KR100793162B1 - 전자파 플라즈마 장치를 이용한 알루미늄 나노분말제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 전자파 플라즈마 장치를 통해 알루미늄 나노분말을 제조할 때 상기한 플라즈마의 온도, 프리커셔의 공급량, 유도 코일과 노즐과의 간격, 가스의 주입량 등을 제어하여 보다 균일한 입도를 가진 나노분말을 제조할 수 있도록 하는데 그 목적이 있다.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 전자파 플라즈마 장치를 이용한 알루미늄 나노분말 제조방법은, 고체 프리커셔로서 10 ~ 100 마이크론 크기의 알루미늄 분말을 준비하는 원료 준비단계; 상기 고체 프리커셔를 15 ~ 150 kW의 유도 코일에 의해 만들어지는 전자파 플라즈마 내로 보조 가스와 함께 주입하는 원료 공급단계; 전자파 플라즈마 처리를 통해 상기 고체 프리커셔를 기화 또는 용해시킨 후에 퀀칭 가스를 분사시켜 나노분말로 제조하는 플라즈마 처리단계; 미처리된 마이크론 크기의 알루미늄 분말과 새로 생성된 나노분말을 분리하여 수거하는 회수단계로 이루어진다.

전자파 플라즈마, 알루미늄, 나노분말, 쉴스 가스,

Description

전자파 플라즈마 장치를 이용한 알루미늄 나노분말 제조방법{Method for manufacturing nano size powder of aluminum using RF plasma device}

도1은 본 발명에 따른 나노분말 제조 시스템의 개략도.

도2는 본 발명에 따른 나노분말 제조 시스템 중 분사노즐을 나타낸 도면.

도3은 본 발명에 따른 나노분말 제조방법의 순서도.

도4는 본 발명에 따라 제조된 나노분말 사진.

도5는 본 발명에 따라 제조된 나노분말의 입도 분포 그래프.

※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명※

10: 프리커셔 공급기 12, 14, 16: 가스 공급기

20: 반응 챔버 30: 분사 노즐

40: 사이클론 50: 콜렉터

60: 가스 순환기

본 발명은 전자파 플라즈마 장치를 이용한 알루미늄 나노분말 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 마이크론 크기의 알루미늄 분말을 특정 기능을 하는 몇 가지 가스와 함께 고온의 플라즈마 불꽃 내로 주입하여 연소시킴으로써 나노분말을 보다 균일하게 제조할 수 있도록 해주는 방법에 관한 것이다.

최근 전자, 정보통신 및 생명공학의 급속한 발전으로 인해 나노기술에 대한 전 세계적인 관심이 높아지고 있다. 특히 나노분말은 입자 크기가 극미세화해짐에 따라 일반분말에서는 발현되지 않았던 특이한 새로운 물성이 관찰됨으로써 전기, 전자 분야는 물론이거니와 고강도 기계부품, 촉매, 의약 및 생명공학 등의 각종 산업분야에 걸쳐 나노분말의 응용이 기대된다. 특히, 알루미늄 나노분말은 리튬 이차전지 및 전자파 차폐 유리의 제조에 이용되고 있는 물질로서 최근에 그 수요가 급증하고 있는 실정이어서 균일한 품질의 알루미늄 나노분말의 대량생산 기술이 요구되고 있다.

금속계 나노분말을 제조하는 기존의 기상합성 기술로는 불활성기체응축(Inert Gas Condensation, IGC), 화학기상 응축(Chemical Vapor Condensation, CVC), 금속염 분무건조(Metal Salt Spray-Drying) 등이 있다.

이 중 불활성기체응축(IGC) 공정은 고순도의 극미세한 나노금속분말 제조가 가능하나, 큰 에너지를 필요로 하고 생산속도가 매우 낮아 공업적 응용에 한계가 있으며, 화학기상응축(CVC) 공정은 불활성기체응축(IGC) 공정에 비해 에너지 면이나 생산속도 면에서 다소 개선된 공정이나, 원료물질인 프리커셔(precursor)의 가격이 매우 비싸 경제적인 측면에서 불리하다. 그리고, 금속염 분무건조공정은 값싼 염을 원료로 사용하므로 경제적이지만 건조단계에서의 오염과 분말의 응집을 피할 수 없고, 유독성 부산물이 발생하므로 환경적인 측면에서 불리하다.

