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KR100663142B1 - 탄성 표면파 장치 - Google Patents

탄성 표면파 장치 Download PDF

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KR100663142B1
KR100663142B1 KR1020010052059A KR20010052059A KR100663142B1 KR 100663142 B1 KR100663142 B1 KR 100663142B1 KR 1020010052059 A KR1020010052059 A KR 1020010052059A KR 20010052059 A KR20010052059 A KR 20010052059A KR 100663142 B1 KR100663142 B1 KR 100663142B1
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acoustic wave
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piezoelectric substrate
external connection
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스가아키라
우에다마사노리
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후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 과제는 압전 기판 웨이퍼 상태에서 패키지까지 적은 공정 단계수로 제조할 수 있는 탄성 표면파 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 탄성 표면파 장치는 압전 기판과, 상기 압전 기판 상에 형성되고 탄성 표면파를 생성하는 구동 전극부와 외부 접속 전극부를 갖는 전극부와, 상기 구동 전극부를 중공(中空)으로 덮으며 상기 압전 기판 상에 막형성 기법에 의해 형성되는 전기 도전성의 전극 보호부와, 상기 외부 접속 전극부 상에 형성된 도전체 기둥과, 상기 도전체 기둥의 선단에 형성된 외부 접속 단자를 구비하며, 상기 외부 접속 단자 및 상기 전극 보호부를 제외하고 상기 압전 기판은 수지 밀봉되어 있다.

Description

탄성 표면파 장치{SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE}
도 1은 종래의 탄성 표면파 소자를 갖는 탄성 표면파 장치 및 탄성 표면파 소자를 외부 접속 단자에 접속하기 위한 와이어 배선 접속 구조의 단면을 도시한 개략도이다.
도 2는 별도의 종래의 탄성 표면파 장치의 구성이며, 플립 칩 접속에 의한 물리적 고정과 전기적 접속 배선을 행하는 구성을 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 탄성 표면파(SAW) 소자 기능을 갖는 탄성 표면파 장치의 구조의 개략을 도시하는 단면도이다.
도 4는 도 3의 신호 추출용의 접속 단자 구조부를 상세하게 도시하는 도면이다.
도 5는 본 발명에 따른 탄성 표면파(SAW) 소자 필터가 형성된 탄성 표면파 장치의 실시예의 평면도이다.
도 6은 도 5를 지면 하측에서 보았을 때의 탄성 표면파 장치의 단면도이다.
도 7은 도 6의 외부 접속 전극 패드(200)의 상세예 구조를 도시하고 있다.
도 8은 금속돔(3)의 상세에 대해서 설명하는 도면이다.
도 9는 탄성 표면파 장치의 형성 공정을 도시한 도면이다.
도 10은 도 8에 도시한 공정에 의해 형성되는 금속돔(3) 및 금속 기둥(4)에 대하여, 수지 밀봉(41)의 처리 공정(H)의 상세 구조를 더욱 도시한 도면이다.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
1 : 압전 기판
2 : 전극부
20 : 외부 접속 전극부
21 : 구동 전극부
3 : 전극 보호부
4 : 금속 기둥
5 : 외부 접속 단자
6 : 수지 밀봉
10, 22, 40 : 중간층
본 발명은 탄성 표면파(SAW) 장치에 관한 것으로서, 특히 웨이퍼 공정에서 패키징까지 행할 수 있게 한 탄성 표면파 장치에 관한 것이다.
최근, 전자 장치의 소형 및 경량화가 진행되고 있으며, 휴대 전화나 무선 전화 등의 이동 통신기기가 급속히 보급되고 있다. 이들 이동 통신기기에 있어서의 무선 통신 회로의 고주파 회로부에 필터 소자가 탑재된 전자 디바이스를 많이 사용하고 있다.
필터 소자로서, 특히 소형 경량화 실현을 위해 탄성 표면파(SAW) 소자가 채용되고 있다. 도 1은 종래의 탄성 표면파 소자를 갖는 탄성 표면파 장치 및 탄성 표면파 소자를 외부 접속 단자에 접속하기 위한 와이어 배선 접속 구조의 단면을 도시하는 개략도이다.
