KR100749167B1 - 평면광원 - Google Patents

Abstract

본 발명은 평면광원에 관한 것이다. 본 발명의 평면광원은, 상부기판과 하부기판으로 구성되는 두장의 유리 사이에 막대 스페이서에 의해서 방전공간을 형성하고, 상기 스페이서의 측벽에 방전을 유도하기 위한 전극을 형성하는 것을 특징으로 한다. 이렇게 형성되는 평면광원은, 일방향 광원 또는 양방향광원으로 사용하는 것이 가능하고, 특히, 넓은 면적에 걸쳐서 고른 광원을 발생시키기 때문에, 그 밝기가 매우 밝고, 또한 제조가 간편하며, 제조비용을 절감시키는 등의 효과를 얻게 된다.

평면광원

Description

평면광원{flat lamp}

도 1은 본 발명에 따른 평면광원의 정면도,

도 2는 본 발명에 따른 평면광원의 하판구조의 평면도,

도 3은 본 발명에 따른 평면광원의 상판구조의 단면도,

도 4는 본 발명에 따른 평면광원의 상판구조의 평면도,

도 5는 본 발명에 따라 전극부를 형성하고 있는 스페이서의 제조 예시도,

도 6내지 도 8은 본 발명에 따른 평면광원의 제조 공정도.

도 9는 본 발명에 따른 평면광원의 다른 실시예.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *

1 : 스페이서 2 : 하부기판

3 : 전극 5 : 유전층

7 : 보호층 9 : 상부기판

11 : 형광층

본 발명은 면(面) 단위로 광을 발광시키는 평면광원에 관한 것이다.

광원의 역사는 19세기 후기 백열조명에서부터 시작된다. 상기 백열조명은, 비활성 가스가 들어있거나 진공상태인 유리구 안에 있는 필라멘트를 통해 전류가 흐르는 것이 그 원리이다. 상기 필라멘트는 급속히 가열되어 900도 정도에서 백열광을 내기 시작한다. 작동온도인 2500 ~ 2700 도가 되면, 최적의 광속을 발하고 전형적인 "흰색"의 빛을 낸다.

상기 백색광원에서 발전된 것이 현재 가정과 회사에서 많이 사용하고 있는 형광등이다. 상기 형광등은 저압 방전광원에 포함된다. 형광등은 전기 방출이 유리 튜브 안에서 이루어지고, 유리튜브 내에는 크립톤이나 아르곤 가스가 봉입되어 있고, 유리튜브 안쪽은 형광혼합물질로 코팅되어 있다. 상기 형광등은 양 전극 사이에 전류가 통하므로서 가스는 눈에 보이지 않는 청록빛을 발하게 된다. 이렇게 방사된 자외선은 번갈아가며 형광 코팅면에 자외선을 보내 빛을 나게 만든다.

이와 같이 다양한 형태로 발전되고 있는 모든 광원의 시작은 점광원에서부터라고 설명될 수 있다.

상기 점광원이라 함은, 용어 그대로 광원이 하나의 점으로부터 시작되는 것이다. 일 예로 형광등의 경우, 점과 점사이에서 광원이 발생된다. 여기서 발전된 것이 선광원이라 할 수 있다. 즉, 하나의 선자체가 광원이 되는 것이고, 이제 마 지막으로 남은 것이 하나의 면(面)에서 동일크기의 광원이 발생되는 면광원이다.

상기 면광원은, 광원을 구성하는 하나의 면 전체에서 빛이 비치는 것이다. 따라서 면광원의 경우, 표면 그림자, 투영 그림자가 거의 눈에 띄지 않을 정도로 엷게 나타나고, 색상 왜곡이 비교적 적다. 즉, 면광원은 전체를 고르게 조명하고, 색상의 왜곡이 작으며, 전체적으로 밝은 느낌을 준다.

만일, 병원과 같이 심리적인 작용이 실제로 많은 영향을 끼치는 곳에, 선광원이 아닌 면광원을 설치하면, 병원의 복도나 병실의 분위기는 많은 변화가 발생될 수 있을 것이다.

