KR100813602B1

KR100813602B1 - Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting device

Info

Publication number: KR100813602B1
Application number: KR20060095829A
Authority: KR
Inventors: 심현욱; 김용천; 강중서
Original assignee: 삼성전기주식회사
Priority date: 2006-09-29
Filing date: 2006-09-29
Publication date: 2008-03-17

Abstract

본 발명은 질화물 반도체 발광소자의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 기판 상에 n형 질화물 반도체층을 형성하는 단계; 상기 n형 질화물 반도체층 상에 질소 전구체로서 하이드라진(hydrazine) 계열의 소스와 캐리어 가스로서 질소 가스를 사용하여 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층 상에 p형 질화물 반도체층을 형성하는 단계; 상기 p형 질화물 반도체층 및 상기 활성층의 일부를 메사 식각하여 상기 n형 질화물 반도체층의 일부를 드러내는 단계; 및 상기 p형 질화물 반도체층과 상기 드러난 n형 질화물 반도체층 상에 p형 전극과 n형 전극을 각각 형성하는 단계;를 포함하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법을 제공한다.The present invention relates to a method for manufacturing a nitride semiconductor light emitting device, in particular, forming an n-type nitride semiconductor layer on a substrate; Forming an active layer on the n-type nitride semiconductor layer by using a hydrazine-based source as a nitrogen precursor and nitrogen gas as a carrier gas; Forming a p-type nitride semiconductor layer on the active layer; Mesa-etching a portion of the p-type nitride semiconductor layer and the active layer to expose a portion of the n-type nitride semiconductor layer; And forming a p-type electrode and an n-type electrode on the p-type nitride semiconductor layer and the exposed n-type nitride semiconductor layer, respectively.

Description

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting device

도 1은 일반적인 질화물 반도체 발광소자를 나타낸 단면도.1 is a cross-sectional view showing a general nitride semiconductor light emitting device.

도 2는 일반적인 질화물 반도체 발광소자를 제조하기 위한 활성층의 성장방식을 나타낸 도면.2 is a view showing a growth method of an active layer for manufacturing a general nitride semiconductor light emitting device.

도 3은 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자를 제조하기 위한 활성층의 성장방식을 나타낸 도면.3 is a view showing a growth method of an active layer for manufacturing a nitride semiconductor light emitting device according to the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100: 사파이어 기판 110: 버퍼층100: sapphire substrate 110: buffer layer

120: n형 질화물 반도체층 130: 활성층120: n-type nitride semiconductor layer 130: active layer

140: p형 질화물 반도체층 150: p형 콘택층140: p-type nitride semiconductor layer 150: p-type contact layer

160: 투명 전극 170: p형 전극160: transparent electrode 170: p-type electrode

180: n형 전극180: n-type electrode

본 발명은 질화물 반도체 발광소자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 하이드라진(hydrazine) 계열의 질소 전구체를 사용하여 낮은 온도에서도 양질의 양자우물을 성장시킴으로써, 소자의 발광 효율을 향상시킬 수 있는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a nitride semiconductor light emitting device, and more particularly, by using a hydrazine-based nitrogen precursor to grow a good quality quantum well even at low temperature, it is possible to improve the luminous efficiency of the device A method for manufacturing a nitride semiconductor light emitting device.

일반적으로, 질화물 반도체는 풀컬러 디스플레이, 이미지 스캐너, 각종 신호시스템 및 광통신 기기에 광원으로 제공되는 녹색 또는 청색 발광 다이오드 등에 널리 사용되고 있다. 이러한 질화물 반도체 발광소자는 n형 및 p형 질화물 반도체층 사이에 배치된 다중양자우물(Muti Quantum Well: MQW) 구조의 활성층을 포함하며, 상기 활성층에서 전자와 정공이 재결합하는 원리로 빛을 생성하여 방출시킨다.BACKGROUND ART In general, nitride semiconductors are widely used in full color displays, image scanners, green or blue light emitting diodes that are provided as light sources in various signal systems and optical communication devices. The nitride semiconductor light emitting device includes an active layer of a multi quantum well (MQW) structure disposed between n-type and p-type nitride semiconductor layers, and generates light based on the principle of recombination of electrons and holes in the active layer. Release.

도 1은 일반적인 질화물 반도체 발광소자를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a general nitride semiconductor light emitting device.

