[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR100575290B1 - 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법 - Google Patents

리소그래피장치 및 디바이스 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100575290B1
KR100575290B1 KR1020030047722A KR20030047722A KR100575290B1 KR 100575290 B1 KR100575290 B1 KR 100575290B1 KR 1020030047722 A KR1020030047722 A KR 1020030047722A KR 20030047722 A KR20030047722 A KR 20030047722A KR 100575290 B1 KR100575290 B1 KR 100575290B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
projection system
projection
radiation
substrate
alignment
Prior art date
Application number
KR1020030047722A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20040010159A (ko
Inventor
데르 베르프 얀 에버트 판
게오르게 아리에 얀 포케르트
데르 란 한스 판
Original Assignee
에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. filed Critical 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Publication of KR20040010159A publication Critical patent/KR20040010159A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100575290B1 publication Critical patent/KR100575290B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70591—Testing optical components
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7007—Alignment other than original with workpiece
    • G03F9/7015—Reference, i.e. alignment of original or workpiece with respect to a reference not on the original or workpiece
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

반사기정렬시스템은 투영시스템의 대향측상의 기준프레임(RF)에 고정된 2개의 기준마크의 겉보기 상대위치를 측정하도록 거울그룹을 포함하는 투영시스템(PL)을 통하여 전파하는 정렬빔(AB1)을 이용한다. 투영시스템(PL)내의 거울의 이동은 기준마커(11, 14)의 겉보기 위치에서의 시프트로서 검출된다.

Description

리소그래피장치 및 디바이스 제조방법 {Lithographic Apparatus, and Device Manufacturing Method}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 리소그래피 투영장치의 도면,
도 2는 도 1의 장치의 투영시스템을 형성하는 반사기시스템의 도면;
도 3은 도 1의 장치의 투영시스템 및 반사기 정렬시스템을 나타내는 도면;
도 4는 투영 및 정렬빔의 극단 방사선(extreme ray)을 나타내는 기판 및 기판측부 기준마크의 확대도;
도 5는 기준마크로서 이동(moving)간섭패턴을 생성하기 위한 배열의 도면;
도 6은 본 발명의 실시예에서 검출된 세기패턴의 도면이다.
도면에서, 대응하는 참조부호는 대응하는 부분을 나타낸다.
본 발명은,
- 방사선투영빔을 공급하는 방사선시스템;
- 소정의 패턴에 따라 투영빔을 패터닝시키는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지구조체;
- 기판을 잡아주는 기판테이블; 및
- 기판의 타겟부상으로 패터닝된 빔을 투영시키는 복수의 반사기를 포함하는 투영시스템을 포함하는 리소그래피투영장치에 관한 것이다.
"패터닝수단(patterning means)"이라는 용어는 기판의 타겟부에 형성되어야 할 패턴에 대응하는 패터닝된 단면을 입사하는 방사빔에 부여하도록 사용될 수 있는 수단을 의미하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 하며, 본 명세서에서는 "광 밸브(light valve)"라는 용어로도 사용된다. 일반적으로, 상기 패턴은 집적회로 또는 기타 디바이스와 같이 타겟부에 형성될 디바이스 내의 특정기능층에 해당할 것이다(이하 참조). 그러한 패터닝수단의 예로는 다음과 같은 것들이 포함된다.
- 마스크. 이 마스크의 개념은 리소그래피분야에서 이미 잘 알려져 있고, 바이너리(binary)형, 교번위상-시프트(alternating phase-shift)형 및 감쇠위상-시프트형과 같은 마스크형식과 다양한 하이브리드 마스크형식을 포함한다. 방사빔내에 이러한 마스크가 놓이면, 마스크의 패턴에 따라 마스크로 입사되는 방사선의 선택적인 투과(투과형 마스크의 경우) 또는 반사(반사형 마스크의 경우)가 이루어진다. 마스크의 경우에는, 일반적으로 마스크테이블이 지지구조체가 되고, 상기 마스크테이블은 입사되는 투영빔내의 소정위치에 마스크가 고정될 수 있게 하며, 필요한 경우에는 마스크를 상기 빔에 대하여 상대적으로 이동시킬 수 있도록 한다.
- 프로그램가능한 거울배열. 이러한 장치의 예로는, 점탄성 제어층 (viscoelastic control layer)과 반사면을 구비한 매트릭스-어드레서블 표면이 있다. 이러한 장치의 기본원리는, (예를 들어)반사면의 어드레스된 영역(addressed area)에서는 입사광이 회절광으로 반사되는 반면, 어드레스되지 않은 영역에서는 입사광이 비회절광으로 반사되는 것이다. 적절한 필터를 사용하면, 상기 비회절광을 필터링하여 회절광만 남게 할 수 있다. 이러한 방식으로, 상기 빔은 상기 매트릭스-어드레서블 표면의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 프로그램가능한 거울배열의 대안적인 실시예는 작은 거울의 매트릭스 배치를 채택하는 것인데, 상기 각각의 작은 거울은 적당하게 국부적으로 치우친 전기장을 가하거나 또는 압전작동수단(piezoelectric actuation means)을 채택하여 축에 대하여 개별적으로 기울어질 수 있다. 또한, 상기 거울은 매트릭스-어드레서블이고, 이러한 어드레싱된 거울은 입사하는 방사빔을 어드레싱되지 않은 거울에 대하여 다른 방향으로 반사할 것이다. 이러한 방식으로, 반사된 빔은 매트릭스-어드레서블 거울의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 이때 요구되는 매트릭스 어드레싱은 적당한 전자수단을 사용하여 수행될 수 있다. 상술된 두가지 상황 모두에 있어서, 패터닝수단은 1이상의 프로그램가능한 거울배열로 이루어질 수 있다. 이러한 거울배열에 관한 보다 상세한 정보는, 예를 들어 본 명세서에서 참고자료로 채택되고 있는 미국특허 US 5,296,891호 및 US 5,523,193호와 PCT 특허출원 WO 98/38597호 및 WO 98/33096호로부터 얻을 수 있다. 프로그램가능한 거울배열의 경우에, 상기 지지구조체는 필요에 따라 고정되거나 또는 이동할 수 있는 프레임 또는 테이블로 구현될 수 있다.
