KR100646569B1 - 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 공정 중에 제너 다이오드를 형성하여 발광 소자를 패키지함으로써, 패키지를 소형화 및 슬림화시킬 수 있고, 제너 다이오드 제조 공정 및 발광 소자와의 와이어 본딩공정 등을 수행하지 않아도 되어, 제조 공정 수를 줄일 수 있어 제조 경비를 줄일 수 있는 효과가 있다.
그리고, 발광 소자 패키지의 측면에 연장된 전극라인을 구비하고, 그 연장된 전극라인을 이용하여 인쇄회로기판에 발광 소자 패키지의 실장시킴으로써, 인쇄회로기판의 측면으로 발광 소자 패키지의 광을 출사시킬 수 있는 효과가 있다.
게다가, 다수의 발광 소자 패키지를 하나의 전도성 기판에서 제조하고, 단일의 패키지로 분리함으로써, 생산 수율을 증가시키고, 공정 자동화를 달성할 수 있는 효과가 있다.
발광소자, 제너다이오드, 패키지, 확산, 측면, 캐비티
Description
도 1은 종래 기술에 따른 측면형 발광 다이오드 패키지의 사시도
도 2는 도 1의 개략적인 단면도
도 3a 내지 3d는 본 발명에 따른 발광 소자 패키지의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도
도 4는 본 발명에 따른 발광 소자 패키지의 캐비티에 충진체를 도포한 상태를 도시한 단면도
도 5a 내지 5g는 본 발명에 따른 발광 소자 패키지의 제조 공정을 입체적으로 설명하기 위한 사시도
도 6은 본 발명에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법에서 각 캐비티 주변에 형성된 관통홀을 설명하기 위한 개념도
도 7은 본 발명에 따른 발광 소자 패키지에서 제너 다이오드가 형성된 상태를 설명하기 위한 개념도
도 8은 본 발명에 따른 발광 소자 패키지에 형성된 전극 라인을 설명하기 위한 사시도
도 9는 본 발명에 따른 발광 소자 패키지가 인쇄회로기판에 접합된 상태를 설명하기 위한 개략적인 사시도
도 10a 내지 10c는 본 발명에 따른 발광 소자 패키지의 단면도
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100 : 반도체 기판
110a,110b,110c,110d : 캐비티(Cavity)
120a,120a1,120a2,120a3,120b,120c,120d : 관통홀
130a1,130a2,130b1,130b2,130c1,130c2,130d1,130d2 : 확산층
140 : 절연층
150a1,150a2,150b1,150b2,150c1,150c2,150d1,150d2,411,412,511,512 : 인쇄 회로기판
170,570 : 발광 소자 300 : 발광 소자 패키지
530 : 와이어 540 : 전도성 접착제
541 : 절연성 접착제 551,552 : 전도성 범프
본 발명은 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하 게는 공정 중에 제너 다이오드를 형성하여 발광 소자를 패키지함으로써, 패키지를 소형화 및 슬림화시킬 수 있고, 제너 다이오드 제조 공정 및 발광 소자와의 와이어 본딩공정 등을 수행하지 않아도 되어, 제조 공정 수를 줄일 수 있어 제조 경비를 줄일 수 있는 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
21세기 화합물 반도체가 주도하는 광반도체 시대의 차세대 광원으로 기존광원에 비하여 에너지 절감 효과가 매우 뛰어나고, 반 영구적으로 사용할 수 있는 발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)가 최근 들어 한계였던 휘도 문제가 크게 개선되면서 백라이트 유닛(Backlight Unit)용, 자동차용, 광고판용, 교통 신호등용, 조명용 등 산업 전반적으로 사용되고 있다.
이러한 발광 다이오드 패키지는 정보 통신기기의 소형화 및 슬림화 추세에 따라 더욱 소형화되고 있으며, 발광 다이오드도 인쇄회로기판(Printed Circuit Board; PCB)에 직접 실장 하기 위하여 표면 실장소자(Surface Mount Device; SMD)형으로 만들어지고 있다.
이러한 SMD 방식의 발광 다이오드 패키지는 그 사용 목적에 따라 탑뷰(Top View)방식과 사이드뷰(Side View;측면형) 방식으로 제조된다.