다층 세라믹 패키지(100)와 금속캡(101)을 사용한 방식으로 탄성 표면파 장치의 패키지가 구성되어 있다. 그 패키지 내부의 기판(103) 상에 탄성 표면파 소자(104)를 도전성 수지(105)로 접착하고, 탄성 표면파 소자(104)의 입출력 단자와 접지 단자 사이가 알루미늄 와이어(106)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 기판(103)의 이면에 외부 접속 단자(107)가 형성되어 있다.
도 2는 또 다른 종래의 탄성 표면파 장치의 구성을 도시하며, 패키지 하부 기판(103)에 탄성 표면파 소자(104)를 접속 범프(108)로 접속하여 물리적 고정과 전기적 접속 배선을 행하고 있다.
이와 같이 도 1 및 도 2에 도시하는 구성에서는, 모두 세라믹 패키지(100) 내에서 전기 배선[도 1에 있어서는 알루미늄 와이어(106), 도 2에 있어서는 접속 범프(108)]이 형성되어 있다.
또한, 캡(101)에 관해서, 세라믹 패키지(100)와 접하는 부분에는 밀봉 재료(109)가 형성되어 있다. 이에 의해, 세라믹 패키지(100)와 캡(101)은 용접 밀봉되어 패키지 내부의 기밀성이 유지된다.
이와 같이, 탄성 표면파 장치의 소형화를 달성하기 위해 도 1와 도 2에 도시하는 구조에서는 알루미늄 와이어 접속이나 패키지(100)와 캡(101)에 의한 용접 밀 봉 구조에 사용되는 공간을 무시할 수 없다.
또한, 제조 순서로서, 개개의 탄성 표면파(SAW) 소자(104)는 압전 기판 웨이퍼에 패터닝에 의해 전극 배선을 행한 후에 웨이퍼를 칩 소자로 절단함으로써 얻어진다.
그리고 절단된 칩 소자를 패키지(100)에 탑재하고, 또한 캡(101)에 의해 밀봉하여 탄성 표면파 장치를 얻고 있다. 이 때문에, 캡(101)에 관한 비용이 탄성 표면파 장치의 제품 가격에 대하여 크게 영향을 주는 요인이 되고 있다. 이것에 대하여, 웨이퍼 상태에서 패키지 형성까지 행하는 기술이 알려져 있다(일본 특허 공개 공보2000-261285호).
이러한 일본 특허 공개 공보2000-261285호에 기재되는 기술에서는, 압전 기판 웨이퍼에 패터닝에 의해 전극을 형성하고, 또한 별도의 독립된 기판에 의해 커버 형성체를 작성한다. 이어서, 상기 커버 형성체를 패터닝에 의해 전극이 형성된 압전 기판 웨이퍼에 접합시켜 탄성 표면파 소자 기능을 갖는 탄성 표면파 장치를 형성한다.
따라서, 이러한 특허 공개 공보에 게재된 기술에서도 탄성 표면파 장치의 소형화에 한계가 있으면서 동시에, 커버 형성체를 별도로 형성해야 하고, 제조 공정 단계수에 있어서도 유리하지 않다. 따라서 장치의 가격도 비싸진다.
이러한 종래의 기술을 감안하여, 본 발명의 목적은 경량이며 소형 칩의 탄성 표면파 장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 압전 기판 웨이퍼 상태에서 패키징까지 적은 공정 단계수로 제조할 수 있는 탄성 표면파 장치를 제공하는 것이다.
상술한 과제를 달성하는 본 발명의 탄성 표면파 장치는, 압전 기판과, 상기 압전 기판 상에 형성되고 탄성 표면파를 생성하는 구동 전극부와, 상기 구동 전극부를 중공으로 덮는 도전성의 전극 보호부를 구비하고, 상기 전극 보호부는 상기 압전 기판 상에 막형성 기법에 의해 형성된 것을 특징으로 한다.
또한, 상술한 과제를 달성하는 본 발명의 탄성 표면파 장치의 바람직한 형태로서, 압전 기판과, 상기 압전 기판 상에 형성되고 탄성 표면파를 생성하는 구동 전극부와 외부 접속 전극부를 갖는 전극부와, 상기 구동 전극부를 중공으로 덮고 상기 압전 기판 상에 막형성 기법에 의해 형성되는 전기 전도성의 전극 보호부와, 상기 외부 접속 전극부 상에 형성된 도전체 기둥과, 상기 도전체 기둥의 선단에 형성된 외부 접속 단자를 구비하며, 상기 외부 접속 단자 및 상기 전극 보호부를 제외하고, 상기 압전 기판이 수지 밀봉되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 상술한 과제를 달성하는 본 발명의 탄성 표면파 장치의 제조 방법은, 압전 기판 웨이퍼 상에 탄성 표면파 소자 기능을 갖는 구동 전극을 형성하는 단계와, 상기 구동 전극의 상부 영역을 레지스트 코팅하는 단계와, 상기 레지스트 코팅을 덮도록 돔형으로 금속막을 이용해 피복하는 단계와, 상기 피복된 금속 돔 내의 레지스트를 배출하는 단계와, 이어서 수지 밀봉하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 특징은, 이하에 도면에 따라서 설명되는 발명의 실시 형태로부터 더욱 명백해진다.
