KR100653083B1

KR100653083B1 - Ｒｆ 스위치

Info

Publication number: KR100653083B1
Application number: KR1020040113065A
Authority: KR
Inventors: 윤석출; 남광우; 송인상; 심동하
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2004-12-27
Filing date: 2004-12-27
Publication date: 2006-12-01
Also published as: US7816662B2; US20060139842A1; US7638790B2; KR20060074345A; US20100059346A1

Abstract

RF 신호의 손실을 줄일 수 있는 RF 스위치가 개시된다. 본 발명에 의한 RF 스위치는, 구동전원의 일단자와 연결되는 제1전극유닛; 상기 구동전원의 타단자와 연결되는 제2전극; 및 상기 구동전원으로부터 전원의 인가여부에 따라 상기 제1전극유닛 및 제2전극과 선택적으로 접촉되는 유전체;를 포함한다.

RF 신호손실, 유전체, 임피던스, 스위치

Description

ＲＦ 스위치{RF switch}

도 1은 종래의 나노미터 단위의 RF 스위치를 개략적으로 나타낸 사시도,

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 스위치를 개략적으로 나타낸 사시도,

도 3a 및 도 3b는 도 2에 도시된 RF 스위치의 동작을 설명하기 위해 Ⅲ-Ⅲ를 따라 절개한 단면도,

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 RF 스위치를 개략적으로 나타낸 사시도,

도 5a 및 도 5b는 도 4에 도시된 RF 스위치의 동작을 설명하기 위해 Ⅴ-Ⅴ를 따라 절개한 단면도,

도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 RF 스위치를 개략적으로 나타낸 사시도,

도 7a 및 도 7b는 도 6에 도시된 RF 스위치의 동작을 설명하기 위해 Ⅶ-Ⅶ를 따라 절개한 단면도이다.

<도면의 주요부호에 대한 설명>

100,300...구동전원 120,320...기판

140,340...제1전극유닛 146,246,346...나노튜브

160,260,360...제2전극 180,280,380...유전체

본 발명은 고주파 교류신호를 통과시키는 RF(Radio Frequency) 스위치에 관한 것이다.

최근에 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 기술의 발달에 따라 멤스 RF 스위치가 개발되고 있으며, 더 나아가 나노미터(Nanometer) 단위의 RF 스위치의 개발이 진행 중에 있다.

도 1은 종래 나노미터 단위의 초소형 RF 스위치를 개략적으로 나타낸 도면으로서, 이를 참조하면, 초소형 RF 스위치는, 구동전원(10)과, 상기 구동전원(10)의 일단자에 연결된 소스(20, Source)와, 상기 소스(20)에 전기적으로 연결될 수 있도록 지지되는 도전성 나노튜브(30, Nanotube)와, 상기 나노튜브(30)의 하부에 마련되며 상기 구동전원(10)의 타단자에 연결되어 상기 나노튜브(30)와 정전인력을 발생시키는 게이트(40,Gate)와, 상기 정전인력에 의해 변형된 나노튜브(30)가 접촉되는 드레인(50)을 포함한다.

상기와 같은 구조를 가지는 RF 스위치의 동작을 살펴보면, 우선, 미도시된 제어부가 구동전원(10)에 전원을 인가하면, 상기 게이트(40)와 상기 나노튜브(30) 사이에는 정전인력이 발생하여, 상기 나노튜브(30)는 도 1의 점선과 같이 하부로 쳐지게 된다. 그리고, 하부로 쳐진 나노튜브(30)는 드레인(50)과 접촉하게 되어 RF 스위치가 ON 상태가 된다. 이러한 RF 스위치의 ON 상태에서 RF 신호는 소스(20)를 통해 입력되어 나노튜브(30) 및 드레인(50)을 거쳐 소요되는 장소로 전송된다. 한편, 구동전원(10)을 인가하지 않으면, 상기 나노튜브(30)와 상기 드레인(50)은 전기적으로 격리되어 RF 신호는 드레인(50)으로 전달되지 못한다.

