KR100633891B1 - 처리 장치 및 그 보수 방법 - Google Patents
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- 처리 장치에 있어서,내부에서 액체 소스를 이용하여 피 처리체에 처리가 실행되는 처리용기와,액체 소스 공급원으로부터 상기 처리용기로 액체 소스를 공급하도록 설치된 액체 소스 공급로와,상기 액체 소스 공급로에 설치되고, 상기 액체 소스 공급로를 흐르는 액체 소스의 유량을 소정의 목표 유량이 되도록 제어하는 유량 제어기기와,세정액 공급원으로부터 상기 액체 소스 공급로의 상기 유량 제어기기의 상류측으로 세정액을 공급하도록 설치된 세정액 공급로와,상기 세정액 공급로에 한쪽 단부가 접속됨과 동시에 상기 세정액 공급로 또는 상기 액체 소스 공급로에 다른쪽 단부가 접속되고, 세정액 공급로의 일부를 바이패스하는 바이패스로와,상기 바이패스로에 설치되고, 상기 바이패스로를 흐르는 세정액의 유량을 계측하는 기능 및 상기 바이패스로를 흐르는 세정액의 유량을 소정의 목표 유량이 되도록 제어하는 기능의 적어도 한쪽의 기능을 갖는 검사용 기기와,세정액이 상기 바이패스로를 통해서 상기 액체 소스 공급로로 공급되는 제 1 상태와, 세정액이 상기 바이패스로를 지나지 않고 상기 액체 소스 공급로로 공급되는 제 2 상태를 전환할 수 있는 밸브를 포함하고,세정액을 상기 바이패스로에 설치된 검사용 기기를 통해서 상기 유량 제어기기에 통류시킬 수 있도록 구성되어 있는처리 장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 세정액 공급로의 상기 일부에 설치되고, 상기 세정액 공급로의 상기 일부를 통하여 상기 액체 소스 공급로로 공급되는 세정액의 유량을 조절하는 유량 조절기기를 또한 포함하고 있는 것을 특징으로 하는처리 장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 세정액 공급로의 상기 일부보다 상류측에 설치되고, 적어도 상기 세정액 공급로의 상기 일부를 통하여 상기 액체 소스 공급로로 공급되는 세정액의 유량을 조절하는 유량 조절기기를 또한 포함하고 있는 것을 특징으로 하는처리 장치.
- 처리 장치에 있어서,내부에서 액체 소스를 이용하여 피 처리체에 처리가 실행되는 처리용기와,액체 소스 공급원으로부터 상기 처리용기에 액체 소스를 공급하도록 설치된 액체 소스 공급로와,상기 액체 소스 공급로에 설치되고, 상기 액체 소스 공급로를 흐르는 액체 소스의 유량을 소정의 목표 유량이 되도록 제어하는 유량 제어기기와,검사용 기기에 있어서, 상기 검사용 기기를 통하여 흐르는 세정액의 유량을 계측하는 기능 및 해당 검사용 기기를 통하여 흐르는 세정액의 유량을 소정의 목표 유량이 되도록 제어하는 기능의 적어도 한쪽의 기능을 갖는 검사용 기기와,상기 액체 소스 공급로에 접속되고, 상기 검사용 기기를 통과시키지 않고 세정액을 상기 액체 소스 공급로의 유량 제어기기의 상류측으로 공급하도록 설치된 제 1 세정액 공급로와,상기 액체 소스 공급로에 접속됨과 동시에 상기 검사용 기기가 배치된 부분을 갖고, 상기 검사용 기기를 통해서 세정액을 상기 액체 소스 공급로의 유량 제어기기의 상류측으로 공급하도록 설치된 제 2 세정액 공급로를 포함한처리 장치.
- 제 6 항에 있어서,상기 제 1 세정액 공급로의 적어도 일부분이 제 2 세정액 공급로의 적어도 일부분과 공유되어있는 것을 특징으로 하는처리 장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 제 1 세정액 공급로 중 상기 제 2 세정액 공급로와 공유되어있지 않은 부분에 설치된 유량 조절기기를 또한 포함하는 것을 특징으로 하는처리 장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 제 1 세정액 공급로중 상기 제 2 세정액 공급로와 공유되어있는 상기 적어도 일부분에 있어서, 또한 상기 검사용 기기의 상류측에 설치된 유량 조절기기를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는처리 장치.
- 제 6 항에 있어서,상기 제 1 세정액 유로 및 상기 제 2 세정액 유로에 세정액을 공급하는 공통의 세정액 공급원을 또한 포함하는 것을 특징으로 하는처리 장치.
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- 처리 장치의 보수 방법에 있어서, 상기 처리 장치가, 액체 소스가 액체 소스 공급로에 설치된 유량 제어기기를 거쳐서 처리용기로 공급되도록 구성되어 있는 것에 있어서,세정액을 제 1 유량으로 상기 액체 소스 공급로로 통류하여, 상기 액체 소스 공급로를 세정하는 세정공정과,세정액을 제 2 유량으로 상기 유량 제어기기에 통류하여, 상기 유량 제어기기를 교정하는 검사공정을 포함하고상기 검사공정은,세정액을, 상기 세정액의 유량을 계측하는 기능 및 상기 세정액의 유량을 목표 유량이 되도록 제어하는 기능의 적어도 한쪽의 기능을 갖는 검사용 기기를 거쳐서, 상기 유량 제어기기에 통류시키는 공정과,세정액을 상기 검사용 기기를 통해서 상기 유량 제어기기로 통류시킨 경우에 있어서의, 상기 유량 제어기기에 설정된 세정액의 목표 유량과 상기 검사용 기기에 의해서 측정된 세정액의 실제의 유량과의 비교, 또는 세정액을 상기 검사용 기기를 통해서 상기 유량 제어기기에 통류시킨 경우에 있어서의, 상기 유량 제어기기에 설치된 유량센서에 의해서 측정된 세정액의 실제의 유량과 상기 검사용 기기에 설정된 목표 유량과의 비교를 하는 공정과,상기 비교에 근거하여 상기 유량 제어기기가 정상적으로 동작하고 있는가 아닌가를 판정하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 세정공정에서 상기 세정액은 상기 검사용 기기를 통하지 않고 상기 액체 소스 공급로로 공급되고,상기 제 1 유량은 상기 제 2 유량보다 큰 것을 특징으로 하는방법.
