KR100627368B1 - Module and Method for Generating Delayed Clock and Plasma Display Panel Using the Same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 클럭 지연 모듈, 지연 클럭 생성 방법 및 이를 이용한 플라즈마 표시 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a clock delay module, a delay clock generation method, and a plasma display device using the same.
본 발명에 따르면 클럭을 지연시키는 복수의 지연부를 사용하여, 각각의 온도 범위에 따라서 복수의 지연부 중에서 하나의 지연 클럭 신호를 선택 출력함으로써 온도에 관계없이 안정적으로 정확한 타이밍을 가지는 지연 클럭을 생성할 수 있다. 또한, 이를 이용하여 DDR 메모리을 이용한 시스템에서 온도에 관계없이 안정적으로 데이터를 입력할 수 있으므로, 플라즈마 표시 장치에서 온도에 관계없이 안정적으로 화면을 표시할 수 있다. According to the present invention, by using a plurality of delay units for delaying a clock, one delay clock signal is selected from among the plurality of delay units according to each temperature range to generate a delay clock having a stable and accurate timing regardless of temperature. Can be. In addition, since the data can be stably input regardless of the temperature in the system using the DDR memory, the plasma display device can stably display the screen regardless of the temperature.
클럭 지연 모듈, 지연 클럭 생성, DDR, 메모리 컨트롤러, 플라즈마 표시 장치Clock Delay Modules, Delayed Clock Generation, DDR, Memory Controllers, Plasma Displays
Description
도 1a 및 도 1b는 종래 기술에 따른 DRAM에서 데이터를 입력할 때의 타이밍도이다. 1A and 1B are timing diagrams for inputting data in a DRAM according to the prior art.
도 2는 종래 기술에 따른 DDR 램에서 데이터를 입력할 때의 타이밍도이다. 2 is a timing diagram when data is input from a DDR RAM according to the prior art.
도 3은 종래 기술에 따른 DDR 램에서 사용하는 딜레이된 클럭을 나타내는 타이밍도이다. 3 is a timing diagram illustrating a delayed clock used in a DDR RAM according to the prior art.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 클럭 지연 모듈의 개략도이다.4 is a schematic diagram of a clock delay module according to an embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 지연 클럭 생성 방법의 순서도이다. 5 is a flowchart of a delay clock generation method according to an embodiment of the present invention.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 개략도이다.6 is a schematic diagram of a plasma display device according to an embodiment of the present invention.
본 발명은 클럭 지연 모듈, 지연 클럭 생성 방법 및 이를 이용한 플라즈마 표시 장치에 관한 것으로, 특히 온도의 변화에 관계없이 안정적으로 데이터를 입출력하기 위한 클럭 지연 모듈, 지연 클럭 생성 방법 및 이를 이용한 플라즈마 표시 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE
메모리는 데이터를 저장할 수 있는 기억 소자로써, 컴퓨터, PDA(Personal Digital Assistants), 디지털 카메라 및 플라즈마 표시 장치 등에서 널리 사용되고 있다. Memory is a storage device capable of storing data, and is widely used in computers, personal digital assistants (PDAs), digital cameras, and plasma display devices.
상기 메모리는 전원이 꺼지면 저장된 데이터가 사라지는 휘발성 메모리와, 전원이 꺼져도 저장된 데이터가 사라지지 않는 비휘발성 메모리로 나뉜다. 휘발성 메모리로는 SRAM(Static Random Access Memory)과 DRAM(Dynamic Random Access Memory) 등이 있고, 비휘발성 메모리로는 NAND형 플래시 메모리(Flash Memory)와 NOR형 플래시 메모리 등이 있다. The memory is divided into a volatile memory in which stored data disappears when the power is turned off, and a nonvolatile memory in which stored data does not disappear even when the power is turned off. Volatile memories include static random access memory (SRAM) and dynamic random access memory (DRAM). Nonvolatile memories include NAND flash memory and NOR flash memory.
