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KR100694047B1 - 정보저장매체 및 정보기록재생장치 - Google Patents

정보저장매체 및 정보기록재생장치 Download PDF

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KR100694047B1
KR100694047B1 KR1020040034906A KR20040034906A KR100694047B1 KR 100694047 B1 KR100694047 B1 KR 100694047B1 KR 1020040034906 A KR1020040034906 A KR 1020040034906A KR 20040034906 A KR20040034906 A KR 20040034906A KR 100694047 B1 KR100694047 B1 KR 100694047B1
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dielectric layer
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Abstract

재생 저역 노이즈를 개선할 수 있도록 된 구조의 초해상 정보저장매체 및 정보기록재생장치가 개시되어 있다.
이 개시된 정보저장매체에 있어서, 기판과; 기판 상에 형성되며, 적어도 두 가지 이상의 물질로 이루어진 층으로, 입사된 기록파워의 빔에 의해 물질이 서로 화학반응을 하여 기록마크를 형성하는 기록층과; 기록층의 상부 및/또는 하부에 형성되는 것으로, 입사된 빔스폿의 일부 영역의 광학적 특성이 변화하는 초해상재생층;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 개시된 정보기록재생장치는 상기한 정보저장매체에 대해 정보의 기록/재생을 수행하는 것으로, 빔을 조사하는 광원과, 입사빔을 집속시켜 정보저장매체에 빔스폿이 형성되도록 하는 대물렌즈 및 정보저장매체에서 반사된 빔을 수광하는 광검출기를 포함하는 픽업부와; 광검출기에서 검출된 신호를 처리하여 정보신호와 오차신호를 산출하는 신호처리부와; 신호처리부에서 검출된 신호로부터 광원에서 출력되는 빔 파워 및 대물렌즈의 구동을 제어하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

정보저장매체 및 정보기록재생장치{Information storage medium and information recording/reproducing apparatus}
도 1은 일반적인 금속산화물 기록층을 사용한 상변화 초해상 정보저장매체를 보인 개략적인 단면도.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 정보저장매체를 보인 개략적인 단면도.
도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 정보저장매체를 보인 개략적인 단면도.
도 4는 본 발명의 제3실시예에 따른 정보저장매체를 보인 개략적인 단면도.
도 5는 본 발명의 제4실시예에 따른 정보저장매체를 보인 개략적인 단면도.
도 6은 본 발명의 제5실시예에 따른 정보저장매체를 보인 개략적인 단면도.
도 7은 비교예에 따른 정보저장매체를 보인 개략적인 단면도.
도 8 및 도 9 각각은 본 발명의 실시예에 따른 정보저장매체의 광학적 특성 변화를 살펴보기 위하여 사용된 정보저장매체를 보인 개략적인 단면도.
도 10은 도 7 내지 도 9에 도시된 정보저장매체에 대해 사용된 기록파형을 보인 개략적인 도면.
도 11은 도 7 내지 도 10에 도시된 정보저장매체에 있어서의 주파수 변화에 따른 저역 노이즈 변화를 보인 그래프.
도 12는 본 발명의 실시예에 따른 정보기록재생장치를 보인 개략적인 도면.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
31, 51, 71, 91...기판 33, 53, 73, 93...제1유전체층
35, 37, 59, 99...기록층 39, 57, 77, 97...제2유전체층
40...기록마크 41, 55, 79...초해상재생층
43, 61, 81, 101...제3유전체층 45, 63, 87, 107...커버층
75...제1기록층 83...제2기록층
85, 105...제4유전체층 95...제1초해상재생층
103...제2초해상재생층 OL...대물렌즈
본 발명은 초해상 현상을 이용하여 정보의 기록재생을 수행할 수 있도록 된 구조의 정보저장매체 및 이에 대해 정보의 기록/재생을 수행하는 정보기록재생장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 재생 저역 노이즈를 개선할 수 있도록 된 구조의 정보저장매체 및 이에 대해 정보의 기록 및/또는 재생을 수행하는 정보기록재생장치에 관한 것이다.
정보저장매체는 비접촉식으로 정보의 기록 재생을 수행하는 광픽업장치의 정보 저장매체로서 이용되는 것으로, 산업 발전과 더불어 저장되는 정보의 기록밀도가 높아질 것이 요구되고 있다.
이를 위하여, 레이저 빔의 분해능(λ/4NA ; λ: 레이저 빔의 파장, NA : 대 물렌즈의 개구수) 이하 크기의 기록마크를 포함하는 정보저장매체 즉, 초해상 현상을 이용하여 정보의 기록 재생을 수행할 수 있는 정보저장매체가 연구되고 있다. 특히, 금속산화물층과 상변화층을 사용한 초해상 광디스크에 대한 연구가 많이 진행되고 있다.
그 일 예로서 T. Kikukawa 등은 2002년 12월 16일자 발행된 APPLIED PHYSICS LETTERS의 Vol. 81, No. 25, p4697-4699의 논문을 통하여 PtOx 초해상재생층과, Ag-In-Sb-Te 재생층 구조의 초해상 광디스크에 대한 연구 내용을 발표한 바 있다.
이 발표된 자료를 살펴보면, PtOx 초해상재생층이 기록시 Pt 입자와 산소로 열분해되어 기록마크가 형성되고, 이때 형성된 Pt 입자 주변의 일렉트론 필드 커플링(Electron Field Coupling)이 초해상 재생의 메카니즘이라고 밝히고 있다.
다른 예로서 J. Tominaga 등은 2004년 1월 29일 발간된 NANOTECHNOLOGY의 Vol. 15, p411-415의 논문을 통하여 초해상 광디스크에 있어서 실제로 초해상 현상을 나타내는 것은 상변화층이라는 연구 내용을 발표한 바 있다.
이 논문에서는 Ge-Sb-Te 또는 Ag-In-Sb-Te계의 상변화 재료에 있어서, 일정 온도에서 일 결정상에서 다른 결정상으로 변화하여 레이저 빔 스폿 내의 일부분의 광학적 특성이 달리지기 때문에 초해상 재생이 가능하다고 밝히고 있다.
한편, 상기한 두 예에 따른 경우 모두는 도 1에 도시된 바와 같은 구조의 상변화층을 포함하는 정보저장매체로 구성되어 있다.
