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KR100525892B1 - Barrier rib for plasma display panel and fabrication method thereof - Google Patents

Barrier rib for plasma display panel and fabrication method thereof Download PDF

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KR100525892B1
KR100525892B1 KR10-2004-0001055A KR20040001055A KR100525892B1 KR 100525892 B1 KR100525892 B1 KR 100525892B1 KR 20040001055 A KR20040001055 A KR 20040001055A KR 100525892 B1 KR100525892 B1 KR 100525892B1
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wide
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barrier rib
partition
display panel
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KR10-2004-0001055A
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Inventor
장성호
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엘지전자 주식회사
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Abstract

표면 조도가 향상될 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널용 격벽 및 그 제조방법이 개시된다.Disclosed are a partition for a plasma display panel, and a method of manufacturing the same, which can improve surface roughness.

본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널용 격벽은, 교대로 좁은 격벽과 넓은 격벽이 이어지는 피시본형(Fish Bone type) 구조로 이루어지고, 상기 넓은 격벽은 소성시 상부 및 하부에서 동일한 소성 수축률을 갖도록 상부 중심 폭으로부터 아래 방향으로의 소정 깊이에 의해 적어도 두개 이상의 서브 격벽으로 분할되어 형성된다.The bulkhead for plasma display panel of the present invention has a fishbone type structure in which a narrow bulkhead and a wide bulkhead are alternately connected, and the wide bulkhead is formed from an upper center width so as to have the same plastic shrinkage ratio at the top and the bottom during firing. It is formed by dividing at least two or more sub partitions by a predetermined depth in the downward direction.

따라서, 본 발명에 의하면, 넓은 격벽이 적어도 2개 이상의 서브 격벽으로 분할하여 넓은 격벽의 상부 및 하부 모두에서 동일한 소성 수축률을 갖게 됨으로써, 표면 조도가 향상되어 합착시 넓은 격벽의 상부가 깨지거나 무너짐으로 해서 발생되는 문제점을 해결할 수 있다.Therefore, according to the present invention, the wide partition is divided into at least two or more sub partitions to have the same plastic shrinkage rate in both the upper and lower portions of the wide partition, thereby improving the surface roughness and thus cracking or collapsing the upper part of the wide partition. This can solve the problem that occurs.

Description

플라즈마 디스플레이 패널용 격벽 및 그 제조 방법{Barrier rib for plasma display panel and fabrication method thereof} Barrier rib for plasma display panel and its manufacturing method {Barrier rib for plasma display panel and fabrication method

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로, 특히 표면 조도가 향상될 수 있는 격벽 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma display panel, and more particularly, to a partition wall and a method of manufacturing the same, wherein surface roughness can be improved.

플라즈마 디스플레이 패널은 평판형 표시 장치 중에서 가장 실용성이 높은 차세대 표시장치로 각광받고 있다. 즉, 플라즈마 디스플레이 패널은 휘도가 높고 시야각이 넓어 옥외 광고탑 또는 벽걸이 티브이, 극장용 디스플레이와 같이 박형의 대형 디스플레이로서 응용성이 매우 넓다.Plasma display panels are in the spotlight as next generation display devices having the highest practicality among flat panel display devices. That is, the plasma display panel has high brightness and a wide viewing angle, and thus has wide applicability as a large, thin display such as an outdoor advertising tower, a wall-mounted TV, or a theater display.

일반적으로, 플라즈마 디스플레이 패널은 방전셀 내에 봉입된 불활성 가스의 방전에 의해 발생된 자외선을 형광체에 조사하여 발광되는 가시광선을 이용한 표시 장치이다.In general, a plasma display panel is a display device using visible light emitted by irradiating ultraviolet light generated by discharge of an inert gas enclosed in a discharge cell to a phosphor.

도 1은 통상적으로 교류형 플라즈마 디스플레이 패널에 매트릭스 형태로 배열되어진 셀 구조를 나타낸 사시도이다. 1 is a perspective view illustrating a cell structure which is typically arranged in a matrix form on an AC plasma display panel.

도 1을 참조하면, 플라즈마 디스플레이 패널은 상부기판(10) 상에 순차적으로 형성되어진 상부 전극(14, 16), 상부 유전체층(18) 및 보호막(20)을 가지는 상판과, 하부기판(12) 상에 순차적으로 형성되어진 어드레스전극(22), 하부 유전체층(24), 격벽(26) 및 형광체층(28)을 가지는 하판을 구비한다. 이때, 상부기판(10)과 하부기판(12)은 격벽(26)에 의해 평행하게 이격된다.Referring to FIG. 1, a plasma display panel includes an upper plate having upper electrodes 14 and 16, an upper dielectric layer 18, and a passivation layer 20 sequentially formed on an upper substrate 10, and an upper substrate 12. A lower plate having an address electrode 22, a lower dielectric layer 24, a partition wall 26, and a phosphor layer 28 formed sequentially on the substrate. At this time, the upper substrate 10 and the lower substrate 12 are spaced apart in parallel by the partition wall (26).

상기 상부 전극(14, 16) 각각은 상대적으로 넓은 폭을 가지며 가시투과를 위한 투명전극물질(ITO)로 이루어진 투명전극(14A, 16A)과, 상대적으로 좁은 폭을 가지며 투명전극(14A, 16A)의 저항성분을 보상하기 위한 금속전극(14B, 16B)으로 이루어진다. 이러한 상부전극은 인가되는 펄스에 따라 주사(SCAN)전극(14) 및 유지(SUSTAIN)전극(16)으로 구성된다. 주사전극(14)에는 패널 주사를 위한 주사펄스와 방전유지를 위한 유지펄스가 주로 공급되고, 유지전극(16)에는 유지펄스가 주로 공급된다.Each of the upper electrodes 14 and 16 has a relatively wide width and has transparent electrodes 14A and 16A made of transparent electrode material (ITO) for visible transmission, and has a relatively narrow width and transparent electrodes 14A and 16A. It consists of metal electrodes 14B and 16B for compensating for the resistive component. The upper electrode includes a scan electrode 14 and a sustain electrode 16 according to a pulse applied thereto. The scan pulse for panel scanning and the sustain pulse for sustaining discharge are mainly supplied to the scan electrode 14, and the sustain pulse is mainly supplied to the sustain electrode 16.

