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KR100659272B1 - 과전압 제어가 가능한 무선인증용 태그 및 그의 과전압제어 방법 - Google Patents

과전압 제어가 가능한 무선인증용 태그 및 그의 과전압제어 방법 Download PDF

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KR100659272B1
KR100659272B1 KR1020050123874A KR20050123874A KR100659272B1 KR 100659272 B1 KR100659272 B1 KR 100659272B1 KR 1020050123874 A KR1020050123874 A KR 1020050123874A KR 20050123874 A KR20050123874 A KR 20050123874A KR 100659272 B1 KR100659272 B1 KR 100659272B1
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KR
South Korea
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voltage
schottky diode
input voltage
induced
input
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심동식
구자남
민영훈
송일종
Original Assignee
삼성전자주식회사
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Publication date
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Abstract

과전압 제어가 가능한 무선인증용 태그 및 그의 과전압 제어 방법이 개시된다. 안테나부는 외부 전자기파를 수신하여 입력전압을 유기하고, 전압 생성부는 유기되는 입력전압을 정류처리하여 구동전압을 생성하며, 전압 리미터는 유기되는 입력전압의 고저여부에 따라 적응적으로 온오프하여 전압 생성부로 입력되는 입력전압의 크기를 제한하며, 로직 제어부는 생성되는 구동전압을 기초로 인증정보를 생성한 후, 생성된 인증정보를 외부로 전송하도록 안테나부를 제어한다. 따라서, 적어도 하나의 쇼트키 다이오드를 정류기와 병렬연결함으로서 정류기로 유입되는 전압의 크기를 리미팅할 수 있다.
RFID 태그, RFID 리더, 쇼트키 다이오드

Description

과전압 제어가 가능한 무선인증용 태그 및 그의 과전압 제어 방법{RFID Tag capable of limiting over-voltage and method for controlling over-voltage thereof}
도 1a 및 도 1b는 종래의 RFID 태그에 구비된 역방향 쇼트키 다이오드의 I-V 관계를 도시한 그래프,
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 RFID 태그를 개략적으로 도시한 블록도,
도 3은 도 2의 전압 리미터에 구비된 쇼트키 다이오드의 I-V 관계를 도시한 그래프, 그리고,
도 4는 도 2에 따른 과전압 제어 방법을 개략적으로 설명하기 위한 흐름도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 설명 *
200 : RFID 태그 210 : 안테나부
220 : 전압 리미터 SDn : 제n쇼트키 다이오드
230 : 전압 생성부 240 : 저장부
250 : 로직 제어부
본 발명은 과전압 제어가 가능한 무선인증용 태그 및 그의 과전압 제어 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 적어도 하나의 쇼트키 다이오드를 정류기와 병렬연결하여 정류기로 유입되는 전압의 크기를 리미팅할 수 있는 과전압 제어가 가능한 무선인증용 태그 및 그의 과전압 제어 방법에 관한 것이다.
무선 인증(Radio Frequency Identification : RFID) 시스템은 자동인식(Automatic Identification and Data Capture : ADC) 기술의 한 분야로서, RFID 리더(Reader)와 RFID 태그(Tag) 간의 신호교환에 의해 이루어진다. 즉, RFID 태그가 RFID 리더의 일정 거리 이내에 근접하면, RFID 태그는 RF 신호에 반응하여 신호를 반사하고, RFID 리더는 이를 수신하여 확인하는 절차를 수행한다.
여기서, RFID 태그는 RFID 리더로부터 송출되는 전자기파로부터 전압을 유기하여 상기 동작을 수행한다. 그러나, 유기되는 전압은 RFID 리더와 RFID 태그의 거리에 따라 변동되며, 변동되는 전압에 의하여 RFID 태그는 오동작을 수행하는 경우가 발생한다.
특히, RFID 리더와 RFID 태그가 근접한 경우, RFID 태그는 매우 큰 RF 신호를 수신하여 큰 전압을 유기하며, 이로써 RFID 태그 내의 소자들(예를 들어, 인증정보를 RF 신호로 생성하는 RF 인터페이스, 컨트롤 로직)은 오동작을 수행할 수 있다.
한편, 종래의 RFID 태그는 상술한 문제점을 해결하기 위하여 역방향 쇼트키 다이오드를 이용한다. 도 1a 및 도 1b는 종래의 RFID 태그에 구비되는 역방향 쇼트키 다이오드의 I-V 관계를 도시한 그래프이다.
