KR100730056B1 - 리소그래피 장치, 레티클 교환 유닛 및 디바이스 제조방법 - Google Patents
리소그래피 장치, 레티클 교환 유닛 및 디바이스 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100730056B1 KR100730056B1 KR1020050118337A KR20050118337A KR100730056B1 KR 100730056 B1 KR100730056 B1 KR 100730056B1 KR 1020050118337 A KR1020050118337 A KR 1020050118337A KR 20050118337 A KR20050118337 A KR 20050118337A KR 100730056 B1 KR100730056 B1 KR 100730056B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- reticle
- pellicle
- preparation chamber
- gas
- pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 86
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims abstract description 55
- 230000003204 osmotic effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 29
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 11
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 85
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 10
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 9
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 7
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
- G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
- G03F7/70741—Handling masks outside exposure position, e.g. reticle libraries
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70933—Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70983—Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Public Health (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Library & Information Science (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
리소그래피 장치의 레티클을 이동시키는 레티클 교환 유닛에 대해 개시되어 있다. 상기 레티클의 표면은 가스 삼투 펠리클 프레임에 의해 상기 레티클에 부착된 펠리클에 의하여 보호된다. 상기 레티클 교환 유닛은 레티클 준비 챔버, 상기 펠리클 프레임의 복수의 노광된 가스 삼투 부분들이 상기 레티클 준비 챔버의 내부와 마주하게 하도록 구성되는 레티클 이송유닛, 및 상기 레티클 준비 챔버와 커플링되고, 상기 펠리클 프레임의 노광된 가스 삼투 부분들이 상기 레티클 준비 챔버의 내부와 마주하고 있을 때, 정화 가스 압력과, 상기 정화 가스 압력보다 낮은 배기 압력을 상기 레티클 준비 챔버로 번갈아 제공하여, 가스가 상기 펠리클 프레임을 통하여 상기 펠리클과 상기 레티클 사이의 펠리클 공간으로 번갈아 드나들도록 구성된 정화 가스 압력 및 배기 압력 공급장치를 포함한다.
Description
이하, 대응되는 참조부호들이 대응되는 부분들을 지칭하는 개략적인 첨부도면을 참조하여, 예시의 방법으로 본 발명의 실시예들에 대해 설명할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 나타낸 도;
도 2는 레티클 교환 유닛의 일 실시예를 개략적으로 나타낸 도;
도 3은 레티클-프레임-펠리클 조립체의 일 실시예를 개략적으로 나타낸 도;
도 4는 레티클 준비 챔버의 일 실시예를 개략적으로 나타낸 도;
도 5는 레티클 준비 챔버의 또 다른 실시예를 개략적으로 나타낸 도이다.
본 발명은 리소그래피 장치, 레티클 교환 유닛 및 디바이스 제조방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판의 타겟부상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 이 경우에, 레티클과 같은 패터닝장치는 IC의 개별층에 대응되는 회로 패턴을 생성하는데 사용 될 수 있으며, 이 패턴은 방사선 감응재(레지스트)의 층을 갖는 기판(예를 들어, 실리콘 웨이퍼)상의 (예를 들어, 1 또는 수개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부상으로 묘화(image)될 수 있다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 노광되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 타겟부상에 전체패턴을 한번에 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사되는, 소위 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"-방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향 또는 반대 방향으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는, 스캐너를 포함한다.
레티클(또는 마스크로 지칭됨)은 반사형 또는 투과형일 수 있다. 반사형 레티클은 투영빔의 패터닝된 버전(version)을 반사시키고, 반사된 빔은 기판으로 지향된다. 투과형 레티클은 투영빔의 패터닝된 버전을 전달시키고 전달된 빔은 기판으로 지향된다. 흔히, 레티클은, 일 측면상에 패터닝된 크롬층의 형태로 패턴이 제공되는 유리 플레이트를 포함한다. 레티클의 패터닝된 표면을 투영하기 위하여, 레티클의 패터닝된 표면을 커버링하는 펠리클(pellicle)(투명한 재료, 예를 들어, 얇은 포일(foil) 또는 얇은 유리 플레이트의 형태로 만들어짐)이 제공된다. 펠리클은 이 펠리클의 공간을 자유롭게 남겨둔 채 상기 펠리클의 에지에 연결되는 프레임을 사용하여 레티클에 부착된다. 이 프레임은 펠리클 프레임이라 불릴 것이다.
미국특허 제6,507,390호는 펠리클 프레임이 다공성(porous)이어서, 불활성 정화가스가 펠리클 공간 내외로 유동할 수 있도록 하는 펠리클-레티클-프레임 조립체에 대해 개시하고 있다. 대안적으로는, 펠리클 프레임에 홀이 제공되어, 정화가 스의 유동을 가능하게 할 수도 있다. 광학기구를 둘러싼 공간의 정화는 표준 절차이다. 종래의 정화가 진행되는 동안, 불활성가스의 정상 유동(steady flow)은 원하지 않는 가스들을 몰아내도록 유지된다.
미국특허 제6,507,390호는 펠리클-레티클-프레임 조립체가 사용 준비시에 정화될 수 있는 방법에 대해 개시하고 있다. 이것은, 흔히 레티클이 포토리소그래피 장치의 레티클 스테이지내로 로딩되기 이전, 즉 기판의 노광시 레티클이 이용되기 바로 이전에 매 번(each time) 수행된다. 펠리클-레티클-프레임 조립체는 정화가스의 유동이 펠리클 공간을 통해 펠리클 및 레티클의 표면과 평행하게 실현되는 박스내에 배치된다. 정화가스공급부 및 진공소스는 펠리클 공간의 상호 대향되는 측면상의 펠리클 프레임의 에지 부근에 장착된다. 정화가스는 펠리클과 레티클 사이에서 일 에지로부터 다른 에지로 유동한다.
펠리클은 흔히 손상을 입기 쉬운 약한(flimsy) 구조로 되어 있다. 따라서, 펠리클과 정화가스 및 진공 소스의 유출부들간의 직접적인 (우연적인) 접촉은 회피되어야 한다. 그럼에도 불구하고, 이들 유출부는 펠리클 프레임의 에지와 가능한 한 근접하게 배치되어 상기 펠리클 공간을 통해 유동하지 않는 가스의 손실을 최소화시켜야 한다. 흔히, 이것은 정확한 위치설정 기구의 오버헤드(overhead)를 필요로 한다. 펠리클의 크기 및 형상이 상이한 레티클에 대해 상이하다면, 신중한 적용이 이루어져야 한다.
정화가스 유동 접근법에 의한 또 다른 문제는, 정화가스공급부 측면상의 펠리클 프레임의 포어(pore)들로 흡수되는 물과 같은 오염물들이 펠리클 공간내로 유 동하고, 흔히 펠리클 프레임으로 다시 흡수될 수도 있는 진공 소스 측면상의 펠리클 프레임을 통해 제거된다는 것이다. 이는, 정화가스가 필요한 시간을 연장시킬 수 있다. 펠리클 프레임으로부터 펠리클 공간내로 보내지는 펠리클들이 레티클에 부착되도록 하여 흔히 레티클을 무용하게 만들 수도 있다.
펠리클의 일 측면으로부터 다른 측면으로 유동하는 정화가스에 의한 또 다른 문제는 펠리클 프레임에 대한 상이한 부착 측면상에 상이한 동적 힘들이 발생되어, 펠리클과 레티클간의 공간적 관련성 및 변형을 야기할 수도 있다는 것이다.
