[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR100650191B1 - 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광다이오드 - Google Patents

정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광다이오드 Download PDF

Info

Publication number
KR100650191B1
KR100650191B1 KR1020050046283A KR20050046283A KR100650191B1 KR 100650191 B1 KR100650191 B1 KR 100650191B1 KR 1020050046283 A KR1020050046283 A KR 1020050046283A KR 20050046283 A KR20050046283 A KR 20050046283A KR 100650191 B1 KR100650191 B1 KR 100650191B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrostatic discharge
lead frame
lead
led chip
discharge shock
Prior art date
Application number
KR1020050046283A
Other languages
English (en)
Inventor
백종환
박제명
류근창
김창욱
서준호
송영재
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020050046283A priority Critical patent/KR100650191B1/ko
Priority to JP2006147999A priority patent/JP2006339640A/ja
Priority to US11/442,957 priority patent/US20060267040A1/en
Priority to CNB2006100833010A priority patent/CN100568503C/zh
Application granted granted Critical
Publication of KR100650191B1 publication Critical patent/KR100650191B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices the devices being of types provided for in two or more different subclasses of H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices the devices being of types provided for in two or more different subclasses of H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12032—Schottky diode
    • H01L33/486—

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명은 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드에 관한 것으로서, 한 쌍의 양극 리드와 음극 리드로 형성된 리드프레임과, 상기 리드프레임의 일부가 내측에 수용되도록 합성수지재로 형성된 패키지와, 상기 패키지 내부의 리드프레임 상면에 실장된 LED 칩과, 상기 패키지 내부의 리드프레임 하면에 실장되어 있으며 와이어를 통해 상기 LED 칩과 병렬 연결되어 있는 정전기 방전 충격 보호소자 및 상기 패키지 내부에 충진되어 LED 칩을 보호하는 몰딩재를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드를 제공한다.
발광 다이오드, 정전압 다이오드, 정전기, 휘도