상기 SRAM은 전원이 공급되는 동안은 항상 기억된 내용이 그대로 남아 있는 메모리로서 일반적으로 하나의 기억 소자가 4개의 트랜지스터로 구성되어 속도가 빠르지만 제조 단가가 높고, 상기 DRAM은 전원이 공급되는 동안에도 주기적으로 정보를 리플래쉬(Refresh)를 해줘야 하는 메모리로서 일반적으로 하나의 기억 소자가 1개의 트랜지스터로 구성되어 속도는 상기 SRAM 보다 느리지만 제조 단가는 낮다. The SRAM is a memory that always retains its contents while power is supplied. In general, a single memory device is composed of four transistors, and thus the manufacturing speed is high. However, the DRAM has a high manufacturing cost. As a memory that needs to refresh information periodically, one memory device is generally composed of one transistor, so that the speed is lower than that of the SRAM, but the manufacturing cost is low.
그리고, 최근에는 기술의 발전에 따라 기존의 DRAM보다 속도가 빨라진 DDR(Double Date Rate)방식의 메모리가 개발되었다. Recently, with the development of technology, DDR (Double Date Rate) memory, which is faster than conventional DRAM, has been developed.
도 1a 및 도 1b는 종래 기술에 따른 DRAM에서 데이터를 입력할 때의 파형도이다. 1A and 1B are waveform diagrams for inputting data in a DRAM according to the prior art.
일반적으로 DRAM은 도 1a 및 도 1b와 같이 클럭 신호(CLK)가 상승 진행 천이(클럭 파형이 0 에서 1로 변할 때, Positive-Going-Transition, 이하 PGT) 상태 또 는 하강 진행 천이(클럭 파형이 1 에서 0으로 변할 때, Negative-Going- Transition, 이하 NGT)일 때를 중심으로 데이터 입출력이 실행된다. Generally, the DRAM has a rising progress transition (when the clock waveform changes from 0 to 1, a positive-going-transition (PGT) state) or a falling progress transition (clock waveform) as shown in FIGS. 1A and 1B. When the value is changed from 1 to 0, data input / output is executed around Negative-Going-Transition (NGT).
PGT형 DRAM(PGT 상태에 데이터 입출력이 실행되는 DRAM)에 데이터를 입력하기 위해서는 클럭 신호가 NGT가 될 때에 데이터 파형을 입력하면 되고, NGT형 DRAM에 데이터를 입력하기 위해서는 클럭 신호가 PGT가 될 때에 데이터 파형을 입력하면 된다. 여기서, 데이터를 입력하는 시점이 정확해야 DRAM에 에러 없이 데이터 입력이 실행된다. To input data into a PGT type DRAM (DRAM that performs data input / output in the PGT state), a data waveform is input when the clock signal becomes NGT. When a clock signal becomes PGT to input data to the NGT type DRAM, Just enter the data waveform. In this case, the data input is executed without error in the DRAM only when the data input time is correct.
도 2는 종래 기술에 따른 DDR 메모리에서 데이터를 입력할 때의 파형도이다. 2 is a waveform diagram when data is input from a DDR memory according to the prior art.
상기 DDR 메모리은 클럭 신호가 PGT 상태는 물론이고, NGT 상태에서도 데이터 입출력이 실행된다. 즉, DDR 메모리은 하나의 클럭에서 두 번의 데이터 입출력이 가능하다. In the DDR memory, data input / output is executed not only in the PGT state but also in the NGT state. That is, DDR memory can input and output two data at one clock.
