KR100724696B1 - 첨단산업 제조설비에서 개선된 세정능력을 갖는 스팀 분사형 습식세정 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 세정시간과 세정비용을 줄이면서도 세정능력을 높일 수 있는 개선된 습식세정 장치를 개시한다. 본 발명에 따른 습식세정 장치는, 세정 목적물이 로딩되는 챔버와; 상기 챔버 내에 설치되며, 상기 세정 목적물의 세정대상 부위에 물을 분사하여 세정을 수행하는 물 분사부와; 상기 챔버 내에 상기 물 분사부의 근방에 설치되며, 상기 세정 목적물에 물이 분사되기 이전에 상기 세정 목적물의 세정 대상 부위에 설정된 압력을 갖는 스팀을 분사하여 초기적 세정을 행하는 스팀 분사부를 구비한다. 본 발명의 습식세정 장치에 따르면, 세정에 소요되는 시간과 비용이 줄어들고, 각종 파티클 및 세균의 제거가 용이함은 물론 친 환경적 세정이 이루어지는 효과가 있다.

디스플레이 패널 세정, 웨이퍼 세정, 스팀 분사, 초순수, 세정 능력

Description

첨단산업 제조설비에서 개선된 세정능력을 갖는 스팀 분사형 습식세정 장치{Wet cleaning apparatus with steam dispensing type}

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 스팀 분사형 습식세정 장치의 블록도

도 2는 도 1중 세정 챔버에서 수행되는 세정과정을 구체적으로 보여주는 측 단면도

도 3는 도 2에 대한 세정방향의 직각 방향을 보여주는 정면 단면도

도 4는 도 2중 노즐 조정부의 조정을 보여주는 확대 단면도

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 세정작업의 순서를 보여주는 플로우 챠트

본 발명은 첨단산업 제조설비로 사용되어지는 세정장치에 관한 것으로, 특히 개선된 세정능력을 갖는 스팀 분사형 습식세정 장치 및 그에 따른 습식세정 방법에 관한 것이다.

일반적으로, 첨단산업 제조분야에 속하는 액정이나 플라즈마 디스플레이 소자를 제조하는데 이용되는 평판 디스플레이(FPD) 글래스나 반도체 집적회로 소자를 대량으로 제조하기 위한 반도체 웨이퍼는 미세한 파티클에도 공정 불량을 야기할 수 있기 때문에 클린 룸에서 관리되고, 여러 제조공정을 거치는 동안에 세정작업을 필수적으로 거치게 된다.

습식(Wet)공정으로 가능한 제조 공정들을 나열하여 보면, 웨이퍼 또는 글래스 클리닝 프로세스,

에칭 프로세스(Wet Etching Process):(Metal, Dielectric, Silicon, etc), 및 포토레지스트 제거 프로세스(PR removing Process); (Polymer Removing)를 들 수 있다.

첨단산업의 각종 제조공정에서 발생되는 각종 파티클(Particle)이나 유해 물질들은 제품의 생산 수율(Yield)에 많은 영향을 미치므로, 클리닝 프로세스 즉 세정 작업은 매우 중요한 작업공정 중의 하나이다. 특히, 반도체 및 FPD의 공정 중 초순수 클린, 에칭 후 린스(Rinse), 스트립(Strip)후 린스, 데포지션 공정 전후의 세정 공정에서, 유기물의 관리 및 세정력 확보는 반드시 요구되어지는 사항이다.

통상적으로, 디바이스(Device)의 성능에 영향을 미칠 수 있는 파티클의 사이즈는 회로패턴(Pattern)사이즈의 1/10 이상인 경우이므로, 그러한 사이즈의 파티클이 세정 작업에서 주 관리 대상이 된다.

본 분야에 알려진 바로서, 파티클의 발생 소스(Source)는 생산 장치 및 작업자를 포함한 주변 환경 전체가 되며, 글래스나 웨이퍼 외의 모든 부분이 파티클 발생의 원천이라 볼 수 있다. 파티클 발생원에 대한 적절한 전후 관리가 중요한 이슈이지만, 이에 못지않게 세정작업을 통한 파티클의 제거 또한 제조 메이커의 중요한 해결 과제이다.

기본적인 CMOS 공정의 경우 이러한

프로세스가 수십 번에서 수백 번까지 들어가는 경우가 있다. 그러므로 이러한

프로세스에서의 청정도 유지 및 최적화된 케미컬 사용이 없다면 그 공정에서의 수율은 크게 떨어질 수 밖에 없다.