또한, 선 광원을 이용한 하나의 예로서 우리 주위에서 흔히 볼 수 있는 네온사인을 들 수 있다. 현재 많이 사용되고 있는 네온사인은 줄 네온사인이다. 즉, 네온사인의 테두리 부분만 발광되면서 광고패턴을 표시한다. 따라서 광고하고자 하는 문자 또는 표식 등의 광고패턴이 하나의 "원"이라고 했을때, "원"의 전체 면적이 발광되면서 표시되는 것이 아니라, "원"의 테두리 부분만 발광되면서 하나의 원을 표시하게 되는 것이다.

따라서 줄 네온사인에 의하여 사용자가 원하는 광고패턴을 정확히 표시하는 것은 매우 어렵고, 표시 가능한 광고패턴도 한정이 될 수 밖에 없다. 또한, 줄 네온사인에 의한 광고패턴의 표시는, 사람에 의한 수작업을 필요로 하기 때문에 대량생산이 어렵고, 따라서 제조비용이 높은 문제점이 있었다.

따라서 네온사인에 있어서도 면(面) 단위로 광고패턴을 표시 가능한 면광원을 이용하면, 보다 효과적인 네온사인 구조을 얻는 것이 가능할 것이다.

이러한 효과와 같이, 넓은 면에서 동일한 크기의 광원을 발생시키는 면광원은 다양한 분야에 응용 가능하며, 앞으로 면광원의 발전 및 개발은 필수적이라고 할 수 있다.

따라서 본 발명의 목적은 방전을 이용하여 면(面) 단위로 동일크기의 광원을 발생시키는 평면광원의 구조를 제공함에 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 평면광원은, 상판그래스와; 상기 상판그래스의 하면에 봉인되는 하판그래스와; 상기 상판그래스의 하면과, 하판그래스의 상면 사이에 방전공간의 형성을 위해 다수개 설치되는 막대 형상의 스페이서를 포함하여 구성되고, 상기 스페이서는, 방전을 유도하기 위한 전극부를 형성하고 있는 것을 특징으로 한다.

삭제

본 발명의 상기 스페이서에 형성된 전극부는, 방전을 유도하는 전극과; 상기 전극의 상부에 형성된 유전층을 포함하여 구성된다.

본 발명의 상기 전극부는, 스페이서의 측벽에 형성되어, 서로 마주하는 전극부 사이에서 방전이 유도되는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 상기 전극부는, 상기 유전층의 상부에 형성된 보호층을 더 포함하 여 구성된다.

본 발명은 상기 방전공간 내에 형성된 형광층을 더 포함하여 구성된다.

본 발명의 상기 형광층은, 상판그래스의 하면 및(또는) 하판그래스의 상면 전체 또는 일부에 선택적으로 형성되는 것을 특징으로 한다.

이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 평면광원에 대해서 설명한다.

본 발명의 평면광원은, 면(面) 단위로 동일크기의 광을 발생시킨다. 또한, 본 발명은 방전에 의해서 광을 발생시키는 것이다. 따라서 본 발명의 평면광원은, 면(面)과 면(面) 사이에서 가시광 발생을 위한 방전이 발생되어진다.

도 1은 본 발명에 따른 평면광원의 정면도이다. 그리고 도 2는 본 발명에 따른 평면광원의 평면도이다.

본 발명의 평면광원은, 방전에 의해서 발생된 광을 투과시키는 상부기판(9)과 하부기판(2), 그리고 상부기판(9)과 하부기판(2) 사이에 방전공간의 형성을 위해 설치되는 스페이서(1)를 포함한다. 따라서 상기 상부기판(9)과 하부기판(2)는 광투과율이 좋은 투명한 유리재질을 이용하는 것이 바람직하다.

상기 스페이서(1)는, 막대 형상의 부재를 이용하며, 그래스 재질을 이용하는 것도 가능하다. 상기 스페이서(1)에 의하여 형성되는 상부기판(9) 및 하부기판(2) 사이의 간격은, 소정폭 (0.5mm ~ 3mm) 내외로 설정하는 것이 바람직하다. 따라서 상기 스페이서(1)의 높이는, 상기 방전공간의 형성에 따른 소정폭에 밀접하게 연관되어진다.

그리고 상기 스페이서(1)는, 상부기판(9)과 하부기판(2) 사이에서 일정한 방 전공간이 균일하게 형성될 수 있도록 전체적으로 균일하면서도 나란히 배열되는 복수개로 구성되어진다. 따라서 하부기판(2)의 상부에 설치된 스페이서(1)의 평면도는, 도 2에 도시된 것과 같이 나타난다. 즉, 하부기판(2)의 상부에 막대 형상의 스페이서(1)가 길게 놓여진다.