특히, 본 발명의 일 실시형태는 진공 소스 또는 가스공급부의 위치설정으로 인하여 저감된 손상의 위험을 갖는, 펠리클 공간내에 청정한 불활성 가스를 제공하는 방법을 실현시키는 것이다. 또한, 본 발명의 일 실시형태는 상기 방법을 지지하는 포토리소그래피 장치를 제공하는 것이다.
특히, 본 발명의 일 실시형태는 흡수된 오염물들이 펠리클 공간을 통해 보다 적은 양이 통과하도록 펠리클 공간내에 청정 불활성 가스를 제공하는 방법을 실현시키는 것이다.
특히, 본 발명의 일 실시형태는 펠리클 공간으로 입자들이 보내지는 위험을 저감시키는 것이다.
특히, 본 발명의 일 실시형태는 정화에 의해 야기되는 힘들로 인해 국부적인 레티클 변형의 위험을 저감시키는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 리소그래피 장치가 제공된다. 리소그래피 장치는 방사선 빔을 콘디셔닝하는 조명시스템 및 레티클을 지지하는 지지부를 포함한다. 상기 레티클은 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는 역할을 한다. 레티클의 표면은 가스 삼투 펠리클 프레임에 의하여 그에 부착되는 펠리클에 의해 보호된다. 또한, 상기 장치는 레티클 준비 챔버(reticle preparation chamber)를 포함하는 레티클 교환 유닛, 및 상기 레티클을 상기 지지부로 이동시키기 이전에 상기 레티클 프레임의 복수의 노광된 가스 삼투 부분들이 레티클 준비 챔버의 내부와 마주하게 하도록 구성되는 레티클 이송 유닛을 포함한다. 또한, 레티클 교환 유닛은, 펠리클 프레임을 통한 가스의 유동이 펠리클과 레티클 사이의 펠리클 공간으로 드나들도록, 펠리클 프레임의 노광된 가스 삼투 부분들이 레티클 준비 챔버의 내부와 마주하고 있을 때, 레티클 준비 챔버에 정화 가스 압력 및 정화 가스 압력보다 낮은 배기 압력을 번갈아 제공하도록 구성되는 정화 가스 압력 및 배기 압력 공급장치(purge gas pressure and evacuating pressure supply arrangement)를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 디바이스 제조방법이 제공된다. 상기 디바이스 제조방법은 방사선 빔을 콘디셔닝하는 단계 및 상기 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는 위치로 레티클을 이동시키는 단계를 포함한다. 상기 레티클은 가스 삼투 펠리클 프레임에 의해 상기 레티클에 부착되는 펠리클에 의하여 보호된다. 상기 방법은 또한, 상기 패터닝된 방사선 빔을 기판의 타겟부상으로 투영하는 단계, 레티클이 상기 방사선 빔에 패턴을 부여하는 위치로 이동되기 이전에 펠리클 프레임의 복수의 노광된 가스 삼투 부분들이 레티클 준비 챔버와 마주하도록 레티클 준비 챔 버에 대해 레티클을 배치시키는 단계; 및 상기 펠리클 프레임을 통한 가스의 유동이 상기 펠리클과 상기 레티클 사이의 팰리클 공간으로 번갈아 드나들도록, 상기 펠리클 프레임의 노광된 가스 삼투 부분들이 상기 레티클 준비 챔버의 내부와 마주하고 있을 때, 정화 가스 압력과 상기 정화 가스 압력보다 낮은 배기 압력을 레티클 준비 챔버로 번갈아 적용시키는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 리소그래피 장치에 사용하기 위한 레티클 교환 유닛이 제공된다. 레티클의 표면은 가스 삼투 펠리클 프레임에 의해 그에 대해 부착되는 펠리클에 의하여 보호된다. 상기 레티클 교환 유닛은 레티클 준비 챔버, 및 상기 펠리클 프레임의 복수의 노광된 가스 삼투 부분들이 상기 레티클 준비 챔버의 내부와 마주하게 하도록 구성되는 레티클 이송 유닛을 포함한다. 또한, 상기 레티클 교환 유닛은, 상기 레티클 교환 유닛에 커플링되고, 펠리클 프레임을 통한 가스의 유동이 펠리클과 레티클 사이의 펠리클 공간으로 번갈아 드나들도록, 상기 펠리클 프레임의 노광된 가스 삼투 부분들이 상기 레티클 준비 챔버의 내부와 마주하고 있을 때, 정화 가스 압력과 상기 정화 가스 압력보다 낮은 배기 압력을 상기 레티클 준비 챔버에 번갈아 제공하도록 구성되는 정화 가스 압력 및 배기 압력 공급장치를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 레티클-펠리클 조립체는 사용 이전에 레티클 준비 챔버로 이동된다. 레티클 준비 챔버에서는, 모든 가스의 유동이 펠리클 공간 안과 밖으로 번갈아 드나들도록, 펠리클 프레임을 통해 모든 노광된 가스 경로들에 진공 및 정화 가스를 번갈아 적용함으로써 레티클과 펠리클 사이의 펠리클 공간이 정화된다. 결과적으로, 가스를 동시에 공급 및 제거하기 위한 연결부들이 펠리클 프레임에 근접하게 제공될 필요가 있다. 이는, 펠리클에 대한 손상의 위험을 저감시킨다. 또한, 펠리클 프레임으로 흡수된 재료는, 그것이 배기시에 제거될 때 펠리클 공간을 통해 이동할 필요는 없다.
또한, 진공화(vacuumizing) 및 재충전(refilling)의 번갈은 적용은 각 단계에 대한 최적화를 가능하게 한다. 일 실시예에서는, 펠리클 프레임을 통한 보다 높은 가스의 속도는 재충전시보다 배기시에 생성된다. 이는, 레티클 패턴상의 입자 퇴적의 위험을 저감시킬 수도 있다.
추가 실시예에서, 레티클 준비 챔버는, 펠리클의 노광된 표면에 인접한 공간으로의 가스의 유동 및 상기 공간으로부터의 가스의 유동을 지체시키도록 작동하는, 유동저감기로 지칭되기도 하는 유동저감구조체를 포함한다. 상기 유동저감구조체는 펠리클에 걸친 큰 압력 차의 성장(development)을 방지하여, 레티클 준비 챔버의 신속한 배기 및 재충전을 가능하게 하고, 손상의 위험 증가 없이 전체 정화 시간을 저감시키는데 사용된다. 펠리클의 평면을 따르는 펠리클의 이동이 유동저감구조체와 충돌의 위험을 수반하지 않도록 유동저감구조체가 펠리클의 노광된 표면에 인접하여 존재하게 하는 것으로 충분하다. 유동저감구조체는 적어도 펠리클이 펠리클 프레임에 연결되는 펠리클의 노광된 표면 일부와 마주하여 제공되는 것이 바람직하다.
추가 실시예에서는, 교체가능한 유동저감구조체가 사용된다. 레티클이 사용될 경우, 적어도 펠리클의 노광된 표면과 평행한 방향으로, 펠리클의 크기 및 형상 을 갖는 연장 표면(펠리클과 마주함)을 갖는 매칭 유동저감구조체가 선택된다. 상기 교체가능한 유동저감구조체는, 적어도 펠리클이 프레임에 연결되는 펠리클의 노광된 표면의 일부와 마주하여 제공되는 것이 바람직하다. 펠리클 프레임을 갖는 더미 레티클(a dummy reticle)이 여러 가능성들 중 하나일 수 있다.