도 1은 일반적인 금속산화물 기록층을 사용한 상변화 초해상 정보저장매체를 보인 개략적인 단면도이다. 도면을 참조하면, 개시된 정보저장매체는 기판(11)과, 이 기판(11) 상에 순차로 형성된 제1유전체층(13), 금속산화물층(15), 제2유전체층(17), 상변화층(19), 제3유전체층(21) 및 커버층(23)을 포함한다. 여기서, 대물렌즈(OL)에 의해 집속된 입사빔은 상기 커버층(23)을 투과하여 입사된다.
금속산화물층(15)을 구성하는 금속산화물의 예로서, 백금산화물(PtOx)을 들 수 있다. 이 PtOx를 사용하는 경우, 기록 과정에서 PtOx가 Pt와 산소로 분해되면서 타원형 버블 구조의 기록마크(20)가 형성된다.
이와 같이 형성된 기록마크(20)는 그 양단이 라운드지게 형성됨으로써, 기록마크(20)가 형성되지 않은 부분과의 정확한 경계 설정이 곤란하여, 정보기록재생장치를 통하여 기록마크(20)의 크기를 판단시 그 크기를 불규칙하게 인식한다. 그러므로, 이와 같이 기록된 기록마크(20)에 대하여 정보의 재생시 재생신호 레벨이 불규칙하게 되고, 이에 따라 주파수 스펙트럼을 살펴볼 때 저역(Low Frequency) 노이즈가 증가하는 문제점이 있다.
또한, 기록마크(20)의 에지 검출 방식으로 마크의 길이를 판단하는 경우, 상기한 신호레벨의 불규칙은 재생신호의 지터(jitter)를 저하시키는 요인이 된다. 여기서, 지터는 기준 클럭 대 마크길이의 표준편차를 말한다. 따라서, 상기한 구조의 초해상 정보저장매체로서는 양호한 품질의 지터를 얻을 수 없다는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 감안하여 안출된 것으로서, 재생 저역 노이즈를 저감시킬 수 있도록 된 구조의 정보저장매체 및 이에 대해 정보의 기록/재생을 수행하는 정보기록재생장치를 제공하는데 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 정보기록재생장치로부터 입사된 빔의 분해능 이하 크기의 기록마크를 포함하는 정보저장매체에 있어서, 기판과; 상기 기판 상에 형성되며, 적어도 두 가지 이상의 물질로 이루어진 층으로, 입사된 기록파워의 빔에 의해 상기 물질이 서로 화학반응을 하여 상기 기록마크를 형성하는 기록층과; 상기 기록층의 상부 및/또는 하부에 형성되는 것으로, 입사된 빔스폿의 일부 영역의 광학적 특성이 변화하는 초해상재생층;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 정보기록재생장치로부터 입사된 빔의 분해능 이하 크기의 기록마크를 포함하는 정보저장매체에 있어서, 기판과; 상기 기판 상에 형성되는 것으로, 입사된 빔스폿의 일부 영역의 광학적 특성이 변화하는 초해상재생층과; 상기 초해상재생층의 상부 및/또는 하부에 형성되며, 적어도 두 가지 이상의 물질로 이루어진 층으로, 입사된 기록파워의 빔에 의해 상기 물질이 서로 화학반응을 하여 상기 기록마크를 형성하는 기록층;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 기판 상에는 광학적 및/또는 열적 특성을 제어하는 층으로, 산화물, 질화물, 탄화물, 황화물, 불화물 중 적어도 어느 하나의 물질로 구성된 일 층 이상의 유전체층을 더 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 기록층은 상기 적어도 두 가지 이상의 물질들이 혼합 형성된 일층 구조이거나 상기한 물질들 중 일부는 일층에 배치되고 나머지는 그 상부 및/또는 하부에 배치된 구조인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 정보기록재생장치는 상기한 정보저장매체에 대하여 정보의 기록 및/또는 재생을 수행하는 것으로, 빔을 조사하는 광원과, 입사빔을 집속시켜 정보저장매체에 빔스폿이 형성되도록 하는 대물렌즈 및 상기 정보저장매체에서 반사된 빔을 수광하는 광검출기를 포함하는 픽업부와; 상기 광검출기에서 검출된 신호를 처리하여 정보신호와 오차신호를 산출하는 신호처리부와; 상기 신호처리부에서 검출된 신호로부터 상기 광원에서 출력되는 빔 파워 및 대물렌즈의 구동을 제어하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 정보저장매체를 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 정보저장매체를 보인 개략적인 단면도이다.
도면을 참조하면, 본 실시예에 따른 정보저장매체는 기판(31)과, 이 기판(31) 상에 순차로 형성된 제1유전체층(33), 기록층(35), 제2유전체층(39), 초해상재생층(41), 제3유전체층(43) 및 커버층(45)을 포함한다. 여기서, 정보의 기록/재생에 이용되는 빔은 대물렌즈(OL)에서 집속된 채로 상기 커버층(45)을 투과하여 입사된다.
상기 기판(31)은 폴리카보네이트(Polycarbonate), 폴리메틸메타아크릴레이트 (PMMA), 비정질 폴리올레핀(APO) 및 글래스 재질 중에서 선택된 어느 하나의 재질로 구성되며, 그 일면 즉, 상기 제1유전체층(33)과 마주하는 면에는 입사빔을 반사시키는 반사막이 코팅 형성된 것이 바람직하다.
상기 제1 내지 제3유전체층(33)(39)(43)은 광학적 및/또는 열적 특성 제어하는 층이다. 상기 커버층(45)은 상기 기록층(35)과 초해상재생층(41)을 포함하여 상기 기판(31) 상에 형성된 층들을 덮도록 형성된 층이다. 여기서, 상기 제1 내지 제3유전체층(33)(39)(43)과 커버층(45)은 본 발명의 필수적인 구성 요소는 아니며, 이 층들이 없는 경우에도 정보의 재생이 가능함은 물론이다.