- 프로그램가능한 LCD 배열. 이러한 구조의 일례는 본 명세서에서 참고자료로 채택되고 있는 미국특허 US 5,229,872호에 개시되어 있다. 상술된 바와 같이, 이러한 경우에서의 지지구조체는 필요에 따라 고정되거나 또는 이동할 수 있는, 예 를 들어, 프레임 또는 테이블로 구현될 수 있다.
설명을 간단히 하기 위하여, 본 명세서의 나머지 부분 중 어느 곳에서는 그 자체가 마스크와 마스크테이블을 포함하는 예시적인 용어로서 특정적으로 지칭될 수도 있다. 하지만, 그러한 예시에서 논의된 일반적인 원리는 상술한 바와 같은 패터닝수단의 광의의 개념으로 이해되어야 한다.
예를 들어, 리소그래피 투영장치는 집적회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다.이 경우에, 패터닝수단은 IC의 각각의 층에 대응되는 회로패턴을 형성할 수 있으며, 이 패턴은 이후에 방사선 감응재(레지스트)층으로 도포된 기판(실리콘 웨이퍼)상의 타겟부(1이상의 다이로 구성되는)상으로 묘화될 수 있다. 일반적으로, 단일 웨이퍼는 인접해 있는 타겟부들의 전체적인 네트워크를 포함하고, 이들 타겟부는 투영시스템에 의하여 한번에 하나씩 연속적으로 조사된다. 현재 통용되는 장치에서, 마스크테이블상의 마스크에 의한 패터닝을 채택하는 데에는, 두 가지 상이한 형식의 기계로 구분될 수 있다. 어느 한 형식의 리소그래피 투영장치에서는 타겟부상으로 전체 마스크 패턴을 한번에 노광함으로써 각 타겟부가 조사되는데, 이러한 장치를 통상적으로 웨이퍼 스테퍼(wafer stepper)라고 한다. 통상, 스텝-앤드-스캔 장치(step-and-scan apparatus)라고 불리워지는 대체 장치에서는 소정의 기준 방향("스캐닝" 방향)으로 투영빔 하의 마스크 패턴을 점진적으로 스캐닝하는 한편, 상기 스캐닝 방향과 같은 방향 또는 반대 방향으로 기판테이블을 동기적으로 스캐닝함으로써 각 타겟부가 조사된다. 일반적으로, 투영시스템은 배율인자 M(일반적으로 < 1)을 가지므로 기판테이블이 스캐닝되는 속도 V는 마스크테이블이 스캐닝되는 속도의 인자 M배가 된다. 본 명세서에 참고자료로 채택되고, 여기서 서술된 리소그래피 장치에 관한 보다 상세한 정보는, 예를 들어 미국특허 US 6,046,792호에서 찾을 수 있다.
리소그래피 투영장치를 사용하는 제조공정에서, (예를 들어, 마스크의) 패턴은 방사선 감응재(레지스트)층에 의하여 적어도 부분적으로 도포되는 기판상으로 묘화된다. 이 묘화 단계에 앞서, 기판은 전처리(priming), 레지스트 코팅 및 소프트 베이크와 같은 여러가지 과정을 거칠 수 있다. 노광 후에는, 노광후 베이크(PEB), 현상, 하드 베이크 및 묘화된 형상의 측정/검사와 같은 또 다른 과정을 거치게 된다. 이러한 일련의 과정은, 예를 들어 IC의 각각의 층을 패터닝하는 기초로서 사용된다. 이렇게 패터닝된 층은 에칭, 이온주입(도핑), 금속화, 산화, 화학-기계적 폴리싱 등과 같은, 각각의 층을 가공하기 위한 여러 공정을 거친다. 여러 개의 층이 요구된다면, 새로운 층마다 전체공정 또는 그것의 변형된 공정이 반복되어져야만 할 것이다. 그 결과로, 기판(웨이퍼)상에는 집적회로 디바이스의 배열이 존재하게 될 것이다. 이들 집적회로 디바이스는 다이싱 또는 소잉 등의 기술에 의하여 서로 분리되고, 이들 각각의 집적회로 디바이스는 캐리어에 장착되고 핀 등에 접속될 수 있다. 본 명세서에서 참고자료로 채택되고 있는 이와 같은 공정에 관한 추가정보는 예를 들어, "Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing" (3판, Peter van Zant 저, McGraw Hill출판사, 1997, ISBN 0-07-067250-4)으로부터 얻을 수 있다.
설명을 간단히 하기 위하여, 상기 투영시스템은 이후에 "렌즈"라고 언급 될 것이다. 하지만 이 용어는 예를 들어, 굴절광학기, 반사광학기, 카타디옵트릭 (catadioptric) 시스템을 포함하는 다양한 형태의 투영시스템을 내포하는 것으로서 폭 넓게 해석되어야 한다. 또한 상기 방사선시스템은 방사선투영빔의 지향, 성형 또는 제어하는 이들 설계형식 중의 어느 하나에 따라 동작하는 구성요소를 포함할 수 있고, 이후에 설명에서는 이러한 구성요소들을 집합적으로 또는 개별적으로 "렌즈"라고 언급할 것이다. 나아가, 상기 리소그래피 장치는 2이상의 기판테이블 (및/또는 2이상의 마스크테이블)을 구비하는 형태가 될 수도 있다. 이러한 "다수 스테이지" 장치에서, 추가테이블이 병행으로 사용될 수 있으며, 1이상의 스테이지가 노광에 사용되고 있는 동안, 1이상의 다른 스테이지에서는 준비작업단계가 수행될 수 있다. 본 명세서에서 참고자료로 채택되는 듀얼스테이지 리소그래피 장치는, 예를 들어, 미국특허 US 5,969,441호 및 국제특허출원 WO 98/40791호에 개시되어 있다.
