KR100560947B1 - Generating circuit for input signal of a pipe register - Google Patents
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Abstract
본 발명은 파이프 레지스터 입력 신호 발생 회로에 관한 것으로, 뱅크 정보를 가지는 제 1 및 제 2 제어 신호를 입력하기 위한 제 1 논리 수단과, 상기 제 1 논리 수단의 출력 신호를 지연시키기 위한 제 1 지연부와, 상기 제 1 논리 수단의 출력 신호 및 상기 제 1 지연부의 출력 신호를 입력하기 위한 제 2 논리 수단과, 상기 제 2 논리 수단의 출력 신호에 의해 셋되어 파이프 레지스터 입력 신호를 출력하기 위한 래치와, 상기 래치의 출력 신호를 지연시키기 위한 제 2 지연부와, 상기 제 2 지연부의 출력 신호를 지연시키기 위한 제 3 지연부와, 상기 제 2 지연부의 출력 신호 및 상기 제 3 지연부의 출력 신호를 입력하여 상기 래치를 리셋시키기 위한 리셋 신호를 출력하기 위한 제 3 논리 수단을 포함하여 글로벌 로딩에 의한 메모리의 오동작을 방지할 수 있는 파이프 레지스터 입력 신호 발생 회로가 제시된다.The present invention relates to a pipe register input signal generating circuit, comprising: first logic means for inputting first and second control signals having bank information, and a first delay portion for delaying an output signal of the first logic means. A second logic means for inputting an output signal of the first logic means and an output signal of the first delay portion, a latch for outputting a pipe register input signal set by an output signal of the second logic means; A second delay unit for delaying the output signal of the latch, a third delay unit for delaying the output signal of the second delay unit, an output signal of the second delay unit and an output signal of the third delay unit; And third logic means for outputting a reset signal for resetting the latch, thereby preventing malfunction of the memory due to global loading. A pipe register input signal generation circuit is presented.
DDR, 파이프 레지스터, 글로벌 로딩, 지연부, S/R 래치, 셀프 펄스DDR, pipe resistors, global loading, delay, S / R latch, self pulse
Description
도 1은 종래의 파이프 레지스터 입력 신호 발생 회로도.1 is a conventional pipe register input signal generation circuit diagram.
도 2는 종래의 파이프 레지스터 입력 신호 발생 회로의 정상 동작시의 파형도.Fig. 2 is a waveform diagram in normal operation of a conventional pipe register input signal generation circuit.
도 3은 종래의 파이프 레지스터 입력 신호 발생 회로의 불량 동작시의 파형도.Fig. 3 is a waveform diagram of a conventional pipe resistor input signal generation circuit in bad operation.
도 4는 본 발명에 따른 파이프 레지스터 입력 신호 발생 회로도.4 is a circuit register input signal generation circuit diagram according to the present invention;
도 5는 본 발명에 따른 파이프 레지스터 입력 신호 발생 회로의 동작 파형도.5 is an operational waveform diagram of a pipe register input signal generation circuit according to the present invention;
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
21, 24, 25, 26 및 31 : NAND 게이트 22, 28 및 29 : 지연부21, 24, 25, 26 and 31:
23, 30, 32 및 33 : 인버터 27 : S/R 래치23, 30, 32, and 33: Inverter 27: S / R latch
34 : 파이프 레지스터34: pipe register
본 발명은 파이프 레지스터 입력 신호 발생 회로에 관한 것으로, 특히 글로벌 로딩에 의한 메모리 소자의 오동작을 방지할 수 있는 파이프 레지스터 입력 신호 발생 회로에 관한 것이다.The present invention relates to a pipe register input signal generating circuit, and more particularly, to a pipe register input signal generating circuit capable of preventing a malfunction of a memory device due to global loading.