상기 제1 내지 제3유전체층(33)(39)(43) 각각은 광학적 및/또는 열적 특성을 제어하는 층으로, 산화물, 질화물, 탄화물, 황화물, 불화물 중 적어도 어느 하나의 물질로 구성되는 것이 바람직하다. 즉, 상기 제1 내지 제3유전체층(33)(39)(43)은 산화규소(SiOX), 산화마그네슘(MgOX), 산화알루미늄(AlOX), 산화티타늄(TiOX), 산화바나듐(VOX), 산화크롬(CrOX), 산화니켈(NiOX), 산화질코늄(ZrOX), 산화게르마늄 (GeOX), 산화아연(ZnOX), 질화규소(SiNX), 질화알루미늄(AlNX), 질화티타늄(TiNX), 질화질코늄(ZrNX), 질화게르마늄(GeNX), 탄화규소(SiC), 황화아연(ZnS), 황화아연-이산화규소 화합물(ZnS-SiO2), 불화마그네슘(MgF2) 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 재질로 구성되는 것이 바람직하다.
상기 기록층(35)은 소정 기록 파워로 입사된 빔에 의하여 기록되는 기록마크(40)의 단면형상이 직사각 형상 또는 직사각에 가까운 형상이 되도록 하는 구조를 가진다. 여기서, 기록마크(40)는 재생에 사용되는 광픽업의 분해능 이하 크기의 마크를 포함한다.
여기서, 초해상 현상을 이용하여 반복적인 정보의 재생을 위하여, 상기 기록 층(35)에서의 화학 반응 온도(Tw)는 상기 초해상재생층(41)에서 초해상 현상이 일어나는 온도(Tr) 보다 높다.
따라서, 상기 기록마크(40)를 형성하기 위하여, 상기 기록층(35)은 서로 물리적 성질이 다르고, 소정 온도에서 서로 화학반응하는 적어도 두 가지 이상의 물질(예컨대 도 2에 도시된 A, B 두 가지 물질)이 혼합 형성된 일층 구조로 층이다.
물질 A와 B가 혼합된 형태의 기록층(35)을 예로 들어 살펴보면, 기록되기 이전 즉, 물질 A와 B 사이에 화학반응이 일어나기 이전에는 기록층(35)은 물질 A와 물질 B가 혼합된 막 형태를 가진다. 한편, 상기 기록층(35)에 대해 소정 파워의 기록용 빔이 조사되면, 상기 기록파워의 빔에 의해 광스폿이 맺힌 부위에서, 물질 A와 물질 B는 상호 화학반응을 하면서, 물질 A와 B가 혼합된 형태와는 다른 물성의 화합물 A+B가 된다. 이와 같이 변형된 화합물 A+B가 기록마크(40)를 형성하게 되며, 이 기록마크(40)는 도 2에 도시된 바와 같이 물질 A와 물질 B의 물성을 그대로 유지하는 다른 영역과 비교하여 볼 때, 다른 반사율을 가진다.
여기서, 상기 물질 A의 예로는 텅스텐(W)을 들 수 있고, 상기 물질 B의 예로는 규소(Si)를 들 수 있다. 이는 후술하는 상변화층으로서 Ge-Sb-Te 재질이 채용된 경우, 재생시 초해상 현상이 일어나는 온도가 대략 350℃이고, 이 재생온도 이상에서 기록 되어야 하는 점을 고려하여 정해진 것이다. 즉, W-Si 합금은 반응온도가 대략 600℃이므로, 재생파워에 의한 영향을 받지 않는다.
이와 같이 W, Si 물질을 선택한 경우, 두 물질 사이의 원자량, 밀도 차이를 고려하여 두 물질간의 원자수비가 W : Si ≒ 1 : 2가 되도록 혼합하여 상기 기록층(35)을 형성하는 것이 바람직하다. 이 경우, 화학반응이 일어나면, 기록파워 의 빔에 맺힌 상기 기록층(35)의 소정 영역은 WSi2 화합물이 된다. 여기서, W와 Si 사이의 원자수비는 예시적인 것에 불과한 것으로, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 기록층 재료로서 W와, Si 두 물질을 예로 들어 설명하였으나, 이는 예시적인 것에 불과하고, 레이저 빔에 의한 기록 가능한 온도 범위 내에서 상기한 재생온도 보다 큰 온도에서 화학반응 할 수 있는 물질들 범위 내에서 임의로 둘 이상의 물질 예컨대, 바나듐(V), 크롬(Cr), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 게르마늄(Ge), 셀레늄(Se), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 텔루륨(Te), 티타늄(Ti), 질코늄(Zr) 및 란탄계 원소들 중에서 선택된 적어도 두 가지 이상의 물질을 포함할 수 있다.
상기한 바와 같이, 상기 기록층(35)은 그 형성 물질 내에서의 화학반응 발생 유무에 따라 기록마크(40)를 형성하는 구성을 가지므로, 도 1의 부피 팽창에 방식에 의한 기록마크(도 1의 20)와는 달리 그 단면형상이 사각형상 또는 이와 유사한 구조를 가진다.
상기 초해상재생층(41)은 입사된 빔스폿의 일부 영역의 광학적 특성이 변화하는 성질을 가지는 상변화 재료로 이루어진 층이다. 즉, 상기 초해상재생층(41)은 황(S), 셀레늄(Se), 텔루륨(Te) 중 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 재료인 칼코게나이드(Chalcogenide) 상변화 재료로 구성되는 것이 바람직하다.
예컨대, 상기 초해상재생층(41)은 셀레늄-황(Se-S), 셀레늄-텔루륨(Se-Te), 황-텔루륨(S-Te), 인-황(P-S), 인-텔루륨(P-Te), 인-셀레늄(P-Se), 비소-황(As-S), 비소-셀레늄(As-Se), 비소-텔루륨(As-Te), 안티몬-황(Sb-S), 안티몬-셀레늄(Sb-Se), 안티몬-텔루륨(Sb-Te), 규소-황(Si-S), 규소-셀레늄(Si-Se), 규소-텔루륨 (Si-Te), 게르마늄-황(Ge-S), 게르마늄-셀레늄(Ge-Se), 게르마늄-텔루륨(Ge-Te), 주석-황(Sn-S), 주석-셀레늄(Sn-Se), 주석-텔루륨(Sn-Te), 은-황(Ag-S), 은-셀레늄 (Ag-Se), 은-텔루륨(Ag-Te), 알루미늄-황(Al-S), 알루미늄-셀레늄(Al-Se), 알루미늄-텔루륨(Al-Te), 갈륨-황(Ga-S), 갈륨-셀레늄(Ga-Se), 갈륨-텔루륨(Ga-Te), 인듐-황(In-S), 인듐-셀레늄(In-Se), 인듐-텔루륨(In-Te)계의 화합물 또는 이들에 적어도 어느 하나의 원소를 포함하는 화합물을 포함한다.
