KR100670349B1 - 평판표시장치 및 그의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 화소를 한정하는 게이트 절연막을 잉크젯방식으로 형성한 평판표시장치 및 그의 제조방법을 개시한다.
본 발명의 평판표시장치의 제조방법은 기판상에 소오스/드레인 전극 및 화소전극과 상기 소오스/드레인 전극과 콘택되는 반도체층을 형성하는 단계와; 상기 화소전극의 표면을 표면처리하는 단계와; 상기 화소전극의 표면처리된 부분을 제외한 기판상에 잉크젯방식으로 절연물질을 코팅하여, 상기 화소전극을 한정하는 개구부를 구비하는 절연막을 형성하는 단계와; 상기 반도체층에 대응하는 절연막상에 게이트를 형성하는 단계를 포함한다.
Description
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 단면도,
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도,
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 단면도,
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도,
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 단면도,
도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도,
도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치에 있어서, 게이트 절연막의 개구부 패턴의 일 예를 도시한 도면,
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
100, 200, 300 : 유기전계 발광표시장치
110, 210, 310 : 기판 130, 230, 330 : 반도체층
121, 125, 221, 225, 321, 325 : 소오스/드레인 전극
140, 240, 340 : 게이트 절연막 145, 245, 345 : 개구부
150, 250, 350 : 게이트 160, 260, 360 : 하부전극
170, 270, 370 : 유기막층 180, 280, 380 : 상부전극
본 발명은 평판표시장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 화소를 한정하는 개구부를 구비하는 게이트 절연막을 잉크젯방식으로 형성한 유기전계 발광표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
유기 박막 트랜지스터는 차세대 디스플레이장치의 구동소자로서 활발한 연구가 진행되고 있다. 유기 박막 트랜지스터(OTFT, organic thin film transistor)는 반도체층으로 실리콘막 대신에 유기막을 사용하는 것으로서, 유기막의 재료에 따라 올리고티오펜(oligothiophene), 펜타센(pentacene) 등과 같은 저분자 유기물과 폴리티오펜(polythiophene) 계열 등과 같은 고분자 유기물로 분류된다.
통상적으로, 플렉서블 유기전계 발광표시장치는 기판으로 플렉서블 기판을 사용하고, 상기 플렉서블 기판은 플라스틱 기판 등을 포함한다. 플라스틱 기판은 열안정성이 매우 취약하여 저온공정을 이용하여 유기 전계 발광표시장치를 제조하는 것이 요구되고 있다.
이에 따라 반도체층으로 유기막을 사용하는 유기 박막 트랜지스터는 저온공정이 가능하므로, 플렉서블 유기전계 발광표시장치의 스위칭소자로서 각광을 받고 있다.
종래의 유기 박막 트랜지스터를 구비한 유기전계 발광표시장치는 기판상에 소오스/드레인 전극, 반도체층 및 게이트를 구비하는 박막 트랜지스터가 형성되고, 상기 박막 트랜지스터상부에 보호막이 형성되며, 보호막상에 하부전극, 유기막층 및 상부전극을 구비하는 유기발광소자가 형성되는 구조를 갖는다.
상기 박막 트랜지스터의 소오스/드레인 전극과 게이트사이에는 게이트절연막이 형성된다. 상기 하부전극은 보호막에 형성된 비어홀을 통해 상기 박막 트랜지스터의 소오스/드레인 전극중 하나에 연결된다. 화소분리막은 하부전극의 일부분을 노출시켜 주는 개구부를 구비하며, 상기 개구부의 화부전극상에 유기막층이 형성되고 그위에 상부전극이 형성된다.
상기한 바와같은 종래의 유기전계 발광표시장치는 유기막층으로부터의 광이 발광되는 경로에 따라 배면발광구조, 전면발광구조 그리고 양면발광구조를 갖는다. 배면발광형 유기전계 발광표시장치에서는 유기발광층으로부터 발광되는 광이 기판쪽으로 방출되고, 전면발광형 유기전계 발광표시장치에서는 유기발광층으로부터 발광되는 광이 기판반대방향으로 방출되며, 양면발광형 유기전계 발광표시장치에서는 유기발광층으로부터 광이 기판과 기판반대방향으로 동시에 방출된다.
상기한 바와같은 유기전계 발광표시장치는 소오스/드레인 전극, 반도체층 및 게이트를 구비하는 박막 트랜지스터를 형성하는 공정과, 보호막을 형성한 다음 마스크공정을 통해 비어홀을 형성하는 공정과, 보호막상에 비어홀을 통해 박막 트랜지스터에 연결되는 하부전극을 형성하는 공정과, 상기 하부전극상에 화소분리 막을 증착한 다음 마스크공정을 통해 화소전극을 노출시키기 위한 개구부를 형성하는 공정과, 유기막 및 상부전극을 형성하는 공정을 포함하므로, 공정이 매우 복잡한 문제점이 있었다.
또한, 상기 화소분리막에 개구부를 형성할 때 사진식각공정을 통하여 형성하는 경우에는 포토레지스트의 잔존물이 남게 되고, 이로 인하여 패턴불량등을 유발하는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 화소를 한정하는 개구부를 구비하는 게이트 절연막을 잉크젯방식으로 형성하여 공정을 단순화한 평판표시장치 및 그의 제조방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 기판상에 소오스/드레인 전극 및 화소전극과 상기 소오스/드레인 전극과 콘택되는 반도체층을 형성하는 단계와; 잉크젯방식을 이용하여 상기 화소전극을 한정하는 개구부를 구비하는 절연막을 형성하는 단계와; 상기 반도체층에 대응하는 절연막상에 게이트를 형성하는 단계를 포함하는 평판표시장치의 제조방법을 제공하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 평판표시장치의 제조방법은 상기 절연막을 형성하는 단계전에 기판표면을 플라즈마 처리하는 단계를 더 포함한다. 상기 플라즈마 처리단계는 상기 개구부를 제외한 기판표면을 Ar 및 O2 플라즈마를 이용하여 플라즈마 처리하거나 또는 상기 개구부에 대응하는 기판표면을 CF4 또는 C3F8를 이용한 불소계 플라즈마를 이용하여 플라즈마 처리한다.