그리고 도시하지는 않고 있지만, 상기 상부기판(9)과 하부기판(2) 사이에 형성되는 방전공간을 외부와 밀봉된 상태로 유지하기 위하여 상부기판(9)과 하부기판(2)의 테두리 부분에는 실링부가 설치된다. 이러한 실링부는, 상기 방전공간을 내부적으로 독립된 공간으로 형성하기 위하여 만들어지는 부분이다. 이렇게 밀봉된 방전공간 내에는 방전가스가 주입되어져, 전압공급시에 방전이 일어난다.

실제로 상기 실링부는, 분말 상태의 저융전그래스와 합성수지재를 혼합한 페이스트 상태의 물질을 테두리부분을 따라 도포하거나, 소정의 두께를 가지도록 인쇄하는 것에 의하여 형성될 수 있다. 그리고 상기 실링부는 광원소자들이 상기 상부기판과 하부기판 및 스페이서에 모두 형성된 후, 최종적으로 수행되어진다.

이와 같이 봉인되어 하나의 평면광원이 완성되면, 상기 스페이서에 형성되고 있는 전극에 외부로부터 파워가 공급될 수 있도록, 제어회로(도시하지 않음)가 연결되어진다. 즉, 상기 제어회로에서 일정한 전압을 가지는 전류를 상기 전극에 인가하면, 방전공간 내의 방전가스가 방전을 일으키게 되는 것이다.

본 발명의 스페이서(1)는, 방전공간을 형성시키기 위해 상부기판(9)과 하부기판(2) 사이에 설치되어지는 특징도 있지만, 보다 더 특징적인 부분은, 상기 스페 이서(1)의 측벽에 방전을 유도하기 위한 전극부가 형성되어진다는 것이다.

상기 스페이서(1)의 측벽(1a)에 형성되고 있는 전극부는, 우선 스페이서(1)의 측벽(1a)에 직접 형성되고 있는 전극(3)과, 상기 전극(3)의 상부에 형성되고 있는 유전층(5)과, 상기 유전층(5)의 상부에 형성되고 있는 보호층(7)으로 구성되어진다. 이때, 보호층은 유전층을 보호하기 위해 형성되므로, 상기 유전층의 형성이 불필요한 경우의 전극을 사용하는 경우, 또는 유전층의 보호를 필요로 하지 않는 형태에서는 상기 보호층은 형성되지 않아도 된다.

상기 전극(3)은 고전도성의 금속전극을 이용할 수도 있고, ITO전극과 같이 투명전극을 이용할 수도 있다. 상기 전극(3)은, 도 1에 도시되고 있는 바와 같이 측벽(1a)의 일부분에 형성될 수도 있고, 전 영역에 걸쳐서 형성될 수도 있다. 어쨌든, 상기 전극(3)은, 상기 스페이서(1)의 측벽면에 면(面)의 형상으로 형성되어진다.

그리고 상기 유전층(5)는, 지속적인 방전이 유지될 수 있도록 발생된 전하를 보존하기 위한 것이고, 보호층(7)은, 방전시 유전층(5)을 보호하기 위해 형성되어진다.

상기와 같은 전극부는, 스페이서(1)의 다른쪽 측벽(1b)에도 동일한 구조로 형성되어지며, 따라서 방전은, 스페이서와 스페이서 사이에 대향하고 있는 전극부 사이에서 발생되어진다.

또한, 본 발명의 상부기판(9)의 하면에는 형광층(11)이 형성되고 있다. 상기 형광층(11)은 스페이서(1)와 스페이서(1) 사이에 패턴 형성되어진다.

도 3은 본 발명의 평면광원의 상판의 단면도이고, 도 4는 평면도이다.

즉, 본 발명의 평면광원 구조는, 상부기판(9)에 평면광원의 색을 결정짓는 형광물질을 도포하고 있으며, 상기 형광물질은 스페이서(1)와 스페이서(1) 사이에 형성하고 있다. 또한, 상기 형광물질을 상기 상부기판(9)의 전체에 전체적으로 도포시키는 것도 가능하다. 이렇게 전체적으로 형광물질을 도포하게 되면, 상부기판과 하부기판 그리고 그 사이에 스페이서를 설치함에 있어서 얼라인이 불필요하게 된다.