도 3은 본 발명에 따른 탄성 표면파(SAW) 소자 기능을 갖는 탄성 표면파 장치의 구조의 개략을 도시하는 단면도이다.
도 3에 있어서, 압전 기판(1)에 형성된 전극부(2)는 신호 추출용의 외부 접속 단자(5)와 전기적으로 접속되는 외부 접속 전극부(20)와, 탄성 표면파(SAW) 소자 기능부로서 역할하는 여진 및 반사 전극을 갖는 구동 전극부(21)를 갖는다.
특징으로서, 탄성 표면파(SAW) 소자 기능부로서 역할하는 여진 및 반사 전극을 갖는 구동 전극부(21)의 상면부가 돔형의 전극 보호부(3)에 의해 중공으로 유지되어 기밀성이 유지되고 있다.
외부 접속 전극부(20)는 전극 패드로서 역할하고, 그 상부에는 신호 추출용의 외부 접속 단자(5)에 접속되는 금속 기둥(4)이 설치되어 있다. 금속 기둥(4)의 선단면에는 무연 솔더(lead free solder) 등의 금속 접합재로 구성되는 외부 접속 단자(5)가 형성되어 있다. 또한, 상기 전극 보호부(3)의 표면 및 외부 접속 단자(5) 부분을 제외하고 수지 밀봉(6)이 행해져 있다.
또한, 전극 보호부(3)에 의해 여진 및 반사용의 구동 전극부(21) 상의 기밀성을 유지하여 탄성 표면파 장치의 신뢰성을 확보할 수 있다.
이상의 본 발명의 특징적 구조에 의해 탄성 표면파 장치는 캡이나 패키징을 필요로 하지 않으며, 압전 기판 웨이퍼 상태에서 탄성 표면파 장치를 형성할 수 있다.
도 4는 도 3의 신호 추출용의 접속 단자 구조부의 상세를 도시한 도면이다. 외부 접속 전극부(20) 상에 도전성 중간층(22)을 형성하여 외부 접속 전극부(20)와 금속 기둥(4) 사이의 접합 강도를 증가시키고 있다.
또한, 금속 기둥(4)의 선단면과 금속 접합재로 구성되는 외부 접속 단자(5)와 접합되는 단면 사이에 도전성 중간층(40)을 마련함으로써 금속 접합재인 외부 접속 단자(5)로 금속 기둥(4)의 성분이 확산되는 것을 방지할 수 있다. 이로 인해, 탄성 표면파 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 5 및 도 6에는 본 발명의 실시예가 도시된다. 도 5는 본 발명에 따른 탄성 표면파(SAW) 소자 필터가 형성된 탄성 표면파 장치의 실시예의 평면도이다. 도 6은 도 5를 지면(紙面) 하측에서 보았을 때의 탄성 표면파 장치의 단면도이다.
도 5 및 도 6에 도시하는 탄성 표면파 장치의 압전 기판(1)으로서 LiTaO3 단결정 기판[이하, LT 기판(1)이라 기재한다]이 이용되고 있다. LiTaO3 단결정 기판 이외에 LiNbO3 단결정, 수정 등의 압전 효과를 갖는 기판 재료가 압전 기판으로서 사용 가능하다.
LT 기판(1) 상에 구동 전극(21)과 외부 접속 전극부(20)로서 신호선 접속 전극 패드(200), 접지 접속 전극 패드(201)가 형성되어 있고, 각 전극 패드의 주성분은 Al이다.
또한, 신호선 접속 전극 패드(200) 및 접지 접속 전극 패드(201)의 각 전극 패드와, 대응하는 구동 전극부(21) 사이는 Al 배선 패턴(202)으로 접속되어 있다.
