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KR100783361B1 - 광배선 모듈 - Google Patents

광배선 모듈 Download PDF

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KR100783361B1
KR100783361B1 KR1020060095466A KR20060095466A KR100783361B1 KR 100783361 B1 KR100783361 B1 KR 100783361B1 KR 1020060095466 A KR1020060095466 A KR 1020060095466A KR 20060095466 A KR20060095466 A KR 20060095466A KR 100783361 B1 KR100783361 B1 KR 100783361B1
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KR
South Korea
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light source
metal
mode
optical
optical waveguide
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Application number
KR1020060095466A
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이명현
주정진
박선택
김진태
김민수
박승구
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한국전자통신연구원
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Publication date
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Abstract

본 발명은 광배선 모듈 구조에 관한 것이다. 본 발명에 따른 광배선 모듈은 기판 표면에 실장되는 광원과, 광원에서 나오는 광의 TM모드로 결합하며 장거리 표면플라즈몬 폴라리톤을 이용하는 금속광도파로와, 광수신소자를 포함하여 이루어진다. 본 발명에 의하면, 소형화 및 고수율화에 적합한 단순 구조의 광배선 모듈을 제공할 수 있다.
광배선 모듈, 장거리 표면플라즈몬 폴라리톤, 초고속 대용량 광신호

Description

광배선 모듈{Optical Wiring Module}
도 1은 본 발명의 광배선 모듈의 개략도이다.
도 2는 도 1의 금속광도파로의 사시도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 광배선 모듈의 개략도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 광배선 모듈의 개략도이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 광배선 모듈의 개략도이다.
도 6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 광배선 모듈의 개략도이다.
도 7은 본 발명의 제5 실시예에 따른 광배선 모듈의 개략도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 광원
20 : 금속광도파로
30 : 광수신소자
본 발명은 TM모드(transverse magnetic mode)형 광원과 장거리 표면플라즈몬 폴라리톤(surface plasmon polariton: SPP)을 이용한 금속광도파로를 이용하여 초 고속 대용량의 광신호를 처리하기 위한 새로운 구조의 광배선 모듈에 관한 것이다
종래의 전기배선을 광배선으로 대체할 경우, 광전송 매개체와는 별도로, 전기적 신호를 광신호로 변환(EO conversion)시키는 부품인 레이저 다이오드(laser diode, LD)와, 구동 집적회로(driver IC), 그리고 광신호를 전달하는 광도파로와, 검출된 광신호를 다시 전기적 신호로 복원(OE conversion)시키는 광다이오드(photodiode, PD)와 수광 집적회로(receiver IC)가 필요하다. 현재 LD로는 표면으로 빛이 방출되는 표면방출레이저(vertical-cavity surface-emitting laser, VCSEL)가 많이 사용된다. 표면방출레이저는 이차원적인 어레이를 만들 수 있고 원형의 대칭성을 갖는 빔 단면을 얻을 수 있으며 소비전력이 적은 장점을 갖고 있다. 또한, 표면방출레이저는 칩으로 절단하기 전에 웨이퍼 상에서 소자의 작동 여부를 검사할 수 있고, 면적당 더 많은 소자를 만들 수 있어 생산 단가를 낮추는데 아주 유리하다. 광신호를 전달하는 광도파로로는 광섬유와 유전체 광도파로가 많이 사용되고 있다. 광수신소자로는 핀 광 다이오드(PIN photodiode)가 많이 사용되고 있다. 구동 집적회로와 수광 집적회로는, 단가를 낮추기 위해, Si CMOS 또는 SiGe BiCMOS와 같은 Si 기반의 회로가 사용되고 있다.
일반적으로 광배선에서 광을 전달하기 위해서 광섬유나 유전체 광도파로가 사용되고 있다. 광배선 집적 모듈에서 광신호는 유리, 실리카, 고분자 등의 유전체로 만들어진 광도파로에 의해 전송된다. 그리고, 소형화, 고집적화를 위해서 현재 많은 광PCB에서 내장형 광도파로를 사용하고 있다. 그러나 광정렬 효율 및 광PCB 모듈 제작의 용이성 등을 위하여 주로 다중모드 광도파로를 사용하고 있으나, 크기 가 비교적 큰 내장형 광도파로는 제작이 용이하지 않으며, 수율도 현저히 떨어지고 있다.