도 1에 도시된 바와 같이, 일반적인 질화물 반도체 발광소자는, 광투과성 기판인 사파이어 기판(100) 상에 버퍼층(110), n형 질화물 반도체층(120), 다중양자우물(MQW) 구조의 InGaN/GaN로 이루어진 활성층(130), 및 p형 질화물 반도체층(140)이 순차 적층된 기본 구조를 가진다.As shown in FIG. 1, a general nitride semiconductor light emitting device includes a buffer layer 110, an n-type nitride semiconductor layer 120, and a multi-quantum well (MQW) structure on a sapphire substrate 100, which is a light transmissive substrate. The active layer 130 made of GaN and the p-type nitride semiconductor layer 140 have a basic structure sequentially stacked.

특히, 상기 활성층(130)은 빛을 발광하기 위한 층으로서, 통상 InGaN층을 우물(well)로 하고, GaN층을 벽층(barrier layer)으로 하여 성장시켜 다중양자우 물(MQW) 구조를 형성함으로써 이루어진다.In particular, the active layer 130 is a layer for emitting light, and in general, an InGaN layer is used as a well, and a GaN layer is grown as a barrier layer to form a multi-quantum water (MQW) structure. Is done.

그리고, 상기 p형 질화물 반도체층(140)과 활성층(130)은 일부 메사 식각(mesa etching) 공정에 의하여 그 일부 영역이 제거된 바, n형 질화물 반도체층(120)의 일부 상면이 노출되어 있다.In addition, since some regions of the p-type nitride semiconductor layer 140 and the active layer 130 are removed by some mesa etching process, a part of the upper surface of the n-type nitride semiconductor layer 120 is exposed. .

또한, 노출된 n형 질화물 반도체층(120)의 상면에는 n형 전극(180)이 형성되어 있고, 상기 p형 질화물 반도체층(140) 상에는 오믹(ohmic)특성 향상을 위한 p형 콘택층(150), 투명 전극(160), 및 p형 전극(170)이 순차 적층된 구조로 형성되어 있다.In addition, an n-type electrode 180 is formed on the exposed n-type nitride semiconductor layer 120, and a p-type contact layer 150 is formed on the p-type nitride semiconductor layer 140 to improve ohmic characteristics. ), The transparent electrode 160 and the p-type electrode 170 are formed in a stacked structure.

여기서, 도 2는 일반적인 질화물 반도체 발광소자를 제조하기 위한 활성층의 성장방식을 나타낸 도면이다.2 is a view showing a growth method of an active layer for manufacturing a general nitride semiconductor light emitting device.

도 2에 도시된 바와 같이, 상술한 바와 같은 질화물 반도체 발광소자의 활성층 성장에 있어서, Ⅴ족 질소 전구체(precursor)로는 일반적으로 NH₃가 사용되고 있으며, GaN의 성장시에는 수소가, InGaN의 성장시에는 질소가 캐리어 가스(carrier gas)로 사용되고 있다.As shown in FIG. 2, in the active layer growth of the nitride semiconductor light emitting device as described above, NH ₃ is generally used as a Group V nitrogen precursor, and hydrogen is grown when GaN is grown and InGaN is grown. Nitrogen is used as a carrier gas.

상기 질소 전구체로 사용되는 NH₃는, 열적으로 매우 안정되어 1000℃ 이상에서도 수% 정도의 NH₃ 만이 열분해되어 질소 전구체로서 질화물 반도체 성장에 기여하게 된다. 따라서, 열분해 효율을 높이기 위해 고온 성장이 불가피하며 결정성이 좋은 질화물 반도체 성장을 위한 V/III 비율 또한 매우 높은 상황이다(보통 4000).NH ₃ used as the nitrogen precursor is thermally very stable, and only about ₃ % of NH ₃ is thermally decomposed even at 1000 ° C or higher, thereby contributing to the growth of the nitride semiconductor as the nitrogen precursor. Therefore, high temperature growth is inevitable in order to increase pyrolysis efficiency, and the V / III ratio for growing crystalline nitride semiconductor is also very high (usually 4000).

그러나, 상기 양자우물 구조의 활성층(130) 성장에서 사용되고 있는 물질은 주로 InGaN로서 In 성분을 포함하여 구성되고 있다.However, the material used in the growth of the active layer 130 of the quantum well structure is mainly composed of InGaN and an In component.