이러한 종래의 나노분말 제조방법의 문제점을 해결하고 균일한 나노분말을 보다 경제적으로 생산할 수 있는 기술이 등장하였는데, 전자파 플라즈마를 이용한 나노분말 제조기술이 바로 그것이다. 그 일예로 대한민국 공개특허 제2006-62582호에는 전자파 플라즈마를 이용하여 이산화티타늄 나노분말을 제조하는 방법에 게시되어 있다.

상기 이산화티타늄 나노분말 제조방법은, 마그네트론에서 발진된 전자파를 통상의 순환기, 방향성 결합기, 3-스터브 튜너를 통해 도파관으로 전송하는 제 1과정, 상기 도파관의 종단으로부터 관내 파장의 1/4 떨어진 위치에 도파관을 수직 관통해 설치된 방전관 내에 전장을 유도하는 제 2과정, 플라즈마 가스 또는 산화제 가스로 이용되는 와류 가스를 상기 방전관 내로 주입하는 제 3과정, 상기 와류 가스와 상기 전장이 점화장치에 의해 1기압 플라즈마가 형성되도록 하는 제 4과정, 이산화티타늄 나노분말 합성에 사용되는 아르곤 가스에 의해 버블링된 사산화티타늄 원료가스와 보조 아르곤 및 수소 가스를 상기 플라즈마로 유도하는 제 5과정, 합성된 이산화티타늄 나노분말을 수집용기에 수집하는 제 6과정으로 구성된다.

이와 같이 전자파 플라즈마를 이용하여 금속 나노분말을 제조할 때에는 전자파 플라즈마의 온도, 플라즈마 내로의 프리커셔 공급량, 전자파를 발생시키는 유도 코일(Induction coil)과 노즐과의 간격, 상기 와류 가스 및 보조 가스의 주입 조건 등에 의해 최종적으로 생산되는 나노분말의 입도의 균일성이 크게 좌우된다. 따라서, 보다 균일한 입도의 나노분말을 제조하기 위해서는 상기한 조건들에 대한 정밀한 제어가 요구되고 있다.

본 발명은 이러한 요구를 충족시키기 위하여 제안된 것으로, 전자파 플라즈마 장치를 통해 알루미늄 나노분말을 제조할 때 상기한 플라즈마의 온도, 프리커셔의 공급량, 유도 코일과 노즐과의 간격, 가스의 주입량 등을 제어하여 보다 균일한 입도를 가진 나노분말을 제조할 수 있는 최적의 조건을 제공하는데 그 목적이 있다.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 전자파 플라즈마 장치를 이용한 알루미늄 나노분말 제조방법은, 고체 프리커셔(Solid precursor)로서 10 ~ 100 마이크론 크기의 알루미늄 분말을 준비하는 원료 준비단계; 상기 고체 프리커셔를 15 ~ 150 kW의 유도 코일에 의해 만들어지는 전자파 플라즈마 내로 보조 가스와 함께 주입하는 원료 공급단계; 전자파 플라즈마 처리를 통해 상기 고체 프리커셔를 기화 또는 용해시킨 후에 퀀칭(quenching) 가스를 분사시켜 나노분말로 제조하는 플라즈마 처리단계; 미처리된 마이크론 크기의 알루미늄 분말과 새로 생성된 나노분말을 분리하여 수거하는 회수단계로 이루어진다.

상기 원료 공급단계는 상기 보조 가스로서 쉴스(sheath) 가스, 센트럴(Central) 가스 및 캐리어(Carrier) 가스가 분사 노즐을 통해 주입되고, 상기 쉴스 가스는 아르곤 및 수소가 각각 10 ~ 120 SLPM 및 10 ~ 50 SLPM으로 혼합 주입되고, 상기 센트럴 가스는 아르곤 가스가 5 ~ 40 SLPM으로 주입되며, 상기 캐리어 가스는 아르곤 가스가 5 ~ 40 SLPM으로 주입된다. 이 때, 상기 분사 노즐은 그 내부에 삽입 설치된 유도 코일의 중심점과 분사 노즐의 하단까지의 간격(t)을 -3 ~ 3cm로 유지하는 것이 바람직하다.

상기 플라즈마 처리단계는 상기 퀀칭 가스로서 아르곤 가스를 50 ~ 400 SLPM으로 분사한다.