Description

정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드{High brightness LED with protective function of electrostatic discharge damage}
도 1은 종래 기술에 따른 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드를 도시한 정면도.
도 2는 도 1에 도시된 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드의 평단면도.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드를 도시한 정면도.
도 4는 도 3에 도시된 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드의 평단면도.
도 5는 도 3에 도시된 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드의 역전류 방지회로를 개략적으로 도시한 도면.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드를 도시한 정면도.
도 7은 도 6에 도시된 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드의 평단면도.
도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드를 도시한 정면도.
도 9는 도 8에 도시된 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드의 평단면도.
도 10은 본 발명의 제4 실시예에 따른 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드를 도시한 정면도.
도 11은 도 10에 도시된 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드의 평단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 패키지 20 : 몰딩재
30 : LED 칩 40 : 정전기 방전 충격 보호소자
50 : 리드프레임 51 : 양극 리드
52 : 음극 리드 60 : 와이어
본 발명은 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드에 관한 것으로, 보다 상세하게는 정전기 방전 충격으로부터 발광 다이오드를 보호하는 동시에 발광 다이오드의 휘도를 향상 시킬 수 있는 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드에 관한 것이다.
일반적으로 발광 다이오드(Light Emitting Diode : LED)는 반도체의 p-n 접합구조를 이용하여 주입된 소수캐리어(전자 또는 정공)를 만들어내고, 이들의 재결합에 의하여 발광시키는 전자부품이다. 즉, 특정 원소의 반도체에 순방향 전압을 가하면 양극과 음극의 접합 부분을 통해 전자와 정공이 이동하면서 서로 재결합하는데 전자와 정공이 떨어져 있을 때 보다 작은 에너지가 되므로 이때 발생하는 에너지의 차이로 인해 빛을 방출한다.
이러한 발광 다이오드는 저전압으로 고효율의 광을 조사할 수 있음으로 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화기기 등에 사용된다.
특히, 정보 통신기기의 소형화, 슬림화 추세에 따라 기기의 각종 부품인 저항, 콘덴서, 노이즈 필터 등은 더욱 소형화되고 있으며, 발광 다이오드도 인쇄회로기판(Printed Circuit Board : PCB)에 직접 실장하기 위하여 표면실장소자(Surface Mount Device, 이하, SMD라 한다)형으로 만들어지고 있다.
이러한 SMD 방식의 발광 다이오드 패키지는 그 사용도에 따라 탑뷰(Top view) 방식과 사이드뷰(Side view) 방식으로 제조되고 있는데, 일반적으로 발광 다이오드는 정전기 또는 역전압에 취약한 것으로 알려져 있다.
따라서, 이러한 발광 다이오드의 취약성을 보완하기 위하여 역방향으로 전류가 흐를 수 있는 정전압 다이오드를 제공하고 있으며, 그러한 정전압 다이오드로 바람직하게는 제너 다이오드(Zener Diode)를 LED 칩과 병렬로 연결함으로써 정전기에 효율적으로 대응하도록 하고 있다.
그러면, 이하 도 1 및 도 2를 참조하여 종래 기술에 따른 정전기 방전 충격 에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드에 대하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 종래 기술에 따른 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드를 도시한 정면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드의 평단면도이다.