또 다른 실시예에서는, 배기 및/또는 재충전 압력의 적용시 레티클 준비 챔버내의 압력 및/또는 펠리클 변형을 측정하기 위한 센서가 구성되며, 배기 및/또는 재충전은 측정된 펠리클 변형 및/또는 압력에 따라 제어된다. 이러한 방식으로, 펠리클에 걸친 과도한 압력 차이가 회피될 수 있다. 또 다른 실시예에서는, 배기의 속도 및/또는 지속시간이 사전설정된 속도 및/또는 지속시간 아래로 설정된다. 이러한 방식으로, 펠리클에 걸친 과도한 압력 차이가 회피될 수 있다.
레티클은 레티클 준비 챔버로 이동될 수 있는 한편, 선행(preceding) 레티클은 빔을 패터닝하기 위하여 지지구조체상에 놓인다. 선행 레티클이 더 이상 필요하지 않게 되면, 그것은 제거될 수도 있고, 새로운 레티클이 레티클 준비 챔버로부터 빔내의 소정 위치로 이동될 수도 있다. 후속하여, 새로운 레티클은 레티클 준비 챔버로 이동될 수도 있다. 이러한 방식으로, 노광을 위한 최대 시간이 이용가능하다. 레티클 준비 챔버의 또 다른 특징은, 정화후에 보다 긴 저장 기간동안 사용될 수 있다는 것이다. 작은 과도압력은 그것을 청정하게 유지하도록 보존될 수도 있다.
본 명세서에서는 IC의 제조에 있어서 리소그래피장치의 사용례에 대하여 언급하였으나, 상기 리소그래피장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 유도 및 검출패턴, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드의 제조 등과 같은 여타의 응 용례를 가질 수도 있다는 것을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용례와 관련하여, 본 명세서에서 사용되는 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠한 용어의 사용도 각각 "기판" 및 "타겟부" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 수 있을 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전 또는 후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 또는 메트롤로지 툴 및/또는 검사툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판처리툴과 여타의 기판처리툴에 본 명세서의 기재내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 여러번 처리된 층들을 이미 포함한 기판을 지칭할 수도 있다.
본 명세서에서 사용되는 "방사선" 및 "빔"이란 용어는, (예를 들어, 파장이 365, 248, 193, 157 또는 126㎚인) 자외(UV)선 및 (예를 들어 5 내지 20nm 범위의 파장을 갖는) 극자외(EUV)선과, 이온빔 또는 전자빔과 같은 입자빔들을 포함하는 모든 형태의 전자기방사선을 포괄한다.
투영빔에 부여되는 패턴은 기판의 타겟부내의 원하는 패턴과 정확하게 대응되지는 않을 수도 있다는데 유의해야 한다. 일반적으로, 투영빔에 부여되는 패턴은 집적회로와 같은 타겟부내에 생성될 디바이스의 특정 기능층에 대응될 것이다.
본 명세서에서 사용되는 "투영시스템"이라는 용어는, 예를 들어 사용되는 노광방사선에 대하여, 또는 침지 유체(immersion fluid)의 사용 또는 진공의 사용과 같은 여타의 인자에 대하여 적절하다면, 굴절광학시스템, 반사광학시스템, 카타디 옵트릭시스템을 포함하는 다양한 형태의 투영시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. "렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영시스템"과 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
또한, 조명시스템은 방사선 투영빔의 지향, 성형 또는 제어를 위하여 굴절, 반사 및 카타디옵트릭 광학구성요소를 포함하는 다양한 종류의 광학구성요소를 포괄할 수도 있으며, 이후의 설명에서는 이러한 구성요소들을 집합적으로 또는 개별적으로 "렌즈"라고도 언급될 수 있다.
리소그래피 장치는 2개(듀얼스테이지)이상의 기판테이블(및/또는 2이상의 마스크테이블)을 갖는 형태로 구성될 수도 있다. 이러한 "다수스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 1이상의 테이블이 노광에서 사용되고 있는 동안 1이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
또한, 리소그래피장치는 투영시스템의 최종요소와 기판 사이의 공간을 채우도록 비교적 높은 굴절률을 가지는 액체, 예를 들어 물에 기판이 침지되는 형태일 수도 있다. 침지액은 리소그래피장치내의 여타의 공간, 예를 들어 마스크와 투영시스템의 제1요소 사이에 적용될 수도 있다. 당업계에서는 투영시스템의 개구수를 증가시키는 침지 기술이 잘 알려져 있다.
도 1은 본 발명의 특정 실시예에 따른 리소그래피장치를 개략적으로 도시하고 있다. 상기 장치는: 방사선(예를 들어, UV 방사선)의 투영빔(B)을 제공하는 조명시스템(일루미네이터)(IL); 패터닝장치(MA)(예를 들어, 마스크)를 지지하고, 아이템 PS에 대하여 패터닝장치를 정확히 위치시키는 제1위치설정수단(PM)에 연결된 제1지지구조체(예를 들어, 마스크테이블)(MT); 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 잡아주고, 아이템 PS에 대하여 기판을 정확히 위치시키는 제2위치설정수단(PW)에 연결된 기판테이블(예를 들어, 웨이퍼테이블)(WT); 및 기판(W)의 타겟부(C)(1이상의 다이를 포함)상에, 패터닝장치(MA)에 의하여 투영빔(B)에 부여된 패턴을 묘화하는 투영시스템(예를 들어, 굴절형 투영 렌즈)(PS)을 포함한다.
도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과마스크를 채택하는) 투과형이다. 대안적으로, 상기 장치는 반사형(또는, 예를 들어 상술한 바와 같은 형태의 프로그래밍가능한 거울 어레이)으로 구성될 수도 있다.
일루미네이터(IL)는 방사선소스(S0)로부터 방사선의 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 플라즈마 엑시머 레이저인 경우, 상기 소스 및 리소그래피장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피장치의 부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은 예를 들어, 적절한 지향거울 및/또는 빔 익스펜더를 포함하는 방사선 전달시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 여타의 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 상기 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요하다면 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고도 칭해질 수 있다.
일루미네이터(IL)는 빔의 각도세기분포를 조정하는 조정기구(AD)를 포함한다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필평면내의 세기분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같은 여타 다양한 구성요소들을 포함한다. 일루미네이터(IL)는 그 단면에 필요한 균일성과 세기 분포를 가지는, 투영빔(B)이라 칭하는 컨디셔닝된 방사선의 빔을 제공한다.
상기 투영빔(B)은 마스크테이블(MT)상에서 유지되어 있는 마스크(MA)상에 입사된다. 상기 투영빔(B)은, 마스크(MA)에 의해 반사되고 렌즈(PS)를 통과하여 기판(W)의 타겟부(C)상에 상기 빔을 포커스한다. 제2위치설정수단(PW) 및 위치센서(IF2)(예를 들어, 간섭계 디바이스)의 도움으로, 기판테이블(WT)은, 예를 들어 빔(B)의 경로내에 상이한 타겟부(C)를 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제1위치설정수단(PM) 및 또 다른 위치센서(도 1에는 명확히 도시되어 있지 않음)는, 예를 들어 마스크 라이브러리로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 빔(B)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 대물테이블(MT, WT)의 이동은, 긴 행정 모듈(long stroke module)(개략 위치설정) 및 짧은 행정 모듈(미세 위치설정)의 도움을 받아 실현될 것이며, 이는 위치설정수단(PM, PW)의 일부를 형성한다. 하지만, (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 상기 마스크테이블(MT)은 단지 짧은 행정액츄에이터에만 연결되거나 고정될 수도 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬마크(M1, M2) 및 기판 정렬마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수 있다.