도 1은 종래 기술에 따른 측면형 발광 다이오드 패키지의 사시도로서, 제 1 리드프레임(10) 상부에 발광 다이오드(11)가 실장되어 있고, 제 2 리드프레임(20) 상부에 제너 다이오드(21)가 실장되어 있고, 상기 제 1과 2 리드프레임(10,20)의 전극단자(12,22)를 이용하여 상기 발광 다이오드(11)와 제너 다이오드(21)는 와이어 본딩되어 있고, 상기 제 1과 2 리드프레임(10,20)은 플라스틱 사출물(30)에 의 해 감싸여져 있다.
이렇게 구성된 측면형 발광 다이오드 패키지를 도 2를 참조하여 보다 상세하게 설명하면, 플라스틱 사출물(30) 내부에는 반사막(미도시)이 형성되어 있어 발광 다이오드(11)에서 방출되는 광을 반사시켜 외부로 광출력을 향상시키고, 발광 다이오드(11)와 제너 다이오드(21)를 Au와 같은 전도성 와이어(25)에 의하여 병렬로 연결함으로써, 정전기에 의하여 발광 다이오드(11)에서 역방향으로 인가되는 전류는 제너 다이오드(21)에 의해 바이패스(By-Pass)되어 발광 다이오드(11)의 손상을 방지할 수 있다.
그리고, 상기의 측면형 발광 다이오드 패키지는 이동통신 기기의 백라이트 유닛등으로 사용하게 된다.
그러나, 전술된 측면형 발광 다이오드 패키지 구조는 제조 비용이 많이 소요되는 접합공정을 발광 다이오드 소자 뿐만 아니라 제너 다이오드 소자도 수행하여야 하고, 두 소자의 전기적 연결을 위하여 와이어 본딩 공정을 수행함으로, 패키지의 부품수 및 작업공정이 증가되어, 시간적으로나 경제적으로 제조비용이 증가하게 되는 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 공정 중에 제너 다이오드를 형성하여 발광 소자를 패키지함으로써, 패키지를 소형화 및 슬림화시킬 수 있고, 제너 다이오드 제조 공정 및 발광 소자와의 와이어 본딩공정 등을 수행하 지 않아도 되어, 제조 공정 수를 줄일 수 있어 제조 경비를 줄일 수 있는 발광 소자 패키지 및 그의 제조방법을 제공하는 데 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 다수의 발광 소자 패키지를 하나의 전도성 기판에서 제조하고, 단일의 패키지로 분리함으로써, 생산 수율을 증가시키고, 공정 자동화를 달성할 수 있는 발광 소자 패키지 및 그의 제조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 발광 소자 패키지의 측면에 연장된 전극라인을 구비하고, 그 연장된 전극라인을 이용하여 인쇄회로기판에 발광 소자 패키지의 실장시킴으로써, 인쇄회로기판의 측면으로 발광 소자 패키지의 광을 출사시킬 수 있는 발광 소자 패키지 및 그의 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 양태(樣態)는,
제 1 극성을 갖는 반도체 기판과;
상기 반도체 기판 상부에 형성되고, 제 2 극성을 갖는 확산층과;
상기 확산층을 노출시키며, 상기 캐비티의 측면과 바닥면을 포함하는 반도체 기판 상부에 형성된 절연층과;
상기 확산층을 감싸고, 상기 캐비티 바닥면에서 상호 이격되도록, 상기 반도체 기판에 형성되어 있는 전극라인들과;
상기 캐비티 내부에 실장되어 있고, 상기 전극라인들과 전기적으로 연결된 발광소자를 포함하여 구성된 발광 소자 패키지가 제공된다.
상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 다른 양태(樣態)는,
제 1 극성을 갖는 반도체 기판을 준비하는 단계와;
상기 제 1 극성을 갖는 반도체 기판 상부에 상호 이격된 복수개의 캐비티(Cavity)들을 형성하는 단계와;
상기 복수개의 캐비티들 각각의 주변에 관통홀을 형성하는 단계와;
상기 복수개의 캐비티들과 관통홀 사이의 반도체 기판 상부에 제 2 극성을 갖는 확산층을 형성하는 단계와;
상기 확산층 각각의 상부 일부를 노출시키며, 상기 반도체 기판 상부에 절연층을 형성하는 단계와;
상기 복수개의 캐비티들 각각에서 상호 이격되고, 상기 확산층을 감싸는 전극 라인들을 형성하는 단계와;
상기 복수개의 캐비티들 각각에 발광 소자들을 실장하고, 상기 발광 소자들과 상기 전극 라인들을 전기적으로 연결하는 단계와;
상기 복수개의 캐비티들 각각의 주변에 있는 관통홀 사이의 반도체 기판을 절단하여, 하나의 캐비티를 갖는 단일 패키지로 분리시키는 단계를 포함하여 구성된 발광 소자 패키지의 제조 방법이 제공된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같다.