이하에서 첨부된 도면을 참조로 본 발명에 따른 알루미늄 나노분말의 제조방법에 대하여 상세히 설명한다. 도1은 본 발명에 따른 제조 시스템의 개략도이고, 도2는 상기 시스템 중에서 분사 노즐 부분만을 확대 도시한 것이다.

본 발명에 따른 전자파 플라즈마 장치를 이용한 나노분말의 제조 시스템은 크게 마이크론 크기의 알루미늄 분말로 된 고체 프리커셔(Solid precursor)를 공급하는 프리커셔 공급기(10), 각종 보조 가스를 공급하는 가스 공급기(12,14,16), 전자파 플라즈마를 생성하는 분사 노즐(30)이 구비되어 상기 고체 프리커셔를 플라즈마 처리하는 반응 챔버(20), 제조된 알루미늄 나노분말 중에서 입도가 큰 것을 원심력을 이용하여 분리 회수하는 사이클론(40), 및 내부에 설치된 필터(55)를 이용하여 제조된 나노분말 중에서 입도가 작은 것을 분리 회수하는 콜렉터(50)로 구성된다.

상기 프리커셔 공급기(10)는 마이크론 크기의 알루미늄 분말을 고체 프리커셔로서 반응 챔버(20)에 공급한다. 마이크론 크기의 고체 프리커셔는 매우 미세한 분말이기 때문에 프리커셔 공급기(10) 내벽에 부착되어 원활하게 공급되지 않을 수 있다. 따라서, 프리커셔 공급기(10)에 일정한 속도의 회전과 일정한 주기의 진동을 가하여 고체 프리커셔가 원활하게 공급될 수 있도록 구성하는 것이 바람직하다.

상기 가스 공급기(12, 14, 16)는 반응 챔버(20)에서의 플라즈마 처리 효율을 향상시키기 위한 각종 보조 가스를 공급한다. 고체 프리커셔와 함께 공급되는 보조 가스에는 쉴스(sheath) 가스, 센트럴(Central) 가스, 캐리어(carrier) 가스 등이 있고, 아르곤과 같은 불활성 기체, 수소 및 이들을 혼합한 기체가 주로 사용된다.

쉴스 가스는 고체 프리커셔가 공급되는 분사 노즐(30)의 유도 코일이 설치된 벽체의 내부 표면에 기화된 분말이 부착되는 것을 방지하기 위해 주입되는 것으로서 쉴스 가스 공급기(16)를 통해 분사 노즐(30)로 주입된다. 센트럴 가스는 고체 프리커셔가 균일하게 플러싱(Flushing)되도록 하기 위해 분사 노즐(30)의 내벽에 주입되는 것으로서 센트럴 가스 공급기(14)를 통해 분사 노즐(30)로 주입된다. 캐리어 가스는 고체 프리커셔를 반응 챔버(20)로 공급하는 것은 물론 플라즈마 처리에 의해 제조된 나노분말을 콜렉터(50)까지 이송시키기 위해 캐리어 가스 공급기(12)를 통해 분사 노즐(30)로 주입된다.

상기 반응 챔버(20)는 그 상부에 설치된 분사 노즐(30)을 통해 고체 프리커셔가 공급되어 전자파 플라즈마 내에서 기화 또는 용해되고, 그 하단부에서 분사되는 퀀칭(quenching) 가스에 의해 응축 또는 급냉되어 나노분말로 제조되는 일련의 반응이 일어난다. 반응 챔버(20)의 바닥부에는 미처 플라즈마 처리가 되지 못한 마이크론 크기의 알루미늄 분말이 쌓여지는데, 이를 수거하여 반응 챔버(20)로 재공급한다.

도2에는 고체 프리커셔와 각종 보조 가스를 주입하는 분사 노즐(30)의 내부 구성이 상세히 도시되어 있다. 원통형을 이루는 바디(31)의 벽체 내부에는 전자파 플라즈마를 생성하는 유도 코일(32)이 삽입 설치되고, 바디(31)의 내부 통로에는 중앙에 고체 프리커셔와 캐리어 가스가 주입되는 프리커셔 주입구(33)가 설치되며, 이 프리커셔 주입구(33)의 둘레에는 센트럴 가스 주입구(34)가 설치되고, 유도 코일(32)이 삽입된 벽체의 내부 표면에는 쉴스 가스 주입구(35)가 설치된다.

