KR100544908B1 - 세라믹 전자부품 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유전율이 낮고, 고강도인 세라믹 소결체를 구비하고, 넓은 주파수범위에서 높은 임피던스 특성을 얻을 수 있는 세라믹 전자부품 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따르면, 세라믹 원료와, 바인더와, 구형상 또는 파우더 형상으로 상기 바인더에 대한 접착성을 갖는 빈구멍(空孔) 형성재,를 배합한 배합 세라믹 원료를 이용하여, 내부에 전극이 배치된 구조를 갖는 성형체를 형성하고, 이 성형체를 소성함으로써 35∼80vol%의 빈구멍을 포함하는 세라믹 소결체를 형성한 후, 세라믹 소결체의 빈구멍에 수지 또는 유리를 충전시킨다.
세라믹 전자부품, 세라믹 소결체, 자성체 세라믹, 소실재
Description
도 1은 본 발명의 한 실시형태에 따른 칩코일 부품을 나타내는 단면도.
도 2는 본 발명의 한 실시형태(실시형태 1)에 따른 칩코일 부품(실시예 1)의 임피던스 특성을 나타내는 도면.
도 3은 본 발명의 다른 실시형태(실시형태 2)에 따른 칩코일 부품(실시예 2)의 임피던스 특성을 나타내는 도면.
도 4는 본 발명의 다른 실시형태(실시형태 4)에 따른 세라믹 전자부품(T형 LC필터)의 구성을 나타내는 분해사시도.
도 5는 본 발명의 다른 실시형태(실시형태 4)에 따른 세라믹 전자부품(T형 LC필터)의 구성을 모식적으로 나타내는 단면도.
도 6은 본 발명의 세라믹 전자부품에 있어서의 세라믹 소결체의 일부를 모식적으로 나타내는 단면도.
<도면 내 주요 부호의 설명>
1: 세라믹 소결체 2: 코일
3a, 3b: 외부전극 11: 세라믹 전자부품(T형 LC필터)
12, 13: 인덕터부(코일부) 14: 커패시터부
22: 자성체층 23: 유전체층
26, 27: 코일 30: 접지전극
31: 관통전극 33: 커패시터
35a, 35b, 35c, 35d, 35e, 35f: 코일 도체
36a, 36b, 36c, 36d, 36e, 36f: 중계용 비어홀
37a, 37b, 37c: 인출용 비어홀 38a, 38b: 인출용 도체
4lb, 42a: 관통전극 연결용 비어홀
41a, 41c, 42b: 관통전극 연결용 비어홀
51: 입력용 외부전극 52: 출력용 외부전극
53: 접지용 외부전극
본 발명은, 세라믹 전자부품 및 그 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 GHz대 등의 고주파 대역에서의 임피던스 특성이 우수하고, 넓은 주파수 범위에서 높은 임피던스를 얻을 수 있는 인덕터 등의 세라믹 전자부품 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근, 전자기기의 고주파화가 진행됨에 따라, 인덕터나, LC 복합부품, LR 복합부품, LCR 복합부품 등은 GHz대역의 고주파에 대응할 수 있는 것이 요구되고 있다.
그러나, 고주파 대역용 인덕터에 있어서는, 코일과 패럴렐(parallel)에 발생하는 부유(浮遊)용량이 그 임피던스에 크게 영향을 주고, 특히 GHz대에서는 1/100pF∼1/10pF 정도의 미소한 부유용량이 임피던스에 큰 영향을 준다. 따라서, 부유용량을 작게 하고 원하는 특성을 확보하고자 한다면, 자성체로서 이용되고 있는 페라이트 등의 유전율(ε)을 낮추는 것이 필요하게 된다. 그러나, 페라이트의 구조적인 이유 때문에, 페라이트 자체의 유전율(ε)을 예를 들면 13∼14 이하로까지 낮추는 것은 사실상 곤란하다.
그러한 상황 하에서 유전율(ε)을 낮추고자 한다면, 자성체에 수지나 유리 등의 유전율이 낮은 재료를 배합하는 방법을 생각할 수 있는데, 자성체에 비자성체인 수지나 유리 등을 배합한 복합 자성 재료에 있어서는, 자성체 입자가 수지나 유리 등의 비자성체 재료에 의해 피복되어, 자로(磁路)가 분단되어 버리기 때문에, 투자율(透磁率)이 극단적으로 낮아져 버리는 문제점이 있다.
또한, 최근 전파 흡수체 등에 이용되는 유전율이 낮은 페라이트 재료로서, 빈구멍율을 20∼70%로 한 발포(發泡) 페라이트 소결체가 알려져 있다(예를 들면, 일본 특허공개 소55-526300호 공보 참조). 이 페라이트 소결체는, 빈구멍을 높은 비율로 포함하고 있기 때문에 유전율이 낮고, 또한 자로가 연속되어 있기 때문에, 전자기 특성이 불연속으로 크게 변동하는 경우가 없다고 하는 특징을 갖고 있다. 즉, 이 발포 페라이트 소결체는, 빈구멍율이 높아져도 각각의 페라이트 입자끼리는 자기적으로 결합되어 있기 때문에, 페라이트 분말과 절연물의 혼합 페라이트인 경우에 보여지는 페라이트 복소(複素) 투자율의 주파수 분산 특성의 변동은 적다고 하는 특징을 갖고 있다.
또한, 빈구멍을 함유시킨 세라믹을 이용한 전자부품으로서, 세라믹과, 세라믹의 내부에 형성된 내부전극을 구비하고, 세라믹에 직경 1∼3㎛의 빈구멍(포어)을 3∼30체적%의 비율로 함유시킨 세라믹 전자부품이 제안되어 있다(예를 들면, 일본 특허공개 평11-67575호 공보 참조).
이 세라믹 전자부품은, 세라믹에 직경 1∼3㎛의 포어를 3∼30체적%의 비율로 함유시키도록 하고 있기 때문에, 세라믹의 유전율을 낮추는 것이 가능해지고, 그것만으로 임피던스 특성을 향상시킬 수 있다고 하는 특징을 갖고 있다.
그러나, 일본 특허공개 소55-526300호 공보의 발포 페라이트 소결체에 있어서는, 빈구멍율을 높게 하고자 하면, 성형체의 기계적 강도가 저하되기 때문에, 이대로는 전자부품 재료로서 필요한 항절(抗折) 강도를 확보하는 것이 곤란하다는 문제점이 있다.
또한, 일본 특허공개 평11-67575호 공보의 세라믹 전자부품에 있어서는, 포어의 함유 비율이 30체적%를 초과하면 세라믹 소체(素體)의 항절 강도가 저하된다는 것을 고려하여, 포어의 함유 비율이 3∼30체적%의 범위로 되어 있기 때문에, 비유전율의 저감 범위가 제약되어, 최근의 더욱 높은 특성을 구비한 세라믹 전자부품에 대한 요구를 충분히 만족시킬 수 없는 실정이다.
또한, 일본 특허공개 평11-67575호 공보의 세라믹 전자부품에는, 세라믹에 포함되는 빈구멍으로 수분이 들어가기 쉬워서 흡수율이 높아지기 때문에, 신뢰성이 저하되는 문제점이 있다.
본 발명은, 상기 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 유전율이 낮고, 고강도인 세라믹 소결체를 구비하는 세라믹 전자부품 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
즉, 본 발명은, 35∼80vol%의 비율로 빈구멍을 포함하는 세라믹 소결체와, 상기 세라믹 소결체의 내부에 배치된 전극을 구비하고, 상기 세라믹 소결체의 상기 빈구멍에, 수지 또는 유리가 충전되어 있는 세라믹 전자부품에 관한 것이다.
본 발명의 세라믹 전자부품에 따르면, 세라믹 소결체가 35∼80vol%의 비율로 빈구멍을 포함함과 동시에, 세라믹 소결체의 빈구멍에 수지 또는 유리가 충전되어 있기 때문에, 세라믹 소결체의 강도 저하를 초래하지 않고, 그 유전율을 저하시키는 것이 가능해진다.
