)과 상기 출력 라이징 클럭(RCLK)의 위상차가 180도인 경우로, 미스매치가 없는 경우이다. 이때, 상기 제1 내지 제N 지연 유닛(11-1~11-N)은 상기 출력 폴링 클럭(FCLK)을 각각 소정 시간 지연시킨 신호를 출력한다. 상기 제1 내지 제N 위상 검출 유닛(12-1~12-N)은 상기 제1 내지 제N 지연 유닛(11-1~11-N)에서 상기 출력 폴링 클럭(FCLK)이 지연된 신호를 반전시킨 신호와 상기 출력 라이징 클럭(RCLK)의 위상을 비교한다. 상기 출력 폴링 클럭(FCLK)을 지연시킨 신호가 상기 출력 라이징 클럭(RCLK)에 비해 위상이 지연된 신호이므로, 상기 제1 내지 제N 위상 검출 신호(Pcontrol_1~Pcontrol_N)는 디스에이블된다. 따라 서, 상기 제1 내지 제N 위상 검출 신호(Pcontrol_1~Pcontrol_N)를 입력받아 상기 미스매치 보정부(10)는 상기 입력 폴링 클럭(IPFCLK)을 지연시키지 않고, 상기 내부 폴링 클럭(IPFCLK)으로 출력한다. 상기 출력 폴링 클럭(FCLK)과 상기 출력 라이징 클럭(RCLK)의 미스매치가 없기 때문에 더 이상의 보정이 필요치 않기 때문에 상기 입력 폴링 클럭(IPFCLK)을 지연시키지 않고 바로 상기 내부 폴링 클럭(IFCLK)으로 출력한다.The phase difference between the output polling clock FCLK and the output rising clock RCLK is 180 degrees, and there is no mismatch. In this case, the first to Nth delay units 11-1 to 11 -N output signals in which the output polling clock FCLK is delayed for a predetermined time. The first to Nth phase detection units 12-1 to 12 -N invert the signal delayed by the output polling clock FCLK in the first to Nth delay units 11-1 to 11 -N. The phase of the signal and the output rising clock RCLK are compared. Since the delayed signal of the output polling clock FCLK is a delayed signal compared to the output rising clock RCLK, the first to Nth phase detection signals Pcontrol_1 to Pcontrol_N are disabled. Accordingly, the
도 3은 도 1에 도시된 클럭 미스매치 보정 회로의 타이밍도이다.3 is a timing diagram of the clock mismatch correction circuit shown in FIG. 1.
출력 폴링 클럭(FCLK)이 출력 라이징 클럭(RCLK)에 비해 위상이 앞서는 경우이다. 상기 출력 폴링 클럭(FCLK)을 상기 제1 지연 시간 지연시킨 신호와 상기 출력 라이징 클럭(RCLK)의 위상을 비교한 상기 제1 위상 검출 신호(Pcontrol)는 인에이블되고, 그 외의 제2 내지 제N 위상 검출 신호(Pcontrol_2~Pcontrol_N)는 디스에이블된다. 따라서, 상기 제1 위상 검출 신호(Pcontrol_1)를 입력받아 상기 제1 지연 선택 유닛(13-1)은 상기 입력 폴링 클럭(IPFCLK)을 소정 시간 지연시키고, 그외의 상기 제2 내지 제n 지연 선택 유닛(13-2 ~ 13-n)은 입력받은 신호들을 지연시키지 않고 출력한다. 따라서, 상기 내부 폴링 클럭(IPFCLK)은 상기 제1 지연 선택 유닛(13-1)에서 지연된 만큼 지연된 신호이다. 즉, 본 발명은 상기 출력 라이징 클럭(RCLK)과 상기 출력 폴링 클럭(FCLK)의 위상의 미스매치된 정도가 상기 제1 지연 유닛(11-1)의 지연량 정도이므로, 상기 입력 폴링 클럭(IPFCLK)을 상기 제1 지연 유닛(11-1)의 지연량(또는 상기 제1 지연 선택 유닛(13-1)의 지연량과 같다)만큼 지연시킴으로써, 상기 출력 라이징 클럭(RCLK)과 상기 출력 폴링 클럭(FCLK)의 미 스매치를 보정하게 된다.The output polling clock FCLK is out of phase with the output rising clock RCLK. The first phase detection signal Pcontrol, which compares a phase of the output falling clock FCLK with the first delay time delay and the output rising clock RCLK, is enabled, and the other second to Nth The phase detection signals Pcontrol_2 to Pcontrol_N are disabled. Accordingly, when the first phase detection signal Pcontrol_1 is input, the first delay selection unit 13-1 delays the input polling clock IPFCLK for a predetermined time and other second to nth delay selection units. 13-2 to 13-n output the received signals without delay. Therefore, the internal polling clock IPFCLK is a signal delayed by the delay in the first delay selection unit 13-1. That is, according to the present invention, since the mismatched degree of the phase of the output rising clock RCLK and the output polling clock FCLK is a delay amount of the first delay unit 11-1, the input polling clock IPFCLK ) Is delayed by the delay amount of the first delay unit 11-1 (or equal to the delay amount of the first delay selection unit 13-1) to thereby output the clock rising clock RCLK and the output polling clock. The mismatch of (FCLK) is corrected.