그러나 이러한 DDR 메모리에 데이터를 입력하기 위해서는 데이터 입력 시점을 PGT 와 NGT의 중간 지점으로 해야 한다. 따라서, 상기 DDR 메모리에 데이터를 입력할 때에는 PLL(Phase Locked Loop, 위상 고정 루프) 또는 DLL(Delay Locked Loop, 지연 고정 루프) 모듈을 사용하여 도 3과 같이 1 클럭의 4분의 1(또는 4분의 3)만큼 딜레이된 클럭 신호를 생성하여, 상기 딜레이된 클럭 신호의 PGT 상태 또는 NGT 상태일 때에 데이터 파형을 입력한다. However, in order to input data into such DDR memory, the data input point should be the middle point between PGT and NGT. Therefore, when inputting data into the DDR memory, using a phase locked loop (PLL) or delay locked loop (DLL) module, a quarter (or 4) of one clock as shown in FIG. A clock signal delayed by 3) is generated, and a data waveform is input when the delayed clock signal is in the PGT state or the NGT state.
그러나, 상기 클럭을 딜레이 시키기 위한 PLL 또는 DLL 모듈은 상기 입력 클럭이 높아지면, 주변 온도에 따라서 출력되는 클럭의 딜레이가 늦어지거나 빨라지게 된다. 상기 클럭의 딜레이가 늦어지거나 빨라지면, 그에 따라 데이터를 입력하 는 시점이 늦어지거나 빨라지게 되어 데이터 입력이 실패하는 문제점이 발생한다.However, the PLL or DLL module for delaying the clock causes the delay of the output clock to be delayed or accelerated according to the ambient temperature when the input clock is increased. If the clock delay is delayed or accelerated, a time point at which data is input is delayed or faster, resulting in a problem that data input fails.
또한, 이러한 클럭을 딜레이 시키기 위한 모듈은 DDR 메모리를 제어하기 위한 DDR 메모리 컨트롤러에 포함되고, DDR 메모리 컨트롤러는 컴퓨터의 CPU나 메인보드의 칩셋(Chipset) 등에 포함되는데, 이러한 클럭을 딜레이 시키기 위한 모듈이 적절히 동작하지 않음으로 해서 컴퓨터의 CPU나 메인보드의 칩셋의 수율이 떨어지는 문제점이 발생한다. In addition, a module for delaying such a clock is included in a DDR memory controller for controlling DDR memory, and a DDR memory controller is included in a CPU of a computer or a chipset of a motherboard, and a module for delaying such a clock is provided. If it does not operate properly, the yield of the CPU of the computer or the chipset of the motherboard is reduced.
이러한 문제점은 상기 DDR 메모리를 이용하는 플라즈마 표시 장치의 제어부에서도 나타난다. 즉, 상기 플라즈마 표시 장치에서는 생성한 영상 데이터를 일시적으로 DDR 메모리에 저장한 후에 출력하게 되는데, 상기 플라즈마 표시 장치에서 발열이 심한 경우에는 영상 데이터 입력을 실패하게 되어 영상이 바르게 표시되지 않는 문제점이 발생한다. This problem also occurs in the control unit of the plasma display device using the DDR memory. That is, in the plasma display device, the generated image data is temporarily stored in the DDR memory and then output. When the heat generation in the plasma display device is severe, the input of the image data fails and the image is not displayed correctly. do.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 온도의 변화에 관계없이 안정적으로 데이터를 입출력하기 위한 클럭 지연 모듈, 지연 클럭 생성 방법 및 이를 이용한 플라즈마 표시 장치를 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide a clock delay module, a delayed clock generation method, and a plasma display device using the same for stably inputting and outputting data regardless of temperature change.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따른 클럭 지연 모듈은, Clock delay module according to a feature of the present invention for achieving the above object,
입력되는 클럭의 타이밍을 기준으로 각각 소정의 타이밍만큼 지연된 클럭 신호를 생성하는 복수의 지연부; 현재 온도를 측정하는 온도 측정부; 상기 온도에 따라 선택 신호를 생성하는 선택 신호 생성부; 및 상기 생성된 선택 신호에 따라 상 기 복수의 지연부에서 생성되는 클럭 신호 중 하나를 선택하여 출력하는 선택부(MUX)를 포함한다. 여기서, 상기 선택부에 의하여 출력되는 지연된 클럭 신호는 온도의 변화에 관계없이 일정한 것을 특징으로 한다.A plurality of delay units configured to generate clock signals delayed by a predetermined timing based on timing of an input clock; A temperature measuring unit measuring a current temperature; A selection signal generator for generating a selection signal according to the temperature; And a selection unit MUX for selecting and outputting one of the clock signals generated by the plurality of delay units according to the generated selection signal. Here, the delayed clock signal output by the selector is constant regardless of the change in temperature.