상부 유전체층(18)과 하부 유전체층(24)에는 방전시 전하가 축적된다.Charges are accumulated in the upper dielectric layer 18 and the lower dielectric layer 24 during discharge.

보호막(20)은 스퍼터링에 의한 상부 유전체층(18)의 손상을 방지하여 PDP의 수명을 늘릴 뿐만 아니라 2차 전자의 방출 효율을 높이게 된다. 이러한 보호막(20)으로는 통상 산화마그네슘(Ago)이 사용된다. The protective film 20 prevents damage to the upper dielectric layer 18 by sputtering, thereby increasing the lifetime of the PDP and increasing the emission efficiency of secondary electrons. As the protective film 20, magnesium oxide (Ago) is usually used.

어드레스전극(22)은 상기 상부 전극(14, 16)과 교차하게 형성된다. 이러한 어드레스전극(22)에는 표시될 셀들을 선택하기 위한 데이터펄스가 공급된다.The address electrode 22 is formed to cross the upper electrodes 14 and 16. The address electrode 22 is supplied with a data pulse for selecting cells to be displayed.

격벽(26)은 어드레스전극(22)과 나란하게 형성되어 방전에 의해 생성된 자외선이 인접한 셀에 누설되는 것을 방지한다. The partition wall 26 is formed in parallel with the address electrode 22 to prevent ultraviolet rays generated by the discharge from leaking to adjacent cells.

형광체층(28)은 하부 유전체층(24) 및 격벽(26)의 표면에 도포되어 적색, 녹색 또는 청색 중 어느 하나의 가시광선을 발생하게 된다.The phosphor layer 28 is applied to the surfaces of the lower dielectric layer 24 and the partition wall 26 to generate visible light of any one of red, green, and blue.

그리고, 가스방전을 위한 불활성 가스가 내부의 방전공간에 주입된다.Then, an inert gas for gas discharge is injected into the discharge space therein.

상기와 같이 구성된 플라즈마 디스플레이 패널에서 상기 격벽은 그 형성 구조에 따라 스트라이프형(stripe type), 폐쇄형(closed type) 그리고 피시본형(Fish Bone type) 등이 있다.In the plasma display panel configured as described above, the partition wall has a stripe type, a closed type, a fish bone type, or the like, depending on its formation structure.

스트라이프형 구조의 격벽은 어드레스 전극과 나란한 방향으로 격벽이 형성되는 것을 지칭하고, 폐쇄형 구조의 격벽은 인접하는 방전공간들 사이에 격벽이 형성되어 각 격벽 공간들이 구획되게 하는 것을 지칭하며, 피시본형 구조의 격벽(26)은 상기 스트라이프형 구조와 상기 폐쇄형 구조의 조합으로 만들어지는 것으로서, 도 2에 도시된 바와 같이 일정 주기로 넓은 격벽(26a)과 좁은 격벽(26b)이 교대로 형성되는 것을 지칭한다. 이러한 피시본형 격벽(26)에서 넓은 격벽에 대향되는 부분에 상부전극(14, 16)이 배치되게 된다. 이에 따라 방전 공간은 인접하는 좁은 격벽(26b)에 의해 형성되게 된다. 이때, 형광체가 좁은 격벽(26b)뿐만 아니라 상기 방전공간에서 넓은 격벽(26a)의 돌출된 경사면 내면에까지 도포되게 되어 형광체의 도포 면적을 확대시키게 됨에 따라 발광효율을 향상시킬 수 있게 된다.The barrier rib of the stripe structure refers to the formation of the barrier rib in parallel with the address electrode, and the barrier rib of the closed structure means that the barrier ribs are formed between adjacent discharge spaces so that each barrier rib space is partitioned. The partition 26 of the structure is made of a combination of the stripe structure and the closed structure, and refers to the alternate formation of the wide partition 26a and the narrow partition 26b at regular intervals as shown in FIG. 2. do. The upper electrodes 14 and 16 are disposed at portions of the fishbone type partition wall 26 that face the wide partition wall. As a result, the discharge space is formed by the adjacent narrow partition walls 26b. At this time, the phosphor is applied not only to the narrow barrier rib 26b but also to the inner surface of the protruding inclined surface of the wide barrier rib 26a in the discharge space, thereby increasing the coating area of the phosphor, thereby improving luminous efficiency.

한편, 격벽의 제조 방법에 따라 샌드 블라스트(sans blast)법, 스크린 프린팅(screen printing)법, 식각(etching)법 등으로 분류되고 있다.On the other hand, it is classified into a sand blast method, a screen printing method, an etching method and the like according to the method of manufacturing the partition wall.

상기 피시본형 격벽은 샌드 블라스트법, 스크린 프린팅법 또는 식각법 중 하나를 이용하여 제조될 수 있다.The fishbone barrier may be manufactured using one of sandblasting, screen printing, or etching.

도 3a 내지 도 3f는 종래에 샌드블라스트법을 이용하여 피시본형 구조의 격벽을 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.3A to 3F are views for explaining a method of manufacturing a partition of a fishbone structure using a sandblasting method.

먼저, 어드레스 전극(미도시)과 하부 유전체층(32)이 형성된 하부기판(31) 상에 소정 높이가 되도록 격벽 형성용 페이스트(33)를 도포, 인쇄 또는 코팅한다(도 3a). 이때, 상기 어드레스 전극은 상기 하부 유전체층(32)과 상기 하부기판(31) 사이의 상기 하부기판(31)의 표면에 형성될 수 있다. First, the barrier rib forming paste 33 is applied, printed or coated to have a predetermined height on the lower substrate 31 on which the address electrode (not shown) and the lower dielectric layer 32 are formed (FIG. 3A). In this case, the address electrode may be formed on the surface of the lower substrate 31 between the lower dielectric layer 32 and the lower substrate 31.

이어서, 상기 격벽 형성용 페이스트(33) 상에 드라이 필름 레지스트(DFR : Dry Film Resist)를 라미네이팅(laminating) 기법을 이용하여 형성한 다음, 이후, 노광 및 현상 공정을 통해 상기 드라이 필름 레지스트를 패터닝(patterning)하여 피시본형 구조의 드라이 필름 레지스트 패턴(34)을 형성한다(도 3b).Subsequently, a dry film resist (DFR: Dry Film Resist) is formed on the partition forming paste 33 by using a laminating technique, and then the dry film resist is patterned through an exposure and development process. patterning) to form a dry film resist pattern 34 having a fishbone structure (FIG. 3B).