또한, 습식 에치공정 또는 스트립 후 DI 린스를 하고 다시 린스 2, 린스 3순으로 점차 순도가 높은 초순수로 치환을 하여 공정을 완료한다. 이때 치환이 완벽하게 이루어 지지 않고 린스 2, 린스 3으로 케미컬이 유입되어 유량저하 및 탱크 오염이 유발되면 품질저하가 발생될 수도 있다.

더구나, 스트립 및 모든 케미컬(Develop)처리 후 린스 공정에서 공통적인 문제를 초래하는 경우가 있다. 현재의 모든 공정은 상온에서 치환이 됨으로 인해 세정력 강화가 더욱 요구되는 상황이다. 즉, 프로세스가 진행된 글래스 또는 웨이퍼는 상온보다 높은 온도이고 초순수 및 린스의 온도는 상온이므로 결정의 결합상태가 불안정하다. 따라서, 치환 시 얼룩 및 이물질의 발생이 되므로 그 발생된 얼룩이나 이물질의 제거를 위한 세정작업이 필요해진다.

종래에는 상온 고압 순수 샤워나 Bobble Jet, AA Jet Hipper Mix등 여러 가지 이류체를 사용하는 세정 툴이 알려져 있지만 기대이상의 높은 세정력 확보가 어려웠고 각종 케미컬을 세정 시에 필수적으로 사용하기 때문에 환경 친화적이지 못하였다.

또한, EPD 분야에서 글래스 유기물 세정의 경우에는 자외선 램프를 이용한 방식도 이용되어 왔는데, 자외선 램프의 주기적 교체가 필요하고 인체에 영향을 줄 수 있으며 램프 파손의 경우에 세정 대상물에 손상을 주거나 오염을 주게 되는 문 제점이 있어왔다.

상기한 바와 같이 종래에는 세정에 소요되는 시간과 비용이 많이 들고, 각종 파티클 및 세균의 제거가 용이하지 못함은 물론 친 환경적 세정이 이루어지지 못하였다.

따라서, 친수성 및 이물질 제거능력을 보다 상승되도록 하기 위해서는 개선된 세정 툴이 본 분야에서 절실히 요망된다.

따라서, 본 발명의 목적은 상기한 종래기술의 문제점을 해결할 수 있는 습식세정 장치를 제공함에 있다.

본 발명의 다른 목적은 세정에 소요되는 시간과 비용을 줄일 수 있는 습식세정 장치를 제공함에 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 각종 파티클 및 세균의 제거를 용이하게 함은 물론 친환경적 세정을 행할 수 있는 스팀 분사형 습식세정 장치를 제공함에 있다.

상기의 목적들을 달성하기 위하여 본 발명의 실시예적 구체화에 따라 습식세정 장치는, 세정 목적물이 로딩되는 챔버와; 상기 챔버 내에 설치되며, 상기 세정 목적물의 세정대상 부위에 물을 분사하여 세정을 수행하는 물 분사부와; 상기 챔버 내에 상기 물 분사부의 근방에 설치되며, 상기 세정 목적물에 물이 분사되기 이전에 상기 세정 목적물의 세정대상 부위에 설정된 압력을 갖는 스팀을 분사하여 초기적 세정을 행하는 스팀 분사부를 구비한다.

바람직하기로, 상기 스팀 분사부는 상기 세정 목적물이 로딩되는 방향과 동일한 방향에서 서로 일정거리 이격 설치되어 스팀을 분사하는 제1 및 제2 스팀 분사노즐을 포함할 수 있다. 또한, 상기 챔버에 설치되어 상기 세정 목적물을 상기 로딩 방향으로 이송하기 위한 이송부가 상기 습식세정 장치에 더 구비될 수 있다.

상기 습식세정 장치에서 상기 세정 목적물은 디스플레이 패널을 형성하는 글래스 또는 반도체 집적회로를 형성하는 웨이퍼가 될 수 있다.

바람직하기로, 상기 물 분사부에서 분사되는 물은 약 70도씨 이상의 온도를 갖는 초순수 일 수 있다. 또한, 상기 물 분사부의 후방에는 상기 세정 목적물의 표면 물기나 이물질을 제거하기 위한 에어 나이프가 더 구비될 수 있다. 상기 제1 및 제2 스팀 분사노즐은 스팀 제너레이터의 출력 라인과 각기 독립적으로 연결되어 있으며 약 15kg/㎠ 내지 40kg/㎠ 의 분출압력을 가질 수 있다. 상기 챔버의 하부에는 상기 물의 회수를 위해 물 공급부와 연결되는 드레인 부가 더 설치될 수 있으며, 상기 물 공급부의 펌핑 출력단에는 오염원 필터링을 위한 필터가 더 구비될 수 있다.

