KR100572807B1

KR100572807B1 - Short Protection Device

Info

Publication number: KR100572807B1
Application number: KR1020040010250A
Authority: KR
Inventors: 김태성
Original assignee: 가온미디어 주식회사
Priority date: 2004-02-17
Filing date: 2004-02-17
Publication date: 2006-04-24
Also published as: KR20050081944A

Abstract

본 발명은 지상파 또는 위성방송 수신기에 있어 낙뢰 등 외부요인으로 인한 과전류가 튜너로 인입되는지 여부를 검출하고 그 경우 튜너 전원을 차단함으로써 과전류가 튜너를 통해 시스템 내부로 유입되어 수신기 시스템 전체의 파괴를 방지하는 과전류 보호장치에 관한 것이다. 본 발명의 과전류 보호장치에 따르면 튜너를 통한 전기적 충격의 유입으로 인하여 수신기 시스템 전체가 손상되는 사고를 예방할 수 있는 장점이 있다.The present invention detects whether an overcurrent caused by an external factor such as a lightning strike in a terrestrial or satellite broadcasting receiver enters the tuner, and in this case, cuts off the tuner power, thereby preventing the overcurrent flowing into the system through the tuner to prevent destruction of the entire receiver system. It relates to an overcurrent protection device. According to the overcurrent protection device of the present invention, there is an advantage of preventing an accident that the entire receiver system is damaged due to the influx of electric shock through the tuner.

세트톱박스, 튜너, 과전류, 검출, 보호Set Top Box, Tuner, Overcurrent, Detection, Protection

Description

Over Current Protection Device {Short Protection Device}

도 1은 본 발명의 실시예에 따라 과전류 보호장치를 사용하는 구성을 도시하는 도면.1 is a diagram showing a configuration using an overcurrent protection device according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 과전류 보호장치의 보다 상세한 내부구성을 도시하는 도면.Figure 2 shows a more detailed internal configuration of the overcurrent protection device according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

110 : 튜너 모듈110: tuner module

120 : 과전류 보호모듈120: overcurrent protection module

130 : 제어 모듈130: control module

210, 220, 230, 240 : 트랜지스터210, 220, 230, 240: transistor

본 발명은 지상파 또는 위성방송 수신기에 있어서 낙뢰 등 외부요인으로 인한 과전류가 튜너로 인입되는지 여부를 검출하고 이 경우 튜너 전원을 차단함으로써 과전류가 튜너를 통해 시스템 내부로 유입되어 수신기 시스템 전체를 파괴하는 것을 방지하는 과전류 보호장치에 관한 것이다.The present invention detects whether overcurrent caused by external factors such as lightning strike in the terrestrial or satellite broadcasting receiver enters the tuner, and in this case, the overcurrent flows into the system through the tuner and destroys the entire receiver system. An overcurrent protection device for preventing.

지상파나 위성방송 수신기 등에 있어서 튜너는 외부로부터 방송신호를 수신하는 모듈로서, 안테나를 통해 전달되는 외부신호로부터 소망하는 주파수 대역, 즉 특정 채널에 해당하는 신호만을 검파하여 수신기 시스템으로 전달함으로써 수신기 시스템에서는 사용자가 선택한 채널에 해당하는 방송화면 및 방송음향이 출력되도록 된다.In terrestrial or satellite broadcasting receivers, a tuner is a module that receives broadcast signals from the outside. The tuner detects only a signal corresponding to a desired frequency band, that is, a specific channel, from an external signal transmitted through an antenna and delivers the signal to a receiver system. The broadcast screen and the broadcast sound corresponding to the channel selected by the user are output.

한편, 종래의 수신기 시스템에서는 튜너 모듈에 대해서 과전류 보호장치가 별도로 마련되어 있지 않아 낙뢰 등과 같은 외부의 전기적 충격이 안테나와 튜너 모듈을 경유하여 시스템으로 그대로 유입되고 이로 인해 시스템 전체가 파괴될 수 있는 위험성이 있다.On the other hand, in the conventional receiver system, since the overcurrent protection device is not provided separately for the tuner module, an external electric shock such as a lightning strike flows directly into the system via the antenna and the tuner module, and there is a danger of destroying the whole system. have.