여진 및 반사용의 구동 전극부(21) 상은 적정한 필터 특성을 얻기 위해서 중공일 필요가 있다. 이 때문에, 본 발명에 있어서 중공 부분(210)을 확보하는 금속돔(3)이 구동 전극부(21) 상에 형성되어 있다. 이 금속돔(3)은 실시예로서, Cu 또는 Cu를 주성분으로 하여 도금, 스퍼터 혹은 증착 등의 막형성 기법에 의해 형성된다.
또한, 금속돔(3)은 임의의 접지 배선 패턴과 접속되어 있기 때문에 금속돔 전체가 접지 전위로 되어 있다.
도 7은 도 6의 외부 접속 전극 패드(200)의 상세예의 구조를 도시하고 있다. 접지 전극 패드(201)의 구조가 입출력 전극 패드(200)와 동일하기 때문에, 도 7에서는 입출력 전극 패드(200) 만을 도시한다.
도 4에 도시된 LT 기판(1) 상에 형성된 절연성 중간층(10)은 SiO2 절연막으로 형성된다.
신호선 접속 전극 패드(200), 접지 접속 전극 패드(201)는 중간층(10)으로서의 SiO2 절연막을 패터닝하여 Al 함유 금속으로 형성된다. 또한, Al 함유의 신호선 접속 전극 패드(200) 상에 도전성 중간층(22)으로서 Ti 막을 증착이나 스퍼터로 생성한다.
이 도전성 중간층(22) 상에 Cu를 주성분으로 하는 금속 기둥(4)이 형성된다. 상기 도전성 중간층(22)의 Ti 막층에 의해 신호선 접속 전극 패드(200)와 금속 기둥(4)의 밀착 강도가 향상된다.
금속 기둥(4)을 형성한 후, 금속 기둥(4)의 선단면에 도전성 중간층(40)으로서, Sn 막을 도금, 증착 또는 스퍼터 등으로 형성한다. 이 Sn 막에 의해 금속 기둥(4)의 Cu 성분이 금속 접합재로서 무연 솔더로 형성되는 외부 접속 단자(5)로 확산되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 도 6에 도시하는 실시예에 있어서, 금속돔(3)의 표면 상에도 역시 외부 접속 단자(5)로서 무연 솔더의 금속 접합재가 형성되어 있다. 따라서, 금속돔(3) 상에 도전성 중간층(40)으로서 Sn 막을 형성하여도 좋다.
또한, LT 기판(1)의 표면은 무연 솔더의 금속 접합재로 형성되는 외부 접속 단자(5) 및 금속돔(3)을 제외하고, 에폭시 수지 혹은 폴리이미드 수지 등으로 코팅되어 경화된다.
여기서, 탄성 표면파 장치의 형성 공정을 도시한 도 9와 함께 도 8를 참조하면서, 상기 금속돔(3)을 상세하게 설명하겠다.
도 8의 (A)는 탄성 표면파(SAW) 소자 기능을 갖는 탄성 표면파 장치를 상면에서 투시하여 본 금속 기둥(4)의 배치 패턴 및 금속돔(3)의 형성 위치를 도시한 개략도이다.
여기서, 도 9를 참조하여 설명하면, 압전 기판 웨이퍼인 LT 기판(1) 상에 레지스트(A)를 코팅한다[처리 공정(A)]. 도 9에서는 압전 기판 웨이퍼로부터 칩 단위로 추출되는 한 개의 탄성 표면파 장치 부분만이 도시된다.
또한, 도 9의 처리 공정(A) 이전에, LT 기판(1) 상에 먼저 탄성 표면파 소자 기능부를 구성하기 위한 구동 전극(21) 및 외부 접속 단자(5)와 접속되는 외부 접 속 전극부(20)가 패터닝에 의해 형성되어야 하고, 이들 전극부는 이미 형성되어 있는 것으로 하고 공정의 도시는 생략한다.
이어서, 금속돔(3)의 중공 부분(210)에 상당하는 영역만 남도록 하여 패터닝하고, 레지스트(A)를 제거한다[처리 공정(B)].
이어서, 금속돔(3)의 상면에 상당하는 높이까지 레지스트(B)를 코팅한다[처리 공정(C)]. 따라서, 도 9의 (C)에 도시된 바와 같이 형성된 레지스트 막의 안, 금속돔(3)의 중공 형성 부분(210)(도 6 참조)에 대응하는 레지스트(A)막은 금속돔(3)의 주변에 형성되는 레지스트(B)막의 두께보다 얇게 형성된다.
