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KR100496281B1 - 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 마이크로 채널 플레이트및 이를 이용한 전계 방출 소자 - Google Patents

2차 전자 증폭 구조체를 채용한 마이크로 채널 플레이트및 이를 이용한 전계 방출 소자 Download PDF

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KR100496281B1
KR100496281B1 KR10-2000-0005650A KR20000005650A KR100496281B1 KR 100496281 B1 KR100496281 B1 KR 100496281B1 KR 20000005650 A KR20000005650 A KR 20000005650A KR 100496281 B1 KR100496281 B1 KR 100496281B1
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KR
South Korea
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secondary electron
amplifying structure
layer
mgo
field emission
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KR10-2000-0005650A
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이원태
이정희
유세기
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삼성에스디아이 주식회사
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
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  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)

Abstract

본 발명은 카본나노튜브를 이용하는 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 마이크로 채널 플레이트 및 이를 이용한 전계 방출 소자(Micro Channel Plate applying Secondary electron amplification structure and Field Emission Display using the same)를 기재한다. 본 발명에 따른 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 마이크로 채널 플레이트는 카본나노튜브 위에 MgO 박막이나 MgF2, CaF2, LiF 와 같은 불화물(floride) 혹은 Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O 3 등과 같은 산화(oxide)물 박막을 적층한 2차 전자 구조체가 유리 기판에 형성된 홀의 내측벽면에 형성되고 유리 기판의 양면에 전극이 형성된 구조로 제작되어 전자나 이온에 의한 2차 전자 방출 계수를 증대시키는 작용을 한다.

Description

2차 전자 증폭 구조체를 채용한 마이크로 채널 플레이트 및 이를 이용한 전계 방출 소자{Micro channel plate applying secondary electron amplification structure and field emission display using the same}
본 발명은 카본나노튜브를 이용하는 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 마이크로 채널 플레이트 및 이를 이용한 전계 방출 소자(Micro Channel Plate applying Secondary electron amplification structure and Field Emission Display using the same)에 관한 것이다.
20세기 정보 혁명 수단 중의 하나인 디스플레이(DISPLAY)는 크게 브라운관과 평면 디스플레이 소자(FLAT PANEL DISPLAY)로 나눌 수 있는데, 기존의 브라운관에 비해 평면 디스플레이 소자는 두께가 얇고 휴대성이 좋으며, 저소모전력화로 기존의 브라운관의 단점을 보완하면서 새로운 영역의 시장을 형성하고 있다.
이러한 평면디스플레이 소자로는 LCD(LIQUID CRYSTAL DISPLAY), PDP(PLASMA DISPLAY PANEL), FED(FIELD EMISSION DISPLAY) 등이 주류를 이루고 있고 그 중에서 PDP는 대화면에 유리하여 LCD의 단점을 최대한 보완할 수 있으며 이러한 디스플레이(Display)의 약점을 보완하여 휘도 향상을 꾀할 수 있는 광증배기 튜브(photomultiplier tube; PMT)와 마이크로채널 플레이트(microchannel plate; MCP)과 같은 광 증폭 소자가 있다.
도 1은 종래의 마이크로 채널 플레이트의 개략적 구조를 보여주는 사시도이고, 도 2는 도 1의 마이크로채널 플레이트의 채널 부분을 확대하여 보여주는 도면이다. 도시된 바와 같이, 기존의 마이크로 채널 플레이트는 기본적으로 유리 기판(10)에 전자들이 통과할 수 있는 관통 홀(11a)들이 형성되고 그 내벽에 원통 모양의 마이크로 채널(11)들이 형성된 구조를 갖는다. 또한, 마이크로 채널(11)은 2차 전자를 많이 방출할 수 있는 물질들로 구성되며, 그 양쪽 종단부와 기판 상면에는 전극(12)들이 형성되어 있다.
이와 같이, 마이크로 채널 플레이트는 전자(13)들이 마이크로 채널 내부로 입사되어 채널 벽면의 2차 전자 방출 물질에 충돌하면서 많은 2차 전자(14)들을 방출함으로써 결국 입사하는 전자(13)들 보다 많은 전자(15)들이 출력되는 전자 증폭 소자로서의 동작을 하게 된다.
이러한 전자의 증폭은 결국 광 증폭으로 나타나는데, 이러한 광 증폭 소자와 PDP 및 FED에 사용되는 물질은 2차 전자 방출 계수가 낮기 때문에 전자 증폭율이 낮고 전압 증가와 휘도 약화의 원인이 된다. PDP 에서는 MgO가 2차전자를 방출하는 보호층으로 사용되고 있다. 플라즈마 디스플레이 패널은 방전을 이용한 소자이기 때문에 방전이 잘 일어날 수 있도록 하는 방전공간을 갖는 방전셀들이 형성되어야 한다. 이러한 방전셀들의 공간 내에 보호막으로 MgO층이 형성되어 있다. 이러한 MgO층의 형성은 주로 스퍼터링(sputtering), 전자빔 증착(e-beam evaporation)법으로 박막(thin film)을 형성하게 되는데, 이러한 MgO 단일물질의 증착만으로는 플라즈마 방전 공간 내에서 충분한 2차 전자 방출 효과를 내는데에는 한계가 있다.