DDR 메모리 소자의 출력 조절부인 파이프 레지스터의 읽기(read) 동작을 위해서는 뱅크 정보를 갖는 메인 증폭기 제어 신호를 이용하여 입력 신호를 발생시키고, 이를 이용하여 파이프 레지스터가 구동되어 소정의 신호를 출력하게 된다. 즉, 파이프 레지스터의 입력 신호 발생 회로는 뱅크 정보를 갖는 제어 신호를 메인 증폭기와 동시에 입력하여 신호를 발생시킨다. 그런데, 반도체 소자의 고집적화 및 칩 사이즈의 증가(기가 비트 메모리)에 의해 제어 신호의 글로벌 로딩(global loading)이 증가하여 비정상적으로 되면 메모리 칩에 불량을 발생시킬 수 있다.In order to read a pipe register as an output control unit of the DDR memory device, an input signal is generated using a main amplifier control signal having bank information, and the pipe register is driven to output a predetermined signal. That is, the input signal generation circuit of the pipe resistor inputs a control signal having bank information simultaneously with the main amplifier to generate a signal. However, due to the high integration of the semiconductor devices and the increase in chip size (gigabit memory), the global loading of the control signal increases and becomes abnormal, which may cause a defect in the memory chip.
도 1은 종래의 파이프 레지스터 입력 신호 발생 회로도로서, 그 구성을 설명하면 다음과 같다.1 is a circuit diagram of a conventional pipe register input signal generator, the configuration of which is as follows.
제 1 NAND 게이트(11)는 뱅크 정보를 갖으며, 메인 증폭기를 제어하는 동시에 파이프 레지스터 입력 신호를 발생시키기 위한 제어 신호(YMAEB_01 및 YMAEB_23)를 입력하여 논리 조합한다. 제 1 인버터(12)는 제 1 NAND 게이트(11)의 출력 신호를 반전시키고, 제 1 인버터(12)의 출력 신호(a)는 제 2 NAND 게이트(14)의 한 입력 단자로 입력된다. 그리고, 제 1 인버터(12)의 출력 신호는 지연부(13)를 통해 소정 시간 지연되어 제 2 NAND 게이트(14)의 다른 한 입력 단자로 입력된다. 제 2 NAND 게이트(14)의 출력 신호는 제 2 및 제 3 인버터(15 및 16)를 통해 파이프 레지스터(17) 입력 신호(PINSUMBT)가 되고, 파이프 레지스터(17)는 소정의 신호(PINB<0:2>)를 출력한다.The
상기와 같이 구성되는 종래의 파이프 레지스터 입력 신호 발생 회로의 정상적인 구동 방법을 도 2를 이용하여 설명하면 다음과 같다.The normal driving method of the conventional pipe register input signal generation circuit configured as described above will be described with reference to FIG.
읽기 동작시 발생하여 뱅크 정보를 갖으며, 메인 증폭기를 제어하는 동시에 파이프 레지스터 입력 신호를 발생시키기 위한 제어 신호(YMAEB_01 및 YMAEB_23)는 제 1 NAND 게이트(11)에 입력되어 논리 조합된다. 제 1 NAND 게이트(11)의 출력 신호는 제 1 인버터(12)에 의해 반전되어 제 2 NAND 게이트(14)의 한 입력 단자로 입력된다. 그리고, 제 1 인버터(12)를 통해 반전된 제 1 NAND 게이트(11)의 출력 신호는 지연부(13)를 통해 지연되어 제 2 NAND 게이트(14)의 다른 한 입력 단자로 입력된다. 이때, 제 1 인버터(12)의 출력 신호(a)와 지연부(13)의 출력 신호(b)는 지연부(13)의 지연 시간만큼 차이가 나는 위상을 갖는다. 제 1 인버터(12)의 출력 신호(a)와 지연부(13)의 출력 신호(b)를 입력하여 논리 조합하는 제 2 NAND 게이트(14)의 출력 신호는 제 2 및 제 3 인버터(15 및 16)를 통해 파이프 레지스터의 입력 신호(PINSUMBT)가 된다. 파이프 레지스터(17)는 입력 신호(PINSUMBT)에 따 라 소정의 출력 신호(PINB<0:2>)를 출력한다.The control signals YMAEB_01 and YMAEB_23 which are generated during a read operation and have bank information and control the main amplifier and simultaneously generate a pipe register input signal are input to the