그리고, 상기 드라이 필름 레지스트 패턴(34)을 마스크로 하여 샌드 블라스트(sand blast)를 실시하여 격벽(33a)을 형성한다(도 3c).Then, a sand blast is performed using the dry film resist pattern 34 as a mask to form a partition 33a (FIG. 3C).

상기 격벽(33a)이 형성되면, 상기 드라이 필름 레지스트 패턴(34)을 박리액 즉, NaOH 등과 같은 알칼리 수용액을 이용한 습식 공정으로 박리시킨 다음 일정 시간 건조시킨다(도 3d).When the barrier rib 33a is formed, the dry film resist pattern 34 is peeled off by a wet process using a stripping solution, that is, an aqueous alkali solution such as NaOH, and then dried for a predetermined time (FIG. 3D).

이어서, 유리기판(21)에 형성된 격벽(33a)을 소성시킨다(도 3e).Next, the partition 33a formed on the glass substrate 21 is baked (FIG. 3E).

상술한 바와 같이, 피시본형 구조의 격벽은 샌드블라스트법을 이용하여 제조될 수 있고, 격벽을 강화시키기 위해 소성 공정이 필수적으로 사용되게 된다.As described above, the partition wall of the fishbone-type structure can be manufactured using the sandblasting method, and the firing process is essentially used to reinforce the partition wall.

하지만, 소정 공정을 통해 피시본형 격벽을 제조하게 되면, 도 4에 도시된 바와 같이, 피시본형 격벽에서 넓은 격벽(도 2의 26a)의 상부 중심 부분이 아래 방향으로 함몰되게 된다. 이와 같이 넓은 격벽(26a)의 중심 부분이 함몰되게 됨에 따라 넓은 격벽(26a)의 상부 가장 자리부분은 상대적으로 위 방향으로 돌출되게 된다. However, when the fishbone partition wall is manufactured through a predetermined process, as illustrated in FIG. 4, the upper center portion of the wide partition wall 26a of FIG. 2 is recessed downward in the fishbone partition wall. As the central portion of the wide barrier rib 26a is recessed, the upper edge portion of the wide barrier rib 26a protrudes relatively upward.

이는 도 5a 및 도 5b에 나타낸 바와 같이, 격벽의 폭에 따라 수축률이 상이하게 되는데 그 원인이 있다. 도 5a 및 도 5b에서 화살표는 소성 수축력을 나타낸다. 이때, 소성 수축력은 격벽의 상부 폭이 좁을수록 적게 작용하고, 상부 높이 넓은 수록 크게 작용하게 된다.This is because, as shown in Fig. 5a and 5b, the shrinkage ratio is different depending on the width of the partition wall. Arrows in FIG. 5A and FIG. 5B indicate plastic shrinkage force. At this time, the plastic shrinkage force acts less as the upper width of the partition narrows, and acts as the upper height wider.

도 5b에 나타낸 바와 같이, 좁은 격벽(26b)인 경우에는 격벽의 상부 폭이 매우 좁기 때문에 소성 공정시 좌우 및 위 방향에서 균일한 힘을 받게 되어 좁은 격벽(26b)의 상부의 중심 부분이 함몰되지 않게 된다. 더군다나, 좁은 격벽(26b)의 상부 폭이 매우 좁기 때문에 함몰될 가능성은 더욱 희박하게 된다.As shown in FIG. 5B, in the case of the narrow partition wall 26b, since the upper width of the partition wall is very narrow, uniform force is received in the left and right directions during the firing process so that the center portion of the upper part of the narrow partition wall 26b is not recessed. Will not. Moreover, since the upper width of the narrow partition wall 26b is very narrow, the possibility of sinking becomes even thinner.

이에 반해, 도 5a에 나타낸 바와 같이, 넓은 격벽(26a)의 경우에는 상부의 폭이 상기 좁은 격벽(26b)의 폭보다는 상대적으로 몇 배정도 크게 되므로 상부 가운데 부분이 아래 방향으로 함몰될 가능성이 많게 된다.On the contrary, as shown in FIG. 5A, in the case of the wide partition 26a, the width of the upper portion is several times larger than the width of the narrow partition 26b, so that the upper middle portion is likely to be recessed downward. .

또한, 넓은 격벽(26a)의 경우에는 소정 공정에 의해 좌우 및 위 방향에서 소성 수축력이 좁은 격벽(26b)에 비해 상대적으로 많이 받게 된다. 이에 따라, 상기 넓은 격벽(26a)의 내면 및 상부 표면으로부터 수축이 발생되게 된다.In addition, in the case of the wide partition 26a, the plastic shrinkage force is relatively larger than the partition 26b having a narrow plastic shrinkage force in the left and right directions and the upper direction by a predetermined process. Accordingly, shrinkage occurs from the inner surface and the upper surface of the wide partition 26a.

도 5a에 나타낸 바와 같이, 상기 넓은 격벽(26a)은 상부에 비해 하부의 폭이 넓게 형성되게 된다.As shown in FIG. 5A, the wide partition 26a has a lower width than the upper portion.

따라서, 면적이 넓은 상기 넓은 격벽(26a)의 하부 측의 내면부터 수축되게 되는데, 이때 상기 넓은 격벽(26a)의 하부 내면 부근에서는 수축에 의해 밀도가 강화되는 dense 구조가 되는데 반해, 하부 중심부에는 소성 수축력이 미치지 못하게 되어 다공성 상태인 porous 구조가 되게 된다. 이러한 경우에 상기 넓은 격벽의 상부 표면에도 위 방향에서 아래 방향으로 소성 수축력이 작용되게 되는데, 상기 소성 수축력은 porous 구조인 하부 중심부로 작용하게 되어 상기 넓은 격벽(26a)의 상부 표면은 아래 방향으로 함몰되게 된다. Therefore, the inner surface of the wide partition 26a having a large area is contracted from the lower side. At this time, the lower inner surface of the wide partition 26a has a dense structure in which density is strengthened by shrinkage, whereas the lower central portion has a plasticity. The contracting force does not reach, and the porous structure becomes porous. In this case, the plastic shrinkage force is applied to the upper surface of the wide bulkhead in the downward direction from the upper direction. The plastic shrinkage force acts as the lower center of the porous structure so that the upper surface of the wide partition 26a is recessed downward. Will be.