본 발명의 다른 특징에 따른 지연 클럭 생성 방법은,Delayed clock generation method according to another aspect of the present invention,
입력되는 기준 클럭을 이용하여 소정의 지연된 클럭을 생성하는 지연 클럭 생성 방법에 있어서, (a) 복수의 지연부를 사용하여 각각 소정의 타이밍만큼 지연된 클럭 신호를 생성하는 단계; 및 (b) 측정된 온도에 따라 상기 복수의 지연부에서 생성되는 지연된 클럭 신호 중 하나를 선택하여 출력하는 단계를 포함한다. 여기서, 상기 단계 (b)에서 선택된 지연된 클럭 신호는 온도의 변화에 관계없이 일정한 것을 특징으로 한다.A delayed clock generation method for generating a predetermined delayed clock using an input reference clock, comprising: (a) generating a clock signal delayed by a predetermined timing using a plurality of delay units; And (b) selecting and outputting one of delayed clock signals generated by the plurality of delay units according to the measured temperatures. Here, the delayed clock signal selected in step (b) is characterized in that it is constant regardless of the change in temperature.
본 발명의 다른 특징에 따른 플라즈마 표시 장치는,Plasma display device according to another aspect of the present invention,
다수의 어드레스 전극, 다수의 주사 전극 및 유지 전극이 교차되는 영역에 방전셀이 형성된 플라즈마 패널; 입력되는 영상 신호를 이용하여 한 프레임을 몇 개의 서브 필드로 나누고, 각 서브 필드를 리셋 기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간으로 나누어 플라즈마 패널을 구동하는 제어 신호를 생성하는 제어부; 상기 제어부에 의해 생성된 제어 신호에 따라 상기 어드레스 전극에 전압 인가를 하는 어드레스 구동부; 및 상기 제어부에 의해 생성된 제어 신호에 따라 상기 주사·유지 전극에 구동하는 주사·유지 전극 구동부를 포함하고, A plasma panel in which discharge cells are formed in an area where a plurality of address electrodes, a plurality of scan electrodes, and a sustain electrode cross each other; A controller configured to generate a control signal for driving the plasma panel by dividing a frame into several subfields by using an input image signal and dividing each subfield into a reset period, an address period, and a sustain period; An address driver configured to apply a voltage to the address electrode according to a control signal generated by the controller; And a scan / hold electrode driver for driving the scan / hold electrode according to a control signal generated by the controller,
상기 제어부는 어드레스 구동부에 제공하는 제어 신호를 임시 저장할 때에 필요한 지연 클럭을, 입력되는 클럭의 타이밍을 기준으로 각각 소정의 타이밍만큼 지연된 클럭 신호를 생성하는 복수의 지연부; 현재 온도를 측정하는 온도 측정부; 상기 온도에 따라 선택 신호를 생성하는 선택 신호 생성부; 및 상기 생성된 선택 신호에 따라 상기 복수의 지연부에서 생성되는 클럭 신호 중 하나를 선택하여 출력하는 선택부(MUX)를 이용하여 생성한다.The control unit may include: a plurality of delay units configured to generate delayed clocks necessary for temporarily storing a control signal provided to an address driver, and clock signals delayed by a predetermined timing based on timings of input clocks; A temperature measuring unit measuring a current temperature; A selection signal generator for generating a selection signal according to the temperature; And a selector MUX for selecting and outputting one of clock signals generated by the plurality of delay units according to the generated select signal.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였다. DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 클럭 지연 모듈의 개략도이다. 4 is a schematic diagram of a clock delay module according to an embodiment of the present invention.