도 1a에 도시된 바와 같이 역방향 쇼트키 다이오드는 항복전압(Breakdown Voltage : BV)보다 큰 교류전원을 바이패스시킴으로써 과도한 교류전원이 정류기로 입력되는 것을 방지한다.
즉, 종래의 RFID 태그는 항복전압(BV)이 소정 값(예를 들어, 도 1a의 약 9.6V) 이하인 역방향 쇼트키 다이오드를 이용하여 과도한 교류전원은 바이패스시킨다. 여기서, 항복전압(BV')이 도 1b에 도시된 바와 같이 BV보다 작기 위해서는, 역방향 쇼트키 다이오드의 well 농도가 10^18cm-3 이상으로 유지되어야 한다. 그러나, 종래의 RFID 태그에 있어서, well 농도를 상술한 바와 같이 유지하기 위해서는 표준공정만으로는 생성할 수 없으며, 따라서 추가 공정이 이루어져야만 하는 문제점이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, RFID 리더로부터 유기된 과전압을 리미팅하기 위하여 정밀한 추가공정이 필요한 역방향 쇼트키 다이오드를 사용하지 않고, 유기된 과전압을 리미팅하여 정류할 수 있는 과전압 제어가 가능한 무선인증용 태그 및 그의 과전압 제어 방법을 제공하는 데 있다.
상기의 기술적 과제를 해결하기 위한, 본 발명에 따른 과전압 제어가 가능한 무선인증용 태그는, 외부 전자기파를 수신하여 입력전압을 유기하는 안테나부; 상기 유기되는 입력전압을 정류처리하여 구동전압을 생성하는 전압 생성부; 상기 유기되는 입력전압의 고저여부에 따라 적응적으로 온오프하여 상기 전압 생성부로 입력되는 입력전압의 크기를 제한하는 전압 리미터; 및 상기 생성되는 구동전압을 기초로 인증정보를 생성한 후, 상기 생성된 인증정보를 외부로 전송하도록 상기 안테나부를 제어하는 로직 제어부;를 포함한다.
바람직하게는, 상기 전압 리미터는, 상기 유기되는 입력전압이 균등분배되는 적어도 하나의 쇼트키 다이오드(Schottky Diode)를 포함하는 회로이며, 상기 적어도 하나의 쇼트키 다이오드는 순방향으로 직렬연결된다.
또한, 상기 균등분배된 입력전압이 상기 적어도 하나의 쇼트키 다이오드의 턴온전압보다 작으면, 상기 적어도 하나의 쇼트키 다이오드는 오프되어 상기 유기된 입력전압 전부가 상기 전압 생성부로 제공되도록 구동한다.
상기 균등분배된 입력전압이 상기 적어도 하나의 쇼트키 다이오드의 턴온전압보다 크면, 상기 적어도 하나의 쇼트키 다이오드는 온되어 상기 분배된 입력전압에 대응되는 전류를 접지단으로 유입시키고, 상기 전압 생성부로 입력되는 입력전압의 크기를 감소시킨다.
또한, 상기 균등분배된 입력전압이 상기 적어도 하나의 쇼트키 다이오드의 턴온전압보다 큰 경우, 상기 전압 리미터는 상기 쇼트키 다이오드의 개수가 적을수록 상대적으로 많은 전류를 상기 접지단으로 유입시킨다.
여기서, 상기 전압 생성부와 상기 전압 리미터는 병렬 연결되며, 상기 적어도 하나의 쇼트키 다이오드는 ESD(electronic static discharge) 역할을 병행한다.
한편, 상기의 기술적 과제를 해결하기 위한, 본 발명에 따른 무선인증용 태그의 과전압 제어 방법은, (a) 외부 전자기파를 수신하여 입력전압을 유기하는 단계; (b) 상기 유기되는 입력전압의 고저여부에 따라 적응적으로 적어도 하나의 쇼트키 다이오드를 온오프하여 상기 유기된 입력전압의 크기를 조절하는 단계; (c) 상기 조절된 입력전압을 정류처리하여 구동전압을 생성하는 단계; 및 (d) 상기 생성되는 구동전압을 기초로 인증정보를 생성하여 외부로 전송하는 단계;를 포함한다.
바람직하게는, 상기 (b) 단계는, 상기 유기되는 입력전압을 상기 적어도 하나의 쇼트키 다이오드에 균등분배한 후, 상기 균등분배된 입력전압의 고저여부를 기초로 상기 온오프를 실행한다.
또한, 상기 적어도 하나의 쇼트키 다이오드는 순방향으로 직렬연결된다.
