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KR100761080B1 - 유기전계발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

유기전계발광소자 및 그 제조방법 Download PDF

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KR100761080B1
KR100761080B1 KR1020050127030A KR20050127030A KR100761080B1 KR 100761080 B1 KR100761080 B1 KR 100761080B1 KR 1020050127030 A KR1020050127030 A KR 1020050127030A KR 20050127030 A KR20050127030 A KR 20050127030A KR 100761080 B1 KR100761080 B1 KR 100761080B1
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삼성에스디아이 주식회사
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Abstract

본 발명은 투명도전물질과 금속을 공증착하여 상부전극을 형성함으로써, 저항이 낮으며 높은 투과율을 갖는 유기전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 기판; 상기 기판 상에 위치하는 캐소드; 상기 캐소드 상에 위치하는 유기막층; 상기 유기막층 상에 위치하는 애노드;를 포함하며, 상기 애노드는 투명도전물질과 금속을 혼합하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
공증착, 유기전계발광소자

Description

유기전계발광소자 및 그 제조방법{Organic Electroluminescence Device And Method For Fabricating Of The Same}
도 1은 종래 유기전계발광소자의 단면도.
도 2 및 도 3은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 단면도.
도 4 및 도 5는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 단면도.
<도면 주요부호에 대한 부호의 설명>
500 : 기판 510 : 버퍼층
520 : 반도체층 530 : 게이트 절연막
540 : 게이트 전극 550 : 층간 절연막
551,552 : 콘택홀 555,556 :소스/드레인 전극
560 : 평탄화막 565 : 반사막
570 : 애노드 580 : 화소정의막
590 : 유기막층 600 : 캐소드
본 발명은 유기전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 전면발광 구조에 있어서, 투명도전물질과 금속을 공증착하여 상부전극을 형성함으로써, 저항이 낮으며 높은 투과율을 갖는 유기전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근에 음극선관(cathode ray tube)과 같이 무겁고, 크기가 크다는 종래의 표시소자의 단점을 해결하는 액정표시장치(liquid crystal display device), 유기전계발광장치(organic electroluminescence device) 또는 PDP(plasma display plane)등과 같은 평판형표시장치(flat panel display device)가 주목 받고 있다.
상기 액정표시장치는 자체발광소자가 아니라 수광소자이기 때문에 밝기, 콘트라스트, 시야각 및 대면적화 등에 한계가 있고, PDP는 자체발광소자이기는 하지만, 다른 평판형표시장치에 비해 무게가 무겁고, 소비전력이 높을 뿐만 아니라 제조 방법이 복잡하다는 문제점이 있다.
반면에, 유기전계발광장치는 자체발광소자이기 때문에 시야각, 콘트라스트 등이 우수하고, 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량, 박형이 가능하고, 소비 전력 측면에서도 유리하다.
또한, 직류 저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르며 전부 고체이기 때문에 외부 충격에 강하고 사용 온도 범위도 넓을 뿐만 아니라 제조 방법이 단순하고 저렴하다는 장점을 가지고 있다.
도 1은 종래 유기전계발광소자의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 기판(100)을 제공한다. 상기 기판(100) 상에 버퍼층(110)을 형성한다. 상기 버퍼층(110) 상에 반도체층(120)을 형성한다. 상기 반도체층(120) 상에 게이트 절연막(130)을 형성한다.
이어서, 상기 게이트 절연막(130) 상에 상기 반도체층(120)의 일부 영역과 대향하게 게이트 전극(140)을 형성한다. 상기 게이트 전극(140) 상에 층간 절연막(150)을 형성한다.
이후에, 상기 층간 절연막(150) 및 게이트 절연막(130)을 식각하여 콘택홀을 형성하고, 상기 층간 절연막(150) 상에 소스/드레인 전극(155,156)을 형성한다. 상기 소스/드레인 전극(155,156)은 콘택홀(151,152)을 통해 상기 반도체층(120)과 연결된다.