본 발명의 다른 실시예적 양상에 따라, 세정을 위한 챔버 내로 로딩되는 세정 목적물을 습식세정하기 위한 방법은, 상기 세정 목적물을 수평적으로 이송하는 단계와; 상기 이송되는 세정 목적물의 세정대상 부위에 설정된 분출 압력을 갖는 스팀을 분사하는 단계와; 상기 세정 목적물의 세정대상 부위에 상온 이상의 온도를 갖는 물을 설정된 압력으로 분사하는 단계와; 상기 물 분사된 세정대상 부위를 닦아내는 단계를 구비한다.

여기서, 상기 스팀을 분사하는 단계는 제1 스팀 분사노즐을 통해 1차적 분사를 행하는 단계와 상기 제1 스팀 분사노즐에서 소정거리 이격된 제2 스팀 분사노즐을 통해 2차적 분사를 행하는 단계를 포함할 수 있다.

상기한 본 발명의 장치적 방법적 구성에 따르면, 초기적 세정과정에서 고압의 스팀분사를 이용하기 때문에, 세정에 소요되는 전체 시간과 비용이 대폭 줄어드는 효과가 있다. 또한, 각종 파티클 및 세균의 제거가 용이함은 물론, 유해한 케미컬을 사용하지 않으므로 친 환경적 세정이 이루어지는 장점도 있다.

이하 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 실시예에서의 설명들은 본 발명이 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가지는 자에게 된 발명의 보다 철저한 이해를 돕기 위한 의도 이외에는 다른 의도없이 예를 들어 도시되고 한정된 것에 불과하므로, 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 사용되어서는 아니 될 것이다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 스팀 분사형 습식세정 장치의 블록도이다. 도면을 참조하면, 습식세정 장치는 글래스 또는 웨이퍼 등과 같은 세정 목적물이 로딩되는 챔버(100)를 구비한다. 세정 배쓰를 구성하는 상기 챔버(100)는 스테인레스 강 (SUS) 또는 피브이씨(PVC)계열의 재질로 되어 있다. 상기 챔버(100)의 내부에는 스팀을 분사하기 위한 스팀 분사부(10)와, 세정 목적물의 세정대상 부위에 물을 분사하기 위한 물 분사부(20)가 설치된다.

상기 물 분사부(20)에서 분사되는 물은 약 90도씨 이상의 온도를 갖는 초순 수(DIW)이다. 상기 물 분사부(20)는 고온 고압의 스팀에 의해 세정 목적물(2)의 표면에서 해리된 파티클, 유기물, 또는 이물질을 초순수 고압 샤워를 통하여 클리닝하는 역할을 하며, 세정 목적물의 특성 및 프로세스에 따라 샤워 노즐의 개수나 압력은 임의로 가감 또는 변경될 수 있다. 여기서, DI 워터(Deionized water)는 18 M 옴의 초 순수이다.

본 발명의 실시 예에서의 중요 구성으로서 기능하는 상기 스팀 분사부(10)는 상기 챔버(100) 내에 상기 물 분사부(20)의 근방에 설치되며, 상기 세정 목적물(2)에 물이 분사되기 이전에 상기 세정 목적물의 세정대상 부위에 설정된 압력을 갖는 스팀을 분사하여 초기적 세정을 행하는 역할을 한다. 상기 스팀 분사부는 상기 세정 목적물이 로딩되는 방향과 동일한 방향에서 서로 일정거리 이격 설치되어 스팀을 분사하는 제1 및 제2 스팀 분사노즐(10,10a)을 포함한다. 제1 및 제2 스팀 분사노즐(10,10a)은 스팀 발생기(40)의 출력 라인(L1,L2)과 각기 독립적으로 연결되어 있으며 약 15kg/㎠ 내지 40kg/㎠ 의 분출압력을 가진다. 상기 스팀 분사노즐의 개수는 상기 세정 목적물(2)의 사이즈, 특성, 및 공정 종류에 따라 가감될 수 있으며, 노즐의 분사 압력과 분사 높이 및 개구 사이즈는 사용자가 용도에 맞게 직접 또는 프로그램적으로 조절할 수 있도록 되어 있다.