그리고 현재 대부분의 광PCB는 표면방출레이저를 이용한 것이다. 표면방출레이저 또는 광다이오드는 표면에 실장되는데, 이러한 경우 표면방출레이저 또는 광다이오드는 수직방향으로 빛이 출입하므로 광PCB 속에 수평으로 탑재되어 있는 광도파로까지의 연결을 위해 빛의 경로를 90o 변경해 주는 커넥터 부품이 필요하다. 현재 90o 경로 변경을 위한 45o 거울을 광도파로 끝부분에 만들거나 90o 꺽인 광도파로 블럭 등의 적절한 부품을 연구 개발하여 현재 사용하고 있으나, 아직 확실한 방법이 나오지 않아서, 광PCB 활용을 위해서는 하나의 선행 개발되어야 할 또 다른 문제로 남아있다.
본 발명의 목적은 TM모드형 광원칩과 장거리 표면플라즈몬 폴라리톤(long-range surface plasmon polariton: LR-SPP)을 이용한 금속광도파로를 이용하여 초고속 대용량의 광신호를 처리할 수 있는 광배선 모듈을 제공하는 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 바람직한 측면에 의하면, 광원; 상기 광원으로부터 출력되는 광의 TM 모드 성분에 의하여 여기되는 장거리 표면플라즈몬 폴라리톤(long-range surface plasmon polariton: LR-SPP)을 도파시키는 스트립 형태의 금속선이 구비된 금속광도파로; 및 상기 금속광도파로로부터 출력되는 광을 수신하는 광 수신 소자가 제공된다.
바람직하게, 광원은 TM모드가 주로 발진하는 측면 방출 광원칩을 포함할 수 있다.
광원은 TE모드가 주로 발진하는 측면 방출 광원칩과, 측면 방출 광원칩에서 방출되는 TE모드의 광을 TM모드의 광으로 변환하여 금속광도파로로 전달하는 반파장판을 포함할 수 있다.
광원은 기판상에 90o 회전하여 정렬 장착되고 TE모드가 주로 발진하는 측면 방출 광원칩을 포함할 수 있다. 이 경우, TE모드가 주로 발진하는 광원칩에서 발진되는 TE모드의 광은 금속광도파로에 TM모드로 결합된다.
광원은 TE모드가 주로 발진하는 측면 방출 광원칩을 포함할 수 있으며, 이때, 금속광도파로는 스트립 형태의 금속선이 기판의 평평한 면과 수직으로 세워져 설치된다.
광원은 기판상에 90o 로 세워져 설치되는 표면 방출 광원칩을 포함할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세하게 설명하기로 한다. 이하의 실시예는 본 기술 분야에서 통상적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 충분히 이해하도록 하기 위한 것이다.
도 1은 본 발명의 광배선 모듈의 개략도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 광배선 모듈은 광원(10), LR-SPP(long-range surface plasmon polariton)를 이용한 금속광도파로(20), 및 광수신소자(photodetector)를 포함하여 이루어진다.