바람직하게는 상기 초해상재생층(41)은 게르마늄-안티몬-텔루륨(Ge-Sb-Te) 또는 은-인듐-안티몬-텔루륨(Ag-In-Sb-Te)계의 상변화 재료로 구성된다.
따라서, 상기 초해상재생층(41)은 일정 온도에서 일 결정상에서 다른 결정상으로 변화하여 초해상 영역(레이저 빔 스폿 내의 일부분으로서, 빔 스폿을 중심으로 한 소정 직경 내의 부분)의 광학적 특성이 달리지게 되어, 분해능 이하 크기를 가지는 기록마크(40)에 대해 정보의 재생이 가능하도록 한다.
상기한 바와 같이 구성된 본 발명의 제1실시예에 따른 정보저장매체는 일층 구조의 기록층(35)을 두 가지 이상의 물질을 혼합하여 구성함으로써, 사각 형상 또는 사각 형상에 가까운 단면 구조의 기록마크를 형성할 수 있다. 따라서, 기록마크의 엣지 검출방식에 의하여 신호를 판독하는 경우 기록된 신호크기를 정확하게 검출할 수 있어서, 지터에 영향을 주는 저역 노이즈를 저감시킬 수 있다.
도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 정보저장매체를 보인 개략적인 단면도이 다. 도면을 참조하면, 본 실시예에 따른 정보저장매체는 기판(31)과, 이 기판(31) 상에 순차로 형성된 제1유전체층(33), 기록층(37), 제2유전체층(39), 초해상재생층(41), 제3유전체층(43) 및 커버층(45)을 포함한다. 본 실시예는 상기 기록층(37)의 구성을 달리한 점에 있어서, 도 1에 도시된 정보저장매체와 구별된다. 따라서, 상기 기록층(37)을 중심으로 설명하고, 동일 부재명 및 동일 부재번호를 사용하는 기판(31), 제1 내지 제3유전체층(33)(39)(43), 초해상재생층(41) 및 커버층(45)에 대한 설명은 생략하기로 한다.
상기 기록층(37)은 적어도 두가지 이상의 물질들로 이루어지며, 이들 중 일부는 일층에 배치되고, 나머지는 그 상부 및/또는 하부에 배치된 다층 구조를 가진다. 도 3을 참조하면, 상기 기록층(37)을 구성하는 물질로 A와 B 두가지 물질을 선택하는 경우에 있어서, 마크가 기록되기 이전에는 상기 기록층(37)은 제1 및 제2기록층(37a)(37b)으로 구성된다.
이때, 제1기록층(37a)은 물질 A 예컨대, 텅스텐(W)물질로 이루어지고, 제2기록층(37b)은 물질 B 예컨대, 규소(Si) 물질로 이루어진다. 또한, 상기 제1기록층(37a)이 규소(Si) 물질로 이루어지고, 상기 제2기록층(37b)이 텅스텐(W) 물질로 이루어지는 것도 가능하다.
이와 같이 구성된 기록층(37)에 대해 소정 파워의 기록용 빔이 조사되면, 상기 기록파워의 빔에 의해 광스폿이 맺힌 부위에서, 제1 및 제2기록층(37a)(37b)으로 분리 배치되어 있던, 물질 A와 물질 B가 상호 화학반응을 하면서, 화합물 A+B로 이루어진 기록마크(40)를 형성한다. 이와 같이, 형성된 기록마크(40)는 일 실시예 에 따른 기록마크와 실질상 동일하다.
한편, 본 실시예에 있어서, 상기 기록층(37)의 예로서 2층 구조를 예로 들어 설명하였지만, 이는 예시적인 것에 불과한 것으로, 두 가지 또는 그 이상의 물질을 채용하는 경우에 있어서, 각 물질 박막을 적층하거나, 적어도 두 물질이 혼합된 상태로 적층함에 의하여 다층 구조를 형성할 수 있다. 예컨대, 도 9에 도시된 바와 같이, 기록층은 Si, W, Si가 순차로 적층되어 3층 구조를 형성할 수 있다.
도 4는 본 발명의 제3실시예에 따른 정보저장매체를 보인 개략적인 단면도이다. 도면을 참조하면, 본 실시예에 따른 정보저장매체는 기판(51)과, 이 기판(51) 상에 순차로 적층 형성된 제1유전체층(53), 초해상재생층(55), 제2유전체층(57), 기록층(59), 제3유전체층(61) 및 커버층(63)을 포함한다.
본 실시예에 따른 정보저장매체는 제1실시예에 따른 정보저장매체와 비교하여 볼 때, 초해상재생층(55)과 기록층(59)의 적층 위치를 바꾼 점에 특징이 있다. 여기서, 기판(51), 제1 내지 제3유전체층(53)(57)(61) 및, 커버층(63)은 제1실시예의 동일 부재명을 사용하는 구성요소와 실질상 동일한 구성 및 배치를 가지므로 그 자세한 설명은 생략하기로 한다.
상기 기록층(59)은 제1실시예에 따른 기록층(도 2의 35) 또는 제2실시예에 따른 기록층(도 3의 37)과 같은 구성을 가진다. 즉, 기록층(59)은 단일 층 내에 혼합되거나 다층으로 분리 배치된 두 가지 이상의 물질을 포함한다. 이 물질은 소정의 기록파워로서 가열함에 의하여, 이들 물질이 서로 화학반응을 하면서 기록마크를 형성한다.
상기 초해상재생층(55)은 입사된 빔스폿의 일부 영역의 광학적 특성이 변화하는 성질을 가지는 상변화 재료로 이루어진 층이다. 즉, 상기 초해상재생층(55)은 칼코게나이드(Chalcogenide) 상변화 재료 예컨대, 게르마늄-안티몬-텔루륨(Ge-Sb-Te) 또는 은-인듐-안티몬-텔루륨(Ag-In-Sb-Te)계의 상변화 재료로 구성되는 것이 바람직하다.