그러나, 메모리 소자가 고집적화되고, 메모리 칩의 사이즈가 증가하면서 파이프 레지스터로부터 멀리 떨어진 뱅크에 의해 제어를 받는 제어 신호(YMAEB)는 글로벌 로딩(global loading)의 증가에 의해 그 펄스 폭이 감소될 수 있다. 이 감소된 펄스 폭의 제어 신호(YMAEB)가 파이프 레지스터 입력 신호 발생 회로를 통과하면 짧은 펄스로 인해 파이프 레지스터 입력 신호(PINSUMBT)가 비정상적으로 될 수 있다. 이로 인해 파이프 레지스터가 오동작하여 메모리 소자의 읽기 동작에 불량을 유발한다. 이러한 짧은 펄스 입력에 의한 불량 동작시의 파형도를 도 3에 도시하였다. 도시된 바와 같이 제어 신호(YMAEB)가 짧아짐에 따라, 특히 제어 신호(YMAEB)의 펄스 폭이 지연부(13)의 지연되는 시간보다 짧아지게 되면 파이프 레지스터 입력 신호(PINSUMBT)가 비정상적으로 출력되고, 이에 따라 파이프 레지스터가 오동작하게 된다.However, as the memory device is highly integrated and the size of the memory chip is increased, the control signal YMAEB controlled by the bank away from the pipe register may decrease its pulse width by increasing global loading. . When this reduced pulse width control signal YMAEB passes through the pipe register input signal generating circuit, a short pulse may cause the pipe register input signal PINSUMBT to become abnormal. This causes the pipe register to malfunction and cause a failure in the read operation of the memory device. The waveform diagram at the time of the poor operation by such a short pulse input is shown in FIG. As shown in the drawing, as the control signal YMAEB is shortened, especially when the pulse width of the control signal YMAEB becomes shorter than the delay time of the
상기한 바와 같이 종래의 파이프 레지스터 입력 신호 발생 회로는 제어 신호(YMAEB)를 메인 증폭기 및 파이프 레지스터의 제어 신호로 동시에 사용함으로써 메모리 소자의 AC 스펙인 tCK의 제약으로 인해 제어 신호(YMAEB)의 펄스 폭을 크게하여 사용할 수 없고, 또한 제어 신호(YMAEB)를 파이프 레지스터의 입력 신호로 직접 사용하기 때문에 파이프 레지스터의 오동작을 유발할 수 있다.As described above, the conventional pipe resistor input signal generation circuit simultaneously uses the control signal YMAEB as the control signal of the main amplifier and the pipe resistor, thereby limiting the pulse width of the control signal YMAEB due to the limitation of tCK, an AC specification of the memory device. Since the control signal YMAEB is directly used as the input signal of the pipe register, the pipe register may be malfunctioned.
본 발명의 목적은 글로벌 로딩 증가에 의한 파이프 레지스터의 오동작을 원천적으로 방지할 수 있는 파이프 레지스터 입력 신호 발생 회로를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a pipe register input signal generating circuit which can prevent the malfunction of a pipe register due to an increase in global loading.
본 발명의 다른 목적은 제어 신호를 메인 증폭기와 다른 드라이버를 사용함으로써 제어 신호의 펄스 폭을 늘려서 사용할 수 있고, 제어 신호의 폴링 에지를 사용하여 셀프 펄스로 최종 파이프 레지스터 입력 신호를 발생함으로써 글로벌 로딩 증가에 의한 파이프 레지스터의 오동작을 원천적으로 방지할 수 있는 파이프 레지스터 입력 신호 발생 회로를 제공하는데 있다.
Another object of the present invention is to use the control signal by increasing the pulse width of the control signal by using a driver different from the main amplifier, and increasing the global loading by generating the final pipe resistor input signal with self-pulsing using the falling edge of the control signal. To provide a pipe register input signal generating circuit that can prevent the malfunction of the pipe register by the source.