복수의 컨베이어 롤러로 구성된 이송부(4)는 상기 챔버(100)에 설치되어 상기 세정 목적물(2)을 상기 로딩 방향으로 이송하는 역할을 한다.

또한, 상기 물 분사부(20)의 후방에는 상기 세정 목적물(2)에 묻어 있는 표면 물기나 이물질을 제거하기 위한 에어 나이프(30)가 더 구비된다. 상기 에어 나 이프(30)는 세정 목적물(2)의 표면 온도를 하강시키는 역할과 세정되어 나가는 세정 목적물에 불순물이 유입되지 않도록 하는 커튼(Curtain)역할을 한다. 에어 공급 라인(L4)을 통해 제공되는 에어압력은 약 70kg/㎠ 정도이다.

상기 챔버(100)의 하부에는 상기 세정 목적물(2)에 분사되어진 물의 회수를 위해 물 공급부(65)와 연결되는 드레인 부(80)가 더 설치된다.

물 공급부(65)는 핫 초순수를 저장하는 제1 및 제2 탱크(50,51)와, 상기 탱크에 저장된 초순수를 고압으로 펌핑하기 위한 마그네틱 타입의 펌프(60)로 구성된다. 탱크의 운영방식은 무정지 모드 또는 국부 체인지 모드로 운영되며 두개의 탱크 중 하나의 탱크는 히팅 및 대기 탱크로서 기능한다.

상기 물 공급부(65)의 펌핑 출력단에는 회수된 물에 포한된 오염원을 필터링하기 위한 필터(71,70)가 더 구비될 수 있다. 1차 필터(71)와 2차 필터(70)로 구성된 필터 유닛은 해리된 이물질이 탱크 내부로 순환할 경우에 물분사 노즐의 유량저하를 일으킬 수 있으므로, 해리된 이물질을 필터링하는 역할을 한다.

스팀 발생기(40)는 공급된 초순수를 히팅하여 초순수 스팀을 생성하고 스팀 분사 노즐들로 생성된 스팀을 공급하는 역할을 한다.

도 1과 같이 구성된 습식세정 장치는 예를 들어 FPD의 공정에서 적용될 경우에 초기 클리닝, 데포지션 전 클리닝, 포토리소그래피 공정전 클리닝, PR-스트립이나 에칭공정의 전후에 이용될 수 있다.

도 1에서 보여지는 바와 같은 초기세정에 스팀분사를 이용하는 것은 FPD 공정의 글래스에 국한되지 않고, 반도체 공정의 웨이퍼 세정 및 후 공정에서도 다양 한 변경(Modify)을 통해 적용이 가능함은 물론이다. 도 1에서와 같이 스팀분사를 이용한 세정은 세정 목적물의 표면 상태를 균일하게 만들어 주어 건조시의 균일성과 세정 이후의 성막(또는 PR도포)시의 균일한 밀착력 확보에 도움을 준다.

스테이션(wet station)에서 도 1의 장치는 처리 조(Etching Bath)의 전후에 설치 가능한 세정 조(quick drain and rinse; QDR)로서 사용된다. 통상적인 세정공정에서는 공정 프로세스 후에 변성이 되어 버린 파티클의 제거가 쉽지 않으므로 피라나(Piranha)를 사용하거나 산소 플라즈마(02 Plasma)나, 에싱(Ashing)공정을 이용하여 제거하였으므로 케미컬이 발생된다. 또한, LCD 세정기의 전처리 및 후처리의 유기를 제거 시 엑시머(Excimer) UV 파장을 사용해왔던 종래의 기술에 비해, 도 1과 같은 본 발명의 습식세정 장치는 빠른 세정 처리 및 저 비용 세정을 구현할 수 있으므로 제품원가를 낮게 할 수 있다. 또한, 케미컬(Chemical)을 사용함이 없이 초순수의 스팀을 이용하여 세정을 행하기 때문에 공정 프로세스의 단순화 및 친환경적인 세정 구현이 이루어진다.

도 2를 참조하면, 도 1중 세정 챔버(100)에서 수행되는 세정과정을 구체적으로 보여주는 측단면도가 도시된다. 또한, 도 3는 도 2에 대한 세정방향의 직각 방향을 보여주는 정면 단면도이다. 그리고, 도 4는 도 2중 노즐 조정부의 조정을 보여주는 확대 단면도이며, 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 세정작업의 순서를 보여주는 플로우 챠트이다.