그리고 상기 형광층(11)을 하부기판(1) 측에 형성할 수도 있다. 그리고 도 9에 도시하고 있는 바와 같이, 상기 형광층(11)을 상부기판(9)의 하면과 하부기판(1)의 상면에 모두 형성하는 것도 가능하다. 이때, 상부기판(9)에 형성되는 형광층은 광투과율이 좋게 얇게 도포하고, 하부기판(1)에 형성되는 형광층은 광반사율이 좋게 두껍게 도포하면, 광원의 효율을 높이는 것이 가능하게 된다.

다음은 상기 구조로 이루어진 본 발명에 따른 평면광원의 제조과정에 대해서 설명한다.

도 5는 본 발명의 평면광원 구조에서 스페이서의 측벽에 전극부를 형성하는 예시도이다. 그리고 도 6 내지 도 8은 본 발명에 따른 평면광원의 제조를 위한 공정도이다.

먼저, 본 발명의 특징구성인 막대 형상의 스페이서 측벽에 방전을 유도하기 위한 전극부를 형성하는 과정이 수행되어진다.

제 100 단계는, 하부기판(2)과 상부기판(9) 사이에 방전공간을 형성하기에 적당한 직경과 길이를 갖는 막대 형상의 스페이서(1)를 다수개 준비한다. 그리고 준비된 스페이서(1)의 측벽(1a)을 상부로 해서 다수개 나란히 배열시킨다(제 103 단계). 즉, 도 5에 도시되고 있는 바와 같이 다수개의 스페이서(1)를 다수개 배열시킨다.

이와 같이 나란히 배열된 다수개의 스페이서(1) 일측벽에 형성하고자 하는 전극의 패턴을 동시에 형성시킨다(제 106 단계). 그리고 형성된 패턴에 따라서 다수개의 스페이서(1)의 일측벽에 전극(3)을 프리팅해서 형성시킨다(제 109 단계). 또는 상기 전극을 박막공법에 의해서 형성하는 것도 가능하다. 즉, 상기 전극을 형성하는 제조공법은 일반적인 전극 제조공법을 모두 사용할 수 있다.

상기 제 109 단계에 의해서 다수개의 스페이서(1) 일측벽에 전극(3)이 형성되면, 형성하고자 하는 유전층의 패턴을 나란히 배열하고 있는 스페이서(1)의 측벽에 동시에 형성시키고, 유전층(5)을 형성시킨다(제 112 단계, 제 115 단계).

상기 제 115 단계에 의해서 다수개의 스페이서(1)의 일측벽에 전극(3)이 형성되어지고, 그 상부에 유전층(5)이 형성되어졌다. 이와 같이 스페이서(1)의 측벽에 전극 및 유전층은, 다수개의 스페이서가 나란히 배열되어져서 동시에 이루어진다.

그리고 상기 유전층(5)의 상부에 보호층(7)이 형성되어지면(제 118 단계), 스페이서의 일측벽에 형성되어질 전극부는 완성되어진다(제 121 단계).

다음은, 상기 일측벽(1a)에 전극부가 형성되어진 스페이서(1) 들을 180도 회전시킨후, 다른 일측벽(1b)을 상부로 향하게 한다. 그리고 상기 제 106 단계 내지 제 121 단계에 의한 전극부를 형성시키는 과정이 동일하게 수행된다(제 124 단계).

상기 제 124 단계에 의한 과정이 완료되면, 스페이서(1)의 양측벽에는 방전을 유도하기 위한 전극부를 형성하는 과정이 완료된다(제 127 단계).

다음, 형성하고자 하는 패널의 크기에 따른 소정크기의 기판을 두개 준비하고, 세정한다(제 200 단계) 상기 기판은, 통상 유리기판을 많이 이용한다.

상기 세정된 하나의 기판 상부에 형광층 패턴을 형성한다(제 203 단계). 상기 형광층(11)은, 도 1에 도시하고 있는 바와 같이 막대 형상의 스페이서와 스페이서 사이에 형성되고 있다. 따라서 상기 제 203 단계에 의한 패턴은 상기에 적합하게 이루어져야 할 것이다.