또한, PMT나 MCP와 같은 광 증폭 소자 및 FED에서도 마찬자기로 2차 전자 방출을 극대화할 필요가 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하고자 창안한 것으로, 2차전자를 방출하는 MgO층의 장점을 최대한 살리면서 카본나노튜브(Carbon Nanotube)를 적층하여 2차 전자 방출을 극대화할 수 있는 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 마이크로 채널 플레이트 및 이를 이용한 전계 방출 소자를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 마이크로 채널 플레이트는, 전자들이 통과할 수 있는 관통 홀들이 형성된 절연성 기판; 상기 관통 홀의 내벽면에 형성된 2차 전자 방출을 위한 마이크로 채널들; 및 상기 마이크로 채널들이 형성된 상기 절연성 기판의 양면에 각각 전극이 형성된 마이크로 채널 플레이트에 있어서, 상기 마이크로 채널들은, 상기 관통 홀의 내 벽면에 형성된 카본나노튜브들; 및 상기 카본나노튜브들 위에 적층된 MgO층;을 구비한 2차 전자 증폭 구조체로 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 MgO층 대신에 MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3 중 어느 한 물질로 된 층이 형성된 것도 바람직하며, 상기 전극은 Cs, W, Mo, Ta, Fe, Cu 중 적어도 어느 한 금속으로 형성된 것이 바람직하다.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 마이크로 채널 플레이트가 장착된 전계 방출 소자는, 일정한 간격을 두고 서로 대향하도록 배치된 투명 전면 기판 및 배면 기판; 상기 전면 기판 및 배면의 대향면 상에 각각 형성된 양극 및 음극; 상기 배면 기판과 음극 상에 형성된 절연층; 상기 절연층에 형성된 홀에 의해 노출된 상기 음극 상에 형성된 전자 방출용 마이크로팁; 상기 홀에 대응하는 영역에 개구부를 갖도록 상기 절연층 상에 형성된 게이트; 상기 양극 상에 형성된 형광체층; 및 상기 두 기판 사이의 간격을 전면적으로 일정하게 유지하는 스페이서;를 구비한 전계 방출 소자에 있어서, 전자들이 통과할 수 있는 관통 홀들이 형성된 절연성 기판; 상기 관통 홀의 내 벽면 상에 형성된 카본나노튜브들 및 상기 카본나노튜브 상에 적층된 MgO층을 구비한 2차 전자 증폭 구조체가 상기 관통 홀의 내벽면에 형성된 2차 전자 방출을 위한 마이크로 채널들; 및 상기 마이크로 채널들이 형성된 상기 절연성 기판의 양면에 각각 전극이 형성된 마이크로 채널 플레이트가, 상기 형광체층 및 상기 게이트 사이에 설치된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 MgO층 대신에 MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3 중 어느 한 물질로 된 층이 형성되기도 하며, 상기 게이트는 Cs, W, Mo, Ta, Fe, Cu 중 적어도 어느 한 금속으로 형성되며, 상기 게이트의 개구부 측면에, 카본 나노튜브 및 상기 카본 나노 튜브 상에 MgO, MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3 중 어느 한 물질로 된 보호층이 적층된 2차 전자 증폭 구조체가 더 구비된 것이 바람직하다.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 마이크로 채널 플레이트가 장착된 또 다른 전계 방출 소자는, 일정한 간격을 두고 서로 대향하도록 배치된 투명 전면 기판 및 배면 기판; 상기 전면 기판 및 배면의 대향면 상에 각각 나란한 방향의 스트라이프 상으로 형성된 양극들 및 음극들; 상기 배면 기판과 음극들 상에 형성된 절연층; 상기 절연층에 일정한 간격으로 형성된 홀들에 의해 노출된 상기 음극들 상에 형성된 전자 방출용 마이크로팁들; 상기 홀들에 대응하는 영역에 개구부들을 갖도록 상기 절연층 상에 상기 음극들과 교차하는 방향의 스트라이프 상으로 형성된 게이트들; 상기 양극들 상에 형성된 형광체층들; 및 상기 두 기판 사이의 간격을 전면적으로 일정하게 유지하는 스페이서들;을 구비한 전계 방출 소자에 있어서, 전자들이 통과할 수 있는 관통 홀들이 형성된 절연성 기판; 상기 관통 홀의 내 벽면 상에 형성된 카본나노튜브들 및 상기 카본나노튜브 상에 적층된 MgO층을 구비한 2차 전자 증폭 구조체가 상기 관통 홀의 내벽면에 형성된 2차 전자 방출을 위한 마이크로 채널들; 및 상기 마이크로 채널들이 형성된 상기 절연성 기판의 양면에 각각 전극이 형성된 마이크로 채널 플레이트가, 상기 형광체층 및 상기 게이트 사이에 설치된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 MgO층 대신에 MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3 중 어느 한 물질로 된 층이 형성되기도 하고, 상기 게이트는 Cs, W, Mo, Ta, Fe, Cu 중 적어도 어느 한 금속으로 형성되며, 상기 게이트의 개구부 측면에, 카본 나노튜브 및 상기 카본 나노 튜브 상에 MgO, MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3 중 어느 한 물질로 된 보호층이 적층된 2차 전자 증폭 구조체가 더 구비된 것이 바람직하다.
이하 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 마이크로 채널 플레이트 및 이를 장착한 전계 방출 소자를 상세하게 설명한다.