보다 상세하게는, 상기 (b) 단계에서, 상기 균등분배된 입력전압이 상기 적어도 하나의 쇼트키 다이오드의 턴온전압보다 작으면, 상기 적어도 하나의 쇼트키 다이오드는 오프되어 상기 유기된 입력전압 전부가 상기 (c) 단계에서 정류처리되도록 한다.
또한, 상기 (b) 단계에서, 상기 균등분배된 입력전압이 상기 적어도 하나의 쇼트키 다이오드의 턴온전압보다 크면, 상기 적어도 하나의 쇼트키 다이오드는 온되어 상기 균등분배된 입력전압에 대응되는 전류를 접지단으로 유입시키고, 상기 (c) 단계로 입력되는 입력전압의 크기를 감소시킨다.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 과전압 제어가 가능한 RFID 태그를 개략적으로 도시한 블록도이다.
먼저, 본 발명에 따른 RFID 태그(200)는 RFID 리더(미도시)와 비접촉방식에 의하여 인증절차를 수행하는 기기로서, RFID 태그(200)가 사정거리 이내에 위치하게 되면 RFID 태그(200)는 RFID 리더(미도시)로부터 전자기파를 수신하여 인증정보를 생성하고, RFID 리더(미도시)는 생성된 인증정보를 수신하여 인증절차를 수행한다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 RFID 태그(200)는 안테나부(210), 전압 리미터(220), 전압 생성부(230), 저장부(240) 및 로직 제어부(250)를 포함한다.
안테나부(210)는 RFID 리더(미도시)로부터 송출되는 외부 전자기파를 수신하여 입력전압(Vi)을 유기한다. 이를 위하여 안테나부(210)는 루프 안테나, 도전성 물질로 이루어진 코일 등 다양한 형태로 제조된다. 안테나부(210)는 제1메탈(212) 및 제2메탈(214)을 가지며, 제1메탈(212)은 전자기파를 수신하여 입력전압(Vi)을 유기하며, 제2메탈(214)은 접지단 역할을 수행한다. 여기서, 수신되는 전자기파의 감도는 RFID 리더(미도시)와 RFID 태그(200)의 거리에 따라 다르다. 즉, 거리가 가까울수록 안테나부(210)는 고전압을 유기한다.
전압 리미터(220)는 안테나부(210)에서 유기되는 입력전압(Vi)의 고저여부, 즉, 높고낮음에 따라 적응적으로 온 또는 오프하여 전압 생성부(230)로 입력되는 입력전압(Vout)의 크기를 제한한다.
전압 리미터(220)는 적어도 하나의 쇼트키 다이오드(Schottky Diode)로 구현가능하며, 본 발명의 실시예에서는 제1 내지 제n쇼트키 다이오드(SD1, SD2, …, SDn, 여기서 n은 정수)를 예로 들어 설명한다. 제1 내지 제n쇼트키 다이오드(SD1, SD2, …, SDn)는 순방향으로 직렬연결되며, 마지막으로 구비되는 제n쇼트키 다이오드(SDn)의 캐소드(cathode)는 접지단, 즉, 제2메탈(214)로의 전류이동경로를 제공한다. 또한, 제1 내지 제n쇼트키 다이오드(SD1, SD2, …, SDn)은 동일한 특성을 가지므로 동일한 턴온전압(VTO)을 갖는다.
쇼트키 다이오드란, P형 반도체 또는 N형 반도체에 도체를 연결하여 도체 및 반도체의 접촉면에서 역방향 전압을 저지하는 기능인 쇼트키 베리어를 이용하는 다이오드이다. 쇼트키 다이오드는 일반 정류 다이오드에 비해 순방향 턴온(turn on) 전압(VTO)이 작으므로, 고주파 정류회로에 적합하다.
전압 리미터(220)에 사용되는 쇼트키 다이오드의 개수는 제한적이지 않으며, 설계과정에서 설정되는 RFID 리더(미도시)와 RFID 태그(200) 간의 통신가능한 최대거리를 기초로 그 개수가 결정되는 것이 바람직하다. 즉, 전압 리미터(220)는 구 비되는 쇼트키 다이오드의 개수에 따라 전압 생성부(230)로 최종 입력되는 전압(Vout)을 조절한다.