본 발명에서는 장거리 표면플라즈몬 폴라리톤(LR-SPP)을 이용하여 기존의 광섬유 또는 유전체 광도파로를 금속광도파로(20)로 대체하였다. 표면 플라즈몬(surface plasmon, SP)은 유전 상수의 실수항이 서로 반대 부호를 가지는 경계면을 따라 구속되어 진행하는 전하밀도의 진동파로서, 표면 전하 밀도 진동은 종방향 표면 구속파를 형성한다. 그리고 광파에 의해 여기되어 표면 플라즈몬과 결합하여 진행하는 전자기파를 표면 플라즈몬 폴라리톤(surface plasmon polariton, SPP)이라고 하며 소멸파(evanescent wave)이다. 예를 들어 실리카, 유리 등의 유전체와 이 유전체 내부에 형성된 금속 박막 사이의 계면에 표면 플라즈몬 폴라리톤이 발생할 수 있다. 그러나 이러한 표면 플라즈몬 폴라리톤은 소멸 모드(evanescent mode)에서 파수 벡터가 허수 부분을 가지기 때문에 일정한 거리를 전파하고 소멸한다. 이러한 표면 플라즈몬 폴라리톤은 주입된 빛에 의해 여기되어 진행되고 다른 부분에서 빛을 재 방출할 수 있어 광도파에 이용될 수 있는 소지가 있다. 그러나 표면 플라즈몬 폴라리톤용 금속도파로를 이용할 경우, 금속의 유전상수 허수 부분이 커지면 금속에서의 흡수가 커지기 때문에 진행거리가 수 ~ 수십 마이크로 미터로 매우 짧아 광도파를 위해 이용되는 데는 한계가 있다. 이러한 이유로 대부분 표면 플라즈몬 또는 표면 플라즈몬 폴라리톤은 매우 짧은 거리를 이용하는 광센서 등에 응용된다. 그러나 장거리 표면 플라즈몬 폴라리톤(LR-SPP)은 금속과 유전체의 두 경계면에서 서로 독립적으로 진행하기 때문에 표면 플라즈몬 폴라리톤은 금속 두께 t(도 2 참조)가 작아짐에 따라, 금속의 옴(ohm) 저항 손실도 작아질 뿐만 아니라, 금속 두께 t가 두 모드의 금속내 침투거리보다 작아짐에 따라 서로 영향을 미치게 된다. 금속 두께 t가 두 모드의 금속내 침투거리보다 작은 값을 가지면, 각 경계에서 존재하는 표면 플라지몬 폴라리톤들은 결합하여, 일명 파노(fano) 모드라 부르는 슈퍼(super) 모드를 형성한다. 이 슈퍼모드를 이용하면 이론상으로 무한한 거리를 전송할 수 있다. 이 슈퍼모드는 금속내 전기장의 분포에 따라 대칭(symmetric) 모드와 비대칭(asymmetric) 모드로 구분되나, 장거리 전송이 가능한 모드는 대칭모드로써 일반적으로 광으로 LR-SPP를 여기할 때는 대칭모드만 여기된다. 그리고 LR-SPP 또는 SPP는 종방향 표면 구속파를 형성하기 때문에 입사파의 전기장 성분이 경계면에 수직한 성분을 가져야 하므로, 자기적 횡파 모드(transverse magnetic mode; 이하 TM모드라 함)만이 LR-SPP 또는 SPP를 여기 및 도파시킬 수 있다.
광원(10)은 전기적 신호를 광신호로 변환(EO conversion)시키는 부품인 광송신 소자로 구현된다. 광송신 소자로는 레이저 다이오드(laser diode, LD)와 같은 측면 방출 광원칩이나 표면 방출 광원칩 등이 사용될 수 있다. 광원(10)은 기판(1) 표면에 실장된 구동 집적회로(driver IC)(3)에 전기적으로 연결된다.
광수신소자(30)는 금속광도파로(20)를 통해 전달되는 광신호를 다시 전기적 신호로 복원(OE conversion)시키는 장치로서, 광다이오드(photodiode, PD) 등이 이용될 수 있다. 광수신소자(30)는 기판(1) 표면에 실장된 수광 집적회로(receiver IC)(4)에 전기적으로 연결된다.
광원(10), 금속광도파로(20), 광수신소자(30), 구동 집적회로(3) 및 수광 집적회로(4)는 절연층(2)이 도포된 기판(1) 상에 각각 설치될 수 있다. 절연층(2)은 경우에 따라 생략될 수 있고, 또 다른 경우에 따라 기판(1) 및 절연층(2)이 함께 생략될 수 있다. 기판(1)은 단단한 기판 이외에 유연한 고분자 기판 등이 사용될 수 있다. 아울러, 금속광도파로(20)의 유전체층(24)으로는 고분자가 사용될 수 있으며, 기판(1) 및 절연층(2)을 고분자로 사용하거나 그것들이 없는 경우, 플렉시블(flexible) 광배선판의 제작도 가능하다.