즉, 도 5b에 나타낸 바와 같이, 좁은 격벽(26b)의 경우에는 폭이 좁은 관계로 내부에까지 소정 수축력이 미치게 되어 내부에도 dense 구조가 되기 때문에 상기 좁은 격벽(26b)의 상부 표면이 아래 방향으로 함몰되지 않지만, 도 5a에 나타낸 바와 같이, 넓은 격벽(26a)의 경우에는 폭이 넓게 되므로 내부에까지 소성 수축력이 작용하지 않게 되어 내부에는 dense 구조가 아닌 porous 구조가 되게 되고, 이에 따라 상기 넓은 격벽(26a)의 상부 표면이 아래 방향으로 함몰되게 된다.That is, as shown in FIG. 5B, in the case of the narrow partition wall 26b, the narrow contraction force extends to the inside in a narrow relationship, and thus the dense structure is also inside, so that the upper surface of the narrow partition wall 26b is recessed downward. However, as shown in FIG. 5A, in the case of the wide partition 26a, the width becomes wider, so that the plastic shrinkage force does not work until the inside, thereby forming a porous structure instead of a dense structure, and thus the wide partition 26a. The top surface of the cavities will be recessed downward.

이에 따라, 넓은 격벽의 경우에는 상부 가장 자리 부분은 돌출되고, 중심 부분은 함몰되게 되어 상부 조도가 저하되게 된다.Accordingly, in the case of a wide partition, the upper edge portion protrudes and the center portion is recessed to lower the upper roughness.

이와 같이 상부 표면이 아래 방향으로 함몰된, 다시 말해 상부 가장 자리 부분이 돌출된 격벽을 구비한 하부기판을 상부기판과 합착시킬 때, 상기 넓은 격벽의 가장 자리 부분이 상기 상부기판 커다란 압력에 의해 접촉되게 되어, 가장자리 부분이 깨지거나 무너지게 되는 문제점이 있었다. 이와 같이 깨지거나 무너진 잔해는 격벽 내면이나 하부 유전체층 상에 부착되게 되어 휘도나 발광 효율 등을 저하시키게 된다.As such, when the lower substrate having the upper surface recessed downward, that is, the lower substrate having the partition with the upper edge portion protruding therefrom is joined with the upper substrate, the edge portion of the wide partition wall is contacted by the large pressure of the upper substrate. There is a problem that the edge portion is broken or collapsed. The cracked or collapsed debris adheres to the inner surface of the partition or the lower dielectric layer, thereby degrading the brightness, luminous efficiency, and the like.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 피시본형 구조의 격벽의 상부 조도를 향상시켜 격벽의 붕괴에 따른 휘도나 발광 효율을 저하를 방지할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널용 격벽 및 그 제조 방법을 제공함에 그 목적이 있다. Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, the plasma display panel partition wall that can improve the upper roughness of the partition of the fishbone type structure to prevent the degradation of the brightness and luminous efficiency due to the collapse of the partition wall and The purpose is to provide a method for producing the same.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따르면, 플라즈마 디스플레이 패널용 격벽은, 스트라이프 형태로 배치되고, 각 격벽은 상기 스트라이프 형태의 장방향을 따라 교대로 좁은 격벽과 넓은 격벽이 이어지는 피시본형 구조로 이루어지고, 상기 넓은 격벽은 소정 깊이를 갖는 두개 이상의 서브 격벽으로 분할되어 형성된다.According to a first preferred embodiment of the present invention for achieving the above object, the partition for the plasma display panel is arranged in a stripe shape, each partition wall is alternately connected to the narrow partition and the wide partition along the long direction of the stripe form. It is made of a fishbone-type structure, the wide partition is formed by dividing into two or more sub partitions having a predetermined depth.

본 발명의 바람직한 제2 실시예에 따르면, 플라즈마디스플레이패널용 격벽 제조 방법은, a)하판에 구비된 기판 상에 격벽 형성용 페이스트를 도포 및 건조하는 단계; b)상기 도포 및 건조된 격벽 형성용 페이스트 상에 드라이 필름 레지스트 패턴을 형성하는 단계-상기 패턴된 드라이 레지스트는 교대로 좁은 격벽과 넓은 격벽이 이어지는 피시본형 구조에서 상기 넓은 격벽의 상부 중심 폭으로부터 아래 방향으로 소정 깊이가 형성되도록 패턴됨-; c)상기 드라이 필름 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 격벽 형성용 페이스트로부터 상기 좁은 격벽과 넓은 격벽을 갖는 격벽을 형성하는 단계; 및 d)상기 형성된 격벽을 소성하는 단계를 포함한다.According to a second preferred embodiment of the present invention, a method for manufacturing a partition wall for a plasma display panel includes a) applying and drying a partition wall forming paste on a substrate provided on a lower plate; b) forming a dry film resist pattern on the applied and dried barrier rib forming paste, wherein the patterned dry resist is alternated from an upper center width of the wide barrier rib in a fishbone type structure in which a narrow barrier rib and a wide barrier rib are alternately connected. Patterned to form a predetermined depth in the direction; c) forming a barrier rib having the narrow barrier rib and the wide barrier rib from the barrier rib forming paste using the dry film resist pattern as a mask; And d) firing the formed partition wall.

본 발명의 제1 및 제2 실시예에 따르면, 상기 소정 깊이는 상기 넓은 격벽의 높이의 0.4 내지 0.7배의 범위일 수 있다. According to the first and second embodiments of the present invention, the predetermined depth may be in the range of 0.4 to 0.7 times the height of the wide partition.

본 발명의 제1 및 제2 실시예에 따르면, 상기 상부 중심 폭은 상기 좁은 격벽의 상부 폭의 0.5 내지 1.1배의 범위일 수 있다.According to the first and second embodiments of the present invention, the upper center width may be in the range of 0.5 to 1.1 times the upper width of the narrow partition wall.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention.

본 발명은 종래의 샌드블라스트법을 이용하여 피시본형 격벽을 제조하는 것과 유사한 공정 과정을 거쳐 넓은 격벽의 중심부가 함몰되도록 형성시킨다. The present invention is formed so that the central portion of the wide partition wall is recessed through a process similar to that of manufacturing a fishbone partition wall using a conventional sandblasting method.