도 3a 내지 3d는 본 발명에 따른 발광 소자 패키지의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도로서, 도 3a에 도시된 바와 같이, 제 1 극성을 갖는 반도체 기판(100)을 준비한다.
상기 반도체 기판(100)은 실리콘 기판이 바람직하다.
그 후, 이 제 1 극성을 갖는 반도체 기판(100) 상부에 상호 이격된 복수개의 캐비티(Cavity)들(110a,110b)을 형성한다.(도 3b)
여기서, 상기 캐비티들(110a,110b)은 발광 소자의 실장을 위하여 10 ~ 1000㎛의 깊이로 형성하는 것이 바람직하다.
그 다음, 상기 복수개의 캐비티들(110a,110b) 각각의 주변에 관통홀(120a,120b)을 형성한다.(도 3c)
연이어, 상기 복수개의 캐비티들(110a,110b)과 관통홀(120a,120b) 사이의 반도체 기판(100) 상부에 제 2 극성을 갖는 확산층(130a1,130a2,130b1,130b2)을 형성한다.(도 3d)
상기 제 2 극성을 갖는 확산층(130a1,130a2,130b1,130b2)은 반도체 기판 전면에 실리콘 산화막과 같은 불순물 확산 마스크 물질을 형성하고, 선택적 영역을 패터닝 한 후, 제 2 극성의 불순물을 패터닝된 반도체 기판 영역에 주입시킨 다음, 열처리와 같은 확산공정을 수행하면 된다.
이 때, 상기 제 1 극성은 N타입이고, 제 2 극성은 P타입인 것이 바람직하다.
이어서, 상기 확산층(130a1,130a2,130b1,130b2) 각각의 상부 일부를 노출시키며, 상기 반도체 기판(100) 상부에 절연층(140)을 형성한다.(도 3e)
이 절연층(140)은 반도체 기판과 이 후에 형성된 전극 라인과의 전기적 절연을 위해 형성하는 것이다.
이 때, 상기 절연층(140) 상부에는 발광 소자의 전류 제한용 소자로 저항체를 형성할 수 있다.
계속하여, 상기 복수개의 캐비티들(110a,110b) 각각에서 상호 이격되고, 상기 확산층(130a1,130a2,130b1,130b2)을 감싸는 전극 라인들(150a1,150a2,150b1, 150b2)을 형성한다.(도 3f)
여기서, 발광 소자 패키지의 측면 발광을 위하여, 상기 캐비티와 가장 가까운 관통홀(120a,120b) 측면에도 전극 라인을 연장시킨다.
그리고, 상기 전극 라인들(150a1,150a2,150b1,150b2)은 원하는 영역에만 패터닝할 수 있는 하드 마스크를 이용하여 스퍼터링(Sputtering) 방법 또는 전자 빔 즉착(Electron Beam Evaporation) 방법으로 금속 박막을 증착시켜 구현하는 것이다.
그 다음, 상기 복수개의 캐비티들(110a,110b) 각각에 발광 소자들(160)을 실장하고, 상기 발광 소자들(160)과 상기 전극 라인들(150a1,150a2,150b1,150b2)을 전기적으로 연결한다.(도 3g)
마지막으로, 상기 복수개의 캐비티들(110a,110b) 각각의 주변에 있는 관통홀(120a,120b) 사이의 반도체 기판(100)을 절단하여, 하나의 캐비티를 갖는 단일 패 키지로 분리한다.(도 3h)
상기 도 3h의 공정을 수행하면, 본 발명에 따른 측면형 발광 소자 패키지를 구현할 수 있는데, 즉, 상부에 캐비티가 형성되어 있고, 제 1 극성을 갖는 반도체 기판과; 상기 반도체 기판 상부에 형성되고, 제 2 극성을 갖는 확산층과; 상기 확산층을 노출시키며, 상기 캐비티의 측면과 바닥면을 포함하는 반도체 기판 상부에 형성된 절연층과; 상기 확산층을 감싸고, 상기 캐비티 바닥면에서 상호 이격되도록, 상기 반도체 기판에 형성되어 있는 전극라인들과; 상기 캐비티 내부에 실장되어 있고, 상기 전극라인들과 전기적으로 연결된 발광소자를 포함하여 구성된다.