본 발명에서는 상기와 같이 제기된 문제점들을 해결하기 위하여, 먼저, MgO층의 장점을 그대로 이용하는 동시에 방전셀 내에서 효율을 극대화하고자 MgO 형성 전에 카본나노튜브(carborn nanotube; 이하 CNT라 칭함)를 형성하여 그 위에 MgO 박막을 적층한 2차 전자 증폭 구조체를 제공함으로써, 방전 공간 내에서의 전자 방출이 극대화 되도록 하고, 이러한 2차 전자 증폭 구조체를 제작하여 마이크로 채널을 구성함으로써 전자 방출을 극대화시킨 마이크로 채널 플레이트 및 이를 장착한 전계 방출 소자를 제공한다.
도 3은 본 발명에 따른 2차 전자 증폭 구조체의 구성을 보여주는 단면도이다. 본 발명에 따른 2차 전자 증폭 구조체는 카본나노튜브(300)와 MgO층(400)으로 구성되며, 도면에서는 2차 전자 방출 효율을 측정하기 위하여 기판(1000) 상에 적층된 전극(2000) 상에 적층한 시료를 나타내었다. 여기서, 전극(2000)으로는 Ni층(2200)을 사용하였는데 기판(1000) 상에 잘 증착되지 않으므로 버퍼층으로 Cr층(2100)을 증착한 다음 그 위에 증착하였다. 여기서, MgO층(400) 대신에 MgF2, CaF2 및 LiF 와 같은 불화물(floride)이나 Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3 등과 같은 산화(oxide)물을 카본나노튜브(300) 상에 형성한 2차 전자 증폭 구조체를 형성하여도 상당한 2차 전자 증폭 효과를 얻을 수 있다. 또한, 이러한 물질들을 전자 방출 계수 값이 큰 금속 즉 Cs, W, Mo, Ta, Fe, Cu 으로 형성된 전극(2000) 위에 형성하는 것이 바람직하다.
이러한 CNT 위에 MgO층을 증착한 2차 전자 증폭 구조체의 2차 전자 방출에 대한 실험 결과는 다음과 같다. 즉, 본 실험에서는 MgO층, CNT 층 및 본 발명에 따른 CNT+MgO층의 3 가지 시료(sample)를 도 4에 도시된 바와 같은 2차 전자 방출 계수(δ)를 측정하여 비교 하였다.
2차 전자 방출 계수 측정 장치는 진공 챔버(500), 시료(510)에 전자빔을 쏘는 전자총(520), 시료에 전압을 인가하는 가변 전원(540) 및 시료(510)에서 흐르는 전류를 측정하기 위한 전류계(530)으로 구성된다. 측정 방법은 다음과 같다.
먼저, 진공챔버(500) 내에 3가지 시료(510)를 장착하고 가변 전원(540)으로 시료의 전극에 적당한 전압을 인가한 상태에서 전자총(520)으로 시료(510)에 전자빔을 쏘면 전자빔이 시료 표면에 충돌하여 2차 전자를 방출한다. 이 2차 전자들에 의해 형성되는 전류가 Is 이다. 전자빔이 이루는 전류가 Ip 이므로 전류계(530)에서 측정되는 전류가 It일 경우 다음 수학식 1과 같은 관계가 성립한다.
δ=1-(It/Ip)=Is/Ip, Ip=It+Is
2차 전자 증폭 구조체 시료의 경우 CNT 위에 MgO층의 증착 조건을 기판 온도, 증착율, 산소분압, 두께 등을 변화시켜서 측정하였고 각각의 인자(factor)에 대하여 2차 전자 방출 계수가 변화됨을 알 수 있었다. 이러한 인자(factor)를 잘 변화시켜 2차 전자 방출 계수가 큰 조건을 찾아 냈으며 가장 좋은 조건에서 위의 2 가지 시료(sample)와 비교하였다.
도 5는 1차 전자의 에너지 변화에 따른 2차 전자 방출 계를 나타낸 그래프이다. 도 5에 나타난 바와 같이, 2차 전자 방출이 최대인 CNT+MgO (혹은 MgO/CNT) 시료의 2차 전자 방출 계수는 2300이었고, MgO층 만 형성된 시료의 2차 전자 방출 계수가 5.55이었으며, CNT 만 형성된 시료는 2차 전자 방출 계수가 2.46 정도로 측정되었다. 결과적으로, MgO/CNT 인 경우가 2차 전자 방출 계수가 가장 큰 물질로 확인되었다. 이러한 2차 전자 증폭 구조체는 2차 전자 방출 계수가 상대적으로 엄청나게 크므로, 이 구조를 이용하여 표시(Display) 소자(PDP,FED) 및 전자 증폭기, 광 증폭기 등에 사용될 경우 엄청난 2차 전자 증폭 효과를 얻을 수 있음이 입증되었다.
도 6은 본 발명에 따른 2차 전자 증폭 구조체의 시료에서 1차 전자 에너지에 따른 이차 전자 방출 계수 δ를 비교한 그래프이다. 구체적으로, CNT/MgO 구조에서 MgO 조건을 변화 하였을 때 이차 전자 방출 계수 δ의 변화를 측정한 그래프이다.