도 4에 나타난 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 클럭 지연 모듈(10)은 제1 내지 제5 지연부(11-15), 온도 측정부(16), 선택 신호 생성부(17) 및 선택부(18)를 포함한다. As shown in FIG. 4, the
상기 제1 내지 제5 지연부(11-15)는 클럭 신호를 입력받고, 상기 입력되는 클럭의 타이밍을 기준으로 하여 각각 소정의 타이밍만큼 지연된 클럭을 생성한다. 이러한 제1 내지 제5 지연부(11-15)는 온도가 높아짐에 따라서 지연 시간이 길어진다. The first to fifth delay units 11-15 receive a clock signal and generate clocks delayed by a predetermined timing based on the input clock timing. The delay time of the first to fifth delay units 11-15 increases as the temperature increases.
예를 들어, 상기 제1 내지 제5 지연부(11-15)는 일반적인 반도체 칩의 동작 온도(40℃ 내지 60℃)에서, 입력되는 클럭의 타이밍을 기준으로 하여 각각 약 0.8 ns, 0.9 ns, 1.0 ns, 1.1 ns, 1.2 ns 만큼 지연된 클럭 신호를 출력하고, 각각 온 도 T가 다음의 표 1과 같은 범위 내에서는, 입력되는 클럭의 타이밍을 기준으로 하여 1 ns 만큼 지연된 클럭 신호를 생성한다.For example, the first to fifth delay units 11-15 may be about 0.8 ns, 0.9 ns, based on the timing of the input clock at operating temperatures (40 ° C. to 60 ° C.) of a general semiconductor chip. A clock signal delayed by 1.0 ns, 1.1 ns, and 1.2 ns is output, and a clock signal delayed by 1 ns is generated based on the timing of the input clock when the temperature T is in the range shown in Table 1 below.
즉, 어떤 온도의 범위 내에서도 제1 내지 제5 지연부(11-15) 중 어느 하나의 지연부는 원하는(여기서는 1 ns) 만큼의 지연된 클럭 신호를 출력하게 된다.That is, within any temperature range, any one of the first to fifth delay units 11-15 outputs the delayed clock signal as much as desired (in this case, 1 ns).
상기 제1 내지 제5 지연부(11-15)에서 생성된 각각의 지연된 클럭 신호는 나중에 설명할 선택부(MUX)(18)에 입력되고, 상기 선택부(18)는 그 중 하나의 지연 클럭 신호를 선택하여 출력한다. Each delayed clock signal generated by the first to fifth delay units 11-15 is input to a selector (MUX) 18, which will be described later, and the
이와 같은 제1 내지 제5 지연부(11-15)는 직렬로 연결하는 것이 바람직하다. 즉, 제1 내지 제5 지연부(11-15)가 직렬로 연결되어 있는 경우, 제1 지연부(11)는 입력되는 클럭에서 0.8 ns 의 타이밍만큼 지연하고, 제2 내지 제5 지연부(12-15)는 각각 0.1 ns 의 타이밍만큼 지연하는 것으로 설계하면 된다. 즉, 제2 내지 제5 지연부(12-15)는 동일한 모듈을 사용할 수 있다.Such first to fifth delay units 11-15 are preferably connected in series. That is, when the first to fifth delay units 11-15 are connected in series, the
하지만, 제1 내지 제5 지연부(11-15)가 각각 기준되는 클럭을 입력받게 되면, 제1 내지 제5 지연부(11-15)는 입력되는 클럭을 기준으로 각각 0.8 ns, 0.9 ns, 1.0 ns, 1.1 ns, 1.2 ns 의 타이밍만큼 지연하도록 설계해야 한다. However, when the first to fifth delay units 11-15 receive the respective clocks, the first to fifth delay units 11-15 are 0.8 ns, 0.9 ns, respectively. It should be designed to delay by 1.0 ns, 1.1 ns, 1.2 ns timing.
