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KR100713876B1 - 고개구율 액정표시장치의 제조방법 - Google Patents

고개구율 액정표시장치의 제조방법 Download PDF

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KR100713876B1 KR1019980037083A KR19980037083A KR100713876B1 KR 100713876 B1 KR100713876 B1 KR 100713876B1 KR 1019980037083 A KR1019980037083 A KR 1019980037083A KR 19980037083 A KR19980037083 A KR 19980037083A KR 100713876 B1 KR100713876 B1 KR 100713876B1
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Abstract

본 발명은 시야각을 확보할 수 있는 고개구율 액정 표시 장치의 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명은, 하부 기판상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 박막 트랜지스터 상부에 유기 절연막을 형성하는 단계와, 상기 박막 트랜지스터의 소정 부분이 노출되도록, 유기 절연막을 패터닝하여 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 유기 절연막 표면이 하부에 닿도록 뒤집은다음, 진동 방식을 통하여, 유기 절연막 표면에 토폴로지를 형성하는 단계, 및상기 토폴로지가 형성된 유기 절연막 상에 상기 노출된 박막 트랜지스터와 콘택되도록 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

고개구율 액정 표시 장치의 제조방법{Method for manufacturing high aperture ratio LCD}
본 발명은 액정 표시 장치의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 저 비용으로 고 개구율을 확보할 수 있는 액정 표시 장치의 제조방법에 관한 것이다.
현재에는 액정 표시 장치의 높은 개구율을 확보하기 위하여, 화소 전극을 데이터 버스 라인 또는 게이트 버스 라인과 오버랩되도록 설치하는 고개구율 액정 표시 장치가 제안되었다.
이러한 고개구율 액정 표시 장치는 도 1에 도시된 바와 같이, 하부 기판(1) 상부에 불투명 금속막으로 게이트 전극(2)을 형성한다음, 게이트 전극(2)이 형성된 하부 기판(1) 상부에 게이트 절연막(3)을 증착한다.
이어서, 게이트 절연막(3) 상부에 비정질 실리콘층을 증착하고, 비정질 실리콘층(4) 상부에 실리콘 질화막을 형성한다. 이어, 게이트 전극(2)을 마스크로 하는 후면 노광 방식을 이용하여 실리콘 질화막을 패터닝하므로써, 비정질 실리콘층(4) 상부에 에치 스톱퍼(5)를 형성한다.
그 다음으로, 불순물이 도핑된 비정질 실리콘층(6)을 증착한다음, 불순물이 도핑된 비정질 실리콘층과 비정질 실리콘층을 소정 부분 패터닝하여, 오믹 콘택층과 채널층을 형성한다.
그리고나서, 결과물 상부에 데이터 버스 라인용 금속막을 증착한다음, 에치 스톱퍼(5) 양측의 오믹 콘택층(6)과 콘택되도록 패터닝하여, 소오스, 드레인 전극(6a,6b)을 형성하여, 박막 트랜지스터(TFT1)가 완성된다.
이어서, 박막 트랜지스터(TFT1)가 형성된 하부 기판(1) 상부에 저유전 상수를 갖는 레진막(8)을 비교적 두껍게 예를들어, 2 내지 4㎛ 두께로 도포한다. 이는 공지된 바와 같이, 이후 형성될 화소 전극과 데이터 버스 라인(또는 게이트 버스 라인)과 오버랩되는 부분에서의 기생 캐패시턴스를 최소화하기 위함이다. 그런다음, 박막 트랜지스터(TFT1)의 드레인 전극(6b)이 노출되도록 레진막(8)을 소정 부분 식각하여 콘택홀(H1)을 형성한다. 이어서, 노출된 드레인 전극(6b)과 콘택되면서, 데이터 버스 라인(도시되지 않음)과 오버랩되도록 레진막(8) 상부에 ITO(indium tin oxide)로 된 화소 전극(9)을 형성한다.