도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 종래 기술에 따른 정전압 다이오드는 한 쌍의 양극 리드(51)와 음극 리드(52)로 형성된 리드프레임(50)의 동일면 상에 LED 칩(30) 및 제너 다이오드(40)를 나란히 실장하고, 이 LED 칩(30)과 정전기 방전 충격 보호소자(40)를 금(Au) 성분의 와이어(60)로 서로 연결함으로써, 병렬구조를 가지고 있다. 이때, 정전기 방전 충격 보호소자(40)는 제너 다이오드로 이루어진다.
미설명한 도면부호 10은 투명 또는 불투명 합성수지재로 형성된 패키지를 지칭하고, 20은 LED 칩을 보호하기 위한 몰딩재를 지칭한다.
상기와 같은 정전기 방전 충격 보호소자(40)인 제너 다이오드는 일명 정전압 다이오드라고도 하며, 반도체 PN 접합 다이오드의 하나로서, PN 접합의 항복(Breakdown) 영역에서 동작특성이 나타나도록 제작된 다이오드로 주로 정전압용으로 사용된다. 그리고, 제너 회복현상을 이용해서 일정 전압을 얻는 소자이며 규소의 p-n 접합에서 전류 10mA로 동작하고 품종에 따라 3 ~ 12V의 정전압을 얻을 수 있는 다이오드이다.
따라서, 종래 기술에 따른 발광 다이오드는 LED 칩에 이러한 제너 다이오드를 와이어 등에 의하여 병렬로 연결함으로써, 정전기로 인하여 역방향의 전류가 인 가되어도 상기 제너 다이오드에 의하여 손상을 방지할 수 있다.
그러나, 종래 기술에 따른 발광 다이오드는 상기 제너 다이오드를 LED 칩과 리드프레임 상에 병렬로 함께 실장되기 때문에 와이어를 본딩하기 위한 충분한 영역을 확보하기 위해 리드프레임이 커져야 하며, 이에 따라, 발광 다이오드의 패키지가 커지게 되어 발광 다이오드 패키지의 소형화에 어려움이 있다.
또한, 상기 제너 다이오드를 LED 칩과 리드프레임 상에 병렬로 함께 실장하게 되면, LED 칩에서 발광하는 광을 제너 다이오드가 흡수하거나 산란시켜 발광 다이오드의 휘도를 저하시키는 문제가 있다. 따라서, 발광 다이오드의 특성 및 신뢰성이 낮아질 뿐만 아니라 광효율 또한 낮아지는 문제가 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 리드프레임 상에 LED 칩와 제너 다이오드를 와이어 등에 의하여 병렬로 연결되게 형성하되, LED 칩이 형성된 리드프레임의 후면에 제너 다이오드를 실장하여 정전기 방전 충격으로부터 발광 다이오드를 보호하는 동시에 발광 다이오드의 휘도를 향상 시킬 수 있는 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드를 제공하는데 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 한 쌍의 양극 리드와 음극 리드로 형성된 리드프레임과, 상기 리드프레임의 일부가 내측에 수용되도록 합성수지재로 형성된 패키지와, 상기 패키지 내부의 리드프레임 상면에 실장된 LED 칩과, 상기 패키지 내부의 리드프레임 하면에 실장되어 있으며 와이어를 통해 상기 LED 칩과 병렬 연결되어 있는 정전기 방전 충격 보호소자 및 상기 패키지 내부에 충진되어 LED 칩을 보호하는 몰딩재를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드를 제공한다.
여기서, 상기 LED 칩은 상기 리드프레임의 음극 리드 상면에 실장되어 있으며, 상기 정전기 방전 충격 보호소자는 상기 리드프레임의 양극 리드 하면에 실장되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 상기 LED 칩은 상기 리드프레임의 양극 리드 상면에 실장되어 있으며, 상기 정전기 방전 충격 보호소자는 상기 리드프레임의 음극 리드 하면에 실장되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 상기 LED 칩은 상기 리드프레임의 양극 리드 상면에 실장되어 있으며, 상기 정전기 방전 충격 보호소자는 상기 리드프레임의 양극 리드 하면에 실장되어 있는 것이 바람직하다.
상기 LED 칩은 상기 리드프레임의 음극 리드 상면에 실장되어 있으며, 상기 정전기 방전 충격 보호소자는 상기 리드프레임의 음극 리드 하면에 실장되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 상기 정전기 방전 충격 보호소자는 정전압 다이오드 또는 반도체 저항소자(varistor)로 형성되는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게 상기 정전압 다이오 드는 제너 다이오드, 에벌렌시 다이오드, 스위칭 다이오드 및 쇼트키 다이오드로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 다이오드로 형성된다.