항상 존재하는 더 작은 피처를 묘화할 수 있게 하기 위한 요구를 충족시키기 위하여, 예를 들어, 5nm 내지 20nm 범위의 파장을 가진 극자외선(EUV)을 이용하는 리소그래피장치가 개발되고 있다. EUV방사선을 위한 굴절광학요소를 만드는데 적절한 재료가 알려져 있지 않기 때문에, EUV 리소그래피 기기는 기판상으로 마스크 이미지를 투영시키기 위하여 반사 광학시스템을 이용해야만 한다. 반사 광학시스템에 의하여 투영된 이미지의 위치 정확성 및, 정도가 덜 하기는 하지만 품질은 이들 시스템의 특성에 의하여 광학시스템의 반사기의 상대 및 절대위치내의 에러 및 교란(disturbances)에 매우 민감하다. 따라서, 리소그래피 시스템의 투영시스템내에 반사기를 매우 정확하고 안정되게 설치할 필요가 있다. 그러나, 반사기의 설치 의 안정성은 믿을 수 없으므로, 반사기 위치의 에러 및 교란을 검출할 필요가 있다. 이러한 에러 및 교란은 기판상에 투영된 현상 이미지에서 또는 기판 대신에 투과(transmission)이미지센서를 이용하여 검출될 수 있지만, 이것은 시간소모적이며 어떠한 문제의 지연된 표시만을 제공한다.
본 발명의 목적은 투영시스템내의 반사기의 위치에러 및 교란을 바람직하게는 실시간으로 또는 거의 실시간으로 검출하기 위한 개선된 시스템을 갖는 리소그래피 투영장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 상기 및 기타 목적은 서두에 명기된 바와 같은 리소그래피장치에 의하여 달성될 수 있으며,
상기 투영시스템을 통하여 방사선의 정렬빔을 지향시키는 반사기정렬시스템은 상기 투영시스템의 패터닝수단측의 고정된 위치에 제공된 제1기준마크 및 상기 투영시스템의 기판측의 고정된 위치에 제공된 제2기준마크의 겉보기 상대위치를 측정하는 것을 특징으로 한다.
투영시스템을 통하여 전파하는 빔을 이용하는 2개의 고정된 기준마크의 겉보기 상대 위치를 측정하면, 투영시스템내의 반사기의 위치를 직접적이고 실시간으로 측정할 수 있다 - 1이상의 반사기의 여하한의 이동도 기준마커의 겉보기 상대위치에서 시프트를 일으킬 것이다. 측정에서의 유일한 지연은 신호처리지연이며, 이는 반사기의 예상되는 교란주파수에 비해 작다.
정렬시스템의 개구수(NA)는 투영시스템의 개구수보다 작아서, 기준마크( 또는 정렬빔을 지향시키는데 사용되는 접철거울(folding mirror))가 물체 및 투영렌즈의 이미지필드의 외측에 위치될 수 있고, 노광을 방해하지 않는다.
정렬시스템은 고정된 기준마크로 또는 기준마크로부터 정렬빔을 지향시키기 위한 부가 광학기기를 가지고 있는 기판상의 기준마크와 마스크(패터닝수단)내의 기준마크간의 스루더렌즈(TTL)정렬로 알려져 있는 종류일 수 있다. 이러한 시스템은 시험 및 테스트되어, 본 발명에서 신속하게 구현될 수 있다 - 필요한 부가 광학기기는 간단한 2개의 접철거울일 수 있다. 기준마크의 상대적인 스캔을 작동시킬 필요가 있는 정렬시스템이 사용되는 경우에는, 마크 중의 하나가 작은 각도로 교차하는 2개의 빔들 간의 간섭에 의하여 형성된 러닝 줄무늬 패턴(running fringe pattern)으로서 구현될 수도 있다. 대안적으로, 비트패턴을 발생시키도록 기준 및 검출격자가 약간 상이한 시기에 제공될 수 있다. 비트패턴의 위상은 2개의 회절격자의 상대적인 위치에 따라 달라지고, 예를 들어, CCD로 비교적 용이하게 검출될 수 있다. 또 다른 대안적인 실시예에서, 방사선의 평범한(o) 구성요소 및 특별한(e) 구성요소가 약간 상이한 위치에서 검출격자상에 오도록 분리되고, 검출격자와 센서 사이의 모듈레이터는 o구성요소 및 e구성요소를 번갈아 투과시킨다. o신호와 e신호간의 차는 기준 및 검출격자의 상대위치에 대한 정보를 제공한다.
고정된 기준마크는 물체와 부합되는 평면 및 투영시스템의 이미지평면에 제공되고, 노광시에, 패터닝수단 및 기판은 측정된 위치에러가 투영된 이미지에 발생할 에러와 직접적으로 대응하도록 놓여진다.
하나의 정렬시스템은 X, Y방향의 측방향 시프트를 측정하는데 사용될 수 있는 한편, 2개의 정렬시스템은 측방향 시프트 뿐만 아니라 회전 및 배율을 측정하는데 사용될 수 있다.
정렬시스템에 의하여 검출된 에러는 대부분의 경우에, 패터닝수단, 기판 및/또는 투영시스템내의 1이상의 반사기의 위치 및/또는 방위를 조정하여 보상될 수 있다. 투영시스템이 텔레센트릭하지 않다면(non-telecentric), 배율에러도 동일한 방식으로 보상될 수 있다.