다만, 본 발명에서는 이와 같이 넓은 격벽의 중심부가 함몰되는 구조로 형성되도록 하기 위해 드라이 필름 레지스트를 패터닝(patterning)할 때, 격벽으로 형성되지 않는 부분 및 넓은 격벽의 중심 폭 부분이 패터닝된다. 즉, 상기 패턴된 드라이 필름 레지스트는 격벽으로 형성되지 않는 부분 및 넓은 격벽의 중심 폭 부분은 샌딩시 제거되지 않고 보호되도록 패턴되게 된다. 여기서, 상기 드라이 필름 레지스트에서 넓은 격벽과 좁은 격벽이 교대로 이어지는 피시본형 구조를 감안하여 격벽으로 형성되지 않는 부분에 대응되도록 패턴되는 것이 바람직하다. 즉, 서로 인접하는 넓은 격벽들 사이의 격벽으로 형성되지 않는 부분에 대응되는 부분은 좁게 패턴되어야 하고, 서로 인접하는 좁은 격벽들 사이의 격벽으로 형성되지 않는 부분에 대응되는 부분은 넓게 패턴되어야 한다.However, in the present invention, when patterning the dry film resist to form a structure in which the central portion of the wide barrier rib is recessed, the portion not formed as the barrier rib and the center width portion of the wide barrier rib are patterned. That is, the patterned dry film resist is patterned so that the portion not formed as a partition and the central width portion of the wide partition are protected without being removed during sanding. Here, the dry film resist is preferably patterned to correspond to a portion which is not formed as a partition wall in consideration of a fishbone type structure in which a wide partition wall and a narrow partition wall are alternately connected. That is, the portion corresponding to the portion not formed as the partition wall between the adjacent large partition walls should be narrowly patterned, and the portion corresponding to the portion not formed as the partition wall between the narrow partition walls adjacent to each other should be widely patterned.

이와 같이 패턴된 드라이 필름 레지스트를 마스크로 하여 샌드블라스트를 실시하여 도 6 및 도 7과 같은 격벽이 형성될 수 있다. 여기서, 상기 형성된 격벽에는 넓은 격벽과 좁은 격벽을 모두 포함되게 된다.The partition wall as shown in FIGS. 6 and 7 may be formed by sandblasting using the patterned dry film resist as a mask. Here, the formed partition wall includes both a wide partition wall and a narrow partition wall.

도 6은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 피시본형 구조의 격벽에서 넓은 격벽에 대한 단면도를 나타낸다. 도 7은 도 6의 넓은 격벽의 평면도를 나타낸다.6 is a cross-sectional view of a wide partition wall in a partition of a fishbone structure of a plasma display panel according to an exemplary embodiment of the present invention. FIG. 7 shows a plan view of the wide partition of FIG. 6.

도 6 및 도 7에 나타낸 바와 같이, 상기 패턴된 드라이 필름 레지스트를 마스크로 하여 샌드 블라스트를 실시할 때, 격벽(넓은 격벽 및 좁은 격벽 모두 포함됨)으로 형성되지 않는 부분에 대응하는 격벽 형성용 페이스트와 넓은 격벽의 중심 폭 부분에 대응하는 격벽 형성용 페이스트는 동시에 샌딩(sanding)되게 된다. 여기서, 샌딩이란, 샌드 블라스트용 분사 노즐 등을 통해 분사되는 연마제에 의해 상기 패턴된 드라이 레지스트에 의해 보호되지 않는 부분(예컨대, 격벽으로 형성되지 않는 부분과 넓은 격벽의 중심 폭 부분)에 각각 대응하는 격벽 형성용 페이스트를 물리적으로 제거하는 것을 의미한다.6 and 7, when sand blasting is performed using the patterned dry film resist as a mask, a partition forming paste corresponding to a portion which is not formed as a partition (both wide and narrow partitions) and The partition forming paste corresponding to the central width portion of the wide partition is simultaneously sanded. Here, sanding corresponds to portions (eg, portions not formed by partition walls and center width portions of wide partition walls) which are not protected by the patterned dry resist by an abrasive sprayed through a sand blast spray nozzle or the like. It means to physically remove the partition forming paste.