이 후, 금속 기둥(4) 및 금속돔(3)에 상당하는 영역의 레지스트(B)를 패터닝에 의해 제거한다[처리 공정(D)].
도 8의 (B)는 도 8의 (A)의 중심선(k)에서의 단면도이다. 도 8의 (B)에 있어서, 금속돔(3)의 형성 부분을 제외한 부분에 레지스트(A, B)막이 형성되어 있으며, 이는 도 9에 대응하는 개략도이다. 또한, 도 8의 (B)에서는, 금속 기둥(4) 부분의 패터닝이 도시 생략된다.
이어서, 레지스트(A)막 및 레지스트(B)막이 형성된 상태에서 Cu 막을 전계 도금에 의해 100 ㎛의 두께(h)로 형성하고, 금속 기둥(4) 및 금속돔(3)을 형성한다[처리 공정(E)]. 더욱이, 전계 도금용의 급전 단자는 도시 생략된다. 무전계 도금으로 행하여도 좋다.
이어서, 레지스트(B)막을 박리하고, 금속돔(3)으로 덮힌 중공 부분(210)에 상당하는 레지스트(A)막이 레지스트 배출구(30)로부터 배출된다[처리 공정(F)]. 이 에 의해, 도 8의 (C)에 도시한 바와 같이 금속돔(3) 내에 중공 부분(210)이 형성된다.
여기서, 금속돔(3)의 형성 후 금속돔 주위의 레지스트(B)막이나 중공 부분(210) 내의 레지스트(A)막을 박리하는 공정 순서로서, 레지스트(B)막을 우선 박리하고, 다음에 레지스트(A)막을 레지스트 배출구(30)로부터 용제에 의해 배출한다. 단, 이들 레지스트(A)막 및 레지스트(B)막의 박리는 연속적으로 행하여도 좋다.
또한, 도 8에 있어서, 레지스트 배출구(30)는 상하 일개소[도 8의 (A)의 지면 상하]에 형성되어 있지만, 이것은 이해를 위해 간략하게 도시되어 있다.
즉, 금속돔(3) 부분에 마련된 레지스트 배출구(30)는 금속 기둥(4)의 전극 패턴과 금속돔(3)으로 덮여지는 구동 전극(21)을 접속하는 입출력 신호선[도 5의 알루미늄 배선 패턴(202)] 상에 위치하도록 배치된다. 이에 의해, 금속돔(3)과 입출력 신호선과의 접촉이 회피된다. 따라서, 도 5의 예에서는 알루미늄 배선 패턴(202)에 대응하는 상하 3개소씩에 레지스트 배출구(30)가 마련되어 있다.
도 9로 되돌아가서, 금속돔(3)과 동시에 형성된 금속 기둥(4)의 선단에 무연 솔더(Sn-Ag-Cu 등)를 융착하여 외부 접속 단자(5)가 형성된다[처리 공정(G)]. 또한, 외부 접속 단자(5) 및 금속돔(3)을 제외하고 수지 밀봉을 행한다[처리 공정(H)].
이에 의해, 탄성 표면파(SAW) 소자가 형성된 전자 디바이스를 얻을 수 있다. 또한, 도 9에서는, 전술한 바와 같이 간략하게 하기 위해 하나의 칩에 대한 탄성 표면파 장치의 제조 공정을 도시하고 있지만, 통상적으로 압전 기판 웨이퍼형의 LT 기판(1) 상에 복수개의 칩을 형성하고, 공정의 최종 단계에서 칩마다 추출하여 개개의 탄성 표면파 장치를 얻을 수 있다.
도 10은 도 8에 도시한 공정에 의해 형성되는 금속돔(3) 및 금속 기둥(4)에 대하여, 수지 밀봉(41)의 처리 공정(H)의 구조를 더욱 상세하게 도시하는 도면이다.
수지 밀봉(41)의 처리 공정(H)에 있어서, LT 기판(1) 상에 에폭시(b42)로 층을 형성하여 레지스트 배출구(30)를 밀봉한다. 에폭시(b42) 층은 입출력 신호선[알루미늄 배선 패턴(202)] 위를 덮고, 또한 금속돔(3) 사이에 들어가서 입출력 신호선과 금속돔(3) 사이의 전기적 절연성을 향상시킨다.