본 발명에 따른 파이프 레지스터 입력 신호 발생 회로는 뱅크 정보를 가지는 제 1 및 제 2 제어 신호를 입력하여 펄스 폭이 가변되는 셋 신호를 발생시키기 위한 제 1 신호 발생부와, 상기 셋 신호에 따라 파이프 레지스터 입력 신호를 발생시키기 위한 제 2 신호 발생부와, 상기 파이프 레지스터 입력 신호의 펄스 폭을 조절하기 위한 조절부와, 상기 조절부의 출력 신호를 입력하여 펄스 폭이 가변되는 리셋 신호를 발생시켜 상기 제 2 신호 발생부를 리셋시키기 위한 제 3 신호 발생부를 포함한다.The pipe register input signal generation circuit according to the present invention includes a first signal generator for inputting first and second control signals having bank information to generate a set signal having a variable pulse width, and a pipe register according to the set signal. A second signal generating unit for generating an input signal, an adjusting unit for adjusting a pulse width of the pipe register input signal, and an output signal of the adjusting unit to generate a reset signal having a variable pulse width to generate the second signal; And a third signal generator for resetting the signal generator.
상기 제 1 신호 발생부는 상기 제 1 및 제 2 제어 신호를 입력하기 위한 제 1 NAND 게이트와, 상기 제 1 NAND 게이트의 출력 신호를 지연시키기 위한 제 1 지 연부와, 상기 제 1 NAND 게이트의 출력 신호 및 상기 제 1 지연부의 출력 신호를 입력하기 위한 제 2 NAND 게이트를 포함한다.The first signal generator includes a first NAND gate for inputting the first and second control signals, a first delay unit for delaying an output signal of the first NAND gate, and an output signal of the first NAND gate. And a second NAND gate for inputting an output signal of the first delay unit.
상기 제 2 신호 발생부는 상기 셋 신호에 따라 셋되어 파이프 레지스터 입력 신호를 출력하고, 상기 리셋 신호에 따라 리셋되는 래치를 포함한다.The second signal generator includes a latch set according to the set signal to output a pipe register input signal and reset according to the reset signal.
상기 조절부는 상기 파이프 레지스터 입력 신호를 지연시켜 펄스 폭을 조절하기 위한 지연 회로를 포함한다.The adjuster includes a delay circuit for adjusting a pulse width by delaying the pipe register input signal.
상기 제 3 신호 발생부는 상기 조절부의 출력 신호를 지연시키기 위한 지연부와, 상기 조절부의 출력 신호 및 상기 지연부의 출력 신호를 입력하여 리셋 신호를 발생시키기 위한 제 3 NAND 게이트를 포함한다.The third signal generator includes a delay unit for delaying an output signal of the controller and a third NAND gate for inputting an output signal of the controller and an output signal of the delay unit to generate a reset signal.
한편, 본 발명에 따른 파이프 레지스터 입력 신호 발생 회로는 뱅크 정보를 가지는 제 1 및 제 2 제어 신호를 입력하기 위한 제 1 논리 수단과, 상기 제 1 논리 수단의 출력 신호를 지연시키기 위한 제 1 지연부와, 상기 제 1 논리 수단의 출력 신호 및 상기 제 1 지연부의 출력 신호를 입력하기 위한 제 2 논리 수단과, 상기 제 2 논리 수단의 출력 신호에 의해 셋되어 파이프 레지스터 입력 신호를 출력하기 위한 래치와, 상기 래치의 출력 신호를 지연시키기 위한 제 2 지연부와, 상기 제 2 지연부의 출력 신호를 지연시키기 위한 제 3 지연부와, 상기 제 2 지연부의 출력 신호 및 상기 제 3 지연부의 출력 신호를 입력하여 상기 래치를 리셋시키기 위한 리셋 신호를 출력하기 위한 제 3 논리 수단을 포함한다.On the other hand, the pipe register input signal generation circuit according to the present invention includes first logic means for inputting first and second control signals having bank information, and a first delay portion for delaying an output signal of the first logic means. A second logic means for inputting an output signal of the first logic means and an output signal of the first delay portion, a latch for outputting a pipe register input signal set by an output signal of the second logic means; A second delay unit for delaying the output signal of the latch, a third delay unit for delaying the output signal of the second delay unit, an output signal of the second delay unit and an output signal of the third delay unit; Third logic means for outputting a reset signal for resetting the latch.