일 실시예에 따르면, 상기 화소전극은 소오스/드레인 전극중 하나의 전극으로부터 연장형성되거나 또는 소오스/드레인 전극중 하나의 전극과 전기적으로 콘택되도록 형성된다. 상기 반도체층은 유기반도체물질을 포함하며, 상기 소오스/드레인 전극은 서로 다른 물질로 이루어진다.
상기 소오스 전극/드레인 전극중 하나의 전극은 ITO, IZO, ZnO 및 In2O3 으로부터 선택되는 투과전극을 포함하거나 또는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물로부터 선택되는 반사물질과 ITO, IZO, ZnO 및 In2O3 로부터 선택되는 투명도전물질의 적층막을 구비하는 반사전극을 포함한다. 상기 소오스 전극/드레인 전극중 다른 하나의 전극은 Au, Pd 및 Pt 로부터 선택되는, 유기반도체층과의 일함수를 맞추기 위한 전극물질을 포함한다.
다른 실시예에 따르면, 상기 반도체층은 유기반도체물질을 포함하며, 상기 소오스/드레인 전극과 화소전극은 서로 다른 물질을 포함한다. 상기 소오스 전극/드레인 전극은 Au, Pd 및 Pt 로부터 선택되는, 상기 반도체층과의 일함수를 맞추기 위한 전극물질을 포함하고, 상기 화소전극은 ITO, IZO, ZnO 및 In2O3 으로부터 선택되는 투과전극을 포함하거나 또는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물로부터 선택되는 반사물질과 ITO, IZO, ZnO 및 In2O3 로부터 선택되는 투명도전물질의 적층막을 구비하는 반사전극을 포함한다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 화소전극은 소오스/드레인 전극중 하나의 전극으로부터 연장형성되는 반사막과; 상기 반사막과 오버랩되도록 형성된 투명전극 층을 구비한다. 상기 반도체층은 유기반도체물질을 포함하며, 상기 화소전극의 반사막은 상기 소오스/드레인 중 하나의 전극과 동일한 물질로 이루어진다.
상기 반사막은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물로부터 선택되는 반사물질을 포함하며, 투명전극층은 상기 ITO, IZO, ZnO 및 In2O3 으로부터 선택되는 투명도전막을 포함한다.
상기 소오스 전극/드레인 전극중 다른 하나의 전극은 상기 반도체층과의 일함수를 맞추기 위한 전극물질로서, Au, Pd, Pt, 산화 MoW 및 PEDOT 으로부터 선택되는 도전성 물질을 포함한다.
상기 게이트 절연막(140)은 PI/Al2O3, 폴리이미드(polyimide), 폴리비닐페놀(PVP, poly vinyl phenol), 파릴렌(parylene), PVA(polyvinyl alcohol), PVC(polyvinyl chloride), PMMA(poly methylmethacrylate)을 포함하는 그룹으로 선택되는 막을 포함한다. 상기 게이트 절연막(140)은 잉크젯이 용이하게 되도록 표면처리가 된 기판상에 형성되는 것이 바람직하다. 상기 표면처리는 CF4 또는 C3F8 과 같은 불소계 개스를 이용하여 수행하거나 또는 Ar, O2 플라즈마 개스를 이용하여 수행된다.
본 발명은 기판과; 상기 기판상에 형성된 소오스전극 및 드레인 전극과; 상기 소오스/드레인 전극과 콘택되는 반도체층과; 기판상에 형성된 게이트와; 상기 소오스/드레인 전극과 게이트사이에 형성되고, 개구부를 구비하는 절연막과; 상기 절연막의 개구부에 의해 일부분이 노출되는 화소전극을 포함하며, 상기 절연막은 잉크젯방식에 의해 형성된 평판표시장치를 제공하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 평판표시장치는 기판상에 서로 교차하도록 배열되는 다수의 게이트라인 및 데이터라인과; 상기 다수의 게이트라인 및 데이터라인에 의해 한정되는 다수의 화소영역을 더 포함하며, 각 화소영역에는 소오스/드레인 전극, 반도체층 및 게이트를 구비하는 박막 트랜지스터와; 상기 박막 트랜지스터에 연결되는 화소전극이 배열되며, 상기 절연막의 개구부는 각 화소영역에 배열된 화소전극의 일부분을 노출시키도록 메쉬형태를 갖거나 또는 다수의 화소영역중 게이트라인을 따라 배열되는 화소전극의 일부분을 노출시키는 라인형태 또는 데이터라인을 따라 배열되는 화소전극의 일부분을 노출시키는 라인형태를 갖는다.
이하 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 단면도를 도시한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치(100)는 기판상에 매트릭스형태로 배열되는 다수의 화소를 구비하며, 각 화소는 2개의 박막 트랜지스터, 스위칭 박막 트랜지스터와 구동 박막 트랜지스터 그리고 캐패시터와 유기발광소자를 구비한다. 도 1에는 유기발광소자와 상기 유기발광소자를 구동하기 위한 구동박막트랜지스터에 대하여 한정 도시한 것이다.
도 1을 참조하면, 기판(110)상에 소오스/드레인 전극(121), (125)이 형성되고, 하부전극(160)이 상기 소오스/드레인 전극(121), (125)중 하나의 전극, 예를 들어 드레인 전극(125)으로부터 연장형성된다. 상기 하부전극(160)은 각 화소의 화소전극으로 작용한다. 상기 소오스/드레인 전극(121), (125)과 콘택되도록 반도체층(130)이 형성된다.
기판상에 게이트 절연막(140)이 형성되고, 상기 게이트 절연막(140)상에 게이트(150)가 형성된다. 상기 게이트 절연막(140)은 상기 하부전극(160)에 대응하는 부분에 개구부(145)를 구비하여 하부전극(160)을 한정하는 화소분리막의 역할을 한다.