상술된 장치는 다음의 바람직한 모드로 사용될 수 있다.
1. 스텝 모드에서는, 마스크테이블(MT) 및 기판테이블(WT)은 기본적으로 정지상태로 유지되며, 투영빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C)상에 투영된 다{즉, 단일 정적 노광(single static exposure)}. 그런 후, 기판테이블(WT)은 X 및/또는 Y 방향으로 시프트되어 다른 타겟부(C)가 노광될 수 있다. 스텝 모드에서, 노광필드의 최대 크기는 단일 정적 노광시에 묘화되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서는, 마스크테이블(MT)과 기판테이블(WT)은 투영빔에 부여되는 패턴이 타겟부(C)상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다{즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)}. 마스크테이블(MT)에 대한 기판테이블(WT)의 속도 및 방향은 확대(축소) 및 투영시스템(PS)의 이미지 반전 특성에 의하여 판정된다. 스캔 모드에서, 노광필드의 최대크기는 단일 동적노광시 타켓부의 (스캐닝되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 다른 모드에서는, 마스크테이블(MT)은 프로그래밍가능한 패터닝장치를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 투영빔에 부여되는 패턴이 타겟부(C)상에 투영되는 동안, 기판테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채용되며, 프로그래밍가능한 패터닝장치는 기판테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔중에 계속되는 방사선펄스 사이에서 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 상기 언급된 바와 같은 종류의 프로그래밍가능한 거울 어레이와 같은 프로그래밍가능한 패터닝장치를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 상이한 사용 모드들이 채용될 수도 있다.
대안으로서, 투영빔(B)이 반사형 패터닝장치에 의하여 패터닝되는 반사형 디자인이 사용될 수도 있다. "레티클"이라는 용어는, 본 명세서에서 투과형 및 반사형 패터닝을 위한 구조체 둘 모두를 커버링하는데 사용될 것이다.
도 2는 레티클 교환 유닛의 일 실시예들의 요소들의 개략적으로 도시하고 있다. 레티클 교환 유닛은 레티클 이송 유닛(26), 박스 구조체(28)로 나타낸 레티클 준비 챔버, 제어회로(도시 안됨), 및 진공소스(280)와 정화 가스 소스(282)에 대한 연결부를 포함한다. 레티클 교환 유닛은 레티클들의 배치를 위해 3개의 스테이션(20, 22, 24)을 서빙한다(serve). 이송유닛(26)은 스테이션들 사이에서 레티클들을 이송한다. 레티클(MA)의 패터닝된 표면은 도면에서 아랫쪽으로 지향된다. 제1스테이션은 다수-레티클 저장장치(도시 안됨)으로부터 레티클(MA)들을 공급하는 역할을 한다. 제2스테이션(22)은 기판(W) 노광시에 사용하기 위해 레티클(MA)이 지지되는 마스크테이블(MT)에 대응된다. 제3스테이션(24)은 정화를 위한 역할을 한다. 제3스테이션은, 레티클(MT)이 레티클 준비 챔버(28)의 최상부 폐쇄부(top closure)를 형성하게 이루어질 수 있도록, 최상부에서 개방되어 있는 레티클 준비 챔버(28)를 포함한다. 레티클 준비 챔버(28)는 진공소스(280) 및 정화 가스 소스(282)에 커플링된다. 이송유닛(26)은, 예를 들어 레티클을 그리핑(gripping)하기 위한 로봇 아암이 부착되는 회전가능한 디스크를 포함한다.
통상적으로, 레티클 교환 유닛은, 포토리소그래피 장치내에 삽입되고, 포토 리소그래피 장치의 제어 컴퓨터(도시 안됨), 및 진공 소스(280)와 정화 가스 소스(282)와 같은 다양한 지지유닛에 링크될 수 있는 모듈라 유닛(modular unit)으로서 구성된다.
도 3은 레티클-펠리클-프레임의 부분을 보다 상세히(일정한 비율로 나타낸 것은 아님) 나타내고 있다. 최상부에는 레티클(MA)가 도시되어 있으며, 그것의 패터닝된 표면(30)은 하향하고 있다. 이 표면 아래에는, 예를 들어 펠리클 프레임(34)과 함께 펠리클(32)의 에지에서 레티클(MA)에 부착되는, 얇은 포일 또는 얇은 유리 플레이트 형태의 펠리클(32)이 있다. 펠리클 프레임(34)은 다공성이다.
도 4는 레티클 준비 챔버(28)를 보다 상세히 나타내고 있다. 최상부에는 레티클(MA)이 도시되어 있다. 진공소스(도시 안됨) 및 정화 가스 공급부(도시 안됨)에 대한 연결부(42, 44)에는 제어가능한 밸브들(46, 48)이 제공된다. 제어회로(49)는 밸브들(46, 48)을 제어하기 위해 제공된다. 제어회로(49)는, 예를 들어 레티클(MA)의 이송과 같은 여타 기능들을 제어하는데 사용될 수도 있는 적절히 프로그래밍된 컴퓨터(도시 안됨)을 포함한다. 상기 컴퓨터는, 후술되는 바와 같이 밸브들(46, 48)에 커플링되는 출력 연결부들을 가지고, 밸브 46 및 48이 개방 및 폐쇄되도록 프로그래밍된다. 대안적으로, 타이머를 구비한 전용 회로가 사용되어 상술된 시간들에 개방 및 폐쇄를 실현하거나 센서회로가 사용되어 개방 및 폐쇄를 제어할 수도 있다. 제어회로(49)에 커플링된 임의(optional) 센서(41)가 나타나 있다. 레티클 준비 챔버(28)의 내부에는, 펠리클(32)의 표면과 마주하는 가스 유동 차단부(gas flow obstructions)가 제공된다. 이러한 가스 유동 차단부는 가스 유동 저감 구조체 또는 가스 유동 저감기로 지칭되기도 한다. 도 4에서 차단부(40)와 펠리클(32)의 표면간의 거리는 과장되어 있다. 일 실시예에서, 차단부(40)는 펠리클(32)과 차단부(40)간의 가스의 유동이 현저하게 차단되도록 펠리클(32)의 표면과 매우 근접하게 연장된다.
도 4a는 레티클 준비 챔버(28)의 평면도를 나타낸다. 보이는 바와 같이, 차단부(40)는 벽으로부터 레티클 준비 챔버(28)의 벽까지 이어지지(run) 않는다. 실질적으로, 차단부들은 펠리클 프레임(34)의 아웃라인을 따라 이어져, 펠리클 프레임 주위에서는 차단되지 않은 가스의 유동을 허용하는 반면, 펠리클 프레임의 외측과 펠리클(32) 표면 아래의 영역간의 가스의 유동은 차단한다(반드시 완전한 차단이 이루어지는 것은 아니다).