상기 제어 신호는 뱅크 정보를 갖으며, 메인 증폭기 제어 신호와 분리된 신호이다.The control signal has bank information and is a signal separated from the main amplifier control signal.
상기 제 1 내지 제 3 논리 수단은 각각 NAND 게이트이다.The first to third logic means are respectively NAND gates.
상기 제 1 및 제 3 지연부의 지연 시간은 상기 제 2 지연부의 지연 시간보다 짧다.Delay times of the first and third delay units are shorter than delay times of the second delay units.
상기 셋 신호는 상기 제 1 지연부의 지연 시간에 의해 펄스 폭이 결정되고, 상기 파이프 레지스터 입력 신호는 상기 제 2 지연부의 지연 시간에 의해 펄스 폭이 결정되며, 상기 리셋 신호는 상기 제 3 지연부의 지연 시간에 의해 펄스 폭이 결정된다.The set signal has a pulse width determined by a delay time of the first delay unit, the pipe register input signal has a pulse width determined by a delay time of the second delay unit, and the reset signal is a delay of the third delay unit. The pulse width is determined by time.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention;
도 4는 본 발명에 따른 파이프 레지스터 입력 신호 발생 회로의 구성도로서, 그 구성을 설명하면 다음과 같다.4 is a configuration diagram of a pipe register input signal generation circuit according to the present invention.
제 1 NAND 게이트(21)는 메인 증폭기의 제어 신호와 분리된 제어 신호(YMAEB_01p 및 YMAEB_23p)를 입력하여 논리 조합한다. 제 1 지연부(22)는 제 1 NAND 게이트(21)의 출력 신호(a)를 지연시키고, 제 1 인버터(23)는 제 1 지연부(22)의 출력 신호를 반전시킨다. 제 2 NAND 게이트(24)는 제 1 NAND 게이트(21)의 출력 신호(a)와 제 1 인버터(23)의 출력 신호(b)를 입력하여 논리 조합한다. 제 2 NAND 게이트(24)의 출력 신호(set)는 제 3 및 제 4 NAND 게이트(25 및 26)로 구성된 S/R 래치(27)를 셋시키는 셋 신호로서 사용된다. 한편, S/R 래치(27)를 구성하는 제 3 NAND 게이트(25)는 제 2 NAND 게이트(24)의 출력 신호(set)와 제 4 NAND 게이트(26)의 출력 신호를 입력하고, 제 4 NAND 게이트(26)는 제 3 NAND 게이트(25)의 출력 신호와 제 5 NAND 게이트(31)의 출력 신호(reset)를 입력한다. 제 2 지연부(28)는 S/R 래치(27)의 출력 신호(out)를 지연시킨다. 제 3 지연부(29)는 제 2 지연부(28)의 출력 신호를 지연시키고, 제 2 인버터(30)는 제 3 지연부(29)의 출력 신호를 반전시킨다. 제 5 NAND 게이트(31)는 제 2 지연부(28)의 출력 신호(c)와 제 2 인버터(30)의 출력 신호(d)를 입력하여 논리 조합한다. 제 5 NAND 게이트(31)의 출력 신호(reset)는 S/R 래치(27)을 리셋시키는 리셋 신호로 사용된다. S/R 래치(27)의 출력 신호(out)는 제 3 및 제 4 인버터(32 및 33)를 통해 파이프 레지스터의 입력 신호(PINSUMBT)가 되고, 파이프 레지스터(34)는 입력 신호(PINSUMBT)에 따라 출력 신호(PINB<0:2>)를 출력한다.The
한편, 제 1 및 제 3 지연부(22 및 29)의 지연 시간은 제 2 지연부(28)의 지연 시간보다 짧은 지연 시간을 갖는다. 또한, 제 2 지연부(28)의 지연 시간은 테스트 모드에서의 제어 신호에 의해 조절하거나 제 2 지연부(28)에 다수의 퓨즈를 연결하고 이들 퓨즈의 커팅에 의해 조절한다.On the other hand, the delay time of the first and
상기에서, 제어 신호(YMAEB_01p 및 YMAEB_23p)가 메인 증폭기 제어 신호와 분리되었다는 것은 예를들어 메인 증폭기 제어 신호가 소정의 펄스를 갖는다 하더라도 이와 같은 소정의 펄스를 갖지 않으면서도 뱅크 정보를 갖는다는 것을 의미한다. 즉, 종래에는 메인 증폭기 제어 신호와 동일한 신호를 파이프 레지스터 입력 신호 발생 회로의 제어 신호로 이용하였지만, 본 발명에서는 동일한 신호를 이용하지 않는다.In the above, the separation of the control signals YMAEB_01p and YMAEB_23p from the main amplifier control signal means that for example, even if the main amplifier control signal has a predetermined pulse, it has bank information without having such a predetermined pulse. . That is, conventionally, the same signal as the main amplifier control signal is used as the control signal of the pipe resistor input signal generation circuit, but the same signal is not used in the present invention.