상기 개구부(145)의 하부전극(160)상에 유기막층(170)이 형성되고, 기판상에 상부전극(180)이 형성된다. 상기 유기막층(170)은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 및 정공억제층으로부터 선택되는 하나이상의 유기막을 포함한다. 본 발명의 실시예에서는, 상기 유기막층(170)이 절연막(140)의 개구부(145)내에 형성되는 것을 예시하였으나, 이에 반드시 한정되는 것이 아니라 각 화소의 발광층(도면상에는 도시되지 않음)은 개구부(145)내에 형성되어 이웃하는 화소의 발광층과는 분리되도록 형성되고, 공통층인 전하수송층은 기판전면에 형성되도록 형성할 수도 있다.
상기 기판(110)은 글라스기판, 플라스틱기판 또는 금속기판을 포함한다. 상기 금속기판은 바람직하게는 SUS(steel use stainless)를 포함한다. 상기 플라스틱기판은 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propinonate: CAP)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 플라스틱 필름을 포함한다.
상기 반도체층(130)은 유기 반도체층을 포함하며, 펜타센(pentacene), 테트라센(tetracene), 안트라센(anthracene), 나프탈렌(naphthalene), 알파-6-티오펜, 페릴렌(perylene) 및 그 유도체, 루브렌(rubrene) 및 그 유도체, 코로넨(coronene) 및 그 유도체, 페릴렌 테트라카르복실릭디이미드(perylene tetracarboxylic diimide) 및 그 유도체, 페릴렌테트라카르복실릭 디안하이드라이드(perylene tetracarboxylic dianhydride) 및 그 유도체, 폴리티오펜 및 그 유도체, 폴리파라페릴렌비닐렌 및 그 유도체, 폴리플로렌 및 그 유도체, 폴리티오펜비닐렌 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌 및 그 유도체, 폴리티오펜-헤테로고리방향족 공중합체 및 그 유도체, 나프탈렌의 올리고아센 및 이들의 유도체, 알파-5-티오펜의 올리고티오펜 및 이들의 유도체, 금속을 함유하거나 함유하지 않은 프탈로시아닌 및 이들의 유도체, 파이로멜리틱 디안하이드라이드 및 그 유도체, 파이로멜리틱 디이미드 및 이들의 유도체, 퍼릴렌테트라카르복실산 디안하이드라이드 및 그 유도체, 나프탈렌 테트라카르복시산 디이미드 및 이들의 유도체, 나프탈렌 테트라카르복시산 디안하이드라이드 및 이들의 유도체로부터 선택되는 유기막을 포함한다.
한편, 상기 반도체층(130)은 비정질 실리콘막 또는 다결정 실리콘막과 같은 실리콘막을 포함하며, 상기 소오스/드레인 전극(121), (125)과 콘택되는 부분에 고농도 불순물이 도핑된 소오스/드레인 영역을 포함할 수도 있다.
상기 게이트 절연막(140)은 PI/Al2O3, 폴리이미드(polyimide), 폴리비닐페놀 (PVP, poly vinyl phenol), 파릴렌(parylene), PVA(polyvinyl alcohol), PVC(polyvinyl chloride), PMMA(poly methylmethacrylate)을 포함하는 그룹으로 선택되는 막을 포함한다. 상기 게이트 절연막(140)은 잉크젯이 용이하게 되도록 표면처리가 된 기판상에 형성되는 것이 바람직하다. 상기 표면처리는 CF4 또는 C3F8 과 같은 불소계 개스를 이용하여 수행하거나 또는 Ar, O2 플라즈마 개스를 이용하여 수행된다.
일 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치(100)에서, 소오스전극(121)과 드레인 전극(125)은 서로 다른 물질로 이루어진다. 소오스전극(121)은 반도체층(130)과의 콘택저항이 중요하므로, 상기 반도체층(130)과 일함수가 맞는 물질을 포함한다. 즉, 상기 소오스전극(121)은 유기반도체층(130)보다 일함수가 큰 전극물질을 포함하며, Au, Pt 및 Pd 으로부터 선택되는 금속전극물질을 포함한다.
한편, 상기 드레인 전극(125)은 게이트 절연막(140)에 의해 노출되는 부분이 하부전극(160) 즉, 애노드전극으로 작용하므로, 드레인 전극은 하부전극물질을 포함하는 것이 바람직하다.
예를 들어, 상기 유기전계 발광표시장치(100)가 배면발광구조를 갖는 경우, 상기 하부전극(160)은 투과전극을 포함하는 것이 바람직하다. 하부전극(160)은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 와 같은 투명도전막을 포함하는 것이 바람직하다. 한편, 전면발광구조를 갖는 경우에는, 상기 하부전극(160)은 반사전극을 포함하며, 바람직하게는 하부전극(160)은 투명도전막과, 상기 투명도전막의 하부에 반사율이 우수한 반사막을 구비한다. 상기 하부전극(160)을 위한 투명도전막은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등을 포함하고, 반사막으로는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등을 포함한다.
상기 상부전극(180)은 배면발광구조를 갖는 경우에는 반사전극을 포함하며, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 또는 이들의 화합물 등을 포함한다. 한편, 전면발광구조를 갖는 경우에는 상부전극(180)은 투과전극을 포함하며, 금속막과 투명도전막의 적층구조를 갖는다. 상기 상부전극(180)을 위한 금속막은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 또는 이들의 화합물 등을 포함하고, 투명도전막은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등을 포함한다.
도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계 발광표시장에 있어서, 게이트 절연막(140)의 개구부(145)의 패턴예를 도시한 것이다. 본 발명의 유기전계 발광표시장치(100)는 다수의 게이트라인(101)과 다수의 데이트라인(103)이 기판(110)상에 배열되고, 상기 다수의 게이트라인(101)과 다수의 데이터라인(103)에 의해 한정되는 다수의 화소영역(105)을 구비한다.
각 화소영역(105)에는 도 1에 도시된 바와같은 하부전극(160)인 화소전극을 구비하는 유기발광소자와, 상기 유기발광소자를 구동하기 위한 박막 트랜지스터가 배열된다. 또한, 전원전압을 공급하기 위한 전원라인(도면상에는 도시되지 않음) 이 배열되는데, 상기 게이트라인(105)과는 교차하고 상기 데이터라인과는 나란하게 배열될 수 있다.