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20120059697A (ko) * | 2010-12-01 | 2012-06-11 | 주성엔지니어링(주) | 소스 공급 장치 및 소스 공급 장치의 배관 내부를 퍼지하는 방법 |
KR101232688B1 (ko) * | 2009-08-07 | 2013-02-14 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 및 액체 유량 제어 장치의 동작 확인 방법 |
KR20140098684A (ko) * | 2013-01-31 | 2014-08-08 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 원료 가스 공급 장치, 성막 장치, 원료 가스 공급 방법 및 기억 매체 |
KR101773038B1 (ko) * | 2010-07-29 | 2017-08-31 | 주성엔지니어링(주) | 기화기를 갖는 증착장치 및 증착방법 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4682862B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-05-11 | セイコーエプソン株式会社 | 液体収容体及びその液体充填方法 |
JP2007109865A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
FR2894165B1 (fr) * | 2005-12-01 | 2008-06-06 | Sidel Sas | Installation d'alimentation en gaz pour machines de depot d'une couche barriere sur recipients |
JP5137366B2 (ja) * | 2006-01-24 | 2013-02-06 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理システム及び液体材料供給装置 |
KR100745372B1 (ko) * | 2006-02-06 | 2007-08-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조설비의 개스플로우량 감시장치 및 그 방법 |
JP2007218586A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Yokogawa Electric Corp | マルチバリアブル質量流量伝送器 |
DE102007062977B4 (de) * | 2007-12-21 | 2018-07-19 | Schott Ag | Verfahren zur Herstellung von Prozessgasen für die Dampfphasenabscheidung |
WO2009107239A1 (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-03 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置及び半導体製造装置の配管パージ方法 |
US10100407B2 (en) * | 2014-12-19 | 2018-10-16 | Lam Research Corporation | Hardware and process for film uniformity improvement |
JP6560924B2 (ja) * | 2015-07-29 | 2019-08-14 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
US20190047840A1 (en) * | 2016-02-23 | 2019-02-14 | Electro Controles Del Noroeste S.A. De C.V. | Modular fluid-dosing system and its processes |
CN109556685B (zh) * | 2017-09-26 | 2021-09-03 | 中国石油化工股份有限公司 | 一种浮筒式液位变送器校准装置及其校准方法 |
JP7144213B2 (ja) * | 2018-06-27 | 2022-09-29 | アズビル株式会社 | マスフローコントローラの診断装置および診断方法 |
JP7094172B2 (ja) * | 2018-07-20 | 2022-07-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、原料供給装置及び成膜方法 |
JP7429699B2 (ja) * | 2019-04-10 | 2024-02-08 | ピーブイティーイー カンパニー リミテッド | 液体流量計のための較正方法 |
JP7361202B2 (ja) * | 2020-03-26 | 2023-10-13 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、ガス供給装置、原料供給管の洗浄方法、半導体装置の製造方法およびプログラム |
US11487304B2 (en) | 2021-01-08 | 2022-11-01 | Applied Materials, Inc. | Process fluid path switching in recipe operations |
CN116200724A (zh) * | 2021-12-01 | 2023-06-02 | 成都高真科技有限公司 | 一种改善半导体工艺中液源凝结的装置、方法及半导体设备 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0653103A (ja) * | 1992-08-03 | 1994-02-25 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
JPH06102068A (ja) * | 1992-09-18 | 1994-04-12 | Hitachi Ltd | 流量異常チェックシステム |
DE9216892U1 (de) | 1992-12-11 | 1994-04-14 | Fischerwerke Artur Fischer Gmbh & Co Kg, 72178 Waldachtal | In ein Fahrzeug einbaubarer Behälter mit Aufnahmefach |
US5660201A (en) * | 1993-12-21 | 1997-08-26 | Lockheed Martin Idaho Technologies Company | Multiple source/multiple target fluid transfer apparatus |
JP3122311B2 (ja) * | 1994-06-29 | 2001-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜処理室への液体材料供給装置及びその使用方法 |
US6953047B2 (en) * | 2002-01-14 | 2005-10-11 | Air Products And Chemicals, Inc. | Cabinet for chemical delivery with solvent purging |
-
2002
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101232688B1 (ko) * | 2009-08-07 | 2013-02-14 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 및 액체 유량 제어 장치의 동작 확인 방법 |
KR101773038B1 (ko) * | 2010-07-29 | 2017-08-31 | 주성엔지니어링(주) | 기화기를 갖는 증착장치 및 증착방법 |
KR20120059697A (ko) * | 2010-12-01 | 2012-06-11 | 주성엔지니어링(주) | 소스 공급 장치 및 소스 공급 장치의 배관 내부를 퍼지하는 방법 |
KR101689148B1 (ko) | 2010-12-01 | 2017-01-02 | 주성엔지니어링(주) | 소스 공급 장치 및 소스 공급 장치의 배관 내부를 퍼지하는 방법 |
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