보다 자세히 설명하면, 안테나부(210)에서 유기되는 입력전압(Vi)은 제1 내지 제n쇼트키 다이오드(SD1, SD2, …, SDn) 각각에 동일하게 분배된다. 제1 내지 제n쇼트키 다이오드(SD1, SD2, …, SDn)는 균등분배된 입력전압의 크기가 쇼트키 다이오드의 턴온전압(VTO)보다 작으면 오프되어 입력전압(Vi) 모두가 전압 생성부(230)로 제공되도록 한다.
또한, 균등분배된 입력전압의 크기가 쇼트키 다이오드의 턴온전압(VTO)보다 크면, 제1 내지 제n쇼트키 다이오드(SD1, SD2, …, SDn)는 모두 온되어 전류가 제2메탈(214)로 흐르게 한다. 이로써 제1 내지 제n쇼트키 다이오드(SD1, SD2, …, SDn)는 제2메탈(214)로 흐르는 전류만큼의 전력을 소모하여 전압 생성부(230)로 제공되는 전압의 크기를 리미팅한다.
특히, 균등분배된 입력전압이 턴온전압(VTO)보다 큰 경우, 전압 리미터(220)는 구비되는 쇼트키 다이오드의 개수가 적을수록 상대적으로 많은 전류를 제2메탈(212)로 유입시킨다.
제1 내지 제n쇼트키 다이오드(SD1, SD2, …, SDn) 각각은 도 3과 같은 전압- 전류 관계를 갖는다. 제1 내지 제n쇼트키 다이오드(SD1, SD2, …, SDn)는 순방향으로 연결되므로 도 3은 순방향에 대한 I-V 특성만을 도시한다. 도 3에서, 전류가 크게 상승하기 시작하는 턴온전압(VTO)의 값은 반도체 표면에 접촉되는 도체의 종류, 또는 제조 특성에 따라 가변가능하다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 턴온전압(VTO)은 대략 0.2V이므로, 제1 내지 제n쇼트키 다이오드(SD1, SD2, …, SDn) 각각은 대략 0.2V 이하에서 오프되며, 대략 0.2V 이상에서는 온되어 전류가 애노드에서 캐소드 방향으로 흐르도록 한다.
예를 들어, 안테나부(210)에서 유기되는 입력전압(Vi)이 5V이고, 전압 리미터(220)에는 5개의 쇼트키 다이오드가 구비된 경우, 5개의 쇼트키 다이오드 각각에는 1V의 전압이 분배된다. 따라서, 5개의 쇼트키 다이오드는 모두 온되어 1V에 대응되는 전류 약 4.00×10-3A를 제2메탈(214)로 통전한다. 이로써, 전압 리미터(220)는 약 4.00×10-3 A에 대한 전력 또는 전압을 소모하여 전압 생성부(230)로는 6V보다 작은 전압이 인가된다.
반면, 안테나부(210)에서 유기되는 입력전압(Vi)이 1V이고, 전압 리미터(220)에는 5개의 쇼트키 다이오드가 구비된 경우, 5개의 쇼트키 다이오드 각각에는 0.2V의 전압이 분배된다. 따라서, 5개의 쇼트키 다이오드(SD1, …, SD5)는 모두 오프되며, 소모되는 전력이 없음으로써, 전압 리미터(220)는 입력전압(Vi) 1V가 모두 전압 생성부(230)로 인가되도록 한다.
또한, 본 발명에 따른 전압 리미터(220)는 ESD(electronic static discharge) 소자로서의 역할을 전압의 리미팅 역할과 병행하여 수행한다. ESD(electronic static discharge)는 정전기에 의한 방전을 의미하며 ESD 소자는 일부 반도체의 경우 정전기에 취약하므로 반도체를 보호하기 위하여 필요한 신호만 통과시키고 불필요한 신호는 제거하는 동작을 한다.
한편, 전압 생성부(230)는 안테나부(210)로부터 입력되는 입력전압(Vi) 전부 또는 일부를 정류하여 구동전압(Vd)을 생성한다. 이를 위하여 전압 생성부(230)는 쇼트키 다이오드(SD)와 캐패시터(C)의 조합으로 이루어진다. 일반 다이오드는 고주파 대역에서 사용하기에 부적합하기 때문에, 전압 생성부(230)는 쇼트키 다이오드(SD)를 사용하여 정류회로를 구현하는 것이 바람직하다.
전압 생성부(230)에서 생성되는 구동전압(Vd)은 저장부(240) 및 로직 제어부(250) 등 내부 소자를 구동하는데 사용된다.