이와 같은 제1 내지 제5 지연부(11-15)는 버퍼, PLL, DLL 또는 D-플리플롭 등을 이용하여 제작이 가능하다. The first to fifth delay units 11-15 may be manufactured using a buffer, a PLL, a DLL, or a D-flop.
온도 측정부(16)는 본 클럭 지연 모듈(10) 또는 메모리 컨트롤러 또는 메모리의 온도를 측정하여 온도 데이터를 생성한다. 상기 온도 측정부(16)의 온도 측정은 주기적으로 계속 행해진다.The
선택 신호 생성부(17)는 상기 온도 측정부(16)로부터 생성된 온도 데이터를 수신하여, 상기 온도 데이터에 따라 3비트의 데이터를 생성한다. The
본 발명의 실시예에 따른 선택 신호 생성부(17)는 현재 온도가 섭씨 90도 이상인 경우에는 2진수 000, 섭씨 60도 이상 90도 미만인 경우에는 2진수 001, 섭씨 40도 이상 60도 미만인 경우에는 010, 섭씨 10도 이상 40도 미만인 경우에는 2진수 011, 섭씨 10도 미만인 경우에는 2진수 100을 생성한다.
선택부(MUX)(18)는 상기 선택 신호 생성부(17)로부터 2진수 선택 신호를 수신하여, 상기 2진수 선택 신호에 따라 상기 제1 내지 제5 지연부(11-15)로부터 출력된 지연된 클럭 신호 중에서 하나의 클럭 신호를 출력한다. The selector (MUX) 18 receives a binary select signal from the
즉, 상기 선택부(18)는 상기 선택 신호 생성부(17)로부터 수신받은 2진수 선택 신호가 000 인 경우에는 제1 지연부(11)에서 출력되는 지연된 클럭 신호를 출력하고, 001 인 경우에는 제2 지연부(12)에서 출력되는 지연된 클럭 신호를 출력하고, 010 인 경우에는 제3 지연부(13)에서 출력되는 지연된 클럭 신호를 출력하고, 011인 경우에는 제4 지연부(14)에서 출력되는 지연된 클럭 신호를 출력하고, 100 인 경우에는 제5 지연부(15)에서 출력되는 지연된 클럭 신호를 출력한다. That is, the
예를 들어, 상기 제1 내지 제5 지연부(11-15)는 일반적인 반도체 칩의 동작 온도(40℃ 내지 60℃)에서, 입력되는 클럭의 타이밍을 기준으로 하여 각각 약 0.8 ns, 0.9 ns, 1.0 ns, 1.1 ns, 1.2 ns 만큼 지연된 클럭 신호를 출력하고, 각각 온도 T가 표 1과 같은 범위 내에서는, 입력되는 클럭의 타이밍을 기준으로 하여 1 ns 만큼 지연된 클럭 신호를 출력하므로, 이와 같은 클럭 지연 모듈은 어떠한 온도 범위에서도 입력되는 클럭의 타이밍을 기준으로 하여 1 ns 만큼 지연된 클럭 신호를 출력하게 된다.For example, the first to fifth delay units 11-15 may be about 0.8 ns, 0.9 ns, based on the timing of the input clock at operating temperatures (40 ° C. to 60 ° C.) of a general semiconductor chip. Clock signals delayed by 1.0 ns, 1.1 ns, and 1.2 ns are output, and clock signals delayed by 1 ns are output based on the timing of the input clock within the temperature T range as shown in Table 1, respectively. The delay module outputs a clock signal delayed by 1 ns based on the timing of the input clock in any temperature range.
또한, 상기 선택부(18)는 상기 선택 신호 생성부(17)로부터 2진수 선택 신호를 주기적으로 계속 수신함으로써, 주위 온도가 변해도 계속하여 1 ns 만큼 지연된 클럭 신호를 일정하게 출력할 수 있다. In addition, the
이와 같은 클럭 지연 모듈(10)은 상기 지연부의 개수 및 지연부의 지연 타이밍을 조절하면 어떤 온도 범위 내에서도 원하는 만큼 지연된 클럭 신호를 출력할 수 있다. The
다음으로, 도 5를 참조하여 지연 클럭 생성 방법에 대해서 설명한다. Next, a delay clock generation method will be described with reference to FIG. 5.