따라서, 본 발명에 따른 발광 소자 패키지는 반도체 기판에서 벌크 마이크로 머시닝 공정으로 제조함으로써, 패키지 크기를 작게하고 두께를 얇게 할 수 있어, 소형화 및 슬림화를 가능하게 한다.
또한, 반도체 기판에 확산 공정으로 제너 다이오드를 형성함으로써, 추가적인 제너 다이오드를 제조하는 공정을 수행하지 않아도 되어, 제너 다이오드를 실장시키는 패키지 공정도 당연히 수행하지 않아도 되는 장점이 있다.
더불어, 다수의 패키지를 하나의 반도체 기판에서 제조할 수 있으므로, 생산 수율을 증가시키고, 공정 자동화를 달성할 수 있는 장점이 있다.
도 4는 본 발명에 따른 발광 소자 패키지의 캐비티에 충진체를 도포한 상태를 도시한 단면도로서, 전술된 도 3g와 도 3h 공정 사이에, 복수개의 캐비티들(110a,110b) 각각의 내부에 발광 소자를 감싸는 충진제 도포공정이 더 마련되어 있으면, 상기 발광 소자를 외부의 압력 및 오염원으로부터 보호할 수 있다.
여기서, 상기 충진제는 에폭시 또는 실리콘 젤이 바람직하다.
그리고, 상기 충진제가 형광체가 분산되어 있는 수지(280)로 구성하면, 상기 발광 소자에서 방출되는 광의 파장을 전환시킬 수 있다.
즉, 도 4에 도시된 바와 같이, 발광 소자 패키지는 상부에 캐비티가 형성되어 있고, 제 1 극성을 갖는 반도체 기판과; 상기 반도체 기판 상부에 형성되고, 제 2 극성을 갖는 확산층과; 상기 확산층을 노출시키며, 상기 캐비티의 측면과 바닥면을 포함하는 반도체 기판 상부에 형성된 절연층과; 상기 확산층을 감싸고, 상기 캐비티 바닥면에서 상호 이격되도록, 상기 반도체 기판에 형성되어 있는 전극라인들과; 상기 캐비티 내부에 실장되어 있고, 상기 전극라인들과 전기적으로 연결된 발광소자와; 상기 발광 소자를 감싸며, 상기 캐비티 내부에 도포된 충진제를 포함하여 구성된다.
도 5a 내지 5g는 본 발명에 따른 발광 소자 패키지의 제조 공정을 입체적으로 설명하기 위한 사시도로서, 도 5a 내지 5g는 각각의 제조 공정에 따라 캐비티 내부의 상태를 상세히 설명하기 위하여 기판을 회전시켜 도시한 것이다.
먼저, 도 5a에 도시된 바와 같이, 제 1 극성을 갖는 반도체 기판(100) 상부에 상호 이격된 복수개의 캐비티(Cavity)들(110a,110b,110c,110d)을 형성한다.
그 다음, 상기 복수개의 캐비티들(110a,110b,110c,110d) 각각의 주변에 관통홀(120a,120b,120c,120d)을 형성한다.(도 5b)
여기서, 관통홀(120a,120b,120c,120d)은 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 복수개의 캐비티들(110a,110b,110c,110d) 각각에 수평하게 형성된 제 1 관통홀 (120a1)(도 6에서, 평행한 화살표 방향의 관통홀)과; 상기 제 1 관통홀(120a1)과 수직하게 형성되고, 상기 제 1 관통홀(120a1) 양단 각각에 연결된 제 2 관통홀들(12a2)로 구성된다.
이러한 형상을 갖는 제 1 내지 3 관통홀로 단일 패키지 분리 공정에서 각각의 단일의 패키지로 보다 쉽게 절단할 수 있게 된다.
그리고, 도 5c에서는 상기 복수개의 캐비티들(110a,110b,110c,110d)과 관통홀(120a,120b,120c,120d) 사이의 반도체 기판(100) 상부에 제 2 극성을 갖는 확산층(130a1,130a2,130b1,130b2,130c1,130c2,130d1,130d2)을 형성한다.