특히, 본 발명의 세라믹 전자부품에 있어서는, 세라믹 소결체에 35∼80vol%의 비율로 빈구멍을 포함시킴으로써, 세라믹 소결체 중의 세라믹 그레인의 연속성을 확보하여, 세라믹 소결체의 각종 전기 특성을 저하시키지 않고, 세라믹 소결체의 유전율을 대폭 저하시키는 것이 가능해지는 한편, 세라믹 소결체의 상기 빈구멍에 수지 또는 유리가 충전되어 있기 때문에, 세라믹 소결체의 강도를 확보하는 것이 가능해지고, 각종 전기 특성이 우수하고 기계적 강도가 큰 신뢰성이 높은 세라믹 전자부품을 얻을 수 있다.
본 발명은, 페라이트 등의 세라믹 재료는 압축 응력에는 강하지만, 인장 응 력에는 약하다는 것에 착목하여, 미량이라도, 빈구멍 내에 수지 또는 유리를 충전시킴으로써, 인장 내력을 보강할 수 있다는 것을 이용한 것으로서, 본 발명에 따르면, 종래의 빈구멍율을 30vol%로 한 것보다도 큰 기계적 강도(항절 강도 등)를 확보하면서, 빈구멍율을 80%로까지 높일 수 있고, 전기 특성의 열화를 초래하지 않고, 유전율을 특히 6 이하로까지 낮출 수 있다.
또한, 본 발명의 세라믹 전자부품에 있어서, 세라믹 소결체가 자성체 세라믹인 경우, 세라믹 소결체에 빈구멍을 포함시키도록 하고 있기 때문에, 자성체의 투자율도 다소 저하된다. 그러나, 자성체 세라믹에는 연속된 자로가 형성되어 있기 때문에, 자성체가 갖는 투자율의 특성을 유지하는 것이 가능해진다(즉, μ'와 μ"가 동일한 값이 되는 크로스 포인트 주파수가 거의 변화하지 않는다).
본 발명에 있어서는, 세라믹 소결체의 빈구멍의 칫수(빈구멍의 평균 직경)는 5∼20㎛로 하는 것이 바람직하다. 이것은, 빈구멍 직경이 5㎛ 이하가 되면, 닫힌 빈구멍이 되기 쉽고, 빈구멍 내에 유리를 충분히 함침시킬 수 없게 되며, 또한, 빈구멍 직경이 20㎛ 이상이 되면, 소성 후의 빈구멍이 형성된 자성체 자체의 강도가 약해져 가공이 곤란해지기 때문이다. 이 빈구멍의 평균 직경은, 5∼10㎛가 더욱 바람직하다.
또한, 빈구멍의 체적 함유율(빈구멍율)은, 세라믹 소결체의 유전율을 충분히 저하시켜서 원하는 특성을 확보한다는 관점에서, 35vol% 이상으로 하는 것이 필요하다. 또한, 빈구멍율이 80vol%를 초과하면, 소성 후의 강도가 저하되고, 그 후의 수지, 유리 함침 가공 등이 곤란해지기 때문에, 80vol% 이하로 하는 것이 필요하 다.
또한, 본 발명에 있어서는, 빈구멍율을 40∼50vol%의 범위로 하는 것이 바람직하다.
또한, 빈구멍 내에 충전된 수지 또는 유리가 세라믹 소결체의 강도를 보완하는 기능을 수행하기 때문에, 빈구멍 형성 후의 세라믹 소결체의 강도는 다소 약하더라도 특별히 문제는 없으며, 빈구멍 직경이 5∼20㎛이고, 세라믹 소결체의 빈구멍율이 80vol%까지의 범위라면 가공은 가능하다.
또한, 세라믹 소결체가, 세라믹 원료와, 바인더와, 구형상 또는 파우더 형상으로 바인더에 대한 접착성을 갖는 소실재를 배합하여 이루어지는 배합 세라믹 원료의 성형체를 소성함으로써 형성한 것이 바람직하다.
즉, 본 발명의 세라믹 전자부품은, 세라믹 소결체가 세라믹 원료와, 바인더와, 구형상 또는 파우더 형상으로 바인더에 대한 접착성을 갖는 소실재를 배합한 배합 세라믹 원료의 성형체를 소성함으로써 형성되어 있으며, 특히 세라믹 소결체가 자성체 세라믹인 경우, 자로를 분단하지 않을 정도의 35∼80vol%의 빈구멍을 함유하고 있기 때문에, 원하는 자성 특성을 구비하고, 부유 용량의 발생이 적으며, 원하는 특성을 구비한 신뢰성이 높은 세라믹 전자부품을 제공할 수 있게 된다.
또한, 본 발명의 세라믹 전자부품은, 수지 또는 유리가 부가적으로 빈구멍을 포함하는 것이 바람직하다.
수지 또는 유리에도 빈구멍을 포함시킴으로써, 세라믹 소결체의 유전율을 더욱 저하시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 세라믹 전자부품은 자성체 세라믹인 것이 바람직하다.
인덕터 등을 제조하는 경우에는, 세라믹 소결체를 구성하는 세라믹 원료로서 자성체 세라믹이 이용되는데, 그러한 경우에 본 발명을 적용함으로써, 세라믹 소결체의 기계적인 강도의 저하를 초래하지 않고, 유전율을 저하시켜서 부유 용량의 발생을 억제하는 것이 가능해지고, 원하는 특성을 구비한 신뢰성이 높은 세라믹 전자부품(인덕터 등)을 제공하는 것이 가능해진다.
또한, 본 발명의 세라믹 전자부품은, 인덕터, 인덕터부와 커패시터부를 조합한 LC 복합 전자부품, 인덕터부와 저항을 조합한 LR 복합 전자부품, 또는 인덕터부와 커패시터부와 저항을 조합한 LCR 복합 전자부품이라면 된다.
즉, 본 발명은, 인덕터, LC 복합 전자부품, LR 복합 전자부품 또는 LCR 복합 전자부품 등의 여러가지 세라믹 전자부품에 적용할 수 있으며, 세라믹 소결체의 강도가 크고, 부유 용량의 발생이 적은, 원하는 특성을 구비한 전자부품을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 세라믹 전자부품은, 복수의 세라믹층 사이에 전극층을 배치한 적층구조를 갖는 적층 세라믹 전자부품이라면 된다.
즉, 본 발명은, 복수의 세라믹층 사이에 전극층을 배치한 적층구조를 갖고, 세라믹 소결체의 항절 강도 등이 문제되기 쉬운 적층 세라믹 전자부품에 바람직하게 적용할 수 있으며, 본 발명을 적용함으로써, 유전율이 낮은 세라믹층을 적층하여 이루고, 또한, 기계적 강도가 크고 신뢰성이 높은 적층 세라믹 전자부품을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서, 세라믹 소결체의 표면은, 빈구멍 내에 충전한 수지 또는 유리와 동일한 수지 또는 유리로 피복되어 있는 것이 바람직하다. 세라믹 소결체의 전표면이 수지 또는 유리로 피복되어 있는 것이 특히 바람직하지만, 표면 중에서 일부만 피복되어 있어도 상관없다. 이것에 의해, 세라믹 소결체의 강도를 더욱 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명은, 세라믹 소결체의 내부에 전극이 배치된 구조를 갖는 세라믹 전자부품의 제조방법으로서, 세라믹 원료와, 바인더와, 구형상 또는 파우더 형상으로 상기 바인더에 대한 접착성을 갖는 소실재를 배합한 배합 세라믹 원료를 이용하여, 내부에 전극이 배치된 성형체를 형성하는 공정과, 상기 성형체를 소성함으로써, 35∼80vol%의 빈구멍을 포함하고, 또한 내부에 전극이 배치된 세라믹 소결체를 형성하는 공정과, 상기 세라믹 소결체의 상기 빈구멍에 수지 또는 유리를 충전시키는 공정을 구비하는 세라믹 전자부품의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 세라믹 전자부품의 제조방법은, 세라믹 원료와, 바인더와, 구형상 또는 파우더 형상으로 바인더에 대한 접착성을 갖는 소실재를 배합한 세라믹 소결체용 배합 세라믹 원료를 이용하여, 내부에 전극(전극 재료)이 배치된 성형체를 형성하고, 이 성형체를 소성함으로써 35∼80vol%의 빈구멍을 포함하는 세라믹 소결체를 형성한 후, 세라믹 소결체의 빈구멍에 수지 또는 유리를, 도포 또는 함침시키도록 하고 있기 때문에, 세라믹 소결체 중의 세라믹 그레인의 연속성을 확보하면서, 세라믹 소결체에 빈구멍을 형성하여, 세라믹 소결체의 각종 전기 특성을 크게 저하시키지 않고, 세라믹 소결체의 유전율을 대폭 저하시키는 것이 가능해짐과 동시에, 빈구멍 중에 충전시킨 수지 또는 유리에 의해, 세라믹 소결체의 강도를 향상시킬 수 있으며, 원하는 특성을 구비한 신뢰성이 높은 세라믹 전자부품을 효율적으로 제조할 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서는, 소실재로서, 구형상 또는 파우더 형상의 모든 형태를 이용할 수 있지만, 분산의 균일성 등의 관점에서는 구형상을 이용하는 것이 보다 바람직하다.