저장부(240)에는 인증절차에 필요한 인증정보 및 제어 프로그램이 저장된다. 인증정보는, RFID 태그(200)가 부착되는 객체가 사람일 경우, 이름, 생년월일, 신분 등이 될 수 있으며, 물품일 경우 물품의 종류, 제조일자, 등급 등의 정보가 될 수 있다.
로직 제어부(250)는 전압 생성부(230)에서 생성되는 구동전압(Vd)을 기초로 인증정보를 생성한 후, 생성된 인증정보를 RFID 리더(미도시)로 전송하도록 안테나 부(210)를 제어한다. 자세히 설명하면, 로직 제어부(250)는 저장부(240)로부터 인증에 필요한 인증정보를 추출하여 무선주파수 형태의 전송신호를 생성하고, 생성된 전송신호가 안테나부(210)를 통해 RFID 리더(미도시)로 전송되도록 한다.
상술한 본 발명에 따른 RFID 태그(200)에 의하면, 전압 리미터(220)는 전압 생성부(230)로 과전압이 인가되는 것을 순방향 쇼트키 다이오드를 이용하여 방지하며, 이로써 RFID 태그(200)에 마련된 소자들의 오동작 발생회수를 줄일 수 있다.
도 4는 도 2에 도시된 RFID 태그의 과전압 제어방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, RFID 태그(200)가 RFID 리더(미도시)의 사정 거리 내에 위치하면, 안테나부(210)는 RFID 리더(미도시)로부터 송출되는 외부 전자기파를 수신하여 입력전압(Vi)을 유기한다(S410). 이 때, 안테나부(210)는 RFID 태그(200)와 RFID 리더(미도시)의 거리가 가까울수록 수신감도가 높은 전자기파를 수신하므로, 고전압을 유기한다.
S410단계에서 유기되는 입력전압(Vi)은 전압 리미터(220)의 제1 내지 제n쇼트키 다이오드(SD1, SD2, …, SDn)에 균등분배된다(S420). 예를 들어, 유기되는 입력전압(Vi)이 1V이고, 쇼트키 다이오드가 10개이면, 각각 0.1V씩 균등분배된다.
균등분배된 전압이 제1 내지 제n쇼트키 다이오드(SD1, SD2, …, SDn)에 설정된 턴온전압(VTO)보다 크면(S430), 제1 내지 제n쇼트키 다이오드(SD1, SD2, …, SDn) 는 모두 온되어 균등분배된 전압에 대응되는 전류가 제2메탈(214)로 흐르게 한다(S440). 이로써 제1 내지 제n쇼트키 다이오드(SD1, SD2, …, SDn)는 제2메탈(214)로 흐르는 전류만큼의 전력을 소모하여 전압 생성부(230)로 제공되는 전압의 크기를 리미팅한다. S440단계의 결과에 의하여 전압 생성부(230)로는 입력전압(Vi)보다 작은 전압(VOUT)이 유입된다.
따라서, S440단계가 수행되면, 전압 생성부(230)는 소정 전압(VOUT)을 정류하여 구동전압(Vd)를 생성하고(S450), 로직 제어부(250)는 S450단계에서 생성되는 구동전압(Vd)을 기초로 인증정보를 생성한 후, 생성된 인증정보를 RFID 리더(미도시)로 전송하도록 처리한다(S460).
반면, S430단계에서 균등분배된 전압이 턴온전압(VTO)보다 작으면, 제1 내지 제n쇼트키 다이오드(SD1, SD2, …, SDn)는 오프되어 입력전압(Vi) 모두가 전압 생성부(230)로 제공되도록 한다(S470). 즉, Vi=Vout이 된다.
S470단계가 수행되면, 전압 생성부(230)는 제공된 입력전압(Vi)을 정류하여 구동전압(Vd)을 생성한다(S480). 그리고, 로직 제어부(250)는 S480단계에서 생성된 구동전압(Vd)을 이용하여 S460단계를 수행한다.
본 발명에 따른 과전압 제어가 가능한 무선인증용 태그 및 그의 과전압 제어 방법에 의하면, 유기된 전압을 정류하는 정류기와 적어도 하나의 쇼트키 다이오드를 병렬연결하고, 적어도 하나의 쇼트키 다이오드는 순방향으로 직렬연결함으로써 유기된 과전압이 정류기로 모두 유입되는 것을 방지하는 것이 가능하다.
특히, 순방향 쇼트키 다이오드를 사용함으로써 역방향 쇼트키 다이오드를 추가공정할 필요가 없으며, 따라서, 필요이상의 비용발생을 막을 수 있다.