본 발명의 또 다른 형태에 따르면,
- 적어도 부분적으로는 방사선감응재의 층으로 덮인 기판을 제공하는 단계;
- 방사선시스템을 사용하여 방사선의 투영빔을 제공하는 단계;
- 패터닝 수단을 사용하여 투영빔의 단면에 패턴을 부여하는 단계; 및
- 복수의 반사기를 포함하는 투영시스템을 이용하여 방사선감응재층의 타겟부상에 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계를 포함하는 디바이스 제조방법에 있어서,
상기 투영시스템의 패터닝수단측과 기판측에 각각 제공되는 제1기준마크 및 제2기준마크의 겉보기 상대위치를 측정하도록 상기 투영시스템을 통해 정렬빔을 지향시켜 상기 투영시스템내의 반사기의 위치에러 및 교란을 검출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 명세서에서는 IC의 제조에 있어서의 본 발명에 따른 장치의 사용례에 대하여 언급하였으나, 이러한 장치가 다른 여러 가능한 응용례를 가지고 있음이 명백 히 이해되어야 할 것이다. 예를 들어, 상기 장치는 집적 광학시스템, 자기영역메모리용 유도 및 검출패턴, 액정표시패널, 박막자기헤드 등의 제조에도 이용될 수 있다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용례와 관련하여, 본 명세서에서 사용된 "레티클", "웨이퍼" 또는, "다이"와 같은 용어가 각각 "마스크", "기판" 및 "타겟부" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어로 대체되고 있음을 이해할 수 있다.
본 명세서에서, "방사선" 및 "빔"이란 용어는 (예를 들어, 파장이 365, 248, 193, 157 또는 126㎚ 인)자외선 및 EUV(예를 들어 파장이 5 내지 20㎚ 범위인 극자외선) 뿐만 아니라, 이온빔이나 전자빔과 같은 입자빔을 포함하는 모든 형태의 전자기방사선을 포괄하여 사용된다.
본 발명의 실시예는 첨부한 개략적인 도면을 참조하여 단지 예시의 방식으로 설명된다.
제1실시예
도 1은 본 발명의 특정한 실시예에 따른 리소그래피 투영장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는,
ㆍ방사선(예를 들어, DUV 방사선)의 투영빔(PB)을 공급하는 방사선시스템(Ex, IL)(특별히 이 경우에 방사선시스템이 방사원(LA)도 포함한다);
ㆍ마스크(MA)(예를 들어, 레티클)를 잡아주는 마스크 홀더가 마련된, 아이템(PL)에 대하여 마스크를 정확히 위치시키는 제1위치설정수단에 연결된 제1대물테이블(마스크테이블)(MT);
ㆍ기판(W)(예를 들어, 레지스트 코팅된 실리콘 웨이퍼)을 잡아주는 기판 홀 더가 마련된, 아이템(PL)에 대하여 기판을 정확히 위치시키는 제2위치설정수단에 연결된 제2대물테이블(기판테이블)(WT); 및
ㆍ기판(W)의 타겟부(C)(1이상의 다이를 포함)에 마스크(MA)의 조사된 부분을 묘화하는 (거울그룹을 포함하는)투영시스템("렌즈")(PL)을 포함하여 이루어진다.
도시된 바와 같이, 상기 장치는 (반사마스크를 구비한) 반사형이다. 하지만, 일반적으로는, 예를 들어 (투과마스크를 구비한) 투과형일 수도 있다. 대안적으로, 상기 장치는 위에서 언급한 바와 같은 형태의 프로그램가능한 거울 배열과 같은 그 밖의 다른 종류의 패터닝수단을 채용할 수도 있다.
방사원(LA)(예를 들어, 레이저생성 또는 방전 플라즈마원)은 방사선의 빔을 생성한다. 상기 빔은 곧바로 조명시스템(일루미네이터)(IL)에 들어 가거나, 예를 들어 빔 익스펜더(Ex)와 같은 컨디셔닝 수단을 거친 다음에 조명시스템으로 들어간다. 상기 일루미네이터(IL)는 빔내의 세기 분포의 외반경 및/또는 내반경 크기(통상 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)를 설정하는 조정수단(AM)을 포함하여 이루어진다. 또한 그것은 일반적으로 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같은 그 밖의 다른 다양한 구성요소들을 포함한다. 이러한 방식으로, 마스크(MA)에 입사하는 빔(PB)은 그 단면에 소정의 균일성과 세기 분포를 갖게 된다.
도 1과 관련하여, 상기 방사원(LA)은 리소그패피 투영장치의 하우징내에 놓이지만(예를 들어, 방사원(LA)이 흔히 수은 램프인 경우에서처럼), 그것이 리소그래피 투영장치로부터 멀리 떨어져 있어서 그것이 만들어 낸 방사선빔이 (가령, 적절한 지향거울에 의해) 장치 내부로 들어오게 할 수도 있음을 유의해야 한다. 후 자의 시나리오는 흔히 방사원(LA)이 엑시머레이저인 때의 경우이다.
이후, 상기 빔(PB)은 마스크테이블(MT)상에 잡혀있는 마스크(MA)를 통과한다. 마스크(MA)를 지난 빔(PB)은 렌즈(PL)를 통과하여 기판(W)의 타겟부(C)위에 빔(PB)의 초점을 맞춘다. 제2위치설정수단(및 간섭계측정수단(IF))에 의하여, 기판테이블(WT)은, 예를 들어 빔(PB)의 경로내에 상이한 타겟부(C)를 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제1위치설정수단은 예를 들어, 마스크 라이브러리로부터 마스크(MA)를 기계적으로 회수한 후에, 또는 스캔하는 동안, 빔(PB)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확히 위치시키도록 사용될 수 있다. 일반적으로 대물테이블(MT, WT)의 이동은, 도 1에 명확히 도시되지는 않았지만, 긴 행정 모듈(long stroke module)(개략 위치설정) 및 짧은 행정 모듈(미세 위치설정)의 도움을 받아 실현될 것이다. 하지만, (스텝-앤드-스캔장치와는 대조적으로) 웨이퍼스테퍼의 경우에는 마스크테이블(MT)이 단지 짧은 행정액추에어터에만 연결될 수 있고 고정될 수도 있다.