도 5와 도 6에 나타난 바와 같이, 기존의 여러 번 충돌로 증폭율을 높이는 방법을 한 두 번의 충돌로 원하는 전자의 증폭율을 얻을 수 있게 된다. 즉, 2차 전자 증폭 구조체에서 얻어지는 신호 이득(signal gain)은(즉 증폭율은) 다음 수학식 2로 표시된다.
Gain = δ
여기서, δ1은 초기 충돌에서 증폭율(gain)이고, δ(n-1)는 초기 충돌에서 증폭율을 갖는 시료에 여러번 순차적으로 충돌시의 평균 증폭율이며, n은 전자가 채널(chanel) 길이를 따라 부딪힌 회수를 나타낸다.
즉, 수학식 2에 나타나 있듯이 여러 번 증폭하지 않아도 몇 번의 증폭만으로도 쉽게 원하는 증폭율을 얻기 때문에 복잡한 MCP,PMT의 구조를 간단히 만들수 있고 대 면적화도 가능하게 된다. 실제 대면적 제작시에 증폭율을 높이는 것은 cost가 비싸지고 제작이 어렵다는 단점이 있었다. 본발명에서 실험한 물질로 쉽게 제작이 가능하여 cost down 효과를 볼수 있다.
다음은 두 번째 실험으로 실험 1에서와 같은 방식으로 제작된 2차 전자 증폭 구조체와 CNT를 인쇄법(printing 방법)으로 형성한 박막과 기존 MgO 박막과 같이 비교하여 이온에 의한 이차 전자 방출 계수 Υ를 측정하였다. 이 데이타는 PDP 와 PDP 구조를 이용한 백라이트(backlight) 제작시에 보호층으로 제작되는 MgO 대신에 사용되어 높은 이차 전자 방출 계수 Υ로 인해 구동전압을 떨어뜨릴 수 있는 근거가 된다. 이온에 의한 이차 전자 방출 계수 Υ값이 측정한 결과 실제 PDP 내부에서 이온의 가속전압(50 V 이하)에서 이온에 의한 이차 전자 방출 계수 Υ가 증대되는 것을 확인하였다. 이는 수학식 3으로 표시된다.
여기서, Vf는 PDP의 초기 방전 전압이고, Υ는 2차 전자 방출 계수, A,B는 가스에서 결정되는 상수이며, d는 전극 간의 거리(distance)이다. 이러한 수학식 3에 근거하여 이온에 의한 2차 전자 방출 계수 Υ가 커지므로 구동 전압 감소를 기대할 수 있다.
도 7은 이러한 측정결과를 나타낸 그래프로서, 각각의 다른 층을 비교함으로써 조건에 따른 Υ를 비교할 수 있다. 즉, 도 7은 각 층의 이온에 의한 이차 전자 방출 계수 Υ를 비교한 그래프이다. 그래프에서 MgO는 MgO층, CNT는 카본나노튜브층(Carbon nano tube layer), CNT+MgO1(MgO2)는 CNT 위에 MgO층이 형성된 것( MgO1과 MgO2는 증착조건차이)을 각각 나타낸다. 이 그래프에서 실제 PDP의 cell 내에서 가속 전압은 대략 30 V 이하 값으로 측정되므로 Υ값도 30 V 이하에서 서로 비교 할 수 있게 된다. 이렇게 비교하면 기존 MgO 보다 CNT, CNT+MgO 등이 Υ값이 큰 것으로 관찰되며 이 것은 PDP 와 PDP 구조를 이용한 backlight lamp 구조에서 구동 전압 강하를 의미하게 된다.
이상과 같은 실험은 최초로 진행된 실험으로서 CNT 위에 MgO 박막이 형성되면서 2차 전자 방출계수가 증대되는 것을 확인시켜 주었다. 즉, 실험1에서 전자에 의한 이차 전자 방출 계수(δ로 표시)의 증가를 확인하였고, 실험2에서 이온에 의한 이차 전자 방출 계수(Υ로 표시)의 증가를 확인하였다.
먼저, 전자에 의한 이차전자 방출계수값 δ가 기존 MgO 박막이 2차 전자 방출 계수 δ가 2~5 정도 인데 반해 본 2차 전자 증폭 구조체로 하면 δ값이 19000 까지 증대되어 전자에 의한 이차전자방출이 이제까지 알려진 물질(약 80 정도로 알려져 있슴) 보다 수 100배 이상 증대됨을 확인하여 주었다. 이러한 방출비δ가 높은 것은 MgO 표면의 표면적이 증대되어 커진 것도 있지만 정확한 이유는 알려져 있지 않다. 다만 MgO의 표면적이 커진 것은 사실이라고 말할 수 있지만 CNT 물질 내부에서 증폭되는 효과에 의한 것이라고 사료된다.