이에, 본 발명은 지상파 또는 위성방송 수신기에 있어 낙뢰 등 외부요인으로 인한 과전류가 튜너로 인입되는지 여부를 검출하고 이 경우 튜너 전원을 차단함으로써 과전류 인입으로 인해 수신기 시스템 전체가 파괴되는 것을 방지할 수 있는 과전류 보호장치를 제공하는 데에 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention detects whether overcurrent due to external factors such as lightning strikes into the tuner in the terrestrial or satellite broadcasting receiver, and in this case, cuts off the tuner power supply, thereby preventing the entire receiver system from being destroyed due to overcurrent ingress. The purpose is to provide an overcurrent protection device.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 과전류 보호장치는 시스템 전원을 스위칭 연결하여 외부접속 모듈의 모듈동작전원(TU_PWR)을 제공하는 제1 스위칭부; 모듈동작전원의 신호레벨이 그라운드로 설정될 때 오프(OFF)로 스위칭되는 트랜지스터를 통해 모듈동작전원을 모니터링하여 모듈동작전원의 신호레벨이 그라운드로 단락되는지 여부를 검출하고, 그 검출결과에 따라 외부접속 모듈에 대한 과전류 유입 여부를 나타내는 과전류검출 신호(TU_DET)를 제어모듈로 제공하는 레벨센싱부; 및 과전류검출 신호에 대응하여 제어모듈로부터 전원제어 신호(TU_CTL)를 수신하고, 전원제어 신호(TU_CTL)에 따라 제1 스위칭부를 오프(OFF)로 스위칭시켜 제1 스위칭부를 통한 모듈동작전원의 공급을 차단하는 제2 스위칭부;를 포함한다.
또한 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 과전류 보호장치에서는, 레벨센싱부는, 모듈동작전원의 신호레벨이 그라운드로 설정될 때 오프(OFF)로 스위칭되고 온(ON) 스위칭 상태에서는 모듈동작전원의 신호레벨을 버퍼링 전달하는 버퍼링부; 및 버퍼링부의 출력에 기초하여 과전류검출 신호(TU_DET)를 생성하는 신호생성부를 포함한다.
또한 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 과전류 보호장치에서는, 버퍼링부는, 콜렉터 단자(C3)는 그라운드로 연결되고 에미터 단자(E3)는 모듈동작전원으로 연결되며 베이스 단자(B3)는 저항소자를 통하여 그라운드 및 에미터 단자(E3)로 연결되는 NPN형의 제3 트랜지스터를 구비하고; 신호생성부는, 베이스 단자(B4)는 제3 트랜지스터부의 콜렉터 단자(C3)로 연결되고 에미터 단자(E4)는 그라운드에 연결되며 콜렉터 단자(C4)는 시스템 전원으로 연결되는 NPN형의 제4 트랜지스터를 구비하며; 과전류검출 신호(TU_DET)는 제4 트랜지스터의 콜렉터 단자(C4)로부터 유도되어 버퍼링부의 출력신호가 반전 출력된다.
또한 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 과전류 보호장치에서는, 제1 스위칭부는 에미터 단자(E1)는 시스템 전원에 연결되고 베이스 단자(B1)는 저항소자를 거쳐 에미터 단자(E1)에 연결되며 콜렉터 단자(C1)는 모듈동작전원으로 연결되는 PNP형의 제1 트랜지스터를 포함하여 구성되고; 제2 스위칭부는 콜렉터 단자(C2)는 제1 트랜지스터부(210)의 베이스 단자(B1)로 연결되고 베이스 단자(B2)는 전원제어 신호(TU_CTL)에 연결되며 에미터 단자(E2)는 그라운드로 연결되는 NPN형의 제2 트랜지스터를 포함하여 구성된다.In order to achieve the above object, the overcurrent protection device according to the present invention includes a first switching unit for switching the system power supply to provide a module operating power supply (TU_PWR) of the external connection module; When the signal level of the module operating power is set to ground, the module operating power is monitored through a transistor switched to OFF to detect whether the signal level of the module operating power is shorted to ground, and according to the detection result, A level sensing unit providing an overcurrent detection signal TU_DET indicating whether an overcurrent flows into the connection module to a control module; And receiving the power control signal TU_CTL from the control module in response to the overcurrent detection signal, and switching the first switching unit OFF according to the power control signal TU_CTL to supply the module operating power through the first switching unit. It includes; a second switching unit for blocking.
Further, in order to achieve the above object, in the overcurrent protection device according to the present invention, the level sensing unit is switched off when the signal level of the module operating power supply is set to ground and the module in the on switching state. A buffering unit for buffering and transmitting a signal level of an operating power source; And a signal generator configured to generate the overcurrent detection signal TU_DET based on the output of the buffering unit.
In addition, in order to achieve the above object, in the overcurrent protection device according to the present invention, the buffering unit, the collector terminal (C3) is connected to the ground, the emitter terminal (E3) is connected to the module operating power source and the base terminal (B3) A third transistor of the NPN type connected to the ground and emitter terminal E3 through a resistance element; The signal generator includes an NPN-type fourth transistor in which the base terminal B4 is connected to the collector terminal C3 of the third transistor unit, the emitter terminal E4 is connected to the ground, and the collector terminal C4 is connected to the system power supply. With; The overcurrent detection signal TU_DET is derived from the collector terminal C4 of the fourth transistor so that the output signal of the buffering unit is inverted and output.
In addition, in order to achieve the above object, in the overcurrent protection device according to the present invention, the first switching unit, the emitter terminal (E1) is connected to the system power supply, and the base terminal (B1) through the resistor element (E1) terminal (E1) The collector terminal C1 comprises a first transistor of the PNP type connected to a module operating power source; The second switching unit is connected to the collector terminal C2 to the base terminal B1 of the first transistor unit 210, the base terminal B2 to the power control signal TU_CTL, and the emitter terminal E2 to ground. It is comprised including the 2nd transistor of NPN type connected.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the present invention.