상기 In은 휘발성을 갖는 물질이기 때문에 온도가 상승할수록 흡착률의 증가보다 탈착률의 증가가 높아, 이를 포함하는 상기 양자우물 구조의 활성층(130)을 고온에서 성장시킬 경우, In의 함량 비율이 떨어져서 원하는 파장의 발광소자를 제작하기 어렵다. 따라서, 상기 양자우물 구조의 활성층(130)을 낮은 온도에서 성장시키게 되는데, 이 경우 양자우물 구조의 성장시 많은 결함이 발생되고, 계면 특성이 좋지 않은 양자우물 구조가 성장되는 바, 상기 양자우물 구조의 발광층(130)에서 발광 효율이 떨어지는 문제점이 있다.Since In is a volatile material, as the temperature increases, the increase in desorption rate is higher than the increase in adsorption rate. When the active layer 130 of the quantum well structure including the same is grown at high temperature, the content ratio of In is lowered. It is difficult to manufacture a light emitting device having a desired wavelength. Accordingly, the active layer 130 of the quantum well structure is grown at a low temperature. In this case, many defects are generated during the growth of the quantum well structure, and the quantum well structure having the poor interfacial properties is grown. There is a problem that the luminous efficiency of the light emitting layer 130 is low.

따라서, 본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로서, 본 발명의 목적은, 하이드라진 계열의 질소 전구체를 사용하여 낮은 온도에서도 양질의 양자우물 구조의 활성층을 성장시킴으로써, 소자의 발광 효율을 향상시킬 수 있는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법을 제공하는데 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to use a hydrazine-based nitrogen precursor to grow an active layer of a good quantum well structure even at low temperature, thereby improving the luminous efficiency of the device. The present invention provides a method for manufacturing a nitride semiconductor light emitting device.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 질화물 반도체 발광소자의 제조방법은, 기판 상에 n형 질화물 반도체층을 형성하는 단계; 상기 n형 질화물 반도체층 상에 질소 전구체로서 하이드라진(hydrazine) 계열의 소스와 캐리어 가스로서 질소 가스를 사용하여 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층 상에 p형 질화물 반도 체층을 형성하는 단계; 상기 p형 질화물 반도체층 및 상기 활성층의 일부를 메사 식각하여 상기 n형 질화물 반도체층의 일부를 드러내는 단계; 및 상기 p형 질화물 반도체층과 상기 드러난 n형 질화물 반도체층 상에 p형 전극과 n형 전극을 각각 형성하는 단계;를 포함한다.A method of manufacturing a nitride semiconductor light emitting device according to the present invention for achieving the above object comprises the steps of: forming an n-type nitride semiconductor layer on a substrate; Forming an active layer on the n-type nitride semiconductor layer by using a hydrazine-based source as a nitrogen precursor and nitrogen gas as a carrier gas; Forming a p-type nitride semiconductor layer on the active layer; Mesa-etching a portion of the p-type nitride semiconductor layer and the active layer to expose a portion of the n-type nitride semiconductor layer; And forming a p-type electrode and an n-type electrode on the p-type nitride semiconductor layer and the exposed n-type nitride semiconductor layer, respectively.

여기서, 상기 하이드라진 계열의 소스로서 비대칭 디메틸하이드라진(UDMHy)을 사용하는 것을 특징으로 한다.Here, asymmetric dimethylhydrazine (UDMHy) is used as the hydrazine-based source.

또한 상기 활성층을 형성하는 단계에서, 상기 질소 전구체는 상기 하이드라진 계열의 소스에 NH₃ 가스를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, in the forming of the active layer, the nitrogen precursor is characterized in that it further comprises a NH ₃ gas in the hydrazine-based source.

또한 상기 활성층을 형성하는 단계에서, 상기 캐리어 가스는 상기 질소 가스에 수소 가스를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, in the forming of the active layer, the carrier gas is characterized in that it further comprises hydrogen gas in the nitrogen gas.

또한 상기 활성층은 다중양자우물 구조의 In_xAl_yGa_1-x-yN/In_aAl_bGa_1-a-bN(x≤1, y≤1, a≤1, b≤1)로 이루어진 것을 특징으로 한다.In addition, the active layer is characterized by consisting of In _x Al _y Ga _1-xy N / In _a Al _b Ga _1-ab N (x≤1, y≤1, a≤1, b≤1) of the multi-quantum well structure do.

