KR100615198B1 - 플라즈마 디스플레이 패널 - Google Patents

Abstract

본 발명은 전기전도성이 우수한 결정구조를 가진 버스전극을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는 것을 목적으로 하며, 이 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 전면기판; 상기 전면기판과 접하는 면으로부터 제1 Cr층, X-선 회절장치에서 측정된 (111)면이 (200)면의 회절강도에 비하여 적어도 2.35배 이상의 회절강도를 가지는 결정을 가진 도전금속층, 및 제2 Cr층이 차례로 적층되며, 일정한 패턴을 가지며 형성되는 버스전극들; 상기 전면기판과 대향하도록 배치되어 상기 전면기판과의 사이에 방전공간을 형성하는 후면기판; 상기 후면기판의 일측면에 일정한 패턴으로 형성되어 어드레스방전을 발생시키는 어드레스전극들; 상기 방전공간 내에서 방전셀을 구획하는 격벽; 및 상기 방전셀 내에 도포되는 형광체를 구비하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널{Plasma display panel}

도 1은 종래에 통상적인 플라즈마 디스플레이 패널의 일단면을 도시한 단면도이고,

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 도시한 사시도이고,

도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ선을 따라 취한 단면도이고,

도 4a는 도 2의 도전금속층의 I(111)/I(200) 값이 1.33인 경우의 결정구조를 도시한 결정사진이고,

도 4b는 도 2의 도전금속층의 I(111)/I(200) 값이 0.89인 경우의 결정구조를 도시한 결정사진이고,

도 5는 도 2의 도전금속층의 I(111)/I(200) 값에 따른 전체 버스전극의 저항률을 도시한 그래프이고,

도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 도시한 사시도이고,

도 7은 도 6의 Ⅶ-Ⅶ선을 따라 취한 단면도이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

100,200: 플라즈마 디스플레이 패널 122,222: 전면기판

123,223: 유지전극쌍 124: 버스전극

125: 주사전극 126,226: 전면유전체층

128,228: 보호층 154: 투명공통전극

155: 투명주사전극 164,264: 버스공통전극

165,265: 버스주사전극 164a,165a,264a,265a: 제1 크롬층

164b,165b,264b,265b: 도전금속층 164c,165c,264c,265c: 제2 크롬층

I(111): XRD에서 측정된 도전금속층의 (111)면에서의 회절강도

I(200): XRD에서 측정된 도전금속층의 (200)면에서의 회절강도

ρ: 저항률

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로서, 보다 더 상세하게는 양호한 전기전도성을 가지는 결정성을 가지는 버스전극을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.

최근, 액정표시장치(Liquid Crystal Display), 전계방출 표시장치(Field Emission Display) 및 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel)등의 평면 표시장치가 활발히 개발되고 있으며, 이들 중 플라즈마 디스플레이 패널은 단순구조에 의한 제작의 용이성, 고휘도 및 고발광 효율의 우수성, 메모리 기능 및 160°이상의 광시야각을 갖는 점과 아울러 40인치 이상의 대화면을 구현할 수 있는 장점 을 가지고 있다.

이런 플라즈마 디스플레이 패널은, 복수개의 전극이 형성된 두 기판 사이에 방전가스가 봉입된 후 방전 전압이 가해지고, 이 방전 전압으로 인하여 방전가스로부터 발생되는 자외선에 의해 소정의 패턴으로 형성된 형광체가 여기되어 원하는 화상을 얻는 장치이다.

상기 플라즈마 디스플레이 패널은 방전 형식에 따라 직류형과 교류형으로 분류될 수 있다. 교류형 플라즈마 디스플레이 패널에는 적어도 하나의 전극이 유전체층으로 덮여있고, 대응 전극들의 직접적인 전하의 이동 대신 벽전하(Wall Charge)의 전계에 의하여 방전이 수행된다.

종래의 통상적인 교류형 플라즈마 디스플레이 패널의 일단면이 도 1에 도시되어 있다. 여기서, 전면기판(22)을 따라 취한 단면은 설명의 편의를 위하여 후면기판(32)을 따라 취한 단면과 90°회전된 형상을 도시한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 통상적인 교류형 플라즈마 디스플레이 패널(10)은 사용자에게 화상을 보여주는 전면기판(22)과, 상기 전면기판(22)과 대향하게 결합되는 후면기판(32)을 구비한다. 전면기판(22)에는 공통전극(24)과 주사전극(25)이 쌍을 이루며 배치되고, 전면기판(22)의 공통전극(24) 및 주사전극(25)이 배치된 면에 대향하는 후면기판(32)의 일측면에는, 어드레스전극(35)이 전면기판(22)의 전극들(24, 25)과 교차하도록 배치된다.