이하 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하였다.
이제 본 발명의 일 실시예에 따른 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드에 대하여 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.
〈제1 실시예〉
도 3 내지 도 5를 참고하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드에 대하여 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드를 도시한 정면도이고, 도 4는 도 3에 도시된 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드의 평단면도이고, 도 5는 도 3에 도시된 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드의 역전류 방지회로를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3 내지 도 5에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드는 합성수지재로 형성된 패키지(10)로부터 돌출된 리드프레임(50) 즉, 양극 리드(51) 및 음극 리드(52)를 통하여 인쇄 회로 기판(도시하지 않음) 등에 실장 되는 구조를 갖는다.
상기와 같은 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드는 상기 패키지(10)의 내부에 구비되어 전원 인가시 광을 조사하는 통상의 LED 칩(30)과, 상기 LED 칩(30)과 병렬로 연결됨으로써 정전기로 인한 손실을 방지하기 위한 정전기 방전 충격 보호소자(40)로 이루어진다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 상기 LED 칩(30)은 리드프레임 중 양극 리드(51) 상면에 도전성 에폭시에 의하여 다이본딩(Die Bonding) 방법으로 실장되어 있으며, 상기 정전기 방전 충격 보호소자(40)는 리드프레임 중 음극 리드(52)의 하면에 LED 칩(30)과 동일한 방법으로 실장된다.
또한, 상기 LED 칩(30)은 와이어(60)를 통해 상기 양극 리드(51) 및 음극 리드(52)와 전기적으로 연결되어 있으며, 상기 정전기 방전 충격 보호소자(40)는 와이어(60)를 통해 양극 리드(51)에 와이어 본딩(wire bonding)된다.
따라서, 상기 LED 칩(30)과 정전기 방전 충격 보호소자(40)는 도 5에 도시한 바와 같이 병렬 구조로 연결된다.
이때, 상기 정전기 방전 충격 보호소자(40)는 정전압 다이오드 또는 반도체 저항소자(varistor)로 형성된다. 또한, 상기 정전압 다이오드는 제너 다이오드, 에벌렌시 다이오드, 스위칭 다이오드 및 쇼트키 다이오드로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 다이오드로 이루어지는 것이 바람직하며, 본 실시예에서는 정전압 다이오드로 제너 다이오드를 사용하고 있다.
여기서, 미설명한 도면부호 20은 LED 칩을 보호하기 위한 몰딩재를 지칭한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드는 양극 리드(51)의 상면에 LED 칩(30)를 실장하고, 음극 리드(52)의 하면에 정전기 방전 충격 보호소자(40)를 실장하여 서로 병렬 연결함으로써, 정전기로 인하여 역방향의 전류가 인가되어도 상기 정전기 방전 충격 보호소자(40)를 통해 전류가 바이패스(By-Pass)되어 정전기 방전 충격 발생으로 인한 손상을 방지한다.
특히, 본 발명에 따른 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드의 정전기 방전 충격 보호소자는 발광하는 LED 칩의 후면 즉, 리드프레임을 기준으로 LED 칩은 상면, 정전기 방전 충격 보호소자는 하면에 실장하고 있기 때문에 이들 사이에 위치하는 리드프레임이 LED 칩에서 발광하는 광이 정전기 방전 충격 보호소자에서 흡수되거나 산란되는 것을 차단하는 장벽 역할을 하여 발광 다이오드의 휘도를 증가시킨다.
〈제2 실시예〉
도 6 및 도 7을 참고로, 본 발명의 제2 실시예에 대해 설명하기로 한다. 다만, 제2 실시예의 구성 중 제1 실시예와 동일한 부분에 대한 설명은 생략하고, 제2 실시예에서 달라지는 구성에 대해서만 상술하기로 한다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드를 도시한 정면도이고, 도 7은 도 6에 도시된 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드의 평단면도이다.