또한 상기 p형 질화물 반도체층 상에 상기 p형 전극을 형성하기 전에, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 p형 콘택층 및 투명 전극을 순차로 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The method may further include sequentially forming a p-type contact layer and a transparent electrode on the p-type nitride semiconductor layer before forming the p-type electrode on the p-type nitride semiconductor layer.

이하 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다.In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity.

이제 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자의 제조방법에 대하여 앞서의 도 1 및 도 3을 참고로 하여 상세하게 설명한다.Now, a method of manufacturing a nitride semiconductor light emitting device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 3.

도 1을 참조하면, 광투과성인 기판(100) 상에 버퍼층(110), n형 질화물 반도체층(120), 활성층(130) 및 p형 질화물 반도체층(140)을 순차적으로 형성한다.Referring to FIG. 1, a buffer layer 110, an n-type nitride semiconductor layer 120, an active layer 130, and a p-type nitride semiconductor layer 140 are sequentially formed on a light transmissive substrate 100.

상기 기판(100)은, 질화물 반도체 단결정을 성장시키기에 적합한 기판으로서, 바람직하게는 사파이어를 포함하는 투명한 재료를 이용하여 형성되며. 사파이어 이외에, 기판(100)은 징크 옥사이드(zinc oxide, ZnO), 갈륨 나이트라이드(gallium nitride, GaN), 실리콘 카바이드(silicon carbide, SiC) 및 알루미늄 나이트라이드(AlN)로 형성될 수 있다.The substrate 100 is a substrate suitable for growing a nitride semiconductor single crystal, and is preferably formed using a transparent material including sapphire. In addition to sapphire, the substrate 100 may be formed of zinc oxide (ZnO), gallium nitride (GaN), silicon carbide (SiC), and aluminum nitride (AlN).

상기 버퍼층(110)은, 상기 기판(100) 상에 n형 질화물 반도체층(120)을 성장시키기 전에 상기 기판(100)과의 격자정합을 향상시키기 위한 층으로, 공정 조건 및 소자 특성에 따라 생략 가능하다.The buffer layer 110 is a layer for improving lattice matching with the substrate 100 before growing the n-type nitride semiconductor layer 120 on the substrate 100, and is omitted according to process conditions and device characteristics. It is possible.

여기서, 상기 n형 및 p형 질화물 반도체층(120, 140), 및 상기 활성층(130)은, In_XAl_YGa_1-X-YN 조성식(여기서, 0≤X, 0≤Y, X+Y≤1임)을 갖는 반도체 물질로 형성될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 n형 질화물 반도체층(120)은 n형 도전형 불순물이 도핑된 GaN층 또는 GaN/AlGaN층 등으로 형성될 수 있고, 상기 p형 질화물 반도체층(140)은 p형 도전형 불순물이 도핑된 GaN층 또는 GaN/AlGaN층 등으로 형성될 수 있으며, 상기 활성층(130)은 다중양자우물(MQW) 구조의 In_xAl_yGa_1-x-yN/In_aAl_bGa_1-a-bN(x≤1, y≤1, a≤1, b≤1), 예컨대 InGaN/GaN층 등으로 형성될 수 있다.Here, the n-type and p-type nitride semiconductor layer (120, 140), and the active layer 130, In _X Al _Y Ga _1-XY N composition formula (where 0≤X, 0≤Y, X + Y≤ 1). More specifically, the n-type nitride semiconductor layer 120 may be formed of a GaN layer or a GaN / AlGaN layer doped with n-type conductive impurities, and the p-type nitride semiconductor layer 140 may be a p-type conductive type. It may be formed of a GaN layer or a GaN / AlGaN layer doped with an impurity, and the active layer 130 may be formed of In _x Al _y Ga _1-xy N / In _a Al _b Ga _{1-ab having} _a multi-quantum well structure N (x ≦ 1, y ≦ 1, a ≦ 1, b ≦ 1), for example, an InGaN / GaN layer or the like.

상기한 바와 같은 n형 및 p형 질화물 반도체층(120,140)과 활성층(130)은, 일반적으로, 유기 금속 화학 기상 증착(metal organic chemical vapor deposition: MOCVD) 등의 공정을 통해 형성될 수 있다.The n-type and p-type nitride semiconductor layers 120 and 140 and the active layer 130 as described above may be generally formed through a process such as metal organic chemical vapor deposition (MOCVD).