그러나, 상기와 같은 구조의 RF 스위치는, 나노튜브(30)와 드레인(50)의 접촉점에서 수십 내지 수백㏀에 달하는 저항이 발생한다. 이러한 저항으로 인해, RF 신호는 RF 스위치가 ON상태에서도 드레인(50)으로 전달되지 못하거나, 전달되더라도 RF 신호의 많은 손실을 초래한다. 따라서, 실질적으로 도 1에 도시된 RF 스위치는 상용화가 어렵다.

본 발명은 상기와 같은 점을 감안하여 안출된 것으로서, RF 신호의 손실을 줄일 수 있는 나노미터단위의 초소형된 RF 스위치를 제공하는데 목적이 있다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 RF 스위치는, 구동전원의 일단자와 연결되는 제1전극유닛; 상기 구동전원의 타단자와 연결되는 제2전극; 및 상기 구동전원으로부터 전원의 인가여부에 따라 상기 제1전극유닛 및 제2전극과 선택적으로 접촉되는 유전체;를 포함한다.

여기서, 상기 RF 스위치는 상기 제1전극유닛 및 제2전극이 지지되는 기판;을 더 포함할 수 있다.

또한, 상기 제1전극유닛은, 상기 기판에 지지되는 지지체; 및 상기 지지체에 고정되어 상기 제2전극과의 정전력에 의해 상기 유전체와 선택적으로 접촉되는 적어도 하나 이상의 나노튜브;를 포함한다.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 유전체는 상기 제2전극에 고정되며, 상기 지지체는 상기 기판의 양측에 마련되며 상기 나노튜브의 양단이 각각 고정되는 제1 및 제2그라운드 라인으로 구성된다.

본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 유전체는 상기 나노튜브에 마련된다.

본 발명이 또 다른 실시예에 의하면, 상기 지지체는, RF 신호가 입력되는 제1시그널 라인; 및 상기 나노튜브의 일단이 고정되며 상기 제1시그널 라인과 전기적으로 연결되는 몸체;를 포함하며, 상기 제2전극은 제2시그널 라인으로 이루어진다. 또한, 상기 RF 신호를 가이드할 수 있도록 상기 제2전극과 상기 제1시그널 라인을 중심으로 상기 기판의 양측에 마련된 제1 및 제2그라운드 라인을 더 포함한다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 RF 스위치에 대하여 상세히 설명한다.

도 2 및 도 3a를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 스위치는 션트형(Shunt type)으로, 구동전원(100), 기판(120), 제1전극유닛(140), 제2전극(160) 및 유전체(180)를 포함한다.

상기 구동전원(100)은 DC 전원으로서 상기 제1전극유닛(140)과 제2전극(160)에 전원을 인가하여 정전력을 발생시킨다. 그리고, 상기 구동전원(100)과 상기 제1전극유닛(140) 및 제2전극(160)을 연결시키는 각각의 회로상에는, RF 신호가 상기 구동전원(100)으로 전송되는 것을 방지하기 위해 인덕턴스(Inductance)가 큰 인턱터(Inductor, 미도시)가 설치된다. 상기 인턱터에 의해 상기 구동전원(100)으로 연결되는 회로의 임피던스가 커지게 되어 상기 RF 신호는 상기 구동전원(100)으로 전송되지 않게 된다. 이러한 인덕터의 회로내 삽입은 이미 공지기술이므로 상세한 설명은 생략한다.

상기 기판(120)은 상기 제1전극유닛(140) 및 제2전극(160)을 지지하는 프레임으로서 단결정 실리콘 잉곳(Ingot)을 절단하여 제작된 웨이퍼(Wafer)등이 이용될 수 있다.

상기 제1전극유닛(140)은 나노튜브(146)와, 상기 나노튜브(146)를 지지하는 지지체(142)인 제1 및 제2그라운드 라인(143)(144)을 포함한다.