이어서, 상기 기판(100) 상에 평탄화막(160)을 형성한다. 상기 평탄화막(160)을 식각하여, 상기 소스/드레인 전극(155,156) 중 어느 하나에 연결되는 비어홀을 형성하고, 상기 평탄화막(160) 상에 반사막(170)을 포함하는 하부전극(180)을 형성한다. 상기 하부전극(180)은 상기 콘택홀을 통해 상기 소스/드레인 전극(155,156) 중 어느 하나에 연결된다.
이후에, 상기 기판(100) 상에 화소정의막(190)을 형성하고, 상기 화소정의막(190)을 식각하여, 상기 하부전극(180)을 노출시키는 개구부(195)를 형성한다.
이어 상기 노출된 하부전극(180) 상에 유기막층(200)을 형성한다. 상기 유기막층(200)은 적어도 발광층을 포함하며, 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 및 전자주입층을 더 포함할 수 있다.
이후에, 상기 기판(100) 전면에 상부전극(210)을 형성하여 종래 유기전계발 광소자를 완성한다.
종래 전면발광 유기전계발광소자는 빛이 방출되는 상부전극을 ITO 또는 IZO와 같은 투명도전물질로 형성하거나, 금속을 매우 얇게 형성함으로써, 빛을 방출될 수 있게 형성하였다.
그러나, 상기와 같이 형성하는 상부전극이 애노드로 작용하는 경우에는 ITO 또는 IZO와 같은 투명도전물질을 얇게 형성함으로 저항이 커지는 문제점이 있고, 상부전극이 캐소드로 작용하는 경우에는 금속을 얇게 형성함으로 저항이 커지고 투과도는 떨어지는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반단점과 문제점을 해결하기 위한 것으로, 전면발광 구조에 있어서, 투명도전물질과 금속을 공증착하여 상부전극을 형성함으로써, 저항이 낮으며 높은 투과율을 갖는 유기전계발광소자 및 그 제조방법을 제공함에 본 발명의 목적이 있다.
본 발명의 상기 목적은 기판; 상기 기판 상에 위치하는 캐소드; 상기 캐소드 상에 위치하는 유기막층; 상기 유기막층 상에 위치하는 애노드;를 포함하며, 상기 애노드는 투명도전물질과 금속을 혼합하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자에 의해 달성된다.
또한, 본 발명의 상기 목적은 기판을 제공하는 단계; 상기 기판 상에 캐소드를 형성하는 단계; 상기 캐소드 상에 유기막층을 형성하는 단계; 상기 유기막층 상에 투명도전물질과 금속을 혼합하여 애노드을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법에 의해 달성된다.
또한, 본 발명의 상기 목적은 기판; 상기 기판 상에 위치하는 애노드; 상기 애노드 상에 위치하는 유기막층; 상기 유기막층 상에 위치하는 캐소드;를 포함하며, 상기 캐소드는 투명도전물질과 금속을 혼합하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자에 의해 달성된다.
또한, 본 발명의 상기 목적은 기판을 제공하는 단계; 상기 기판 상에 애노드를 형성하는 단계; 상기 애노드 상에 유기막층을 형성하는 단계; 상기 유기막층 상에 투명도전물질과 금속을 혼합하여 캐소드을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법에 의해 달성된다.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다. 또한 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 단면도이다.
도 2를 참조하면, 기판(300)을 제공한다. 상기 기판(300)은 플라스틱 또는 절연유리를 사용할 수 있다. 상기 기판(300) 상에 버퍼층(310)을 형성한다. 상기 버퍼층(310)은 실리콘질화막, 실리콘산화막 또는 이들의 다중층일 수 있다. 또한, 상기 버퍼층(310)은 상기 기판(300)으로부터 발생하는 불순물을 상부에 적층되는 막으로 올라오지 못하도록 방지하는 역할을 한다.
상기 버퍼층(310) 상에 반도체층(320)을 형성한다. 상기 반도체층(320)은 비정질실리콘막을 적층한 후, 패터닝하여 형성한다. 또한, 비정질실리콘막을 결정화 한 다결정실리콘막일 수 있다.
상기 기판(300) 전면에 게이트 절연막(330)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(330)은 실리콘질화막, 실리콘산화막 또는 이들의 다중층일 수 있다.