또한, 구비되는 순방향 쇼트키 다이오드의 개수에 따라 정류될 전압의 리미팅량을 쉽게 조절할 수 있다.
또한, 순방향 쇼트키 다이오드가 유기되는 전압 크기에 따라 적응적으로 온 또는 오프함으로써 보다 빠르고 정확하게 전압 리미팅을 수행하는 것이 가능하다. 특히, 저전압이 인가되는 경우, 다수의 직렬연결된 쇼트키 다이오드는 오프되어 큰 임피던스를 가지며, 회로적으로 오픈(open)되므로, 인가되는 저전압의 유실을 방지하고 보다 효율적으로 정류되도록 하는 효과가 있다.
또한, 본 발명에서 사용되는 적어도 하나의 순방향 쇼트키 다이오드는 전압의 리미팅 뿐만 아니라 ESD 역할을 병행하는 효과가 있다.
이상에서 대표적인 실시예를 통하여 본 발명에 대하여 상세하게 설명하였으나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 상술한 실시예에 대하여 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도내에서 다양한 변형이 가능함을 이해할 것이다. 그러므로 본 발명의 권리범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며 후술하는 특허청구범위 뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의 해 정해져야 한다.

Claims (14)

  1. 외부 전자기파를 수신하여 입력전압을 유기하는 안테나부;
    상기 유기되는 입력전압을 정류처리하여 구동전압을 생성하는 전압 생성부;
    상기 유기되는 입력전압의 고저여부에 따라 적응적으로 온오프하여 상기 전압 생성부로 입력되는 입력전압의 크기를 제한하는 전압 리미터; 및
    상기 생성되는 구동전압을 기초로 인증정보를 생성한 후, 상기 생성된 인증정보를 외부로 전송하도록 상기 안테나부를 제어하는 로직 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 과전압 제어가 가능한 무선인증용 태그.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 전압 리미터는,
    상기 유기되는 입력전압이 균등분배되는 적어도 하나의 쇼트키 다이오드(Schottky Diode)를 포함하는 회로인 것을 특징으로 하는 과전압 제어가 가능한 무선인증용 태그.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 쇼트키 다이오드는 순방향으로 직렬연결되는 것을 특징으로 하는 과전압 제어가 가능한 무선인증용 태그.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 균등분배된 입력전압이 상기 적어도 하나의 쇼트키 다이오드의 턴온전압보다 작으면, 상기 적어도 하나의 쇼트키 다이오드는 오프되어 상기 유기된 입력전압 전부가 상기 전압 생성부로 제공되도록 구동하는 것을 특징으로 하는 과전압 제어가 가능한 무선인증용 태그.
  5. 제 2항에 있어서,
    상기 균등분배된 입력전압이 상기 적어도 하나의 쇼트키 다이오드의 턴온전압보다 크면, 상기 적어도 하나의 쇼트키 다이오드는 온되어 상기 분배된 입력전압에 대응되는 전류를 접지단으로 유입시키고, 상기 전압 생성부로 입력되는 입력전압의 크기를 감소시키는 것을 특징으로 하는 과전압 제어가 가능한 무선인증용 태그.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 균등분배된 입력전압이 상기 적어도 하나의 쇼트키 다이오드의 턴온전압보다 큰 경우, 상기 전압 리미터는 상기 쇼트키 다이오드의 개수가 적을수록 상대적으로 많은 전류를 상기 접지단으로 유입시키는 것을 특징으로 하는 과전압 제어가 가능한 무선인증용 태그.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 전압 생성부와 상기 전압 리미터는 병렬 연결되는 것을 특징으로 하는 과전압 제어가 가능한 무선인증용 태그.
  8. 제 2항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 쇼트키 다이오드는 ESD(electronic static discharge) 역할을 병행하는 것을 특징으로 하는 과전압 제어가 가능한 무선인증용 태그.