작동에 있어서, 제1레티클(MA)은 마스크테이블(MT)상에서 지지되고 투영빔(B)을 패터닝하는데 사용되며, 추후의 노광 작동시 마스크테이블상의 제1레티클(MA)을 교환하는데 사용될 제2레티클(MA)은 레티클 저장장치(도시 안됨)로부터 제1로딩 스테이션으로 이동된다. 예를 들어, 그리퍼 아암(gripper arm)이 부착된 디스크인 이송유닛(26)은 제1로딩 스테이션(20)으로부터 제2레티클(MA)을 집어올리고(pick up) 레티클 준비 챔버(28)의 에지에 대하여 레티클(MA)을 밀어주는데 사용된다. 도 2에 이러한 상황이 도시되어 있다.
제2레티클(MA)은 레티클 준비 챔버(28)에 대하여 밀리는 한편, 제어회로(49)는 밸브들(46, 48)이 번갈아 개방되도록 하여, 레티클 준비 챔버(28)가 진공소스(280) 및 정화 가스 공급부(282)에 번갈아 커플링되도록 한다. 일 실시예에서, 제 어가능한 밸브(46, 48)를 사용하는 대신에, 레티클 준비 챔버(28)에 연결되는 펌프가 사용될 수도 있으며, 상기 펌프는 압력을 가하거나 제어하기 위해 밸브들을 개방 및 폐쇄하는 대신에 활성화 및 활성억제된다. 밸브들(46, 48)을 번갈아 개방하는결과로서, 차단부(40)를 둘러싼 레티클 준비 챔버(28)의 주위 공간이 번갈아 정화 가스로 충전 및 배기된다. 이 주위 공간이 배기되는 경우, 펠리클(32)의 모든 측면상의 다공성 펠리클 프레임(34)을 통하여 펠리클(32)과 레티클(MA)의 표면(30)간의 펠리클 공간으로부터 가스가 유동한다. 정화 가스가 상기 주위 공간으로 공급되는 경우에는, 펠리클(32)의 모든 측면상의 다공성 펠리클 프레임(34)을 통하여 펠리클(32)과 레티클(MA)의 표면 사이의 펠리클 공간으로 가스가 유동한다. 정화 가스의 배기 및 공급은, 이용가능한 진공 및 정화 가스 공급소스, 및 타겟 오염 레벨들에 따라 여러 차례, 예를 들어, 한번, 두번 또는 3번 반복된다. 그 결과, 원하지 않는 가스들(비-정화 가스들)이 펠리클 공간으로부터 실질적으로 제거된다.
마스크테이블(MT)로부터 레티클(MA)을 교환할 시간이 되면, 이송유닛(26)은 상기 레티클을 레티클 저장장치(도시 안됨)로의 추가 이송을 위해 제1스테이션(20)으로 이동시킨다. 정화 가스의 최종 공급후에, 이송유닛은 레티클 준비 챔버(28)로부터 레티클(MA)을 집어올리고, 상기 레티클을 마스크테이블(MT)로 이동시킨다. 들어오고 나가는 레티클들은 시간절약을 위해 동시에 이송되는 것이 바람직하다.
차단부(40)로 인해, 차단부로 둘러싸여 포함되는 공간내의 가스의 압력은 주위 공간의 압력보다 훨씬 느리게 강하한다. 결과적으로, 펠리클 공간내의 가스와 포함된 공간간의 압력차이로 인해 펠리클(32)의 변형이 저감된다. 펠리클(32)의 작 은 변형들은 허용될 수 있다는 것이 판명되어 왔다. 차단부(40)들은, 레티클(MA)의 측방향으로의 이동이 펠리클(32)로 하여금 차단부와 접촉할 수 있게 하기에는 어느 곳으로도 그다지 멀리 연장되지는 않는다는데 유의해야 한다.
펠리클의 변형에 대한 추가적인 보호책을 제공하는 다양한 방법들이 취해질 수도 있다. 도 4에 예시된 임의 실시예에서는, 임의 센서(41)는, 차단부(40)들로 둘러싸여 포함된 공간내의 압력을 측정하는데 사용되는 압력 센서이다. 제어회로(49)는, 측정된 압력이 펠리클(32)이 허용가능한 양 이상으로 변형될 것으로 예측되는 임계 압력값 아래로 강하된다면, 밸브(46)가 진공 소스에 근접해 나아가도록 구성된다. 통상적으로, 임계 압력값은 펠리클(32)과 레티클(MA) 표면(30) 사이의 펠리클 공간내에서의 예측된 압력 강하에 따라, 시간의 함수로 변한다. 재충전시에 이와 유사한 제어방법이 사용될 수도 있다.
또 다른 실시예에서, 제어회로(49)는, 밸브를 개방시킨후의 사전설정된 시간에 밸브(46)를 진공소스에 근접시킨 다음, 밸브(48)를 정화 가스 공급부에 대해 개방시켜, 펠리클(32)과 차단부(40)간의 가스의 유동에 의해 전개될 수 있는 압력 강하의 크기를 제한하도록 구성된다. 또 다른 실시예에서, 밸브(46)는 진공 소스로의 유동 속도에 영향을 미치도록 조정가능하다. 이 실시예에서, 제어회로(49)는 펠리클(32)의 허용불가능한 변형을 초래하지 않는 사전설정된 배기 속도가 실현되도록 밸브(46)의 조정을 조절한다. 또 다른 실시예에서, 센서(41)는 펠리클 일부의 변위를 감지하여 그것의 변형을 측정하는 변위센서이다. 이 실시예에서, 제어회로(49)는 임계량보다 많은 변위가 검출되는 경우 밸브(46)를 진공소스에 근접시키도록 구 성된다. 제어회로(49)는 운영자로부터 명령이 내려질 때 밸브들을 제어하도록 구성될 수도 있다.
도 5는 레티클 준비 챔버(28)의 또 다른 실시예를 나타낸다. 이 실시예에서, 차단부(40)들은 생략되었고, 레티클 준비 챔버(28)에는, 실제 레티클(MA)의 펠리클(32)과 동일한 수평방향 크기 및 형상의 더미 펠리클(50)이 제공되는 더미 레티클(52)을 장착시키기 위한 장착 위치가 제공된다. 더미 레티클(52) 위에 더미 펠리클(50)이 배치되는 수직방향 높이는 레티클(MA) 위의 펠리클(32)의 것과 동일할 필요는 없다. 작동시, 이송유닛(26)이 레티클 준비 챔버(28)의 최상부에 레티클(MA)을 배치시키기 이전에, 레티클(MA)의 수평방향 크기 및 형상의 더미 펠리클을 갖는 더미 레티클이 선택된다. 이송유닛(26)(또는 또 다른 이송장치)은 레티클 준비 챔버(28)에서 선택된 더미 레티클(52)을 배치시키고, 그것의 더미 펠리클(50)은 윗쪽을 향한다. 다음으로, 이송유닛(26)은 펠리클(32) 및 더미 펠리클(50)의 위치가 실질적으로 일치하도록 위치되는 레티클 준비 챔버(28)의 최상부에 레티클(MA)을 배치시킨다. 후속하여, 레티클 준비 챔버(28)의 주위 공간은 여러 차례 번갈아 정화가스로 충전 및 배기된다. 끝으로, 레티클(MA)은 노광시 사용하기 위해 마스크테이블(MT)로 이동된다.