도 6 및 도 7에 도시한 바와 같이, 제2 실시예에 따른 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드는 제1 실시예에 따른 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드와 대부분의 구성이 동일하고, 다만, 상기 LED 칩(30)이 음극 리드(52)의 상면에 실장되어 있고, 정전기 방전 충격 보호소자(40)가 양극 리드(51)의 하면에 실장되어 있다는 점에서만 제1 실시예와 다르다.
따라서, 제2 실시예 또한, 제1 실시예와 마찬가지로, LED 칩(30)과 정전기 방전 충격 보호소자(40)가 병렬로 연결되어 있는 동시에 리드프레임(50)을 기준으로 상하로 존재하고 있기 때문에 제1 실시예에서와 동일한 작용 및 효과를 얻을 수 있다.
〈제3 실시예〉
도 8 및 도 9를 참고로, 본 발명의 제3 실시예에 대해 설명하기로 한다. 다만, 제3 실시예 역시 대부분의 구성이 제1 실시예와 동일하므로, 이하에서는 제1 실시예와 달라지는 구성에 대해서만 상술하기로 한다.
도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드를 도시한 정면도이고, 도 9는 도 8에 도시된 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드의 평단면도이다.
도 8 및 도 9에 도시한 바와 같이, 제3 실시예에 따른 고휘도 발광 다이오드 역시, LED 칩(30)과 정전기 방전 충격 보호소자(40)가 병렬로 연결되어 있는 동시에, 리드프레임(50)을 기준으로 상하로 존재하고 있다. 따라서, 이러한 제3 실시예 역시 상술한 제1 실시예 및 제2 실시예와 동일한 작용 및 효과를 나타낼 수 있다.
다만, 상기 제3 실시예에 따른 고휘도 발광 다이오드에서는, 상기 LED 칩(30)이 양극 리드(51)의 상면에 실장되어 있으며, 상기 정전기 방전 충격 보호소자(40) 역시 상기 양극 리드(51)의 하면에 실장되어 있다는 점에서만, 상술한 제1 실시예 및 제2 실시예와 상이한 구성을 가진다.
〈제4 실시예〉
도 10 및 도 11에는 본 발명의 제4 실시예에 따른 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드가 도시되어 있다. 도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 이러한 제4 실시예 역시, LED 칩(30)과 정전기 방전 충격 보호소자(40)가 병렬로 연결되어 있는 동시에, 리드프레임(50)을 기준으로 상하로 존재하고 있다는 점에서, 상술한 제1 내지 제3 실시예와 동일한 구성을 가지며, 다만, 상기 LED 칩(30)과 정전기 방전 충격 보호소자(40)가 각각 상기 음극 리드(52)의 상, 하면에 실장되어 있다는 점에서만, 상술한 제1 내지 제3 실시예와 상이한 구성을 가진다.
이러한 제4 실시예에 의하더라도, 제1 내지 제3 실시예와 동일한 작용 및 효 과를 얻을 수 있다.
특히, 상술한 바와 같은 본 발명의 실시예 중 제3 실시예 및 제4 실시예에 따른 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드는 LED 칩과 정전기 방전 충격 보호소자가 동일한 리드프레임의 상, 하면에 실장되어 있기 때문에 제1 및 제2 실시예에 따른 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드에 비해 리드프레임의 크기를 최소화할 수 있어 발광 다이오드 패키지를 소형화 시킬 수 있는 이점이 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
상기한 바와 같이, 본 발명은 LED 칩과 정전기 방전 충격 보호소자가 병렬로 연결되어 있는 동시에, 리드프레임을 기준으로 상하로 실장되어 있으므로, 정전기로 인하여 역방향의 전류가 인가되더라도 상기 정전기 방전 충격 보호소자를 통해 전류가 바이패스(By-Pass)되어 정전기 방전 충격 발생으로 인한 손상을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명은 리드프레임을 기준으로 LED 칩은 상면, 정전기 방전 충격 보호소자는 하면에 실장하고 있기 때문에 이들 사이에 위치하는 리드프레임이 LED 칩에서 발광하는 광이 정전기 방전 충격 보호소자에 의해 흡수 또는 산란되는 것을 차단하여 발광 다이오드의 동일한 휘도를 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 LED 칩과 정전기 방전 충격 보호소자를 동일한 리드프레임의 상, 하면에 실장하고 있어, 리드프레임의 크기를 최소화하여 발광 다이오드 패키지를 소형화시킬 수 있다.