상기 제 203 단계에서 형광체 패턴이 형성되어지면, 평면광원의 색을 결정짓기 위한 임의의 형광물질을 인쇄하여 형광층을 형성한다(제 206 단계). 만일, 적색의 평면광원인 경우에는, 적색의 형광물질이 인쇄될 것이고, 녹색의 평면광원을 형성하는 경우에서는 녹색의 형광물질이 인쇄되어진다.

이와 같이, 형광층(11)이 형성된 지지기판(9)은 본 발명에서는 상부기판으로 이용하고 있다. 따라서 상기 형광층(11)은, 상부기판 또는 하부기판 어느 측에 형성하여도 무관하다.

또한, 상기 형광층은 도 9에 도시하고 있는 바와 같이, 상부기판과 하부기판 모두에 형성하는 것도 가능하다. 이것은 제품의 크기, 용도 등에 따라서 적절하게 선택하여 사용한다.

그리고 상기 형광층을 형성함에 있어서, 기판 전체적으로 형성하게 하는 것 도 가능하다. 이 경우, 얼라인은 불필요하다.

상기의 과정을 통해서 형광층(11)이 형성되어진 상부기판(9)과, 전극부를 측벽에 형성하고 있는 스페이서(1)와, 또 하나의 세정된 하부기판(2)이 준비되어진다.

다음은 상기 하부기판(2)과 상부기판(9) 사이에 스페이서(1)를 설치하고, 실링하는 작업이 수행된다.

즉, 준비된 하부기판(2)의 상부에 전극부가 형성되어진 다수개의 스페이서(1)를 정해진 위치에 배열한다(제 300 단계). 따라서 상기 하부기판(2)은, 미리 스페이서(1)가 설치될 위치를 결정해두어야 한다. 이때, 스페이서(1)는, 전극부가 형성된 면이 측면으로 위치될 수 있도록 배열시킨다. 따라서 각각의 스페이서(1)의 좌측벽에 형성되고 있는 전극부는, 상기 스페이서(1)의 좌측에 위치하고 있는 스페이서의 우측벽에 형성되고 있는 전극부와 마주하는 상태가 된다. 그리고 스페이서(1)의 우측벽에 형성되고 있는 전극부는, 상기 스페이서(1)의 우측에 위치하고 있는 스페이서의 좌측벽에 형성되고 있는 전극부와 마주하는 상태가 된다. 상기 제 300 단계에서 하부기판(2) 상에 스페이서(1)가 설치된 것을 평면상으로 봤을때, 도 2와 같이 나타난다.

다음은, 상기 스페이서(1)가 설치된 하부기판(2)의 상부측에 형광층(11)이 형성된 상부기판(9)을 위치시킨다. 이때, 형광층(11)이 형성된 면이 하부로 향하게 한다. 그리고 상기 형광층(11)의 위치가 각 스페이서와 스페이서 사이에 될 수 있도록 얼라인을 조절한다(제 303 단계). 상기 제 303 단계에서 하부기판(2) 상에 스페이서(1)를 설치하고, 그 상부에 상부기판(9)을 위치한 것을 정면상으로 도시하면, 도 1과 같이 나타난다.

이와 같이 상하부기판 사이에 얼라인이 조절되면, 상부기판(9)과 하부기판(2)에 실링재를 도포하여 봉인시킨다(제 306 단계). 상기 제 306 단계에서 봉인시에 방전공간 내부의 불순물을 제거하고, 방전가스를 주입하기 위한 여유공간은 미리 형성시켜둔다.

그 다음에 봉인된 방전공간 내에 존재하는 불순가스를 포함한 불순물을 제거하고(제 309 단계), 방전가스를 주입하면(제 312 단계), 평면광원이 완성되어진다.

이와 같이 형성된 평면광원은 외부에 연결되고 있는 제어회로(도시하지 않음)로부터 소정의 전압을 인가하는 것에 의하여, 서로 마주하는 전극 사이에서 방전이 발생된다. 따라서 상기 스페이서(1)에 형성되고 있는 전극은, 실질적으로 상부기판(9) 및 그와 밀착되어 고정된 하부기판(2)의 외부에서 전기적으로 연결될 수 있다.

따라서 스페이서(1)의 측벽에 형성되고 있는 전극들은, 서로 마주하는 전극 사이에서 방전이 일어나며, 따라서 서로 마주하는 전극은 방전이 유도될 수 있도록 서로 다른 전위를 갖게 된다.