도 7a 내지 도 7c에는 게이트라인(101), 데이터라인(103) 및 화소영역(105)에 배열되는 화소전극(160)에 한정하여 개략적으로 도시한 것이다. 본 발명의 실시 예에서는 각 화소영역(105)에 화소전극(160)을 구동하기 위한 하나의 박막 트랜지스터에 대하여만 도시한 것이다.
도 7a를 참조하면, 게이트 절연막(140)은 기판상에 형성되고, 각 화소영역(105)에 배열되는 화소전극(160)의 일부분을 각각 노출시키는 메쉬형태의 개구부(145)를 갖는다.
도 7b를 참조하면, 게이트 절연막(140)은 기판상에 형성되고, 다수의 화소영역(105)에 배열되는 화소전극(160)중 일방향으로 배열되는 화소전극, 즉 데이터라인을 따라 배열되는 화소전극의 일부분을 노출시키도록 라인형태의 개구부(145)를 갖는다.
도 7c를 참조하면, 상기 게이트 절연막(140)은 기판상에 형성되고, 다수의 화소영역에 배열되는 화소전극(160)중 일방향으로 배열되는 화소전극, 즉 게이트라인을 따라 배열되는 화소전극의 일부분을 노출시키도록 라인형태의 개구부(145)를 갖는다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 일 실시예에 따른 잉크젯방식을 이용한 유기전계 발광표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도를 도시한 것이다.
도 2a를 참조하면, 기판(110)상에 소오스전극(121)과 드레인 전극(125)을 형성하고, 상기 소오스전극(121) 및 드레인 전극(125)과 콘택되도록 반도체층(130)을 형성한다. 기판(110)은 플라스틱기판, 글라스기판 또는 금속기판을 사용한다. 상기 반도체층(130)은 유기반도체층을 포함한다. 또한, 상기 반도체층(130)은 실리콘막을 포함할 수도 있다.
상기 소오스전극(121)은 반도체층(130)과의 콘택저항을 감소시키기 위한 물질, 예를 들어 Au, Pd 또는 Pt 등을 포함한다. 상기 드레인 전극(125)은 유기전계 발광소자의 하부전극으로 사용되므로, 투과전극물질을 포함하거나 또는 반사전극물질을 포함한다. 예를 들어, 드레인 전극(125)은 투과전극으로 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등을 포함하거나, 또는 반사전극으로서 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등의 반사전극물질과 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등의 투명도전막의 적층막을 포함한다.
도 2b를 참조하면, 상기 소오스/드레인 전극(121), (125)중 하나의 전극, 예를 들어 드레인 전극(125)의 일부분을 표면처리한다. 이때, 표면처리공정은 불소계 플라스마를 사용하여 표면을 소수성으로 만들어준다. 이때, 불소계 플라즈마를 이용한 표면처리공정은 CF4 또는 C3F8 과 같은 불소계 개스를 이용한다.
도 2c를 참조하면, 기판상에 게이트 절연막을 위한 절연물질을 포함하는 용액을 잉크젯헤드(도면상에는 도시되지 않음)로부터 토출시켜 게이트 절연막(140)을 형성한다. 이때, 상기 드레인 전극(125)중 표면처리된 부분에는 게이트 절연막(140)이 형성되지 않고 상기 드레인 전극(125)을 노출시키는 개구부(145)가 형성된다.
상기 게이트 절연막(140)은 도 7a 내지 도 7c에 도시된 바와같은 형태의 개구부(145)를 구비한다. 상기 드레인 전극(125)중 게이트 절연막(140)의 개구부(145)에 노출되는 부분은 애노드전극인 하부전극(160)이 된다. 따라서, 상기 게이트 절연막(140)은 개구부(145)에 의해 하부전극(160)을 한정하는 화소정의막으로도 작용한다.
다른 예로서, 기판표면과 잉크와의 접착력이 양호하지 않은 경우에는, 즉 기판표면이 소수성을 띠는 경우에는, 드레인 전극(125)의 일부분을 노출시키는 개구부(145)에 대응하는 부분을 제외한 기판표면을 표면처리하여 개구부(145)를 구비하는 게이트 절연막(140)을 형성하는 것도 가능하다.
즉, 개구부(145)에 대응하는 드레인 전극(125)의 표면을 제외한 기판전면에 대한 Ar 및 O2 플라즈마를 이용한 표면처리공정을 수행하여, 기판의 표면을 친수성으로 개질하여 접착력을 향상시켜 준다. 이어서, 게이트 절연물질을 포함하는 잉크를 기판표면에 토출하게 되면 표면처리되어 접착력이 향상된 부분에만 게이트 절연막(140)이 코팅된다. 따라서, 플라즈마 표면처리되지 않는 드레인 전극(125)의 표면에는 게이트 절연막(140)이 형성되지 않는 개구부(145)를 구비한 게이트 절연막(140)이 형성된다.
상기 게이트 절연막(140)은 PI/Al2O3, 폴리이미드(polyimide), 폴리비닐페놀(PVP, poly vinyl phenol), 파릴렌(parylene), PVA(polyvinyl alcohol), PVC(polyvinyl chloride), PMMA(poly methylmethacrylate)을 포함하는 그룹으로 선택되는 막을 포함한다.
도 2d를 참조하면, 상기 게이트 절연막(140)중 반도체층(130)에 대응하는 부분에 게이트(150)를 형성한다. 이어서, 기판상에 유기막층(170)과 상부전극(180)을 형성하면 도 1에 도시된 바와같은 일 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치(100)가 제조된다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 단면도를 도시한 것이다. 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치(200)는 기판상에 매트릭스형태로 배열되는 다수의 화소를 구비하며, 각 화소는 2개의 박막 트랜지스터, 스위칭 박막 트랜지스터와 구동 박막 트랜지스터 그리고 캐패시터와 유기발광소자를 구비한다. 도 3에는 유기발광소자와 유기발광소자를 구동하기 위한 구동 박막 트랜지스터에 한정하여 도시한 것이다.