상기 나노튜브(146)는 3개로 구성되며 양단이 각각 상기 제1 및 제2그라운드 라인(143)(144)에 고정된다. 이러한 나노튜브(146)는 열화학기상증착법을 사용한 수평성장 또는 수직성장 방법등으로 상기 제1 및 제2그라운드 라인(143)(144)에 양단에 고정되도록 형성될 수 있다. 상기 나노튜브(146)의 성장방법은 공지된 기술인 바 상세한 설명은 생략하기로 한다. 그리고, 상기 나노튜브(146)는 도전성을 가지는 탄소나노튜브등이 사용될 수 있다. 한편, 상기 나노튜브(146)의 갯수와 재질은 상술한 것에 한정되지 않고 다양하게 변형될 수 있으며, 상기 나노튜브(146) 또한 다양한 나노튜브(146)의 성장방법에 의해 형성할 수 있다.

상기 제1 및 제2그라운드 라인(143)(144)은 상기 기판(120)의 양측에 반도체 증착공정등에 의해 마련되며 도전성물질로 이루어진다. 그리고, 제1 및 제2그라운 드 라인(143)(144)은 전기적으로 접지된 상태로서, 회로적으로는 상기 구동전원(100)의 일단자와 연결된다.

상기 제2전극(160)은 상기 제1 및 제2그라운드 라인(143)(144)의 사이에 배치되도록 상기 기판(120)상에 반도체 증착공정등에 의해 형성되며, 도전성물질로 이루어진다. 한편, 상기 제2전극(160)은 RF 신호를 전달하기 위한 시그널라인(160, Signal line, 이하 상기 제2전극을 '시그널라인'이라고 칭함)의 기능도 겸하고 있다.

상기 유전체(180)는 상기 나노튜브(146)와 상기 시그널 라인(160)의 사이에 위치하도록 상기 시그널 라인(160) 상에 반도체 증착공정등에 의해 도포된다. 그리고, 상기 유전체(180)의 재질은 후술할 원하고자 하는 임피던스를 얻기 위해 다양한 재질로 변형하여 사용할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 의하면, 기판(120)은 두께 300㎛를 가지는 Si재질로 형성되며, 제 1 및 2 그라운드 라인(143)(144)은 간격 30㎛, 두께 3㎛ 및 폭 100㎛를 가지는 Au재질로 형성된다. 나노튜브(146)는 직경 10㎚, 길이 30㎛를 가지는 Carbon재질로 형성된다. 시그널 라인(160)은 두께 1㎛, 폭 10㎛를 가지는 Au재질로 형성된다. 나노튜브(146)와 시그널 라인(160)의 간격은 1㎛이다. 유전체(180)는 두께 1.3㎛, 폭 10.5㎛를 가지는 SiO₂재질로 형성된다.

이하, 도 3a 및 도 3b를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 스위치의 동작에 대하여 설명한다.

도 3a를 참조하면, 제1전극유닛(140, 도 2참조)인 제1 및 제2그라운드 라인(143)(144)과 상기 제2전극(160)인 시그널 라인(160)에 구동전원(100, 도 2참조)이 인가되지 않은 상태이다. 따라서, 나노튜브(146)와 시그널 라인(160) 사이에는 정전력이 발생하지 않게 된다.

그리고, 상기 나노튜브(146)와 시그널 라인(160) 간의 임피던스(Z_OFF)는 다음의 수학식 1에 의해 산출된다.

여기서, 상기 ω는 RF 신호의 주파수를 나타내며, C_ON는 상기 시그널 라인(160)과 상기 나노튜브(146) 사이에 개재되는 에어갭(170, Air gap)과 유전체(180)에 의해 산출되는 커패시턴스(Capacitance)를 나타낸다. 그리고, 상기 수학식 1에 의해 산출되는 임피던스(Z_ON)는 시그널 라인(160)의 임피던스에 비하여 매우 크다. 따라서, 대부분의 RF 신호는 시그널 라인(160)을 통해서 전송되며, 제1 및 제2그라운드 라인(143)(144)을 통해 전송되어 소멸되는 RF 신호는 극소에 지나지 않는다. 즉, 도 3a에 도시된 RF 스위치는 ON 상태로서 RF 신호는 상기 시그널 라인(160)을 통해 소요되는 곳으로 전송된다.