특히, 본 발명에 의한 질화물 반도체 발광소자의 제조방법에 있어서, 상기 활성층(130)은, Ⅴ족 질소 전구체로서 하이드라진(hydrazine) 계열의 소스와 캐리어(carrier) 가스로서 질소 가스를 사용하여 형성하는 것이 바람직하다.In particular, in the method of manufacturing a nitride semiconductor light emitting device according to the present invention, the active layer 130 is formed using a hydrazine-based source as a group V nitrogen precursor and nitrogen gas as a carrier gas. desirable.

여기서, 도 3은 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자를 제조하기 위한 활성층의 성장방식을 나타낸 도면이다.3 is a view showing a growth method of an active layer for manufacturing a nitride semiconductor light emitting device according to the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자의 활성층(130)은, n형 질화물 반도체층(120) 상에, 하이드라진 계열의 Ⅴ족 질소 전구체, Ⅲ족 유기금속 전구체, 및 질소 가스 등의 캐리어 가스를 사용하여 성장시킬 수 있으며, 이 때, 상기 하이드라진 계열의 소스로서 비대칭 디메틸하이드라진(UDMHy) 등이 사용될 수 있다.Referring to FIG. 3, the active layer 130 of the nitride semiconductor light emitting device according to the present invention includes a hydrazine-based group V nitrogen precursor, a group III organometallic precursor, a nitrogen gas, and the like on the n-type nitride semiconductor layer 120. It can be grown using a carrier gas of, at this time, asymmetric dimethylhydrazine (UDMHy) and the like can be used as the hydrazine-based source.

본 발명에서, 상기 비대칭 디메틸하이드라진(UDMHy)과 같은 하이드라진 계열의 질소 전구체를 사용하고 질소 가스를 캐리어 가스로 사용하면, 반응성이 매우 높은 NH₂ 래디컬(radical)들이 형성되고 그들의 낮은 분자결합 에너지로 인해 낮은 온도에서 양질의 InGaN/GaN 등으로 이루어진 활성층(130)을 성장할 수 있는 바, 발광 효율이 높은 양질의 양자우물을 성장할 수 있는 효과가 있다.In the present invention, when using a hydrazine-based nitrogen precursor such as asymmetric dimethylhydrazine (UDMHy) and using nitrogen gas as a carrier gas, highly reactive NH ₂ radicals are formed and due to their low molecular binding energy Since the active layer 130 made of high quality InGaN / GaN can be grown at a low temperature, there is an effect of growing a high quality quantum well having high luminous efficiency.

그리고, 상기 하이드라진 계열의 질소 전구체는 효율이 좋은 질소 전구체이므로 기존의 V/III 비율보다 현저히 낮은 비율(약 20~50)을 사용하여도 양질의 활성층(130) 성장이 가능하다는 장점이 있다.In addition, since the hydrazine-based nitrogen precursor is an efficient nitrogen precursor, there is an advantage in that the active layer 130 can be grown in a high quality even when a ratio (about 20 to 50) is significantly lower than the existing V / III ratio.

한편, 이러한 본 발명에 있어서, 상기 질소 전구체로서 상기한 바와 같이 하이드라진 계열의 소스만을 사용할 수도 있지만, 상기 질소 전구체는 상기 하이드라진 계열의 소스에 NH₃ 가스를 더 포함하는 것일 수도 있다. 또한, 상기 캐리어 가스는 상기한 질소 가스에 수소 가스를 더 포함하는 것일 수도 있다.In the present invention, as described above, only the hydrazine-based source may be used as the nitrogen precursor, but the nitrogen precursor may further include NH ₃ gas in the hydrazine-based source. The carrier gas may further include hydrogen gas in the nitrogen gas.

다음으로, 상기 n형 질화물 반도체층(120)의 일부 영역이 드러나도록, 상기 p형 질화물 반도체층(140) 및 활성층(130)의 일부 영역을 제거하는 메사 식각(mesa etching) 공정을 실시한다.Next, a mesa etching process of removing a portion of the p-type nitride semiconductor layer 140 and the active layer 130 is performed to expose a portion of the n-type nitride semiconductor layer 120.