도 3을 참조하면, 기판(210)상에 소오스/드레인 전극(221), (225)이 형성되고, 하부전극(260)이 상기 소오스/드레인 전극(221), (225)중 하나의 전극, 예를 들어 드레인 전극(225)에 연결되도록 기판상에 형성된다. 상기 하부전극(360)은 각 화소의 화소전극으로 작용한다. 상기 소오스/드레인 전극(221), (225)과 콘택되도록 반도체층(230)이 형성된다.
기판상에 게이트 절연막(240)이 형성되고, 상기 게이트 절연막(240)상에 게이트(250)가 형성된다. 상기 게이트 절연막(240)은 상기 하부전극(260)에 대응하는 부분에 개구부(245)를 구비하여 하부전극(260)을 한정하는 화소분리막의 역할한다.
상기 개구부(245)의 하부전극(260)상에 유기막층(270)이 형성되고, 기판상에 상부전극(280)이 형성된다. 상기 유기막층(270)은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 및 정공억제층으로부터 선택되는 하나이상의 유기막을 포함한다.
상기 기판(210)은 일 실시예에서와 마찬가지로 글라스기판, 플라스틱기판 또는 금속기판을 포함하며, 상기 반도체층(230)은 유기반도체막 또는 실리콘막을 포 함한다.
상기 게이트 절연막(240)은 상기 하부전극(260)을 노출시키기 위한 개구부(245)를 구비한다. 개구부(245)는 도 7a 내지 도 7c에 도시된 바와 같이 메쉬형태 또는 라인형태의 구조를 갖는다.
상기 게이트 절연막(140)은 PI/Al2O3, 폴리이미드(polyimide), 폴리비닐페놀(PVP, poly vinyl phenol), 파릴렌(parylene), PVA(polyvinyl alcohol), PVC(polyvinyl chloride), PMMA(poly methylmethacrylate)을 포함하는 그룹으로 선택되는 막을 포함한다. 상기 게이트 절연막(140)은 잉크젯이 용이하게 되도록 표면처리가 된 기판상에 형성되는 것이 바람직하다. 상기 표면처리는 CF4 또는 C3F8 과 같은 불소계 개스를 이용하여 수행하거나 또는 Ar, O2 플라즈마 개스를 이용하여 수행된다.
상기 소오스/드레인 전극(221), (225)은 반도체층(230)과의 콘택저항이 중요하므로, 상기 반도체층(230)과 일함수가 맞는 물질을 포함한다. 상기 소오스/드레인 전극(221), (225)은 유기반도체층(230)보다 일함수가 큰 전극물질을 포함하며, Au, Pt 및 Pd 으로부터 선택되는 금속전극물질을 포함한다.
상기 하부전극(260)은 상기 유기전계 발광표시장치(200)가 배면발광구조를 갖는 경우, 투과전극을 포함하는 것이 바람직하다. 하부전극(260)은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 와 같은 투명도전막을 포함하는 것이 바람직하다. 한편, 전면발광구조를 갖는 경우에는, 상기 하부전극(260)은 반사전극을 포함하며, 바람직하게는 하부전극(260)은 투명도전막과, 상기 투명도전막의 하부에 반사율이 우수한 반사막 을 구비한다. 상기 하부전극(260)을 위한 투명도전막은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등을 포함하고, 반사막으로는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등을 포함한다.
상기 상부전극(280)은 배면발광구조를 갖는 경우에는 반사전극을 포함하며, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 또는 이들의 화합물 등을 포함한다. 한편, 전면발광구조를 갖는 경우에는 상부전극(280)은 투과전극을 포함하며, 금속막과 투명도전막의 적층구조를 갖는다. 상기 상부전극(280)을 위한 금속막은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 또는 이들의 화합물 등을 포함하고, 투명도전막은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등을 포함한다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 잉크젯방식을 이용하여 유기전계 발광표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도를 도시한 것이다.
도 4a를 참조하면, 기판(210)상에 소오스전극(221)과 드레인 전극(225)을 형성하고, 상기 소오스/드레인 전극(221), (225)중 하나의 전극, 예를 들어 드레인 전극(225)에 연결되는 하부전극(260)과, 상기 소오스전극(221) 및 드레인 전극(225)과 콘택되도록 반도체층(230)을 형성한다. 기판(210)은 플라스틱기판, 글라스기판 또는 금속기판을 사용한다. 상기 반도체층(230)은 유기반도체층을 포함한다. 또한, 상기 반도체층(230)은 실리콘막을 포함할 수도 있다.
상기 소오스/드레인 전극(221), (225)은 반도체층(230)과의 콘택저항을 감소시키기 위한 물질, 예를 들어 Au, Pd 또는 Pt 등을 포함한다. 상기 하부전극(260)은 투과전극물질을 포함하거나 또는 반사전극물질을 포함한다. 예를 들어, 하부전 극(260)은 투과전극으로 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등을 포함하거나, 또는 반사전극으로서 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등의 반사전극물질과 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등의 투명도전막의 적층막을 포함한다.
도 4b를 참조하면, 상기 하부전극(260)의 일부분을 표면처리한다. 이때, 표면처리공정은 불소계 플라스마를 사용하여 표면을 소수성으로 만들어준다. 이때, 불소계 플라즈마를 이용한 표면처리공정은 CF4 또는 C3F8 과 같은 불소계 개스를 이용한다.
도 4c를 참조하면, 기판상에 게이트 절연막을 위한 절연물질을 포함하는 용액을 잉크젯헤드(도면상에는 도시되지 않음)로부터 토출시켜 게이트 절연막(240)을 형성한다. 이때, 상기 하부전극(260)중 표면처리된 부분에는 게이트 절연막(240)이 형성되지 않고 상기 하부전극(260)을 노출시키는 개구부(245)가 형성된다.
상기 게이트 절연막(240)은 도 7a 내지 도 7c에 도시된 바와같은 형태의 개구부(245)를 구비한다. 따라서, 상기 게이트 절연막(240)은 개구부(245)에 의해 하부전극(260)을 한정하는 화소정의막으로도 작용한다.