도 2를 참조하면, 노즐 어셈블리(25)는 스팀 분사노즐들(10,10a)과 초순수 분사노즐(20)로 되어 있고 챔버(100)의 내부에는 이송롤러(4)가 보여진다. 도 2의 노즐 조정부(A)의 구체는 도 4에서 보여진다. 도 4는 노즐들의 높이를 조정하기 위한 세부적 장치구성을 보여주는 것으로, 조정 핸들(42)의 손잡이(41)를 돌리면 브라켓(44)에 고정되어 회전되는 샤프트(43)가 회전한다. 내부에 형성된 암나사가 상기 샤프트(43)에 형성된 수나사(예컨대 사다리꼴 나사)와의 결합됨에 의해 상하로 이동되는 업다운 이동 브라켓(45)은 노즐 베이스(46)와 연결되어 있다. 상기 노즐 베이스(46)는 노즐 바디(47)와 팁(48)을 일체로 형성하므로, 결국, 상기 손잡이(41)를 시계방향 또는 반시계 방향으로 회전시킴에 의해 상기 노즐 어셈블리(25)의 노즐들은 상하로 이동되어 그 분사위치가 원하는 대로 조절된다.

도 3을 참조하면, 가로 1300밀리미터, 세로 1100밀리미터, 두께 3밀리미터, 높이 900밀리미터로서 제작된 습식세정 장치의 정면 단면이 보여진다. 도 3에서, 참조부호 80은 드레인 부위를, 참조부호 108은 절연 서포트를, 106은 서포트 프레임을, 110은 챔버 서포트 멤버를, 112는 언더 서포트를, 114는 데이퍼 서포트 멤버를 각기 가리킨다. 참조부호 104는 롤러이고, 참조부호 105 및 106은 가이드 멤버이다. 도 3에서 미설명된 부호들은 도 1 및 도 2에서 기 설명된 부호이다.

이하에서는 도 5를 참조하여, 도 1과 같이 구성된 습식세정 장치의 동작의 실시예를 상세히 설명한다.

먼저, 챔버(100)로 세정 목적물인 글래스가 투입되면, 감지 센서의 센싱동작에 의해 메인 콘트롤러에 감지신호가 전달된다. 상기 감지신호가 전달되면, 제500단계의 대기 상태에서 스팀 퍼지 및 이송롤러 구동이 있게 된다. 여기서, 스팀 퍼지는 약 3초 동안 실시된다. 상기 이송롤러의 구동에 의해 제501단계에서 세정 목 적물인 글래스(2)가 챔버(100)내로 투입된다. 제502단계에서 제1 스팀 분사노즐(10)을 통한 스팀 분사가 이루어진다. 제503단계에서 제2 스팀 분사노즐(10a)을 통한 스팀 분사가 이루어진다. 상기 제1,2차 스팀 분사에 의해, 기생퇴물 및 표면의 이물질이 글래스의 표면으로부터 해리 또는 제거되고, 고온 고압의 스팀에 의해 유기물인 세균도 용이하게 박멸된다. 이는 자외선 램프를 통해 유기물 제거를 행하던 종래의 방식에 비해 빠른 공정 흐름을 제공한다. 상기 스팀 세정이 완료된 글래스는 계속적으로 이동되어 후방에 위치된 물분사 노즐(20)로 이동된다. 제504단계에서 핫 초순수가 분사되면, 글래스(2) 표면에 잔존하는 부유물 및 파티클이 제거된다. 이후, 제505단계에서 에어 나이프 작업을 거치게 되면 표면의 뜨거운 물기 및 파티클이 최종적으로 제거된다. 작업을 마친 초순수는 제506단계에서 드레인(80)을 통해 회수되고, 물공급부(65)에 의해 펌핑되고 필터에 의해 필터링된다. 필터링된 초순수는 다시 상기 물분사 노즐(20)로 공급된다. 또한, 스팀 발생기(40)는 사용전원을 받고 초순수를 히팅하여 스팀을 발생하여 상기 라인들(L1,L2)을 통해 연속적으로 스팀을 공급한다. 상기 글래스(2)가 챔버(100)로 투입되어 세정작업을 마치는데 까지 걸리는 전체시간은 약 30초정도로 설정된다. 그러나, 사안이 다른 경우에 상기 이송부의 이송 롤러의 속도를 조절하는 것에 의해 시간 조절의 가감이 가능함은 물론이다.