이와 같이 구성된 분사 노즐(30)에 따르면, 상기 프리커셔 주입구(33)를 통해 캐리어 가스와 함께 공급되는 고체 프리커셔가 유도 코일(32)에 의해 만들어지는 전자파 플라즈마(36)의 화염 내로 고속으로 주입되면서 반응이 일어난다. 이 때 함께 공급되는 센트럴 가스와 쉬스 가스는 고체 프리커셔가 균일하게 공급되도록 해주는 한편 벽체의 내부 표면에 부착되는 것을 방지하여 플라즈마가 안정화되도록 해준다.

플라즈마 처리를 통해 제조된 나노분말은 입도에 따른 선별력을 높이기 위해 두 가지 과정을 통해 분리 수거된다. 나노분말은 진공 펌프나 컴프레셔에 의해 이송되고 반응 챔버(20)와 인접한 사이클론(40)을 지나면서 온도가 하강된다. 이 때, 사이클론(40)은 원심 분리법을 이용하여 입도가 큰 나노분말을 1차로 분리 수거한다. 나머지 입도가 작은 나노분말들은 이송 배관(45)을 따라 콜렉터(50)로 이송되는데, 이 때 이송 배관(45)으로 공급되는 퀀칭 가스에 의해 온도가 더욱 하강된다.

상기 콜렉터(50)는 그 내부에 설치된 필터(55)를 통해 입도가 작은 나노분말을 수거하고, 플라즈마 과정에서 생성된 각종 불산물 및 가스들은 가스 순환기(60)를 통해 재사용되거나 외부 관(70)을 통해 최종 배출된다. 그리고, 일정량의 나노분말이 필터(55)에 흡착되면 필터 내부에서 백 플러싱(Back Flushing)하여 나노분 말을 탈착시켜 콜렉터(50)의 하단에 마련된 나노분말 수거통으로 회수한다. 이 때, 나노분말은 반응 가능한 기체와 접촉하는 표면적이 매우 넓기 때문에 회수 및 처리에 주의를 해야 한다.

이상과 같이 구성된 시스템에 의해 실현되는 알루미늄 나노분말의 제조방법에 대해 도3을 참조로 상세히 설명한다. 나노분말 제조과정에서 공급되는 쉴스 가스, 센트럴 가스, 캐리어 가스, 퀀칭 가스의 유량은 나노분말의 입도에 큰 영향을 미치고, 쉴스 가스의 종류는 플라즈마 화염의 온도분포에 큰 영향을 미친다. 따라서, 이들 보조 가스에 대한 최적의 조건을 정립할 필요가 있는 바, 본 발명의 기술적 특징은 여기에 있다 할 것이다.

알루미늄 나노분말을 제조하기 위한 첫 번째 단계로 고체 프리커셔로서 10 ~ 100 마이크론 크기의 알루미늄 분말을 준비한다(S10). 프리커셔는 기체상으로 공급되는 경우도 있으나, 본 발명에서는 고체 -> 기체(플라즈마 처리) -> 고체(퀀칭)의 상변태 과정에서 마이크론 크기의 분말을 나노 크기의 분말로 변화시키는 것인 바, 프리커셔는 고체상으로 준비한다. 고체 알루미늄 분말의 입도를 10 ~ 100 마이크론 크기로 한정한 이유는 10 마이크론보다 작은 분말을 준비하기 위해서는 매우 고가의 장비를 사용해야 하므로 경제적이지 못하고, 100 마이크론보다 큰 분말은 플라즈마 처리 효율이 낮아 생산성이 떨어지기 때문이다.

다음으로, 상기 고체 프리커셔를 15 ~ 150 kW의 유도 코일에 의해 만들어지는 전자파 플라즈마 내로 보조 가스와 함께 공급한다(S20). 상기 유도 코일(32)에 공급되는 전원을 15 ~ 150 kW로 조절하면 전자파 플라즈마의 화염 온도가 고체 프 리커셔를 기화 또는 용해시키는데 적합한 5,000 ~ 10,000 K로 제어할 수 있다. 플라즈마의 화염 온도가 상기 온도 범위보다 더 높게 되면 고체 프리커셔가 과기화되어 나노분말의 생산량 자체가 작아질 뿐만 아니라 경제성이 떨어진다. 한편, 상기 온도 범위보다 더 낮게 되면 플라즈마가 생성되지 않아 나노 크기보다 큰 입도를 가진 분말이 다량으로 만들어지기 때문에 나노분말의 생산성이 크게 저하된다.