이와 같이 격벽으로 형성되지 않는 부분에 대응하는 격벽 형성용 페이스트 및 넓은 격벽의 중심 폭 부분에 대응하는 격벽 형성용 페이스트가 동시에 제거될 때, 넓은 영역을 차지하는 격벽으로 형성되지 않는 부분에 대응하는 격벽 형성용 페이스트는 상대적으로 샌딩이 잘 이루어지는데 반해, 좁은 영역을 차지하는 넓은 격벽의 중심 폭 부분에 대응하는 격벽 형성용 페이스트는 상대적으로 샌딩이 잘 이루지지 않게 된다. 이에 따라, 격벽이 형성되지 않는 부분에서 하부 유전체층(40)이 노출될 때까지 샌딩이 될 때, 넓은 격벽의 중심 폭 부분에서는 소정 샌딩 깊이만큼 샌딩이 이루어지게 된다. 즉, 넓은 격벽(42)의 중심 폭(W2) 부분의 샌딩 깊이는 상기 넓은 격벽(42)의 높이의 중간 정도가 될 수 있다. 이를 대략 범위로 설정하면, 넓은 격벽(42)의 중심 폭(W2) 부분의 샌딩 깊이는 넓은 격벽(42)의 높이(h)의 0.4 내지 0.7배의 범위인 것이 바람직하다. 이러한 범위를 벗어나게 되면, 넓은 격벽(42)의 중심 부분이 함몰되든지 또는 넓은 격벽(42)의 서브 격벽(42a, 42b)이 좁아져 붕괴될 수 있다. 예컨대, 넓은 격벽(42)의 중심 폭(W2) 부분의 샌딩 깊이가 넓은 격벽(42)의 높이(h)의 0.7배 이상이 될 때 넓은 격벽(42)의 서브 격벽(42a, 42b)이 붕괴될 수 있다. 샌드 블라스트에 의해 샌딩을 수행하게 되면, 수직 방향뿐만 아니라 수직 방향으로도 식각이 되게 된다. 이러한 경우, 넓은 격벽(42)의 수직 방향으로 지속적으로 샌딩을 수행하는 경우 넓은 격벽(42)의 수평 방향으로도 동일하게 샌딩이 수행되게 된다. 따라서, 샌딩이 진행될수록 넓은 격벽(42)의 서브 격벽(42a, 42b)이 좁아져 결국 붕괴될 가능성이 많다. 그러므로, 넓은 격벽(42)의 중심 폭(W2)의 샌딩 깊이는 넓은 격벽(42)의 높이(h)의 0.7배 이하가 되는 것이 바람직하다.또한, 넓은 격벽(42)의 중심 폭(W2) 부분의 샌딩 깊이가 넓은 격벽(42)의 높이(h)의 0.4배 이하가 되는 경우에는 샌딩 깊이가 깊지 않게 되어 샌딩 효과가 없게 된다. 이러한 경우, 넓은 격벽(42)의 내부는 여전히 porous 상태로 유지되므로 소성 공정시 넓은 격벽(42)의 중심 폭(W2) 부분이 아래 방향으로 함몰될 가능성이 높다. 그러므로, 넓은 격벽(42)의 중심 폭(W2)의 샌딩 깊이는 넓은 격벽(42)의 높이(h)의 0.4배 이하가 되는 것이 바람직하다.Thus, when the partition formation paste corresponding to the portion not formed by the partition and the partition formation paste corresponding to the center width portion of the wide partition are simultaneously removed, the partition formation corresponding to the portion not formed by the partition occupying the wide area is formed. While the paste is relatively sanded, the partition forming paste corresponding to the center width portion of the wide partition wall occupying a narrow area is relatively difficult to sand. Accordingly, when sanding is performed until the lower dielectric layer 40 is exposed in a portion where the barrier ribs are not formed, sanding is performed by a predetermined sanding depth in the central width portion of the wide barrier rib. That is, the sanding depth of the central width W2 portion of the wide partition wall 42 may be about the middle of the height of the wide partition wall 42. If this is set to approximately the range, the sanding depth of the central width W2 portion of the wide partition wall 42 is preferably in the range of 0.4 to 0.7 times the height h of the wide partition wall 42. Outside this range, the central portion of the wide partition 42 may be recessed or the sub partitions 42a and 42b of the wide partition 42 may be narrowed and collapsed. For example, when the sanding depth of the center width W2 portion of the wide partition wall 42 becomes 0.7 times or more of the height h of the wide partition wall 42, the sub partition walls 42a and 42b of the wide partition wall 42 collapse. Can be. When sanding is performed by sandblasting, etching is performed not only in the vertical direction but also in the vertical direction. In this case, when sanding is continuously performed in the vertical direction of the wide partition 42, sanding is also performed in the horizontal direction of the wide partition 42. Therefore, as the sanding proceeds, the sub barrier ribs 42a and 42b of the wide barrier rib 42 become narrower and are likely to collapse. Therefore, it is preferable that the sanding depth of the center width W2 of the wide partition 42 is not more than 0.7 times the height h of the wide partition 42. Further, the center width W2 of the wide partition 42 is preferred. When the sanding depth of the portion becomes 0.4 times or less of the height h of the wide partition 42, the sanding depth is not deep and there is no sanding effect. In this case, since the inside of the wide partition 42 is still kept in a porous state, it is highly likely that the center width W2 portion of the wide partition 42 is recessed in the downward direction during the firing process. Therefore, the sanding depth of the center width W2 of the wide partition wall 42 is preferably 0.4 times or less of the height h of the wide partition wall 42.

샌딩에 의해 형성된 넓은 격벽(42)은 소정의 샌딩 깊이에 의해 두 개의 서브 격벽(42a, 42b)으로 분할되게 된다. 필요에 따라 여러 개의 서브 격벽으로 분할할 수도 있다.The wide partition 42 formed by sanding is divided into two sub partitions 42a and 42b by a predetermined sanding depth. If necessary, it can be divided into several sub bulkheads.

이에 따라, 소성시 상기 넓은 격벽의 상부 및 하부에서 동일한 수축률을 갖게 되어 상부의 중심 표면이 아래 방향으로 함몰되지 않게 된다.As a result, during firing, the upper and lower portions of the wide bulkhead have the same shrinkage ratio, so that the central surface of the upper portion is not recessed downward.

마지막으로, 샌딩에 의해 형성된 격벽(넓은 격벽 및 좁은 격벽)은 소성 공정에 의해 완성되게 된다.Finally, the partition walls (wide partition walls and narrow partition walls) formed by sanding are completed by the firing process.

도 6에 나타낸 바와 같이, 격벽을 소성하게 되면, 앞서 설명한 바와 같이, 소성 수축력이 넓은 격벽(42)의 좌우 및 위 방향에서 작용되게 된다. 이때, 이미 상기 넓은 격벽(42)의 중심 폭(W2) 부분은 소정 샌딩 깊이로 샌딩되어 있기 때문에 상기 샌딩 깊이의 주변 공간을 통해서도 좌우 및 위 방향에서 작용되게 된다. 이에 따라, 각각의 분할된 서브 격벽(42a, 42b)은 각각 좌우 및 위 방향에서 소성 수축력이 작용되게 된다.As shown in FIG. 6, when the partition wall is fired, as described above, the plastic shrinkage force acts in the left and right directions and the upward direction of the wide partition wall 42. At this time, since the portion of the center width W2 of the wide partition 42 is sanded to a predetermined sanding depth, the center wall W2 is also acted in the left and right directions through the surrounding space of the sanding depth. Accordingly, the plastic shrinkage force is applied to each of the divided sub barrier ribs 42a and 42b in the left and right directions, respectively.

따라서, 하나의 분할된 서브 격벽(42a)은 좌우에서 동시에 소성 수축력이 작용되게 되어 측면 부분부터 수축되어 dense 구조가 된다. 즉, 상기 서브 격벽(42a)의 상부 폭(W3)은 좁은 격벽의 상부 폭(W1)과 마찬가지로 좁기 때문에 내부의 전 영역에 걸쳐서 dense 구조가 되게 된다. 이와 같이, 이미 상기 서브 격벽(42a)의 내부 전 영역에 걸쳐서 dense 구조로 이루어지기 때문에 상기 서브 격벽(42a)의 위 방향에서 아래 방향으로 작용되는 소성 수축력에 의해 상기 서브 격벽(42a)의 상부 표면의 중심 부분이 함몰되지는 않게 된다.Accordingly, the divided sub-barriers 42a are simultaneously subjected to the plastic shrinkage force from the left and the right, and are contracted from the side portions to form a dense structure. That is, since the upper width W3 of the sub barrier rib 42a is narrow like the upper width W1 of the narrow barrier rib, it becomes a dense structure over the entire area of the interior. As described above, since the dense structure is already formed over the entire inner region of the sub barrier rib 42a, the upper surface of the sub barrier rib 42a is caused by a plastic shrinkage force acting downward from the upper edge of the sub barrier rib 42a. The central part of is not depressed.