도 1은 본 발명의 실시예에 따라 과전류 보호장치(120)를 사용하는 구성을 도시하는 도면으로서, 도시된 바와 같이 본 발명의 과전류 보호장치(120)는 튜너 모듈(110)과 제어 모듈(130) 사이를 매개하도록 구성되며, 튜너 모듈(110)로 공급되는 동작전원(TU_PWR)을 제어 모듈(130)의 제어신호(TU_CTL)에 대응하여 온/오프 스위칭한다. 또한, 제어 모듈(130)에 의한 스위칭 제어가 가능하도록 튜너 모듈(110)의 동작전원(TU_PWR)을 모니터링하여 현재 과전류가 유입되는지 여부에 관한 검출신호(TU_DET)를 제어 모듈(130)로 공급한다.1 is a diagram showing a configuration using an overcurrent protection device 120 according to an embodiment of the present invention, as shown in the overcurrent protection device 120 of the present invention is a tuner module 110 and a control module 130 ) And the on / off switching of the operating power TU_PWR supplied to the tuner module 110 in response to the control signal TU_CTL of the control module 130. In addition, by monitoring the operating power (TU_PWR) of the tuner module 110 to enable switching control by the control module 130 and supplies a detection signal (TU_DET) as to whether the current over current is introduced to the control module 130. .