도 4는 도 1에 도시된 클럭 미스매치 보정 회로의 타이밍도이다.4 is a timing diagram of the clock mismatch correction circuit shown in FIG. 1.
도 3에 도시된 경우보다 상기 출력 폴링 클럭(FCLK)과 상기 출력 라이징 클럭(RCLK)의 위상차가 큰 경우이다. 제1 위상 검출 신호(Pcontrol_1) 및 제2 위상 검출 신호(Pcontrol_2)는 인에이블되고, 그 외 제3 위상 검출 신호(Pcontrol_3) 내지 제N 위상 검출 신호(Pcontrol_N)는 디스에이블된다. 따라서, 상기 내부 폴링 클럭(IPFCLK)은 상기 제1 지연 선택 유닛(13-1) 및 상기 제2 지연 선택 유닛(13-2)에서 지연된 만큼 지연된 신호이다. The phase difference between the output polling clock FCLK and the output rising clock RCLK is greater than that shown in FIG. 3. The first phase detection signal Pcontrol_1 and the second phase detection signal Pcontrol_2 are enabled, and the other third phase detection signals Pcontrol_3 to N-th phase detection signal Pcontrol_N are disabled. Therefore, the internal polling clock IPFCLK is a signal delayed by the delay in the first delay selection unit 13-1 and the second delay selection unit 13-2.
도 3과 같은 원리로, 본 발명은 상기 출력 라이징 클럭(RCLK)과 상기 출력 폴링 클럭(FCLK)의 위상의 미스매치된 정도가 상기 제1 지연 유닛(11-1)과 상기 제2 지연 유닛(11-2)의 지연량 정도이므로, 상기 입력 폴링 클럭(IPFCLK)을 상기 제2 지연 유닛(11-2)의 지연량(또는 상기 제1 지연 선택 유닛(13-1)과 상기 제2 지연 선택 유닛(13-2)의 지연량의 합과 같다)만큼 지연시킴으로써, 상기 출력 라이징 클럭(RCLK)과 상기 출력 폴링 클럭(FCLK)의 미스매치를 보정하게 된다. In the same principle as in FIG. 3, the present invention provides that the mismatched phases of the output rising clock RCLK and the output polling clock FCLK are equal to each other in the first delay unit 11-1 and the second delay unit ( 11-2), the input polling clock IPFCLK is selected as the delay amount of the second delay unit 11-2 (or the first delay selection unit 13-1 and the second delay selection). By delaying the unit 13-2 by the sum of the delay amounts, the mismatch between the output rising clock RCLK and the output polling clock FCLK is corrected.
따라서, 본 발명은 최종 출력단에서의 상기 출력 라이징 클럭(RCLK)과 상기 출력 폴링 클럭(FCLK)의 미스매치가 생기는 점을 고려하여 다시 그만큼 위상의 딜레이를 보정해줌으로써, 파워 변동이나 프로세스 변동 등 어떤 원인으로 인한 상기 출력 라이징 클럭(RCLK)과 상기 출력 폴링 클럭(FCLK)의 미스매치를 다시 피드백하여, 그만큼 딜레이를 보상함으로써 최종 출력단에서의 상기 출력 라이징 클럭(RCLK)과 상기 출력 폴링 클럭(FCLK)의 미스매치를 보정할 수 있다.Accordingly, the present invention corrects the delay of the phase in consideration of the mismatch between the output rising clock RCLK and the output polling clock FCLK at the final output stage. The output rising clock RCLK and the output polling clock FCLK at the final output stage are fed back by feeding back a mismatch between the output rising clock RCLK and the output falling clock FCLK due to the cause. The mismatch of can be corrected.
도 5는 도 1에 도시된 클럭 미스매치 보정 회로를 포함하는 디엘엘 회로의 블록도이다.FIG. 5 is a block diagram of a DL circuit including the clock mismatch correction circuit of FIG. 1.