Claims (7)

  1. 한 쌍의 양극 리드와 음극 리드로 형성된 리드프레임;
    상기 리드프레임의 일부를 내측가 수용되도록 합성수지재로 형성된 패키지;
    상기 패키지 내부의 리드프레임 상면에 실장된 LED 칩;
    상기 패키지 내부의 리드프레임 하면에 실장되어 있으며 와이어를 통해 상기 LED 칩과 병렬 연결되어 있는 정전기 방전 충격 보호소자; 및
    상기 패키지 내부에 충진되어 LED 칩을 보호하는 몰딩재;를 포함하는 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 LED 칩은 상기 리드프레임의 양극 리드 상면에 실장되어 있으며, 상기 정전기 방전 충격 보호소자는 상기 리드프레임의 음극 리드 하면에 실장되어 있는 것을 특징으로 하는 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 LED 칩은 상기 리드프레임의 음극 리드 상면에 실장되어 있으며, 상기 정전기 방전 충격 보호소자는 상기 리드프레임의 양극 리드 하면에 실장되어 있는 것을 특징으로 하는 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다 이오드.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 LED 칩은 상기 리드프레임의 양극 리드 상면에 실장되어 있으며, 상기 정전기 방전 충격 보호소자는 상기 리드프레임의 양극 리드 하면에 실장되어 있는 것을 특징으로 하는 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 LED 칩은 상기 리드프레임의 음극 리드 상면에 실장되어 있으며, 상기 정전기 방전 충격 보호소자는 상기 리드프레임의 음극 리드 하면에 실장되어 있는 것을 특징으로 하는 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 정전기 방전 충격 보호소자는 정전압 다이오드 또는 반도체 저항소자(varistor)로 형성됨을 특징으로 하는 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 정전압 다이오드는 제너 다이오드, 에벌렌시 다이오드, 스위칭 다이오드 및 쇼트키 다이오드로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 다이오드로 형성됨을 특징으로 하는 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광 다이오드.
KR1020050046283A 2005-05-31 2005-05-31 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광다이오드 KR100650191B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050046283A KR100650191B1 (ko) 2005-05-31 2005-05-31 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광다이오드
JP2006147999A JP2006339640A (ja) 2005-05-31 2006-05-29 静電気放電衝撃に対する保護機能が内蔵された高輝度発光ダイオード
US11/442,957 US20060267040A1 (en) 2005-05-31 2006-05-31 High-brightness LED with protective function of electrostatic discharge damage
CNB2006100833010A CN100568503C (zh) 2005-05-31 2006-05-31 具有静电放电损坏防护功能的高亮度发光二极管