이와 같은 이유로 다른 분할된 서브 격벽(42b)의 내부 전 영역도 dense 구조로 이루어지기 때문에 다른 분할된 서브 격벽(42b)의 상부 폭(W4)도 함몰되지 않게 된다.For this reason, since the entire inner area of the other divided sub barrier ribs 42b also has a dense structure, the upper width W4 of the other divided sub barrier ribs 42b is not recessed.

따라서, 각 서브 격벽들(42a, 42b)의 상부 표면 상태는 높이차이 없이 균일하게 형성되게 되어, 조도가 향상될 수 있다.Therefore, the upper surface state of each of the sub barrier ribs 42a and 42b is uniformly formed without a difference in height, so that the roughness can be improved.

이때, 도 7에 나타낸 바와 같이, 상기 넓은 격벽(42)의 각 서브 격벽(42a, 42b)의 상부 폭(W3, W4)은 동일한 것으로 바람직하다. At this time, as shown in FIG. 7, the upper widths W3 and W4 of the respective sub partitions 42a and 42b of the wide partition 42 are preferably the same.

그리고, 각 서브 격벽(42a, 42b)의 상부 폭(W3, W4) 사이의 간격으로 정의되는 중심 폭(W2)은 상기 좁은 격벽(41)의 상부 폭(W1)의 0.5 내지 1.1배의 범위인 것이 바람직하다. 상기 중심 폭(W2)이 너무 넓게 되면 즉 중심 폭(W2)이 상기 좁은 격벽(41)의 상부 폭(W1)의 1.1배 이상이 되는 경우 각 서브 격벽(42a, 42b)의 상부 폭(W3, W4)이 좁아지게 되어 넓은 격벽(42) 상부가 부실해져 무너질 가능성이 있고, 또 상기 중심 폭(W2)이 너무 좁으면 즉 중심 폭(W2)이 상기 좁은 격벽(41)의 상부 폭(W1)의 0.5배 이하가 되는 경우 소정의 샌딩 깊이가 형성되지 않게 되어 상기 넓은 격벽(42)의 하부 내면에 porous 구조가 발생할 가능성이 있다.이러한 범위는 앞서 설명한 바와 같이 샌드 블라스트 공정시 수직 방향뿐만 아니라 수평 방향으로도 식각이 진행된다는 점에서 설정된 것이다. 물론 최적의 범위는 실험을 통해 확인해야 하지만, 물리적 해석을 통해서도 이상에서 언급한 범위에서 본 발명의 효과를 최대한 달성할 수 있을 것을 기대된다.In addition, the center width W2 defined by the gap between the upper widths W3 and W4 of the sub-border walls 42a and 42b is in a range of 0.5 to 1.1 times the upper width W1 of the narrow partition wall 41. It is preferable. When the center width W2 becomes too wide, that is, when the center width W2 becomes 1.1 times or more than the upper width W1 of the narrow partition 41, the upper width W3 of each sub partition 42a, 42b If W4) becomes narrow and the upper part of the wide partition 42 is inconvenient, it may collapse, and if the center width W2 is too narrow, that is, the center width W2 is the upper width W1 of the narrow partition 41. If it is less than 0.5 times of the predetermined sanding depth is not formed, there is a possibility that a porous structure occurs on the lower inner surface of the wide partition 42. This range is not only vertical but also horizontal in the sand blasting process as described above The etching proceeds in the direction as well. Of course, the optimum range should be confirmed through experiments, but it is expected that the effects of the present invention can be attained as much as possible in the above-mentioned range through physical analysis.

따라서, 상기 중심 폭(W2)은 샌딩시 상기 중심 폭 부분에 대한 샌딩 깊이를 고려하여 설계될 수 있다.Therefore, the center width W2 may be designed in consideration of the sanding depth of the center width portion during sanding.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 의하면, 샌딩시 넓은 격벽을 중심 폭을 갖도록 분할하여 소정 깊이로 샌딩 함으로써, 소성시 분할된 격벽의 내부가 모두 dense 구조가 되어 분할된 격벽의 상부 표면에 대한 조도가 향상되게 된다.As described above, according to the present invention, by dividing the wide partition wall to have a center width at the time of sanding and sanding to a predetermined depth, the interior of the partition wall partitioned during firing is all dense structure and roughness to the upper surface of the partitioned partition wall Will be improved.

이에 따라, 상부기판과의 합착시 균일한 표면 조도에 기인하여 넓은 격벽이 깨지거나 무너질 우려가 없고, 나아가 넓은 격벽의 상부의 격벽 이물질들이 이탈되어 방전 공간을 오염시키지 않게 되어 휘도나 발광효율이 향상될 수 있다.Accordingly, when the upper substrate is bonded to the upper substrate, there is no fear of breaking or collapsing the large partition wall due to the uniform surface roughness, and further, the foreign matters of the upper partition of the wide partition wall do not escape and contaminate the discharge space, thereby improving brightness and luminous efficiency. Can be.

도 1은 통상적으로 교류형 플라즈마 디스플레이 패널에 매트릭스 형태로 배열되어진 셀 구조를 나타낸 사시도.1 is a perspective view showing a cell structure which is typically arranged in a matrix form on the AC plasma display panel.

도 2는 종래의 피시본형 구조의 격벽에 대한 평면도.2 is a plan view of a partition of a conventional fishbone structure.

도 3a 내지 도 3f는 종래에 샌드 블라스트법을 이용하여 피시본형 구조의 격벽을 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면.3A to 3F are views for explaining a method of manufacturing a partition of a fishbone structure using a sand blast method in the related art.

도 4는 종래의 피시본형 구조의 격벽에서 중심부가 함몰되는 것을 나타낸 도면.4 is a view showing that the center portion is recessed in the partition of the conventional fishbone structure.

도 5a 및 도 5b는 종래의 피시본형 구조의 격벽에 대한 단면도.5A and 5B are cross-sectional views of a partition of a conventional fishbone structure.