상기한 바와 같이 고체 프리커셔는 마이크론 크기의 미세한 분말이기 때문에 프리커셔 공급기(10)의 내벽에 부착되어 분사 노즐(30)로 원활하게 공급되지 않을 수 있다. 이를 방지하기 위해 본 발명에서는 상기 프리커셔 공급기(10)를 10 ~ 30 RPM으로 회전시킴과 동시에 10 ~ 40%(공급장치의 최고치를 기준으로 한 것임)의 진동시켜 고체 프리커셔의 공급 효율을 증가시킨다. 상기 회전속도와 진동주기는 경제성과 공급 효율을 고려해 여러 번의 실험을 거쳐 최적화된 것이나, 각 장치별로 적용할 수 있는 진동주기 등이 달라질 수 있다.

또한, 최종 생성되는 나노분말의 입도에 가장 큰 영향을 미치는 것은 분사 노즐(30)을 통해 주입되는 보조 가스의 종류와 유량이다. 실험 결과 상기 쉴스 가스는 아르곤 및 수소가 각각 10 ~ 120 SLPM 및 10 ~ 50 SLPM으로 혼합 주입되고, 상기 센트럴 가스는 아르곤 가스가 5 ~ 40 SLPM으로 주입되며, 상기 캐리어 가스는 아르곤 가스가 5 ~ 40 SLPM으로 주입되는 것이 가장 바람직한 것으로 밝혀졌다. 여기서 SLPM(Standard Liters Per Minute)는 일정한 조건에서 공급되는 기체의 유량을 나타내는 단위로서 섭씨 20℃ 및 대기압(14.7 psi)에서 분당 공급되는 유체의 량을 의미한다.

나노분말은 표면적이 매우 커 기체와의 반응성이 높기 때문에 아르곤과 같은 불활성 기체를 사용하여야 하고 수소 가스는 나노 분말의 결정성을 높여주는 바, 쉴스 가스는 상기와 같은 비율로 아르곤 가스 및 수소 가스를 혼합하여 사용하는 것이 플라즈마를 안정화시키는데 가장 바람직하다.

또한, 상기 센트럴 가스 또한 쉴스 가스와 더불어 플라즈마를 안정화시키는데, 상기한 유량 범위에서 가장 효과가 우수한 것으로 나타났다. 한편, 캐리어 가스는 알루미늄 분말을 프리커셔 공급기(10)로부터 콜렉터(50)까지 이송시키는 기능을 하므로, 상기 유량 범위보다 작으면 콜렉터(50)까지의 이송 효율이 저하되고 더 크면 필요 이상으로 과공급되므로 비경제적이다.

원료 공급단계에서 고려해야 할 또 다른 요소는 도2에 도시된 바와 같이 분사 노즐(30)의 벽체 내부에 삽입 설치된 유도 코일(32)의 중심점과 분사 노즐(30)의 하단부까지의 간격(t)이다. 본 발명에 따르면 이 간격(t)을 -3 ~ 3cm로 유지하는 것이 바람직하다. 상기 분사 노즐(30)의 하단부가 유도 코일(32)의 중심점보다 더 아래쪽에 위치할 때를 (+)로 하고 더 위쪽에 위치할 때를 (-)로 한다. 상기 간격(t)이 -3㎝보다 작으면 유도 코일(32)이 벽체 외부로 노출되는 부분이 너무 커서 가스 등이 흡착되어 손상되는 경우가 발생하고, 3㎝보다 크면 유도 코일에 의해 만들어지는 플라즈마 화염 중 분사 노즐(30)의 외부, 즉 반응 챔버(20) 안으로 분사되는 화염의 길이가 상대적으로 짧아져 반응성이 저하된다.

다음으로, 유도 코일(32)에 의해 만들어지는 전자파 플라즈마(36)의 화염 내에서 고체 프리커셔를 반응시켜 기화 또는 용해시킨 후에 퀀칭(quenching) 가스를 분사시켜 나노분말로 제조한다(S30). 이 때, 상기 퀀칭 가스로서 아르곤 가스를 50 ~ 400 SLPM으로 분사하는 것이 바람직하다. 퀀칭 가스의 유량이 이보다 더 작으면 냉각효율이 저하되고, 더 크면 과냉각되어 생성되는 나노분말의 입도가 증가되기 때문이다.