상기 공통전극(24)은 투명공통전극(54), 및 상기 투명공통전극 상에 형성된 버스공통전극(64)으로 구성되며, 상기 주사전극(25)은 투명주사전극(55) 및 상기 투명주사전극 상에 형성된 버스주사전극(65)을 구비한다.

상기 어드레스전극(35)과 이와 교차하는 공통버스(24) 및 주사전극(25)은, 하나의 쌍을 이루어 방전셀을 형성시킴으로써, 하나의 유지전극쌍(23)라 불려진다. 투명공통전극(54) 및 투명주사전극(55)은 통상 ITO(Indium Tin Oxide)로 된 투명전극들로 이루어지고, 이들 투명전극들 하면에는 라인 저항을 줄이기 위하여 예컨대 금속재질로 이루어지고 좁은 폭으로 형성된 버스공통전극(64) 및 버스주사전극(65)인 버스전극들이 배치된다. 이 경우 유지전극쌍(23)이 투명전극(54, 55)들을 구비하지 않으며, 버스전극(64, 65)들만으로 이루어질 수도 있다.

이런 구조로 공통전극(24) 및 주사전극(25)이 구비된 전면기판(22)과, 어드레스전극(35)이 구비된 후면기판(32)의 각 면에는, 각 전극들을 매립하도록 각각 전면유전체층(26) 및 후면유전체층(36)이 형성된다. 상기 전면유전체층(26) 상에는 통상 MgO로 된 보호층(28)이 형성되며, 후면유전체층(36) 상에는 방전거리를 유지하고 방전셀 사이의 전기적 광학적 크로스토크(cross-talk)를 방지하는 복수의 격벽(40)들이 형성된다. 이 격벽(40)의 양 측면과, 상기 격벽(40)이 형성되지 않은 후면유전체층(36)의 상면에는 레드(red), 그린(green), 블루(blue)의 형광체(38)가 도포된다.

여기서, 상기 버스전극은 은(Ag)소재로 형성되거나, 크롬-알루미늄-크롬(Cr-Al-Cr) 또는 크롬-구리-크롬(Cr-Cu-Cr) 등의 3층 구조로 적층되어 형성될 수 있다.

이 버스전극의 재료가 은(Ag)인 경우, 버스전극을 형성 공정 시에 전면 기판을 소성시키는 공정을 거치며, 상기 소성단계에서, 은(Ag)과 전면유전체층(26)이 반응하여 은(Ag)이 산포되면서 입자상태를 양산하게 되고, 그와 같이 양산된 입자상태의 은(Ag)이 전면유전체층(26)의 내측으로 확산되며, 상기 확산된 은(Ag)으로 인하여 전면유전체층(26)을 통과하는 빛이 난반사되거나, 빛의 투과가 부분적으로 차단되어, 전면유전체층(26) 내로 확산된 입자상태인 은(Ag)의 양만큼 전면유전체층(26)의 절연 저항이 감소되어 절연불량이 초래되고, 전극단락, 기공이 발생된다. 이와 함께 은(Ag) 분말을 사용한 페이스트는 은(Ag) 분말의 접촉저항에 의해 낮은 저항값을 유지하기 어렵다는 문제점이 있다.

이런 문제점을 해결하기 위하여, 최근에는 상기 버스전극(64, 65)들이, 예를 들어 크롬-알루미늄-크롬(Cr-Al-Cr)이나 크롬-구리-크롬(Cr-Cu-Cr) 등의 제1 Cr층-도전금속층-제2 Cr층의 3층 구조로 형성되기도 한다. 상기 3층 구조의 버스전극(64, 65)들은 금속 재질로 구성되어 있으므로, 비금속 재질로 형성된 투명전극(54, 55)들에 비해 전기 저항을 적게 받으므로 방전 지연 시간 및 방전 개시 전압을 낮춤으로써 작동 전압을 줄이게 된다.

여기서, 제1 Cr층(64a, 65a) 및 제2 Cr층(64c, 65c)은 도전금속층(64b, 65b)의 상하에 형성된다. 이는 도전금속층이 유리기판 및 전면유전체층과 접착성이 낮기 때문에, 도전금속층의 상하에 형성된 Cr층이 주위 유리기판이나 전면유전체층 등과 접착되도록 형성된다.