상기 게이트 절연막(330) 상에 상기 반도체층(320)과 대응되는 영역에 게이트 전극(340)을 형성한다. 상기 게이트 전극(340)은 알루미늄, 구리, 크롬 등으로 이루어진 군에서 선택된 하나를 사용할 수 있다.
상기 기판(300) 전면에 층간 절연막(350)을 형성한다. 상기 층간 절연막(350)은 실리콘질화막, 실리콘산화막 또는 이들의 다중층일 수 있다. 상기 게이트 절연막(330) 및 층간 절연막(350)을 식각하여 콘택홀(351,352)을 형성한다.
상기 층간 절연막(350) 상에 소스/드레인 전극(355,356)을 형성한다. 상기 소스/드레인 전극(355,356)은 몰리브덴, 크롬, 알루미늄, 티타늄, 은, 납, 금 등으로 이루어진 군에서 선택된 하나를 사용할 수 있다. 상기 소스/드레인 전극(355,356)은 상기 콘택홀(351,352)을 통해 상기 반도체층(320)과 전기적으로 연결된다.
이후에, 도 3을 참조하면, 상기 기판(300) 전면에 평탄화막(360)을 형성한다. 상기 평탄화막(360)은 폴리아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly(phenylenethers) resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly(phenylenesulfides) resin) 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB)으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질을 사용하여 형성할 수 있다.
상기 평탄화막(360)을 식각하여 비어홀을 형성한다. 상기 비어홀은 상기 소스/드레인 전극(355,356)중 어느 하나를 노출시킨다.
이후에, 상기 평탄화막(360) 상에 반사막(365)을 형성한다. 상기 반사막(365)은 Al, Ag, MoW, AlNd 및 Ti로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 물질을 사용할 수 있다.
상기 평탄화막(360) 및 반사막(365) 상에 상기 반사막(365)을 포함하는 캐소드(370)를 형성한다. 상기 캐소드(370)는 상기 비어홀을 통해 상기 소스/드레인 전극(355,356)중 어느 하나에 연결된다. 또한 상기 캐소드(370)는 일함수가 낮은 Ca, Cs 또는 Li로 이루어진 군에서 선택된 하나를 사용할 수 있다.
상기 기판(300) 전면에 화소 정의막(380)을 형성한다. 상기 화소 정의막(380)은 폴리아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수 지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly(phenylenethers) resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly(phenylenesulfides) resin) 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB)으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질을 사용하여 형성할 수 있다.
상기 화소 정의막(380)을 식각하여, 상기 캐소드(370)를 노출시키는 개구부(385)를 형성한다.
이어서, 상기 화소 정의막(380) 및 상기 개구부(385)를 통해 노출된 상기 캐소드(370) 상에 유기막층(390)을 형성한다. 상기 유기막층(390)은 적어도 유기발광층을 포함하며, 정공주입층, 정공수송층, 전자주입층, 전자수송층중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있고, 상기 정공주입층 또는 정공수송층은 P형 도펀트가 주입된 층일 수 있고, 상기 전자주입층 또는 전자수송층은 N형 도펀트가 주입된 층일 수 있다.
상기 기판(300) 전면에 애노드(400)를 형성한다. 상기 애노드(400)는 ITO 또는 IZO 등의 투명도전물질과 일함수가 높은 Mg, Cu, Al, Ag 또는 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나로의 금속을 공증착하여 형성한다.
또한, 상기 애노드(400)의 두께는 너무 얇게 형성하면 저항이 커지게 되고, 너무 두꺼워지면 투과도가 저하됨으로 100 내지 500Å으로 형성한다.
이때, 공증착 방법으로는 스퍼터링법 또는 전자빔법을 사용할 수 있고, 상기 애노드(400)는 상기 금속이 20 내지 30%로 증착비를 이룰 수 있게 형성한다. 이는 상기 금속의 증착비가 30%이상 높아진다면, 투과도가 저하는 되는 문제가 발생할 수 있고, 또한, 상기 금속의 음전하가 유기물의 양전하와 결합하여 유기물과 전극의 계면에 공간전하 영역을 형성할 수 있다. 그로 인해 비발광영역이 존재 내지는 증가되므로 상기 금속의 증착비는 약 30%를 넘지 않도록 형성하는 것이 바람직하다.