이어서, 상기 확산층(130a1,130a2,130b1,130b2,130c1,130c2,130d1,130d2) 각각의 상부 일부를 노출시키며, 상기 반도체 기판(100) 전면에 절연층(140)을 형성한다.(도 5d)
이 절연층(140)은 캐비티들(110a,110b,110c,110d)의 측면과 바닥면에도 형성된다.
계속하여, 상기 복수개의 캐비티들(110a,110b,110c,110d) 각각에서 상호 이격되고, 상기 확산층(130a1,130a2,130b1,130b2,130c1,130c2,130d1,130d2)을 감싸는 전극 라인들(150a1,150a2,150b1,150b2,150c1,150c2,150d1,150d2)을 형성한다.(도 5e)
이 후의 공정은 도 3g와 도 3h로 설명이 가능하다.
도 7은 본 발명에 따른 발광 소자 패키지에서 제너 다이오드가 형성된 상태를 설명하기 위한 개념도로서, 반도체 기판(100)의 상부에 캐비티(110)가 형성되어 있고, 이 캐비티(110) 양측의 반도체 기판(100)의 상부 각각에는 확산층(130a1,130a2)이 형성되어 있다.
즉, 상기 확산층은 상기 반도체 기판(100) 상부에 상호 이격되어 형성된 한 쌍의 확산층이다.
이 때, 상기 반도체 기판(100)의 극성이 N타입이고, 확산층(130a1,130a2)이 P타입이면, NPN 제너 다이오드가 형성되는 것이다.
그리고, 상기 확산층(130a1,130a2)에 연결된 전극라인(150a1,150b)이 발광 소자(170)와 전기적으로 연결되어 있고, 발광 소자(170)는 제너 다이오드와 병렬로 연결되어 있으므로, 발광 소자(170)에서 정전기나 서지 전압이 발생되는 경우, 제너 다이오드에 의해 발광 소자를 보호할 수 있는 것이다.
결과적으로, 본 발명은 발광 소자 패키지 제조 공정 중에 제너 다이오드를 형성하여, 패키지의 크기 및 공정 수를 줄일 수 있어 제조 경비를 줄일 수 있게 된다.
도 8은 본 발명에 따른 발광 소자 패키지에 형성된 전극 라인을 설명하기 위한 사시도로서, 반도체 기판(100) 상부에 형성된 전극라인(150a1,150a2)은 도 5e에 도시된 바와 같이, 관통홀을 통하여 반도체 기판(100)의 측면에도 연장되어 있는 것이 바람직하다.
이 때, 반도체 기판(100)의 측면에 형성된 전극라인(150a1,150a2)은 후술되는 바와 같이, 인쇄회로기판에 패키지를 접합되어, 패키지에서 방출되는 광을 인쇄회로기판의 측면으로 출사시키기 위함이다.
도 9는 본 발명에 따른 발광 소자 패키지가 인쇄회로기판에 접합된 상태를 설명하기 위한 개략적인 사시도로서, 인쇄회로기판(400)에 형성된 한 쌍의 전극라인(411,412)에 발광 소자 패키지(300)의 측면에 형성된 전극라인이 본딩되어, 인쇄회로기판(400) 측면으로 광이 출사된다.
도 10a 내지 10c는 본 발명에 따른 발광 소자 패키지의 단면도로서, 먼저, 도 10a에서, 발광 소자(570)는 반도체 기판의 캐비티 내부에 있는 전극라인(511,512)에 전도성 범프(551,552)로 플립칩(Flip chip) 본딩되어 있다.
그리고, 도 10b의 구조에서는 발광 소자(570)는 반도체 기판의 캐비티 내부에 있는 하나의 전극라인(511)에 전도성 접착제(540)로 전기적으로 연결되며 본딩되어 있고, 다른 하나의 전극라인(512)에 발광 소자(570)는 와이어(530) 본딩되어 있다.
즉, 상기 발광 소자(570)는 상부와 하부에 각각 전극단자를 구비하고 있어, 하부의 전극단자는 실장과 동시에 하나의 전극라인(511)과 전기적으로 연결되는 것이고, 다른 하나의 전극단자(512)는 와이어 본딩되는 것이다.
또한, 도 10c의 구조에서, 발광 소자(570)는 반도체 기판의 캐비티 내부에 있는 절연층(520)에 절연성 접착제(541)로 접착되어 있고, 발광 소자(570)는 캐비티 내부에 있는 전극라인(511,512)에 와이어(531,532) 본딩되어 전기적으로 연결된다.
