KR100776148B1 - 씨모스 이미지 센서의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 공정시간을 단축시키면서 데드존 및 채도신호 특성을 확보할 수 있는 포토다이오드의 딥 N- 영역 프로파일을 구현할 수 있는 CMOS 이미지 센서의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 CMOS 이미지 센서의 제조방법은 트랜스퍼트랜지스터 및 포토다이오드 영역이 정의된 제 1 도전형 반도체 기판 상에 게이트 절연막 및 폴리실리콘막을 순차적으로 형성하는 단계; 폴리실리콘막 상부에 볼록형상의 마스크를 형성하는 단계; 이 마스크를 이용하여 폴리실리콘막을 식각하여 트랜스퍼트랜지스터의 게이트를 형성하는 단계; 게이트가 형성된 기판 상에 포토다이오드 영역이 노출되도록 포토레지스트막을 형성하는 단계; 및 포토레지스트막을 마스크로하여 이온주입공정으로 제 2 도전형의 저농도 불순물이온을 깊게 주입하여 게이트의 하부와 일부 오버랩하는 프로파일을 갖는 제 2 도전형의 저농도 딥 불순물영역을 형성하는 단계를 포함한다. 여기서, 볼록형상의 마스크는 하드 마스크 또는 포토레지스트막으로 형성한다. 또한, 딥 불순물영역 형성을 위한 이온주입은 볼록형상의 마스크에 의해 이온의 선택적 게이트 채널링이 일어나기에 적합한 에너지로 수행한다.
데드존, 채도신호, 채널링
Description
도 1a 내지 도 1e는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 CMOS 이미지 센서의 제조방법을 설명하기 위한 단면도.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 CMOS 이미지 센서의 제조방법을 설명하기 위한 단면도.
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10, 20 : 반도체 기판 11, 21 : 필드 절연막
12, 22 : 게이트 절연막 13, 23 : 폴리실리콘막
13A, 23A : 게이트 14 : 절연막
14A, 14B : 하드 마스크 15, 17, 24, 24A, 25 : 포토레지스트막
16 : 산화막 18, 26 : 딥 N- 영역
본 발명은 씨모스(complementary metal oxide semiconductor; CMOS) 이미지 센서(image sensor) 기술에 관한 것으로, 특히 데드존(deadzone) 특성을 향상시킬 수 있는 CMOS 이미지 센서의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, CMOS 이미지 센서는 광학 영상(optical image)을 전기 신호로 변환시키는 반도체 소자로서, 빛을 감지하는 광감지 부분과 감지된 빛을 전기적 신호로 처리하여 데이터화하는 로직회로 부분으로 구성되어 있으며, CMOS 기술을 이용하여 화소수만큼 MOS 트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 차례차례 출력을 검출하는 스위칭 방식을 채용한다. 또한, CMOS 이미지 센서의 단위화소는 1개의 포토다이오드와 4개의 MOS 트랜지스터, 즉 트랜스퍼트랜지스터, 리셋트랜지스터, 드라이브트랜지스터, 및 셀렉트트랜지스터로 구성된다.
이러한, CMOS 이미지 센서의 특성을 결정하는 요소로서 데드존(dead zone), 다크 전류(dark current) 및 채도신호(saturation signal) 등이 있다. 이 중 데드존 특성을 향상시키기 위하여 포토다이오드의 딥 N- 영역이 트랜스퍼트랜지스터의 게이트 하부와 일부 오버랩되는 프로파일을 갖도록 하였다. 이에 대하여, 종래에는 틸트(tilt) 및 회전(rotation) 이온주입이나 트위스트(twist) 이온주입으로 상기와 같은 프로파일을 갖는 딥 N- 영역을 형성하였다.