  9. (a) 외부 전자기파를 수신하여 입력전압을 유기하는 단계;
    (b) 상기 유기되는 입력전압의 고저여부에 따라 적응적으로 적어도 하나의 쇼트키 다이오드를 온오프하여 상기 유기된 입력전압의 크기를 조절하는 단계;
    (c) 상기 조절된 입력전압을 정류처리하여 구동전압을 생성하는 단계; 및
    (d) 상기 생성되는 구동전압을 기초로 인증정보를 생성하여 외부로 전송하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 무선인증용 태그의 과전압 제어방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 (b) 단계는,
    상기 유기되는 입력전압을 상기 적어도 하나의 쇼트키 다이오드에 균등분배한 후, 상기 균등분배된 입력전압의 고저여부를 기초로 상기 온오프를 실행하는 것을 특징으로 하는 무선인증용 태그의 과전압 제어방법.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 쇼트키 다이오드는 순방향으로 직렬연결되는 것을 특징으로 하는 무선인증용 태그의 과전압 제어방법.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 (b) 단계에서, 상기 균등분배된 입력전압이 상기 적어도 하나의 쇼트키 다이오드의 턴온전압보다 작으면,
    상기 적어도 하나의 쇼트키 다이오드는 오프되어 상기 유기된 입력전압 전부가 상기 (c) 단계에서 정류처리되도록 하는 것을 특징으로 하는 무선인증용 태그의 과전압 제어방법.
  13. 제 10항에 있어서,
    상기 (b) 단계에서, 상기 균등분배된 입력전압이 상기 적어도 하나의 쇼트키 다이오드의 턴온전압보다 크면,
    상기 적어도 하나의 쇼트키 다이오드는 온되어 상기 균등분배된 입력전압에 대응되는 전류를 접지단으로 유입시키고, 상기 (c) 단계로 입력되는 입력전압의 크기를 감소시키는 것을 특징으로 하는 무선인증용 태그의 과전압 제어방법.
  14. 제 9항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 쇼트키 다이오드는 ESD 역할을 병행하는 것을 특징으로 하는 무선인증용 태그의 과전압 제어방법.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100732681B1 (ko) 2006-01-20 2007-06-27 삼성전자주식회사 Ｒｆｉｄ 태그 및 이를 갖는 ｒｆｉｄ 시스템
KR101226074B1 (ko) * 2009-07-02 2013-01-28 에스케이하이닉스 주식회사 Ｅｓｄ 보호 장치를 구비한 ｒｆｉｄ 태그 칩
US8955757B2 (en) 2010-12-22 2015-02-17 Intellectual Discovery Co., Ltd. Apparatus for collecting wireless energy and wireless electronic label employing the apparatus
KR101927142B1 (ko) 2014-11-20 2018-12-11 주식회사 아모텍 감전보호소자 및 이를 구비한 휴대용 전자장치
KR20190030592A (ko) * 2017-09-14 2019-03-22 오므론 가부시키가이샤 Rf 태그 회로
KR20190030590A (ko) * 2017-09-14 2019-03-22 오므론 가부시키가이샤 Rf 태그

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100191306A1 (en) * 2006-01-25 2010-07-29 Greatbatch Ltd. Transient voltage suppression circuit for an implanted rfid chip
JP5222628B2 (ja) * 2007-05-31 2013-06-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN102244502A (zh) * 2011-04-25 2011-11-16 胡建国 Q值自动调节限幅电路
FR3027754B1 (fr) * 2014-10-24 2017-12-22 St Microelectronics Int Nv Procede de gestion du fonctionnement, en particulier de la modulation de charge, d'un objet capable de communiquer sans contact avec un lecteur, dispositif et objet correspondants
SG10201607275YA (en) 2016-09-01 2018-04-27 Huawei Int Pte Ltd Method and device for radio frequency voltage limiting

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0638872A1 (en) 1993-07-05 1995-02-15 N.V. Nederlandsche Apparatenfabriek NEDAP An electronic indentification system with fast communication and a label for this system
JPH10133757A (ja) 1996-10-29 1998-05-22 Nec Corp 基準電圧発生回路
JPH10209782A (ja) 1997-01-17 1998-08-07 Hitachi Ltd 電圧制限回路および半導体集積回路並びにｉｃカード
KR0172761B1 (ko) * 1995-12-29 1999-03-30 김주용 과전압 보호 회로를 갖는 메모리 소자
JP2003015754A (ja) 2001-07-03 2003-01-17 Denso Corp 基準電圧発生回路

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3545039A1 (de) * 1985-12-19 1987-07-02 Sgs Halbleiterbauelemente Gmbh Spannungsbegrenzungsschaltung
US5491468A (en) * 1993-06-24 1996-02-13 Westinghouse Electric Corporation Identification system and method with passive tag
JPH0933645A (ja) * 1995-07-21 1997-02-07 Oki Electric Ind Co Ltd トランスポンダの電源回路
FR2737622B1 (fr) * 1995-08-02 1997-09-12 Em Microelectronic Marin Sa Dispositif d'interface radiofrequence pour transpondeur
