KR100622294B1 - Cleaning composition for a positive or negative photoresist - Google Patents
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Abstract
(a) 분자량이 50 내지 2000 이내의 알킬렌 옥사이드 중합체 0.1 내지 20 중량%와, (a) 0.1 to 20% by weight of an alkylene oxide polymer having a molecular weight of 50 to 2000,
(b) 디프로필렌글리콜메틸에테르(DPGME) 1 내지 20 중량부, N-메틸피롤리돈(NMP) 10 내지 50 중량부 및 메틸이소부틸케톤(MIBK) 50 내지 90 중량부를 포함하는 유기 용매 80 내지 99.9 중량%(b) 80 to 80 organic solvents containing 1 to 20 parts by weight of dipropylene glycol methyl ether (DPGME), 10 to 50 parts by weight of N-methylpyrrolidone (NMP) and 50 to 90 parts by weight of methyl isobutyl ketone (MIBK) 99.9 wt%
로 이루어지는 양성 또는 음성 감광제 물질 세정용 조성물이 개시된다.A composition for cleaning a positive or negative photosensitive material comprising:
감광제, 세정Photosensitizer, cleaning
Description
도 1은 본 발명의 세정용 조성물과 일반 유기용매 세정제를 이용하여 양성 감광제를 세정할 때의 각각의 빌드업(build-up) 특성을 도시한 그래프이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a graph showing the respective build-up characteristics when cleaning a positive photoresist using the cleaning composition of the present invention and a general organic solvent cleaner.
도 2는 본 발명의 세정용 조성물을 이용하여 칼라 감광제를 세정할 때의 감광제 잔류 여부를 나타내는 사진이다.2 is a photograph showing whether a photosensitive agent remains when the color photosensitive agent is washed using the cleaning composition of the present invention.
본 발명은 감광제 세정용 조성물에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 양성 또는 음성 감광성 내식막 조성물 및 안료를 함유한 음성 감광제 내식막 조성물을 이용하여 미세회로 가공 공정 중에 감광성 물질과 접촉하는 장비 및 감광성 물질을 코팅하는 기판 중 원치 않는 부분에 남아있는 감광성 물질을 제거하는데 사용되는 감광제 세정용 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a composition for cleaning a photoresist, and more particularly to a device and a photosensitive material contacting a photosensitive material during a microcircuit processing process using a negative photoresist resist composition containing a positive or negative photoresist composition and a pigment. A photosensitive agent cleaning composition used to remove photosensitive material remaining in unwanted portions of a substrate to be coated.
감광성 내식막 조성물을 제조하는 방법은 본 분야에 널리 공지되어 있으며, 예를 들어 문헌 미합중국 특허 제3,666,473호, 제4,115,128호 및 제4,173,470호에 기술되어 있다. 이들 조성물은 페놀-포름알테하이드 노불락수지 및 감광성 물질로 서, 통상적으로는 치환된 나프토퀴논 디아조 화합물을 포함한다.Methods of making photoresist compositions are well known in the art and are described, for example, in US Pat. Nos. 3,666,473, 4,115,128, and 4,173,470. These compositions include phenol-formaldehyde nobulac resins and photosensitive materials, usually substituted naphthoquinone diazo compounds.
이러한 감광성 내식막 조성물 중 노불락 수지 성분은 알카리 수용액에 가용성이지만 나프토퀴논 감광제는 수지에 대하여 용해속도 억제제로서 작용한다. 그러나, 피복된 기판의 특정부분을 화학선에 노출시킬 경우, 감광제는 방사선 유도된 구조적 변형을 일으키게 되며, 피복층의 노출된 부분은 노출되지 않은 부분보다도 더 용해하기 쉽게 된다.The nobulak resin component in such a photoresist composition is soluble in aqueous alkali solution, but the naphthoquinone photosensitizer acts as a dissolution rate inhibitor for the resin. However, when a particular portion of the coated substrate is exposed to actinic radiation, the photosensitizer will cause radiation induced structural deformation and the exposed portion of the coating layer will be more soluble than the unexposed portion.
상기 방법으로 제조된 감광성 내식막의 릴리이프 패턴(RELIEF PATTERN)은, 예를 들면 반도체 제조 공정 중 1㎛ 소형 라인 및 둑을 만드는데 사용된다.The relief pattern RELIEF PATTERN of the photoresist manufactured by the above method is used to make 1 µm small lines and weirs, for example, in a semiconductor manufacturing process.