그러나, 회전이온주입을 수행하는 경우에는 회전 회수에 따라 공정시간이 길어지는 단점이 있고, 회전없이 틸트나 트위스트만으로 이온주입을 수행하게 되면 공정시간은 단축시킬 수 있으나 Rp 의 감소로 인하여 채도신호 마진이 감소하는 단 점이 있었다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여, 틸트나 트위스트 없이 2회에 걸쳐 이온주입을 수행하여 포토다이오드의 딥 N- 영역을 형성하였으나, 이러한 경우 별도의 이온주입을 한번 더 수행해야 하기 때문에, 채도신호 마진은 향상시킬 수 있더라도 공정시간을 현저하게 감소시킬 수는 없었다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 공정시간을 단축시키면서 데드존 및 채도신호 특성을 확보할 수 있는 포토다이오드의 딥 N- 영역 프로파일을 구현할 수 있는 CMOS 이미지 센서의 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 CMOS 이미지 센서의 제조방법은 트랜스퍼트랜지스터 및 포토다이오드 영역이 정의된 제 1 도전형 반도체 기판 상에 게이트 절연막 및 폴리실리콘막을 순차적으로 형성하는 단계; 폴리실리콘막 상부에 볼록형상의 마스크를 형성하는 단계; 이 마스크를 이용하여 폴리실리콘막을 식각하여 트랜스퍼트랜지스터의 게이트를 형성하는 단계; 게이트가 형성된 기판 상에 포토다이오드 영역이 노출되도록 포토레지스트막을 형성하는 단계; 및 포토레지스트막을 마스크로하여 이온주입공정으로 제 2 도전형의 저농도 불순물 이온을 깊게 주입하여 게이트의 하부와 일부 오버랩하는 프로파일을 갖는 제 2 도전형의 저농도 딥 불순물영역을 형성하는 단계를 포함한다.
여기서, 볼록형상의 마스크는 하드 마스크 또는 포토레지스트막으로 형성한다. 또한, 딥 불순물영역 형성을 위한 이온주입은 볼록형상의 마스크에 의해 이온의 선택적 게이트 채널링이 일어나기에 적합한 에너지로 수행한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.
도 1a 내지 도 1e는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 CMOS 이미지 센서의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 1a를 참조하면, P형 반도체 기판(10) 상에 소자간 절연을 위한 필드 절연막(11)을 형성하여 트랜스퍼트랜지스터 및 포토다이오드 영역을 정의하고, 필드 절연막(11)이 형성된 기판(10) 전면에 게이트 절연막(12)을 형성한다. 그 다음, 게이트 절연막(12) 상에 게이트 물질로서 폴리실리콘막(13)을 형성하고, 그 상부에 절연막(14)을 형성한다. 이때, 게이트 물질을 텅스텐 실리사이드(WSix)를 적용하는 것 없이 폴리실리콘막(13) 만으로 형성하는 것은 이후 딥 N- 영역 형성을 위한 이온 주입시 채널링에 적합한 게이트 두께를 얻기 위함이다. 따라서, 본 실시예에서는 단위화소의 트랜지스터를 형성한 후에 폴리실리콘막(13) 상에 텅스텐 실리사이드 대신 티타늄 실리사이드(TiSi2)를 적용하며, 이 티타늄 실리사이드 형성에 대한 설명을 생략한다.
다음으로, 절연막(14) 상에 게이트의 형태로 제 1 포토레지스트막 (15)을 형성하고, 제 1 포토레지스트막(15)을 마스크로하여 절연막(14)을 식각하여, 도 1b에 도시된 바와 같이, 폴리실리콘막(13) 상에 하드 마스크(14A)를 형성한 후, 공지된 방법으로 제 1 포토레지스트막(15)을 제거한다. 그리고 나서, 블랭킹 식각공정(blanking etching process)으로 하드 마스크(14A)를 식각하여, 도 1c에 도시된 바와 같이, 볼록형상의 하드 마스크(14B)를 형성한다.
도 1d를 참조하면, 하드 마스크(14B)를 식각 마스크로하여 폴리실리콘막(13)을 식각하여 트랜스퍼트랜지스터의 게이트(13A)를 형성한다. 그 후, 선택적 산화공정을 수행하여 게이트(13A)의 측벽에 산화막(16)을 형성한다.
도 1e를 참조하면, 도 1d의 구조 상에 포토다이오드 영역이 노출되도록 제 2 포토레지스트막(17)을 형성하고, 이 제 2 포토레지스트막(17)을 마스크로하여 이온주입공정으로 N- 이온을 깊게 주입하여 포토다이오드의 딥 N-영역(18)을 형성한다. 이때, 이온주입은 틸트나 트위스트 및 회전없이 수행한다. 또한, 이온주입은 볼록형상의 하드 마스크(14B)에 의해 이온의 선택적 게이트 채널링이 일어나기에 적합한 에너지로 수행하여, 딥 N-영역(18)이 게이트(13A) 하부의 일부와 오버랩되는 프로파일을 갖도록 한다.
그리고 나서, 도시되지는 않았지만, 제 2 포토레지스트막(17)을 제거하고 후속공정을 수행한다.
상기 제 1 실시예에 의하면, 게이트(13A) 상부의 하드 마스크(14B)를 볼록형상으로 형성함으로써, 틸트나 트위스트 및 회전없이, 1회의 이온주입공정만으로도 포토다이오드의 딥 N-영역(18)을 게이트(13A) 하부의 일부와 오버랩하는 프로파일을 갖도록 형성할 수 있게 된다. 이에 따라, 공정시간을 단축시키면서 데드존 특 성을 향상시킴과 동시에 안정적인 채도신호 마진을 확보할 수 있게 된다.