에폭시(b42) 층이 경화된 후, 그 위에 에폭시(a41) 층을 Cu 금속 기둥(4) 및 금속돔(3) 높이까지 도포하여 경화시킨다.
여기서, 이들 에폭시 a41 및 에폭시 b42에 의한 밀봉 수지층의 관계 조건에 있어서, 상층을 이루는 에폭시(a41)에 의한 밀봉 수지층보다 하층을 이루는 에폭시(b42)에 의한 밀봉 수지층의 경화 시간이 더 짧고 점성이 더 높아야 한다.
이것은, 에폭시 b42층 형성시 금속돔(3)의 레지스트 배출구(30) 부분은 덮고 중공부(210)까지 에폭시 b42가 들어갈 필요가 없기 때문이다. 이 때문에 에폭시 b42는 단시간에 경화되고 점성이 높아야 한다. 또한, 에폭시 a41층 형성시, 균일한 층을 형성하는 것이 바람직하다. 따라서, 에폭시 a41와 에폭시 b42에 대한 경화 속도와 점성의 관계에서는 상술한 조건을 만족해야 한다.
또한, 상기 에폭시 b42에 의한 층은 직접 레지스트 배출구(30) 영역에 폿팅(potting)만으로 형성하고 반드시 균일성을 갖는 수지층으로 형성될 필요는 없다.
또한, 에폭시(a41, b42)는 다른 수지, 예컨대 폴리이미드 수지로도 대용할 수 있지만, 상술한 경화 시간과 점성의 관계는 유지할 필요가 있다.
최종적으로는 레지스트(A) 배출구 자체는 폴리이미드 수지 또는 에폭시 수지에 의해 밀봉된다.
도 10에 있어서, 외부 접속 단자(5)와 금속 기둥(4) 및 금속돔(3) 사이에 Sn 밀착층(40)이 형성되어 있지만, 이 층은 도 9의 처리 공정(E)에 있어서, Cu 박막을 형성한 후에, 레지스트(B)에 의한 패터닝을 이용하여 Sn을 증착, 스퍼터 등에 의해 형성할 수 있다.
또한, 상기 실시 형태예에 있어서, 1개의 탄성 표면파 장치에 1개의 탄성 표면파 소자 기능부를 갖는 예를 도시했지만, 본 발명의 적용은 이것으로 한정되지 않는다. 복수개의 탄성 표면파 소자 기능부를 가지고, 각각의 탄성 표면파 소자 기능부에 대응하여 별개의 금속돔(3)을 형성할 수 있으며, 혹은 복수개의 탄성 표면파 소자 기능부에 공통으로 1개의 금속돔(3)을 형성하는 구성도 가능하다.
(부기 1)
압전 기판과,
상기 압전 기판 상에 형성되고 탄성 표면파를 생성하는 구동 전극부와, 상기 구동 전극부를 중공으로 덮는 도전성의 전극 보호부를 구비하며,
상기 전극 보호부는 상기 압전 기판 상에 막형성 기법에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
(부기 2) 부기 1에 있어서,
상기 전극 보호부는 막형성 기법으로서 도전성 물질의 도금에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
(부기 3) 부기 1에 있어서,
상기 전극 보호부는 막형성 기법으로서 도전성 물질의 스퍼터에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
(부기 4) 부기 1에 있어서,
상기 전극 보호부는 막형성 기법으로서 도전성 물질의 증착에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
(부기 5) 부기 1 내지 4 중 어느 하나에 있어서,
상기 도전성 물질은 Cu인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
(부기 6)
압전 기판과,
상기 압전 기판 상에 형성되고 탄성 표면파를 생성하는 구동 전극부와 외부 접속 전극부를 갖는 전극부와,
상기 구동 전극부를 중공으로 덮으며 상기 압전 기판 상에 막형성 기법에 의해 형성되는 전기 도정성의 전극 보호부와,
상기 외부 접속 전극부 상에 형성된 도전체 기둥과,
상기 도전체 기둥의 선단에 형성된 외부 접속 단자를 구비하며,
상기 외부 접속 단자 및 전극 보호부를 제외하고, 상기 압전 기판이 수지 밀봉되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
(부기 7) 부기 6에 있어서,
상기 전극 보호부의 표면과 전기적으로 접속된 외부 접속 단자를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
(부기 8) 부기 6에 있어서,
상기 도전체 기둥과 상기 외부 접속 전극부 사이 및 상기 도전체 기둥과 상기외부 접속 단자 사이에 중간층을 갖는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
(부기 9) 부기 1 또는 6에 있어서,
상기 압전 기판이 LiTaO3 단결정을 재료로 하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
(부기 10) 부기 1 또는 6에 있어서,
상기 압전 기판이 LiNbO3 단결정을 재료로 하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
(부기 11)
압전 기판 웨이퍼 상에 탄성 표면파 소자 기능을 갖는 구동 전극을 형성하는 단계와,
상기 구동 전극의 상부 영역을 레지스트 코팅하는 단계와,
상기 레지스트 코팅을 덮도록 돔형으로 금속막을 이용해 피복하는 단계와,
상기 피복된 금속 돔 내의 레지스트를 배출하는 단계와,
이어서 수지 밀봉하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치의 제조 방법.