따라서, 대물렌즈(OL)에 의해 집속된 재생용 빔을 상기 커버층(63)의 외부에서 조사하는 경우, 이 재생용 빔은 상기 기록층(59)을 투과하여 상기 초해상재생층(55)에 빔스폿을 형성한다. 여기서, 상기 초해상재생층(55)로 입사된 빔은 상기 기판(51) 상에 형성된 반사막에서 반사되어 상기 기록층(59) 방향으로 향한다. 이때, 상기 초해상재생층(55)의 재료 특성상, 상기한 바와 같이 형성된 초해상영역의 광학적 특성이 다른 부분에서의 광학적 특성과 다르다. 따라서, 상기한 광학적 반사특성을 가지는 빔에 의해 상기 기록층(59)에 형성된 기록마크 특히, 분해능 이하 크기를 가지는 기록마크에 대해 정보의 재생이 가능하다.
도 5는 본 발명의 제4실시예에 따른 정보저장매체를 보인 개략적인 단면도이다. 도면을 참조하면, 본 실시예에 따른 정보저장매체는 기판(71)과, 이 기판(71) 상에 순차로 적층 형성된 제1유전체층(73), 제1기록층(75), 제2유전체층(77), 초해상재생층(79), 제3유전체층(81), 제2기록층(83), 제4유전체층(85) 및 커버층(87)을 포함한다. 여기서, 기판(71), 제1 내지 제4유전체층(73)(77)(81)(85) 및, 커버층(87)은 앞서 설명된 동일 또는 실질상 동일한 부재명을 사용하는 구성요소와 동일한 구조 및 배치를 가지므로 그 자세한 설명은 생략하기로 한다.
본 실시예에 따른 정보저장매체는 2층 구조의 기록층 즉, 제1 및 제2기록층(75)(83)을 구비한 점에 있어서, 앞서 설명된 제1실시예에 따른 정보저장매체와 구별된다. 여기서, 제1 및 제2기록층(75)(83) 각각은 제1실시예에 따른 기록층(도 2의 35) 또는 제2실시예에 따른 기록층(도 3의 37)과 같은 구성을 가진다.
이와 같이, 2층 구조의 정보저장매체를 구성하는 경우는 제1 및 제2실시예에 따른 정보저장매체의 정보 기록/재생 원리와 동일한 방식에 의하여 정보의 기록과 재생이 가능하다.
도 6은 본 발명의 제5실시예에 따른 정보저장매체를 보인 개략적인 단면도이다. 도면을 참조하면, 본 실시예에 따른 정보저장매체는 일면에 반사막이 형성된 기판(91)과, 이 기판(91) 상에 순차로 적층 형성된 제1유전체층(93), 제1초해상재생층(95), 제2유전체층(97), 기록층(99), 제3유전체층(101), 제2초해상재생층(103) , 제4유전체층(105), 및 커버층(107)을 포함한다. 여기서, 기판(91), 제1 내지 제4유전체층(93)(97)(101)(105), 기록층(99) 및, 커버층(107)은 앞서 설명된 동일 또는 실질상 동일한 부재명을 사용하는 구성요소와 동일한 구조 및 배치를 가지므로 그 자세한 설명은 생략하기로 한다.
본 실시예에 따른 정보저장매체는 2층 구조의 초해상재생층 즉, 제1 및 제2초해상재생층(95)(103)을 구비한 점에 있어서, 앞서 설명된 제1실시예에 따른 정보저장매체와 구별된다. 여기서, 제1 및 제2초해상재생층(95)(103) 각각은 제1실시예에 따른 초해상재생층과 같은 구성을 가진다.
이와 같이, 2층 구조의 정보저장매체를 구성하는 경우는 상기 기록층(99)에 기록되는 기록마크 특히, 분해능 이하 크기를 가지는 기록마크에 대한 정보의 재생시 제1 및 제2초해상재생층(95)(103) 각각의 초해상 영역에서의 광학적 특성 변화를 이용함으로써, 단층 구조의 정보저장매체에 비하여 보다 나은 품질의 신호를 검출할 수 있다.
이하, 도 7 및 도 8을 참조하면서 본 발명의 실시예에 따른 정보저장매체 특히, 제5실시예에 따른 정보저장매체에 있어서 기록층이 W+Si 혼합막으로 이루어진 경우의 저역 노이즈 특성을 살펴보기로 한다.
도 7을 참조하면, 비교예에 따른 초해상 정보저장매체는 트랙피치 0.32㎛, 두께 1.1 mm의 폴리카보네이트로 된 기판과, 이 기판 상에 순차로 스퍼터링법으로 형성되는 70 nm 두께를 가지는 ZnS-SiO2로 된 유전체층, 20 nm 두께를 가지는 Ge-Sb-Te로 된 상변화층, 25 nm 두께를 가지는 ZnS-SiO2로 된 유전체층, 4 nm 두께의 PtOX의 금속 산화물층, 25 nm 두께를 가지는 ZnS-SiO2로 된 유전체층, 20 nm 두께를 가지는 Ge-Sb-Te로 된 상변화층, 95 nm 두께를 가지는 ZnS-SiO2로 된 유전체층을 포함한다. 여기서, 상부에 위치된 유전체층 상에는 스핀 코팅법에 의해 0.1 mm 두께의 레진으로 이루어진 커버층을 형성한다. 이와 같이 구성된 초해상 정보저장매체는 상기 커버층을 통하여 레이저 빔을 조사함으로써 정보 재생을 수행한다.
한편, 도 8을 참조하면, 실시예에 따른 초해상 정보저장매체는 트랙피치 0.32㎛, 두께 1.1 mm의 폴리카보네이트로 된 기판을 준비하고, 이 기판 상에 순차 로 스퍼터링법으로 형성되는 70 nm 두께를 가지는 ZnS-SiO2로 된 제1유전체층, 15 nm 두께를 가지는 Ge-Sb-Te로 된 제1초해상재생층, 25 nm 두께를 가지는 ZnS-SiO2로 된 제2유전체층, 30 nm 두께의 텅스텐(W)과 규소(Si) 혼합막인 기록층, 25 nm 두께를 가지는 ZnS-SiO2로 된 제3유전체층, 20 nm 두께를 가지는 Ge-Sb-Te로 된 제2초해상재생층, 95 nm 두께를 가지는 ZnS-SiO2로 된 제4유전체층을 포함한다. 상기 제4유전체층 상에는 0.1 mm 두께를 가지는 레진을 스핀 코팅함에 의하여 커버층을 형성한다.
도 8에 도시된 바와 같이 구성된 본 발명의 초해상 정보저장매체는 상기 커버층을 통하여 레이저 빔을 조사함으로써 정보 재생을 수행한다.