또한, 소실재로서는, 세라믹 소결체에, 빈구멍 직경이 5∼20㎛인 빈구멍을 형성한다는 관점에서, 평균 입자직경이 5∼20㎛인 것을 이용하는 것이 바람직하다.
또한, 원하는 빈구멍율을 실현한다는 관점에서, 소실재는, 통상적으로 상기 배합 세라믹 원료 중에서 35∼80vol%가 되는 비율로 배합하는 것이 바람직하고, 특히, 40∼50vol%가 되도록 배합하는 것이 바람직하다. 소실재는 목표로 하는 빈구멍율에 따라서 적당히 배합할 수 있다.
또한, 본 발명의 세라믹 전자부품의 제조방법에 있어서, 상기 세라믹 원료에 배합되는 소실재는, 가교 폴리스티렌, 가교 폴리메타크릴산메틸, 가교 폴리메타크릴산부틸, 가교 폴리메타크릴산에스테르, 가교 폴리아크릴산에스테르로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종을 주성분으로 하는 것이 바람직하다.
세라믹 원료에 배합되는 소실재로서, 가교 폴리스티렌, 가교 폴리메타크릴산메틸, 가교 폴리메타크릴산부틸, 가교 폴리메타크릴산에스테르, 가교 폴리아크릴산에스테르로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종을 주성분으로 하는 것을 이용한 경우, 소성 공정에서 소실재가 확실하게 소실되어, 세라믹 소결체에 확실하게 빈구 멍을 형성할 수 있고, 원하는 빈구멍율을 갖는 세라믹 소결체를 효율적으로 형성할 수 있다.
빈구멍율을 대폭 증대시키기 위해서는, 소실재의 비율을 늘릴 필요가 있고, 세라믹의 비율을 확보하면서 소실재를 대폭 늘리기 위해서는 바인더의 비율을 줄일 필요가 있다. 바인더의 비율을 줄이면, 소결 전의 반제품의 강도가 저하되고, 가공 공정에서의 수율이 저하되는 경향이 있는데, 소실재로서, 표면적이 크고 수지 바인더에 대한 접착성이 우수하며, 보형성(保形性)이 큰 가교 폴리머를 채용함으로써, 수율을 저하시키지 않고, 바인더의 비율을 줄여서 소실재의 비율을 늘릴 수 있으며, 빈구멍율을 높일 수 있다.
또한, 본 발명의 세라믹 전자부품의 제조방법에 있어서, 세라믹 소결체의 빈구멍에 수지 또는 유리를 충전시키는 공정에 있어서, 수지 또는 유리로서, 용제 또는 희석제를 배합한 수지 또는 유리를 이용하여, 빈구멍에 수지 또는 유리를 충전한 후에, 용제 또는 희석제를 휘발시킴으로써, 수지 또는 유리에 부가적으로 빈구멍을 형성할 수 있다.
이렇게, 세라믹 소결체의 빈구멍에 수지 또는 유리를 충전시키는 공정에 있어서, 수지 또는 유리로서, 용제 또는 희석제를 배합한 수지 또는 유리를 이용하여, 수지 또는 유리의 도포 또는 함침 후에, 용제 또는 희석제를 휘발시킴으로써, 수지 또는 유리에도 빈구멍을 형성하면, 세라믹 소결체의 유전율을 더욱 저하시킬 수 있다.
용제 또는 희석제로서는, 예를 들면, 에탄올, 크실렌, 아세트산부틸, 물 등 을 이용할 수 있다.
또한, 용제 또는 희석제는, 수지 또는 유리 100에 대하여 체적비로, 5∼50의 범위에서 배합하는 것이 바람직하다. 이것은, 배합 비율이 수지 또는 유리 100에 대하여 체적비로 5미만이 되면, 희석 후의 점도 저감의 효과가 불충분하고, 작업성이 저하되며, 또한, 50을 초과하면 수지 경화시에 희석제가 수지 내부에 남아서, 수지의 특성이 열화되기 때문이다.
또한, 본 발명의 세라믹 전자부품의 제조방법에 있어서는, 세라믹 소결체에 수지 또는 유리를 도포 또는 함침시키는 공정에 있어서, 수지 또는 유리로서, 용제에 의해 일부를 용출시킬 수 있는 수지 또는 유리를 이용하여, 상기 수지 또는 유리를 충전한 후에, 용제에 의해 수지 또는 유리의 일부를 용출시켜서 제거할 수 있다.
세라믹 소결체의 빈구멍에 수지 또는 유리를 충전시키는 공정에 있어서, 용제에 의해 일부를 용출시킬 수 있는 수지 또는 유리를 이용하여, 상기 수지 또는 유리의 도포 또는 함침 후에, 용제에 의해 수지 또는 유리의 일부를 용출시킴으로써, 세라믹 소결체의 빈구멍에 충전시킨 수지 또는 유리의 일부가 제거된다. 따라서, 세라믹 소결체의 유전율을 더욱 저하시킬 수 있다.
용제에 의해 일부를 용출시킬 수 있는 수지 또는 유리란, 반드시 수지 자체나 유리 자체가 용해되는 것에 한하지 않고, 예를 들면, 수지에 관해서는, 수지에 배합한 일부 재료 등이 용제에 용해되어 제거되는 것, 또한, 유리에 관해서는, 용제에 의해 유리 원료의 기재(基材)의 일부 등이 용해됨으로써, 유리 자체도 그 일 부가 제거되는 것 등을 포함한다.
또한, 본 발명의 세라믹 전자부품의 제조방법에 있어서, 상기 세라믹 원료가 자성체 세라믹 원료인 것이 바람직하다.
예를 들면 인덕터를 제조하는 경우에는, 세라믹 소결체를 구성하는 세라믹 원료로서 자성체 세라믹이 이용되는데, 그러한 경우에 본 발명을 적용함으로써, 세라믹 소결체의 기계적인 강도의 저하를 초래하지 않고, 유전율을 저하시켜서 부유 용량의 발생을 억제할 수 있고, 원하는 특성을 구비한 신뢰성이 높은 세라믹 전자부품을 효율적으로 제조할 수 있다.
또한, 본 발명의 세라믹 전자부품의 제조방법은, 인덕터, 인덕터부와 커패시터부를 조합한 LC 복합 전자부품, 인덕터부와 저항을 조합한 LR 복합 전자부품, 또는 인덕터부와 커패시터부와 저항을 조합한 LCR 복합 전자부품을 제조하기 위하여 사용되어도 된다.
본 발명의 세라믹 전자부품의 제조방법은, 인덕터, LC 복합 전자부품, LR 복합 전자부품, LCR 복합 전자부품 등의 여러가지 전자부품을 제조하는 경우에 적용할 수 있고, 세라믹 소결체의 강도 저하를 초래하지 않고, 유전율을 저하시켜서, 부유 용량이 작고, 원하는 임피던스 특성을 구비한 신뢰성이 높은 인덕터, LC 복합 전자부품, LR 복합 전자부품, LCR 복합 전자부품 등을 효율적으로 제조할 수 있다.
또한, 본 발명의 세라믹 전자부품의 제조방법에 있어서는, 상기 성형체를, 상기 배합 세라믹 원료로 이루어지는 세라믹 그린 시트 상에 전극층을 형성하고, 전극층을 갖는 세라믹 그린 시트를 복수 적층함으로써 제작할 수 있다.
이렇게, 복수의 세라믹층 사이에 전극층을 배치한 적층 구조를 갖고, 세라믹 소결체의 항절 강도 등이 문제되기 쉬운 적층 세라믹 전자부품을 제조하는 경우에 본 발명을 적용함으로써, 임피던스 특성이 우수하고, 기계적 강도가 크며 신뢰성이 높은 적층 세라믹 전자부품을 효율적으로 제조할 수 있다.
