KR100577015B1 - Stacked chip package of semiconductor device and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 적층 칩 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 본 발명의 방법은 제 1반도체 칩 기판의 상단면에 배치된 전극 패드에서 분리된 하나의 전극 패드 사이를 관통하는 홀을 형성하는 단계와, 홀에 분리된 전극 패드 사이를 관통해서 접속되는 홀 배선을 형성하는 단계와, 제 1반도체 칩 기판의 하단면을 홀 배선의 하부면이 드러날 때까지 그라인드하는 단계와, 제 2반도체 칩의 전극 패드와 제 1반도체 칩의 하단면 홀 배선을 접속부를 통해 접속시키는 단계와, 제 2반도체 칩의 기판 하부를 패키지 몸체에 접착시키는 단계와, 패키지 몸체의 리드프레임에 제 2반도체 칩의 전극 패드를 접속시키는 단계를 포함한다. 따라서 본 발명은 적층 칩 패키지 제조 공정시 반도체 칩내 전극 패드 위치를 자유롭게 변경할 수 있으며 하부 반도체 칩에만 외부 리드프레임과의 와이어 본딩을 실시하므로 상층 반도체 칩의 와이어 본딩을 생략할 수 있어 와이어 본딩의 정확성을 높일 수 있다.The present invention relates to a laminated chip package of a semiconductor device and a method of manufacturing the same, and in particular, the method of the present invention forms a hole penetrating between one electrode pad separated from the electrode pad disposed on the top surface of the first semiconductor chip substrate. Forming a hole wiring connected through the electrode pads separated from the hole; grinding the lower surface of the first semiconductor chip substrate until the bottom surface of the hole wiring is exposed; and a second semiconductor. Connecting the electrode pad of the chip and the lower end hole wiring of the first semiconductor chip through the connection portion, bonding the lower substrate of the second semiconductor chip to the package body, and attaching the second semiconductor chip to the lead frame of the package body. Connecting the electrode pads. Therefore, the present invention can freely change the position of the electrode pad in the semiconductor chip during the manufacturing process of the laminated chip package, and wire bonding with the external lead frame only to the lower semiconductor chip can omit the wire bonding of the upper semiconductor chip, thereby improving the accuracy of wire bonding. It can increase.
적층 칩 패키지, 제 1반도체 칩, 제 2반도체 칩, 그라인드Multilayer Chip Package, First Semiconductor Chip, Second Semiconductor Chip, Grind
Description
도 1 내지 도 7은 본 발명에 따른 반도체 소자의 적층 칩 패키지 제조 공정을 설명하기 위한 공정 순서도.1 to 7 are process flowcharts illustrating a manufacturing process of a laminated chip package of a semiconductor device according to the present invention.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
10 : 제 1반도체 칩 12a : 서로 분리된 전극 패드10:
14 : 포토레지스트 패턴 16 : 홀14
18 : 홀 배선 20 : 제 2반도체 칩18: hole wiring 20: the second semiconductor chip
22 : 전극 패드 24 : 접속부22
30 : 패키지 몸체 32 : 접착제30: package body 32: adhesive
34 : 와이어34: wire
본 발명은 반도체 소자의 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 반 도체 소자의 적층 칩 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a package of a semiconductor device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a laminated chip package of a semiconductor device and a method of manufacturing the same.
반도체 제품의 고밀도, 고집적, 다양한 기능 요구에 대응하기 위해 많은 수의 반도체 칩을 내장하여 높은 직접도로를 달성하는 칩 패키지들이 현재 개발·제작되고 있다. 최근의 경우 여러 기능을 보유한 반도체 칩을 구현하기 위해서 서로 다른 기능의 디자인을 원칩화하는 SOC(System On Chip) 기술이 발달하고 있으나, 이는 서로 다른 공정 기술에 의존하는 디자인들이 원칩화됨으로써 상호 특성에 영향을 주지 않는 단일 공정 기술 개발로 진행되고 있으나 매우 어려운 문제이다.To meet the high density, high integration, and various functional requirements of semiconductor products, chip packages are being developed and manufactured to achieve high direct roads by embedding a large number of semiconductor chips. In recent years, SOC (System On Chip) technology has been developed to make chips with different functions in order to realize semiconductor chips with various functions. The development of a single process technology that does not give a progress but is a very difficult problem.
이를 보완하기 위해서 서로 다른 공정으로 진행되어진 2개 또는 그 이상의 반도체 칩을 서로 적층하여 하나의 패키지로 제작하는 적층 칩 패키지(stacked chip package) 기술이 등장하게 되었다. 이러한 적층 칩 패키지는 서로 적층되는 반도체 칩의 연결용 전극 패드 위치를 미리 설정하여 디자인하게 되는데, 이때 전극 패드의 위치를 모두 칩의 가장자리 둘레를 따라 놓을 수밖에 없다. 따라서 전극 패드 위치를 선택하는데 어려움이 있다. 또한 와이어(wire bonding)시 전극 패드 위치에 따라 와이어가 엇갈리는 문제가 없도록 많은 노력과 높은 정확성이 요구되며 상부 반도체 칩의 와이어 본딩시 하부 칩의 충격에 의한 손상이 발생되는 문제점이 있었다.In order to compensate for this, a stacked chip package technology, in which two or more semiconductor chips, which are processed in different processes, are stacked on each other and manufactured into one package, has emerged. Such a laminated chip package is designed by setting the positions of the electrode pads for connection of the semiconductor chips stacked on each other in advance, and in this case, the positions of the electrode pads must be placed along the edges of the chips. Therefore, there is a difficulty in selecting the electrode pad position. In addition, a lot of effort and high accuracy are required so that wires are not staggered according to electrode pad positions during wire bonding, and there is a problem in that damage caused by impact of a lower chip is caused during wire bonding of an upper semiconductor chip.
본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 적층 반도체 칩중에서 어느 하나의 반도체 칩내 전극 패드에 수직으로 기판 하부면까지 관통하는 홀 배선을 추가하고 이 홀 배선과 다른 반도체 칩의 전극 패드를 접속시켜 반도체 칩들을 적층시켜 패키지로 구성할 수 있어 반도체 칩의 패드 위치를 자유롭게 변경할 수 있는 반도체 소자의 적층 칩 패키지를 제공하는데 있다.An object of the present invention is to add a hole wiring penetrating vertically to the lower surface of the substrate of the semiconductor chip of any one of the stacked semiconductor chip in order to solve the problems of the prior art as described above, and the electrode of the other semiconductor chip The present invention provides a stacked chip package of a semiconductor device in which pads may be connected to each other to stack semiconductor chips to form a package, and thus the pad position of the semiconductor chip may be freely changed.
본 발명의 다른 목적은 반도체 칩의 전극 패드를 관통하는 홀에 수직 배선을 추가하고 그 수직 배선이 드러나도록 기판 하부면을 그라인딩한 후에 다른 반도체 칩의 전극 패드와 홀 배선을 접속시켜 반도체 칩들을 적층시켜 패키지로 제조함으로써 반도체 칩내 패드 위치를 자유롭게 변경할 수 있는 반도체 소자의 적층 칩 패키지 제조 방법을 제공하는데 있다.
Another object of the present invention is to add a vertical wiring to the hole through the electrode pad of the semiconductor chip and to grind the bottom surface of the substrate so that the vertical wiring is exposed, the semiconductor chip is laminated by connecting the electrode pad and the hole wiring of another semiconductor chip The present invention provides a method for manufacturing a stacked chip package of a semiconductor device capable of freely changing a pad position in a semiconductor chip by manufacturing a package.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 적어도 두 개 이상의 반도체 칩이 실장된 적층 칩 패키지에 있어서, 기판의 상단면에 배치되며 서로 분리된 전극 패드와, 분리된 하나의 전극 패드 사이를 관통해서 접속되며 기판의 상단면에서 하단면까지 이어지는 홀 배선을 갖는 제 1반도체 칩과, 기판의 상단면에 배치되는 전극 패드를 갖는 제 2반도체 칩과, 제 1반도체 칩의 하단면 홀 배선을 제 2반도체 칩의 전극 패드와 접속시키는 접속부를 구비한다.In order to achieve the above object, the present invention is a laminated chip package in which at least two semiconductor chips are mounted, which is disposed on an upper surface of a substrate and is connected through an electrode pad separated from each other and an electrode pad separated from each other. A first semiconductor chip having a hole wiring extending from the top surface to the bottom surface of the substrate, a second semiconductor chip having an electrode pad disposed on the top surface of the substrate, and a bottom hole wiring of the bottom surface of the first semiconductor chip; The connection part connected with the electrode pad of this invention is provided.