다른 예로서, 다른 예로서, 기판표면과 잉크와의 접착력이 양호하지 않은 경우에는, 즉 기판표면이 소수성을 띠는 경우에는, 하부전극(260)의 일부분을 노출시키는 개구부(245)에 대응하는 부분을 제외한 기판표면을 표면처리하여 개구부(245)를 구비하는 게이트 절연막(240)을 형성하는 것도 가능하다.
즉, 개구부(245)에 대응하는 하부전극(260)의 표면을 제외한 기판전면에 대한 Ar 및 O2 플라즈마를 이용한 표면처리공정을 수행하여, 기판의 표면을 친수성으 로 개질하여 접착력을 향상시켜 준다. 이어서, 게이트 절연물질을 포함하는 잉크를 기판표면에 토출하게 되면 표면처리되어 접착력이 향상된 부분에만 게이트 절연막(240)이 코팅된다. 따라서, 플라즈마 표면처리되지 않는 하부전극(260)의 표면에는 게이트 절연막(240)이 형성되지 않는 개구부(245)를 구비한 게이트 절연막(240)이 형성된다.
상기 게이트 절연막(140)은 PI/Al2O3, 폴리이미드(polyimide), 폴리비닐페놀(PVP, poly vinyl phenol), 파릴렌(parylene), PVA(polyvinyl alcohol), PVC(polyvinyl chloride), PMMA(poly methylmethacrylate)을 포함하는 그룹으로 선택되는 막을 포함한다.
도 4d를 참조하면, 상기 절연막(240)중 반도체층(230)에 대응하는 부분에 게이트(250)를 형성한다. 이어서, 기판상에 유기막층(270)과 상부전극(280)을 형성하면 도 3에 도시된 바와같은 다른 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치(200)가 제조된다. 상부전극(280)은 투과전극 또는 반사전극을 포함한다.
도 5은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 단면도를 도시한 것이다. 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치(300)는 기판상에 매트릭스형태로 배열되는 다수의 화소를 구비하며, 각 화소는 2개의 박막 트랜지스터, 스위칭 박막 트랜지스터와 구동 박막 트랜지스터 그리고 캐패시터와 유기발광소자를 구비한다. 도 5에는 유기발광소자와 유기발광소자를 구동하기 위한 구동 박막 트랜지스터에 한정하여 도시한 것이다.
도 5를 참조하면, 기판(310)상에 소오스/드레인 전극(321), (325)이 형성되 고, 하부전극(360)이 상기 소오스/드레인 전극(321), (325)중 하나의 전극, 예를 들어 드레인 전극(325)에 연결되도록 기판상에 형성된다. 상기 소오스/드레인 전극(321), (325)과 콘택되도록 반도체층(330)이 형성된다.
기판상에 게이트 절연막(340)이 형성되고, 상기 게이트 절연막(340)상에 게이트(350)가 형성된다. 상기 게이트 절연막(340)은 상기 하부전극(360)에 대응하는 부분에 도 7a 내지 도 7c에 도시된 바와같은 메쉬 또는 라인형태의 개구부(345)를 구비한다. 따라서, 상기 게이트 절연막(340)은 하부전극(360)의 발광영역을 한정하는 화소분리막의 역할을 한다.
상기 개구부(345)의 하부전극(360)상에 유기막층(370)이 형성되고, 기판상에 상부전극(380)이 형성된다. 상기 유기막층(370)은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 및 정공억제층으로부터 선택되는 하나이상의 유기막을 포함한다.
상기 기판(310)은 일 실시예에서와 마찬가지로 글라스기판, 플라스틱기판 또는 금속기판을 포함하며, 상기 반도체층(230)은 유기반도체막 또는 실리콘막을 포함한다.
상기 게이트 절연막(140)은 PI/Al2O3, 폴리이미드(polyimide), 폴리비닐페놀(PVP, poly vinyl phenol), 파릴렌(parylene), PVA(polyvinyl alcohol), PVC(polyvinyl chloride), PMMA(poly methylmethacrylate)을 포함하는 그룹으로 선택되는 막을 포함한다. 상기 게이트 절연막(140)은 잉크젯이 용이하게 되도록 표면처리가 된 기판상에 형성되는 것이 바람직하다. 상기 표면처리는 CF4 또는 C3F8 과 같은 불소계 개스를 이용하여 수행하거나 또는 Ar, O2 플라즈마 개스를 이용하여 수행된다.
상기 소오스전극(321)과 드레인 전극(325)은 서로 다른 물질로 이루어지고, 상기 소오스전극(321)은 반도체층(330)과의 콘택저항이 중요하므로, 유기반도체층(330)보다 일함수가 큰 전극물질을 포함하며, Au, Pt, Pd, 산화 MoW 및 PEDOT 으로부터 선택되는 도전성물질을 포함한다. 상기 드레인 전극(325)은 하부전극(360)의 반사막(361)으로도 작용하므로, 반사율이 우수한 물질, 예를 들어 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등을 포함한다.
다른 실시예에 따른 전면발광형 유기전계 발광표시장치(300)에서, 상기 하부전극(360)은 각 화소의 화소전극으로 작용하며, 반사막(361)과 투명전극층(365)을 구비한다. 하부전극(360)중 반사막(361)은 상기한 바와같이 반사율이 우수한 물질로서 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등을 포함하고, 상기 투명전극층(365)은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등과 같은 투명도전막을 포함한다.
한편, 전면발광구조를 갖는 경우에는, 상부전극(380)은 투과전극을 포함하며, 금속막과 투명도전막의 적층구조를 갖는다. 상기 상부전극(380)을 위한 금속막은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 또는 이들의 화합물 등을 포함하고, 투명도전막은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등을 포함한다.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 잉크젯방식을 이용한 유기전계 발광표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도를 도시한 것이다.
도 6a를 참조하면, 기판(310)상에 소오스전극(321)과 드레인 전극(325)을 형성하고, 상기 소오스/드레인 전극(321), (325)중 하나의 전극, 예를 들어 드레인 전극(325)과 오버랩되도록 투과전극(365)과 상기 소오스전극(321) 및 드레인 전극(325)과 콘택되도록 반도체층(330)을 형성한다.