도 2는 도 1의 LR-SPP를 이용한 금속광도파로의 사시도이다.
도 2를 참조하면, 금속광도파로(20)는 광전 전송용 LR-SPP도파용 금속선(22)과 이 LR-SPP도파용 금속선(22)에 접하는 유전체층(24)을 포함한다.
LR-SPP도파용 금속선(22)은 LR-SPP를 이용하여 광신호를 전송하기 위하여 5 내지 200㎚의 두께와 0.5 내지 100㎛의 폭을 갖는 것이 바람직하다. 따라서 LR-SPP도파용 금속선(22)은 대략 직사각형의 단면을 갖는 스트립(strip) 형태를 갖게 된다.
또한 LR-SPP도파용 금속선(22)은 노블(noble) 금속족, 즉 1B족 원소들 및 이들의 합금을 포함할 수 있다. 상기 노블 금속족의 원소들은 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 및 이들의 합금을 포함하며, 전기전도성이 좋으면서 표면 장거리 플라즈몬 폴라리톤 발생을 용이하게 유도할 수 있다. 은(Ag) 금속선의 경우, 유전 상수의 흡수계수가 작아 전송 손실이 작은 특성을 갖지만 표면이 노출될 경우 쉽게 퇴색되는 특징이 있다. 따라서 은금속선의 경우에는 표면의 퇴색을 방지하기 위해 은보다 표면 특성이 안정적인 금(Au) 박막을 은금속선의 윗면 또는 일면에 형성한, 은-금이 적층된 합금 금속선을 사용하거나 또는 금 박막을 은금속선의 양면에 형성하여 대칭적인 구조를 가지는 금-은-금 적층된 합금 금속선을 사용할 수 있다.
유전체층(24)은 저손실 고분자를 포함한다. 저손실 고분자 즉 저손실 광학 고분자(low-loss optical polymer)는 일반적인 고분자에서 불소 등의 할로겐 원소 또는 중수소를 포함하는 것으로, 예를 들어, 수소가 불소 치환된 폴리아릴렌에테르(FPAE; Fluorinated Poly Arylene Ether) 등이 있다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 광배선 모듈의 개략도이다.
도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 광배선 모듈은 TM모드가 주로 발진하는 광원(10a), LR-SPP를 이용한 금속광도파로(20) 및 광수신소자(30)를 포함하여 이루어진다. 광원(10a), 금속광도파로(20) 및 광수신소자(30)는 기판(1) 표면에 실장된다. TM모드가 주로 발진하는 광원(10a)은 측면 방출 광원칩을 포함하며, 측면 방출 광원칩에서 나오는 TM모드의 광은 직접 금속광도파로(20)에 결합되어 전송된다.
본 실시예의 광배선 모듈에서는 LR-SPP 금속광도파로(20)를 이용한 광 모듈의 구성에서 경쟁력을 갖추기 위해 TM모드가 주로 발진되는 광원(10a)을 이용한다. 현재까지 주로 사용되는 광원 즉 측면 방출 광원칩으로서 LD에서는 TM모드가 아니라 전기적 횡파 모드(transverse electric mode; 이하 TE모드라 함)가 주로 발진된다. 따라서 본 실시예에서는 에피의 성장과정에서 인장스트레인(tensile strain)이 발생되도록 만들어, 가벼운 정공(light-hole)이 무거운 정공(heavy-hole)보다 낮은 에너지를 가지도록 하여, TM모드가 주로 발진하는 LD를 제작하여 사용하였다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 광배선 모듈의 개략도이다.
도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 광배선 모듈은 TE모드가 주로 발진하는 광원(10b), l/2 파장지연기 즉 반파장판(half wave plate, 1/2 WP)(11), LR-SPP를 이용한 금속광도파로(20) 및 광수신소자(30)를 포함하여 이루어진다. 전술한 광원(10b), 반파장판(11), 금속광도파로(20) 및 광수신소자(30)는 기판(1) 상에 실장된다. TE모드가 주로 발진하는 광원은 측면 방출 광원칩의 하나인 TE모드 발진 LD를 포함한다.