이 실시예에서, 더미 펠리클 프레임(51)의 높이는 펠리클 프레임(34)과 더미 펠리클 프레임(51) 사이에 좁은 공간만을 남기도록 선택된다. 이는, 레티클 준비 챔버(28)의 배기 및/또는 재충전으로 인한 펠리클(32)의 심각한 변형을 방지한다.
본 발명의 특정 실시예들에 대해 상술하였으나, 본 발명은 설명된 것과는 달 리 실행될 수도 있다는 것을 이해해야 한다. 상술한 설명은 본 발명을 제한하려는 것이 아니다. 예를 들어, 박스 구조체의 리드(lid)로서 레티클(MA)을 사용하는 대신, 별도의 리드가 제공될 수도 있음, 상기 레티클(MA)은 리드가 폐쇄되기 이전에 박스내에 배치된다. 나아가, 챔버에 대한 진공 소스 및 정화 가스 공급부의 단일 연결부가 나타나 있으나, 실제에 있어서는 다수의 연결부들이 사용될 수도 있다는 것을 이해해야 한다. 또한, 단일 챔버가 나타나 있으나, 실제로는, 레티클-펠리클 조립체의 펠리클 프레임(34)과 가스-접촉하는 다수의 서브-챔버들을 포함하는 챔버가 사요오딜 수도 있으며, 각각의 챔버는 다른 챔버들이 배기되는 시간에 배기되고 다른 챔버들이 정화 가스로 충전되는 시간에는 정화 가스로 충전된다. 나아가, 다공성 펠리클 프레임 모두는 배기 압력 및 정화 가스 압력에 노출되는 것이 바람직하지만, 본 발명의 범위를 벗어나지 않는다면 펠리클 프레임의 일부분이 변화하는 가스 압력으로부터 차단되어 가스가 이들 일부분을 통해 어느 한 방향으로 유동하지 않도록 할 수도 있다는 것을 이해해야 한다. 이는, 펠리클 공간내로 그리고 상기 펠리클 공간 밖으로의 전체 유속을 저감시킬 수도 있으나, 작동의 원리에는 영향을 미치지 않는다. 다공성 펠리클 프레임 대신, 작은 홀들을 갖는 펠리클 프레임이 사요오딜 수도 있다. 이는 작동의 원리를 변화시키지 않는다.
또한, 본 발명은 레티클(MA)의 펠리클 공간이 레티클 저장부로부터 지지테이블(MT)로 가는 과정에 정화되는 경우에 대하여 기술하였으나, 본 발명의 범위를 벗어나지 않는다면, 레티클이 정화를 위해 지지테이블로부터 이동되었다가 레티클이 장시간 동안 사용되는 경우 지지테이블로 다시 이동될 수도 있다는 것을 이해해야 한다. 나아가, 선행 레티클이 패터닝된 빔을 투영하는데 사용되고 있는 동안 레티클이 정화되는 것이 바람직하나, 또 다른 실시예에서는 레티클이, 선행 레티클이 제거된 후 또는 보다 이른 시간에 정화될 수도 있다는 것을 이해해야 하며, 상기 정화된 레티클은 레티클 준비 챔버(28)에서 처리한 후 및 사용하기 이전에, 정화된 저장공간으로 이동된다. 또한, 실시예들에 있어, 레티클(MA)은 레티클 준비 챔버(28)에 대해 가압되도록 이동되지만, 대안적으로는 레티클 준비 챔버(28)가 레티클(MA)에 대하여 가압되거나, 또는 낮은 정화 가스 압력이 사용된다면, 레티클(MA)이 압력 없이 레티클 준비 챔버(28)상에 놓일 수도 있다.
또한, 본 발명은 펠리클-레티클 조립체의 한가지 타입에 대하여 상술하였으나, 본 발명은 2개의 측면상에 펠리클들을 구비한 레티클 또는 레티클상의 패턴으로부터 먼 측면에 걸쳐 펠리클을 구비한 레티클과 같은 다른 타입의 조립체, 및 레티클상의 패턴을 갖는 측면에 걸쳐 펠리클을 구비한 조립체에 적용될 수도 있다는 것을 이해해야 한다.
정화 가스로는 질소가 사용되는 것이 바람직하다. 일 실시예에서는, 2가지 정화 가스가 사용되며, 그 중 하나는 다른 하나보다 가볍다(예를 들어, 헬륨과 질소 또는 아르곤과 질소). 이 실시예에서, 보다 무거운 정화 가스는 먼저 박스 구조체로 공급되고, 후속해서 보다 가벼운 가스로 천천히 교체된다. 보다 가벼운 가스는 최상부로부터 저부까지 박스 구조체를 충전시켜, 보다 무거운 가스가 배기되도록 한다. 결과적으로, 펠리클 공간내의 보다 무거운 가스가 보다 가벼운 가스로 교체되는 유동이 발생될 것이다. 이 단계에 이어, 보다 무거운 가스의 재도입이 이어 져, 이 번에는 그 앞으로 보다 가벼운 가스를 몰아낸다. 이러한 방식으로, 펠리클에 근접하여 지향되는 유동을 위한 유입부 및 유출부를 제공할 필요 없이, 가스 압력의 적용에 의해 정화 작용이 실현될 수도 있다. 이 기술이 배기과정을 갖거나 배기 없이 적용될 수 있다는 것을 이해해야 한다. 배기와 조합되는 경우에는, 연속적인 진공의 적용들 사이에 몇가지 가스들이 공급된다.
본 발명에 따르면, 진공 소스 또는 가스공급부의 위치설정으로 인하여 저감된 손상의 위험을 갖는, 펠리클 공간내에 청정한 불활성 가스를 제공하는 방법 및 장치, 흡수된 오염물들이 펠리클 공간을 통해 보다 적은 양이 통과하도록 펠리클 공간내에 청정 불활성 가스를 제공하는 방법 및 장치 ,펠리클 공간으로 입자들이 보내지는 위험을 저감시키는 방법 및 장치, 정화에 의해 야기되는 힘들로 인해 국부적인 레티클 변형의 위험을 저감시키는 방법 및 장치를 얻을 수 있다.