기판(310)은 플라스틱기판, 글라스기판 또는 금속기판을 사용한다. 상기 반도체층(330)은 유기반도체층을 포함한다. 또한, 상기 반도체층(330)은 실리콘막을 포함할 수도 있다.
상기 소오스 전극(321)은 반도체층(330)과의 콘택저항을 감소시키기 위한 물질, 예를 들어 Au, Pd, Pd, 산화 MoW 또는 PEDOT 등과 같은 도전성물질을 포함한다. 상기 드레인 전극(325)중 상기 투과전극(365)과 오버랩되는 부분(361)은 반사막으로 작용하여 상기 투과전극(365)과 함께 하부전극(360)을 형성한다. 따라서, 하부전극(360)은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등과 같은 투명전극층(365)과 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등과 같은 반사막(361)을 포함한다.
도 6b를 참조하면, 상기 하부전극(360)의 일부분을 표면처리한다. 이때, 표면처리공정은 불소계 플라스마를 사용하여 표면을 소수성으로 만들어후속의 잉크젯공정시 잉크와의 접착력을 감소시켜 준다. 이때, 불소계 플라즈마를 이용한 표면처리공정은 CF4 또는 C3F8 과 같은 불소계 개스를 이용한다.
도 6c를 참조하면, 기판상에 게이트 절연막을 위한 절연물질을 포함하는 용액을 잉크젯헤드(도면상에는 도시되지 않음)로부터 토출시켜 게이트 절연막(340)을 형성한다. 이때, 상기 하부전극(360)중 표면처리된 부분에는 게이트 절연막(340)이 형성되지 않고 상기 하부전극(360)을 노출시키는 개구부(345)가 형성된다.
상기 게이트 절연막(340)은 도 7a 내지 도 7c에 도시된 바와같은 형태의 개구부(345)를 구비한다. 따라서, 상기 게이트 절연막(340)은 개구부(345)에 의해 하부전극(360)을 한정하는 화소정의막으로도 작용한다.
다른 예로서, 기판표면과 잉크와의 접착력이 양호하지 않은 경우에는, 즉 기판표면이 소수성을 띠는 경우에는, 화소전극(360)을 노출시키는 개구부(345)에 대응하는 부분을 제외한 기판표면을 표면처리하여 개구부(345)를 구비하는 게이트 절연막(340)을 형성하는 것도 가능하다.
즉, 개구부(345)에 대응하는 화소전극(360)의 표면을 제외한 기판전면에 대한 Ar 및 O2 플라즈마를 이용한 표면처리공정을 수행하여, 기판의 표면을 친수성으로 개질하여 접착력을 향상시켜 준다. 이어서, 게이트 절연물질을 포함하는 잉크를 기판표면에 토출하게 되면 표면처리되어 접착력이 향상된 부분에만 게이트 절연막(340)이 코팅된다. 따라서, 플라즈마 표면처리되지 않는 화소전극(360)의 표면에는 게이트 절연막(340)이 형성되지 않은 게이트 절연막(340)이 형성된다.
상기 게이트 절연막(140)은 PI/Al2O3, 폴리이미드(polyimide), 폴리비닐페놀(PVP, poly vinyl phenol), 파릴렌(parylene), PVA(polyvinyl alcohol), PVC(polyvinyl chloride), PMMA(poly methylmethacrylate)을 포함하는 그룹으로 선택되는 막을 포함한다.
도 6d를 참조하면, 상기 절연막(340)중 반도체층(330)에 대응하는 부분에 게 이트(350)를 형성한다. 이어서, 기판상에 유기막층(370)과 상부전극(380)을 형성하면 도 3에 도시된 바와같은 다른 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치(300)가 제조된다. 상부전극(380)은 투과전극을 포함한다.
본 발명의 실시예에서는 게이트 절연막이 화소분리막으로 작용하므로, 게이트 전극상에 바로 상부전극이 콘택되는 구조를 예시하였으나, 도면상에는 도시되지 않았으나, 게이트전극과 상부전극사이에 절연막을 형성하는 방법 등을 이용하여 이들을 전기적으로 분리시켜 준다.
본 발명의 실시예에서는 유기 박막 트랜지스터를 구비하는 유기전계 발광표시장치에 있어서, 게이트절연막을 화소전극을 한정하는 화소분리막으로 사용하는 구조를 예시하였으나, 이에 반드시 국한되는 것이 아니라 박막 트랜지스터를 스위칭소자로서 사용하는 액정표시장치 등과 같은 평판표시장치에도 적용할 수 있음은 물론이다.
본 발명의 실시예에서는 탑게이트방식의 박막 트랜지스터를 구비하는 유기전계 발광표시장치에 대하여 설명하였으나, 이에 반드시 한정되는 것이 아니라 게이트 절연막을 화소정의막으로 공유하는 구조에는 모두 적용가능하다.
또한, 본 발명은 화소영역에 배열되는 하나의 화소구조로 구동 박막 트랜지스터 및 유기발광소자만을 예시하였으나, 이에 반드시 국한되는 것이 아니라 다양한 형태의 화소구조를 갖는 유기전계 발광표시장치에 적용할 수 있다.
상기한 바와같은 본 발명의 실시예의 유기전계 발광표시장치와 그의 제조방 법에 따르면, 게이트 절연막이 상기 화소전극을 한정하는 화소분리막으로 작용하므로, 화소전극과 박막 트랜지스터의 소오스/드레인 전극중 하나의 전극과의 연결시켜주는 비어홀을 형성하기 위한 마스크공정과 화소전극의 발광영역을 한정하는 화소정의막을 형성하기 위한 공정이 배재된다. 이로써 소자의 구조 및 공정이 단순화할 수 있다.