또한 이러한 소형 회로 제조공정은 포토리소그라픽 기술(photolithography technique)을 사용하여 내식막의 분해력을 증감시킴으로써 회로 밀도를 증가시킬 수 있다. 이러한 감광성 내식막은 반도체 및 액정표시장치를 제조하는 데에 널리 사용되어 왔다.In addition, such a small circuit fabrication process can increase the circuit density by increasing the resolution of the resist using photolithography techniques. Such photoresists have been widely used in the manufacture of semiconductors and liquid crystal displays.
액정표시장치 중 칼라필터 공정의 감광성 물질 사용 예를 들어 더욱 상세하게 설명하면 다음과 같다.An example of using the photosensitive material of the color filter process in the liquid crystal display device will be described in more detail as follows.
칼라필터 공정은 직사각형 모양의 유리 또는 도전성 금속막(이하 '기판' 이라 명칭함) 위에 양성 감광성 물질 또는 안료를 함유한 음성 감광성 물질을 코팅한 후, 소프트베이크(Soft-bake)하고 노광한 후 현상하여 목적하는 형상의 패턴을 만든다.The color filter process is developed by coating a negative photosensitive material containing a positive photosensitive material or pigment on a rectangular glass or conductive metal film (hereinafter referred to as a substrate), followed by soft-bake and exposing. To make a pattern of the desired shape.
이와 같은 미세 회로 패턴의 형성과정에서, 기판 상에 감광제 막을 형성하면 기판의 가장자리에 형성된 감광제 막은 기판의 중앙에 형성된 감광제막과 비교하여 불균일 하게 되고, 또한 소프트베이크 공정이나 노광공정 중 가장자리의 불균일하게 도포된 감광제 물질로 인한 장비의 오염을 방지하기 위하여 제거할 필요가 있다.In the process of forming such a microcircuit pattern, when the photoresist film is formed on the substrate, the photoresist film formed at the edge of the substrate becomes nonuniform compared with the photoresist film formed at the center of the substrate, and the edges are unevenly formed during the soft baking process or the exposure process. It needs to be removed to prevent contamination of the equipment due to the applied photoresist material.
물리적 방법으로 코팅된 감광제 막을 제거하는 방법으로는 막을 스크래핑(Scraping)하는 방법이 알려져 있으나, 이러한 방법은 막의 제거가 균일하지 못하고 막에 손상을 입히는 문제점이 있다.As a method of removing a coated photoresist film by a physical method, a method of scraping a film is known, but this method has a problem in that the removal of the film is not uniform and damages the film.
화학적 방법으로 감광제 막을 스트리핑(Stripping), 크리닝(Cleaning)하기 위하여 화합물로 감광제 막을 제거하는 방법이 일반적으로 알려져 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION A method of removing a photoresist film with a compound for chemically stripping or cleaning the photoresist film is generally known.
미국특허 제4,983,490호는 프로필렌글리콜알킬에테르(예: PGME) 1 내지 10중량부와 프로필렌글리콜알킬에테르아세테이트(예: PGMEA) 1 내지 10중량부로 이루어진 감광제 막 처리액을 개시하고 있다.U.S. Patent No. 4,983,490 discloses a photoresist film treatment solution consisting of 1 to 10 parts by weight of propylene glycol alkyl ether (eg PGME) and 1 to 10 parts by weight of propylene glycol alkyl ether acetate (eg PGMEA).
그러나 이러한 일반적인 화학적 조성물은 주로 양성 감광제에는 뛰어난 세정 능력을 보이나 안료를 함유하고 있는 음성 감광제에 대하여는 다음과 같은 단점이 있다.However, such a general chemical composition mainly shows an excellent cleaning ability for the positive photosensitive agent, but has the following disadvantages for the negative photosensitive agent containing the pigment.
안료를 함유하고 있는 음성 감광제는 액정 표시장치 중 칼라필터에 사용되는 감광제로서 그 종류는 검정, 빨강, 파랑, 녹색의 감광제가 사용된다.The negative photosensitive agent containing a pigment is a photosensitive agent used for a color filter among liquid crystal display devices, and its photosensitive agent is black, red, blue, and green.
이러한 안료를 함유한 감광제는 PGME 1 내지 10 중량부와 PGMEA 1 내지 10 중량부로 이루어진 상기 세정제로 세정할 경우 세정 능력이 떨어질 뿐만 아니라 현상 후 세정한 부분과 세정하지 않은 부분의 경계면에 감광제 잔류물이 남게 된다.When the photoresist containing such a pigment is washed with the above-described cleaning agent consisting of 1 to 10 parts by weight of PGME and 1 to 10 parts by weight of PGMEA, the photoresist residue is not only reduced on the interface between the cleaned and unwashed parts after development. Will remain.