상기한 바와 같이 구성된 비교예와 실시예 모두 Ge-Sb-Te층은 원자수 구성비 Ge : Sb : Te = 6.5 : 72.6 : 21.0을 가지며, ZnS-SiO2층은 원자수 구성비 ZnS : SiO2 = 80 : 20을 가진다.
상기한 바와 같이, 준비된 비교예와 실시예에 따른 정보저장매체에 대한 기록과 재생은 405 nm 파장(λ)의 광을 조사하는 광원과, NA 0.85의 대물렌즈를 구비하여 119 nm의 분해능( λ/4NA)을 가지는 광픽업 시스템을 이용하였다.
도 9는 상기한 기록 방식으로 기록된 분해능 보다 작은 75 nm 크기의 마크(2T 마크)의 파형을 나타낸 것이다. 이때, 상기 정보저장매체의 회전 선속도는 5 m/sec이고, 기준 클럭 주파수는 133 MHz이다. 또한, 기록파워 Pw는 6mW이고, 바 이어스 파워 Pbias는 2.2 mW이다.
도 10은 도 7 및 도 8에 도시된 정보저장매체에 있어서, 도 9에 도시된 기록파형을 기록한 후, 측정된 주파수 변화에 따른 저역 노이즈 변화를 보인 그래프이다.
비교예와 실시예 모두 33 Mhz에서 피크 신호가 얻어져 초해상 재생이 이루어짐을 알 수 있다. 한편, 5 Mhz 이하의 저역에서 노이즈를 살펴보면, 실시예에 따른 정보저장매체가 비교예에 따른 정보저장매체에 비하여, 저역 노이즈가 대략 5 내지 10 dB 가량 낮게 얻어짐을 알 수 있다. 그러므로, 기록층으로서 금속산화물층을 이용한 초해상 정보저장매체에 비하여, 실시예에 따른 반응형 기록층이 저역 노이즈 저감 측면에서 유리하다.
한편, 도 8에 도시된 초해상 정보저장매체 대신 기록층이 Si막, W막, Si막 순으로 적층 형성된 3층막 구조로 이루어진 경우에 있어서, 저역 노이즈 저감에 상응하는 효과를 얻을 수 있다. 즉, 다른 실시예에 따른 초해상 정보저장매체는 도 11에 도시된 바와 같이, 트랙피치 0.32㎛, 두께 1.1 mm의 폴리카보네이트로 된 기판을 준비하고, 이 기판 상에 순차로 스퍼터링법으로 형성되는 70 nm 두께를 가지는 ZnS-SiO2로 된 제1유전체층, 15 nm 두께를 가지는 Ge-Sb-Te로 된 제1초해상층, 25 nm 두께를 가지는 ZnS-SiO2로 된 제2유전체층, 총 30 nm 두께를 가지는 3층 구조의 기록층, 25 nm 두께를 가지는 ZnS-SiO2로 된 제3유전체층, 20 nm 두께를 가지는 Ge-Sb-Te로 된 제2초해상재생층, 95 nm 두께를 가지는 ZnS-SiO2로 된 제4유전체 층을 포함한다. 상기 제4유전체층 상에는 0.1 mm 두께를 가지는 레진을 스핀 코팅함에 의하여 커버층을 형성한다. 여기서, 3층 구조의 기록층은 제3유전체층 상에 순차로, 10.8nm 두께의 규소(Si), 8.4nm 두께의 텅스텐(W), 10.8nm 두께의 규소(Si)를 적층 형성한 것이다.
이 경우, 앞서 설명된 바와 같은 방식으로 저역 노이즈 대비 신호 특성을 살펴보면, 신호 레벨이 도 8에 도시된 정보저장매체에서의 결과 보다 높아진다. 따라서, 상기한 바와 같이 저역 노이즈가 낮아지는 것에 상응하는 효과를 얻을 수 있다.
도 12를 참조하면서, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 정보기록/재생장치를 상세히 설명하기로 한다.
도면을 참조하면, 정보기록/재생 장치는 픽업부(210), 신호처리부(220) 및 제어부(230)를 포함하여, 도 2 내지 도 6에 도시된 바와 같은 구조의 정보저장매체에 대하여 정보의 기록 및/또는 재생을 수행한다.
상기 픽업부(210)는 빔을 조사하는 광원(211)과, 입사빔을 집속시켜 정보저장매체(D)에 빔스폿이 형성되도록 하는 대물렌즈(217) 및 상기 정보저장매체(D)에서 반사된 빔을 수광하는 광검출기(219)를 포함한다. 또한, 상기 픽업부(210)는 입사빔을 평행하게 바꾸어주는 콜리메이팅렌즈(213)와, 입사빔의 진행 경로를 변환하는 빔스프리터(213)을 포함한다.
상기 신호처리부(220)는 상기 광검출기(219)에서 검출되고, 광전변환된 신호로부터 정보신호와 오차신호를 산출한다. 즉, 상기 광검출기(219)에서 광전변환되 어 출력된 신호는 연산회로(221)를 거쳐 전기신호로 변환되어 RF 신호, 즉, 썸신호로 검출되는 채널1(Ch1)과 푸시풀 방식의 신호를 검출하는 차동신호 채널(Ch2)로 출력된다. 이들 중 RF 신호는 재생신호로 이용되고, 차동신호는 상기 대물렌즈(217)의 트랙 오차 및 포커스 오차를 보상하는데 이용된다.
상기 제어부(23)는 상기 신호처리부(220)에서 검출된 신호로부터 상기 광(210)원에서 출력되는 빔 파워 및 대물렌즈(217)의 구동을 제어한다.
상기한 바와 같이 구성된 본 발명의 실시예에 따른 정보저장매체는 기록층을 구성하는 두 가지 이상의 물질의 화학반응을 이용하여 사각 단면 형상 또는 사각 단면에 가까운 형상의 기록마크를 형성할 수 있다. 따라서, 마크 크기의 불균일이 줄어 들게 되어, 신호 레벨이 균일하게 됨으로써 저역 노이즈를 저감시킬 수 있다. 따라서, 양호한 지터 특성의 확보가 가능하다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 정보기록/재생장치는 상기한 구조의 정보저장매체에 대해 정보의 기록/재생을 수행하므로, 양호한 지터 특성을 얻을 수 있다.