그런데, 제1 Cr층(64a, 65a), 및 제2 Cr층(64c, 65c)은 도전금속층(64b, 65b)에 비하여 전도성이 낮다. 따라서, 전류 흐름이 주로 도전금속층 내를 유동되도록 하는 것이 필요하다.

통상, 금속의 특성 중에 하나인 전기전도성이 가장 우수하게 나타나는 구조는 단결정이다. 그러나 도전금속층의 성막 시에 Cr과의 결합으로 인하여 다결정으로 성장되기 때문에 단결정인 경우에 비하여 전기전도성이 떨어진다. 이는 다결정일수록, 결정립계(grain boundaries)에 의하여 전류가 흐를 수 있는 통로가 방해되기 때문이다.

따라서, 도전금속층을 성장시킬 경우 가능한 한 도전금속층은 결정성이 우수하게 형성시켜서 전기전도성을 향상시키도록 형성시키는 것이 바람직하며, 이를 위하여 도전금속층은, 특정한 결정 배향을 가지는 결정구조를 가질 필요가 있다. 그러나, 종래에는 이런 결정구조에 대한 고려 없이, 제1 Cr층-도전금속층-제2 Cr층인 3층 구조의 버스전극을 형성하고 있다는 문제점이 있다.

본 발명은 상기와 같은 문제점 등을 포함하여 여러 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 전기전도성이 우수한 결정구조를 가진 버스전극을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은

삭제

삭제

삭제

삭제

삭제

삭제

삭제

삭제

삭제

삭제

전면기판과;

상기 전면기판과 접하는 면으로부터 제1 Cr층, X-선 회절장치에서 측정된 (111)면이 (200)면의 회절강도에 비하여 적어도 2.35배 이상의 회절강도를 가지는 결정을 가진 도전금속층, 및 제2 Cr층이 차례로 적층되며, 일정한 패턴을 가지며 형성되는 버스전극들과;

상기 전면기판과 대향하도록 배치되어 상기 전면기판과의 사이에 방전공간을 형성하는 후면기판과;

상기 후면기판의 일측면에 일정한 패턴으로 형성되어 어드레스방전을 발생시키는 어드레스전극들과;

상기 방전공간 내에서 방전셀을 구획하는 격벽; 및

상기 방전셀 내에 도포되는 형광체;를 구비한다.

이 경우, 상기 버스전극은 35Ω㎛²/㎜ 이하의 저항률을 가지는 것이 바람직하다.

또한, 상기 도전금속층은 알루미늄 재질로 이루어지거나, 이와 달리 상기 도전금속층은 구리 재질로 이루어진 것이 바람직하다.

이어서, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 여기서, 도 1과 동일한 참조부호는 동일한 기능을 하는 동일한 구성요소를 나타낸다.

도 2를 참조하면, 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널(100)은, 전면기판(122), 및 상기 전면기판(122)과 대향하도록 배치되는 후면기판(132)을 구비한다.

전면기판(122)은 통상 유리기판으로서, 상기 전면기판(122)의 일측면에는 후 면기판(132) 상에 형성된 어드레스전극(135)과 함께 어드레스방전을 발생시키는 주사전극(125), 및 이 주사전극(125)과 교대로 전압이 인가되어 유지방전을 발생시키는 공통전극(124)이 쌍으로 배치된다.

상기 공통전극(124)은 투명공통전극(154)과, 상기 투명공통전극의 라인저항을 보상하기 위하여 상기 투명공통전극(154)과 일부 또는 전부가 접하는 버스공통전극(164)을 구비한다. 주사전극(125)은 투명주사전극(155)과, 상기 투명주사전극의 라인저항을 보상하기 위하여 상기 투명주사전극(155)과 일부 또는 전부가 접하는 버스주사전극(165)을 구비한다.

이 경우, 투명공통전극(154) 및 투명주사전극(155)을 투명전극(154, 155)라 호칭하고, 버스공통전극(164) 및 버스주사전극(165)을 버스전극(164, 165)이라 호칭한다.

여기서, 상기 공통, 주사전극(124, 125)이 인접하는 방전셀마다 순번대로 배열되는 XYXY형이 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고, 공통, 주사전극(124, 125)이 인접하는 방전셀마다 서로 반대로 형성되는 XYYX형도 가능하다.