도 6은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 피시본형 구조의 격벽에서 넓은 격벽에 대한 단면도. 6 is a cross-sectional view of a wide partition wall in a partition of a fishbone structure of a plasma display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 7은 도 6의 넓은 격벽의 평면도FIG. 7 is a plan view of the wide bulkhead of FIG. 6. FIG.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 명칭><Name of the code for the main part of the drawing>

40 : 하부 유전체층 41 : 좁은 격벽40: lower dielectric layer 41: narrow partition wall

42 : 넓은 격벽 42a, 42b : 서브 격벽42: wide bulkhead 42a, 42b: sub bulkhead

Claims (12)

상부전극, 제1 유전체층 및 보호층으로 이루어지는 상판과 어드레스전극, 제2 유전체층, 격벽 및 형광체층으로 이루어지는 하판이 합착되어 구성되는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, In the plasma display panel comprising a top plate composed of an upper electrode, a first dielectric layer and a protective layer, and a bottom plate composed of an address electrode, a second dielectric layer, a partition wall, and a phosphor layer, 상기 격벽은 스트라이프 형태로 배치되고, 각 격벽은 상기 스트라이프 형태의 장방향을 따라 교대로 좁은 격벽과 넓은 격벽이 이어지는 피시본형 구조로 이루어지고, 상기 넓은 격벽은 소정 깊이를 갖는 두개 이상의 서브 격벽으로 분할되어 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 격벽.The barrier ribs are arranged in a stripe shape, and each barrier rib is formed of a fishbone structure in which narrow barrier ribs and a wide barrier rib are alternately formed along the longitudinal direction of the stripe shape, and the wide barrier rib is divided into two or more sub barrier ribs having a predetermined depth. Plasma display panel partition wall characterized in that it is formed. 제1항에 있어서, 상기 소정 깊이는 상기 넓은 격벽의 높이의 0.4 내지 0.7배의 범위인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 격벽.The partition wall for plasma display panel according to claim 1, wherein the predetermined depth is in a range of 0.4 to 0.7 times the height of the wide partition wall. 제1항에 있어서, 상기 상부 중심 폭은 상기 좁은 격벽의 상부 폭의 0.5 내지 1.1배의 범위인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 격벽.The partition wall for plasma display panel of claim 1, wherein the upper center width is in a range of 0.5 to 1.1 times the upper width of the narrow partition wall. 제1항에 있어서, 상기 적어도 두 개 이상의 서브 격벽은 동일한 상부 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 격벽.The barrier rib of claim 1, wherein the at least two sub barrier ribs have the same upper width. 상부전극, 제1 유전체층 및 보호층으로 이루어지는 상판과 어드레스전극, 제2 유전체층, 격벽 및 형광체층으로 이루어지는 하판이 합착되어 구성되는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, In the plasma display panel comprising a top plate composed of an upper electrode, a first dielectric layer and a protective layer, and a bottom plate composed of an address electrode, a second dielectric layer, a partition wall, and a phosphor layer, a)상기 하판에 구비된 기판 상에 격벽 형성용 페이스트를 도포 및 건조하는 단계;a) applying and drying a barrier forming paste on a substrate provided on the lower plate; b)상기 도포 및 건조된 격벽 형성용 페이스트 상에 드라이 필름 레지스트 패턴을 형성하는 단계-상기 패턴된 드라이 레지스트는 교대로 좁은 격벽과 넓은 격벽이 이어지는 피시본형 구조에서 상기 넓은 격벽의 상부 중심 폭으로부터 아래 방향으로 소정 깊이가 형성되도록 패턴됨-;b) forming a dry film resist pattern on the applied and dried barrier rib forming paste, wherein the patterned dry resist is alternated from an upper center width of the wide barrier rib in a fishbone type structure in which a narrow barrier rib and a wide barrier rib are alternately connected. Patterned to form a predetermined depth in the direction; c)상기 드라이 필름 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 격벽 형성용 페이스트로부터 상기 좁은 격벽과 넓은 격벽을 갖는 격벽을 형성하는 단계; 및c) forming a barrier rib having the narrow barrier rib and the wide barrier rib from the barrier rib forming paste using the dry film resist pattern as a mask; And d)상기 형성된 격벽을 소성하는 단계d) firing the formed partition wall 를 포함하는 플라즈마디스플레이패널용 격벽 제조 방법.Plasma display panel manufacturing method comprising a. 제5항에 있어서, 상기 패턴된 드라이 레지스트는 상기 상부 중심폭에 대응되도록 패턴되는 것을 특징으로 하는 플라즈마디스플레이패널용 격벽 제조 방법.6. The method of claim 5, wherein the patterned dry resist is patterned to correspond to the upper center width. 제5항에 있어서, 상부 중심 폭으로부터 형성된 소정 깊이에 의해 상기 넓은 격벽은 적어도 2개 이상의 서브 격벽으로 분할되는 것을 특징으로 하는 플라즈마디스플레이패널용 격벽 제조 방법.6. The method of claim 5, wherein the wide barrier rib is divided into at least two sub barrier ribs by a predetermined depth formed from an upper center width. 제7항에 있어서, 상기 분할된 서브 격벽의 내·외부의 소성 수축률은 동일하게 유지되는 것을 특징으로 하는 플라즈마디스플레이패널용 격벽 제조 방법.The method of claim 7, wherein a plastic shrinkage ratio of the divided sub barrier ribs is maintained to be the same. 제5항에 있어서, 상기 소정 깊이는 상기 넓은 격벽의 높이의 0.4 내지 0.7배의 범위인 것을 특징으로 하는 플라즈마디스플레이패널용 격벽 제조 방법.The method of claim 5, wherein the predetermined depth is in the range of 0.4 to 0.7 times the height of the wide partition. 제5항에 있어서, 상기 상부 중심 폭은 상기 좁은 격벽의 상부 폭의 0.5 내지 1.1배의 범위인 것을 특징으로 하는 플라즈마디스플레이패널용 격벽 제조 방법.6. The method of claim 5, wherein the upper center width is in a range of 0.5 to 1.1 times the upper width of the narrow partition wall. 제7항에 있어서, 상기 분할된 서브 격벽은 동일한 상부 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마디스플레이패널용 격벽 제조 방법.The method of claim 7, wherein the divided sub barrier ribs have the same upper width. 제5항에 있어서, 상기 격벽은 샌드 블라스트법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마디스플레이패널용 격벽 제조 방법.The method of claim 5, wherein the partition wall is formed by a sand blasting method.
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