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 과전류 보호장치(120)의 보다 상세한 내부구성을 도시하는 도면이다. 먼저, 동작전원 신호(TU_PWR)는 튜너 모듈(110)의 동작에 소요되는 모듈 동작전원으로서 과전류 보호모듈(120)로부터 공급되는데, 제1 트랜지스터(210)는 시스템 전원(5VCH)으로부터 모듈 동작전원(TU_PWR)을 스위칭 연결한다. 통상의 경우에는 제어신호(TU_CTL)는 HIGH 레벨이고 이 경우 제2 트랜지스터(220)의 콜렉터(C2)-에미터(E2)는 서로 도통하므로 4.7 K 저항소자를 통하여 소정량의 전류가 흐르게 되어 전압강하가 발생하게 된다. 따라서, PNP형인 제1 트랜지스터(210)에서 베이스 단자(B1)가 에미터 단자(E1)에 비해 소정 전압이상 전위가 낮게 설정되고, 이에 따라 제1 트랜지스터(210)의 에미터(E1)-콜렉터(C1)가 온(ON) 상태로 되어 이를 통하여 시스템 전원(5VCH)으로부터 모듈 동작전원(TU_PWR)이 제공된다.2 is a view showing a more detailed internal configuration of the overcurrent protection device 120 according to an embodiment of the present invention. First, the operating power signal TU_PWR is supplied from the overcurrent protection module 120 as a module operating power required for the operation of the tuner module 110, and the first transistor 210 is supplied from the system power supply 5VCH to the module operating power supply ( TU_PWR). In the normal case, the control signal TU_CTL is at a HIGH level. In this case, the collector C2 and the emitter E2 of the second transistor 220 are connected to each other, so that a predetermined amount of current flows through the 4.7 K resistor. A drop will occur. Accordingly, in the PNP type first transistor 210, the base terminal B1 has a lower potential than a predetermined voltage, compared to the emitter terminal E1, and thus the emitter E1 collector of the first transistor 210 is set. (C1) is turned on (ON) through which the module operating power source (TU_PWR) is provided from the system power source (5VCH).

모듈 동작전원(TU_PWR)은 전술한 바와 같이 튜너 모듈(110)로 공급되기 때문에 통상의 경우에는 안정적으로 고전위를 유지한다. 그러나, 낙뢰 등과 같은 외부의 전기적 충격으로 인해 과전류가 발생되면 일종의 전원단락(short)이 발생한 것과 같은 현상이 발생하며, 이에 따라 모듈 동작전원(TU_PWR)이 그라운드 전위(0 V)로 단락되는 예외적인 상황이 발생한다. 본 발명의 과전류 보호모듈(120)은 모듈 동작전원(TU_PWR)을 모니터링함으로써 상기와 같은 현상을 센싱하여 그 결과를 과 전류 검출신호(TU_DET)로서 제어 모듈(130)로 제공한다.Since the module operating power source TU_PWR is supplied to the tuner module 110 as described above, the module operating power source TU_PWR maintains a high potential stably in a normal case. However, when an overcurrent occurs due to an external electric shock such as a lightning strike, a phenomenon such as a kind of power supply short occurs, and accordingly, the module operating power supply (TU_PWR) is shorted to the ground potential (0 V). The situation arises. The overcurrent protection module 120 of the present invention senses such a phenomenon by monitoring the module operating power source TU_PWR and provides the result to the control module 130 as an overcurrent detection signal TU_DET.