상술한 장치는 다음의 두가지 상이한 모드로 사용될 수 있다.
1. 스텝 모드에서는, 마스크테이블(MT)은 기본적으로 정지상태로 유지되며, 전체 마스크 이미지는 한번에(즉, 단일 "섬광"으로) 타겟부(C)에 투영된다. 이후 기판테이블(WT)이 x 및/또는 y 방향으로 쉬프트되어 다른 타겟부(C)가 빔(PB)에 의하여 조사될 수 있다.
2. 스캔 모드에서는, 소정 타겟부(C)가 단일 "섬광"으로 노광되지 않는 것을 제외하고는 기본적으로 동일한 시나리오가 적용된다. 그 대신에, 마스크테이블(MT) 이 v의 속도로 소정 방향(소위 "스캔방향", 예를 들어 y 방향)으로 이동가능해서, 투영빔(PB)이 마스크 이미지의 모든 부분을 스캐닝하도록 되고, 이와 함께 기판테이블(WT)은 속도 V=Mv로, 동일방향 또는 그 반대방향으로 동시에 이동하는 데, 이 때 M은 렌즈(PL)의 배율(통상 M=1/4 또는 1/5)이다. 이러한 방식으로, 해상도를 떨어뜨리지 않고도 비교적 넓은 타겟부(C)가 노광될 수 있다.
도 2는 마스크(MA), 기준프레임(RF)상에 장착된 투영시스템(PL) 및 기판(W)을 나타내는 도면이다. 투영시스템(PL)은 예를 들어, 6개 등의 몇개의 반사기를 포함하며, 이는 마스크(MA)내의 마스크패턴의 감소된 이미지를 기판(W)상으로 투영시키도록 투영빔(PB)을 지향시키고 포커싱한다. 투영시스템내의 반사기의 배열은 도 2에 도시된 바와 같이 본 발명에 사용될 수 있다. 이것의 또 다른 상세항목 및 여타의 가능한 시스템은 본 명세서에서도 참고자료로 채택하고 있는 EP 1 209 503호에 개시되어 있다. 반사기의 위치 및 방위, 특히 그 내부의 어떠한 변경은 투영된 이미지의 위치에 영향을 미치며 여러 방법으로 이미지를 일그러지게 할 수도 있다. 예를 들어, 1이상의 반사기 위치의 시프트는 투영된 이미지의 배율에 영향을 미칠 수 있다. 제조될 디바이스에 반드시 에러를 발생시키는 투영된 이미지의 일그러짐 및 변위를 최소화시키기 위하여, 반사기가 액티브마운트(active mount)에 유지되고, 이에 따라 기준프레임(RF)에 대한 그 위치가 가능한 한 안정되게 유지된다. 마스크(MA) 및 기판(W)의 위치도 또한 기준프레임(RF)에 대하여 제어된다.
그러나, 이러한 액티브제어에도 불구하고, 반사기의 위치에서의 불필요한 에러 및 교란이 발생할 수 있으며, 이들을 검출하고, 바람직하게는 투영된 이미지의 어떠한 결과적인 시프트 및/또는 투영된 이미지내의 일그러짐을 보정하거나 보상할 수 있는 것이 바람직하다. 따라서, 반사기 정렬시스템(10, 20)이 제공된다. 이들 시스템은 투영시스템(PL)을 통하여 전파되고 투영시스템의 반사기에 의하여 반사하는 정렬빔(AB1, AB2)을 사용하여 투영시스템(PL)의 마스크측에 제공된 마커(11, 21) 및 기판측의 마커(14, 24)의 겉보기 상대위치들을 측정한다. 마커(11, 14, 21, 24)는 서로에 대하여 바람직하게는 기준프레임(RF)에 대하여 고정된다. 투영렌즈내에서의 반사기의 위치 또는 방위의 변화는 마커의 겉보기 상대위치에서의 변화로 자체를 나타나고 정렬시스템(10, 20)에 의하여 검출된다.
본 실시예에서, 마커(11, 14, 21, 24) 및 마커들 끼리의 정렬빔을 투영시스템(PL)으로 지향시키는 접철거울(12, 13)은 마스크측의 마커가 투영렌즈의 대물평면과 광학적으로 부합하는 평면내에 있고, 기판측 마커가 이미지평면과 광학적으로 부합하는 평면내에 있도록 위치된다. 이러한 배열을 구비하면, 마커의 겉보기 위치에서의 시프트가 기판상에 투영된 이미지에서의 시프트와 직접적으로 대응하므로, 위치에러신호가 마스크 및/또는 기판위치에 대한 보정값으로서 직접 제공될 수 있다. 여타의 배열에서는, 어쩌면 비선형 변환(non-linear, transformation)이 위치에러신호에 제공되어야 할 수도 있다.