상기한 고개구율 액정 표시 장치는 화소 전극(9)이 데이터 버스 라인 및 게이트 버스 라인과 오버랩됨으로써, 개구율은 증대시킬 수 있었다.
그러나, 상기한 고개구율 액정 표시 장치 자체의 동작은 공지된 TN(twist nematic) 방식으로 동작하므로, 이러한 고개구율 액정 표시 장치는 TN 모드의 고질적인 문제점인 시야각을 확보할 수 없다는 문제점을 지닌다.
즉, 화소 전극(9)와 상부 기판(도시되지 않음)의 상대 전극(도시되지 않음)간에 전압차가 발생되면, 화소 전극(9)면과 수직인 전계가 형성된다. 그러면, 액정 분자들은 유전율 이방성이 양인 경우, 이 전계와 액정 분자의 장축이 평행을 이루도록 배열된다. 이때, 액정 분자들은 공지된 바와 같이 봉형태로서, 장축에서의 굴절율과 단축에서의 굴절율이 상이하다. 이로 인하여, 화면의 정면과 측면에서 동일한 시야각을 확보하지 못하여, 상기한 고개구율 액정 표시 장치는 시야각 특성이 좋지 않다.
따라서, 본 발명의 목적은 고개구율을 얻으면서도, 넓은 시야각을 확보할 수 있는 고개구율 액정 표시 장치의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 것으로, 본 발명은, 하부 기판상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 박막 트랜지스터 상부에 유기 절연막을 형성하는 단계와, 상기 박막 트랜지스터의 소정 부분이 노출되도록, 유기 절연막을 패터닝하여 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 유기 절연막 표면이 하부에 닿도록 뒤집은다음, 진동 방식을 통하여, 유기 절연막 표면에 토폴로지를 형성하는 단계, 및 상기 토폴로지가 형성된 유기 절연막 상에 상기 노출된 박막 트랜지스터와 콘택되도록 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 진동 방식은 초음파 또는 스핀 진동 방식인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 고개구율 액정 표시 장치에서 유기 절연막 표면을 초음파 진동 또는 스핀 진동 방식에 의하여 물결형태의 토폴로지가 형성되도록 처리하고, 이 토폴로지가 전사되도록 화소 전극을 형성한다. 이에따라, 상대 전극과 화소 전극 사이에 전계 형성시, 전계가 화소 전극의 토폴로지면에 법선형태, 즉 방사 형태로 형성된다. 따라서, 액정 분자들이 이 전계의 형태로 배열되므로써, 보는 방향에 따른 굴절율특성을 보상하여, 시야각차가 발생되지 않는다.
(실시예)
첨부한 도면 도 2a 내지 도 2c는 본 발명에 따른 고개구율 액정 표시 장치의 제조방법을 설명하기 위한 각 제조 공정별 단면도이고, 도 3은 본 발명의 동작을 설명하기 위한 고개구율 액정 표시 장치의 단면도이다.
먼저, 도 2a를 참조하여, 하부 기판(11) 상부에 게이트 절연막(12)을 포함하는 박막 트랜지스터(TFT2)가 종래와 동일한 방법으로 적소에 형성된다. 이어서, 박막 트랜지스터(TFT2)가 형성된 하부 기판(11) 상부에 저 유전 상수를 갖는 유기 절연막(13)을 형성한다. 이때, 유기 절연막(13)의 두께(a)는 2 내지 3㎛ 정도로 형성하고, 이 유기 절연막(13)으로는 아크릴막, BCB막등이 이용된다. 여기서, 유기 절연막(13)을 저유전 상수 물질로 사용하는 것은 공지된 바와 같이, 박막 트랜지스터(TFT2)와 이후에 형성될 화소 전극을 절연시키면서, 기생 캐패시턴스를 줄이기 위함이다. 그후, 박막 트랜지스터(TFT2)의 소정 부분, 즉, 박막 트랜지스터(TFT2)의 드레인 전극 부분이 노출되도록 유기 절연막(13)을 식각하여, 콘택홀을 형성한다.