제3 트랜지스터(230)는 모듈 동작전원(TU_PWR)과 그라운드(GND) 사이에 연결되어 있다. 따라서, 모듈 동작전원(TU_PWR)이 고전위를 유지하는 정상적인 경우에는 PNP형인 제3 트랜지스터(230)에서 22 K 저항소자와 1 K 저항소자를 통하여 흐르는 전류에 의해 22 K 저항소자에 발생하는 전압강하로 인하여 베이스 단자(B3)가 에미터 단자(E3)보다 소정 전압이상 전위가 낮게 설정되고, 이에 따라 제3 트랜지스터(230)의 에미터(E3)-콜렉터(C3)가 온(ON) 상태로 되어 콜렉터(C3) 단자의 전위가 HIGH 레벨로 된다. 반대로, 모듈 동작전원(TU_PWR)이 그라운드 전위(0 V)로 되는 비정상적인 경우에는 베이스 단자(B3)와 에미터 단자(E3)가 동일전위로 설정되고 이에 따라 제3 트랜지스터(230)의 에미터(E3)-콜렉터(C3)가 오프(OFF) 상태로 되어 콜렉터(C3) 단자의 전위가 LOW 레벨로 풀-다운 된다.The third transistor 230 is connected between the module operating power source TU_PWR and the ground GND. Therefore, in the normal case in which the module operating power source TU_PWR maintains high potential, the voltage drop generated in the 22 K resistor by the current flowing through the 22 K resistor and the 1 K resistor in the PNP type third transistor 230. As a result, the potential of the base terminal B3 is set to be lower than the emitter terminal E3 by a predetermined voltage or more, so that the emitter E3-collector C3 of the third transistor 230 is turned on. Thus, the potential of the collector C3 terminal becomes HIGH level. On the contrary, when the module operating power source TU_PWR becomes an abnormal ground potential (0 V), the base terminal B3 and the emitter terminal E3 are set to the same potential, and thus the emitter of the third transistor 230 is E3) -collector C3 is turned off and the potential of the collector C3 terminal is pulled down to the LOW level.

이어서, 제4 트랜지스터(240)를 살펴보면, NPN형의 제4 트랜지스터(240)에서 콜렉터 단자(C4)가 10 K 저항소자를 통하여 시스템 전원(5VCH)으로 연결되고 에미터 단자(E4)가 그라운드(GND)로 연결되어 있으므로, 결국 베이스 단자(B4)와 콜렉터 단자(C4)를 시스템 전원(5VCH)에 대해서 인버터로 동작한다. 도시된 바와 같이 제4 트랜지스터(240)에서 베이스 단자(B4)는 제3 트랜지스터(230)의 콜렉터 단자(C3)에 연결되고 콜렉터 단자(C4)는 1 K 저항소자를 통하여 과전류 검출신호(TU_DET)로 출력되므로, 결과적으로 과전류 검출신호(TU_DET)는 통상의 경우에는 LOW 레벨로 되고 과전류가 유입되는 경우에는 HIGH 레벨로 된다. Next, referring to the fourth transistor 240, in the NPN-type fourth transistor 240, the collector terminal C4 is connected to the system power supply 5VCH through a 10K resistor and the emitter terminal E4 is grounded. GND), the base terminal B4 and collector terminal C4 operate as an inverter with respect to the system power supply 5VCH. As shown, in the fourth transistor 240, the base terminal B4 is connected to the collector terminal C3 of the third transistor 230, and the collector terminal C4 is connected to the overcurrent detection signal TU_DET through a 1 K resistor. As a result, the overcurrent detection signal TU_DET is brought to the LOW level in the normal case and to the HIGH level in the case where the overcurrent is introduced.

도 1을 참조하여 전술한 바와 같이, 제어 모듈(130)은 과전류 보호모듈(120)로부터 제공되는 과전류 검출신호(TU_DET)에 기초하여 튜너 모듈(110)을 통한 과전류 유입을 판단하고, 그에 따라 특정의 제어신호(TU_CTL)를 과전류 보호모듈(120)로 제공하여 튜너 모듈(110)에 대한 모듈 동작전원(TU_PWR)의 공급을 차단함으로써 과전류로 인해 시스템 전체가 파괴되는 것을 예방한다.As described above with reference to FIG. 1, the control module 130 determines the inflow of overcurrent through the tuner module 110 based on the overcurrent detection signal TU_DET provided from the overcurrent protection module 120, and accordingly specifies The control signal TU_CTL is provided to the overcurrent protection module 120 to block the supply of the module operating power source TU_PWR to the tuner module 110 to prevent the entire system from being destroyed due to the overcurrent.