본 발명은 안료를 함유한 음성 감광제를 세정 후에도 소프트베이크(Soft-bake)하고, 노광하고, 현상 후 세정된 부분과 세정하지 않은 경계면에 감광제 잔류물이 남지 않는 세정용 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a cleaning composition in which a negative photosensitive agent containing a pigment is soft-baked even after cleaning, exposed, and no residue of the photosensitive agent remains on the cleaned and uncleaned interface after development. do.
본 발명의 다른 목적은 세정 중 감광제 물질이 세정되는 부분과 세정하지 않는 경계면에서 감광제가 세정액에 의하여 원래의 코팅된 두께보다 높게 솟아 오르는, 빌드업(build-Up) 현상이 생기지 않는 세정용 조성물을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a cleaning composition in which the build-up phenomenon does not occur, in which the photoresist rises higher than the original coated thickness by the cleaning liquid at the part where the photosensitive material is cleaned during cleaning and at the interface at which the photosensitive material is not cleaned. To provide.
본 발명의 또 다른 목적은 감광제막의 세정능력이 우수한 세정용 조성물을 제공하는 것이다.Still another object of the present invention is to provide a cleaning composition having excellent cleaning ability of the photosensitive film.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은
(a) 분자량이 50 - 2000 이내인 알킬렌 옥사이드(Alkyl oxide)중합체 0.1 내지 20 중량%와
(b) 유기용매 80 내지 99.9 중량%
로 이루어지는 세정용 조성물을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention
(a) 0.1 to 20% by weight of an alkylene oxide polymer having a molecular weight of 50 to 2000, and
(b) 80 to 99.9 wt% of organic solvent
It provides a cleaning composition consisting of.
상기의 (b) 유기용매는 바람직하게는 메틸이소부틸케톤(MIBK), 디프로필렌글리콜메틸에테르(DPGME) 및 N-메틸피롤리돈(NMP)의 혼합물이다. The organic solvent (b) is preferably a mixture of methyl isobutyl ketone (MIBK), dipropylene glycol methyl ether (DPGME) and N-methylpyrrolidone (NMP).
이하 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.
본 발명의 세정용 조성물은
(a) 분자량이 50 내지 2000 이내인 알킬렌 옥사이드 중합체와,
(b) 메틸이소부틸케톤(MIBK), 디프로필렌글리콜 메틸에테르(DPGME) 및 N-메틸피롤리돈(NMP)으로 구성된 유기용매의 혼합물이다.The cleaning composition of the present invention
(a) an alkylene oxide polymer having a molecular weight within 50 to 2000,
(b) A mixture of organic solvents consisting of methyl isobutyl ketone (MIBK), dipropylene glycol methyl ether (DPGME) and N-methylpyrrolidone (NMP).
여기서 조성물 중 바람직한 알킬렌 옥사이드 중합체(a)의 양은 전체 조성물에 대하여 0.1 내지 20 중량%이다. 상기 중합체의 양이 20 중량%을 초과하면 소프트베이크(Soft-bake)공정 중 완전히 휘발되지 않기 때문에 바람직하지 못하고 0.1% 이하로 혼합되면 코팅된 감광제를 노광 현상한 후, 세정된 부분과 세정하지 않은 경계면에 잔류 감광제 물질이 있어 바람직하지 못하다. Wherein the preferred amount of alkylene oxide polymer (a) in the composition is 0.1 to 20% by weight relative to the total composition. If the amount of the polymer is more than 20% by weight, it is not preferable because it is not completely volatilized during the soft-bake process. There is a residual photosensitive material at the interface, which is undesirable.
또한 중합체의 분자량이 2000을 초과할 경우에도 완전히 휘발되지 못하는 문제가 있어 바람직하지 못하고, 분자량이 50 미만인 경우에는 코팅된 감광제를 노광 현상 후 세정된 부분과 세정하지 않은 경계면에서 잔류 감광제 물질이 있어 바람직하지 못하다. In addition, even if the molecular weight of the polymer exceeds 2000, there is a problem that it is not fully volatilized, and when the molecular weight is less than 50, the coated photosensitive agent is preferable because there is a residual photosensitive material at the interface after cleaning and the uncleaned interface. I can't.
가장 바람직한 알킬렌 옥사이드 중합체는 에틸렌 또는 프로필렌옥사이드 중합체이며, 이 알킬렌 옥사이드 중합체의 양쪽 말단 그룹에는 어떠한 그룹이 치환되더라도 그 성능의 변화는 없다.Most preferred alkylene oxide polymers are ethylene or propylene oxide polymers, and either end group of the alkylene oxide polymer has no change in its performance no matter which group is substituted.