<발명의 실시형태>
본 발명의 세라믹 전자부품에 있어서의 세라믹 소결체에 대하여, 도 6을 참조하여 설명한다.
도 6에 나타내는 바와 같이, 본 발명에 있어서의 세라믹 소결체(61)의 내부에는 복수의 빈구멍(62)이 형성되어 있다. 빈구멍(62)에는, 수지 또는 유리(63)가 충전되어 있고, 세라믹 소결체의 표면도 수지 또는 유리(63)에 의해 피복되어 있다.
빈구멍(62)은, 그 평균 직경이 5∼20㎛이며, 세라믹 소결체(61)에 있어서 35∼80vol%의 비율로 형성되어 있다. 빈구멍(62)은, 열린 빈구멍(오픈 포어) 및 닫힌 빈구멍(클로즈드 포어)을 포함한다.
이 빈구멍은 수지 또는 유리(63)로 충전되어 있다. 즉, 빈구멍(62)에는, 그 내부 전체에 수지 또는 유리(63)가 충전되어 있어도 되지만, 그 내부의 일부에만 충전되어 있어도 된다. 이 경우, 빈구멍(62) 내에 충전된 수지 또는 유리(63) 중에 다시 빈구멍(64)이 형성된다.
세라믹 소결체에는, 자성체 세라믹, 유전체 세라믹, 반도체 세라믹, 압전체 세라믹 등 각종 기능성 세라믹을 적용할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시형태를 나타내고, 특징으로 하는 점을 더욱 자세하게 설명한다.
[실시형태 1]
<1> 빈구멍을 갖는 세라믹 소결체의 제작
실시형태 1에서는, 빈구멍을 갖는 세라믹 소결체를 형성하는 방법에 대하여 설명한다.
(1) 우선, 투자율(μ)이 400인 NiZnCu 페라이트 재료를 얻기 위하여, 니켈, 아연 및 구리의 산화물 원료를 혼합하여 800℃에서, 1시간 하소하였다.
(2) 그 후, 볼밀에 의해 분쇄하여 건조시킴으로써, 평균 입자직경 약 2㎛인 페라이트 원료(산화물 혼합분말)를 얻었다.
(3) 그리고나서, 얻어진 페라이트 원료에 시판하는 구형상 폴리머(실시형태 1에서는, 가교 폴리스티렌으로 이루어지는 구형상의 소실재(평균 입자직경=8㎛, 상품명: 테크폴리머(TECHPOLYMER), 세키스이가세이힝 고교가부시키가이샤(SEKISUI PLASTICS CO., LTD.) 제품)를 표 1에 나타내는 바와 같이 여러가지 비율로 첨가하고, 용매, 바인더, 분산제를 가하고 혼합하여, 배합 세라믹 원료를 제작한 후, 이 배합 세라믹 원료를 이용하여 닥터 블레이드법에 의해 두께 100㎛인 세라믹 그린 시트를 제작하였다.
소실재(빈구멍 형성재)로서, 표면적이 크고 바인더에 대한 접착성이 우수하며, 보형성이 큰 구형상 폴리머를 채용함으로써, 수율을 저하시키지 않고, 바인더의 비율을 줄여서 소실재의 비율을 늘릴 수 있고, 빈구멍율을 높일 수 있다.
(4) 다음으로, 얻어진 세라믹 그린 시트를 적층, 압착하여 두께가 2mm인 성형체(적층체)를 얻었다. 그리고, 이 성형체로부터 링형상과 원판형상과 각판(角板)형상의 테스트 피스를 제작하였다.
(5) 그리고, 이것을 400℃에서 3시간 열처리하여 탈바인더를 행한 후, 900℃에서 2시간 소성함으로써 세라믹 소결체를 얻었다.
실시형태 1에서는, 혼합하는 유기재료(특히, 소실재)의 양을 변화시킴으로써 빈구멍의 비율을 조정하였다. 예를 들면, 배합 세라믹 원료 중의 소실재의 비율을 50vol%로 하면, 세라믹 소결체 중의 빈구멍의 비율은 대략 50vol%가 된다.
또한, 세라믹 소결체의 빈구멍의 체적 함유율(빈구멍율)은, 빈구멍(공기)의 비중을 0g/cm3, 페라이트의 비중(실측값)을 5.02g/cm3로 하여, 세라믹 소결체의 비중으로부터 산출하였다.
(6) 그리고나서, 얻어진 세라믹 소성체를, 유전율 3.9인 수용성 유리(실시형태 1에서는 Li-K계 유리) 중에 함침시켜서, 빈구멍 내에 유리를 충전함과 동시에 세라믹 소결체 표면에 유리막을 형성한 후, 800℃에서 유리의 용융·베이킹을 행하였다.
빈구멍에 유리를 충전시키고, 용융·베이킹을 행한 후의 유전율, 투자율, 항절 강도 및 흡수율의 측정결과를 표 1에 나타낸다.
| 시료 No. | 구형상 폴리머 평균 입자직경 (㎛) | 빈구멍 직경 (㎛) | 빈구멍율 (%) | 빈구멍에 유리 충전 | 흡수율 (%) | 항절 강도 (MPa) | ||||
| 유전율 at 1MHz | 복소 투자율 | |||||||||
| at 1MHz | at 1GHz | 충전전 | 충전후 | 충전전 | 충전후 | |||||
| 1 | 8 | 7 | 0 | 14.5 | 430 | 11 | 0.20 | - | 80 | - |
| 2 | 8 | 7 | 10 | 14.0 | 320 | 7.9 | 1.89 | 0.19 | 74 | 81 |
| 3 | 8 | 7 | 30 | 11.0 | 220 | 6.6 | 3.72 | 0.12 | 59 | 82 |
| 4 | 8 | 7 | 35 | 9.9 | 175 | 5.5 | 4.39 | 0.10 | 51 | 82 |
| 5 | 8 | 7 | 40 | 9.0 | 150 | 4.8 | 5.75 | 0.08 | 46 | 82 |
| 6 | 8 | 7 | 50 | 8.1 | 119 | 3.5 | 10.0 | 0.08 | 34 | 84 |
| 7 | 8 | 7 | 60 | 7.0 | 89 | 2.9 | 16.4 | 0.07 | 19 | 84 |
| 8 | 8 | 7 | 70 | 6.3 | 59 | 2.2 | 18.9 | 0.07 | 14 | 84 |
| 9 | 8 | 7 | 80 | 5.8 | 49 | 1.8 | 19.5 | 0.07 | 10 | 84 |
투자율은 링형상의 테스트 피스, 유전율은 원판형상의 테스트 피스, 항절 강도는 각판형상의 테스트 피스를 각각 이용하여 측정하였다.
표 1에 나타내는 바와 같이, 세라믹 소결체의 빈구멍율이 높아짐과 동시에, 유전율은 낮아지는데, 유리를 충전시키지 않은 세라믹 소결체(시료 No.1)에 대해서는, 항절 강도가 저하되고, 흡수율이 증대하였다. 한편, 세라믹 소결체의 빈구멍에 유리를 충전시킨 경우에는, 항절 강도의 저하나 흡수율의 증대를 초래하지 않고, 유전율을 저하시킬 수 있었다.
즉, 본 실시형태와 같이 빈구멍 내에 유리를 충전한 경우, 시료번호 1의 빈구멍 내에 유리를 포함하지 않은 세라믹 소결체와 비교하여, 항절 강도를 동등 또는 그 이상으로 향상시킬 수 있음과 동시에, 흡수율을 낮게 억제하는 것이 가능해졌다.
또한, 표 1의 시료번호 3에 나타내는 바와 같이, 빈구멍율이 30vol%가 되면, 유전율이 11.0으로 높아지고, 충분히 유전율을 저하시킬 수 없었다.
또한, 표 1의 시료번호 9에 나타내는 바와 같이, 빈구멍율이 80vol%가 되면, 유전율을 6 이하로까지 낮게 하는(빈구멍율이 80vol%인 경우의 유전율: 5.8)것이 가능해진다는 것을 알 수 있다. 단, 빈구멍율이 80vol%를 초과하면, 소성 후의 강도가 저하되고, 그 후의 수지, 유리 함침 가공 등이 곤란해지기 때문에 바람직하지 않다.
유전율을 낮추기 위하여, 페라이트 원료에 유리를 첨가, 혼합한 후, 소성한 복합재나 자분(磁粉)에 수지를 혼합반죽 성형한 재료에서는, 표 1의 빈구멍에 유리를 함침시킨 경우와 동등한 비율로, 페라이트에 유리나 수지를 첨가, 혼합하여도, 표 1에 나타내는 바와 같은 투자율은 얻어지지 않는다는 것이 확인되고 있다.
예를 들면, 페라이트 원료에 유리를 첨가, 혼합한 후, 소성한 복합재에 있어서는, 유리의 혼합율을 50vol%로 한 경우에, 투자율(μ)은 4정도 밖에 안되고, 또한, 투자율의 주파수 특성에 있어서도, 복소 투자율(μ")이 거의 발현되지 않게 되어버리는 것이 확인되고 있다. 이것은, 자분을 유리나 수지에 분산시켜서 성형체로 한 경우, 자분을 피복하여 굳히듯이, 유리나 수지가 분포하기 때문에, 자성체로 형성되는 자로가 비자성재인 유리나 수지에 의해 분단되기 때문에 투자율이 낮아지는 것에 따른 것이라고 생각된다.
이에 비하여, 본 실시형태에 따른 방법으로 제조한, 빈구멍을 갖는 세라믹 소결체(빈구멍 형성재료)에 있어서는, 자성체 자체의 투자율의 특징이 유지된다. 이것은, 세라믹 소결체 내에서 자로가 분단되지 않고 연결된 상태가 유지되기 때문에, 높은 투자율이 얻어지고, 또한 자성체 자체의 투자율의 특징도 유지되는 것이라고 생각된다.
<2> 칩코일 부품의 제작
(1) 상기 <1>의 표 1, 시료번호 6의 재료(즉, 빈구멍율이 50vol%인 세라믹 소결체가 얻어지는 재료)를 이용하여 형성한 세라믹 그린 시트에, 내부 코일을 구성하는 전극이 되는 은 페이스트를 인쇄하고, 적층, 압착한 후, 칩형상으로 절단하여 900℃에서 소성하였다.
이것에 의해, 소성 시에 빈구멍 형성재가 소실되어, 은계의 내부전극을 갖고, 50vol%의 비율로 빈구멍을 포함한 세라믹 소성체가 얻어진다.
(2) 다음으로, 세라믹 소결체를, 유전율 3.9인 수용성 유리(실시형태 1에서는 Li-K계 유리)에 침지하여, 빈구멍 내부에 수용성 유리를 충전시켰다.
(3) 그리고나서, 세라믹 소결체의 코일의 축심 방향으로 평행한 양단측에 내부전극과 도통하도록 외부전극용의 도전 페이스트를 도포한 후, 800℃에서 열처리함으로써, 빈구멍에 충전시킨 유리 및 도전 페이스트를 동시에 소성하였다. 이것에 의해, 도 1에 나타내는 바와 같이, 세라믹 소결체(1)의 내부에 코일(2)이 배치되고, 세라믹 소결체의 양단부에 외부전극(3a,3b)이 배치된 구조를 갖는, 길이 1.6mm, 폭 및 높이 0.8mm인 칩코일 부품(실시예 1)을 얻었다. 실시예 1의 칩코일 부품에 있어서는, 코일의 턴수를 30턴으로 하였다.
또한, 비교를 위하여, 통상적인 페라이트 재료(상기 <1>의 표 1, 시료번호 1의 빈구멍율이 0vol%인 세라믹 소결체가 얻어지는 재료)로 이루어지는 세라믹 그린 시트를 이용하여, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로, 칩코일 부품(비교예 1)을 제작하였다. 특성의 비교를 용이하게 하기 위하여, 저주파 대역에 있어서의 인덕턴스 가 가까운 값이 되도록, 비교예 1의 칩코일 부품에서는, 코일의 턴수를 20턴으로 하였다.
실시예 1 및 비교예 1의 칩코일 부품을 네트워크 애널라이저 HP8753D에 접속하여 반사 특성을 측정하고, 그 결과로부터 임피던스를 산출하였다. 도 2에, 실시예 1 및 비교예 1의 칩코일 부품의 임피던스 특성을 나타낸다.
실시예 1의 칩코일 부품에 있어서는, 빈구멍을 형성함으로써, 투자율의 특성을 손상시키지 않고 유전율을 저하시킨 자성체를 이용하고 있기 때문에, 저주파 영역에서는, 종래와 동일한 임피던스 특성을 유지한 채, 저유전율화에 의해, 고주파 영역까지 원하는 임피던스를 확보할 수 있다는 것을 알 수 있다.
즉, 비교예 1의 칩코일 부품에서는, 600Ω의 임피던스가 얻어지는 주파수는 1.3GHz 정도까지이지만, 실시예 1의 칩코일 부품에서는, 600Ω의 임피던스가 얻어지는 대역이 약 4GHz까지 확대되어 있다는 것을 알 수 있다.
또한, 실시예 1의 칩코일 부품에 있어서는, 세라믹 소결체의 빈구멍 내부에 유리를 충전시키고 있기 때문에, 종래의 빈구멍을 포함하지 않는 페라이트 재료를 이용한 비교예 1의 칩코일 부품과 비교하여 항절 강도에 손색이 없고, 또한, 흡수율에 관해서는, 비교예 1의 칩코일 부품보다도 낮아지고 있으며, 신뢰성 면에서도 비교예 1보다 우수하다는 것이 확인되고 있다.
[실시형태 2]
<1> 빈구멍을 갖는 세라믹 소결체의 제작
(1) 상기 실시형태 1과 마찬가지로, 혼합하는 유기재료의 양을 변화시킴으로 써 빈구멍의 비율을 조정하여, 실시형태 1의 <1>의 (5)에서 얻은 것과 같은 세라믹 소결체를 제작하였다.
(2) 그리고나서, 세라믹 소결체의 빈구멍에, 유전율 3.4의 에폭시 수지를 함침시킨 후, 150℃에서 가열하여, 에폭시 수지를 경화시켰다.
이렇게 하여, 빈구멍에 수지를 충전시킨 세라믹 소결체에 대하여, 유전율, 투자율, 항절 강도 및 흡수율을 측정하였다. 그 결과를 표 2에 나타낸다.
| 시료 No. | 구형상 폴리머 평균 입자직경 (㎛) | 빈구멍 직경 (㎛) | 빈구멍율 (%) | 빈구멍에 유리 충전 | 흡수율 (%) | 항절 강도 (MPa) | ||||
| 유전율 at 1MHz | 복소 투자율 | |||||||||
| at 1MHz | at 1GHz | 충전전 | 충전후 | 충전전 | 충전후 | |||||
| 11 | 8 | 7 | 0 | 14.5 | 430 | 11 | 0.20 | - | 80 | - |
| 12 | 8 | 7 | 10 | 13.9 | 330 | 8.0 | 1.89 | 0.17 | 74 | 80 |
| 13 | 8 | 7 | 30 | 10.9 | 212 | 6.0 | 3.89 | 0.10 | 53 | 80 |
| 14 | 8 | 7 | 35 | 9.8 | 182 | 5.7 | 4.39 | 0.09 | 51 | 80 |
| 15 | 8 | 7 | 40 | 8.9 | 153 | 4.9 | 5.75 | 0.09 | 46 | 82 |
| 16 | 8 | 7 | 50 | 7.9 | 123 | 3.6 | 10.0 | 0.06 | 34 | 81 |
| 17 | 8 | 7 | 60 | 6.8 | 92 | 2.9 | 16.4 | 0.03 | 19 | 86 |
| 18 | 8 | 7 | 70 | 6.2 | 61 | 2.3 | 18.9 | 0.03 | 14 | 89 |
| 19 | 8 | 7 | 80 | 5.3 | 41 | 1.8 | 21.5 | 0.03 | 10 | 90 |
표 2로부터, 세라믹 소결체의 빈구멍에 에폭시 수지를 함침시키도록 한 경우, 시료번호 11(표 1의 시료번호 1과 동일)의 빈구멍을 포함하지 않는 것과 비교하여, 항절 강도를 동등 또는 그 이상으로 향상시키는 것이 가능해졌다.
또한, 에폭시 수지의 함침을 행한 것은, 빈구멍율을 80%로 한 경우(시료번호 19)에도, 빈구멍율을 30%로 하고, 에폭시 수지의 함침을 행하지 않도록 한 것보다 항절 강도가 커졌다.
또한, 흡수율에 관해서는, 에폭시 수지를 함침시킨 것에 있어서는, 흡수율이, 시료번호 11의 빈구멍을 포함하지 않는 것보다도 낮고 안정되었다.
또한, 빈구멍 비율이 35vol% 이상이면, 에폭시 수지를 함침시킨 경우에도, 유전율 10 이하를 확보할 수 있었다.
수지 쪽이, 유리에 비해서 유전율이 낮은 것을 선택할 수 있는 경우가 있는데, 이번에 사용한 에폭시 수지를 이용한 경우에는, 상기 실시형태 1과 같이 유리를 함침시킨 경우에 비하여, 조금이지만, 유전율을 더욱 저하시키는 것이 가능해졌다.
<2> 칩코일 부품의 제작
(1) 상기 <1>의 표 2, 시료번호 16의 재료(즉, 빈구멍율이 50vol%인 세라믹 소결체가 얻어지는 재료)를 이용하여 형성한 세라믹 그린 시트에, 내부 코일을 구성하는 전극이 되는 은 페이스트를 인쇄하고, 적층, 압착한 후, 칩형상으로 절단하여 900℃에서 소성하였다.
이것에 의해, 소성 시에 유기재료가 소실되어 빈구멍을 50vol%의 비율로 포함한 세라믹 소성체가 얻어진다.
(2) 그리고나서, 세라믹 소결체의 코일의 축심 방향으로 평행한 양단측에 내부전극과 도통하도록 외부전극 형성용의 도전 페이스트를 도포한 후, 850℃에서 열처리함으로써 도전 페이스트를 소성하여 외부전극을 형성하였다.
(3) 다음으로, 이 칩을 유전율 3.4의 에폭시계의 액상 수지 중에 함침시킨 후, 150℃에서 경화시키고, 세라믹 소결체의 빈구멍 내에 에폭시 수지를 충전함과 동시에 세라믹 소결체 표면에 수지막을 형성하였다.
(4) 그리고나서, 수지를 함침시킨 칩을 배럴 연마하고, 외부전극의 금속 표면을 보다 확실하게 노출시킨 후, 니켈 도금, 및 Sn 도금을 행하여, 외부전극의 표면에 도금층을 형성하였다.
이것에 의해, 길이 1.6mm, 폭 및 높이 0.8mm의 칩코일 부품(실시예 2)을 얻었다. 실시예 2의 칩코일 부품에 있어서는, 코일의 턴수를 30턴으로 하였다.
비교용 칩코일 부품으로서, 상기 실시형태 1에서 제작한 비교예 1과 동일한 칩코일 부품(턴수 20)을 준비하였다.
그리고, 실시예 2의 칩코일 부품을 네트워크 애널라이저 HP8753D에 접속하여 반사 특성을 측정하고, 그 결과로부터 임피던스를 산출하였다. 도 3에, 실시예 2 및 비교예 1의 칩코일 부품의 임피던스 특성을 나타낸다.
실시예 2의 칩코일 부품에 있어서는, 빈구멍을 형성함으로써, 투자율의 특성을 크게 손상시키지 않고 유전율을 저하시킨 자성체를 이용하고 있기 때문에, 저주파 영역에서는, 종래와 같은 임피던스 특성을 유지한 채, 저유전율화에 의해, 고주파 영역까지 원하는 임피던스를 확보할 수 있다는 것을 알 수 있다.
즉, 비교예 1의 칩코일 부품에서는, 600Ω의 임피던스가 얻어지는 주파수는 1.3GHz 정도까지이지만, 실시예 2의 칩코일 부품에서는, 600Ω의 임피던스가 얻어지는 대역이, 약 5GHz까지 확대되어 있다는 것을 알 수 있다.
또한, 실시예 2의 칩코일 부품에 있어서는, 세라믹 소결체의 빈구멍 내부에 에폭시 수지를 함침시키도록 하고 있기 때문에, 종래의 빈구멍을 포함하지 않는 페 라이트 재료를 이용한 비교예 1의 칩코일 부품과 비교하여 항절 강도에 손색이 없고, 또한, 흡수율에 관해서는, 비교예 1의 칩코일 부품보다도 낮아지고 있으며, 신뢰성 면에서도 비교예 1보다 우수하다는 것이 확인되고 있다.
[실시형태 3]
(1) 상기 실시형태 1 및 2와 같은 방법으로, 빈구멍율이 60vol%인 다공질 페라이트(세라믹 소결체)를 제작하였다.
(2) 그리고나서, 이 다공질 페라이트에, 유전율 3.4의 에폭시 수지를, 점도가 300mPa.s, 및 500mPa.s가 되도록 유기 용제로 희석한 용액 중에 함침시킨 후, 150℃에서 30분 가열하여 에폭시 수지를 경화시켰다.
그리고, 이렇게 하여 얻은, 에폭시 수지의 함침, 경화 후의 다공질 페라이트에 대하여, 빈구멍율, 유전율, 및 항절 강도를 측정하였다.
유전율이 8.4이고, 점도가 5000mPa.s인 무용제 타입의 에폭시 수지를 함침시키고, 동일하게 경화시킨 시료에 대하여, 빈구멍율, 유전율, 및 항절 강도를 측정하였다. 그 결과를 표 3에 나타낸다.
| 충전재 | 빈구멍율 (vol%) | 유전율 | 항절 강도 (MPa) |
| 충전 전 | 60 | 6.6 | 20 |
| 점도 300mPa.s 에폭시 충전 후 | 58 | 6.8 | 120 |
| 점도 500mPa.s 에폭시 충전 후 | 57 | 6.9 | 131 |
| 점도 5000mPa.s 에폭시 충전 후 | 27 | 8.4 | 130 |
점도가 500mPa.s 이하인 에폭시 수지를 이용한 경우, 함침시킨 에폭시 수지 에도 빈구멍이 형성되어, 고강도이고, 더욱 저유전율인 다공질 페라이트가 얻어진다는 것을 알 수 있다.
이것은, 다공질 페라이트의 빈구멍 내에 충전시킨 에폭시 수지 중의 희석제가 휘발하여, 에폭시 수지의 내부에도 빈구멍이 형성된 것에 따른 것이다.
다공질 페라이트의 빈구멍 내에 충전된 수지나 유리에 빈구멍을 형성하는 방법으로서는, 상기 방법 외에, 예를 들면, 일단 점도가 높은 수지나 유리 원료를 함침시킨 후, 용제 내에서 초음파 세정 등을 행하고, 함침시킨 수지나 유리 원료의 기재의 일부를 용출시킨 후, 용제를 휘발시키고, 경화하는 방법 등을 적용하는 것이 가능하다.
[실시형태 4]
도 4 및 도 5는, 본 발명의 실시형태에 따른 세라믹 전자부품(T형 LC필터)을 나타내는 도면이며, 도 4는 그 구성을 나타내는 분해사시도, 도 5는 모식적인 단면도이다.
실시형태 4의 세라믹 전자부품(11)은, 인덕터부(코일부)(12,13)의 사이에 커패시터부(14)가 배치된 구조를 갖는 T형 LC필터(적층형 LC필터)이다.
이 T형 LC필터에 있어서, 인덕터부(12)는, 코일 도체(35a,35b,35c) 및 중계용 비어홀(36a,36b,36c)을 형성한 자성체층(22), 인출용 비어홀(37a)을 형성한 자성체층(22), 인출용 도체(38a)를 형성한 자성체층(22) 등으로 구성되어 있으며, 코일 도체(35a∼35c)는, 중계용 비어홀(36b,36c)을 통하여 접속됨으로써 코일(26)을 형성하고 있다.
또한, 인덕터부(13)는, 코일 도체(35d,35e,35f) 및 중계용 비어홀(36d,36e,36f)을 형성한 자성체층(22), 인출용 비어홀(37b)을 형성한 자성체층(22), 인출용 도체(38b) 및 인출용 비어홀(37c)을 형성한 자성체층(22) 등으로 구성되어 있으며, 코일 도체(35d∼35f)는, 중계용 비어홀(36e,36f)을 통하여 접속됨으로써 코일(27)을 형성하고 있다.
또한, 커패시터부(14)는, 접지전극(30), 관통전극(31), 관통전극 연결용 비어홀(4lb,42a)을 형성한 유전체층(23), 및 관통전극 연결용 비어홀(41a,41c,42b)을 형성한 유전체층(23) 등을 구비하고 있으며, 서로 대향하도록 배치된 접지전극(30)과 관통전극(31)으로 커패시터(33)가 형성되어 있다.
그리고, 자성체층(22)과, 유전체층(23)을 적층하여, 일체로 소결함으로써 형성된 세라믹 소결체의 양단부에는, 도 5에 나타내는 바와 같이, 입력용 외부전극(51) 및 출력용 외부전극(52)이 배치되고, 세라믹 소결체의 중앙부에는 접지용 외부전극(53)이 배치되어 있다.
실시형태 4의 T형 LC필터에 있어서는, 인덕터부(12,13)를 구성하는 자성체층의 구성재료로서, 실시형태 1∼3에서 그 제조방법을 설명한 빈구멍을 갖는 페라이트 재료가 이용되고 있고, 커패시터부(14)에는 유전체 세라믹 재료가 이용되고 있다.
이 T형 LC필터에 있어서는, 인덕터부(12,13)를 구성하는 자성체층의 구성재료로서, 빈구멍을 갖는 유전율이 낮은 페라이트 재료가 이용되고 있기 때문에, 고주파에서의 노이즈 감쇠 특성이 우수한 필터를 얻을 수 있다.
또한, 이 T형 필터는, 자성체 재료로서 이용되고 있는 빈구멍을 포함하는 페라이트 재료는, 빈구멍 내에 충전된 수지나 유리 등에 의해 보강되어, 우수한 항절 강도를 갖고 있기 때문에, 충분한 신뢰성을 구비하고 있다.
실시형태 4에서는, T형 LC필터를 예로 들어 설명하였지만, 본 발명의 페라이트 재료를 이용한 인덕터부와 저항부를 조합한 LR 복합 전자부품, 인덕터부와 커패시터부와 저항부를 조합한 LCR 복합 전자부품 등을 제조하는 것도 가능하다.
상기 각 실시형태에서는, 소실재로서, 가교 폴리스티렌으로 이루어지는 소실재를 이용한 경우에 대하여 설명하였으나, 그 외의 소실성 재료로 이루어지는 소실재를 이용하는 것도 가능하다.
또한, 상기 실시형태에서는, 소실재로서, 구형상의 소실재를 이용하고 있지만, 구형상의 것으로 한하지 않고, 파우더 형상의 소실재를 이용하는 것도 가능하다.
또한, 상기 실시형태에서는, 세라믹 소결체를 구성하는 재료가, Ni-Zn-Cu계 페라이트 재료인 경우를 예로 들어 설명하였으나, 다른 페라이트 재료를 이용하는 경우나, 페라이트 이외의 재료를 이용하는 경우에도 본 발명을 적용하는 것이 가능하다.
본 발명은, 그 외의 점에 있어서도, 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니고, 세라믹 소결체의 빈구멍에 충전시키는 수지 또는 유리의 종류, 수지 또는 유리를 충전시키는 방법, 소실재를 소실시키기 위한 소성 조건 등에 관하여, 발명의 범위내에 있어서, 여러가지 응용, 변형을 가하는 것이 가능하다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 세라믹 전자부품은, 그 본체를 구성하는 세라믹 소결체에 35∼80vol%의 비율로 빈구멍을 포함시킴과 동시에, 그 빈구멍에 수지 또는 유리를 충전시키기 때문에, 세라믹 소결체의 강도 저하를 초래하지 않고 유전율을 저하시키는 것이 가능해지고, 부유 용량의 발생을 억제하는 것이 가능해진다.
즉, 세라믹 소결체에 있어서의 빈구멍의 비율이 35∼80vol%이기 때문에, 세라믹 소결체의 세라믹 그레인의 연속성(특히 자성체 세라믹의 경우는 자로의 연속성)을 확보하여, 세라믹 소결체의 전기 특성(특히 자성체 세라믹의 경우는 자성 특성)을 크게 저하시키지 않고, 세라믹 소결체의 유전율을 대폭 저하시키는 것이 가능해진다. 또한, 세라믹 소결체의 빈구멍에 수지 또는 유리를 충전하고 있기 때문에, 세라믹 소결체의 강도를 확보하는 것이 가능해진다. 따라서, 고주파 영역에 있어서의 임피던스 특성이 우수하고, 또한, 기계적 강도가 크고 신뢰성이 높은 세라믹 전자부품을 얻는 것이 가능해진다.
또한, 본 발명의 세라믹 전자부품의 제조방법에 따르면, 상기의 세라믹 전자부품을 재현성 좋게 제조할 수 있다.
Claims (15)
- 35∼80vol%의 비율로 빈구멍(空孔)을 포함하는 세라믹 소결체와,상기 세라믹 소결체의 내부에 배치된 전극을 구비하고,상기 세라믹 소결체의 상기 빈구멍에, 수지 또는 유리가 충전되어 있는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품.
- 제1항에 있어서, 상기 세라믹 소결체는 세라믹 원료와, 바인더와, 구형상 또는 파우더 형상으로 상기 바인더에 대한 접착성을 갖는 소실재(燒失材)를 배합하여 이루어지는 배합 세라믹 원료의 성형체를 소성함으로써 형성된 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품.
- 제1항에 있어서, 상기 빈구멍에 충전된 수지 또는 유리 중에, 부가적으로 빈구멍이 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품.
- 제1항에 있어서, 상기 세라믹 소결체가 자성체 세라믹인 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품.
- 제1항에 있어서, 상기 세라믹 전자부품은 인덕터, 인덕터부와 커패시터부를 조합한 LC 복합 전자부품, 인덕터부와 저항을 조합한 LR 복합 전자부품, 또는, 인 덕터부와 커패시터부와 저항을 조합한 LCR 복합 전자부품인 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품.
- 제1항에 있어서, 복수의 세라믹층 사이에 전극층을 배치한 적층구조를 갖는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품.
- 제1항에 있어서, 상기 빈구멍의 평균직경은 5∼20㎛인 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품.
- 제1항에 있어서, 상기 세라믹 소결체의 표면이 상기 수지 또는 유리로 피복되어 있는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품.
- 세라믹 소결체의 내부에 전극이 배치된 구조를 갖는 세라믹 전자부품의 제조방법으로서,세라믹 원료와, 바인더와, 구형상 또는 파우더 형상으로 상기 바인더에 대한 접착성을 갖는 소실재를 배합한 배합 세라믹 원료를 이용하여, 내부에 전극이 배치된 성형체를 형성하는 공정과,상기 성형체를 소성함으로써, 35∼80vol%의 빈구멍을 포함하고, 또한 내부에 전극이 배치된 세라믹 소결체를 형성하는 공정과,상기 세라믹 소결체의 상기 빈구멍에 수지 또는 유리를 충전시키는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품의 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기 소실재가 가교 폴리스티렌, 가교 폴리메타크릴산메틸, 가교 폴리메타크릴산부틸, 가교 폴리메타크릴산에스테르, 가교 폴리아크릴산에스테르로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종을 주성분으로 하는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품의 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기 세라믹 소결체의 상기 빈구멍에 수지 또는 유리를 충전시키는 공정에 있어서,상기 수지 또는 유리로서, 용제 또는 희석제를 배합한 수지 또는 유리를 이용하여, 상기 빈구멍에 수지 또는 유리를 충전한 후에, 상기 용제 또는 희석제를 휘발시킴으로써, 수지 또는 유리 중에 부가적으로 빈구멍을 형성하는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품의 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기 세라믹 소결체의 상기 빈구멍에 수지 또는 유리를 충전시키는 공정에 있어서,상기 수지 또는 유리로서, 용제에 의해 일부를 용출시킬 수 있는 수지 또는 유리를 이용하여, 상기 빈구멍에 상기 수지 또는 유리를 충전한 후에, 용제에 의해 수지 또는 유리의 일부를 용출시켜서 제거함으로써, 상기 수지 또는 유리 중에 부가적으로 빈구멍을 형성하는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품의 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기 세라믹 원료로서 자성체 세라믹 원료를 이용하는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품의 제조방법.
- 제9항에 있어서, 인덕터, 인덕터부와 커패시터부를 조합한 LC 복합 전자부품, 인덕터부와 저항을 조합한 LR 복합 전자부품, 또는 인덕터부와 커패시터부와 저항을 조합한 LCR 복합 전자부품을 제조하기 위하여 이용되는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품의 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기 성형체를, 상기 배합 세라믹 원료로 이루어지는 세라믹 그린 시트 상에 전극층을 형성하고, 전극층을 구비한 세라믹 그린 시트를 복수개 적층함으로써 제작하는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품의 제조방법.
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7075774B2 (en) * | 2002-09-10 | 2006-07-11 | Tdk Corporation | Multilayer capacitor |
| JP3870936B2 (ja) * | 2003-07-14 | 2007-01-24 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
| US7251120B2 (en) * | 2003-09-30 | 2007-07-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Monolithic ceramic electronic component and method for making the same |
| JP4483508B2 (ja) * | 2004-07-27 | 2010-06-16 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層型電子部品の製造方法 |
| BRPI0710402A2 (pt) * | 2006-04-20 | 2011-08-09 | Du Pont | processos objetos laminados e subtrato rrevestido a seco |
| JP4400612B2 (ja) * | 2006-10-31 | 2010-01-20 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層コンデンサ、および積層コンデンサの製造方法 |
| JP4626605B2 (ja) * | 2006-11-07 | 2011-02-09 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサ |
| JP5038950B2 (ja) * | 2007-07-24 | 2012-10-03 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層電子部品およびその製造方法 |
| EP2019395B1 (en) * | 2007-07-24 | 2011-09-14 | TDK Corporation | Stacked electronic part and method of manufacturing the same |
| KR100887124B1 (ko) * | 2007-08-06 | 2009-03-04 | 삼성전기주식회사 | 적층형 칩 커패시터 |
| JP4650475B2 (ja) * | 2007-10-18 | 2011-03-16 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサアレイ |
| KR100992286B1 (ko) * | 2008-10-10 | 2010-11-05 | 삼성전기주식회사 | 적층형 칩 커패시터 |
| JP5187858B2 (ja) * | 2009-01-22 | 2013-04-24 | 日本碍子株式会社 | 積層型インダクタ |
| CN102234187B (zh) * | 2010-04-29 | 2013-10-30 | 比亚迪股份有限公司 | 一种陶瓷复合材料及其制备方法 |
| US20120169444A1 (en) * | 2010-12-30 | 2012-07-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Laminated inductor and method of manufacturing the same |
| JP5843009B2 (ja) | 2012-06-15 | 2016-01-13 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペースト、ならびに積層セラミック電子部品およびその製造方法 |
| US9761553B2 (en) * | 2012-10-19 | 2017-09-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Inductor with conductive trace |
| KR101994722B1 (ko) * | 2013-10-14 | 2019-07-01 | 삼성전기주식회사 | 적층형 전자부품 |
| KR101539857B1 (ko) * | 2013-10-18 | 2015-07-27 | 삼성전기주식회사 | 복합 전자부품 및 그 실장 기판 |
| KR101514554B1 (ko) * | 2013-10-18 | 2015-04-22 | 삼성전기주식회사 | 복합 전자부품 및 그 실장 기판 |
| KR101548808B1 (ko) * | 2013-10-24 | 2015-08-31 | 삼성전기주식회사 | 복합 전자부품 및 그 실장 기판 |
| KR101558075B1 (ko) * | 2014-01-27 | 2015-10-06 | 삼성전기주식회사 | 복합 전자부품 및 그 실장 기판 |
| KR102004782B1 (ko) * | 2014-02-04 | 2019-07-29 | 삼성전기주식회사 | 복합 전자부품 및 그 실장 기판 |
| JP6206349B2 (ja) * | 2014-07-08 | 2017-10-04 | 株式会社村田製作所 | インダクタ部品およびその製造方法 |
| KR102217286B1 (ko) * | 2015-04-01 | 2021-02-19 | 삼성전기주식회사 | 하이브리드 인덕터 및 그 제조방법 |
| CN105555080B (zh) * | 2015-12-17 | 2018-10-09 | 北京赛乐米克材料科技有限公司 | 一种用于电子设备的陶瓷部件及其制造方法 |
| JP6508126B2 (ja) * | 2016-05-26 | 2019-05-08 | 株式会社村田製作所 | コイル部品 |
| JP7042495B2 (ja) | 2016-06-23 | 2022-03-28 | アダマンド並木精密宝石株式会社 | セラミックス複合体及びそのセラミックス複合体の製造方法 |
| KR102691324B1 (ko) * | 2016-09-26 | 2024-08-05 | 삼성전기주식회사 | 인덕터 |
| JP6250125B2 (ja) * | 2016-10-27 | 2017-12-20 | 太陽誘電株式会社 | 電子部品 |
| KR20180058634A (ko) | 2016-11-24 | 2018-06-01 | 티디케이가부시기가이샤 | 전자 부품 |
| JP6575773B2 (ja) * | 2017-01-31 | 2019-09-18 | 株式会社村田製作所 | コイル部品、及び該コイル部品の製造方法 |
| US10923417B2 (en) | 2017-04-26 | 2021-02-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Integrated fan-out package with 3D magnetic core inductor |
| JP7044508B2 (ja) | 2017-09-29 | 2022-03-30 | 太陽誘電株式会社 | 磁気結合型コイル部品 |
| JP7032214B2 (ja) | 2018-04-02 | 2022-03-08 | 株式会社村田製作所 | 積層型コイル部品 |
| JP6954217B2 (ja) * | 2018-04-02 | 2021-10-27 | 株式会社村田製作所 | 積層型コイル部品 |
| CN108598061B (zh) * | 2018-05-04 | 2020-09-01 | 上海交通大学 | 一种陶瓷转接板结构及其制造方法 |
| JP7555705B2 (ja) * | 2019-12-11 | 2024-09-25 | Tdk株式会社 | コイル部品 |
| JP7597519B2 (ja) | 2020-04-20 | 2024-12-10 | 株式会社村田製作所 | コイル部品及びコイル部品の製造方法 |
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| CN114920556B (zh) * | 2022-06-09 | 2022-11-29 | 潮州三环（集团）股份有限公司 | 一种陶瓷浆料及其制备的多层陶瓷电容器 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS6226886A (ja) | 1985-07-26 | 1987-02-04 | イビデン株式会社 | セラミツクス質複合体からなる電子回路用基板 |
| JPS61281088A (ja) | 1985-05-31 | 1986-12-11 | イビデン株式会社 | 機械加工性に優れたセラミツク複合体 |
| JPH0787226B2 (ja) | 1987-02-25 | 1995-09-20 | 株式会社村田製作所 | 低誘電率絶縁体基板 |
| JP2700978B2 (ja) | 1992-09-14 | 1998-01-21 | ティーディーケイ株式会社 | 電子部品及びその製造方法 |
| JPH0714717A (ja) | 1993-06-23 | 1995-01-17 | Taiyo Yuden Co Ltd | インダクタなどの電子部品と、その製造方法 |
| JPH07101740A (ja) | 1993-09-30 | 1995-04-18 | Taiyo Yuden Co Ltd | 多孔質ガラスセラミックの製造方法 |
| JPH1092644A (ja) | 1996-09-13 | 1998-04-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップインダクタおよびその製造方法 |
| JP3204933B2 (ja) | 1997-08-20 | 2001-09-04 | 太陽誘電株式会社 | セラミック電子部品とその製造方法 |
| JP2001114569A (ja) * | 1999-10-20 | 2001-04-24 | Murata Mfg Co Ltd | セラミックスラリー組成物、セラミックグリーンシート及び積層セラミック電子部品の製造方法 |
-
2003
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160071956A (ko) * | 2014-12-12 | 2016-06-22 | 삼성전기주식회사 | 칩 전자부품 및 그 제조방법 |
| KR102052767B1 (ko) * | 2014-12-12 | 2019-12-09 | 삼성전기주식회사 | 칩 전자부품 및 그 제조방법 |
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