우선, 다수의 지연부를 각각 다양한 온도 범위 내에서 소망의 타이밍(본 발명의 실시예에서는 1 ns)만큼 지연된 클럭 신호를 생성하도록 조정한다. First, a plurality of delay units are each adjusted to generate a clock signal delayed by a desired timing (1 ns in the embodiment of the present invention) within various temperature ranges.
예를 들어, 각각 온도 T가 상기 표 1과 같은 범위 내에서 1 ns 의 타이밍만큼 지연된 클럭 신호를 생성하도록 조정한다(S100). For example, each temperature T is adjusted to generate a clock signal delayed by a timing of 1 ns within the range shown in Table 1 above (S100).
다음에, 현재 온도를 측정하고, 상기 온도에 따라 선택 신호를 생성한다. 상기 선택 신호는 예를 들어, 다음의 표 2와 같이 2진수로 생성하는 것이 바람직하다(S110). Next, the present temperature is measured, and a selection signal is generated according to the temperature. The selection signal is preferably generated in binary, for example, as shown in Table 2 below (S110).
다음으로, 생성된 선택 신호에 따라, 상기 소망의 타이밍만큼 지연된 클럭 신호를 선택한다. 이와 같은 지연된 클럭 신호의 선택은 선택부(MUX)를 이용하는 것이 바람직하다(S120). Next, according to the generated selection signal, the clock signal delayed by the desired timing is selected. It is preferable to use the selection unit MUX to select such a delayed clock signal (S120).
상기 단계(S110)와 단계(S120)는 주기적으로 계속 반복되어 온도의 변화에 관계없이 일정한 지연 클럭을 출력할 수 있다. Steps S110 and S120 may be repeated periodically to output a constant delay clock regardless of a change in temperature.
다음으로, 도 6을 참조하여 상기 클럭 지연 모듈(10)을 이용한 플라즈마 표시 장치에 대하여 설명한다. Next, a plasma display device using the
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 개략적인 평면도이다. 6 is a schematic plan view of a plasma display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 6에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치는 플라즈마 패널(100), 어드레스 구동부(200), 주사·유지 구동부(300) 및 제어부(400)를 포함한다. As shown in FIG. 6, a plasma display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a
플라즈마 패널(100)은 다수의 전극들을 포함한다. 상기 전극들은 m × n의 매트릭스 형태로 배열되며, 구체적으로 열 방향으로는 어드레스 전극(이하 'A 전극'이라 함)(A1-Am)이 배열되어 있고, 행 방향으로는 n행의 주사 전극(이하 'Y 전극'이라 함)(Y1-Yn) 및 유지 전극(이하 'X 전극'이라 함)(X1-Xn)이 지그재그로 배 열되어 있다. 여기서, A 전극(A1-Am)과 X 및 Y 전극(X1-Xn, Y1-Yn)의 교차부에 있는 방전 공간이 방전셀을 형성한다. The
어드레스 구동부(200)는 제어부(400)로부터 어드레스 구동 제어 신호를 수신하여 표시하고자 하는 방전셀을 선택하기 위한 어드레스 펄스를 각 어드레스 전극(A1-Am)에 인가한다. The
주사·유지 구동부(300)는 제어부(400)로부터 제어 신호를 수신하여 주사 전극(Y1-Yn)과 유지 전극(X1-Xn)에 서스테인 펄스를 번갈아 인가함으로써 선택된 방전셀에 대하여 유지 방전을 수행한다. The scan /