도 5에 도시된 디엘엘 회로는 디엘엘 클럭 생성부(30), 위상 스플리팅부(50), 미스매치 보정부(10), 클럭 전송부(20) 및 출력 드라이버(40)를 포함한다.The DL circuit illustrated in FIG. 5 includes a
상기 디엘엘 클럭 생성부(30)는 외부 클럭(EXT_CLK)을 입력받아 디엘엘 클럭(DLLCLK)을 생성한다. The
상기 디엘엘 클럭 생성부(30)는 버퍼(31), 디엘엘 지연 라인(32), 보상 지연 라인(33), 위상 검출기(34) 및 로우 패스 필터(35)로 구성된다.The
상기 버퍼(31)는 외부 클럭(EXT_CLK)을 입력받아 버퍼링하고, 상기 디엘엘 지연 라인(32)은 상기 버퍼(31)의 출력을 소정 시간 지연시킨다. 상기 위상 검출기(34)는 상기 보상 지연 라인(33)의 출력과 상기 버퍼(31)의 출력의 위상을 비교한다. 상기 로우 패스 필터(35)는 상기 위상 검출기(34)의 출력을 입력받아 상기 디엘엘 지연 라인(32)에 피드백한다.The
상기 위상 스플리팅부(50)는 상기 디엘엘 클럭의 위상을 스플리팅하여 입력 폴링 클럭(IPFCLK)과 입력 라이징 클럭(IPRCLK)을 생성한다. 상기 입력 폴링 클럭(IPFCLK)과 상기 입력 라이징 클럭(IPRCLK)은 위상차가 180도인 신호이다.The
상기 미스매치 보정부(10) 및 상기 클럭 전송부(20)는 도 1에 도시된 구성과 같다.The
상기 출력 드라이버(40)는 상기 출력 폴링 클럭(FCLK)과 상기 출력 라이징 클럭(RCLK)에 동기되어 데이터(Data)를 출력한다. 상기 데이터(Data)는 예를 들면, 반도체 집적 회로 내 셀에 실린 데이터가 될 수 있다. The
도 6은 도 1에 도시된 클럭 미스매치 보정 회로의 다른 실시예를 나타낸 상세 회로도이다.FIG. 6 is a detailed circuit diagram illustrating another embodiment of the clock mismatch correction circuit shown in FIG. 1.
도 6에 도시된 클럭 미스매치 보정 회로는 위상 스플리팅부(50), 미스매치 보정부(60) 및 클럭 전송부(20)를 포함한다.The clock mismatch correction circuit illustrated in FIG. 6 includes a
상기 미스매치 보정부(60)는 제1 지연 유닛(11-1), 제1 위상 검출 유닛(12-1) 및 지연 선택 유닛(14)으로 구성된다.The
상기 지연 선택 유닛(14)은 상기 입력 라이징 클럭(IPRCLK)을 반전시키는 인버터; 상기 입력 폴링 클럭(IPFCLK)을 지연시키는 복수의 인버터; 및 상기 입력 폴링 클럭(IPFCLK)과 상기 복수의 인버터의 출력 중 선택적으로 출력하는 선택 유닛(14-1)으로 구성될 수 있다.The
상기 입력 라이징/폴링 클럭(IPRCLK, IPFCLK)은 디엘엘 클럭일 수 있으며, 일반적인 2개의 클럭이 페어(pair)로 공급되는 경우, 상기 2개의 클럭끼리의 위상의 미스매치를 보정하는데 적용할 수 있다.The input rising / falling clocks IPRCLK and IPFCLK may be DL clocks, and when two general clocks are supplied in pairs, the input rising / falling clocks IPRCLK and IPFCLK may be applied to correct mismatches of phases of the two clocks. .
본 발명은 듀얼 루프 디엘엘(Dual Loop DLL) 회로에도 적용이 가능하며, DFM(design-for-manufacturing)에도 접목될 수 있다.The present invention can be applied to a dual loop DLL circuit and can also be applied to design-for-manufacturing (DFM).
이와 같이, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. As such, those skilled in the art will appreciate that the present invention can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features thereof.
그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적 인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Therefore, the above-described embodiments are to be understood as illustrative in all respects and not as restrictive. The scope of the present invention is shown by the following claims rather than the detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included in the scope of the present invention. do.
본 발명에 따른 클럭 미스매치 보정 회로 및 이를 이용한 디엘엘 회로는 전원이나 공정등의 변화에 능동적으로 대처할 수 있는 디엘엘 클럭간의 미스매치를 보정하는 효과가 있다.The clock mismatch correction circuit and the DL circuit using the same according to the present invention have an effect of correcting a mismatch between DL clocks that can actively cope with a change in power or a process.
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