상기와 같이, 상부전극인 애노드를 투명도전물질과 금속의 공증착으로 형성해줌으로써, 종래 ITO만으로 형성하여 저항이 커지는 것을 금속의 혼합으로 저항을 낮출 수 있는 이점이 있다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 단면도이다.
도 4를 참조하면, 기판(500)을 제공한다. 상기 기판(500)은 플라스틱 또는 절연유리를 사용할 수 있다. 상기 기판(500) 상에 버퍼층(510)을 형성한다. 상기 버퍼층(510)은 실리콘질화막, 실리콘산화막 또는 이들의 다중층일 수 있다. 또한, 상기 버퍼층(510)은 상기 기판(500)으로부터 발생하는 불순물을 상부에 적층되는 막으로 올라오지 못하도록 방지하는 역할을 한다.
상기 버퍼층(510) 상에 반도체층(520)을 형성한다. 상기 반도체층(520)은 비정질실리콘막을 적층한 후, 패터닝하여 형성한다. 또한, 비정질실리콘막을 결정화 한 다결정실리콘막일 수 있다.
상기 기판(500) 전면에 게이트 절연막(530)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(530)은 실리콘질화막, 실리콘산화막 또는 이들의 다중층일 수 있다.
상기 게이트 절연막(530) 상에 상기 반도체층(520)과 대응되는 영역에 게이 트 전극(540)을 형성한다. 상기 게이트 전극(540)은 알루미늄, 구리, 크롬 등으로 이루어진 군에서 선택된 하나를 사용할 수 있다.
상기 기판(500) 전면에 층간 절연막(550)을 형성한다. 상기 층간 절연막(550)은 실리콘질화막, 실리콘산화막 또는 이들의 다중층일 수 있다. 상기 게이트 절연막(530) 및 층간 절연막(550)을 식각하여 콘택홀(551,552)을 형성한다.
상기 층간 절연막(550) 상에 소스/드레인 전극(555,556)을 형성한다. 상기 소스/드레인 전극(555,556)은 몰리브덴, 크롬, 알루미늄, 티타늄, 은, 납, 금 등으로 이루어진 군에서 선택된 하나를 사용할 수 있다. 상기 소스/드레인 전극(555,556)은 상기 콘택홀(551,552)을 통해 상기 반도체층(520)과 전기적으로 연결된다.
이후에, 도 5을 참조하면, 상기 기판(500) 전면에 평탄화막(560)을 형성한다. 상기 평탄화막(560)은 폴리아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly(phenylenethers) resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly(phenylenesulfides) resin) 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB)으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질을 사용하여 형성할 수 있다.
상기 평탄화막(560)을 식각하여 비어홀을 형성한다. 상기 비어홀은 상기 소스/드레인 전극(555,556)중 어느 하나를 노출시킨다.
이후에, 상기 평탄화막(560) 상에 반사막(565)을 형성한다. 상기 반사막(565)은 Al, Ag, MoW, AlNd 및 Ti로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 물질을 사용할 수 있다.
상기 평탄화막(560) 및 반사막(565) 상에 상기 반사막(565)을 포함하는 애노드(570)를 형성한다. 상기 애노드(570)는 상기 비어홀을 통해 상기 소스/드레인 전극(555,556)중 어느 하나에 연결된다. 또한 상기 애노드(570)는 ITO 또는 IZO를 사용할 수 있다.
상기 기판(500) 전면에 화소 정의막(580)을 형성한다. 상기 화소 정의막(580)은 폴리아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly(phenylenethers) resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly(phenylenesulfides) resin) 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB)으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질을 사용하여 형성할 수 있다.
상기 화소 정의막(580)을 식각하여, 상기 애노드(570)를 노출시키는 개구부(585)를 형성한다.