Claims (20)
- 리소그래피 장치에 있어서,방사선 빔을 콘디셔닝하는 조명시스템;방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는 역할을 하는 레티클을 지지하며, 상기 레티클의 표면이 가스 삼투 펠리클 프레임에 의해 상기 레티클에 부착되는 펠리클에 의하여 보호되는 지지부; 및레티클 교환 유닛을 포함하여 이루어지고, 상기 레티클 교환 유닛은,레티클 준비 챔버;상기 레티클을 상기 지지부로 이동시키기 이전에 상기 펠리클 프레임의 복수의 노광된 가스 삼투 부분들이 상기 레티클 준비 챔버의 내부와 마주하도록 구성되는 레티클 이송유닛; 및상기 펠리클 프레임의 노광된 가스 삼투 부분들이 상기 레티클 준비 챔버의 내부와 마주하고 있을 때, 정화 가스 압력과, 상기 정화 가스 압력보다 낮은 배기 압력을 상기 레티클 준비 챔버로 번갈아 제공하여, 가스가 상기 펠리클 프레임을 통하여 상기 펠리클과 상기 레티클 사이의 펠리클 공간으로 번갈아 드나들도록 구성된 정화 가스 압력 및 배기 압력 공급장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제1항에 있어서,상기 레티클 준비 챔버는 상기 레티클로부터 먼 쪽을 향하는 펠리클의 노광 된 표면과 인접한 레티클 준비 챔버내의 공간으로의 및 상기 공간으로부터의 가스의 유동을 차단하도록 구성된 유동 저감기를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제2항에 있어서,선택된 레티클에 대한 상기 유동 저감기로서의 역할을 하도록, 적어도 상기 펠리클의 노광된 표면과 평행한 방향으로, 상기 레티클의 펠리클의 크기 및 형상과 매칭되는 교환가능한 더미 펠리클을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제2항에 있어서,상기 유동 저감기는 상기 레티클의 표면과 실질적으로 수직한 상기 레티클 준비 챔버의 벽으로부터 연장되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제1항에 있어서,상기 배기 압력의 적용시 상기 레티클 준비 챔버내의 압력과 펠리클 변형 중 적어도 어느 하나를 측정하는 센서, 및 상기 측정된 펠리클 변형과 압력 중 적어도 어느 하나를 기초로 하여 상기 레티클 준비 챔버의 배기를 제어하도록 구성된 제어회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제1항에 있어서,상기 정화 가스 압력 및 배기 압력 공급장치는, 상기 레티클 준비 챔버의 배기 지속시간과 속도 중 적어도 어느 하나를, 사전설정된 지속시간과 속도 중 적어도 어느 하나의 아래로 조절하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제1항에 있어서,선행 레티클이 상기 지지부상에 놓여 있는 동안, 상기 레티클 교환 유닛은 상기 레티클을 상기 레티클 준비 챔버로 이동시키도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 디바이스 제조방법에 있어서,방사선 빔을 콘디셔닝하는 단계;상기 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는 위치로 레티클을 이동시키되, 상기 레티클은 가스 삼투 펠리클 프레임에 의해 상기 레티클에 부착되는 펠리클에 의하여 보호되는 표면을 가지는 단계;상기 패터닝된 방사선 빔을 기판의 타겟부상으로 투영하는 단계;상기 레티클이 상기 방사선 빔에 패턴을 부여하는 위치로 이동되기 이전에 상기 펠리클 프레임의 복수의 노광된 가스 삼투 부분들이 레티클 준비 챔버와 마주하도록 상기 레티클 준비 챔버에 대해 상기 레티클을 배치시키는 단계; 및가스가 상기 펠리클 프레임을 통해 상기 펠리클과 상기 레티클 사이의 팰리클 공간으로 번갈아 드나들도록, 상기 펠리클 프레임의 노광된 가스 삼투 부분들이 상기 레티클 준비 챔버의 내부와 마주하고 있을 때, 정화 가스 압력과 상기 정화 가스 압력보다 낮은 배기 압력을 상기 레티클 준비 챔버로 번갈아 적용시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
- 제8항에 있어서,상기 펠리클과 상기 레티클 사이의 펠리클 공간에 대향되는 측면상에서 상기 펠리클에 인접한 공간으로의 및 상기 공간으로부터의 가스 유동을 지체시키도록 작동하는, 상기 레티클 준비 챔버의 유동 저감기를 제공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
- 제9항에 있어서,연속하는 레티클의 정화 사이에, 상기 유동 저감기를, 정화될 다음 레티클을 토대로 하는 복수의 유동 저감기들로부터 선택된 또 다른 유동 저감기로 교체하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
- 제8항에 있어서,상기 레티클 준비 챔버의 배기시 상기 레티클 준비 챔버내의 압력과 펠리클 변형 중 적어도 어느 하나를 측정하고, 상기 측정된 압력과 펠리클 변형 중 적어도 어느 하나를 토대로 하여 상기 배기를 제어하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
- 제8항에 있어서,상기 레티클 준비 챔버의 배기의 지속시간과 속도 중 적어도 어느 하나를, 사전설정된 지속시간과 속도 중 적어도 어느 하나의 아래로 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
- 제8항에 있어서,상기 레티클이 레티클 준비 챔버내로 배치되거나 상기 레티클 준비 챔버와 맞대어지는 동안 선행 레티클을 사용하여 상기 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
- 리소그래피 장치의 레티클을 이동시키기 위한 레티클 교환 유닛에 있어서,상기 레티클의 표면은 가스 삼투 펠리클 프레임에 의해 상기 레티클에 부착되는 펠리클에 의하여 보호되고, 상기 레티클 교환 유닛은,레티클 준비 챔버;상기 펠리클 프레임의 복수의 노광된 가스 삼투 부분들이 상기 레티클 준비 챔버의 내부와 마주하게 하도록 구성되는 레티클 이송유닛; 및상기 레티클 준비 챔버와 커플링되고, 상기 펠리클 프레임의 노광된 가스 삼투 부분들이 상기 레티클 준비 챔버의 내부와 마주하고 있을 때, 정화 가스 압력과, 상기 정화 가스 압력보다 낮은 배기 압력을 상기 레티클 준비 챔버로 번갈아 제공하여, 가스가 상기 펠리클 프레임을 통하여 상기 펠리클과 상기 레티클 사이의 펠리클 공간으로 번갈아 드나들도록 구성된 정화 가스 압력 및 배기 압력 공급장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 레티클 교환 유닛.
- 제14항에 있어서,상기 레티클 준비 챔버는, 상기 레티클로부터 먼 쪽을 향하는 상기 펠리클의 노광된 표면에 인접한 상기 레티클 준비 챔버의 공간으로의 및 상기 공간으로부터의 가스 유동을 차단하도록 구성되는 유동 저감기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레티클 교환 유닛.
- 제15항에 있어서,선택된 레티클에 대한 상기 유동 저감기로서의 역할을 하도록, 적어도 상기 펠리클의 노광된 표면과 평행한 방향으로, 상기 레티클의 펠리클의 크기 및 형상과 매칭되는 교환가능한 더미 펠리클을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레티클 교환 유닛.
- 제15항에 있어서,상기 유동 저감기는 상기 레티클의 표면과 실질적으로 수직한 상기 레티클 준비 챔버의 벽으로부터 연장되는 것을 특징으로 하는 레티클 교환 유닛.
- 제14항에 있어서,상기 배기 압력의 적용시 상기 레티클 준비 챔버내의 압력과 펠리클 변형 중 적어도 어느 하나를 측정하는 센서, 및 상기 측정된 펠리클 변형과 압력 중 적어도 어느 하나를 기초로 하여 상기 레티클 준비 챔버의 배기를 제어하도록 구성된 제어회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레티클 교환 유닛.
- 제14항에 있어서,상기 정화 가스 압력 및 배기 압력 공급장치는, 상기 레티클 준비 챔버의 배기 지속시간과 속도 중 적어도 어느 하나를, 사전설정된 지속시간과 속도 중 적어도 어느 하나의 아래로 조절하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 레티클 교환 유닛.