상기한 실시예들은 예시적인 것에 불과한 것으로, 당해 기술분야의 통상을 지식을 가진자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 하기의 특허청구범위에 기재된 발명의 기술적 사상에 의해 정해져야만 할 것이다.

Claims (27)

  1. 정보기록재생장치로부터 입사된 빔의 분해능 이하 크기의 기록마크를 포함하는 정보저장매체에 있어서,
    기판과;
    상기 기판 상에 형성되며, 적어도 두 가지 이상의 물질로 이루어진 층으로, 입사된 기록파워의 빔에 의해 상기 물질이 서로 화학반응을 하여 다른 물성의 화합물로 된 기록마크를 형성하고 상기 기록마크 주변은 상기 물질 각각의 물성이 유지되는 기록층과;
    상기 기록층의 상부 및/또는 하부에 형성되는 것으로, 입사된 빔스폿의 일부 영역의 광학적 특성이 변화하는 초해상재생층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 정보저장매체.
  2. 정보기록재생장치로부터 입사된 빔의 분해능 이하 크기의 기록마크를 포함하는 정보저장매체에 있어서,
    기판과;
    상기 기판 상에 형성되는 것으로, 입사된 빔스폿의 일부 영역의 광학적 특성이 변화하는 초해상재생층과;
    상기 초해상재생층의 상부 및/또는 하부에 형성되며, 적어도 두 가지 이상의 물질로 이루어진 층으로, 입사된 기록파워의 빔에 의해 상기 물질이 서로 화학반응을 하여 다른 물성의 화합물로 된 기록마크를 형성하고 상기 기록마크 주변은 상기 물질 각각의 물성이 유지되는 기록층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 정보저장매체.
  3. 제1항 또는 제2항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 상에는 광학적 및/또는 열적특성을 제어하는 적어도 일 층 이상의 유전체층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 정보저장매체.
  4. 제3항에 있어서, 상기 유전체층은,
    산화물, 질화물, 탄화물, 황화물, 불화물 중 적어도 어느 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 정보저장매체.
  5. 제4항에 있어서, 상기 유전체층은,
    산화규소(SiOX), 산화마그네슘(MgOX), 산화알루미늄(AlOX), 산화티타늄(TiOX), 산화바나듐(VOX), 산화크롬(CrOX), 산화니켈(NiOX), 산화질코늄(ZrOX), 산화게르마늄(GeOX), 산화아연(ZnOX), 질화규소(SiNX), 질화알루미늄(AlNX), 질화티타늄(TiNX), 질화질코늄(ZrNX), 질화게르마늄(GeNX), 탄화규소(SiC), 황화아연(ZnS), 황화아연-이산화규소 화합물(ZnS-SiO2), 불화마그네슘(MgF2) 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 정보저장매체.
  6. 정보기록재생장치로부터 입사된 빔의 분해능 이하 크기의 기록마크를 포함하는 정보저장매체에 있어서,
    기판과;
    상기 기판 상에 형성된 제1유전체층과;
    상기 제1유전체층 상에 형성되는 것으로, 입사된 빔스폿의 일부 영역의 광학적 특성이 변화하는 초해상재생층과;
    상기 초해상재생층 상에 형성된 제2유전체층과;
    상기 제2유전체층 상에 형성되는 것으로, 적어도 두 가지 이상의 물질로 이루어지며, 입사된 기록파워의 빔에 의해 상기 물질이 서로 화학반응을 하여 기록마크를 형성하는 기록층과;
    상기 기록층 상에 형성된 제3유전체층과;
    입사빔이 투과되는 곳으로, 상기 제3유전체층 상에 형성된 커버층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 정보저장매체.
  7. 정보기록재생장치로부터 입사된 빔의 분해능 이하 크기의 기록마크를 포함하는 정보저장매체에 있어서,
    기판과;
    상기 기판 상에 형성된 제1유전체층과;
    상기 제1유전체층 상에 형성되는 것으로, 적어도 두 가지 이상의 물질로 이루어지며, 입사된 기록파워의 빔에 의해 상기 물질이 서로 화학반응을 하여 기록마크를 형성하는 기록층과;
    상기 기록층 상에 형성된 제2유전체층과;
    상기 제2유전체층 상에 형성되는 것으로, 입사된 빔스폿의 일부 영역의 광학적 특성이 변화하는 초해상재생층과;
    상기 초해상재생층 상에 형성된 제3유전체층과;
    입사빔이 투과되는 곳으로, 상기 제3유전체층 상에 형성된 커버층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 정보저장매체.
  8. 정보기록재생장치로부터 입사된 빔의 분해능 이하 크기의 기록마크를 포함하는 정보저장매체에 있어서,
    기판과;
    상기 기판 상에 형성된 제1유전체층과;
    상기 제1유전체층 상에 형성되는 것으로, 입사된 빔스폿의 일부 영역의 광학적 특성이 변화하는 제1초해상재생층과;
    상기 제1초해상재생층 상에 형성된 제2유전체층과;
    상기 제2유전체층 상에 형성되는 것으로, 적어도 두 가지 이상의 물질로 이루어지며, 입사된 기록파워의 빔에 의해 상기 물질이 서로 화학반응을 하여 기록마크를 형성하는 기록층과;
    상기 기록층 상에 형성된 제3유전체층과;
    상기 제3유전체층 상에 형성되는 것으로, 입사된 빔스폿의 일부 영역의 광학적 특성이 변화하는 제2초해상재생층과;
    상기 제2초해상재생층 상에 형성된 제4유전체층과;
    입사빔이 투과되는 곳으로, 상기 제4유전체층 상에 형성된 커버층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 정보저장매체.
  9. 정보기록재생장치로부터 입사된 빔의 분해능 이하 크기의 기록마크를 포함하는 정보저장매체에 있어서,
    기판과;
    상기 기판 상에 형성된 제1유전체층과;
    상기 제1유전체층 상에 형성되는 것으로, 적어도 두 가지 이상의 물질로 이루어지며, 입사된 기록파워의 빔에 의해 상기 물질이 서로 화학반응을 하여 기록마크를 형성하는 제1기록층과;
    상기 제1기록층 상에 형성된 제2유전체층과;
    상기 제2유전체층 상에 형성되는 것으로, 입사된 빔스폿의 일부 영역의 광학적 특성이 변화하는 초해상재생층과;
    상기 초해상재생층 상에 형성된 제3유전체층과;
    상기 제3유전체층 상에 형성되는 것으로, 적어도 두 가지 이상의 물질로 이루어지며, 입사된 기록파워의 빔에 의해 상기 물질이 서로 화학반응을 하여 기록마크를 형성하는 제2기록층과;
    상기 제2기록층 상에 형성된 제4유전체층과;
    입사빔이 투과되는 곳으로, 상기 제4유전체층 상에 형성된 커버층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 정보저장매체.