교류형 플라즈마 디스플레이 패널인 경우, 상기 전면기판(122) 상에는 상기 공통, 주사전극(124, 125)들을 매립하는 전면유전체층(126)이 형성될 수 있으며, 상기 전면유전체층(126) 하면에 보호층(128)이 형성될 수도 있다.

상기 전면기판(122)과 대향하도록 배치되어, 상기 전면기판(122)과의 사이에 방전공간을 형성하는 후면기판(132)의 일측면에는 상기 공통, 주사전극(124, 125) 과 교차하며, 상기 주사전극(125)과 함께 어드레스방전을 발생시키는 어드레스전극(135)들이 형성된다. 이 어드레스전극(135)은 상기 한 쌍의 공통, 주사전극(124, 125)과 함께 하나의 방전셀을 형성한다.

상기 방전셀은 격벽(140)에 의하여 구획된다. 상기 격벽(140)은 방전공간 내에 형성되며, 방전셀 내면에는 형광체(138)가 도포된다. 본 발명이 교류형 플라즈마 디스플레이 패널인 경우 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 어드레스전극(135)들이 후면유전체층(136)에 의하여 매립될 수 있으며, 상기 격벽(140)이 상기 후면유전체층(136) 상측에 형성될 수 있다.

이러한 구조를 가진 플라즈마 디스플레이 패널의 작동은 다음과 같다. 발광을 위한 방전셀이 선택되면, 상기 방전셀 내의 어드레스전극(135)과 주사전극(125)에 소정의 전압이 인가되어, 두 전극(125, 135) 사이에서 어드레스방전이 일어나 전면유전체층(126) 상에 벽전하가 충전된다. 벽전하가 충전된 다음, 공통전극(124)과 주사전극(125) 사이에 소정의 전압이 인가되면, 이 두 전극(124, 125) 사이에서 벽전하가 이동하면서 방전가스로 하여금 유지방전을 일으키게 하고, 이에 의해 방전가스가 자외선을 발생하게 되며, 이 발생된 자외선이 형광체(138)를 여기시켜 화상을 형성하게 된다.

여기서, 버스전극(164, 165)은 투명전극(154, 155)과 접하는 면으로부터 제1 Cr층(164a, 165a), 도전금속층(164b, 165b), 및 제2 Cr층(164c, 165c)이 적층되어 형성된다. 상기 제1 Cr층(64a, 65a), 및 제2 Cr층(164c, 165c)은 산화물과의 접착력이 우수하기 때문에, 상대적으로 산화물과의 접착력이 떨어지는 도전금속층의 상 하에 형성된다.

이 경우, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제1 Cr층(164a, 165a)의 저항을 Ra라 하고, 도전금속층(64b, 65b)의 저항을 Rb라 하며, 제2 Cr층(164c, 165c)의 저항을 Rc라 하면, 구동회로부(미도시)의 구동에 의하여 버스전극(164, 165)에 전압이 발생하는 경우, 상기 3층 구조는 Ra, Rb, Rc 저항성분이 병렬로 연결되는 구조이다.

그런데, 상기 버스전극(164, 165)은 투명전극(154, 155)의 라인저항을 보상하기 위하여 형성되고, 통상 Cr층은 도전금속층에 비하여 전기전도성이 낮으므로, 전체 버스전극(164, 165)의 전기전도성을 향상하기 위해서는, 주로 도전금속층(164b, 165b)으로 전류가 흐르도록 하는 것이 바람직하며, 이를 위해서는 Rb 값을 작도록 해야 한다. 이는 각각의 병렬 연결된 저항을 통과하는 전압은 모두 동일하므로, 도전금속층으로 전류가 많이 흐르기 위해서는, 상기 도전금속층(164b, 165b)의 저항 값이 작아야 하기 때문이다. 상기 도전금속층(164b, 165b)의 저항 값이 작도록 하기 위해서는, 상기 도전금속층에서 결정립계(grain boundaries)가 발생하지 않도록 결정성이 좋아야 한다.

도 4a는 XRD에서 측정된 도전금속층의 (111)면에서의 회절강도(이하 I(111)이라 함)와 (200)면에서의 회절강도(이하 I(200)이라 함)의 비율(I(111)/I(200))이 1.33 일 경우의 결정을 나타낸 결정사진이며, 도 4b는 I(111)/I(200)의 값이 0.89 인 경우의 결정을 도시한 결정사진이다. 도 4a, 및 도 4b를 참조하면, 도 4a의 결정구조가 도 4b의 결정구조에 비하여 단결정에 가까우며, 이에 의하여 결정사이에 결정립계가 작게 발생함을 알 수 있다. 이 경우의 저항률(ρ)을 각각 측정하면, 도 4a의 I(111)/I(200)가 1.33일 경우는 그 저항률이 74Ω㎛²/mm로서, 도 4b의 I(111)/I(200)가 0.89일 경우의 290Ω㎛²/mm에 비하여 작아짐을 알 수 있다.