제어신호(TU_CTL)는 통상의 경우에는 HIGH 레벨로 설정되며, 이 경우에는 전술한 바와 같이 제1 트랜지스터(210)가 온(ON) 상태로 설정되어 이를 통하여 시스템 전원(5VCH)으로부터 모듈 동작전원(TU_PWR)이 제공된다. 제어신호(TU_CTL)는 과전류가 유입되는 것과 같은 비정상의 경우에는 LOW 레벨로 설정되는데, 이 경우 NPN형의 제2 트랜지스터(220)에서 에미터(E2)-콜렉터(C2)가 오프 상태로 되고, 이에 따라 4.7 K 저항소자와 2 K 저항소자를 통하여 전류가 흐르지 않게 되어 PNP형의 제1 트랜지스터(210)의 베이스 단자(B1)와 에미터 단자(E1)가 동일한 전위를 갖게 되며, 결국 제1 트랜지스터(210)의 에미터(E1)-콜렉터(C1)가 오프(OFF) 상태로 되어 모듈 동작전원(TU_PWR)의 공급이 차단된다.In general, the control signal TU_CTL is set to the HIGH level. In this case, as described above, the first transistor 210 is set to an ON state, and thus the module operating power ( TU_PWR) is provided. The control signal TU_CTL is set to the LOW level in the case of an abnormality such as an overcurrent flows. In this case, the emitter E2-collector C2 is turned off in the second transistor 220 of the NPN type. Accordingly, no current flows through the 4.7 K resistor and the 2 K resistor, so that the base terminal B1 and the emitter terminal E1 of the first transistor 210 of the PNP type have the same potential. The emitter E1-collector C1 of the transistor 210 is turned off and the supply of the module operating power source TU_PWR is cut off.

한편, 제어 모듈(130)은 과전류 검출신호(TU_DET)에 기초하여 현재 튜너 모듈(110)에서의 이상유무를 판단하고 이에 따라 제어신호(TU_CTL)을 사용하여 모듈 동작전원(TU_PWR)의 공급을 차단하는데, 보다 확실한 판단을 위해서는 과전류 검출신호(TU_DET)가 소정의 시간 이상, 예컨대 4초 이상 지속적으로 HIGH 레벨을 유지하는 경우에만 튜너 모듈(110)을 통하여 외부로부터 과전류가 유입되었다고 판단하는 것도 가능하다. 물론, 즉각적으로 대응하기 위하여 1회 발견되더라도 과전류가 유입되었다고 판단하고 제어신호(TU_CTL)을 사용하여 모듈 동작전원(TU_PWR)의 공급을 차단하는 것도 가능하다.Meanwhile, the control module 130 determines whether there is an abnormality in the current tuner module 110 based on the overcurrent detection signal TU_DET and accordingly blocks the supply of the module operating power TU_PWR using the control signal TU_CTL. However, for more certain judgment, it is also possible to determine that the overcurrent has been introduced from the outside through the tuner module 110 only when the overcurrent detection signal TU_DET maintains the HIGH level continuously for a predetermined time or more, for example, 4 seconds or more. . Of course, it is also possible to determine that the overcurrent has been introduced even if it is found once to respond immediately, and to cut off the supply of the module operating power source TU_PWR using the control signal TU_CTL.

본 발명의 상세한 설명에서는 지상파 또는 위성방송 수신기를 대상으로 과전류 보호장치의 내용을 기술하였으나, 이는 단순히 설명상의 편이를 위한 것으로 본 발명의 적용범위가 이러한 방송 수신장치에만 한정되는 것으로 해석되어서는 안된다. 오히려, 본 발명의 과전류 보호장치는 전화나 모뎀 등과 같이 외부로부터 케이블 등을 통하여 낙뢰 등의 전기적 충격을 받을 수 있는 전기장치에 일반적으로 적용가능한 것으로 이해되어야 한다. 이에, 전술한 튜너 모듈(110)은 일반적으로 전기장치에 대한 외부접속 모듈로서 추상화가 가능하다.In the detailed description of the present invention, the contents of the overcurrent protection device are described for a terrestrial or satellite broadcasting receiver, but this is merely for convenience of description and should not be construed as being limited to the broadcast receiving device. Rather, it should be understood that the overcurrent protection device of the present invention is generally applicable to an electric device capable of being subjected to an electric shock such as a lightning strike through a cable or the like from the outside such as a telephone or a modem. Thus, the above-described tuner module 110 can be abstracted as an external connection module for an electric device in general.