또한, 이온에 의한 이차 전자 방출 계수 Υ값이 측정한 결과 실제 PDP 내부에서 이온의 가속전압(50 V 이하)에서 이온에 의한 이차 전자 방출 계수 Υ가 증대되는 것을 확인하였다. 이는 수학식 3으로 표시되어 있는데, 이 수학식 3에서 나타나 보이는 것 처럼 이온에 의한 이차전자방출계수인 Υ가 커질수록 초기 방전전압인 Vf는 작아지는 결과를 보이게 된다. 본 발명에서는 이러한 Υ값이 기존 PDP 보호막인 MgO 보다 CNT 위에 형성된 MgO 막인 구조가 PDP 방전 공간에서(PDP 방전시에 이온의 가속 전압이 50 V 이하로 알려져 있음) Υ값이 커지는 것을 (즉 PDP 구동전압이 떨어지는것) 이차 전자 방출 계수를 측정함으로써 확인하였다. 이러한 Υ값이 커지는 것은 현재 PDP 구조로 LCD 백라이트(backlight)를 사용하는 평판 램프(lamp)에서도 사용되어 램프의 구동 전압이 강하되어 LCD 소자의 구동 전압을 낮출 수 있는 효과를 볼 수 있다.
또한, 상기와 같은 2차 전자 증폭 구조체를 형성하는데는 MgO층 외에도 MgF2, CaF2 및 LiF 와 같은 불화물(floride)이나 Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3 등과 같은 산화(oxide)물을 카본나노튜브 상에 적층하더라도 큰 2차 전자 증폭 효과를 얻을 수 있음은 앞에서 설명한 바 있다. 이들 중 SiO2 층을 카본나노튜브 상에 적층한 2차 전자 증폭 구조체에서의 2차 전자 증폭 효과를 측정한 결과 그래프가 도 8에 도시된다. 도시된 바와 같이, SiO2 층/카본나노튜브로 구성된 2차 전자 증폭 구조체의 시료에서는 이차 전자 방출 계수 δ가 6000 까지 증가하는 것을 알 수 있다.
이러한 결과들을 을 이용하여 전자와 이온의 2차 전자 방출비가 중요한 역할을 하는 표시장치 Display 인 FED, PDP 에 응용할수 있고 전자 증폭기 소자(MCP) 및 광증폭기 소자(PMT)에 응용 할수 있을 것이다. 따라서 기존 보다 개선된 구동전압을 갖는 Display 및 증폭기 소자를 제작 할 수 있게 된다. 이러한 2차 전자 증폭 구조체를 마이크로 채널에 적용한 본 발명에 따른 실시예가 도 9에 도시된다.
즉, 도 9는 본 발명에 따른 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 마이크로 채널 플레이트의 채널을 확대하여 보여주는 도면이다. 도시된 바와 같이, 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 마이크로 채널 플레이트는 유리 기판(미도시)에 전자들이 통과할 수 있는 관통 홀들이 형성된 점에 있어서는 기존의 마이크로 채널 플레이트와 구조적으로 동일하고, 그 내벽에 2차 전자 증폭 구조체를 갖는 원통 모양의 마이크로 채널(710)들이 형성된 점에 기존의 것과 다른 구조적 특징을 갖는다.
특히, 마이크로 채널(710)은, 도 10에 도시된 바와 같이, 2차 전자를 많이 방출할 수 있도록 유리 기판(미도시)의 홀 내측 벽면에 카본나노튜브들(711)이 형성되고 그 표면에 MgO 보호층(712)을 형성한 2차 전자 증폭 구조체로 형성된다.
이와 같이 형성된 마이크로 채널 플레이트에서, 전극들(720)에 일정한 전압이 인가된 상태에서 전자(730)들이 마이크로 채널(710) 내부로 입사되면 이 입사전자(730)들이 채널 벽면의 2차 전자 증폭 구조체(710)에 충돌하면서 많은 2차 전자(740)들을 방출함으로써 결국 입사하는 전자(730)들 보다 많은 전자(750)들이 출력되는 전자 증폭 소자로서의 동작을 한다.
여기서, 채널(710)의 보호층(711)의 구성물질로서 MgO 외에도 MgF2, CaF2 및 LiF 와 같은 불화물(floride)이나 Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3 등과 같은 산화(oxide)물을 사용하여 카본나노튜브와 함께 2차 전자 증폭 구조체를 형성하여도 상당한 2차 전자 증폭 효과를 얻을 수 있다. 또한, 이러한 물질들을 전자 방출 계수 값이 큰 금속 즉 Cs, W, Mo, Ta, Fe, Cu 으로 형성된 전극 위에 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 도 11은 본 발명에 따른 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 마이크로 채널 플레이트를 장착한 전계 방출 소자의 일 실시예를 나타내는 수직 단면도이다. 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 전계 방출 소자의 실시예는, 일정한 간격을 두고 서로 대향하는 전면 유리 기판(200) 및 배면 유리 기판(110)을 구비하고, 이들 사이의 간격을 스페이서(150)로 유지한다. 배면 유리 기판(110) 상에는 스트라이프 상의 음극(120)들이 형성되고, 이 들 음극(120)들의 특정 영역 상에는 전자 방출을 위한 마이크로팁(120')들이 형성된다. 이 마이크로팁(120')들은 음극(120) 상에 적층된 절연층(130)에 형성된 홀(130a) 내부에 형성되어 이 홀(130a)에 의해 노출된 음극(120) 상에 형성되며, 절연층(130)은 배면기판(110) 상에도 형성되어 배면기판(110)과 음극(120)을 전면적으로 덮는다. 절연층(130) 상에는 음극(120)과 교차하는 방향의 스트라이프 상으로 게이트(140)가 형성되며, 이 게이트(140)에는 각 홀(130a)들에 대응하는 개구부(140a)들이 형성되어 전자가 방출될 수 있도록 한다.