따라서, 상기 도전금속층의 결정구조를 파악하기 위하여 X-선 회절장치(X-Ray Diffraction, XRD)를 이용한 각각의 배향면에서의 회절강도(intensity)의 비에 따라 저항률(ρ)이 다르게 나타남을 알 수 있으며, 이 경우 상기 저항률(ρ)이 낮아질수록 전기전도성은 우수한 것을 알 수 있다.

특히 상기 전체 버스전극의 저항률(ρ)은 커도 35Ω㎛²/㎜ 이하를 가지는 것이 바람직하며, 이 경우가 투명전극(154, 155)의 라인저항을 충분히 보상할 수 있기 때문이다.

특히, XRD에서 측정된 도전금속층의 (111)면에서의 회절강도(이하 I(111)이라 함)와 (200)면에서의 회절강도(이하 I(200)이라 함)의 비율이 전체 버스전극의 저항률(resistivity, ρ)에 크게 영향을 준다.

도 5는 I(200)/I(111)의 값에 따른 전체 도전금속층의 저항률(ρ)의 값을 도시한 그래프이다. 여기서, 상기 도전금속층(164b, 165b)은 알루미늄(Al) 재료로 이루어져 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, XRD에서 I(200)에 대한 I(111)비가 커지면 커질수록 전체 버스전극의 저항률(ρ)이 감소함을 알 수 있다. 특히, 그 값이 2.35 이상인 경우 그 저항률(ρ)이 감소되는 추세가 완만하게 된다. 이와 더불어, 상기 I(111)/I(200)의 값이 2.35 인 경우가 전체버스전극의 저항률(ρ)이 35Ω㎛²/㎜이 되며, I(111)/I(200)의 값이 2.35 이상이 되는 경우 그 저항률(ρ)이 더 커지게 됨으로써, 상기 I(111)/I(200)의 값은 2.35 이상인 것이 바람직하다.

본 실험은 도전금속층이 알루미늄(Al)재질로 형성된 경우에 이루어진 것으로 상기 도전금속층이 알루미늄(Al) 재질로 이루어진 것이 바람직하다.

상기 도전금속층(164b, 165b)은 구리(Cu) 재질로 이루어질 수도 있다. 이는 구리와 알루미늄은 모두 결정구조가 FCC(Face-Centered Cubic)구조이고, 원자반지름의 크기가 비슷하여, 그 특징이 유사하며, 특히 전기전도성이 유사하기 때문이다.

한편, 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널(200)은, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 전면기판(222)과, 상기 전면기판에 형성된 버스전극(264, 265)들과, 상기 전면기판(222)과 대항하도록 배치되어 상기 전면기판과의 사이에 방전공간을 형성하는 후면기판(232)과, 상기 후면기판의 일측면에 형성된 어드레스전극(235)들과, 방전셀을 구획하는 격벽(240), 및 방전공간 내에 도포되는 형광체(238)를 기본적으로 구비하며, 상기 플라즈마 디스플레이 패널(200)이 교류형인 경우, 이 외에 전면유전체층(226), 후면유전체층(236) 및 보호층(238)을 구비할 수도 있다.

이 경우, 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에 채택된 전면기판(222)과, 전면유전체층(226)과, 후면기판(232)과, 어드레스전극(235)과, 격벽(240)과, 형광체(238) 및 후면유전체층(236)은, 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널(100)에 채택된 전면기판(122) 등과 구조 및 기능이 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.

본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널(200)은 통상 ITO전극인 투명전극이 형성되지 않는다. 이는 공통, 주사전극의 저항을 최소화하기 위한 것이다. 따라서 버스전극(264, 265)만으로 주사, 공통전극이 구성되며, 하나의 방전셀에 형성된 버스전극들이 하나의 유지전극쌍(223)을 이룬다.

이 경우, 여기서, 버스전극(264, 265)은 유리기판인 전면기판(222)과 접하는 면으로부터 제1 Cr층(264a, 265a), 도전금속층(264b, 265b), 및 제2 Cr층(264c, 265c)이 적층되어 형성된다. 상기 제1 Cr층(264a, 265a), 및 제2 Cr층(264c, 265c)은 산화물과의 접착력이 우수하기 때문에, 상대적으로 산화물과의 접착력이 떨어지는 도전금속층(264b, 265b)의 상하에 형성된다.