이상 상술한 바와 같이, 본 발명은 공정 중에 제너 다이오드를 형성하여 발광 소자를 패키지함으로써, 패키지를 소형화 및 슬림화시킬 수 있고, 제너 다이오드 제조 공정 및 발광 소자와의 와이어 본딩공정 등을 수행하지 않아도 되어, 제조 공정 수를 줄일 수 있어 제조 경비를 줄일 수 있는 효과가 있다.
그러므로, 휴대용 정보 통신 기기와 같은 소형 전자 기기의 요구 특성에 적합한 패키지를 구현할 수 있는 것이다.
그리고, 발광 소자 패키지의 측면에 연장된 전극라인을 구비하고, 그 연장된 전극라인을 이용하여 인쇄회로기판에 발광 소자 패키지의 실장시킴으로써, 인쇄회로기판의 측면으로 발광 소자 패키지의 광을 출사시킬 수 있는 효과가 있다.
게다가, 다수의 발광 소자 패키지를 하나의 반도체 기판에서 제조하고, 단일의 패키지로 분리함으로써, 생산 수율을 증가시키고, 공정 자동화를 달성할 수 있는 효과가 있다.
본 발명은 구체적인 예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.
Claims (14)
- 제 1 극성을 갖는 반도체 기판과;상기 반도체 기판 상부에 형성되고, 제 2 극성을 갖는 확산층과;상기 확산층을 노출시키며, 상기 캐비티의 측면과 바닥면을 포함하는 반도체 기판 상부에 형성된 절연층과;상기 확산층을 감싸고, 상기 캐비티 바닥면에서 상호 이격되어 있도록, 상기 반도체 기판에 형성되어 있는 전극라인들과;상기 캐비티 내부에 실장되어 있고, 상기 전극라인들과 전기적으로 연결된 발광소자를 포함하여 구성된 발광 소자 패키지.
- 제 1 항에 있어서,상기 전극라인들은,상기 반도체 기판의 측면에 더 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
- 제 1 항에 있어서,상기 확산층은,상기 반도체 기판 상부에 상호 이격되어 형성된 한 쌍의 확산층인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 극성이 N타입이고,제 2 극성은 P타입인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체 기판은,실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 발광 소자를 감싸며, 상기 캐비티 내부에 도포된 충진제가 더 구비된 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
- 제 6 항에 있어서,상기 충진제는,에폭시 또는 실리콘 젤인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
- 제 6 항에 있어서,상기 충진제는.형광체가 분산되어 있는 수지인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
- 제 1 극성을 갖는 반도체 기판을 준비하는 단계와;상기 제 1 극성을 갖는 반도체 기판 상부에 상호 이격된 복수개의 캐비티(Cavity)들을 형성하는 단계와;상기 복수개의 캐비티들 각각의 주변에 관통홀을 형성하는 단계와;상기 복수개의 캐비티들과 관통홀 사이의 반도체 기판 상부에 제 2 극성을 갖는 확산층을 형성하는 단계와;상기 확산층 각각의 상부 일부를 노출시키며, 상기 반도체 기판 상부에 절연층을 형성하는 단계와;상기 복수개의 캐비티들 각각에서 상호 이격되고, 상기 확산층을 감싸는 전극 라인들을 형성하는 단계와;상기 복수개의 캐비티들 각각에 발광 소자들을 실장하고, 상기 발광 소자들과 상기 전극 라인들을 전기적으로 연결하는 단계와;상기 복수개의 캐비티들 각각의 주변에 있는 관통홀 사이의 반도체 기판을 절단하여, 하나의 캐비티를 갖는 단일 패키지로 분리시키는 단계를 포함하여 구성된 발광 소자 패키지의 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 전극 라인들을 전기적으로 연결하는 단계와 단일 패키지로 분리시키는 단계 사이에,상기 캐비티들 각각의 내부에 상기 발광 소자를 감싸며, 충진제를 도포하는 공정이 더 구비된 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 충진제는,형광체가 분산되어 있는 수지인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 전극 라인들을 형성하는 단계에서,상기 전극라인들은 상기 각각의 캐비티들과 가장 가까운 관통홀 측면에 전극 라인을 더 연장하여 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조 방법.
- 제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 확산층을 형성하는 단계에서,상기 확산층은,상기 반도체 기판 상부에 상호 이격된 한 쌍의 확산층을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조 방법.
- 제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 극성이 N타입이고,제 2 극성은 P타입인 것 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조 방법.
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