본 발명에서 발생되는 전극 사이의 방전은, 막대 형상으로 이루어진 스페이서(1)의 측면 전체에서 동시에 일어나며, 더불어 전 패널에 설치되고 있는 모든 전극에서 동시에 발생된다. 따라서 이때의 방전에 의해서 패널 전체적으로 동일한 자외선을 발생시키고, 이렇게 발생된 자외선이 형광체(11)를 여기시켜 가시광으로 변환된 후, 상부기판(9)을 통해서 투과되는 것이다.

이와 같이 막대 형상의 스페이서의 측벽에 방전을 유도하기 위한 전극부를 형성하는 경우는, 대면적의 평면광원에 매우 적합하다. 즉, 매우 넓은 면적으로 이루어진 평면광원에서, 전면적에 걸쳐서 거의 동일한 크기의 광을 발생시키기 위해서 다수개의 스페이서 각각에 전극을 형성시키고, 동시에 방전을 유도하므로서, 방전에 의한 대면적의 평면광원을 얻는 것이 가능하게 되는 것이다.

이상에서 살펴본 바와 같은 본 발명에 의하면, 상부기판과 하부기판으로 구성되는 두장의 유리 사이에 막대 스페이서에 의해서 방전공간을 형성하고, 상기 스페이서의 측벽에 방전을 유도하기 위한 전극을 형성하는 것을 기본적 사상으로 하고 있음을 알 수 있다.

그리고 이와 같은 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서는 다양한 변형이 가능함은 물론이다.

이상에서 살펴본 바와 같은 본 발명에 의하면, 다음과 같은 잇점을 제공할 수 있음을 알 수 있을 것이다.

우선, 본 발명의 평면광원은, 대면적의 평면상에서 동일크기의 광원을 발생하는 것임을 알 수 있다. 따라서 본 발명은 종래 선광원 또는 점광원과 비교하여 매우 밝은 광원을 발생시키는 것이 가능함을 알 수 있다. 특히, 본 발명은 일방향 광원 또는 양방향광원으로 사용하는 것이 가능하다.

그리고 본 발명에 의하면, 실질적으로 방전을 유도하기 위한 전극은, 상부기판과 하부기판 사이에 방전공간 형성을 위해 설치되고 있는 스페이서의 측벽에 형성되는 것임을 알 수 있다. 따라서 상부기판과 하부기판을 봉인함에 있어서, 광원소자들의 형성에 따른 상부기판과 하부기판의 변형이 발생되지 않기 때문에 얼라인 조성이 매우 쉬워지는 것을 의미하게 된다.

또한, 이러한 구성으로, 본 발명은 방전 유도가 쉬워지고, 저전력에 의해서 방전이 유도될 수 있으며, 더욱이 매우 넓은 대면적의 패널에서 거의 동일 크기의 광원을 얻을 수 있음을 알 수 있다.

Claims (7)

1. 상판그래스와;

   상기 상판그래스의 하면에 봉인되는 하판그래스와;

   상기 상판그래스의 하면과, 하판그래스의 상면 사이에 방전공간의 형성을 위해 다수개 설치되는 막대 형상의 스페이서를 포함하여 구성되고,

   상기 스페이서의 측면부에는, 방전을 유도하기 위한 전극부를 형성하고 있는 것을 특징으로 하는 평면광원.
2. 삭제
3. 제 1 항에 있어서:

   상기 스페이서에 형성된 전극부는,

   방전을 유도하는 전극과;

   상기 전극의 상부에 형성된 유전층을 포함하여 구성되는 평면광원.
4. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서:

   상기 전극부는, 스페이서의 측벽에 형성되어, 서로 마주하는 전극부 사이에서 방전이 유도되는 것을 특징으로 하는 평면광원.
5. 제 4 항에 있어서:

   상기 전극부는, 상기 유전층의 상부에 형성된 보호층을 더 포함하여 구성되는 평면광원.
6. 제 1 항에 있어서:

   상기 방전공간 내에 형성된 형광층을 더 포함하여 구성되는 평면광원.
7. 제 6 항에 있어서:

   상기 형광층은, 상판그래스의 하면 및(또는) 하판그래스의 상면 전체 또는 일부에 선택적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 평면광원.

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