도 3b를 참조하면, 구동전원(100, 도 2참조)으로부터 상기 제1 및 제2그라운드 라인(143)(144)과 상기 시그널 라인(160)에 전원이 인가된 상태로서 상기 제1 및 제2그라운드 라인(143)(144)을 통해 전원이 인가되는 나노튜브(146)와 상기 시그널 라인(160) 간에는 정전인력이 발생하게 된다. 이러한 정전인력에 의해 나노튜브(146)는 상기 시그널 라인(160) 측으로 쳐지도록 변형되어 상기 시그널 라인(160)에 접촉되게 고정되는 유전체(180)와 접촉하게 된다. 즉, 상기 나노튜브(146)와 상기 시그널 라인(160)은 유전체(180)를 사이에 두고 각각 접촉하게 된다. 이처럼 도 3b에 도시된 RF 스위치의 상태에서 상기 나노튜브(146)와 상기 시그널 라인 (160) 간의 임피던스는 다음의 수학식 2에 의해 산출된다.

여기서, 상기 ω는 RF 신호의 주파수를 나타내며, C_OFF는 상기 시그널 라인(160)과 상기 나노튜브(146) 사이에 개재되는 유전체(180)에 의해 산출되는 커패시턴스를 나타낸다. 그리고, 상기 수학식 2에 의해 산출되는 임피던스(Z_OFF)는 시그널 라인(160)의 임피던스 보다 매우 작게 된다. 따라서, 상기 시그널 라인(160)으로 입력된 대부분의 RF 신호는 상기 나노튜브(146)를 거쳐 제1 및 제2그라운드 라인(143)(144)으로 전송된다. 그리고, 상기 제1 및 제2그라운드 라인(143)(144)으로 전송된 RF 신호는 접지된 부분으로 전송되어 소멸하게 된다. 즉, 도 3b에 도시된 RF 스위치는 OFF 상태가 된다. 통상적으로, RF 스위치의 역활을 하기 위해서는 상기 ON 상태의 커패시턴스(C_ON)가 OFF 상태의 커패시턴스(C_OFF) 보다 수백배 정도 커야하며, 이러한 비율은 유전체(180)의 재질을 변경하여 유전체(180)의 유전율을 변경하므로서 조절이 가능하게 된다.

이 처럼, 기존의 나노튜브와 드레인의 접촉에 의한 접촉저항으로 인해 RF 신호의 손실이 큰 RF 스위치를, 유전체에 의해 커패시턴스를 조절하므로서 임피던스를 낮출 수 있게 되고 이에 의해 RF 신호의 손실없이 안정적으로 전송할 수 있게 된다. 또한, 상술한 캐패시턴스에 의해 임피던스를 조절하므로서 나노미터 단위의 초소형화된 RF 스위치를 상용화할 수 있게 된다.

도 4 내지 도 5b를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 RF 스위치는, 유전체(280)가 나노튜브(246)의 외주면 상에 도포된다는 점에서 본 발명의 일 실시예와 다르다. 바람직하게 유전체(280)는 직경 0.1㎛, 길이 10㎛를 가지는 SiO₂재질로 형성된다. 그리고, 상기 유전체(280)가 도포된 나노튜브(246)가 정전력에 의해 제2전극(260)인 시그널 라인(260) 측으로 쳐지도록 변형되어 상기 유전체(280)와 시그널 라인(260)이 접촉하게 된다. 그 외 본 발명의 다른 실시예에 의한 RF 스위치의 구성 및 동작원리는 본 발명의 일 실시예에 의한 RF 스위치와 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.