그런데, 상기 버스전극(264, 265)은 구동회로부로부터 전체 라인에 동일한 크기의 전압이 인가되는 것이 바람직하다. 따라서, 버스전극은 전기전도성이 우수하여야 하며, 이를 위하여 전기전도성이 우수한 도전금속층(264b, 265b)으로 주로 전류가 흐르도록 하는 것이 바람직하다.

이 경우, 도전금속층(264b, 265b)으로 전류가 흐르도록 하기 위해서는 상기 도전금속층의 결정구조가 전기전도성이 우수하도록 형성되어야 한다.

이 경우 상기 전체 버스전극의 저항률(ρ)은 커도 35Ω㎛²/㎜ 이하를 가지는 것이 바람직하며, 이 경우가 상기 버스전극(264, 265)이 주사, 버스전극으로서 교류 파형의 왜곡 없이 전압이 인가될 수 있기 때문이다.

특히, XRD에서 측정된 도전금속층(264b, 265b)의 (111)면에서의 회절강도(이하 I(111)이라 함)와 (200)면에서의 회절강도(이하 I(200)이라 함)의 비율이, 상기 도전금속층의 결정구조, 특히 전기전도성에 영향을 끼치게 되며, 이로 인하여 전체 버스전극의 저항률(resistivity, ρ)에 크게 영향을 준다.

이 경우, 본 발명의 제1 실시예에서와 같이, 도 5를 참조하면, XRD에서 I(200)에 대한 I(111)비가 커지면 커질수록 전체 버스전극(264, 265)의 저항률(ρ)이 감소함을 알 수 있다. 특히, 그 값이 2.35 이상인 경우 그 저항률(ρ)이 감소되는 추세가 완만하게 되고, 상기 I(111)/I(200)의 값은 2.35 인 경우가 전체버스전극의 저항률(ρ)이 35Ω㎛²/㎜이므로, 상기 I(111)/I(200)의 값은 2.35 이상인 것이 바람직하다.

본 실험은 도전금속층이 알루미늄(Al)재질로 형성된 경우에 이루어진 것으로 상기 도전금속층이 알루미늄(Al) 재질로 이루어진 것이 바람직하다.

상기 도전금속층은 구리(Cu) 재질로 이루어질 수도 있다. 이는 구리와 알루미늄은 모두 결정구조가 FCC(Face-Centered Cubic)구조이며, 원자반지름의 크기가 비슷하여, 그 특징이 유사하며, 특히 전기전도성이 유사하기 때문이다.

이 경우 상기 도전금속층은 구리 또는 알루미늄 재료로 이루어질 수 있는데, 이는 두 금속이 유사한 전기전도성을 가지기 때문이다.

상기와 같은 구조를 갖는 본 발명에 의하면, 저항률이 낮으면서도, 이와 접착되는 구성요소와의 접착성이 뛰어난 버스전극이 구비된다.

버스전극의 저항률이 낮음으로 인하여, 저항으로 인한 발열이 감소하고, 전압인가 시에 구동 파형이 왜곡되는 것을 방지할 수 있다.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.

Claims (6)

1. 삭제
2. 삭제
3. 전면기판;

   상기 전면기판과 접하는 면으로부터 제1 Cr층, X-선 회절장치에서 측정된 (111)면이 (200)면의 회절강도에 비하여 적어도 2.35배 이상의 회절강도를 가지는 결정을 가진 도전금속층, 및 제2 Cr층이 차례로 적층되며, 일정한 패턴을 가지며 형성되는 버스전극들;

   상기 전면기판과 대향하도록 배치되어 상기 전면기판과의 사이에 방전공간을 형성하는 후면기판;

   상기 후면기판의 일측면에 일정한 패턴으로 형성되어 어드레스방전을 발생시키는 어드레스전극들;

   상기 방전공간 내에서 방전셀을 구획하는 격벽; 및

   상기 방전셀 내에 도포되는 형광체를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
4. 제 3 항에 있어서,

   상기 버스전극은 35Ω㎛²/㎜ 이하의 저항률을 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
5. 제 3 항에 있어서,

   상기 도전금속층은 알루미늄 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
6. 제 3 항에 있어서,

   상기 도전금속층은 구리 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.

Images