또한, 본 발명에서는 잉크젯 방식을 이용하여 게이트 절연막에 화소전극을 정의하기 위한 개구부를 형성하므로, 통상적인 화소분리막의 개구부를 형성하기 위한 사진식각공정이 배제되므로, 감광성 물질의 잔존물이 남게 되고, 이로 인하여 패턴불량을 방지할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
Claims (18)
- 기판상에 소오스/드레인 전극 및 화소전극과 상기 소오스/드레인 전극과 콘택되는 반도체층을 형성하는 단계와;잉크젯방식을 이용하여 상기 화소전극을 한정하는 개구부를 구비하는 절연막을 형성하는 단계와;상기 반도체층에 대응하는 절연막상에 게이트를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 절연막은 게이트절연막으로 작용함과 동시에 상기 화소전극을 한정하는 화소분리막으로 작용하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 절연막은 PI/Al2O3, 폴리이미드(polyimide), 폴리비닐페놀(PVP, poly vinyl phenol), 파릴렌(parylene), PVA(polyvinyl alcohol), PVC(polyvinyl chloride), PMMA(poly methylmethacrylate)을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 막을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 절연막을 형성하는 단계전에 기판표면을 플라즈마 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조방법.
- 제4항에 있어서,상기 플라즈마 처리단계는 상기 개구부를 제외한 기판표면을 Ar 및 O2 플라즈마를 이용하여 플라즈마 처리하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조방법.
- 제4항에 있어서,상기 플라즈마 처리단계는 상기 개구부에 대응하는 기판표면을 CF4 또는 C3F8를 이용한 불소계 플라즈마를 이용하여 플라즈마 처리하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 화소전극은 소오스/드레인 전극중 하나의 전극으로부터 연장형성되거나 또는 하나의 전극과 연결되는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조방법.
- 제7항에 있어서,상기 반도체층은 유기반도체물질을 포함하며, 상기 소오스/드레인 전극은 서로 다른 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조방법.
- 제8항에 있어서,상기 소오스 전극/드레인 전극중 하나의 전극은 ITO, IZO, ZnO 및 In2O3 으로부터 선택되는 투과전극을 포함하거나 또는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물로부터 선택되는 반사물질과 ITO, IZO, ZnO 및 In2O3 로부터 선택되는 투명도전물질의 적층막을 구비하는 반사전극을 포함하며,상기 소오스 전극/드레인 전극중 다른 하나의 전극은 Au, Pd 및 Pt 로부터 선택되는, 유기반도체층과의 일함수를 맞추기 위한 전극물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조방법.
- 제7항에 있어서,상기 반도체층은 유기반도체물질을 포함하며, 상기 소오스/드레인 전극과 화소전극은 서로 다른 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조방법.
- 제10항에 있어서,상기 소오스 전극/드레인 전극은 Au, Pd 및 Pt 로부터 선택되는, 상기 반도체층과의 일함수를 맞추기 위한 전극물질을 포함하고,상기 화소전극은 ITO, IZO, ZnO 및 In2O3 으로부터 선택되는 투과전극을 포함하거나 또는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물로부터 선택되는 반사물질과 ITO, IZO, ZnO 및 In2O3 로부터 선택되는 투명도전물질의 적층막을 구비하는 반사전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 화소전극은 소오스/드레인 전극중 하나의 전극으로부터 연장형성되는 반사막과; 상기 반사막과 오버랩되도록 형성된 투명전극층을 구비하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조방법.
- 제12항에 있어서,상기 반도체층은 유기반도체물질을 포함하며,상기 화소전극의 반사막은 상기 소오스/드레인 중 하나의 전극과 동일한 물질로 이루어지고,상기 반사막은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물로부터 선택되는 반사물질을 포함하며,상기 투명전극층은 ITO, IZO, ZnO 및 In2O3 으로부터 선택되는 투명도전막을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조방법.
- 제13항에 있어서,상기 소오스 전극/드레인 전극중 다른 하나의 전극은 상기 반도체층과의 일 함수를 맞추기 위한 전극물질로서, Au, Pd, Pt, 산화 MoW 및 PEDOT 으로부터 선택되는 도전성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조방법.
- 기판과;상기 기판상에 형성된 소오스전극 및 드레인 전극과;상기 소오스/드레인 전극과 콘택되는 반도체층과;기판상에 형성된 게이트와; 상기 소오스/드레인 전극과 게이트사이에 형성되고, 개구부를 구비하는 절연막과;상기 소오스/드레인 전극중 하나의 전극에 연결되며, 상기 절연막의 개구부에 의해 일부분이 노출되는 화소전극을 포함하며,상기 절연막은 잉크젯방식에 의해 형성된 평판표시장치.
- 제15항에 있어서,상기 절연막은 PI/Al2O3, 폴리이미드(polyimide), 폴리비닐페놀(PVP, poly vinyl phenol), 파릴렌(parylene), PVA(polyvinyl alcohol), PVC(polyvinyl chloride), PMMA(poly methylmethacrylate)을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 막을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
- 제15항에 있어서,기판상에 서로 교차하도록 배열되는 다수의 게이트라인 및 데이터라인과;상기 다수의 게이트라인 및 데이터라인에 의해 한정되는 다수의 화소영역을 더 포함하며,각 화소영역에는 소오스/드레인 전극, 반도체층 및 게이트를 구비하는 박막 트랜지스터와; 상기 박막 트랜지스터에 연결되는 화소전극이 배열되며,상기 절연막의 개구부는 각 화소영역에 배열된 화소전극의 일부분을 노출시키도록 메쉬형태를 갖거나 또는 다수의 화소영역중 게이트라인을 따라 배열되는 화소전극의 일부분을 노출시키는 라인형태 또는 데이터라인을 따라 배열되는 화소전극의 일부분을 노출시키는 라인형태를 갖는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
- 제15항에 있어서,상기 개구부에 대응하는 절연막 하부의 기판표면은 CF4 또는 C3F8을 이용한 불소계 플라즈마에 의해 표면처리된 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (2)
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| KR100918405B1 (ko) * | 2008-06-27 | 2009-09-24 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 평판 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
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2005
- 2005-07-06 KR KR1020050060716A patent/KR100670349B1/ko not_active IP Right Cessation
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|---|---|---|---|---|
| KR100940468B1 (ko) | 2006-03-29 | 2010-02-04 | 파이오니아 가부시키가이샤 | 유기 전계발광 표시 패널 및 그 제조방법 |
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| KR20070005397A (ko) | 2007-01-10 |
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