마지막으로, 플라즈마 처리가 되지 못한 마이크론 크기의 알루미늄 분말과 플라즈마 처리된 나노분말을 분리하여 수거한다. 이 때, 마이크론 크기의 알루미늄 분말은 반응 챔버(20)의 바닥에 쌓이므로 이는 별도로 분리하여 반응 챔버(20)로 재공급한다. 그리고, 새로 생성된 나노분말 중에서 입도가 큰 것은 사이클론(40)에서 원심 분리법에 의해 분리 수거하고, 입도가 작은 것은 콜렉터(50)에서 필터(55)에 의해 분리 수거한다(S40,S50).

도4 및 도5는 본 발명의 일 실시예에 따른 실험 결과를 나타낸 것이다. 필터에 의해 수거된 알루미늄 나노분말의 결정구조를 XRD 회절분석을 통해 실험한 결과 면심입방의 알루미늄 결정상이 잘 형성되었음을 확인할 수 있었다. 입자의 크기와 모양을 확인하기 위해 TEM과 입도 분석기를 통해 살펴보면 도4에서 보듯이 입자의 크기는 평균 80nm의 크기로서 완전한 구 형태를 가지고 있었다. 또한, 베커만(Beckman)사에서 제조한 LS 13320 입도분석기를 통해 입자의 크기를 분석한 결과 도5에서 보듯이 평균 83nm의 크기를 가지고 있는 것으로 확인되었다.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 전자파 플라즈마 장치를 이용한 알루미늄 나노분말의 제조방법에 의하면 알루미늄 나노분말을 보다 균일하게 생산할 수 있고, 종래의 방법에 비해 시간당 생산성이 높아 대량 생산이 가능하다. 이에 의해 생산된 알루미늄 나노분말은 얇은 투명 필름 위에 도포 또는 증착하여 도전성 전도막을 형성함으로써 전자파 차폐 기능을 가진 투명 필름으로 제조할 수 있다.

Claims (4)

1. 고체 프리커셔(Solid precursor)로서 10 ~ 100 마이크론 크기의 알루미늄 분말을 준비하는 원료 준비단계;

   상기 고체 프리커셔를 15 ~ 150 kW의 유도 코일에 의해 만들어지는 전자파 플라즈마 내로 보조 가스와 함께 주입하는 원료 공급단계;

   전자파 플라즈마 처리를 통해 상기 고체 프리커셔를 기화 또는 용해시킨 후에 퀀칭(quenching) 가스를 분사시켜 나노분말로 제조하는 플라즈마 처리단계;

   미처리된 마이크론 크기의 알루미늄 분말과 새로 생성된 나노분말을 분리하여 수거하는 회수단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 전자파 플라즈마 장치를 이용한 알루미늄 나노분말의 제조방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 원료 공급단계는 상기 보조 가스로서 쉴스(sheath) 가스, 센트럴(Central) 가스 및 캐리어(Carrier) 가스가 분사 노즐을 통해 주입되고, 상기 쉴스 가스는 아르곤 및 수소가 각각 10 ~ 120 SLPM 및 10 ~ 50 SLPM으로 혼합 주입되고, 상기 센트럴 가스는 아르곤 가스가 5 ~ 40 SLPM으로 주입되며, 상기 캐리어 가스는 아르곤 가스가 5 ~ 40 SLPM으로 주입되는 것을 특징으로 하는 전자파 플라즈마 장치를 이용한 알루미늄 나노분말 제조방법.
3. 제2항에 있어서, 상기 분사 노즐은 그 내부에 삽입 설치된 유도 코일의 중심 점과 분사 노즐의 하단까지의 간격(t)을 -3 ~ 3cm로 유지하는 것을 특징으로 하는 전자파 플라즈마 장치를 이용한 알루미늄 나노분말 제조방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 처리단계는 상기 퀀칭 가스로서 아르곤 가스를 50 ~ 400 SLPM으로 분사하는 것을 특징으로 하는 전자파 플라즈마 장치를 이용한 알루미늄 나노분말 제조방법.

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