(부기 12) 부기 11에 있어서,
상기 수지 밀봉 단계는 경화 속도와 점도가 높은 수지에 의한 제1 밀봉 단계와 상기 제1 밀봉 단계에서 이용되는 수지보다 경화 속도가 느리고 또한 점도가 낮은 수지에 의한 제2 밀봉 단계를 갖는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치의 제조 방법.
(부기 13) 부기 11에 있어서,
상기 수지 밀봉하는 수지는 에폭시 수지인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치의 제조 방법.
(부기 14) 부기 11에 있어서,
상기 수지 밀봉하는 수지는 폴리이미드 수지인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치의 제조 방법.
이상 도면에 따라서 실시 형태를 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 와이어 본딩을 필요로 하지 않기 때문에, 와이어에 필요한 공간이 필요 없게 될 뿐만 아니라 캡이나 패키지 자체가 필요 없게 된다. 이에 의해, 압전 기판 웨이퍼의 처리 공정만으로도 탄성 표면파 장치의 작성이 가능해져 저가격화를 도모할 수 있다.
또한, 웨이퍼 레벨의 칩 사이즈 패키징의 실현에 의해, 저가격의 경량이며 소형인 탄성 표면파 장치를 제공할 수 있게 된다.

Claims (10)

  1. 압전 기판과,
    상기 압전 기판 상에 형성되고 탄성 표면파를 생성하는 구동 전극부와,
    상기 구동 전극부를 중공으로 덮는 도전성의 전극 보호부를 구비하며,
    상기 전극 보호부는 상기 압전 기판 상에 막형성 기법에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전극 보호부는 막형성 기법으로서 도전성 물질의 도금에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 전극 보호부는 막형성 기법으로서 도전성 물질의 스퍼터에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 전극 보호부는 막형성 기법으로서 도전성 물질의 증착에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도전성 물질은 Cu인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  6. 압전 기판과,
    상기 압전 기판 상에 형성되고 탄성 표면파를 생성하는 구동 전극부와 외부 접속 전극부를 갖는 전극부와,
    상기 구동 전극부를 중공으로 덮으며 상기 압전 기판 상에 막형성 기법에 의해 형성된 전기 도전성의 전극 보호부와,
    상기 외부 접속 전극부 상에 형성된 도전체 기둥과,
    상기 도전체 기둥의 선단에 형성된 외부 접속 단자를 구비하며,
    상기 외부 접속 단자 및 상기 전극 보호부를 제외하고, 상기 압전 기판이 수지 밀봉되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 전극 보호부의 표면과 전기적으로 접속된 외부 접속 단자를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 도전체 기둥과 상기 외부 접속 전극부 사이와, 상기 도전체 기둥과 상기 외부 접속 단자 사이에 중간층이 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  9. 압전 기판 웨이퍼 상에 탄성 표면파 소자 기능을 갖는 구동 전극을 형성하는 단계와,
    상기 구동 전극의 상부 영역을 레지스트 코팅하는 단계와,
    상기 레지스트 코팅을 덮도록 돔형으로 금속막을 이용해 피복하는 단계와,
    상기 피복된 금속 돔 내의 레지스트를 배출하는 단계와,
    이어서 수지 밀봉하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 수지 밀봉 단계는 경화 속도와 점도가 높은 수지에 의한 제1 밀봉 단계와 상기 제1 밀봉 단계에서 이용되는 수지보다 경화 속도가 느리고 또한 점도가 낮은 수지에 의한 제2 밀봉 단계를 갖는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치의 제조 방법.
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