제어부(400)는 외부로부터 R, G, B 영상 신호와 동기 신호를 수신하여 한 프레임을 몇 개의 서브 필드로 나누고, 각 서브 필드를 리셋 기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간으로 나누어 플라즈마 표시 장치를 구동하는 제어 신호를 생성한다. 상기 제어부(400)는 어드레스 펄스 인가에 필요한 제어 신호를 생성하여 어드레스 구동부(200)에 공급한다. 또한, 상기 제어부(400)는 각 서브 필드의 서스테인 기간에 인가되는 서스테인 펄스 수를 구하고, 그에 따른 제어 신호를 생성하여 주사·유지 구동부(300)에 공급한다. The
본 발명의 실시예에 따른 상기 제어부(400)는 어드레스 구동부(200)에 제공하는 제어 신호를 임시적으로 DDR 메모리에 입력 저장한다. 이때, 상기 제어부(400)는 상기 클럭 지연 모듈(10)을 이용하여 DDR 메모리에 제어 신호를 입력한다. The
상기 제어부(400)는 역감마 보정부(410), 오차 확산부(420), 메모리 제어부(430), APC부(440) 및 주사·유지 구동부(450)를 포함한다. The
역감마 보정부(410)는 현재 입력되는 n 비트의 R, G, B 영상 입력 데이터를 역감마 곡선에 매핑시켜 m 비트(m≥n)의 영상 신호로 보정한다. The inverse
오차 확산부(420)는 역감마 보정부(410)에 의해 역감마 보정된 m 비트 영상 신호에서 하위 m-n 비트 영상 신호를 주위 화소로 오차 확산한다. 상기 오차 확산은 하위 비트에 대한 영상 신호를 분리하여 인접 화소로 확산시켜 영상을 표시하는 방법으로 이에 대한 자세한 설명은 대한민국 공개 특허공보 제2002-0014766호에 기재되어 있다. The
메모리 제어부(430)는 오차 확산부(420)로부터 출력되는 영상 신호의 계조에 대응하는 서브 필드 데이터를 발생시킨 후, 상기 서브 필드 데이터를 플라즈마 표시 장치를 구동하기 위한 어드레스 데이터로 재배열하고, DDR 메모리(도시하지 않음)에 임시 저장한다. 이때, 메모리 제어부(430)는 각 서브 필드 별로 모든 방전셀에 대한 어드레스 데이터를 상기 클럭 지연 모듈(10)을 이용하여 DDR 메모리에 임시 저장한 후에 어드레스 구동부(200)로 전송한다. The
APC부(440)는 역감마 보정부(420)에서 출력되는 영상 신호의 평균 계조값을 계산하고 상기 평균 계조값에 따라 APC 레벨을 계산하며, 상기 APC 레벨에 대응되는 프레임 단위의 서스테인 펄스 수(유지 방전 펄스 수)를 결정한다. 또한, 상기 APC부(440)는 상기 프레임 단위의 서스테인 펄스 수를 이용하여 각 서브 필드의 서스테인 펄스 수를 계산한다. The
주사·유지 구동 제어부(450)는 상기 APC부(440)에서 계산한 각 서브 필드의 서스테인 펄스 수에 대응하는 제어 신호를 생성하여 주사·유지 구동부(300)에 전 송한다. The scan and sustain
이와 같이 상기 클럭 지연 모듈 또는 지연 클럭 생성 방법을 이용하면, 온도에 관계없이 정확한 타이밍의 지연 클럭을 생성할 수 있다. As such, when the clock delay module or the delay clock generation method is used, a delay clock with an accurate timing may be generated regardless of temperature.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따르면 온도에 관계없이 안정적으로 정확한 타이밍을 가지는 지연 클럭을 생성할 수 있다. As described above, according to the present invention, it is possible to generate a delay clock having a stable and accurate timing regardless of temperature.
또한, 이를 이용하여 DDR 메모리을 이용한 시스템에서 온도에 관계없이 안정적으로 데이터를 입력할 수 있다. In addition, this allows stable data input regardless of temperature in a system using DDR memory.
또한, 이를 이용하여 플라즈마 표시 장치에서 온도에 관계없이 안정적으로 화면을 표시할 수 있다. In addition, the plasma display device can stably display a screen regardless of temperature.
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