또한, 전면 유리 기판(200) 상에는 음극(120)과 나란한 방향의 스트라이프 상으로 양극(160)들이 형성되며, 이들 양극(160)들 상에는 형광체층(170)이 형성된다. 양극(160)들 사이의 전면기판(200) 상에는 빛이 누출되는 것을 차단하기 위한 블랙매트릭스(180)가 형성된다. 그리고 이들 블랙매트릭스(180)를 따라 두 기판 간의 간격을 유지하는 스페이서(150)들이 배치된다.
특히 이 실시예는 상기와 같은 기본 전계 방출 소자의 기본 구조에서 게이트(140)와 양극(160) 사이의 공간에 도시된 바와 같이 카본나노튜브(711)/MgO(712)(도 10 참조)로 구성된 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 마이크로 채널 플레이트를 장착하고, 이를 스페이서(150)나 혹은 다른 구조물로 고정시킨 특징을 갖는다.
이와 같이, 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 마이크로 채널 플레이트를 장착한 전계 방출 소자는 음극(120)과 게이트(140) 간에 인가된 전압에 의해 형성된 전계에 의해 마이크로팁(120')으로부터 전자들이 방출되도록 하며, 이렇게 방출된 전자들이 마이크로 채널 플레이트(600)의 채널(710)들을 통과하면서 2차 전자 증폭 구조체(710)에 충돌하여 보다 많은 2차 전자들을 방출함으로써 양극(160)으로 진행하는 전자들의 수가 증대되어 형광체(170)에서 더욱 밝은 빛을 방출하게 된다.
또한, 여기서도 마찬가지로 2차 전자 증폭 구조체를 구성하는 보호층(711; 도 10 참조)의 구성물질로서 MgO 외에도 MgF2, CaF2 및 LiF 와 같은 불화물(floride)이나 Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3 등과 같은 산화(oxide)물을 사용하여도 상당한 2차 전자 증폭 효과를 얻을 수 있다. 또한, 이러한 물질들을 전자 방출 계수 값이 큰 금속 즉 Cs, W, Mo, Ta, Fe, Cu 으로 형성된 전극 사이에 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 도 12는 본 발명에 따른 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 마이크로 채널 플레이트를 장착한 전계 방출 소자의 또 다른 실시예를 보여주는 도면이다. 이 실시예의 전계 방출 소자는 도 11의 실시예에서, 게이트(240)의 개구부 벽면에 카본나노튜브(291) 및 MgO 보호층(292)로 형성된 2차 전자 증폭 구조체(290)를 더 형성한 것이 특징이다. 이 게이트(240)의 개구부의 벽면에 형성된 카본나노튜브(291)/MgO 보호층(292)의 2차 전자 증폭 구조체(290)는 마이크로팁(220')에서 방출되는 일부 전자들의 에너지를 흡수하여 2차 전자들을 방출한다. 이 2차 전자 방출 계수 δ는 상당히 큰 값을 가지므로 많은 2차 전자들이 방출된다.
이와 같이, 게이트(240)의 개구부 벽면에 형성된 2차 전자 구조체(290)로 마이크로팁(220')로 방출되는 전자들을 증배시키고, 이 증배된 2차 전자들과 마이크로팁(220')로부터 직접 입사되는 전자들이 마이크로 채널 플레이트(650)의 채널(810)에 형성된 2차 전자 증폭 구조체에 충돌하여 더 많은 2차 전자들을 형성하므로 최대의 휘도를 발휘할 수 있는 소자가 된다. 물론 보호층(292)으로 MgO 외에도 MgF2, CaF2 및 LiF 와 같은 불화물(floride)이나 Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3 등과 같은 산화(oxide)물을 사용할 수도 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 마이크로 채널 플레이트는 카본나노튜브 위에 MgO 박막이나 MgF2, CaF2, LiF 와 같은 불화물(floride) 혹은 Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O 3 등과 같은 산화(oxide)물 박막을 적층한 2차 전자 구조체가 유리 기판에 형성된 홀의 내측벽면에 형서되고 유리 기판의 양면에 전극이 형성된 구조로 제작되어 전자나 이온에 의한 2차 전자 방출 계수를 증대시키는 작용을 한다. 따라서, 이러한 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 마이크로 채널 플레이트를 사용하면 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.
첫째, 마이크로 채널 플레이트에 적용하면, 마이크로 채널 내부로 입사되는 전자들에 의한 2 차전자방출계수 δ가 증대되므로 높은 2차 전자들의 방출을 유발할 수 있다.
둘째, 상기와 같은 마이크로 채널 플레이트를 전계 방출 소자에 장착하면 마이크로 채널 내부로 입사되는 전자들에 의한 2 차전자방출계수 δ가 증대되므로 높은 2차 전자들의 방출을 유발할 수 있어 양극 상의 형광체층으로 입사되는 전자들의 양이 획기적을 증대되므로 휘도를 증가시킨다. 이는 반대로 FED를 구동시키는 구동 전압을 낮출 수 있음을 의미하며, 아울러 FED 회로의 안정에도 기여하게 되고 가격을 낮출 수 있는 장점을 부여한다. 또한 FED 구조를 이용한 LCD 백라이트(backlight)에 적용할 경우에는 LCD 백라이트의 밝기를 높여준다. 따라서, 이는 상대적으로 백라이트의 구동전압을 강하시킬 수 있음을 의미한다.