상기 다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 적어도 두 개 이상의 반도체 칩이 실장된 적층 칩 패키지를 제조하는 방법에 있어서, 제 1반도체 칩 기판의 상단면에 배치된 전극 패드에서 분리된 하나의 전극 패드 사이를 관통하는 홀을 형성하는 단계와, 홀에 금속막을 매립하고 그 표면을 평탄화하여 분리된 전극 패드 사 이를 관통해서 접속되는 홀 배선을 형성하는 단계와, 제 1반도체 칩 기판의 하단면을 홀 배선의 하부면이 드러날 때까지 그라인드하는 단계와, 제 2반도체 칩의 전극 패드와 제 1반도체 칩의 하단면 홀 배선을 접속부를 통해 접속시키는 단계를 포함하여 이루어진다.In order to achieve the above another object, the present invention provides a method of manufacturing a laminated chip package in which at least two semiconductor chips are mounted, comprising: between one electrode pad separated from an electrode pad disposed on an upper surface of a first semiconductor chip substrate; Forming a hole through the hole; forming a hole wiring connected through the electrode pad by embedding a metal film in the hole and planarizing the surface thereof; and forming a hole wiring on the bottom surface of the first semiconductor chip substrate. Grinding until the bottom surface of the semiconductor substrate is exposed, and connecting the electrode pad of the second semiconductor chip and the lower end hole wiring of the first semiconductor chip through the connection portion.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1 내지 도 7은 본 발명에 따른 반도체 소자의 적층 칩 패키지 제조 공정을 설명하기 위한 공정 순서도이다. 이들 도면을 참조하면 본 발명의 반도체 소자의 적층 칩 패키지는 다음과 같이 제조된다.1 to 7 are flowcharts illustrating a process of manufacturing a stacked chip package of a semiconductor device according to the present invention. Referring to these drawings, the laminated chip package of the semiconductor device of the present invention is manufactured as follows.
우선 도 1에 도시된 바와 같이, 제 1반도체 칩의 기판(10)으로서 SOI(Silicon On Insulator) 기판에 반도체 소자의 제조 공정을 완료하고 기판 상단면에 다른 칩과 연결되기 위한 전극 패드(12)를 형성한다.First, as shown in FIG. 1, an
그리고 도 2에 도시된 바와 같이, 사진 공정을 진행하여 제 1반도체 칩의 기판(10) 상부면에 하나의 전극 패드(12) 일부가 오픈(open)되도록 하는 포토레지스트 패턴(14)을 형성한다.As shown in FIG. 2, a
도 3에 도시된 바와 같이, 포토레지스트 패턴(14)에 의해 드러난 전극 패드(12) 및 그 하부의 기판을 소정 깊이로 식각하여 이후 다른 반도체 칩의 전극 패드와 접속될 수직 배선이 형성되는 공간인 홀(16)을 형성한다. 이로 인해, 홀은 하나의 전극 패드(12) 사이를 관통하기 때문에 홀에 의해 서로 분리(12a)되어 나누 어진다. 그런 다음 포토레지스트 패턴(14)을 제거한다.As shown in FIG. 3, the
그 다음 도 4에 도시된 바와 같이, 제 1반도체 칩의 기판(10)의 홀에 금속막(18)을 매립(gap-fill)하고 그 표면을 CMP(Chemical Mechanical Polishing)으로 평탄화하여 서로 분리된 하나의 전극 패드(12a) 사이를 관통해서 접속되는 홀 배선(18a)을 형성한다.Then, as shown in FIG. 4, the
그런 다음 도 5에 도시된 제 1반도체 칩 기판(10)의 하단면 전체를 그라인딩하되, 홀 배선(18a)의 하부면이 드러나거나 또는 홀 배선(18a) 소정 위치까지 드러나도록 그라인드한다. 이와 같이 그라인딩하는 이유는 이후 반도체 칩들의 패키지 공정시 홀 배선(18a)을 통해 제 1반도체 칩의 전극 패드와 다른 반도체 칩의 전극 패드를 전기적으로 접속시키기 위함이다.Then, the entire bottom surface of the first
이후 도면에 도시되지는 않았지만, 제 1반도체 칩 기판(10)을 칩 단위로 절삭(sawing)한다. Although not shown in the drawings, the first
이어서 도 6에 도시된 바와 같이, 반도체 소자의 제조 공정이 완료되고 기판 상단면에 다른 칩과 연결되기 위한 전극 패드(22)를 갖는 제 2반도체 칩(20)을 준비한다. 이때 제 1반도체 칩(10)의 전극 패드(12)와 전기 접속될 제 2반도체 칩(20)의 전극 패드(22)는 서로 얼라인되도록 배치하는 것이 중요하다. 그 이유는 이들 반도체 칩의 적층시 서로의 전극 패드 위치가 얼라인된 상태로 범핑되기 때문이다. 그러므로 제 1반도체 칩(10)의 전극 패드(12)와 전기 접속될 제 2반도체 칩(20)의 전극 패드(22)는 종래와 같이 칩 외곽에 배치될 수도 있지만 칩 어디에든지 패드를 위치시킬 수도 있다. 하지만 이후 패키지 몸체의 외부 리드프레임과 전 기적으로 접속될 전극 패드인 경우에는 종래 방식대로 칩의 외곽에 배치하는 것이 바람직하다.Next, as shown in FIG. 6, the process of manufacturing the semiconductor device is completed, and the