본 발명의 광배선 모듈은 TM모드가 주로 발진하는 LD를 사용하는 대신에 일반적인 TE모드가 주로 발진하는 LD를 이용하여 구현하는 것도 가능하다. 이 경우, TE모드 발진 LD에서 나오는 TE모드파의 진행과정에 반파장판(11)의 축을 45o로 배치시킴으로써, 광원(10b)의 TE모드파를 TM모드파로 바꾸어 금속광도파로(20)에 결합시킬 수 있다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 광배선 모듈의 개략도이다.
도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 광배선 모듈은 기판상에 90o 회전하여 정렬 장착 패키징되며 TE모드가 주로 발진하는 광원(10b), LR-SPP를 이용한 금속광도파로(20) 및 광수신소자(30)를 포함하여 이루어진다. 전술한 광원(10b), 금속광도파로(20) 및 광수신소자(30)는 기판(1) 상에 실장된다.
본 실시예에서는 정렬 및 장착 등의 패키징시 TE모드 발진 LD를 90o 회전하여 기판 상에 정렬 장착 패키징함으로써, LR-SPP 금속광도파로(20)의 금속선의 평평한 면과 LD칩이 수직이 되게 정렬함으로써 TE모드 발진 LD에서 나오는 광을 금속광도파로(20)에 TM모드로 결합시킬 수 있다. 본 실시예에 따르면, 광배선 모듈의 광원으로서 TM모드 발진 LD를 대치할 수 있는 효과가 있다.
도 6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 광배선 모듈의 개략도이다.
도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 광배선 모듈은 기판(1) 표면에 실장되며 TE모드가 주로 발진하는 광원(10b)과, 기판(1)의 표면과 수직이 되게 장착된 스트립(strip) 형태의 LR-SPP 금속선(22)을 구비한 금속광도파로(20), 및 광수신소자(30)를 포함하여 이루어진다.
본 실시예의 광배선 모듈에서는 정렬 및 장착 등의 패키징시 TE모드 LD칩을 일반적인 방법으로 사용하고, 대신에 금속광도파로(20)에서 직사각형 단면을 갖는 스트립 형태의 금속선(22)을 기판(1)의 표면 즉 평평한 주면과 수직이 되게 증착 또는 도금하여, 광원(10b)에서 나오는 광 즉 입사파의 전기장 성분이 금속광도파로(20)의 경계면에 수직한 성분으로 결합할 수 있도록 구성되며, 그러한 구성에 의해 금속광도파로(20)의 금속선(22)에서 LR-SPP를 여기 및 도파시킨다.
도 7은 본 발명의 제5 실시예에 따른 광배선 모듈의 개략도이다.
도 7을 참조하면, 본 실시예에 따른 광배선 모듈은 기판의 평평한 면과 수직이 되게 장착된 표면 방출 광원칩(10c), LR-SPP를 이용한 금속광도파로(20) 및 광수신소자(30)를 포함하여 이루어진다. 전술한 표면 방출 광원칩(10c), 금속광도파로(20) 및 광수신소자(30)는 기판(1) 상에 실장된다. 표면 방출 광원칩(10c)은 표면방출레이저(vertical-cavity surface-emitting laser, VCSEL)를 포함한다.
본 실시예의 광배선 모듈에서는 측면 방출형 LD칩을 사용하는 대신하여, 기판상에 90o로 세워 탑재되는 표면 방출 광원칩(10c)에서 얻은 TM모드를 이용하여 금 속광도파로(20)에서 LR-SPP를 여기 및 도파시킬 수 있다.