더욱이, FED에 상기와 같은 마이크로 채널 플레이트를 장착하는 동시에 게이트 개구부 벽면에 2차 전자 증폭 구조체를 형성하면 마이크로팁에서 발산하는 전자들을 이용하여 더욱 많은 2차 전자들을 얻을 수 있고 이 들이 마이크로팁에 직접 입사하는 전자들과 함께 마이크로 채널 플레이트의 채널에서 거듭 증폭 되므로 지극히 높은 휘도를 얻을 수 있다. 이와 같이, 전자 증폭율이 높아지면 기존 증폭기의 두께 및 직경, 구조 변환이 자유롭고 다른 display (FED)에 응용할수 있는 장점이 있다. MCP를 이용한 다른 device에도 파급효과가 크기에 다른 device의 성능 개선 효과를 볼 수 있다. 즉, 결과적으로 각 Device 의 성능 개선(구동전압 강하 및 휘도 증대) 과 Device의 Cost Down 및 수율이 향상되는 효과를 거둘 수 가 있다.
도 1은 기존의 마이크로 채널 플레이트의 개략적 구조를 나타내는 사시도,
도 2는 도 1의 마이크로 채널 플레이트의 채널 구조를 확대하여 보여주는 개략적 구성도,
도 3은 본 발명에 따른 2차 전자 증폭 구조체의 실시예를 나타내는 단면도,
도 4는 2차 전자 방출 계수를 측정하는 장치를 개략적으로 나타낸 도면,
도 5는 CNT+MgO로 형성된 도 3의 2차 전자 증폭 구조체 시료들에서 전자에 의한 2차 전자 방출 계수를 측정한 그래프,
도 6은 본 발명에 따른 2차 전자 증폭 구조체에서 MgO의 증착 두께에 따른 2차 전자 방출 계수를 비교한 그래프,
도 7은 CNT+MgO로 형성된 도 3의 2차 전자 증폭 구조체 시료들에서 이온에 의한 2차 전자 방출 계수를 측정한 그래프,
도 8은 CNT+SiO2로 형성된 도 3의 2차 전자 증폭 구조체 시료들에서 전자에 의한 2차 전자 방출 계수를 측정한 그래프,
도 9는 본 발명에 따른 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 마이크로 채널 플레이트의 채널 구조를 보여주는 개략적 구성도,
도 10은 도 9의 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 마이크로 채널 플레이트의 채널의 단면도,
도 11은 본 발명에 따른 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 마이크로 채널 플레이트가 장착된 전계 방출 소자의 일 실시예의 수직 단면도,
그리고 도 12는 본 발명에 따른 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 마이크로 채널 플레이트가 장착된 전계 방출 소자의 또 다른 실시예의 수직 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10. 유리 기판 11a. 관통 홀
11. 마이크로 채널 12. 전극
13. 입사 전자 14. 2차 전자
15. 출력 전자
110. 배면 유리 기판 120. 음극
120'. 마이크로팁 130. 절연층
130a. 홀 140. 게이트
140a. 개구부 150. 스페이서
160. 양극 170. 형광체층
180. 블랙매트릭스 190. 2차 전자 증폭 구조체
191. 카본나노튜브 192. MgO 보호층
200. 전면 유리 기판 300. 카본나노튜브
400. MgO층 500. 진공 챔버
510. 시료 520. 전자총
530. 전류계 540. 가변 전원
600, 650. 마이크로 채널 플레이트
710. 마이크로 채널(2차 전자 증폭 구조체)
711. 카본나노튜브 712. MgO 박막
720. 전극 730. 입사 전자
740. 2차 전자 750. 출력 전자
810. 마이크로 채널(2차 전자 증폭 구조체)
1000. 기판 2000. 전극
2100. Cr층 2200. Ni층

Claims (11)

  1. 전자들이 통과할 수 있는 관통 홀들이 형성된 절연성 기판;
    상기 관통 홀의 내벽면에 형성된 2차 전자 방출을 위한 마이크로 채널들; 및
    상기 마이크로 채널들이 형성된 상기 절연성 기판의 양면에 각각 전극이 형성된 마이크로 채널 플레이트에 있어서,
    상기 마이크로 채널들은,
    상기 관통 홀의 내 벽면에 형성된 카본나노튜브들; 및
    상기 카본나노튜브들 위에 적층된 MgO층;을
    구비한 2차 전자 증폭 구조체로 형성된 것을 특징으로 하는 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 마이크로 채널 플레이트.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 MgO층 대신에 MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3 중 어느 한 물질로 된 층이 형성된 것을 특징으로 하는 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 마이크로 채널 플레이트.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 전극은 Cs, W, Mo, Ta, Fe, Cu 중 적어도 어느 한 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 마이크로 채널 플레이트.