이어서, 도 2b에 도시된 바와 같이, 유기 절연막(13) 상부에 토폴로지를 형성하기 위하여, 하부 기판(11)을 뒤집어서 초음파 및 스핀 방식에 의하여 하부 기판(11)을 진동시킨다. 그러면, 유기 절연막(13)의 표면은 토폴로지를 가지면서, 소정 두께(a')만큼 부풀어 오른다. 즉, 유기 절연막은 점도가 높은 액상 물질로서, 초음파 및 스핀을 부여하면서 진동을 시키게 되면, 중력 방향으로 부풀어져 오르면서 토폴로지를 형성하는 것이다. 여기서, 미설명 부호 T는 토폴로지를 나타내고, A는 부풀어 오른 전체 유기 절연막(13a) 두께이다.
그리고나서, 도 2c에 도시된 바와 노출된 박막 트랜지스터(TFT2) 부분과 콘택되도록 유기 절연막(13a) 상부에 화소 전극(14)을 형성한다. 이때, 화소 전극(14) 역시 하부 유기 절연막(13a)의 토폴로지의 영향으로, 토폴로지를 갖는다.
이와같이 형성된 하부 기판(11) 상에 상대 전극(21)이 부착된 상부 기판(20)을 합착한다음, 하부 기판(11)과 상부 기판(20) 사이에 액정(30)이 충진된다.
그후, 상대 전극(21)과 화소 전극(14) 사이에 전압이 걸리면, 그 사이의 전계(E)는 도 3에서와 같이, 화소 전극(14)의 토폴로지 표면에 법선 형태로 형성되므로서, 액정내의 분자(30a)들은 화소 전극(14)의 토폴로지 표면과 수직을 이루도록 배열된다. 이에따라, 액정 분자(30a)들이 기판면에 수직인 방향으로 일률적으로 배열되지 않고, 방사 형태로 배열되므로써, 사용자가 화면의 측면 부분에서 화면을 바라보더라도, 액정 분자의 장축 및 단축 모두 보인다. 따라서, 화면의 정면과 측면에서 시야각차가 발생되지 않는다.
이상에서 자세히 설명된 바와 같이, 본 발명에 의하면, 고개구율 액정 표시 장치에서 유기 절연막 표면을 초음파 진동 또는 스핀 진동 방식에 의하여 물결형태의 토폴로지가 형성되도록 처리하고, 이 토폴로지가 전사되도록 화소 전극을 형성한다. 이에따라, 상대 전극과 화소 전극 사이에 전계 형성시, 전계가 화소 전극의 토폴로지면에 법선형태, 즉 방사 형태로 형성된다. 따라서, 액정 분자들이 이 전계의 형태로 배열되므로써, 보는 방향에 따른 굴절율특성을 보상하여, 시야각차가 발생되지 않는다.
기타, 본 발명은 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.
도 1은 종래의 액정 표시 장치의 단면도.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명에 따른 고개구율 액정 표시 장치의 제조방법을 설명하기 위한 각 제조 공정별 단면도.
도 3은 본 발명의 동작을 설명하기 위한 고개구율 액정 표시 장치의 단면도.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
11 - 하부 기판 12 - 게이트 절연막
13 - 유기 절연막 14 - 화소 전극
20 - 상부 기판 21 - 상대 전극

Claims (2)

  1. 하부 기판상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 박막 트랜지스터 상부에 유기 절연막을 형성하는 단계;
    상기 박막 트랜지스터의 소정 부분이 노출되도록, 유기 절연막을 패터닝하여 콘택홀을 형성하는 단계;
    상기 유기 절연막 표면이 하부에 닿도록 뒤집은다음, 진동 방식을 통하여, 유기 절연막 표면에 토폴로지를 형성하는 단계; 및
    상기 토폴로지가 형성된 유기 절연막 상에 상기 노출된 박막 트랜지스터와 콘택되도록 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고개구율 액정 표시 장치의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 진동 방식은 초음파 또는 스핀 진동 방식인 것을 특징으로 하는 고개구율 액정 표시 장치의 제조방법.
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