다음으로 알킬렌 옥사이드 중합체(a)와 혼합할 가장 바람직한 유기용매(b)의 조성은 다음과 같다.Next, the composition of the most preferable organic solvent (b) to be mixed with the alkylene oxide polymer (a) is as follows.
바람직한 유기용매 혼합물의 예 중 하나는 디프로필렌글리콜메틸 에테르(DPGME) 1 내지 20 중량부, N-메틸피롤리돈(NMP) 10 내지 50 중량부 및 메틸이소부틸케톤(MIBK) 50 내지 90 중량부로 구성된 유기용매 혼합물이다. 디프로필렌글리콜 메틸에테르(DPGME)의 경우 20 중량부를 초과할 경우, 완전히 휘발하지 않는 특성이 있어 바람직하지 못하고, 1 중량부 미만일 경우에는 세정력이 떨어져 바람직하지 못하다. N-메틸피롤리돈(NMP)의 경우 10 중량부 미만으로 혼합되면 세정력이 급격히 떨어지기 때문에 바람직하지 않으며 50 중량부 이내로 혼합되는 것이 가장 바람직하다. 메틸이소부틸케톤(MIBK)은 50 중량부 미만으로 들어가면 세정력이 떨어져 바람직하지 못하고 90 중량부이내로 혼합되는 것이 가장 바람직하다.One example of a preferred organic solvent mixture is 1 to 20 parts by weight of dipropylene glycol methyl ether (DPGME), 10 to 50 parts by weight of N-methylpyrrolidone (NMP) and 50 to 90 parts by weight of methyl isobutyl ketone (MIBK). Organic solvent mixture. In the case of dipropylene glycol methyl ether (DPGME), when it exceeds 20 parts by weight, there is a characteristic that does not completely volatilize, when less than 1 part by weight, the washing power is not preferable because it is not preferable. In the case of N-methylpyrrolidone (NMP) is less than 10 parts by weight of mixing is not preferable because the washing power is drastically dropped, it is most preferably mixed within 50 parts by weight. When methyl isobutyl ketone (MIBK) is less than 50 parts by weight, the washing power is deteriorated, which is undesirable, and most preferably, it is mixed within 90 parts by weight.
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(b) 화합물의 경우 양성 감광제를 세정시 세정되는 부분과 세정되지 않는 부분의 경계면에서 감광제의 코팅 두께가 세정 전보다 더 두꺼워지는 빌드업(Build-up) 현상이 없는 뛰어난 능력을 보인다.In the case of the compound (b), the cleaning performance of the positive photoresist is excellent at the interface between the cleaned and uncleaned parts, and the coating thickness of the photosensitive agent is thicker than before the cleaning.
이하에서는 실시예 및 비교예를 통하여 본원 발명을 더욱 자세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples.
<실시예 1> <Example 1>
370mm × 470mm 유리 기판에 스피너를 이용하여 양성 감광제인 AZ HKT501을 코팅한 후 DNS EBR장치에 제거용제로서 분자량이 300인 알킬렌 옥사이드 중합체 3 중량%와 DPGME 7 중량%와 NMP 20 중량%와 MIBK 70 중량%를 혼합한 조성물을 이용하여 해당 유리판의 주변부 및 이면으로부터 레지스트층을 용해제거한 후 그 결과를 현미경을 이용하여 관찰한 결과 제거되지 않고 남아있는 감광제가 없음을 확인하였다.After coating AZ HKT501, a positive photoresist, on a 370mm × 470mm glass substrate with a spinner, 3% by weight of an alkylene oxide polymer having a molecular weight of 300, 7% by weight of DPGME, 20% by weight of NMP, and MIBK 70 as a removal solvent on the DNS EBR apparatus After dissolving and removing the resist layer from the periphery and the back side of the glass plate using the composition mixed with the weight%, the results were observed using a microscope to confirm that there was no photoresist remaining without being removed.
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<비교예 1>Comparative Example 1
제거용제로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA) 30 중량%와 프로필렌글리콜모노메틸에테르(PGME) 70 중량%를 혼합한 조성물을 이용하여 실시예 1과 마찬가지로 실험을 행한 후 빌드업 측정결과를 도 1에 표시하였다.As a removal solvent, the experiment was performed in the same manner as in Example 1 using a composition containing 30% by weight of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) and 70% by weight of propylene glycol monomethyl ether (PGME). Marked on.