  4. 일정한 간격을 두고 서로 대향하도록 배치된 투명 전면 기판 및 배면 기판;
    상기 전면 기판 및 배면의 대향면 상에 각각 형성된 양극 및 음극;
    상기 배면 기판과 음극 상에 형성된 절연층;
    상기 절연층에 형성된 홀에 의해 노출된 상기 음극 상에 형성된 전자 방출용 마이크로팁;
    상기 홀에 대응하는 영역에 개구부를 갖도록 상기 절연층 상에 형성된 게이트;
    상기 양극 상에 형성된 형광체층; 및
    상기 두 기판 사이의 간격을 전면적으로 일정하게 유지하는 스페이서;를
    구비한 전계 방출 소자에 있어서,
    전자들이 통과할 수 있는 관통 홀들이 형성된 절연성 기판;
    상기 관통 홀의 내 벽면 상에 형성된 카본나노튜브들 및 상기 카본나노튜브들 위에 적층된 MgO층을 구비한 2차 전자 증폭 구조체가 상기 관통 홀의 내벽면에 형성된 2차 전자 방출을 위한 마이크로 채널들; 및
    상기 마이크로 채널들이 형성된 상기 절연성 기판의 양면에 각각 전극이 형성된 마이크로 채널 플레이트가,
    상기 형광체층 및 상기 게이트 사이에 설치된 것을 특징으로 하는 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 마이크로 채널 플레이트를 장착한 전계 방출 소자.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 MgO층 대신에 MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3 중 어느 한 물질로 된 층이 형성된 것을 특징으로 하는 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 마이크로 채널 플레이트를 장착한 전계 방출 소자.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서,
    상기 게이트는 Cs, W, Mo, Ta, Fe, Cu 중 적어도 어느 한 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 마이크로 채널 플레이트를 장착한 전계 방출 소자.
  7. 제4항 또는 제5항에 있어서,
    상기 게이트의 개구부 측면에, 카본 나노튜브 및 상기 카본 나노 튜브 상에 MgO, MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3 중 어느 한 물질로 된 보호층이 적층된 2차 전자 증폭 구조체가 더 구비된 것을 특징으로 하는 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 마이크로 채널 플레이트를 장착한 전계 방출 소자.
  8. 일정한 간격을 두고 서로 대향하도록 배치된 투명 전면 기판 및 배면 기판;
    상기 전면 기판 및 배면의 대향면 상에 각각 나란한 방향의 스트라이프 상으로 형성된 양극들 및 음극들;
    상기 배면 기판과 음극들 상에 형성된 절연층;
    상기 절연층에 일정한 간격으로 형성된 홀들에 의해 노출된 상기 음극들 상에 형성된 전자 방출용 마이크로팁들;
    상기 홀들에 대응하는 영역에 개구부들을 갖도록 상기 절연층 상에 상기 음극들과 교차하는 방향의 스트라이프 상으로 형성된 게이트들;
    상기 양극들 상에 형성된 형광체층들; 및
    상기 두 기판 사이의 간격을 전면적으로 일정하게 유지하는 스페이서들;을
    구비한 전계 방출 소자에 있어서,
    전자들이 통과할 수 있는 관통 홀들이 형성된 절연성 기판;
    상기 관통 홀의 내 벽면 상에 형성된 카본나노튜브들 및 상기 카본나노튜브들 위에 적층된 MgO층을 구비한 2차 전자 증폭 구조체가 상기 관통 홀의 내벽면에 형성된 2차 전자 방출을 위한 마이크로 채널들; 및
    상기 마이크로 채널들이 형성된 상기 절연성 기판의 양면에 각각 전극이 형성된 마이크로 채널 플레이트가,
    상기 형광체층 및 상기 게이트 사이에 설치된 것을 특징으로 하는 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 마이크로 채널 플레이트를 장착한 전계 방출 소자.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 MgO층 대신에 MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3 중 어느 한 물질로 된 층이 형성된 것을 특징으로 하는 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 마이크로 채널 플레이트를 장착한 전계 방출 소자.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서,
    상기 게이트는 Cs, W, Mo, Ta, Fe, Cu 중 적어도 어느 한 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 마이크로 채널 플레이트를 장착한 전계 방출 소자.
  11. 제8항 또는 제9항에 있어서,
    상기 게이트의 개구부 측면에, 카본 나노튜브 및 상기 카본 나노 튜브 상에 MgO, MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3 중 어느 한 물질로 된 보호층이 적층된 2차 전자 증폭 구조체가 더 구비된 것을 특징으로 하는 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 마이크로 채널 플레이트를 장착한 전계 방출 소자.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4568853A (en) * 1981-05-20 1986-02-04 U.S. Philips Corporation Electron multiplier structure
US5378960A (en) * 1989-08-18 1995-01-03 Galileo Electro-Optics Corporation Thin film continuous dynodes for electron multiplication
JPH0834635A (ja) * 1994-07-27 1996-02-06 Hoya Corp マイクロチャンネルプレート用融着ガラス
US5635706A (en) * 1996-03-27 1997-06-03 Csl Opto-Electronics Corporation Direct conversion X-ray/gamma-ray photocathode

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4568853A (en) * 1981-05-20 1986-02-04 U.S. Philips Corporation Electron multiplier structure
US5378960A (en) * 1989-08-18 1995-01-03 Galileo Electro-Optics Corporation Thin film continuous dynodes for electron multiplication
JPH0834635A (ja) * 1994-07-27 1996-02-06 Hoya Corp マイクロチャンネルプレート用融着ガラス
US5635706A (en) * 1996-03-27 1997-06-03 Csl Opto-Electronics Corporation Direct conversion X-ray/gamma-ray photocathode

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