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050046283A KR100650191B1 (ko) 2005-05-31 2005-05-31 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광다이오드

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100650191B1 true KR100650191B1 (ko) 2006-11-27

Family

ID=37462245

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050046283A KR100650191B1 (ko) 2005-05-31 2005-05-31 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광다이오드

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20060267040A1 (ko)
JP (1) JP2006339640A (ko)
KR (1) KR100650191B1 (ko)
CN (1) CN100568503C (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009157689A3 (ko) * 2008-06-24 2010-03-25 엘지이노텍주식회사 발광 소자 패키지
KR200448847Y1 (ko) 2008-03-20 2010-05-27 주식회사 파워라이텍 측면발광형 발광다이오드 패키지
KR200451054Y1 (ko) 2008-02-01 2010-11-22 광전자 주식회사 리드 프레임 및 이를 이용한 발광 다이오드 패키지
KR101790063B1 (ko) 2016-05-26 2017-10-25 주식회사 시지트로닉스 하이브리드형 모듈, 집적 소자 및 그 제조 방법
KR101913508B1 (ko) 2017-07-21 2018-10-30 여성열 자가 표시기능을 가진 led 선형 조명장치

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI284433B (en) * 2006-02-23 2007-07-21 Novalite Optronics Corp Light emitting diode package and fabricating method thereof
KR100820529B1 (ko) 2006-05-11 2008-04-08 엘지이노텍 주식회사 발광 장치 및 그 제조방법, 면 발광 장치
KR101134752B1 (ko) * 2006-07-14 2012-04-13 엘지이노텍 주식회사 Ｌｅｄ 패키지
DE102007001706A1 (de) * 2007-01-11 2008-07-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für optoelektronisches Bauelement und Anordnung eines optoelektronischen Bauelementes in einem Gehäuse
US7968900B2 (en) * 2007-01-19 2011-06-28 Cree, Inc. High performance LED package
US20080290359A1 (en) * 2007-04-23 2008-11-27 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method of the same
US20090026470A1 (en) * 2007-07-23 2009-01-29 Novalite Optronics Corp. Super thin side-view light-emitting diode (led) package and fabrication method thereof
KR100870950B1 (ko) * 2007-11-19 2008-12-01 일진반도체 주식회사 발광다이오드 소자 및 그 제조 방법
JP5463447B2 (ja) 2008-01-18 2014-04-09 三洋電機株式会社 発光装置及びそれを備えた灯具
TWI384649B (zh) * 2008-06-18 2013-02-01 Harvatek Corp Light emitting diode chip encapsulation structure with embedded electrostatic protection function and its making method
JP5458910B2 (ja) 2009-02-24 2014-04-02 日亜化学工業株式会社 発光装置
TWI380433B (en) 2009-02-25 2012-12-21 Everlight Electronics Co Ltd Light emitting diode package
CN101819968B (zh) * 2009-02-27 2012-05-23 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管封装
KR101060761B1 (ko) * 2009-04-23 2011-08-31 삼성엘이디 주식회사 발광 다이오드 패키지
KR20170091167A (ko) * 2010-02-09 2017-08-08 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치
CN102201395B (zh) * 2010-03-25 2013-05-08 方伟光 具防突波功能的多层式半导体组件封装结构及其制作方法
KR101298406B1 (ko) * 2010-05-17 2013-08-20 엘지이노텍 주식회사 발광소자
JP2012049348A (ja) * 2010-08-27 2012-03-08 Sharp Corp 発光装置
CN102456826A (zh) * 2010-11-01 2012-05-16 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 发光二极管导线架
US20120112237A1 (en) * 2010-11-05 2012-05-10 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. Led package structure
KR101788723B1 (ko) * 2011-04-28 2017-10-20 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR101823506B1 (ko) 2011-06-29 2018-01-30 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
KR102042150B1 (ko) * 2012-09-13 2019-11-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 조명 시스템
DE102013202904A1 (de) * 2013-02-22 2014-08-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zu seiner Herstellung
US9551825B2 (en) * 2013-11-15 2017-01-24 Reald Spark, Llc Directional backlights with light emitting element packages
CN104716246B (zh) * 2013-12-17 2017-09-26 展晶科技(深圳)有限公司 光电元件封装结构及其制造方法
KR102227769B1 (ko) 2014-11-06 2021-03-16 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지
RU2596062C1 (ru) 2015-03-20 2016-08-27 Автономная Некоммерческая Образовательная Организация Высшего Профессионального Образования "Сколковский Институт Науки И Технологий" Способ коррекции изображения глаз с использованием машинного обучения и способ машинного обучения
EP3123937B1 (en) * 2015-07-28 2019-08-28 ams AG Biometric sensor arrangement and method for generating a biometric signal
WO2017091051A1 (ko) * 2015-11-27 2017-06-01 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 조명 장치
US10321123B2 (en) 2016-01-05 2019-06-11 Reald Spark, Llc Gaze correction of multi-view images
CN105679738B (zh) * 2016-03-24 2019-09-06 禾邦电子（中国）有限公司 片式整流元件及其生产工艺
EP3458897A4 (en) 2016-05-19 2019-11-06 RealD Spark, LLC DIRECTIONALLY WIDE IMAGING IMAGING BACKLIGHTS
WO2017205183A1 (en) 2016-05-23 2017-11-30 Reald Spark, Llc Wide angle imaging directional backlights
CN105938866A (zh) * 2016-06-13 2016-09-14 开发晶照明（厦门）有限公司 Led支架和led封装结构