그리고 범프(bump)를 이용한 공정으로 제 2반도체 칩(20)의 전극 패드(22)와 제 1반도체 칩(10)의 하단면 홀 배선(18a)을 접속부(24)인 범프로 압착시켜 제 1반도체 칩(10)과 제 2반도체 칩(20)의 전극 패드(12a, 22)를 서로 전기적 접속시킨다.In the process using a bump, the
도 7에 도시된 바와 같이, 제 2반도체 칩(20) 하부면을 에폭시수지 등의 접착제(32)로 패키지 몸체(30)에 접착시키는데, 이때 패키지 몸체(30)는 제 2반도체 칩 (20)이 탑재되는 홈이 따로 구비될 수도 있다.As shown in FIG. 7, the lower surface of the
그리고 나서 제 2반도체 칩(20)의 외부 연결용 전극 패드(22)와 패키지 몸체(30)의 리드프레임(lead frame)(36)에 와이어 본딩 공정을 실시하여 제 2반도체 칩(20)의 전극 패드(22)와 리드프레임(36) 사이를 와이어(34)로 접속시켜 본 발명에 따른 적층 칩 패키지를 완성한다. 이때 패키지 몸체(30)의 리드프레임(36)과 접속되기 위한 제 2반도체 칩(20)의 전극 패드(22)는 제 1반도체 칩(10) 영역보다 외곽에 배치되는 것이 바람직하다.Then, a wire bonding process is performed on the
이와 같이 제조된 본 발명의 반도체 소자의 적층 칩 패키지는 서로 분리된 하나의 전극 패드(12a)와, 분리된 하나의 전극 패드(12a) 사이를 수직으로 관통해서 기판 하단면까지 이어지는 홀 배선(18a)을 갖는 제 1반도체 칩(10)과, 기판의 상단면에 배치되는 전극 패드(22)를 갖는 제 2반도체 칩(20)과, 제 1반도체 칩(10)의 하단면 홀 배선(18a)이 접속부인 범프(24)를 통해서 제 2반도체 칩(20)의 상단 전극 패드(22)와 전기적으로 접속되어 있다. 제 2반도체 칩(20)의 하부면이 접착제(32)로 접착되어 패키지 몸체(30)에 탑재되며 패키지 몸체(30)의 리드프레임(36)에 제 2반도체 칩(20)의 외곽 전극 패드(22)가 와이어(34)를 통해 전기적으로 접속된다.The stacked chip package of the semiconductor device of the present invention manufactured as described above has a
이상 상술한 바와 같이 본 발명은, 적층 칩 패키지 제조 공정시 어느 하나의 반도체 칩내 하나의 전극 패드를 수직으로 뚫고 기판 하부면까지 관통하는 홀 배선을 추가하고 이 반도체 칩의 홀 배선과 다른 반도체 칩의 전극 패드를 범프로 접속시켜 적층 칩 패키지를 제작할 수 있어 반도체 칩내 전극 패드 위치를 자유롭게 변경할 수 있다.As described above, according to the present invention, in the manufacturing process of the multilayer chip package, a hole wiring penetrating vertically through one electrode pad in one semiconductor chip and penetrating to the lower surface of the substrate is added. The electrode pads can be connected by bumps to produce a laminated chip package, and thus the position of the electrode pads in the semiconductor chip can be freely changed.
또한 반도체 칩의 와이어 본딩시 하부 반도체 칩에만 외부 리드프레임과의 와이어 본딩을 실시하므로 상층 반도체 칩의 와이어 본딩을 생략할 수 있어 와이어 본딩의 정확성을 높일 수 있으며 하층 반도체 칩의 와이어 본딩 부담과 충격을 최소화할 수 있다.In addition, the wire bonding of the upper semiconductor chip can be omitted since wire bonding with the external lead frame is performed only on the lower semiconductor chip during wire bonding of the semiconductor chip, thereby increasing the accuracy of wire bonding and reducing the wire bonding burden and impact of the lower semiconductor chip. It can be minimized.
한편, 본 발명은 상술한 실시예에 국한되는 것이 아니라 후술되는 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상과 범주내에서 당업자에 의해 여러 가지 변형이 가능하다.On the other hand, the present invention is not limited to the above-described embodiment, various modifications are possible by those skilled in the art within the spirit and scope of the present invention described in the claims to be described later.
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