상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 파이프 레지스터 입력 신호 발생 회로의 구동 방법을 도 5의 파형도를 이용하여 설명하면 다음과 같다.The driving method of the pipe register input signal generation circuit according to the present invention configured as described above will be described with reference to the waveform diagram of FIG. 5.
메인 증폭기의 제어 신호와 분리되어 제어되기 때문에 충분한 폭의 펄스를 가질 수 있는 제어 신호(YMAEB_01p 및 YMAEB_23p)가 제 1 NAND 게이트(21)에 입력되고, 제 1 NAND 게이트(21)는 이들을 논리 조합한다. 제 1 NAND 게이트(21)의 출력 신호는 제 1 지연부(22)를 통해 지연된 후 제 1 인버터(23)를 통해 반전된다. 제 1 NAND 게이트(21)의 출력 신호(a)와 제 1 인버터(23)의 출력 신호(b)는 제 2 NAND 게이트(24)에 입력되고, 제 2 NAND 게이트(24)는 이들을 논리 조합하여 셋 신호(set)를 출력한다. 여기서, 제 1 인버터(23)의 출력 신호(b)는 제 1 NAND 게이트(21)의 출력 신호(a)에 비해 제 1 지연부(22)에 의한 지연 시간만큼 지연되고 위상이 반대인 신호이다. 따라서, 제 1 NAND 게이트(21)의 출력 신호(a)가 하이 레벨이고, 제 1 인버터(23)의 출력 신호(b)가 하이 레벨일 때 제 2 NAND 게이트(24)는 로우 상태의 셋 신호(set)를 출력한다. 즉, 셋 신호(set)는 제 1 NAND 게이트(21)의 출력 신호(a)가 하이 레벨로 천이된 후 제 1 지연부(22)의 지연 시간동안 지연되고 위상이 반대인 제 1 인버터(23)의 출력 신호(b)가 하이 레벨인 동안 로우 레벨을 유지하고, 제 1 인버터(23)의 출력 신호가 로우 레벨로 천이되는 폴링 에지에서 셋 신호(set)는 로우 레벨을 유지하게 된다. 로우 레벨의 셋 신호(set)에 의해 S/R 래치(27)이 셋되어 하이 레벨의 출력 신호(out)가 출력된다. 하이 레벨의 S/R 래치(27)의 출력 신호(out)는 제 3 및 제 4 인버터(32 및 33)를 통해 파이프 레지스터 입력 신호(PINSUMBT)가 되어 파이프 레지스터(34)에 입력되고, 파이프 레지스터(34)는 소정의 출력 신호(PINB<0:2>)를 출력한다.The control signals YMAEB_01p and YMAEB_23p, which may have pulses of sufficient width because they are controlled separately from the control signals of the main amplifier, are input to the
S/R 래치(27)의 출력 신호(out)는 제 2 지연부(28)에 의해 지연된 후 제 5 NAND 게이트(31)의 한 입력 단자에 입력된다. 또한, 제 2 지연부(28)의 출력 신호는 제 3 지연부(29)에 의해 지연된 후 제 2 인버터(30)에 의해 반전되어 제 4 NAND 게이트(31)의 다른 한 입력 단자로 입력된다. 여기서, 제 2 인버터(30)의 출력 신호(d)는 제 2 지연부(28)의 출력 신호(c)에 비해 제 3 지연부(29)에 의한 지연 시간만큼 지연되고 위상이 반대인 신호이다. 따라서, 제 2 지연부(28)의 출력 신호(c)가 하이 레벨이고, 제 2 인버터(30)의 출력 신호(d)가 하이 레벨일 때 제 5 NAND 게이트(31)는 로우 상태의 리셋 신호(reset)를 출력한다. 