그런 다음, 상기 p형 질화물 반도체층(140)과 상기 드러난 n형 질화물 반도체층(120) 상에 p형 전극(150)과 n형 전극(160)을 각각 형성한다.Then, the p-type electrode 150 and the n-type electrode 160 are formed on the p-type nitride semiconductor layer 140 and the exposed n-type nitride semiconductor layer 120, respectively.

한편, 상기 p형 질화물 반도체층(140) 상에 상기 p형 전극(150)을 형성하기 전에, 상기 p형 질화물 반도체층(140) 상에 오믹특성 향상을 위한 p형 콘택층(150), 및 전류 확산효과의 향상을 위한 투명 전극(160)을 순차로 형성할 수도 있다. 상기 투명 전극(160)은 주로 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어진다.Meanwhile, before forming the p-type electrode 150 on the p-type nitride semiconductor layer 140, the p-type contact layer 150 for improving ohmic characteristics on the p-type nitride semiconductor layer 140, and The transparent electrodes 160 may be sequentially formed to improve the current spreading effect. The transparent electrode 160 is mainly made of indium tin oxide (ITO).

상술한 바와 같이, 본 발명에 의한 질화물 반도체 발광소자의 제조방법에 따르면, 하이드라진 계열의 질소 전구체를 사용하여 낮은 온도에서도 양질의 양자우물 구조의 활성층을 성장시킴으로써, 소자의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.As described above, according to the method for manufacturing a nitride semiconductor light emitting device according to the present invention, by using a hydrazine-based nitrogen precursor to grow an active layer of a good quantum well structure even at low temperatures, it is possible to improve the luminous efficiency of the device. .

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 권리 범위는 개시된 실시예에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Accordingly, the scope of the present invention is not limited to the disclosed embodiments, but various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concept of the present invention as defined in the following claims also belong to the scope of the present invention.

앞에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자의 제조방법에 의하면, In을 포함하는 양자우물 구조의 활성층의 성장시, 비대칭 디메틸하이드라진(UDMHy) 등과 같은 하이드라진 계열의 질소 전구체를 사용함으로써, 낮은 온도에서도 양질의 양자우물 구조의 활성층을 성장시킬 수 있는 바, 발광 효율이 높은 활성층을 구현할 수 있다. 따라서, 본 발명은 소자의 발광 효율 향상 효과를 기대할 수 있다.As described above, according to the method of manufacturing the nitride semiconductor light emitting device according to the present invention, when the active layer of the quantum well structure including In is grown, by using a hydrazine-based nitrogen precursor such as asymmetric dimethylhydrazine (UDMHy), It is possible to grow an active layer of a good quantum well structure even at temperature, it is possible to implement an active layer with high luminous efficiency. Therefore, the present invention can expect the effect of improving the luminous efficiency of the device.

Claims

Forming an n-type nitride semiconductor layer on the substrate;

Forming an active layer on the n-type nitride semiconductor layer by using a hydrazine-based source as a nitrogen precursor and nitrogen gas as a carrier gas;

Forming a p-type nitride semiconductor layer on the active layer;

Mesa-etching a portion of the p-type nitride semiconductor layer and the active layer to expose a portion of the n-type nitride semiconductor layer; And

And forming a p-type electrode and an n-type electrode on the p-type nitride semiconductor layer and the exposed n-type nitride semiconductor layer, respectively.

In the forming of the active layer, the carrier gas is a method of manufacturing a nitride semiconductor light emitting device, characterized in that the nitrogen gas further comprises hydrogen gas.

The method of claim 1,

Asymmetric dimethylhydrazine (UDMHy) is used as a source of the hydrazine-based method for manufacturing a nitride semiconductor light emitting device.

The method of claim 1,

In the step of forming the active layer,

The nitrogen precursor is a method for manufacturing a nitride semiconductor light emitting device, characterized in that further comprising a NH ₃ gas in the hydrazine-based source.

delete

The method of claim 1,

The active layer is composed of In _x Al _y Ga _1-xy N / In _a Al _b Ga _1-ab N (x≤1, y≤1, a≤1, b≤1) of the multi-quantum well structure Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting device.

The method of claim 1,

Before forming the p-type electrode on the p-type nitride semiconductor layer,

And forming a p-type contact layer and a transparent electrode sequentially on the p-type nitride semiconductor layer.