도 6 내지 도 7b는 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 RF 스위치로서 시리즈형(Series type) RF 스위치를 개략적으로 나타낸 도면이다.

도 6을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 RF 스위치는, 구동전원(300), 기판(320), 제1전극유닛(340), 제2전극(360), 유전체(380) 및 제1 및 제2그라운드 라인(343)(344)을 포함한다.

상기 구동전원(300) 및 상기 기판(320)은 그 구성 및 제조방법등의 면에서 상술한 본 발명의 일 실시예 및 다른 실시예와 동일하다. 따라서, 구동전원(300) 및 기판(320)에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.

상기 제1전극유닛(340)은, 지지체(342)와, 복수개의 나노튜브(346)를 포함한다.

상기 지지체(342)는, 상기 기판(320) 상에 마련된 제1시그널 라인(342a)과 상기 제1시그널 라인(342a)의 일면에 부착되는 몸체(342b)를 포함한다. 상기 제1시 그널 라인(342a)은 RF 신호가 입력되는 단자로서 RF 신호 발생부 측에 연결된다. 그리고, 상기 제1시그널 라인(342a)은 상기 구동전원(300)의 일단자와 연결된다. 그러나, 상기 구동전원(300)의 일단자는 상기 몸체(342b)에 연결될 수도 있다. 그리고, 상기 몸체(342b) 및 상기 제1시그널 라인(342a)은 도전성 물질로 반도체 증착공정등에 의해 형성될 수 있다.

상기 나노튜브(346)는 그 일단이 상기 몸체(342b)에 고정되며, 타단은 자유단으로 존재한다. 그리고, 본 발명의 일 실시예에 대한 설명에서 상술한 바와 같이 열화학기상증착법등에 의한 수평성장방법등으로 형성될 수 있으며, 탄소나노튜브와 같은 도전성 물질로 형성될 수 있다.

상기 제2전극(360)은, 상기 구동전원(300)의 타단자에 연결되며, 상기 제1시그널 라인(342a)과 상기 몸체(342b) 및 상기 나노튜브(346)를 통해 전달된 RF 신호를 소요되는 장소로 전송하는 제2시그널라인(360, 이하 '제2전극'을 '제2시그널라인'이라함))의 기능을 겸한다. 그리고, 상기 제2시그널 라인(360)은 상기 제1시그널 라인(342a) 처럼 반도체 증착공정등에 의해 상기 기판(320)상에 형성된다.

상기 유전체(380)는, 상기 나노튜브(346)가 정전력에 의해 변형되어 상기 제2전극(360) 측으로 쳐지면 상기 유전체(380)와 접촉될 수 있도록 상기 제2시그널 라인(360) 상에 형성된다. 그러나, 상기 유전체(380)는 본 발명의 다른 실시예처럼 상기 나노튜브(346)의 외주면에도 형성될 수 있다. 한편, 상기 유전체(380)도 반도체 증착공정등을 사용하여 상기 제2시그널 라인(360)에 형성될 수 있다.

상기 제1 및 제2그라운드 라인(343)(344)은 상기 제1 및 제2시그널 라인(342a)(360)을 사이에 두고 기판(320)의 양측에 전기적으로 접지되도록 형성된다. 그리고, 상기 제1 및 제2그라운드 라인(343)(344)은 전송하고자 하는 RF 신호와 상호작용으로 소정의 전자기장을 형성하여 RF 신호가 상기 제1 및 제2시그널 라인(342a)(360)으로 전송될 수 있도록 가이드한다. 이러한 제1 및 제2그라운드 라인(343)(344)의 상기 RF 신호를 가이드하는 원리는 이미 공지된 기술이므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
본 발명의 바람직한 또 다른 실시예에 의하면, 기판(320)은 두께 300㎛를 가지는 Si재질로 형성되며, 제 1 및 2 그라운드 라인(343)(344)은 간격 30㎛, 두께 1㎛ 및 폭 100㎛를 가지는 Au재질로 형성된다. 나노튜브(346)는 직경 10㎚, 길이 30㎛를 가지는 Carbon재질로 형성된다. 시그널 라인(360)은 두께 1㎛, 폭 10㎛를 가지는 Au재질로 형성된다. 나노튜브(346)와 시그널 라인(360)의 간격은 1㎛이다. 유전체(380)는 두께 1.3㎛, 폭 10.5㎛를 가지는 SiO₂재질로 형성된다.

이하, 도 7a 및 도 7b를 참조하여 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 RF 스위치의 동작을 설명한다.

도 7a를 참조하면, 구동전원(300, 도 6참조)으로부터 전원이 인가되지 않은 상태의 RF 스위치가 도시된다. 이 때, 제1시그널 라인(342a)을 통해 입력된 RF 신호는 상술한 수학식 1에 나타난 바와 같이 나노튜브(346)와 제2시그널 라인(360) 사이에는 Z_ON의 임피던스를 가지며, 이러한 임피던스(Z_OFF)는 매우 커서 RF 신호가 제2시그널 라인(360)으로 전송되지 않는다. 즉, RF 스위치는 OFF 상태에 있게 된다.

도 7b를 참조하면, 상기 구동전원(300, 도 6참조)으로부터 상기 제1시그널 라인(342a) 및 상기 제2시그널 라인(360)에 전원이 인가되면, 상기 나노튜브(346)의 자유단 측은 정전인력에 의하여 상기 제2시그널 라인(360) 측으로 쳐지지도록 변형된다. 그리고, 변형된 상기 나노튜브(346)는 상기 유전체(380)와 접촉하게 된다. 이 처럼, 상기 나노튜브(346)가 상기 유전체(380)에 접촉됨으로서 상기 나노튜 브(346)와 상기 제2시그널 라인(360) 사이의 임피던스는 수학식 2에 나타난 바와 같이 Z_OFF가 된다. 이러한 임피던스(Z_OFF)는 상기 Z_ON의 임피던스에 수백배 정도 작아서, 상기 제1시그널 라인(342a)으로 입력된 RF 신호가 상기 제2시그널 라인(360)으로 전송될 수 있게 된다. 그리고, 상기 Z_OFF와 Z_ON의 비율은 상술한 바와 같이 유전체의 적절한 재질을 선택함으로서 조절이 가능하다.

이상에서 설명한 바와 같은 본 발명에 의하면, 접촉부분에서 임피던스를 줄임으로서 RF 신호의 손실을 줄일 수 있게 된다.

또한, 본 발명에 의한 RF 스위치에 의하면 상술한 RF 신호의 손실을 줄이면서도, 나노미터 단위의 초소형화가 가능하다.

이상에서 대표적인 실시예를 통하여 본 발명에 대하여 상세하게 설명하였으나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 상술한 실시예에 대하여 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 변형이 가능함을 이해할 것이다. 그러므로 본 발명의 권리범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구범위 뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.

Claims

구동전원의 일단자와 연결되는 제1전극유닛;

상기 구동전원의 타단자와 연결되는 제2전극; 및

상기 구동전원으로부터 전원의 인가여부에 따라 상기 제1전극유닛 및 제2전극과 선택적으로 접촉되는 유전체;를 포함하는 것을 특징으로 하는 RF 스위치.
제1항에 있어서,

상기 제1전극유닛 및 제2전극이 지지되는 기판;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 RF 스위치.
제2항에 있어서, 상기 제1전극유닛은,

상기 기판에 지지되는 지지체; 및

상기 지지체에 고정되어 상기 제2전극과의 정전력에 의해 상기 유전체와 선택적으로 접촉되는 적어도 하나 이상의 나노튜브;를 포함하는 것을 특징으로 하는 RF 스위치.
제3항에 있어서,