이와 같이 소량의 DI를 사용하여 고압 스팀을 발생하고 세정 모재에 1차적으로 분사한 후, 히팅된 순수로 고압 린스를 2차적으로 행하는 본 발명의 세정방식에 따르면, 기존의 설비 배쓰를 약간만 개조하는 것에 의해서도 그 적용이 가능하다. 따라서, 유지비 및 보전비용이 기존의 세정 장치보다 우수한 것으로 확인되었다.

상술한 바와 같은 본 발명의 세정방식에 따르면, 세정장치의 사이즈를 최소화하고 높은 세정효과로 인해 세정의 타임을 단축한다. 유지비와 생산장비의 효율을 극대화하여 저 비용의 장치구현이 가능하다. 초순수를 사용하기 때문에 케미컬 및 유해 물질이 발생되지 않아 친 환경적 세정이 구현된다. 기생퇴물 및 표면의 이물질 제거효과가 우수하고 스팀의 살균효과로 인해 세균 박멸이 이루어지므로 세정력이 현저히 개선된다. 그리고, COC(Cost of Consumable) 즉 단위공정에 들어가는 코스트를 획기적으로 절감 시킬 수 있을 뿐 아니라, 추후 관리가 용이하다는 이점 또한 있다.

따라서, 본 발명의 기술을 FPD 및 반도체 세정 공정에서 다양한 방식으로 이용한다면, 세정 공정의 획기적인 방식변화를 기대할 수 있다.

상술한 바와 같이 본 발명의 습식세정 장치에 따르면, 초기적 세정 과정에서 스팀분사를 이용하기 때문에, 세정에 소요되는 전체 시간과 비용이 대폭 줄어들고, 각종 파티클 및 세균의 제거가 용이함은 물론, 유해한 케미컬을 사용하지 않으므로 친 환경적 세정이 이루어지는 효과가 있다.

Claims (12)

1. 습식세정 장치에 있어서:

   세정 목적물이 로딩되는 챔버와;

   상기 챔버 내에서 상기 세정 목적물의 세정대상 부위에 물을 분사하는 물 분사부와, 상기 챔버 내에서 세정 목적물이 로딩되는 선후 방향을 기준으로 상기 물 분사부의 선방에 설치되어 상기 세정 목적물에 물이 분사되기 이전에 일정 압력의 스팀을 분사하여 초기적 세정을 행하는 스팀 분사부를 포함하는 노즐 어셈블리;로 이루어져 있되,

   상기 노즐 어셈블리는,

   상기 챔버 상단에서 내측 종 방향으로 관통 형성된 샤프트;

   상기 샤프트와 나사산 결합된 이동 브라켓에 연결되되 상기 샤프트의 일 측에서 상기 세정목적물의 진행 방향으로 연장 형성된 노즐 베이스;

   상기 노즐 베이스의 하단에 구비된 노즐 바디 및 팁;

   상기 샤프트의 노출 상단에 구비된 조정핸들;로 이루어져, 상기 조정핸들의 조작으로 상기 노즐 바디 및 팁을 상하 이동함으로 상기 세정목적물에 스팀과 물을 분사하는 거리를 조절하는 것을 특징으로 하는 습식세정 장치.
2. 제1항에 있어서 ,

   상기 챔버에 설치되어 상기 세정 목적물을 상기 로딩 방향으로 이송하기 위한 이송부를 더 구비함을 특징으로 하는 습식세정 장치.
3. 제1항에 있어서,

   상기 세정 목적물은 디스플레이 패널을 형성하는 글래스 또는 반도체 집적회로를 형성하는 웨이퍼임을 특징으로 하는 습식세정 장치.
4. 제1항에 있어서,

   상기 물 분사부의 후방에는 상기 세정 목적물의 표면 물기나 이물질을 제거하기 위한 에어 나이프를 더 구비한 것을 특징으로 하는 습식세정 장치.
5. 제 1항에 있어서,

   상기 스팀 분사부는 스팀 제너레이터의 출력 라인과 연결되어 있으며 20kg/㎠의 분출압력을 가짐을 특징으로 하는 습식세정 장치.
6. 제1항에 있어서,

   상기 챔버의 하부에는 상기 물의 회수를 위해 물 공급부와 연결되는 드레인부가 더 설치됨을 특징으로 하는 습식세정 장치.
7. 제 1항에 있어서,

   상기 물 공급부의 펌핑 출력단에는 오염원 필터링을 위한 필터가 더 구비됨을 특징으로 하는 습식세정 장치.
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