도 3에서 알 수 있듯이, 정렬시스템(10, 20)의 광학기기는 개구수(NAPB)보다 적은 개구수(NAAB)를 가져야 한다. 예를 들어, NAAB가 대략 0.05일 수 있는 한편, NAPB는 대략 0.25일 수 있다. 이것은 접철거울이 투영빔(PB)의 일부를 차단하지 않 으면서, 정렬빔(AB1, AB2)을 마커로 지향시키도록 위치될 수 있음을 의미한다. 거울 이동 및/또는 회전이 투영된 이미지의 시프트를 현저하게 포함하고 있는 투영시스템에서는, 하나의 반사기정렬시스템으로 충분하다. 그러나, 2개의 반사기정렬시스템이 추가적으로 회전 및 배율변화를 측정하는데 사용될 수 있는 한편, 또 다른 시스템이 예를 들어, 3차 일그러짐과 같은 높은 차수의 효과를 측정할 수 있다.
도 4는 또한 접철거울(13)이 마커(14)가 고정되는 끝단에서, 투명로드의 각진 끝단부로 형성될 수 있음을 나타내며, 이 경우에는 격자(141) 및 포토셀(142)을 포함한다. 물론, 포토검출기는 떨어져서 놓여질 수 있고 방사선은 광섬유에 의하여 이곳으로 안내된다. 또한, 반사기 정렬시스템의 제1격자를 조명하는 소스가 떨어져서 놓여질 수 있으며 조명방사선은 광섬유(들)에 의하여 적절한 속도로 안내된다. 이것은 일정 온도로 유지되어야만 하는 기준프레임상에 잠재적으로 열발생 구성요소를 장착할 필요를 없앤다. 또한, 소소 및 검출기의 위치는 서로 바뀔 수 있다.
정렬시스템(10, 20)은 다양하게 상이한 형태를 가질 수 있으며, 특히 마스크와 기판에 제공된 기준마크들간의 스루더렌즈(TTL)정렬을 하도록 사용되는 정렬시스템으로 적합하게 만들어질 수 있다. 이러한 하나의 정렬시스템에서, 기준마커는 격자로 형성되고, 하나의 격자의 이미지가 다른 격자상으로 투영된다. 포토셀은 제2격자 뒤에 위치되고, 이것에 의한 신호출력의 세기가 모니터링되는 한편, 마커가 서로에 대하여 스캐닝된다. 분명히, 고정된 마커를 사용하는 본 발명에서는, 상대적인 스캔을 수행하는 것이 불가능하다. 대신에, 마커 중의 하나는 2개의 경 사진 빔들 사이에 러닝 간섭패턴에 의하여 형성된다. 도 4는 이러한 간섭패턴을 생성하기 위한 배열을 나타낸다. 예를 들어, 가시광선 레이저와 같은 가간섭광원(21)은 빔을 방출하고, 이는 빔스플리터(22)에 의하여 2개의 서브빔으로 분할된다. 하나의 서브빔은 전자음향모듈레이터(24)를 통하여 접철거울(23)에 의하여 지향된다. 간섭패턴은 오버랩 영역내에 형성되고 이것은 하나의 기준마커(11)를 형성한다. 간섭패턴의 간격은 사용되는 방사선의 파장 및 2개의 서브빔간의 오버랩에 의하여 결정된다. 전자음향모듈레이터(24)는 간섭패턴을 제어가능한 유형으로 이동시키는 하나의 서브빔에서 지연되는 가변 위상을 유도한다. 이러한 배열에 관한 더 많은 정보는 본 명세서에서도 참조자료로 채택되고 있는 US 5,485,272호에 개시되어 있다.
러닝 간섭패턴을 형성하는 대안적인 예는 레이저 캐비티에 인가되는 자기장의 세기에 의하여 결정되는 거리에서 상이한 파장의 2가지 구성요소를 포함하는 빔을 방출하는 제만레이저를 사용하는 것이다. 2가지 구성요소는 반대 방향으로 원형으로 편광되므로, 편광 빔스플리터를 이용하여 분할될 수 있고 파판 및 편광기(polarizer)를 이용하거나 또는 하나의 구성요소가 다른 것보다 많은 홀수의 반사를 거치도록 보장함으로써 간섭을 일으킬 수 있다.
격자의 상대스캔을 필요로 하지 않는 또 다른 정렬시스템은 약간 상이한 피치의 투영격자를 사용한다. 이것은 도 6에 도시된 바와 같은 비트신호를 발생시키며, 이는 CCD어레이와 같은 검출기로 검출될 수 있다. 예를 들어, 상대변위에 의하여 발생되는 2개의 격자간의 위상변화는 비트신호의 유사한 위상변화를 일으킨 다. 비트내의 위상변화는 보다 큰 주기를 갖기 때문에 용이하게 검출된다.
또 다른 대안적인 정렬시스템은 낮은 노이즈레벨을 갖는 정적인 또는 영측정(zero-measurement)을 가능하게 하는 변조기술을 사용한다. 예를 들어, 검출기격자로 입사하는 광은, 광을 평범한(o) 구성요소 및 특별한(e) 구성요소로 나누는 2굴절(direfringent) 재료를 이용하여 2개의 동일한 구성요소로 분할된다. 이것은 검출격자상에 투영격자의 상대적으로 변위된 2개의 이미지를 만들어낸다. (예를 들어, 포토탄성원리에 따라 작용하는)광학변조기가 검출격자와 검출기 사이에 놓여져서 o구성요소 및 e구성요소를 교대로 통과시킨다. o신호와 e신호간의 차이는 투영과 검출격자 사이의 상대변위에 관한 것이다. 이러한 종류의 검출기는 본 명세서에서도 참조자료로 채택되는 US 4,251,160호에 더 상세히 기술되어 있다.
정렬빔의 파장이 투영빔의 파장과 동일하지 않다는 것에 유의하여야 한다. 투영시스템(PL)내의 반사기의 반사율은 투영빔의 파장에 대하여 최적화되지만, 반사기는 예를 들어, 가시광선 및 자외선과 같은 여타의 파장에서 여전히 합리적으로 높은 반사율을 가질 것이다. 충분히 강력한 소스 및 예민한 검출기를 사용하면, 투영시스템(PL)에서 매우 큰 손실이 있는 경우에도, 유용한 신호를 확보할 수 있다.