EP3566094B1 (en) 2017-01-04 2023-12-06 RealD Spark, LLC Optical stack for imaging directional backlights
EP3607387A4 (en) 2017-04-03 2020-11-25 RealD Spark, LLC SEGMENTED DIRECTIONAL IMAGING BACKLIGHT
JP6572938B2 (ja) * 2017-05-12 2019-09-11 日亜化学工業株式会社 発光装置と発光装置の製造方法
ES2967691T3 (es) 2017-08-08 2024-05-03 Reald Spark Llc Ajuste de una representación digital de una región de cabeza
US11115647B2 (en) 2017-11-06 2021-09-07 Reald Spark, Llc Privacy display apparatus
CN108092133B (zh) * 2017-12-12 2020-01-31 湖南艾华集团股份有限公司 过电压与突波保护元件
CA3089477A1 (en) 2018-01-25 2019-08-01 Reald Spark, Llc Touch screen for privacy display
DE102019104325A1 (de) * 2019-02-20 2020-08-20 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Herstellungsverfahren für optoelektronische Halbleiterbauteile
KR102042547B1 (ko) * 2019-07-04 2019-11-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000017513A (ko) * 1998-08-27 2000-03-25 디. 크레이그 노룬드 집적 정전 방전 보호책을 갖춘 발광 다이오드 어셈블리
KR20030033590A (ko) * 2001-10-24 2003-05-01 (주)옵토니카 정전압 소자를 구비한 발광소자 및 그 제조방법
JP2004193165A (ja) 2002-12-06 2004-07-08 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 発光装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3727064A (en) * 1971-03-17 1973-04-10 Monsanto Co Opto-isolator devices and method for the fabrication thereof
JP2966591B2 (ja) * 1991-08-02 1999-10-25 三洋電機株式会社 光半導体装置
US5647034A (en) * 1994-10-03 1997-07-08 Matsushita Electric Works, Ltd. Operation displaying semiconductor switch
JPH10144965A (ja) * 1996-11-11 1998-05-29 Hamamatsu Photonics Kk 光半導体装置及びその製造方法
US6054716A (en) * 1997-01-10 2000-04-25 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device having a protecting device
JPH11103097A (ja) * 1997-07-30 1999-04-13 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
JP2000124506A (ja) * 1998-10-15 2000-04-28 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
JP2001036140A (ja) * 1999-07-16 2001-02-09 Stanley Electric Co Ltd 静電対策表面実装型ｌｅｄ
JP2002314143A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
TW563264B (en) * 2002-10-11 2003-11-21 Highlink Technology Corp Base of optoelectronic device
CN100587560C (zh) * 2003-04-01 2010-02-03 夏普株式会社 发光装置用组件、发光装置、背侧光照射装置、显示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000017513A (ko) * 1998-08-27 2000-03-25 디. 크레이그 노룬드 집적 정전 방전 보호책을 갖춘 발광 다이오드 어셈블리
KR20030033590A (ko) * 2001-10-24 2003-05-01 (주)옵토니카 정전압 소자를 구비한 발광소자 및 그 제조방법
JP2004193165A (ja) 2002-12-06 2004-07-08 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 発光装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200451054Y1 (ko) 2008-02-01 2010-11-22 광전자 주식회사 리드 프레임 및 이를 이용한 발광 다이오드 패키지
KR200448847Y1 (ko) 2008-03-20 2010-05-27 주식회사 파워라이텍 측면발광형 발광다이오드 패키지
WO2009157689A3 (ko) * 2008-06-24 2010-03-25 엘지이노텍주식회사 발광 소자 패키지
KR101790063B1 (ko) 2016-05-26 2017-10-25 주식회사 시지트로닉스 하이브리드형 모듈, 집적 소자 및 그 제조 방법
KR101913508B1 (ko) 2017-07-21 2018-10-30 여성열 자가 표시기능을 가진 led 선형 조명장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006339640A (ja) 2006-12-14
US20060267040A1 (en) 2006-11-30
CN100568503C (zh) 2009-12-09
CN1873975A (zh) 2006-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100650191B1 (ko) 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광다이오드
KR100769720B1 (ko) 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광다이오드
KR100775574B1 (ko) 고효율 발광 다이오드 패키지
US8497523B2 (en) Light emitting diode package
US20070194422A1 (en) Light emitting diode package and fabricating method thereof
GB2341018A (en) Light emitting diode assembly with overvoltage protection
JP2011525702A (ja) 発光素子パッケージ
KR100748241B1 (ko) 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광다이오드 및 그 제조방법
EP1207563A2 (en) Direct bonding of flip-chip light-emitting diode and flip-chip ESD protection chip to electrodes in a package
KR100604408B1 (ko) 발광 다이오드 패키지
TW200929595A (en) Packaging structure of electro-optic device with ESD protection
KR102131853B1 (ko) 발광다이오드 어레이
KR101912825B1 (ko) Led 드라이버 ic 및 드라이버 ic가 내장된 led 패키지
KR20080023809A (ko) Ｌｅｄ 칩 및 이를 구비한 ｌｅｄ 패키지
KR100591688B1 (ko) 리드프레임 및 이를 이용한 측면형 발광 다이오드 패키지
KR101719641B1 (ko) 발광 장치
KR101974088B1 (ko) 발광 다이오드
KR100674857B1 (ko) 정전기 방전(ｅｓｄ)을 강화한 엘이디 패키지 및 그제조방법
KR101109688B1 (ko) 정전기 방지용 커패시터가 접합된 발광 다이오드
KR101191358B1 (ko) 발광 다이오드 패키지
KR200342558Y1 (ko) 측면형 발광 다이오드 패키지
TW201334240A (zh) 半導體發光元件之封裝結構
KR20120069291A (ko) 발광다이오드 패키지
KR100784348B1 (ko) 발광 다이오드
KR20090047888A (ko) 발광다이오드 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121031

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131031

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141031

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee