KR100521895B1 - Lowpass Filter Using CPW Structure with Inductive Etched Hole - Google Patents
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Abstract
본 발명은 무선통신 시스템에 사용되는 저역통과 필터에 관한 것으로, 특히 CPW(Coplanar Waveguide) 전송선로에 병렬 인덕턴스 성분을 가지는 식각된 홀 배열 구조를 갖는 광대역 저역통과 필터에 관한 것이다.The present invention relates to a low pass filter used in a wireless communication system, and more particularly, to a broadband low pass filter having an etched hole array structure having parallel inductance components in a coplanar waveguide (CPW) transmission line.
Description
본 발명은 무선통신 시스템에 사용되는 저역통과 필터에 관한 것으로, 특히 CPW(Coplanar Waveguide; 이하 CPW라 함) 전송선로에 병렬 인덕턴스 성분을 가지는 식각된 홀 배열 구조를 이용한 광대역 저역통과 필터에 관한 것이다.The present invention relates to a low pass filter used in a wireless communication system, and more particularly, to a broadband low pass filter using an etched hole array structure having parallel inductance components in a CPW transmission line.
위성통신과 이동통신 등의 무선통신이 발달하면서 주파수대역의 사용이 다양해지고 세분화되면서 저역통과 필터는 크기의 소형화, 우수한 주파수 차단특성과 넓은 저지대역의 구현이 요구되고 있다.As wireless communication such as satellite communication and mobile communication develops, the use of frequency bands is diversified and subdivided. Therefore, low pass filters are required to be miniaturized in size, excellent in frequency cutoff characteristics and wide stopband.
상기 저역통과 필터는 전송선로에 병렬의 스터브를 구현하거나, 스텝 임피던스 선로를 이용하는 방법, 그리고 PBG(Photonic Bandgap) 구조를 이용하여 구현하는 방법등이 이용되고 있다.As the low pass filter, a parallel stub is implemented in a transmission line, a step impedance line method, and a PBG (Photonic Bandgap) structure are used.
그러나 상기 병렬 스터브, 스텝 임피던스 선로(SIL) 그리고 PBG 구조를 이용한 방법들은 필터의 단위 셀을 간격으로 배열하고, 필터의 저지대역 특성의 향상을 위해서는 단위셀의 배열 주기를 최소 5~6주기로 배열하여야 한다. 상기 배열의 주기수를 늘리는 것은 다중반사를 증가시키기 때문에 저지대역의 삽입손실을 증가시켜 차단주파수에서의 주파수 차단특성과 저지대역 특성을 향상시키지만, 전체 구조의 크기가 증가하게 되고, 저지대역폭을 증가시키는 것에도 한계가 있다는 문제점이 있었다.However, the method using the parallel stub, step impedance line (SIL) and PBG structure is the unit cell of the filter It is arranged at intervals, and in order to improve the stopband characteristics of the filter, an array cycle of unit cells should be arranged at least 5 to 6 cycles. Increasing the number of cycles of the array increases the multiple reflections, which increases the insertion loss of the stopband, thereby improving the frequency blocking and stopping band characteristics at the cutoff frequency, but increasing the size of the entire structure and increasing the stopband width. There was a problem in that there is a limit.
이에 따라 저지대역폭을 확장시키기 위해 서로 다른 저지대역 주파수를 가지는 두 가지 구조의 DGS(Defected Ground Structure)를 전송선로에 병렬로 교차 배열함으로써 각각의 구조에 의한 저지대역특성을 결합하여 저지대역폭을 증가시키는 방법이 제시되었다. 그러나 상기 구조는 저지대역 폭을 증가시키기는 하지만 배열의 주기수를 감소시키지는 못하므로 크기의 소형화가 요구되는 마이크로파 회로에 응용하기에는 많은 문제점을 가지고 있다.Accordingly, by arranging two structures of DGS (Defected Ground Structures) having different stopband frequencies in parallel to the transmission line to expand the stopband, the stopband characteristics of each structure are combined to increase the stopband. The method was presented. However, since the structure increases the stopband width but does not reduce the number of cycles of the array, there are many problems in the application to microwave circuits requiring miniaturization of size.
마이크로파 필터와 관련해서 마이크로스트립 전송선로에 대한 연구는 활발하게 진행되고 있지만, CPW 전송선로에 대한 연구는 미흡한 실정이다. 상기 CPW 전송선로는 마이크로스트립 전송선로에 비하여 동일 평면에 일차원으로 구조가 형성되므로 제작이 용이하고 능동소자와 결합 또는 병렬 연결시 동일 평면에 접지면이 존재하므로 비아 홀이 필요하지 않다는 장점이 있다.Research on the microstrip transmission line has been actively conducted in relation to the microwave filter, but studies on the CPW transmission line are insufficient. Since the CPW transmission line has a structure formed in one dimension on the same plane as compared to the microstrip transmission line, it is easy to manufacture and there is no need for a via hole because a ground plane exists on the same plane when coupled to or paralleled with an active element.
따라서 본 발명에서는 CPW 저역통과 필터의 전송선로에 길이의 식각된 홀을 간격으로 배열하여 저역통과 필터의 구조를 감소시키고 스텝 임피던스 선로를 결합하여 광대역의 저지대역을 가지는 저역통과 필터를 제공함으로써 주파수 차단 특성을 향상시키고, 광대역의 저지대역 특성을 갖도록 하는 것을 목적으로 한다.Therefore, in the present invention, the transmission line of the CPW lowpass filter An etched hole of length It is aimed to reduce the structure of the low pass filter by arranging at intervals, and to combine the step impedance lines to provide a low pass filter having a wide band stop band, thereby improving frequency blocking characteristics and having a wide band stop band characteristic.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 기판의 중앙부분을 식각하여 형성된 전송선로를 갖는 CPW 저역통과 필터에 있어서, 상기 전송선로를 중심으로 상하부에 형성된 상부 접지면 및 하부 접지면 각각에 일정한 간격으로 이격되도록 식각에 의해 형성된 두 개의 직사각형 형태의 식각홀들과; 상기 각각의 식각홀들과 전송선로의 인접부에 식각홀이 개방되도록 형성된 슬롯을 포함하는 것을 특징으로 하는 인덕턴스 성분의 식각홀을 이용한 CPW 저역통과 필터를 제공한다. In order to achieve the above object, the present invention provides a CPW low-pass filter having a transmission line formed by etching a center portion of a substrate, wherein the upper and lower ground planes formed at upper and lower sides of the transmission line are spaced at regular intervals. Two rectangular etching holes formed by etching; Provided is a CPW low pass filter using an etch hole of the inductance component, characterized in that it comprises a slot formed to open the etch hole in the adjacent portions of each of the etching holes and the transmission line.
이하, 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도1은 50Ω CPW 전송선로 상하부에 일정거리 이격되어 있는 접지면에 식각된 홀들을 형성한 CPW 저역통과 필터를 나타낸 것으로, CPW 저역필터를 형성하기 위한 기판의 중앙부분을 식각하여 중앙에 전송선로(11)를 형성하고, 상기 전송선로(11)를 중심으로 상하부에 접지면(12,13)을 형성한다. 다음에 상기 상부 접지면(12)과 하부 접지면(13)에 각각 길이 a와 폭 b를 갖는 두 개의 직사각형 형태의 식각된 홀들(14,14',15,15')을 형성하고, 상기 각각의 식각된 홀들(14,14',15,15')과 전송선로(11)의 인접부에 식각된 홀이 개방되도록 길이 g와 폭 c를 갖는 슬롯(16,16',17,17')을 형성한다.1 illustrates a CPW low pass filter in which holes are etched in a ground plane spaced a predetermined distance from a top and a bottom of a 50Ω CPW transmission line. The CPW low pass filter is formed by etching a central portion of a substrate for forming a CPW low pass filter. 11) and the ground planes 12 and 13 are formed at the upper and lower sides of the transmission line 11. Next, two rectangular etched holes 14, 14 ', 15 and 15' having a length a and a width b are formed in the upper ground plane 12 and the lower ground plane 13, respectively. Slots 16, 16 ', 17, 17' having a length g and a width c so as to open the etched holes 14, 14 ', 15, 15' and the etched holes in the vicinity of the transmission line 11. To form.
상기 식각된 홀의 길이 a는 설계 공진주파수의 인 크기로 형성하는데, 상기 길이 a를 결정하기 위해 설계주파수를 이라 할때, CPW의 파장 길이 는 다음 수학식들에 의해 구할 수 있다.The length a of the etched hole is the design resonance frequency It is formed to a size of phosphorus, the design frequency to determine the length a In this case, the wavelength of the CPW Can be obtained by the following equations.
여기서, , 는 타원 적분(elliptic integral) 변수이고, W는 전송선의 폭이며, G는 전송선과 접지면 사이의 간격을 나타낸다. 이때 실효유전율 는 수학식3과 같이 나타낸다.here, , Is the elliptic integral variable, W is the width of the transmission line, and G is the distance between the transmission line and the ground plane. Where the effective dielectric constant Is expressed as in Equation 3.
상기 수학식3에서 E는 타원 적분 함수이며, 수학식4와 같이 나타낸다.In Equation 3, E is an elliptic integration function and is expressed as Equation 4.
이때, CPW 선로의 파장길이 가 마이크로스트립 선로에서와 같다고 가정하면 수학식5와 같이 구할 수 있다.At this time, the wavelength of the CPW line Assuming that is the same as that of the microstrip line, it can be obtained as shown in Equation 5.
여기서, 는 빛의 속도( m/s)이다,here, Is the speed of light ( m / s),
또한, 상기 슬롯의 폭 g는 갭 캐패시턴스가 되고, 식각된 홀의 길이 a와 폭 b는 병렬 인덕턴스로 등가화시킬 수 있다. 그러므로 식각된 홀은 CPW 전송선로에서 병렬 LC 등가회로가 된다.In addition, the width g of the slot may be a gap capacitance, and the length a and the width b of the etched hole may be equivalent to parallel inductance. The etched hole thus becomes a parallel LC equivalent circuit in the CPW transmission line.
따라서, 본 발명은 저역통과 필터에서 공진주파수의 길이를 가지는 식각된 홀의 간격 d를 설계 공진주파수의 로 배열하여 필터의 크기를 감소시키고 주파수 차단 특성을 향상시킬 수 있다.Thus, the present invention is directed to the resonant frequency of the lowpass filter. The distance d of the etched hole with the length It can be arranged in order to reduce the size of the filter and improve the frequency blocking characteristic.
다음에 도2는 본 발명에 따른 인덕턴스 성분의 식각된 홀과 스텝 임피던스를 이용한 CPW 저역통과 필터를 나타낸 것으로, 도1의 구조에 각 접지면에 형성된 두 홀들의 양단 거리 Ls와 같은 스텝 임피던스 선로를 연결한 것이다. 2 shows a CPW low pass filter using an etched hole and step impedance of an inductance component according to the present invention, and a step impedance line equal to the distance Ls between both holes formed in each ground plane in the structure of FIG. It is connected.
즉, 기판의 중앙부분을 식각하여 중앙에 전송선로(21)를 형성하면서, 중간 부분은 양단의 전송선로(21)보다 폭을 크게 하여 스텝 임피던스 선로(28)를 형성하여 상기 전송선로(21)를 중심으로 상하부에 접지면(22,23)이 형성되도록 한다. 다음에 상기 상부 접지면(22)과 하부 접지면(23)에 도1에서 설명한 바와 같이 각각 길이 a와 폭 b를 갖는 두 개의 직사각형 형태의 식각된 홀들(24,24',25,25')을 형성하고, 상기 각각의 식각홀들(24,24',25,25')과 스텝 임피던스 선로(28)의 인접부에 식각된 홀이 개방되도록 길이 g와 폭 c를 갖는 슬롯들(26,26',27,27')을 형성한다.That is, while forming the transmission line 21 at the center by etching the central portion of the substrate, the middle portion is formed to have a step impedance line 28 by making the width larger than the transmission line 21 of both ends to form the transmission line 21 The ground planes 22 and 23 are formed at the upper and lower sides thereof. Next, two rectangular etched holes 24, 24 ', 25, and 25' are formed in the upper ground plane 22 and the lower ground plane 23, respectively, having a length a and a width b as described in FIG. Slots 26 having a length g and a width c so as to open the etched holes adjacent to the respective etching holes 24, 24 ′, 25 and 25 ′ and the step impedance line 28. 26 ', 27, 27').
상기 식각된 홀을 간격으로 배열한 CPW 저역통과 필터의 전송선로에 낮은 특성 임피던스를 가지는 스텝 임피던스 선로(28)를 결합함으로써 확장된 저지대역을 얻을 수 있다.The etched hole An extended stopband can be obtained by combining the step impedance line 28 having a low characteristic impedance with the transmission lines of the CPW low pass filters arranged at intervals.
이하, 실시예를 들어 본 발명의 인덕턴스 성분의 식각된 홀과 스텝 임피던스 선로(SIL)를 이용한 CPW 저역통과 필터의 특성에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, the characteristics of the CPW low pass filter using the etched hole and the step impedance line SIL of the inductance component of the present invention will be described.
상기 본 발명의 CPW 저역통과 필터는 비유전률 = 10.2이며, 두께 h=0.635mm인 기판을 사용하였으며, CPW 전송선로는 폭 W=2mm, 상하 접지면과 전송선의 간격 G=0.5mm로 하여 50Ω의 특성 임피던스를 이루도록 하였다.The CPW lowpass filter of the present invention has a relative dielectric constant A substrate with a thickness of 10.2 and a thickness of h = 0.635 mm was used. The CPW transmission line was W = 2 mm wide and the gap G = 0.5 mm between the upper and lower ground planes and the transmission line to achieve a characteristic impedance of 50 Ω.
도3은 도1의 CPW 저역통과 필터에서 식각된 홀(14,14',15,15')의 길이 a의 변화에 따른 특성을 나타낸 것으로, 폭 b를 7.5mm로 하였을 경우 길이 a가 증가함에 따라서 저지대역 주파수가 낮은 주파수로 내려감을 나타낸 것이다. 상기 식각된 홀의 길이는 저지대역 주파수에서의 로서 수학식 3과 수학식 5로부터 설계 주파수에 따른 식각된 홀의 길이 a를 결정할 수 있다.FIG. 3 shows characteristics of the length a of the holes 14, 14 ', 15, and 15' etched in the CPW low-pass filter of FIG. 1, and the width a increases when the width b is 7.5 mm. Therefore, the stopband frequency is lowered to a lower frequency. The length of the etched hole is at the stopband frequency The length a of the etched hole according to the design frequency can be determined from Equation 3 and Equation 5.
다음에 도4는 도1의 CPW 저역통과 필터에서 식각된 홀의 폭 변화에 따른 특성을 나타낸 것으로, 식각된 홀의 길이 a가 설계 주파수의 인 7.5mm, 식각된 홀과 CPW 전송선로를 연결하는 사각형 슬롯의 폭 g=2.5mm, 길이 c=0.05mm로 고정하였을 경우 폭이 증가함에 따라 저지대역의 대역폭이 증가함을 알 수 있다. 상기 폭 b가 증가함으로써 접지면의 복귀 전류의 흐름을 증가시켜 선로 인덕턴스가 증가하게 된다. 병렬 공진회로의 대역폭은 수학식6과 같이 나타낼 수 있다.Next, FIG. 4 shows the characteristic of the width of the etched hole in the CPW lowpass filter of FIG. 1, wherein the length a of the etched hole Is fixed to 7.5mm, the width of the square slot connecting the etched hole and the CPW transmission line g = 2.5mm, the length c = 0.05mm can be seen that the bandwidth of the stopband increases as the width increases. As the width b increases, the line inductance increases by increasing the flow of return current to the ground plane. The bandwidth of the parallel resonant circuit can be expressed as shown in Equation 6.
여기서, 는 전송선로의 특성 임피던스이다. 그러므로 폭 b에 따른 선로 인덕턴스의 증가는 LC 공진회로의 대역폭을 증가시킨다. 도1에 도시된 CPW 저역통과 필터에서는 식각된 홀에 비해 슬롯의 폭 g는 넓고 길이 c가 짧으므로 전체 LC 공진회로에서 슬롯에 의한 캐패시턴스는 인덕턴스에 비교하여 적어지게 되어 전체회로 동작은 인덕턴스의 영향이 지배적이게 된다.here, Is the characteristic impedance of the transmission line. Therefore, increasing the line inductance along the width b increases the bandwidth of the LC resonant circuit. In the CPW low pass filter shown in FIG. This becomes dominant.
다음에 도5는 도1의 50Ω CPW 전송선로의 저역통과 필터와 도2의 스텝 임피던스 선로(SIL)가 삽입된 저역통과 필터의 삽입손실의 변화를 나타낸 것으로, 상기 식각된 홀의 길이 a와 폭 b가 7.5mm이고, 간격 d가 일 경우 4.7GHz에서 감쇠극(attenuation pole)이 형성된다. 상기 식각홀의 간격 d가 식각된 단일 홀의 공진주파수의 보다 길어지게 되면 공진 주파수보다 낮은 주파수에서 공진 피크(resonant peak)가 발생하게 되고, 간격이 보다 줄어들면서 공진 피크는 높은 주파수로 이동하게 된다.5 shows changes in insertion loss of the low pass filter in which the low pass filter of the 50Ω CPW transmission line of FIG. 1 and the step impedance line SIL of FIG. 2 are inserted, and the length a and width b of the etched hole are shown. Is 7.5mm and the spacing d is In this case, an attenuation pole is formed at 4.7 GHz. The interval d of the etching hole is the resonance frequency of the single hole etched. If it becomes longer, a resonant peak occurs at a frequency lower than the resonant frequency. As it decreases, the resonance peak shifts to higher frequencies.
상기와 같은 결과는 도4에 도시된 식각된 단일 홀 구조의 이차 통과 대역이 되는 주파수인 9GHz와 유사하게 된다. 또한, 도5에서 간격 d가 로 감소하면서 공진 피크는 높은 주파수로 이동하는 반면, 감쇠극은 낮은 주파수로 이동하게 되는 것을 알 수 있다. 상기 식각홀들의 간격 d가 감소하면서 식각된 홀들 사이의 거리가 가까워지고 이로 인해 홀 사이의 커플링이 증가하게 된다. 상기 커플링의 증가로 감쇠극은 낮은 주파수로 이동하게 되며, 차단 주파수는 간격 배열보다 가파른 주파수 차단 특성을 가지게 된다. 또한 식각된 홀을 간격으로 배열한 저역통과 필터에 스텝 임피던스 선로를 삽입함으로써 저지대역이 확장됨을 알 수 있다. 저역통과 필터에서 식각된 홀은 높은 임피던스를 가지게 된다. 식각된 홀과 전송선의 임피던스의 차이를 크게 하기 위해 스텝 임피던스 선로는 낮은 특성 임피던스를 가지도록 하고, 최적화된 스텝 임피던스 선로의 길이는 로 한다. 스텝 임피던스 선로를 삽입함으로써 8~9GHz에서 발생하는 이차 통과대역을 억제시켜 광대역의 저지대역 특성을 이루게 된다. 그러므로 식각된 홀을 간격으로 배열하고 스텝 임피던스 선로를 삽입함으로써 식각된 홀의 배열 수를 증가시키지 않고도 우수한 광대역의 저지대역 특성을 얻을 수 있고, 저역통과 필터의 전체 크기를 감소시킬 수 있다.The result is similar to 9 GHz, which is a frequency used as a secondary pass band of the etched single hole structure shown in FIG. 5, the interval d is It can be seen that the resonance peak moves at a high frequency while decreasing, while the attenuation pole is moved at a low frequency. As the spacing d of the etching holes decreases, the distance between the etched holes approaches, thereby increasing the coupling between the holes. As the coupling increases, the attenuation pole moves to a lower frequency, and the cutoff frequency It has a steeper frequency cutoff characteristic than the spacing. Also the etched hall It can be seen that the stopband is extended by inserting step impedance lines into the low pass filters arranged at intervals. The holes etched in the lowpass filter will have high impedance. To increase the difference between the etched hole and the transmission line, the step impedance line should have a low characteristic impedance, and the optimized step impedance line length should be Shall be. By inserting the step impedance line, the secondary passband generated at 8 ~ 9GHz is suppressed to achieve the broadband stopband characteristics. Therefore, the etched hole By spacing and inserting step impedance lines, good broadband stopband characteristics can be obtained without increasing the number of etched holes, and the overall size of the lowpass filter can be reduced.
도 6은 도 2의 CPW 저역통과 필터의 S-파라메터 특성을 나타내었다. 상기 S-파라메터의 특성을 살펴보면 도1에서 간격 d를 간격으로 배열한 구조와 비교하여 차단 주파수에서의 주파수 차단 특성과 저지대역폭이 확장되어 삽입손실 -20dB를 기준으로 약 3GHz에서 14GHz까지 광대역의 저지대역을 이루고 있음을 알수 있다.FIG. 6 shows the S-parameter characteristics of the CPW lowpass filter of FIG. 2. Looking at the characteristics of the S-parameter, the interval d in FIG. Compared with the structure arranged in intervals, the frequency cut-off characteristic and stop band width at cut-off frequency are extended, and it can be seen that the stop band is wideband from about 3GHz to 14GHz based on the insertion loss of -20dB.