  10. 제1항, 제2항, 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기록층은,
    상기 적어도 두 가지 이상의 물질들이 혼합 형성된 일층 구조로 이루어진 것을 특징으로 정보저장매체.
  11. 제1항, 제2항, 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기록층은,
    상기 적어도 두 가지 이상의 물질들 중 일부는 일층에 배치되고, 나머지는 그 상부 및/또는 하부에 배치된 것을 특징으로 하는 정보저장매체.
  12. 제1항, 제2항, 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기록층은,
    Si, V, Cr, Co, Ni, Cu, Ge, Se, Nb, Mo, Ag, Sn, Sb, Te, Ti, Zr, W 및 란탄계 원소들 중에서 선택된 적어도 두 가지 이상의 물질을 포함하는 것으로,
    이 선택된 물질들이 일 층에 혼합 형성되거나, 이층 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 정보저장매체.
  13. 제1항, 제2항, 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기록층은,
    순차로 적층 형성된 규소(Si) 재질층, 텅스텐(W) 재질층 및 규소(Si) 재질층을 포함하는 것을 특징으로 하는 정보저장매체.
  14. 제1항, 제2항, 제6항, 제7항 또는 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 초해상재생층은,
    S, Se, Te 중 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 칼코게나이드(Chalcogenide) 상변화 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 정보저장매체.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 초해상재생층은,
    Se-S, Se-Te, S-Te, P-S, P-Te, P-Se, As-S, As-Se, As-Te, Sb-S, Sb-Se, Sb-Te, Si-S, Si-Se, Si-Te, Ge-S, Ge-Se, Ge-Te, Sn-S, Sn-Se, Sn-Te, Ag-S, Ag-Se, Ag-Te, Al-S, Al-Se, Al-Te, Ga-S, Ga-Se, Ga-Te, In-S, In-Se 및, In-Te 로 된 칼코게나이드 상변화 재료 및, 이들 상변화 재료에 대해 적어도 하나 이상의 다른 원소를 첨가하여 된 화합물 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 정보저장매체.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 초해상재생층은,
    Sb-Te 칼코게나이드 상변화 재료와, Ge, Ag, In, Sb 및 Ga 중 적어도 어느 하나의 원소로 이루어진 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 정보저장매체.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 초해상재생층은,
    Ge-Sb-Te 또는 Ag-In-Sb-Te계의 상변화 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 정보저장매체.
  18. 제1항, 제2항, 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판의 적어도 일면이 반사코팅되어, 입사빔을 반사시킬 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 정보저장매체.
  19. 제1항, 제2항, 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 정보저장매체에 대하여 정보의 기록 및/또는 재생을 수행하는 것으로,
    빔을 조사하는 광원과, 입사빔을 집속시켜 정보저장매체에 빔스폿이 형성되도록 하는 대물렌즈 및 상기 정보저장매체에서 반사된 빔을 수광하는 광검출기를 포함하는 픽업부와;
    상기 광검출기에서 검출된 신호를 처리하여 정보신호와 오차신호를 산출하는 신호처리부와;
    상기 신호처리부에서 검출된 신호로부터 상기 광원에서 출력되는 빔 파워 및 대물렌즈의 구동을 제어하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 정보기록재생장치.
  20. 제9항에 있어서,
    상기 제1 및 제2기록층 각각은,
    상기 적어도 두 가지 이상의 물질들이 혼합 형성된 일층 구조로 이루어진 것을 특징으로 정보저장매체.
  21. 제9항에 있어서,
    상기 제1 및 제2기록층 각각은,
    상기 적어도 두 가지 이상의 물질들 중 일부는 일층에 배치되고, 나머지는 그 상부 및/또는 하부에 배치된 것을 특징으로 하는 정보저장매체.
  22. 제9항에 있어서,
    상기 제1 및 제2기록층 각각은,
    Si, V, Cr, Co, Ni, Cu, Ge, Se, Nb, Mo, Ag, Sn, Sb, Te, Ti, Zr, W 및 란탄계 원소들 중에서 선택된 적어도 두 가지 이상의 물질을 포함하는 것으로,
    이 선택된 물질들이 일 층에 혼합 형성되거나, 이층 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 정보저장매체.
  23. 제9항에 있어서,
    상기 제1 및 제2기록층 각각은,
    순차로 적층 형성된 규소(Si) 재질층, 텅스텐(W) 재질층 및 규소(Si) 재질층을 포함하는 것을 특징으로 하는 정보저장매체.
  24. 제8항에 있어서,
    상기 제1 및 제2초해상재생층 각각은,
    S, Se, Te 중 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 칼코게나이드(Chalcogenide) 상변화 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 정보저장매체.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 제1 및 제2초해상재생층 각각은,
    Se-S, Se-Te, S-Te, P-S, P-Te, P-Se, As-S, As-Se, As-Te, Sb-S, Sb-Se, Sb-Te, Si-S, Si-Se, Si-Te, Ge-S, Ge-Se, Ge-Te, Sn-S, Sn-Se, Sn-Te, Ag-S, Ag-Se, Ag-Te, Al-S, Al-Se, Al-Te, Ga-S, Ga-Se, Ga-Te, In-S, In-Se 및, In-Te 로 된 칼코게나이드 상변화 재료 및, 이들 상변화 재료에 대해 적어도 하나 이상의 다른 원소를 첨가하여 된 화합물 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 정보저장매체.
  26. 제24항에 있어서,
    상기 제1 및 제2초해상재생층 각각은,
    Sb-Te 칼코게나이드 상변화 재료와, Ge, Ag, In, Sb 및 Ga 중 적어도 어느 하나의 원소로 이루어진 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 정보저장매체.
  27. 제24항에 있어서,
    상기 제1 및 제2초해상재생층 각각은,
    Ge-Sb-Te 또는 Ag-In-Sb-Te계의 상변화 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 정보저장매체.
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