US7002475B2 (en) * 1997-12-31 2006-02-21 Intermec Ip Corp. Combination radio frequency identification transponder (RFID tag) and magnetic electronic article surveillance (EAS) tag
US7215248B2 (en) * 1995-08-31 2007-05-08 Intermec Ip Corp. Diode receiver for radio frequency transponder
US5606323A (en) * 1995-08-31 1997-02-25 International Business Machines Corporation Diode modulator for radio frequency transponder
FR2764977B1 (fr) * 1997-06-18 1999-08-20 Stella Etiquette electronique comportant des moyens de detection d'une grandeur physique
JP3472878B2 (ja) * 1998-03-19 2003-12-02 セイコーエプソン株式会社 過充電防止方法、充電回路、電子機器および時計
US6256214B1 (en) * 1999-03-11 2001-07-03 Ericsson Inc. General self-driven synchronous rectification scheme for synchronous rectifiers having a floating gate
US6265976B1 (en) * 2000-06-23 2001-07-24 Single Chip Systems Corporation Method and apparatus for providing receiver dual channel coupling in a reader for RFID tags
US20020180552A1 (en) * 2001-05-29 2002-12-05 Bennett Jeffrey H. Input power limiter for a microwave receiver
US7009855B2 (en) * 2001-10-26 2006-03-07 Minebea Co., Ltd Synchronous rectifier circuit
US6777829B2 (en) * 2002-03-13 2004-08-17 Celis Semiconductor Corporation Rectifier utilizing a grounded antenna
US6639459B1 (en) * 2002-04-25 2003-10-28 Celio Semiconductor Corporation Demodulator using digital circuitry
DE10306689A1 (de) * 2003-02-11 2004-08-19 Atmel Germany Gmbh Schaltungsanordnung zur Signaldetektion
TW595087B (en) * 2003-09-12 2004-06-21 Holtek Semiconductor Inc Circuit framework capable of providing stable clock
TWI223890B (en) * 2004-02-06 2004-11-11 Opto Tech Corp Light-emitting diode device with multi-lead pins
JP4281683B2 (ja) * 2004-12-16 2009-06-17 株式会社デンソー Ｉｃタグの取付構造
US7313037B2 (en) * 2005-04-21 2007-12-25 Hynix Semiconductor Inc. RFID system including a memory for correcting a fail cell and method for correcting a fail cell using the same
US7605706B2 (en) * 2005-05-13 2009-10-20 The Kennedy Group, Inc. Patch antenna for RFID tag
US7538673B2 (en) * 2005-08-26 2009-05-26 Texas Instruments Incorporated Voltage regulation circuit for RFID systems

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0638872A1 (en) 1993-07-05 1995-02-15 N.V. Nederlandsche Apparatenfabriek NEDAP An electronic indentification system with fast communication and a label for this system
KR0172761B1 (ko) * 1995-12-29 1999-03-30 김주용 과전압 보호 회로를 갖는 메모리 소자
JPH10133757A (ja) 1996-10-29 1998-05-22 Nec Corp 基準電圧発生回路
JPH10209782A (ja) 1997-01-17 1998-08-07 Hitachi Ltd 電圧制限回路および半導体集積回路並びにｉｃカード
JP2003015754A (ja) 2001-07-03 2003-01-17 Denso Corp 基準電圧発生回路

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100732681B1 (ko) 2006-01-20 2007-06-27 삼성전자주식회사 Ｒｆｉｄ 태그 및 이를 갖는 ｒｆｉｄ 시스템
KR101226074B1 (ko) * 2009-07-02 2013-01-28 에스케이하이닉스 주식회사 Ｅｓｄ 보호 장치를 구비한 ｒｆｉｄ 태그 칩
US8955757B2 (en) 2010-12-22 2015-02-17 Intellectual Discovery Co., Ltd. Apparatus for collecting wireless energy and wireless electronic label employing the apparatus
KR101927142B1 (ko) 2014-11-20 2018-12-11 주식회사 아모텍 감전보호소자 및 이를 구비한 휴대용 전자장치
KR20190030592A (ko) * 2017-09-14 2019-03-22 오므론 가부시키가이샤 Rf 태그 회로
KR20190030590A (ko) * 2017-09-14 2019-03-22 오므론 가부시키가이샤 Rf 태그
KR101999822B1 (ko) 2017-09-14 2019-07-12 오므론 가부시키가이샤 Rf 태그
KR102002438B1 (ko) 2017-09-14 2019-07-22 오므론 가부시키가이샤 Rf 태그 회로

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