한편, 상기 제 1 실시예에서는 이온의 선택적 게이트 채널링을 위하여 게이트 상부에 볼록형상의 하드 마스크를 적용하였지만, 하드 마스크 대신 포토레지스트막을 적용할 수도 있다.
도 2a 내지 도 2c는 하드 마스크 대신 포토레지스트막을 적용한 것으로, 도 2a 내지 도 2c를 참조하여 본 발명의 제 2 실시예에 따른 CMOS 이미지 센서의 제조방법을 설명한다.
먼저, 도 2a를 참조하면, P형 반도체 기판(20) 상에 소자간 절연을 위한 필드 절연막(21)을 형성하여 트랜스퍼트랜지스터 및 포토다이오드 영역을 정의하고, 필드 절연막(21)이 형성된 기판(20) 전면에 게이트 절연막(22) 및 폴리실리콘막(23)을 형성한다. 그 다음, 폴리실리콘막(23) 상부에 게이트의 형태로 제 1 포토레지스트막(24)을 형성한다.
그리고 나서, 블랭킹 식각공정으로 제 1 포토레지스트막(24)을 식각하여, 도 2b에 도시된 바와 같이, 볼록형상의 제 1 포토레지스트막(24A)을 형성한다. 그 다음, 이 볼록형상의 제 1 포토레지스트막(24A)를 식각 마스크로하여 폴리실리콘막 (23)을 식각하여 트랜스퍼트랜지스터의 게이트(23A)를 형성한다.
도 2c를 참조하면, 도 2b의 구조 상에 포토다이오드 영역이 노출되도록 제 2 포토레지스트막(25)을 형성하고, 이 제 2 포토레지스트막(25)을 마스크로하여 이온주입공정으로 N- 이온을 깊게 주입하여 포토다이오드의 딥 N-영역(26)을 형성한다. 이때, 이온주입은 틸트나 트위스트 및 회전 없이 수행한다. 또한, 이온주입은 볼 록형상의 제 1 포토레지스트막(24A)에 의해 이온의 선택적 게이트 채널링이 일어나기에 적합한 에너지로 수행하여, 딥 N-영역(26)이 게이트(23A) 하부의 일부와 오버랩되는 프로파일을 갖도록 한다.
그리고 나서, 도시되지는 않았지만, 제 2 포토레지스트막(25)을 제거하고 후속공정을 수행한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 게이트 상부에 하드 마스크 또는 포토레지스트막으로 볼록 형상의 마스크를 적용함으로써, 틸트나 트위스트 및 회전없이, 1회의 이온주입공정만으로도 포토다이오드의 딥 N-영역을 게이트 하부의 일부와 오버랩하는 프로파일을 갖도록 형성할 수 있게 된다.
한편, 상기 실시예에서는 P형 기판에 PNP 형 포토다이오드를 형성하는 경우를 설명하였지만, N형 기판에 NPN형 포토다이오드를 형성하는 경우에도 적용하여 실시할 수 있다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 않는 범위내에서 다양하게 변형시켜 실시할 수 있다.
전술한 본 발명은 공정시간을 단축시키면서 데드존 특성을 향상시킴과 동시에 안정적인 채도신호 마진을 확보할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
Claims (6)
- 트랜스퍼트랜지스터 및 포토다이오드를 갖는 CMOS 이미지 센서의 제조방법에 있어서,제 1 도전형 반도체 기판 상에 게이트 절연막 및 폴리실리콘막을 순차적으로 형성하는 단계;상기 폴리실리콘막 상부에 볼록형상의 마스크를 형성하는 단계;상기 마스크를 이용하여 상기 폴리실리콘막을 식각하여 상기 트랜스퍼트랜지스터의 게이트를 형성하는 단계;상기 게이트가 형성된 기판 상에 상기 포토다이오드의 영역이 오픈된 포토레지스트막을 형성하는 단계; 및상기 포토레지스트막을 마스크로하여 이온주입공정으로 제 2 도전형의 불순물이온을 주입하여, 상기 게이트의 하부와 일부 오버랩하는 프로파일을 갖는 제 2 도전형의 불순물영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 볼록형상의 마스크는 하드 마스크로 형성하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 볼록형상의 마스크는 포토레지스트막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 제조방법.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 도전형은 P형이고, 상기 제 2 도전형은 N형인 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 도전형은 N형이고, 상기 제 2 도전형은 P형인 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 제조방법.
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