도 1은 양성 감광제 AZ HKT 501를 기판에 코팅한 후, 실시예 1에서 제조한 본 발명의 세정용 조성물과 비교예 1에서의 일반 유기용매 세정제를 이용하여 기판을 코팅한 후의 빌드업(build-up) 특성을 도시한 그래프이다. 도 1에서 볼 수 있는 것처럼 본 발명의 세정용 조성물을 이용하여 세정할 경우에는 세정된 부분과 세정되지 않은 경계면에서 빌드업 현상이 없고 유기용매가 감광제 안으로 침투하여 코팅 두께가 변하는 현상도 일어나지 않음을 알 수 있다. FIG. 1 shows a build-up after coating a substrate by using a positive photosensitive agent AZ HKT 501 on a substrate and then using the cleaning composition of the present invention prepared in Example 1 and a general organic solvent cleaner in Comparative Example 1. up) A graph showing the characteristics. As shown in FIG. 1, when cleaning using the cleaning composition of the present invention, there is no buildup phenomenon at the interface between the cleaned portion and the uncleaned surface, and organic solvent penetrates into the photosensitive agent so that the coating thickness does not change. Able to know.
도 2는 양성 감광제 AZ HKT 501 대신, 안료를 함유하는 음성 감광제인 JSR 칼라 감광제(R,G,B)를 기판에 코팅한 후, 실시예 1에서 제조한 본 발명의 세정용 조성물과 비교예 1의 일반 유기용매를 사용한 세정용 조성물을 이용하여 JSR 칼라 감광제를 세정시 감광제 잔류 여부를 나타내는 사진이다. 도 2에서 볼 수 있는 것처럼 JSR 칼라 감광제(R,G,B)를 기판에 코팅한 후, 실시예 1에서 제조한 본 발명의 세정용 혼합물을 사용하여 세정하여 베이킹하고 현상할 경우 감광제의 잔류물이 전혀 존재하지 않음을 알 수 있다.FIG. 2 is coated with a JSR color photosensitive agent (R, G, B), which is a negative photosensitive agent containing a pigment, on the substrate instead of the positive photosensitive agent AZ HKT 501, and Comparative Example 1 It is a photograph which shows whether a photosensitive agent remains at the time of washing | cleaning a JSR color photosensitive agent using the cleaning composition using the general organic solvent of. As can be seen in Figure 2 JSR color photoresist (R, G, B) is coated on a substrate, and then washed, baked and developed using the cleaning mixture of the present invention prepared in Example 1 residue of the photoresist It can be seen that this does not exist at all.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 양성 및 음성감광제 세정용 조성물은 세정력이 매우 뛰어나고 세정 후 잔류물이 남지 않을 뿐 아니라, 세정된 부분과 세정되지 않은 부분의 경계면에서 빌드업 현상이나, 세정액이 코팅된 감광제 안으로 침투하여 코팅 두께를 변화시키는 문제도 없다. As described above, the positive and negative photosensitive agent cleaning composition of the present invention has excellent cleaning power and no residue after cleaning, as well as a build-up phenomenon or a cleaning liquid coating at the interface between the cleaned and uncleaned parts. There is no problem of penetrating into the photoresist and changing the coating thickness.
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|---|---|---|---|---|
| CN101649463B (en) * | 2009-07-17 | 2011-03-30 | 富美科技有限公司 | Method for removing thin polymer film on the surface of old organic photoconductive drum |
| KR101032464B1 (en) * | 2009-09-07 | 2011-05-03 | 삼성전기주식회사 | Detergent composition for FPCB |
| KR102414295B1 (en) | 2016-01-22 | 2022-06-30 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | Photoresist stripper composition |
| KR102445582B1 (en) | 2016-02-11 | 2022-09-22 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | Thinner composition for removing color resist |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08188798A (en) * | 1995-01-11 | 1996-07-23 | Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd | Detergent for fouling with ink or coating |
| US6060439A (en) * | 1997-09-29 | 2000-05-09 | Kyzen Corporation | Cleaning compositions and methods for cleaning resin and polymeric materials used in manufacture |
| KR20010012292A (en) * | 1997-05-05 | 2001-02-15 | 스티븐티.워쇼 | Non-corrosive stripping and cleaning composition |
-
2002
- 2002-09-04 KR KR1020020053240A patent/KR100622294B1/en not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-10-31 KR KR1020050103448A patent/KR100655108B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08188798A (en) * | 1995-01-11 | 1996-07-23 | Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd | Detergent for fouling with ink or coating |
| KR20010012292A (en) * | 1997-05-05 | 2001-02-15 | 스티븐티.워쇼 | Non-corrosive stripping and cleaning composition |
| US6060439A (en) * | 1997-09-29 | 2000-05-09 | Kyzen Corporation | Cleaning compositions and methods for cleaning resin and polymeric materials used in manufacture |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| KR20050113140A (en) | 2005-12-01 |
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