즉, 리셋 신호(reset)는 제 2 지연부(28)의 출력 신호(c)가 하이 레벨로 천이된 후 제 3 지연부(29)의 지연 시간동안 지연되고 위상이 반대인 제 2 인버터(30)의 출력 신호(d)가 하이 레벨인 동안 로우 레벨을 유지하고, 제 2 인버터(30)의 출력 신호(d)가 로우 레벨로 천이되는 폴링 에지에서 리셋 신호(reset)는 로우 레벨을 유지하게 된다. 로우 레벨의 리셋 신호(reset)에 의해 S/R 래치(27)가 리셋되어 로우 레벨의 출력 신호(out)가 출력된다. 로우 레벨의 리셋 신호(reset)에 의해 S/R 래치(27)가 리셋되어 로우 레벨의 출력 신호(out)를 출력한다. 로우 레벨의 S/R 래치(27)의 출력 신호(out)는 제 3 및 제 4 인버터(32 및 33)를 통해 파이프 레지스터 입력 신호(PINSUMBT)가 되어 파이프 레지스터(34)에 입력되고, 파이프 레지스터(34)는 소정의 출력 신호(PINB<0:2>)를 출력한다.The output signal out of the S /
이러한 S/R 래치(27)의 출력 신호(out)는 셋 신호(set)가 로우 레벨로 입력된 후 리셋 신호(reset)가 로우 레벨로 입력되는 동안에 하이 레벨을 유지한다. 즉, 셋 신호(set)가 로우 레벨로 입력될 때 하이 레벨로 천이하고, 다음 리셋 신호(reset)가 로우 레벨로 입력될 때 로우 레벨로 천이한다. 한편, S/R 래치(27)의 출력 신호(out)는 제 2 지연부(28)의 지연 시간에 영향을 받고, 셋 신호(set)는 제 1 지연부(22)의 지연 시간에 영향을 받으며, 리셋 신호(reset)는 제 3 지연부(29)의 지연 시간에 영향을 받는다.The output signal out of the S /
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 파이프 레지스터 입력 신호 발생 회로의 제어 신호를 메인 증폭기 제어 신호와 분리함으로써 제어 신호의 펄스 폭을 충분히 넓게 제어하여 사용할 수 있고, S/R 래치를 이용한 셀프 펄스를 생성하여 사용함으로써 글로벌 로딩 증가로 인한 제어 신호가 짧아지는 현상을 방지할 수 있어 파이프 레지스터의 오동작을 방지할 수 있다. 또한, 파이프 레지스터 입력 신호 발생 회로의 지연 시간을 제어함으로써 tCK를 최적화할 수 있다. 따라서, 향후 고집적 및 기가 비트 메모리 소자 설계에서 수율 손실을 최소화할 수 있다.As described above, according to the present invention, by separating the control signal of the pipe register input signal generating circuit from the main amplifier control signal, the pulse width of the control signal can be controlled to be wide enough, and the self pulse using the S / R latch is generated This prevents shortening of the control signal due to increased global loading, thereby preventing the pipe resistors from malfunctioning. In addition, tCK can be optimized by controlling the delay time of the pipe register input signal generation circuit. Thus, yield loss can be minimized in future high density and gigabit memory device designs.
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