이어서, 상기 화소 정의막(580) 및 상기 개구부(585)를 통해 노출된 상기 애노드(570) 상에 유기막층(590)을 형성한다. 상기 유기막층(590)은 적어도 유기발광층을 포함하며, 정공주입층, 정공수송층, 전자주입층, 전자수송층중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있고, 상기 정공주입층 또는 정공수송층은 P형 도펀트가 주입된 층일 수 있고, 상기 전자주입층 또는 전자수송층은 N형 도펀트가 주입된 층일 수 있다.
이후에, 상기 기판(500) 전면에 캐소드(600)를 형성한다. 상기 캐소드(600)는 일함수가 낮은 Cs, Li, Ca 또는 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 금속과 ITO 또는 IZO 등의 투명도전물질을 공증착하여 형성한다.
이때, 공증착 방법으로는 스퍼터링법 또는 전자빔법을 사용할 수 있고, 상기 캐소드(600)의 두께는 너무 얇게 형성하면 저항이 커지게 되고, 너무 두꺼워지면 투과도가 저하됨으로 100 내지 500Å으로 형성한다.
또한, 상기 캐소드(600)는 상기 금속이 20 내지 30%로 증착비를 이룰 수 있게 형성한다. 이는 상기 금속의 증착비가 30%이상 높아진다면, 투과도가 저하는 되는 문제가 발생할 수 있고, 또한, 상기 금속의 음전하가 유기물의 양전하와 결합하여 유기물과 전극의 계면에 공간전하 영역을 형성할 수 있다. 그로 인해 비발광영역이 존재 내지는 증가되므로 상기 금속의 증착비는 약 30%를 넘지 않도록 형성하는 것이 바람직하다.
상기와 같이, 종래 금속만을 얇게 형성하여 저항이 커지고 투과도가 저하되는 단점을 상부전극인 캐소드를 투명도전물질과 금속의 공증착으로 형성함으로써, 투명도전물질의 투명한 성질로 투과도가 더 향상되고, 금속이 포함되어 있으므로 저항도 낮출 수 있는 이점이 있다.
본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시 예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명의 유기전계발광소자 및 그 제조방법은 전면발광 구조에 있어서, 투명도전물질과 금속을 공증착하여 상부전극을 형성함으로써, 저항을 낮추고, 투과율을 높일 수 있는 효과가 있다.

Claims (20)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 위치하는 캐소드;
    상기 캐소드 상에 위치하는 유기막층;
    상기 유기막층 상에 위치하는 애노드;를 포함하며,
    상기 애노드는 투명도전물질과 금속을 혼합하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 애노드는 투명도전물질과 금속을 공증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속은 Mg, Cu, Al, Ag 또는 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 애노드의 두께는 100 내지 500Å인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 애노드는 금속의 비율이 20 내지 30%로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  6. 기판을 제공하는 단계;
    상기 기판 상에 캐소드를 형성하는 단계;
    상기 캐소드 상에 유기막층을 형성하는 단계;
    상기 유기막층 상에 투명도전물질과 금속을 혼합하여 애노드를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 애노드는 투명도전물질과 금속을 공증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 금속은 Mg, Cu, Al, Ag 또는 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 애노드는 100 내지 500Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 애노드는 금속의 비율이 20 내지 30%로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  11. 기판;
    상기 기판 상에 위치하는 애노드;
    상기 애노드 상에 위치하는 유기막층;
    상기 유기막층 상에 위치하는 캐소드;를 포함하며,
    상기 캐소드는 투명도전물질과 금속을 혼합하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 캐소드는 투명도전물질과 금속을 공증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 금속은 Cs, Li, Ca 또는 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 캐소드의 두께는 100 내지 500Å인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 캐소드는 금속의 비율이 20 내지 30%로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  16. 기판을 제공하는 단계;
    상기 기판 상에 애노드를 형성하는 단계;
    상기 애노드 상에 유기막층을 형성하는 단계; 및
    상기 유기막층 상에 투명도전물질과 금속을 혼합하여 캐소드를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 캐소드는 투명도전물질과 금속을 공증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 금속은 Mg, Cu, Al, Ag 또는 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 캐소드는 100 내지 500Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  20. 제 16 항에 있어서,
    상기 캐소드는 금속의 비율이 20 내지 30%로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
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