상기 유전체는 상기 제2전극에 고정되는 것을 특징으로 하는 RF 스위치.
제3항에 있어서,

상기 유전체는 상기 나노튜브에 마련된 것을 특징으로 하는 RF 스위치.
제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지체는,

상기 기판의 양측에 마련되며 상기 나노튜브의 양단이 각각 고정되는 제1 및 제2그라운드 라인인 것을 특징으로 하는 RF 스위치.
제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지체는,

RF 신호가 입력되는 제1시그널 라인; 및

상기 나노튜브의 일단이 고정되며 상기 제1시그널 라인과 전기적으로 연결되는 몸체;를 포함하는 것을 특징으로 하는 RF 스위치.
제7항에 있어서,

상기 RF 신호를 가이드할 수 있도록 상기 제2전극과 상기 제1시그널 라인을 중심으로 상기 기판의 양측에 마련된 제1 및 제2그라운드 라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 RF 스위치.
구동전원의 일단자와 연결되는 제1 및 제2그라운드 라인;

상기 구동전원의 타단자와 연결되는 시그널라인;

상기 시그널라인에 고정되는 유전체; 및

상기 제1 및 제2그라운드 라인 각각에 양단이 고정되며 상기 구동전원으로부터 전원의 인가여부에 따라 정전력에 의해 선택적으로 변형되어 상기 유전체와 접촉하는 적어도 하나 이상의 나노튜브;를 포함하는 것을 특징으로 하는 RF 스위치.
제9항에 있어서,

상기 제1 및 제2그라운드 라인과 상기 시그널라인이 지지되는 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 RF 스위치.
제10항에 있어서,

상기 시그널라인은 상기 제1 및 제2그라운드의 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 RF 스위치.
제9항에 있어서,

상기 나노튜브는 탄소나노튜브인 것을 특징으로 하는 RF 스위치.
구동전원의 일단자와 연결되는 제1 및 제2그라운드 라인;

상기 구동전원의 타단자와 연결되는 시그널라인;

상기 제1 및 제2그라운드 라인 각각에 양단이 고정되고, 외주면에 유전체가 마련되며, 상기 구동전원으로부터 전원의 인가여부에 따라 정전력에 의해 선택적으로 변형되어 상기 유전체가 상기 시그널라인에 접촉되는 적어도 하나 이상의 나노 튜브;를 포함하는 것을 특징으로 하는 RF 스위치.
제13항에 있어서,

상기 제1 및 제2그라운드 라인과 상기 시그널라인이 지지되는 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 RF 스위치.
제14항에 있어서,

상기 시그널라인은 상기 제1 및 제2그라운드의 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 RF 스위치.
제15항에 있어서,

상기 나노튜브는 탄소나노튜브인 것을 특징으로 하는 RF 스위치.
구동전원의 일단자와 연결되는 지지체;

상기 지지체에 일단이 고정되는 적어도 하나 이상의 나노튜브;

상기 구동전원의 타단자와 연결되는 제2시그널라인; 및

상기 구동전원으로부터 전원의 인가여부에 따라 정전력에 의해 상기 나노튜브가 선택적으로 변형되어 상기 제1시그널라인 및 상기 나노튜브가 접촉되는 유전체;를 포함하는 것을 특징으로 하는 RF 스위치.
제17항에 있어서,

상기 지지체 및 상기 제1시그널라인이 지지되는 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 RF 스위치.
제18항에 있어서, 상기 지지체는,

상기 기판 상에 마련되는 제1시그널라인; 및

상기 나노튜브의 일단이 고정되며 상기 제1시그널라인과 전기적으로 연결되는 몸체;를 포함하는 것을 특징으로 하는 RF 스위치.
제 19항에 있어서,

상기 제1시그널라인의 양측에 배치되도록 상기 기판상에 마련되며, RF 신호와의 상호 작용에 의해 RF 신호를 가이드하는 제1 및 제2그라운드 라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 RF 스위치.