본 발명은 기존의 내장형 광섬유 내지 유전체 광도파로를 대신하여 장거리 표면 플라즈몬 폴라리톤형 금속광도파로(20)를 이용하여 광배선함으로써, 광도파로 공정을 단순화할 뿐만 아니라 수율도 높일 수 있다. 그리고, 나노 크기의 두께와 마이크로 크기의 폭을 가진 금속광도파로(20)를 사용함으로써 소형화, 고집적화 등 나노광집적회로를 구현할 수 있다. 또한, 수직으로 세운 표면방출레이저뿐만 아니라 TM모드 발진형 측면방출(edge-emitting) 광원과 표면형 금속광도파로를 이용하기 때문에 90o 회전시키는 정렬 등이 필요 없어 쉽고 값싼 일선상의 수동 정렬이 가능하다. 또한 본 발명은 금속광도파로(20)의 두께와 폭을 조절하여 모드 크기를 현저히 증가할 수 있어 더욱더 정렬을 용이하게 할 수 있다.
또한 본 발명은 금속광도파로(20)를 이용함으로써 모드 크기에 상관없이 단일 모드 전송이 가능해 거리 및 전송 속도에도 제약을 받지 않는 장점이 있다. 다시 말해서, 본 발명은 기존의 유전체 광도파로에서, 정렬과 공정 등의 용이성 때문에, 모드 크기를 크게 하여 다중모드를 사용하나 다중모드 광도파로를 이용하여 전송할 경우 단일모드 전송에 비하여 다중모드 특성상, 거리 및 전송속도에서 큰 제약을 받는 문제점을 해결할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식 을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 초고속 대용량의 광신호를 처리하기 위한 광배선 모듈 구조로서, 표면방출레이저를 이용한 광배선 모듈이 가지는 90o 입사에 의한 공정의 어려움, 능동 정렬, 벌크(bulk) 유전체 광도파로의 사용 등으로 구현이 힘든 기존의 광배선 모듈의 단점을 해결할 수 있고 고수율화, 소형화를 이룰 수 있는 광배선 모듈을 제공한다.

Claims (11)

  1. 광원; 및
    상기 광원으로부터 출력되는 광의 자기적 횡파 모드(transverse magnetic mode; 이하 TM모드라 함) 성분에 의하여 여기되는 장거리 표면플라즈몬 폴라리톤(long-range surface plasmon polariton: LR-SPP)을 도파시키는 스트립 형태의 금속선이 구비된 금속광도파로; 및
    상기 금속광도파로로부터 출력되는 광을 수신하는 광 수신 소자
    를 포함하는 광배선 모듈.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 광원은 TM 모드가 발진하는 측면 방출 광원 칩을 포함하는 광배선 모듈.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 광원은 전기적 횡파 모드(transverse electric mode; 이하 TE모드라 함)가 발진하는 측면 방출 광원 칩을 포함하고,
    상기 측면 방출 광원 칩으로부터 출력되는 광의 TE 모드 성분을 TM 모드 성분으로 변환하여 상기 금속광도파로로 출력하는 반파장판을 더 포함하는 광배선 모듈.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 광원은 TE 모드가 발진하는 측면 방출 광원 칩을 포함하고,
    상기 측면 방출 광원 칩 및 상기 금속선은, 상기 측면 방출 광원 칩으로부터 출력되는 광의 TE 모드의 파면이 상기 스트립 형태의 금속선의 너비 방향에 수직으로 입사되도록 배열된 광배선 모듈.
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 광원은 상기 금속선의 길이 방향에 직교하도록 배열되는 표면 방출 광원 칩을 포함하는 광배선 모듈.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 금속광도파로의 금속선의 두께는 5 내지 200㎚이고, 상기 금속선의 폭은 0.5 내지 100㎛인 광배선 모듈.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 금속광도파로는 상기 금속선에 접하는 유전체층을 구비하며, 상기 유전체층은 저손실 고분자를 포함하는 광배선 모듈.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 저손실 고분자는 할로겐 원소 또는 중수소를 포함하는 고분자를 포함하는 광배선 모듈.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 금속광도파로의 금속선은 금, 은, 구리, 이들의 합금, 및 이들이 적층된 합금 금속선으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 광배선 모듈.
  11. 삭제
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