또한, 본 발명의 상세한 설명에서는 바이폴라형(bipolar) 트랜지스터를 사용하여 과전류 보호장치(120)의 내부구성을 설명하였으나, 이 역시 단순히 설명상의 편이를 위한 것으로서 본 발명의 범위가 바이폴라형 트랜지스터를 사용한 구성에 한정되는 것으로 해석되어서는 안되며, 예컨대 전계효과형(field effect) 트랜지스터나 통상의 로직회로를 사용하더라도 본 발명의 과전류 보호장치(120)를 구성할 수 있는 것으로 이해되어야 한다.In addition, in the detailed description of the present invention, the internal configuration of the overcurrent protection device 120 using a bipolar transistor has been described, but this is also merely for convenience of description and the scope of the present invention is a configuration using a bipolar transistor. It should not be construed as limited to this, it should be understood that the overcurrent protection device 120 of the present invention can be configured even if a field effect transistor or a conventional logic circuit is used.

본 발명의 과전류 보호장치에 따르면 방송수신기 장치에 있어서 튜너 등 외 부접속 모듈을 통해 유입되는 전기적 충격에 의하여 수신기 시스템 전체가 손상되는 사고를 예방할 수 있는 장점이 있다.According to the overcurrent protection device of the present invention, in the broadcast receiver device, there is an advantage of preventing an accident that the entire receiver system is damaged by an electric shock introduced through an external connection module such as a tuner.

Claims

delete

A first switching unit for switching a system power supply to provide a module operation power supply (TU_PWR) of an external connection module;

When the signal level of the module operating power is set to ground, the module operating power is monitored through a transistor switched to OFF to detect whether the signal level of the module operating power is shorted to ground, and the detection result thereof. A level sensing unit configured to provide an overcurrent detection signal (TU_DET) indicating whether overcurrent flows into the external connection module to a control module according to the present invention; And

In response to the overcurrent detection signal, a power control signal TU_CTL is received from a control module, and the first switching unit is switched off according to a power control signal TU_CTL to turn off the module operating power supply through the first switching unit. And a second switching unit which cuts off the supply.

The method of claim 5, wherein

The level sensing unit may include: a buffering unit configured to switch off when the signal level of the module operating power is set to ground and to buffer and transmit the signal level of the module operating power in the on switching state; And a signal generator configured to generate the overcurrent detection signal (TU_DET) based on the output of the buffering unit.

The method of claim 6,

The buffering part is an NPN type in which the collector terminal C3 is connected to ground, the emitter terminal E3 is connected to the module operating power supply, and the base terminal B3 is connected to the ground and emitter terminal E3 through a resistance element. A third transistor of;

The signal generator includes a base terminal B4 connected to the collector terminal C3 of the third transistor unit, an emitter terminal E4 connected to the ground, and a collector terminal C4 connected to a system power source. 4 transistors;

The overcurrent detection signal (TU_DET) is derived from the collector terminal (C4) of the fourth transistor so that the output signal of the buffering unit is inverted output.

The method according to any one of claims 5 to 7,

The first switching unit is a PNP type in which the emitter terminal E1 is connected to the system power supply, the base terminal B1 is connected to the emitter terminal E1 through a resistance element, and the collector terminal C1 is connected to the module operating power supply. A first transistor of;

The second switching unit is connected to the collector terminal C2 to the base terminal B1 of the first transistor unit 210 and the base terminal B2 is connected to the power control signal TU_CTL and emitter terminal E2. Is an overcurrent protection device comprising a second transistor of the NPN type connected to the ground.