스캐닝 마커가 필요하지 않고 정렬시스템이 손실에 대처할 수 있으면, 정렬빔이 투영시스템을 통하여 2개의 통로를 만들 수 있도록 마커중의 하나가 캐츠아이 또는 코너큐브와 같은 역반사기(retro-reflector)로 대체될 수 있어서, 측정의 정확성을 배가시킬 수 있다.
본 발명의 특정 실시예가 상술되었지만, 본 발명은 상술된 것과 다르게 실시될 수 있음을 이해할 것이다. 상기 설명은 본 발명을 제한하지 않는다. 예를 들어, 본 발명은 전체적으로 반사형 투영시스템 대신에 카타디옵트릭 투영시스템을 갖는 장치에 사용될 수도 있다.
본 발명에 따르면, 투영시스템내의 반사기의 위치에러 및 교란을 바람직하게는 실시간으로 검출하는 리소그래피 투영장치를 제공할 수 있다.

Claims (8)

  1. 리소그래피 투영장치에 있어서,
    - 방사선투영빔을 공급하는 방사선시스템;
    - 소정의 패턴에 따라 투영빔을 패터닝시키는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지구조체;
    - 기판을 잡아주는 기판테이블; 및
    - 기판의 타겟부상으로 패터닝된 빔을 투영시키는 투영시스템을 포함하여 이루어지고,
    상기 투영시스템의 패터닝수단측의 고정된 위치에 제공된 제1기준마크 및 상기 투영시스템의 기판측의 고정된 위치에 제공된 제2기준마크의 겉보기 상대위치를 측정하도록 상기 투영시스템을 통하여 방사선의 정렬빔을 지향시키는 반사기정렬시스템을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 정렬시스템의 개구수는 투영시스템의 개구수보다 작은 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 기준마크는 격자를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 기준마크 중의 하나는, 소정의 각도로 교차하는 2개의 빔들간의 간섭에 의하여 형성되는 러닝 줄무늬 패턴(running fringe pattern)을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 기준마크는 대물과 부합하는 평면 및 상기 투영시스템의 이미지평면에 제공되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 반사기정렬시스템에 응답하고, 상기 반사기정렬시스템에 의하여 검출된 에러를 보상하거나 경감시키도록 패터닝수단 및/또는 기판의 위치를 제어하는 제어수단을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 투영시스템의 상기 패터닝수단측상의 고정위치에 제공된 제3기준마크 및 상기 투영시스템의 상기 기판측의 고정위치에 제공된 제4기준마크의 겉보기 상대위치를 측정하도록 상기 투영시스템을 통하여 방사선의 제2정렬빔을 지향시키는 제2반사기정렬시스템을 더욱 포함하며, 상기 제2정렬빔은 상기 정렬빔과 상이한 광학경로를 따라 상기 투영시스템을 통하여 전파하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  8. 디바이스 제조방법에 있어서,
    - 적어도 부분적으로는 방사선감응재의 층으로 덮인 기판을 제공하는 단계;
    - 방사선시스템을 사용하여 방사선의 투영빔을 제공하는 단계;
    - 패터닝 수단을 사용하여 투영빔의 단면에 패턴을 부여하는 단계; 및
    - 복수의 반사기를 포함하는 투영시스템을 이용하여 방사선감응재층의 타겟부상에 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계를 포함하여 이루어지고,
    상기 투영시스템의 패터닝수단측과 기판측에 각각 제공되는 제1기준마크 및 제2기준마크의 겉보기 상대위치를 측정하도록 상기 투영시스템을 통해 정렬빔을 지향시켜 상기 투영시스템내의 상기 반사기의 위치에러 및 교란을 검출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 디바이스 제조방법.
KR1020030047722A 2002-07-16 2003-07-14 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법 KR100575290B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP02255002.4 2002-07-16
EP02255002A EP1383007A1 (en) 2002-07-16 2002-07-16 Lithographic apparatus, and device manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040010159A KR20040010159A (ko) 2004-01-31
KR100575290B1 true KR100575290B1 (ko) 2006-04-28

Family

ID=29762709

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030047722A KR100575290B1 (ko) 2002-07-16 2003-07-14 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법

Country Status (7)

Country Link
US (2) US6963391B2 (ko)
EP (1) EP1383007A1 (ko)
JP (1) JP4099122B2 (ko)
KR (1) KR100575290B1 (ko)
CN (1) CN1488998B (ko)
SG (1) SG111137A1 (ko)
TW (1) TWI279643B (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1383007A1 (en) * 2002-07-16 2004-01-21 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, and device manufacturing method
US20060176460A1 (en) * 2005-02-10 2006-08-10 Nikon Corporation Lithographic optical systems including exchangeable optical-element sets
US8189172B2 (en) * 2007-06-14 2012-05-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US8692974B2 (en) * 2007-06-14 2014-04-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using pupil filling by telecentricity control
JP5055649B2 (ja) * 2007-06-29 2012-10-24 株式会社ニコン 投影光学装置、露光装置、デバイス製造方法、像面情報検出装置、および投影光学系の調整方法
DE102008004762A1 (de) * 2008-01-16 2009-07-30 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einer Messeinrichtung
DE102008029970A1 (de) * 2008-06-26 2009-12-31 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie sowie Verfahren zum Überwachen einer lateralen Abbildungsstabilität
JP2010243413A (ja) * 2009-04-08 2010-10-28 Canon Inc 測定装置、露光装置及びデバイスの製造方法
CN103367194B (zh) * 2012-03-26 2016-08-24 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种用于晶圆传送位置校正的装置及方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4613230A (en) * 1981-05-06 1986-09-23 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Wafer exposure apparatus
JP2797250B2 (ja) * 1987-05-14 1998-09-17 株式会社ニコン 投影露光装置
US5523193A (en) * 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
JP2938568B2 (ja) * 1990-05-02 1999-08-23 フラウンホファー・ゲゼルシャフト・ツール・フォルデルング・デル・アンゲバンテン・フォルシュング・アインゲトラーゲネル・フェライン 照明装置
JP3033135B2 (ja) 1990-06-13 2000-04-17 株式会社ニコン 投影露光装置及び方法
JPH0495908A (ja) 1990-08-08 1992-03-27 Toshiba Corp 投影光学装置
JP3221057B2 (ja) * 1991-05-31 2001-10-22 株式会社ニコン アライメント装置
US5229872A (en) * 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
JP3259373B2 (ja) 1992-11-27 2002-02-25 株式会社日立製作所 露光方法及び露光装置
JPH0766111A (ja) 1993-08-31 1995-03-10 Canon Inc 露光装置および露光方法
BE1007876A4 (nl) * 1993-12-17 1995-11-07 Philips Electronics Nv Stralingsbron-eenheid voor het opwekken van een bundel met twee polarisatierichtingen en twee frequenties.