본 발명에 따른 CPW 저역통과 필터는 1.8GHz에서 3dB의 차단 주파수를 가지고 저지대역폭은 삽입손실이 -20dB를 기준으로 약 3GHz에서 14GHz까지 광대역을 이루었다. 결과는 식각된 홀을 간격으로 배열하였을 경우와 비교하여 2배 이상의 확장된 저지대역폭을 형성하였다.The CPW lowpass filter according to the present invention has a cutoff frequency of 3dB at 1.8GHz and the stopband has a broadband of about 3GHz to 14GHz based on an insertion loss of -20dB. The result is an etched hole Compared to the case of arranging at intervals, an extended stop bandwidth of 2 times or more was formed.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 병렬 인덕턴스 성분의 식각된 홀과 스텝 임피던스를 이용한 CPW 저역통과 필터는 설계 공진주파수의 의 길이를 가지는 식각된 홀을 간격으로 배열하여 식각된 홀 사이의 커플링을 증가시켜 주파수 차단특성을 향상시키고, 스텝 임피던스 선로를 전송선로에 연결함으로써 간격 배열구조에서 발생하는 이차 통과 대역을 억제시켜 일차 저지대역에서 이차 저지대역을 연결하는 광대역의 저지대역 특성을 얻을 수 있다.As described above, the CPW lowpass filter using the etched hole and step impedance of the parallel inductance component according to the present invention has a design resonance frequency. Etched hole with length of By increasing the coupling between the etched holes arranged at intervals to improve the frequency cutoff characteristics, and by connecting the step impedance line to the transmission line By suppressing the secondary pass band generated in the spacing arrangement structure, it is possible to obtain the stopband characteristics of the wide band connecting the secondary stop band from the primary stop band.
또한, 식각된 홀의 배열간격을 로 배열하고, 식각된 홀을 2주기 배열만으로 제조하여 식각된 홀의 배열 수를 증가시키지 않고도 주파수 차단 특성을 향상시켜 저역통과 필터 구조의 크기를 감소시킬 수 있으며, 1.8GHz에서 3dB의 차단 주파수를 가지고 저지대역폭은 삽입손실 -20dB를 기준으로 약 2 GHz에서 14GHz까지의 광대역의 저지대역을 이룬다.Also, the spacing of the etched holes By manufacturing the etched holes in a 2-cycle array only, it is possible to reduce the size of the lowpass filter structure by improving the frequency blocking characteristics without increasing the number of etched holes, and having a cutoff frequency of 1.8dB at 1.8GHz. The stopband is a broadband stopband from about 2 GHz to 14 GHz with an insertion loss of -20 dB.
도1은 인덕턴스 성분의 식각된 홀을 이용한 50Ω CPW 전송선로의 저역통과 필터를 나타낸 도면.1 shows a lowpass filter of a 50Ω CPW transmission line using etched holes of inductance components.
도2는 본 발명에 따른 인덕턴스 성분의 식각된 홀과 스텝 임피던스 선로가 삽입된 CPW 저역통과 필터를 나타낸 도면.Figure 2 shows a CPW lowpass filter inserted with an etched hole and step impedance line of inductance components in accordance with the present invention.
도3은 도1의 CPW 저역통과 필터에서 식각된 단일 홀의 길이 a의 변화에 따른 삽입손실 변화를 나타낸 그래프.FIG. 3 is a graph showing a change in insertion loss according to a change in length a of a single hole etched in the CPW low pass filter of FIG.
도4는 도1의 CPW 저역통과 필터에서 식각된 단일 홀의 폭 b의 변화에 따른 삽입손실의 변화를 나타낸 그래프.4 is a graph showing a change in insertion loss according to a change in width b of a single hole etched in the CPW low pass filter of FIG.
도5는 도1의 50Ω CPW 전송선로의 저역통과 필터와 도2의 스텝 임피던스 선로(SIL : Stepped Impedance Line)가 삽입된 저역통과 필터의 삽입손실의 변화를 나타낸 그래프.FIG. 5 is a graph showing a change in insertion loss of a low pass filter in which a low pass filter of the 50? CPW transmission line of FIG. 1 and a stepped impedance line (SIL) of FIG. 2 are inserted;
도6은 도2의 CPW 저역통과 필터의 특성을 나타낸 그래프.6 is a graph showing the characteristics of the CPW lowpass filter of FIG.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
10,20 : CPW 저역통과 필터 11,21 : 전송선로10,20: CPW low pass filter 11,21: transmission line
12,13,22,23 : 접지면 12,13,22,23: ground plane
14,14',15,15',24,24',25,25' : 식각 홀14,14 ', 15,15', 24,24 ', 25,25': etching hole
16,16',17,17',26,26',27,27' : 슬롯16,16 ', 17,17', 26,26 ', 27,27': slot
28 : 스텝 임피던스 선로(SIL)28: step impedance line (SIL)
Claims (3)
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| KR10-2003-0007832A KR100521895B1 (en) | 2003-02-07 | 2003-02-07 | Lowpass Filter Using CPW Structure with Inductive Etched Hole |
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Family Applications (1)
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