- 제14항에 있어서,선행 레티클이 상기 지지부상에 놓여 있는 동안, 상기 레티클 교환 유닛은 상기 레티클을 상기 레티클 준비 챔버로 이동시키도록 것을 특징으로 하는 레티클 교환 유닛.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11/005,220 US7230673B2 (en) | 2004-12-07 | 2004-12-07 | Lithographic apparatus, reticle exchange unit and device manufacturing method |
| US11/005,220 | 2004-12-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20060063754A KR20060063754A (ko) | 2006-06-12 |
| KR100730056B1 true KR100730056B1 (ko) | 2007-06-20 |
Family
ID=36000961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020050118337A Expired - Fee Related KR100730056B1 (ko) | 2004-12-07 | 2005-12-06 | 리소그래피 장치, 레티클 교환 유닛 및 디바이스 제조방법 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7230673B2 (ko) |
| EP (1) | EP1669806B1 (ko) |
| JP (2) | JP4514697B2 (ko) |
| KR (1) | KR100730056B1 (ko) |
| CN (1) | CN100570490C (ko) |
| DE (1) | DE602005013175D1 (ko) |
| SG (2) | SG123682A1 (ko) |
| TW (1) | TWI314252B (ko) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7723704B2 (en) * | 2006-11-10 | 2010-05-25 | Globalfoundries Inc. | EUV pellicle with increased EUV light transmittance |
| NL2008345A (en) | 2011-03-28 | 2012-10-01 | Asml Holding Nv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
| KR20250010151A (ko) * | 2015-02-03 | 2025-01-20 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 마스크 어셈블리 및 연관된 방법 |
| US10036951B2 (en) * | 2015-05-29 | 2018-07-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pellicle assembly and fabrication methods thereof |
| US9759997B2 (en) * | 2015-12-17 | 2017-09-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pellicle assembly and method for advanced lithography |
| CN109478025B (zh) * | 2016-07-21 | 2020-12-25 | Asml荷兰有限公司 | 光刻方法 |
| CN111801619B (zh) * | 2018-01-11 | 2023-09-29 | Asml荷兰有限公司 | 光刻方法和设备 |
| US10871722B2 (en) * | 2018-07-16 | 2020-12-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Photomask purging system and method |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0712907A (ja) * | 1993-06-29 | 1995-01-17 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 光磁界センサ |
| JP2004060804A (ja) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Hitachi Unisia Automotive Ltd | 車両用自動変速機のレンジ切換え装置 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4760429A (en) | 1986-11-05 | 1988-07-26 | The Perkin-Elmer Corporation | High speed reticle change system |
| JP2001230202A (ja) * | 1999-12-09 | 2001-08-24 | Nikon Corp | ガス置換方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイスの製造方法 |
| US6791661B2 (en) * | 1999-12-09 | 2004-09-14 | Nikon Corporation | Gas replacement method and apparatus, and exposure method and apparatus |
| US6507390B1 (en) | 2000-02-10 | 2003-01-14 | Asml Us, Inc. | Method and apparatus for a reticle with purged pellicle-to-reticle gap |
| JP2001267200A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-09-28 | Nikon Corp | ガス置換方法及び装置、並びに露光方法及び装置 |
| US6614504B2 (en) * | 2000-03-30 | 2003-09-02 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| JP2001345264A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-12-14 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法並びにデバイスの製造方法 |
| JPWO2003034475A1 (ja) * | 2001-10-10 | 2005-02-03 | 株式会社ニコン | ガス置換方法及び装置、マスク保護装置、マスク、露光方法及び装置 |
| JP3958049B2 (ja) | 2002-01-15 | 2007-08-15 | キヤノン株式会社 | ペルクル付きレチクル、デバイス製造関連装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP4006235B2 (ja) * | 2002-02-05 | 2007-11-14 | キヤノン株式会社 | 不活性ガス置換方法及び装置、レチクル保管庫、レチクル検査装置、レチクル搬送ボックス、デバイスの製造方法 |
| JP4172192B2 (ja) | 2002-03-26 | 2008-10-29 | 凸版印刷株式会社 | ペリクル構造体 |
| EP1434094A1 (en) | 2002-12-27 | 2004-06-30 | ASML Netherlands B.V. | Container for a mask |
-
2004
- 2004-12-07 US US11/005,220 patent/US7230673B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-11-24 TW TW094141297A patent/TWI314252B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-12-02 SG SG200507763A patent/SG123682A1/en unknown
- 2005-12-02 SG SG200804335-8A patent/SG144144A1/en unknown
- 2005-12-06 KR KR1020050118337A patent/KR100730056B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-06 JP JP2005351426A patent/JP4514697B2/ja active Active
- 2005-12-06 CN CNB2005101295491A patent/CN100570490C/zh active Active
- 2005-12-07 EP EP05077821A patent/EP1669806B1/en not_active Not-in-force
- 2005-12-07 DE DE602005013175T patent/DE602005013175D1/de active Active
-
2009
- 2009-05-01 JP JP2009111895A patent/JP4881407B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0712907A (ja) * | 1993-06-29 | 1995-01-17 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 光磁界センサ |
| JP2004060804A (ja) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Hitachi Unisia Automotive Ltd | 車両用自動変速機のレンジ切換え装置 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 한국공개특허 2004-60804호 |
| 한국특허공보 1995-12907호 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20060063754A (ko) | 2006-06-12 |
| JP4881407B2 (ja) | 2012-02-22 |
| JP2006165561A (ja) | 2006-06-22 |
| SG123682A1 (en) | 2006-07-26 |
| US7230673B2 (en) | 2007-06-12 |
| SG144144A1 (en) | 2008-07-29 |
| JP2009182339A (ja) | 2009-08-13 |
| EP1669806B1 (en) | 2009-03-11 |
| TW200632573A (en) | 2006-09-16 |
| EP1669806A2 (en) | 2006-06-14 |
| TWI314252B (en) | 2009-09-01 |
| JP4514697B2 (ja) | 2010-07-28 |
| DE602005013175D1 (de) | 2009-04-23 |
| CN100570490C (zh) | 2009-12-16 |
| US20060119808A1 (en) | 2006-06-08 |
| CN1786826A (zh) | 2006-06-14 |
| EP1669806A3 (en) | 2007-10-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6630419B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
| US7057702B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
| US8235212B2 (en) | Mask transport system configured to transport a mask into and out of a lithographic apparatus | |
| TWI400578B (zh) | 微影裝置及元件製造方法 | |
| CN1612051B (zh) | 光刻装置和器件制造方法 | |
| US7978306B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
| JP4881407B2 (ja) | リソグラフィ装置、レチクル交換ユニットおよびデバイス製造方法 | |
| JP5529914B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
| KR100748446B1 (ko) | 가스 플러싱 시스템을 포함하는 리소그래피장치 | |
| US7126664B2 (en) | Lithographic apparatus and a device manufacturing method | |
| KR101005039B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
| JP4833953B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
| EP1434094A1 (en) | Container for a mask | |
| EP1528432B1 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20051206 |
|
| PA0201 | Request for examination | ||
| PG1501 | Laying open of application | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20061030 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20070330 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20070613 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20070614 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
| G170 | Re-publication after modification of scope of protection [patent] | ||
| PG1701 | Publication of correction | ||
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20100609 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20110609 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20120601 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130607 Year of fee payment: 7 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20130607 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140610 Year of fee payment: 8 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20140610 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150605 Year of fee payment: 9 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20150605 Start annual number: 9 End annual number: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160603 Year of fee payment: 10 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20160603 Start annual number: 10 End annual number: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170602 Year of fee payment: 11 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20170602 Start annual number: 11 End annual number: 11 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20210601 Start annual number: 15 End annual number: 15 |
|
| PC1903 | Unpaid annual fee |
Termination category: Default of registration fee Termination date: 20250324 |