US6018384A (en) 1994-09-07 2000-01-25 Nikon Corporation Projection exposure system
JP3632264B2 (ja) 1995-11-30 2005-03-23 株式会社ニコン Ｘ線投影露光装置
EP0824722B1 (en) * 1996-03-06 2001-07-25 Asm Lithography B.V. Differential interferometer system and lithographic step-and-scan apparatus provided with such a system
US20010026357A1 (en) * 1996-04-26 2001-10-04 Nikon Corporation Position transducer and exposure apparatus with same
KR20030096435A (ko) * 1996-11-28 2003-12-31 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법
KR100512450B1 (ko) * 1996-12-24 2006-01-27 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 두개의물체홀더를가진이차원적으로안정화된위치설정장치와이런위치설정장치를구비한리소그래픽장치
DE69711929T2 (de) 1997-01-29 2002-09-05 Micronic Laser Systems Ab, Taeby Verfahren und gerät zur erzeugung eines musters auf einem mit fotoresist beschichteten substrat mittels fokusiertem laserstrahl
SE509062C2 (sv) 1997-02-28 1998-11-30 Micronic Laser Systems Ab Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster
JP3626504B2 (ja) * 1997-03-10 2005-03-09 アーエスエム リソグラフィ ベスローテン フェンノートシャップ ２個の物品ホルダを有する位置決め装置
JP4208277B2 (ja) * 1997-11-26 2009-01-14 キヤノン株式会社 露光方法及び露光装置
JPH11233416A (ja) 1998-02-17 1999-08-27 Nikon Corp Ｘ線投影露光装置
JPH11251226A (ja) * 1998-03-05 1999-09-17 Nikon Corp Ｘ線投影露光装置
US6142641A (en) * 1998-06-18 2000-11-07 Ultratech Stepper, Inc. Four-mirror extreme ultraviolet (EUV) lithography projection system
JP2000286189A (ja) 1999-03-31 2000-10-13 Nikon Corp 露光装置および露光方法ならびにデバイス製造方法
EP1383007A1 (en) * 2002-07-16 2004-01-21 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, and device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
TW200411325A (en) 2004-07-01
JP4099122B2 (ja) 2008-06-11
US6963391B2 (en) 2005-11-08
KR20040010159A (ko) 2004-01-31
US20040189966A1 (en) 2004-09-30
US20050280795A1 (en) 2005-12-22
CN1488998A (zh) 2004-04-14
EP1383007A1 (en) 2004-01-21
TWI279643B (en) 2007-04-21
CN1488998B (zh) 2010-12-08
US7505116B2 (en) 2009-03-17
SG111137A1 (en) 2005-05-30
JP2004134756A (ja) 2004-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100665749B1 (ko) 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법, 및 측정시스템
KR100583693B1 (ko) 실질적으로 투과성인 공정층내에 정렬마크가 제공된 기판,상기 마크를 노광하는 마스크, 디바이스 제조방법 및 그디바이스
JP3880312B2 (ja) リソグラフィ装置において使用するための位置検出システム
KR100535206B1 (ko) 리소그래피장치 및 디바이스제조방법
JP6246330B2 (ja) アライメントセンサ、リソグラフィ装置およびアライメント方法
KR100874737B1 (ko) 그레이 필터를 갖는 파면 센서 및 이 파면 센서를 포함한 리소그래피 장치
KR100589235B1 (ko) 리소그래피장치, 디바이스제조방법, 그 디바이스,반사기제조방법, 그 반사기 및 위상반전마스크
US7889315B2 (en) Lithographic apparatus, lens interferometer and device manufacturing method
KR20100134113A (ko) 정렬 타겟들을 위한 회절 요소들
KR100575290B1 (ko) 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법
KR100562194B1 (ko) 표유방사선을 결정하는 방법 및 리소그래피 투영장치
KR100649173B1 (ko) 리소그래피장치, 디바이스 제조방법 및 컴퓨터 프로그램을 기록한 기록매체
JP6534750B2 (ja) 位置測定システム及びリソグラフィ装置
JP5559270B2 (ja) リソグラフィ装置用のレベルセンサアレンジメント、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP6817468B2 (ja) センサ、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法
JP5784576B2 (ja) リソグラフィ装置および方法
JP5033175B2 (ja) リソグラフィ装置及びパターニングデバイス
JP5699115B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP5275386B2 (ja) 位置を測定するためのリソグラフィ装置および方法
US20200241433A1 (en) Alignment Measurement System
EP1385058A1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2019516133A (ja) 位置測定システム、較正方法、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee