KR100468234B1 - 노광방법,노광장치및디스크 - Google Patents
노광방법,노광장치및디스크 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100468234B1 KR100468234B1 KR1019970015622A KR19970015622A KR100468234B1 KR 100468234 B1 KR100468234 B1 KR 100468234B1 KR 1019970015622 A KR1019970015622 A KR 1019970015622A KR 19970015622 A KR19970015622 A KR 19970015622A KR 100468234 B1 KR100468234 B1 KR 100468234B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- pattern
- projection
- substrate
- exposure
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 138
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 93
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 25
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 7
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 38
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 27
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 22
- 230000008859 change Effects 0.000 description 18
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 101100408299 Oryza sativa subsp. japonica PIL13 gene Proteins 0.000 description 4
- 101150023963 PIL1 gene Proteins 0.000 description 4
- 101100136634 Arabidopsis thaliana PIF6 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100408307 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) pil2 gene Proteins 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70475—Stitching, i.e. connecting image fields to produce a device field, the field occupied by a device such as a memory chip, processor chip, CCD, flat panel display
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70791—Large workpieces, e.g. glass substrates for flat panel displays or solar panels
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
본 발명은 이음부에서 발생하는 부자연스러운 콘트라스트차를 저감할 수 있는 노광 방법, 노광 장치 및 마스크를 제안하고 액정 표시 장치의 화질을 저하시키는 화면 나뉨을 감소시킬 수 있는 투영 노광 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 제 1 층에 노광하는 노광 패턴을 복수의 단위 패턴으로 해서 마스크로 형성하고, 단위 패턴의 이음부를 사이에 두고 감광 기판 상에 제 1 층 노광 패턴을 형성하는 스텝과, 제 2 층에 노광하는 노광 패턴을 복수의 단위 패턴으로해서 마스크로 형성하고, 단위 패턴의 이음부를 사이에 두고 제 1 층이 형성된 감광 기판에 제 2 층 노광 패턴을 형성하는 스텝을 포함하는 노광 방법이고, 제 2 층의 노광 패턴을 형성할 때 제 1 층의 이음부와 제 2 층의 이음부를 어긋나게 노광한다.
Description
본 발명은 노광 방법, 노광 장치 및 마스크에 관한 것으로, 예를 들면 스위칭 소자를 갖춘 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치(액정 패널) 제조에 이용된 노광 방법, 노광 장치 및 마스크에 적용할 수 있는 것이다.
근래 퍼스널 컴퓨터나 텔레비전 수상기의 표시 장치는 대화면에서 고정도의 컬러 액정 표시 장치(이하, LCD라 함)가 이용되고 있다. 현재 LCD의 화면크기(화면 대각의 폭)는 10-12인치 정도이지만, 16인치, 더욱이 20인치를 넘는 대화면의 LCD도 개발되고 있다. 또 대화면화에 대응해서 화면의 정세도(精細度)에 대해서도, VGA(640x 480)의 화소수로부터 XGA(1024x 768) 및 SXGA(1280x 1024)의 화소수에 대응하는 LCD도 생산되고 있다. 이를 LCD는 화상 표시의 응답성, 광시야각 특성, 혹은 다계조화에서 뛰어난 액티브 매트릭스형 LCD, 특히 각 화소에 박막 트랜지스터(이하, TFT라 한다)를 스위칭 소자로써 갖춘 TFT/LCD가 주류가 되고 있다.
TFT/LCD의 표시 화소의 구서예의 개략을 도 16을 이용해 간단하게 설명한다. 도 16은 TFT/LCD의 어레이 기판(TFT가 형성된 기판)의 일부 영역을 확대한 평면도이다. 유리 기판 142 상에 표시화면의 수평방향으로 복수의 게이트선 132가 형성되고, 수직방향으로 복수의 데이터선 130이 형성되어 있다. 게이트선 132와 데이터선 130으로 둘러싸인 각 표시 화소 영역에 ITO(인듐 틴 옥사이드)로 된 투명화소 전극 134가 형성되어 있다. 각 표시 화소 영역의 각부에는 게이트선 132로부터 인출된 게이트 전극 136이 형성되어 있다. 게이트 전극 136 상에는 도시하지 않은 게이트 절연막을 사이에 두고 예를 들면 아물파스 실리콘(α-Si)으로 된 채널층 144가 형성되고 있다. 채널층 144 상층에는 데이터선 130으로부터 인출된 드레인 전극 140 및 드레인 전극 140과 동시에 형성되고, 투명화소 전극 134에 전기적으로 접속되는 소tm전극 138이 형성되어 있다. 이들 게이트 전극 136 및 게이트 절연막, 채널층 144, 소스/드레인 전극 138, 140에 의해 TFT가 구성된다. 또, 축적용량선 등에 대해서는 도시 및 설명을 생략한다.
상술한 TFT/LCD를 구성하는 각층의 회로 패턴은 포토리소그래피 공정으로 형성된다. 투영 노광 장치를 이용해 포토마스크나 레티클(이하, 레티클이라 한다)에 형성한 회로 패턴을 유리 기판 142 상에 도포한 레지스트층(감광제층)에 노광하고, 현상해서 회로 패턴이 전사된 레지스트층을 마스크로 해서 예를 들면 α-Si로 된 반도체층을 에칭해서 채널층 144를 형성하거나, 금속 배선층을 에칭해서 게이트선 132 및 게이트 전극 136 혹은 데이터선 130 및 소스/드레인 전극 138, 140을 형성하거나 한다.
전술한 투영 전극 장치로서는 스텝 앤 리피트 방식과, 레티클과 유리 기판을 동기해서 이동하는 주사 방식이 있다.
스텝 앤 리피트 방식의 노광 장치에서는, 가동 스테이지상에 올려진 감광 기판(유리 기판)을 스텝 앤 리피트 방식으로 이동하면서 이 감광 기판의 소정 영역에 순차 레티클의 패턴을 이으면서 분할 노광하도록 되어 있다. 또 이런 종류의 노광 장치에서는 복수의 레티클을 례티클 체인저 상에 유지하고, 이 레티클 체인저 및 스테이지를 이동함으로써 복수의 레티클 패턴을 감광 기판 상에 이으면서 분할 노광하고, 이것에 의해 형성된 감광 기판상의 제 1층에 대해 레티클 체인저의 레티클의 패턴을 순차로 이으면서 분할 노광함으로써 제 1 층상에 제 2 층을 노광하고 있다.
도 17은 노광 장치의 가동 스테이지 상에 올려진 감광 기판 P 상에 제 1 층 LY1 및 제 2 층 LY2를 각각 분할 노광한 상태를 나타내고, 감광 기판 P 상에 제 1 층 LY1의 단위 패턴 LY1A 및 LY1B가 이음부 JN에서 이어져 노광되고, 이 제 1 층 LY1 상에 제 2 층 LY2 의 단위 패턴 LY2A 및 LY2B가 이음부 JN에서 이어져 노광되고 있다.
여기서 감광 기판 P가 올려진 가동 스테이지(미도시)는 X-Y 평면 내를 이동 제어하고, 이 가동 스테이지상에 올려진 감광 기판 P는 가동 스테이지가 이동하는 X-Y 평면 좌표계에서 그 위치가 관리되고 있다. 따라서 예를 들면 제 1 층 LY1의 제 1 단위 패턴 LY1A가 목표로 하는 감광 위치에 대해 -△x만큼 비껴 노광되고, 이것에 대해 제 2 층 LY2의 제 1 단위 패턴 LY2A가 목표로 하는 노광 위치에 대해 +△x만큼 비껴 노광된 경우, 제 1 층 LY1의 제 1 단위 패턴 LY1A 과 제 2 층 LY2의 제 1 단위 패턴 LY2A 의 노광 위치의 차는 제 1 층 LY1의 단위 패턴 LY1A를 기준으로 해서 해당 단위 패턴 LY1A에 대한 제 2 층 LY2의 단위 패턴 LY2A의 비낌량으로 보면 +2△x가 된다.
이것에 대해 예를 들면 제 1 층 LY1의 제 2 단위 패턴 LY1B가 목표로 하는 노광 위치에 대해 +△x만큼 비껴 노광되고, 이것에 대해 제 2 층 LY2의 제 2 단위 패턴 LY2B가 목표로 하는 노광위치에 대해 -△x만큼 비껴 노광된 경우, 제 1 층 LY1의 제 2 단위 패턴 LY1B와 제 2 층 LY2의 제 2 단위 패턴 LY2B의 노광 위치의 차는 제 1 층 LY1의 단위 패턴 LY1B를 기준으로 해서 해당 단위 패턴 LY1B에 대한 제 2 층 LY2의 단위 패턴 LY2B의 비낌량으로 보면 -2△x가 된다. 따라서 도 18에 나타내듯 제 1 층 LY1을 기준으로 해서 이것에 대한 제 2 층 LY2의 상대적인 비낌량은 이음부 JN을 경계로 해서 +4△x가 된다.
이러한 비낌이 액정 패널의 노광 공정에서 생긴 경우, 도 19에 나타낸 바와 같이 제 1 층 LY1에 의해 형성된 액정 패널내의 박막 트랜지스터의 게이트 전극 GA와, 제 2 층 LY2에 의해 형성된 박막 트랜지스터의 드레인 전극 DR 및 소스 전극 SO가 +4△x 만큼 비껴나게 된다.
드레인 전극 DR의 게이트 전극 GA에 대한 겹친 면적 PIL1, PIL2는 해당 양전극간에서 형성하는 콘덴서용량을 결정하는 것이고 이 콘덴서 용량의 차는 박막 트랜지스터의 유지 전압의 차가 된다. 따라서 이 겹친 면적 PIL1, PIL2가 이음부 JN을 경계로 해서 좌우의 액정 패널에서 다르면, 액정 패널의 광투과율에 차가 생기고, 이 결과 액정 패널에 이음부 JN을 경계로 하는 콘트라스트 차가 생기게 된다.
한편, TFT/LCD의 대화면에 따른 유기기판 142의 대형화에 대응해서 투영노광 장치의 투영 노광 영역을 확대시킬 필요로부터 복수의 투영 광학계를 가진 주사형 투영 노광 장치가 이용되고 있다. 이 주사형 투영 노광 장치는 복수의 투영 광학계에서 레티클의 회로 패턴을 복수의 대형상(사다리꼴) 영역으로 분할해서 유리 기판상에 투영하고, 동시에 레티클과 유리 기판을 투영 광학계에 대해 동기시켜 주사함으로써 레티클 상의 회로 패턴 영역의 전면을 유리 기판 상에 전사한다.
도 20a는 주사형 투영 광학 장치에 의한 유리 기판 142 상의 투영 영역의 일부를 나타내고 있다. 각 투영 광학계의 대형상의 투영 영역 150, 152는 회로 패턴을 균일하게 조사시키기 위해 상호 소정량 중첩해서 배치되고 있다. 도면 중 X방향은 투영 영역 150, 152에 대해 유리 기판 142가 상대적으로 이동하는 방향이다. 또 투영 영역 150과 투영 영역 152의 Y 방향의 중복하는 영역을 영역 b(예를 들면 중복 폭 5mm)로 하고, 투영 영역 150측의 중복되지 않는 영역을 영역 a, 투영 영역 152측의 중복되지 않는 영역을 영역 c로 한다.
일반적으로 주사형 투영 노광 장치에 탑재된 복수의 투영 광학계의 결상 특성은 각각 다르기 때문에 투영 영역 150에 결상하는 투영 광학계의 결상 특성이 도 20a의 화살표로 나타낸 -Y 방향으로 △P의 크기로 결상 위치의 비낌을 생기게 하는 것으로 하고, 마찬가지로, 투영 영역 152에 결상하는 투영 광학계의 결상 특성은 화살표로 나타낸 +Y 방향으로 △P의 크기로 결상 위치의 비낌을 생기게 하려한다. 이러한 결상 특성을 가진 투영 광학계를 이용해 노광해서 형성된 층의 패턴의 위치 비낌을 도 20b를 이용해 설명한다. 도 20b의 횡축은 Y방향의 위치를 나타내고, 종축은 형성된 층의 패턴 형성위치의 설계치에 대한 오차를 나타내고 있다. 영역 a 및 영역 c에서의 패턴의 위치오차는 투영 광학계의 결상 특성이 반영되어 각각 △P가된다. 영역 a와 영역 c에서는 오차가 생긴 방향이 역이므로 영역 a 와 영역 c의 위치 비낌의 차는 2△P가 된다. 영역 b는 투영 영역 150, 152 의 노광량의 비율이 직선적으로 변화해서 노광된 영역이고, 따라서 영역 b에서는 형성된 패턴의 위치 비낌이 -△P로부터 +△P 까지 직선으로 변화한다. 또, 두 개의 투영 영역이 중복해서 노광된 층의 영역을 이음부라 부른다.
이렇게 주사형 투영 노광 장치의 복수의 투영 광학계가 다른 결상 특성을 가지고 있으면, 형성된 패턴의 위치 비낌의 크기 및 방향이 이음부를 좁혀 다른 것이 되어버린다.
또, 포토리소그래피 공정에서는 일반적으로 복수대의 주사형 투영 노광 장치가 이용되고, TFT를 구성하는 각 층은 각각 다른 주사형 투영 노광 장치를 이용해 노광된다. 따라서 적층된 각 층간의 중첩 정도는 상술한 노광 장치내의 복수의 투영 광학계의 결상 특성의 다름과 함께 주사형 투영 노광 장치간의 투영 광학계의 결상 특성의 다름에도 영향을 받게 된다.
그래서 복수의 주사형 투영 노광 장치를 이용해 TFT의 게이트선 및 게이트 전극과 데이터선 및 소스/드레인 전극을 형성할 때 층간에 생기는 중첩 오차에 대해 도 21을 이용해 설명한다.
도 21a는 도 20a와 같고, 제 1의 주사형 투영 노광 장치를 이용해 상층의 데이터 및 소스/드레인 전극(이하, 소스/드레인 전극이라 총칭한다)을 형성할 시의 유리 기판 142 상의 투영 영역 150, 152의 중복 부분 근방을 나타내고 있다. 도 21b는 제 2 주사형 투영 노광 장치를 이용해 하층의 게이트선 및 게이트 전극(이하, 게이트 전극이라 총칭한다)을 형성할 때 유리 기판 142 상의 투영 영역 154, 156의 중복부분 근방을 나타내고 있다. 투영 영역 154에 결상하는 투영 광학계의 결상 특성은 화살표로 나타낸 +Y 방향으로 △P의 크기로 결상 위치의 비낌을 생기게 한 것으로 하고, 마찬가지로, 투영 영역 156에 결상하는 투영 광학계의 결상 특성은 화살포로 나타낸 -Y 방향으로 -△P 의 크기로 결상 위치의 비낌을 생기게 한 것으로 한다.
이렇게 도 21a 및 21b 는 하층을 노광하는 투영 광학계와 역의 결상 위치의 비낌을 생기게 하는 결상 특성을 갖는 투영 광학계에서의 상층의 노광이 행해지고, 중첩 오차가 가장 현저하게 나타난 경우를 나타내고 있다.
도 21c는 제 2 주사형 투영 노광 장치에서 유리 기판 상에 하층의 게이트 전극을 형성하고, 제 1의 주사형 투영 노광 장치에서 상층의 소스/드레인 전극을 형성한 경우의 중첩 오차를 나타내고 있다. 도 21c의 횡축은 Y 방향의 위치를 나타내고, 종축은 오차를 나타내고 있다.
도면 중에서 파선 A는 형성된 게이트 전극의 위치 비낌을 나타내고, 가는 실선 B는 형성된 소스/드레인 전극의 위치 비낌량을 나타내고 있다. 큰 실선 C는 게이트 전극과 소스/드레인 전극의 중첩 오차(C=B=A)를 나타내고 있다. 중첩 오차는 하층의 게이트 전극에 대한 상층의 소스/드레인 전극의 위치 비낌의 차가 되기 때문에, 영역 a에 형성된 게이트 전극과 소스/드레인 전극의 중첩 오차는 -2△P가 된다. 한편, 마찬가지로 영역 c에 형성된 게이트 전극과 소스/드레인 전극의 중첩오차는 2△P가 된다. 게이트 전극층과 소스/드레인 전극층의 2 층 이음부가 겹쳐진 영역 b 에서의 중첩 오차는 도 20에서 설명한 바와 같이 게이트 전극과 소스/드레인 전국 모두 패턴의 위치 비낌이 직선적으로 변화하기 때문에 -2△P로부터 2△P까지 직선적으로 변화한다. 따라서 영역 b에서의 중첩 오차의 변화량은 영역 b의 폭에서 4△P가 된다.
이것을 구체적으로 예시하면 도 22와 같이 된다. 도 22는 상술한 투영 노광 방법에 의해 형성된 TFT/LCD 의 각 TFT의 영역에서 게이트 전극 136 및 소스/드레인 전극 138, 140의 중첩상태를 나타내고 있다. 도 22A는 도 21에서 영역 A에서의 게이트 전극 136과 소스/드레인 전극 138, 140의 중첩 오차를 나타내고 있다. 도면중 파선으로 나타낸 형상이 각층의 설계상의 패턴 형성위치이다. 그것에 대해 게이트 전극 136은 +Y방향으로 똑같이 비껴 형성되고, 소스/드레인 전극 138, 140은 -Y방향으로 똑같이 비껴 형성되고 있다. 마찬가지로, 도 22c에서는 도 21에서 영역 c에서의 게이트 전극 136과 소스/드레인 전극 138, 140의 중첩 오차를 나타내고 있다. 게이트 전극 136은 -Y방향으로 똑같이 비껴 형성되고, 소스/드레인 전극 138, 140은 +Y 방향으로 똑같이 비껴 형성되어 있다. 영역 a와 영역 c사이의 두 개의 이음부가 중첩된 영역 b에서는 도 22b에 나타낸 바와 같이, 영역 b의 중앙부근에서는 두 개의 중첩 오차는 감소하고, 영역 b의 양단부로 향함에 따라 각각 영역 a 혹은 영역 c의 중첩오차에 가까이 간다.
이렇게, LCD 의 제조에서 통상의 노광공정에서는 각층의 형성공정마다 다른 주사형 투영 노광 장치를 사용해서 노광을 하므로 노광 장치의 각 투영 광학계의 결상 특성의 차, 및 노광 장치간의 투영 광학계의 결상 특성의 차가 커지면 중첩정밀도에 크게 영향을 준다.
특히, TFT 제조에 있어서는 예를 들면 게이트 전극과 소스 전극의 중첩량이 변화하면 게이트, 소스간의 기생용량이 변화하기 때문에 TFT 의 소자 특성이 변해버린다. 이 TFT 의 소자 특성의 변화는 LCD 화면에 플릭커나 흔적이 되어 나타난다.
또, 도 21에서 확실하게 알 수 있듯이, 투영 영역이 중복하는 영역 b에서 형성된 이음부의 중첩 오차의 변화량이 크면, 이음부 양측에서 TFT의 소자 특성이 크게 달라져 버리고, 이음부를 경계로 해서 좌우의 화질의 차이가 시인(視認)되어 화질이 저하되어 버린다. 이 현상은 일반적으로 '화면 나뉨' 또는 '분할얼룩'이라 불린다.
본 발명은 이상의 점을 고려해서 이루어진 것으로, 이음부에서 발생하는 부자연스러운 콘트라스트차를 저감할 수 있는 노광 방법, 노광 장치 및 마스크를 제안하려는 것이다.
또, 본 발명은 액정 표시 장치의 화질을 열화시키는 화면 나뉨을 감소시킬 수 있는 투영 노광 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은 제 1 층에 노광하는 노광 패턴을 복수의 단위 패턴으로 해서 마스크로 형성하고, 단위 패턴의 이음부를 사이에 두고 감광 기판 상에 제 1 층 노광 패턴을 형성하는 스텝과, 제 2 층에 노광하는 노광 패턴을 복수의 단위 패턴으로 해서 마스크로 형성하고, 단위 패턴의 이음부를 사이에 두고 제 1 층이 형성된 감광 기판에 제 2 층 노광 패턴을 형성하는 스텝을 포함하는 노광 방법이고, 제 2 층의 노광 패턴을 형성할 시에 제 1 층의 이음부와 제 2 층의 이음부를 비껴 노광하고 있다.
또, 본 발명은 이음부를 갖는 복수의 분할 패턴이 형성된 마스크에 광원으로부터의 빔을 조명하는 조명 광학계와, 조명광학계에 의한 마스크의 조명 영역의 크기를 변경하는 변경 수단과, 마스크를 투과한 빔을 감광 기판에 투영하는 투영 광학계를 갖춘 노광 장치로써, 제 1 층에 노광하는 분할 패턴의 크기와, 제 2 층에 노광하는 분할 패턴의 크기가 다를 때, 변경 수단을 개재해서 조명 영역을 바뀜과 함께, 제 1 층의 이음부와 제 2 층의 이음부가 비껴지도록 제어하는 제어 수단을 설치하고 있다.
또, 본 발명은 소정 영역마다 분할해서 이루어진 각 분할 영역을 이어 감광 기판 상에 제 1 층을 노광 형성한 후, 소정 영역마다 이루어진 각 분할 영역을 이어 제 1 층상에 제 2 층을 노광 형성하는 노광 장치의 각 분할 영역에 대응한 각 단위 패턴이 형성된 마스크이고, 제 1 층의 각 분할 영역에 대해 각각 다른 크기이고 분할해서 이루어진 제 2 층의 각 분할 영역에 대응한 단위 패턴을 제 2 층용으로 해서 형성하고 있다.
본 발명에 따르면, 제 1 층의 단위 패턴의 이음부와 제 2 층의 단위 패턴의 이음부가 비껴 형성됨으로써 제 2 층의 이음부는 어느 것이나 제 1 층 단위 패턴상에 형성되고, 이것에 의해 제 2 층에서 각 단위 패턴의 이음부를 경계로 해서 변화하는 콘트라스트차는 해당 제 2 층의 노광 위치의 오차에 의해서만 결정되고, 종래와 같이 제 1 층의 노광 위치의 오차에 좌우되는 일이 없다. 따라서 제 1 층의 노광 위치의 오차에 의한 콘트라스트차가 더해지는 일이 없기 때문에, 이음부를 경계로 해서 변화하는 콘트라스트차를 실용상 충분한 정도로 저감할 수 있다.
또, 상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은 기판면 상에서 각 투영 영역이 분할하고 있고, 또 각 투영 영역의 인접 부분끼리가 기판면 상에서의 기판의 주사 방향과 수직인 방향으로 소정의 중복 폭으로 중복하고 있는 제 1 복수의 투영 영역에서 기판 상에 제 1 패턴의 일부를 투영하고, 제 1 복수의 투영 영역에 대해 제 1 패턴과 기판을 동기시켜 주사 방향으로 주사시켜 기판상에 제 1 패턴을 전사하고, 제 1 복수의 투영 영역을 기판면내에서 주사 방향과 직각인 방향에 상대적으로 소정 비낌 폭만큼 비낀 제 2 복수의 투영 영역에서 기판 상에 제 2 패턴의 일부를 투영하고, 제 2 복수의 투영 영역에 대해 제 2 패턴과 기판을 동기시켜 주사방향으로 주사시켜 제 2 패턴을 기판 상에 전사하는 것을 특징으로 하는 투영 노광 방법에 의해 달성된다.
제 1 복수의 투영 영역에 대해 제 2 복수의 투영 영역을 상대적으로 비껴지도록 하려면, 제 1 패턴이 묘화(描畵)된 레티클 및 기판의 배치에 대해 제 1 패턴이 묘화된 레티클 및 기판의 배치를 기판면내에서 주사 방향과 직각인 방향에 상대적으로 상기 소정 비낌 폭만큼 비껴지게 하면 된다.
혹은, 제 1 패턴의 레티클 상에서의 묘화 위치에 대해 제 2 패턴의 레티클 상에서의 묘화 위치를 기판면내에서 주사 방향과 직각인 방향으로 상대적으로 소정 비낌 폭만큼 비끼고, 제 1 패턴에 대한 기판의 위치에 대해 제 2 패턴에 대한 기판의 위치를 기판면내에서 주사 방향과 직각인 방향으로 상대적으로 소정 비낌 폭만큼 비껴지도록 해도 좋다.
또, 제 1 복수의 투영 영역에 투영하는 제 1 복수의 투영 광학계에 대해 제 2 복수의 투영 영역에 투영하는 제 2 복수의 투영 광학계를 기판면 내에서 주사 방향과 직각인 방향에 상대적으로 소정 비낌 폭이 비껴지도록 해도 좋다.
또 본 발명은, 상기 투영 노광 방법에서 소정의 비낌 폭을 소정의 중복 폭에 거의 같게 함으로써 달성된다. 혹은 소정의 비낌 폭을 소정 중복 폭으로부터 상기 소정의 중복 폭의 거의 2배 범위내로 해도 달성된다.
본 발명은 화면 나뉨에 영향을 받는 층을 노광할 때 레티클의 패턴의 묘화 위치와 기판의 운송 위치를 투영 광학계와 동기시켜 주사 노광을 함으로써 복수의 투영 광학계에 의해 분할 노광되어 형성된 층의 이음부의 위치를 적층하는 층간에서 소정 비껴지도록 하므로 각 이음부에서의 중첩 오차의 변화는 해당 이음부의 위치오차로 같게 할 수 있다.
또, 소정의 비낌 량을 이음부의 폭보다 크게 하면, 상층과 하층의 이음부가 상호 영향을 미치는 일이 없어진다. 따라서 중첩 오차의 최대치를 종래 반으로 할 수 있으므로, 이음부를 비끼게 해서 이음부가 2배로 늘어도 화면 나뉨은 볼 수 없다.
바람직한 실시예의 설명
이하, 도면에 대해 본 발명의 일실시예를 상술한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예의 스텝 앤드 리피트 방식의 노광 장치의 전체 구성을 나타내고, 초고압 수온 램프, 엑시머 레이저 광원 등의 노광용의 조명 광원 1은 g선, i선 혹은 자외선 펄스광(예를 들면, KrF 엑시머 레이저 등) 등의 레지스트층을 감광하는 파장(노광 파장)의 조명광 IL을 발생하고 플라이어 렌즈 2에 삽입한다.
플라이어 렌즈 2는 조명 광원 1과 같이 스펙틀의 저감화 등을 실시한 후, 이것을 거울 4에 출사한다. 거울 4에 입사된 플라이어 렌즈 2 로 부터의 조명광 IL은 해당 거울 4에서 반사하고, 릴레이 렌즈 5a, 릴레이 렌즈 5b를 통해 거울 7로 반사하고, 메인 콘덴서 렌즈 8에 이르며, 마스크 M1 의 패턴 영역을 균일한 조도로 조명한다. 즉, 플라이어 렌즈 2, 거울 4, 7, 릴레이 렌즈 5a, 5b, 메인콘덴서 렌즈 8에 의해 조명 광학계가 구성되어 있다.
또, 릴레이 렌즈 5a와 릴레이 렌즈 5b 사이에 가변 블라인드(시야 조리개) 6이 배설되어 있다.
이 가변 블라인드 6은 가변 블라인드 구동장치 6a에 의해 마스크 M1의 패턴 영역 이외의 부분을 차폐하도록 구동되고, 이것에 의해 조명과 IL 은 마스크 M1의 패턴만을 조명하도록 되어 있다. 이 차폐영역은 각 마스크 M1-M4에 형성된 각각의 패턴영역에 따라 결정된다.
또 해당 마스크 M1의 패턴영역을 조명한 조명광 IL은 해당 마스크 M1을 투과해서 투영 광학계 PL에 이르고, 감광 기판 P에 마스크 M1의 패턴을 결상한다. 여기서 조명광 IL의 조사에 의해 감광 기판 P로부터 발생하는 반사광은 거울 4를 통과해서 광검출부(반사량모니터) 3에 입사하도록 되어 있다. 광검출기 3은 반사광을 광전검출해서 광정보(강도치) PS를 후술할 제어부 12에 출력한다. 이 광정보 PS는 투영 광학계 PL의 결상 특성의 변동량을 구하기 위한 데이터가 된다.
여기서, 마스크 M1을 유지하는 수단으로서 플레이트 21상에 화살표 A로 나타낸 방향 또는 이것과는 역방향으로 이동가능하게 마스크 스테이지 MS가 지지되어 있고, 해당 마스크 스테이지 MS 상에 설치된 마스크 테이블 MT 상에 각각 마스크 M1, M2, M3 및 M4가 올려져 있다.
레벨링 홀더 17a는 감광 기판 P의 도시되지 않은 흡착기구에 의해 유지함과 합께 광축 AX에 대해 감광 기판 P의 각도를 조절하는 기구를 갖추고 있다.
Z 스테이지 17b는 레벨링 홀더 17a의 하방에 배설되어 있고, 도 1의 Z방향으로 이동하는 스테이지이다.
XY 스테이지 17c는 Z스테이지 17b의 하방에 배설되어 있고, 도 1의 XY 방향으로 이동하는 스테이지이다.
여기서 마스크 테이블 MT 상에 올려진 마스크 M1-M4 중 조명광 IL의 광축 AX상에 위치 결정된 마스크의 높이, 기울기를 측정하는 수단으로서 검출광 사출부 11a 로부터 검출광(레이저빔)AL을 광축 AX 상에 위치결정된 마스크 M1의 기준 면에 조사하고, 해당 기준면에서 반사된 검출광 AL을 평행평판 유리 20을 통해 수광부 11b에서 수광한다.
또, 마스크의 높이 및 경사를 검출하는 검출광사출부 및 수광부는 각각 투영광학계 PL과 동일한 기준에 의해 설치되어 있고, 투영 광학계 PL 광의 거리가 항상 일정하게 되도록 되어 있다. 따라서 해당 검출광 AL을 수광하는 수광부 11b 의 수광결과는 마스크패턴과 투영 광학계 PL 과의 간격을 나타내게 된다.
여기서, 도 2는 마스크의 높이 및 경사를 검출하는 검출광사출부 및 수광부의 배치상태를 나타내고, 검출광사출부 11a 및 수광부 11b 인 제 1 검출계와, 검출광사출부 11a' 및 수광부 11b' 로 된 제 2 검출계와, 검출광사출부 18a 및 수광부 18b 로 된 제 3 검출계와, 검출과사출부 18a' 및 수광부 18b'로 된 제 4 검출계에 의해 구성된다.
이 4 조의 검출계에서 조명광 IL 의 광축 상에 위치 결정된 마스크 M1(또는 M2-M4)의 4점 P1-P4의 높이를 검출함으로써 해당 마스크 M1(또는 M2-M4)의 높이와 광축 AX 에 대한 경사의 기준면에 대한 변위량을 검출 할 수 있다.
또, 레벨링 홀더 17a 상에 올려진 감광 기판 P의 Z축 방향의 높이를 검출하는 수단으로써 수평위치검출계 13a, 13b 와 초점검출계 14a, 14b가 설치되어 있다. 수평위치검출계 및 초점검출계는 광축 AX에 대해 비스듬한 방향으로부터 감광 기판 P의 표면에 입사하는 조명광을 사출하는 광원 13a, 14a 와, 하프미러 31과, 감광 기판 P의 표면에서 반사광을 수광하는 수광부 13b, 14b 와, 하프미러 32와, 평행평판유리 30에 의해 구성된다. 광원 13a 로부터 사출된 조명광은 핀홀 또는 슬릿상을 형성하는 결상광속이다.
플레이트 제어부 15는 수광부 13b 및 14b 로부터의 수광검출신호 S1 및 S2에 의거해 레벨링 구동부 16a 및 Z 축 구동부 16b를 제어함으로써 Z 축 스테이지 17b 및 레벨링 홀더 17a를 구동하고, 이것에 의해 레벨링 홀더 17a 상에 올려진 감광 기판 P의 Z축 방향의 높이 및 광축 AX에 대한 경사를 조정하고, 감광 기판 P를 투영 광학계 PL의 최량(最良)결상면에 위치 결정한다.
또, 플레이트 제어부 15는 후술한 제어부 12의 지령에 의거해 XY 스테이지 17c를 제어하고 있다.
또, 이 실시예에서는 최량결상면이 영점기준이 되도록 미리 상술한 평행평판유리 30의 각도가 조정되어 초점검출계의 캘리브레이션이 행해짐과 함께, 감광기판 P와 결상면이 일치했을 때 광원 13a로부터의 평행빔이 수광부 13b의 내부의 4분할 수광소자(미도시)의 중심위치에 집광되도록 수평위치검출계의 캘리브레이션이 행해진다.
제어부 12는 노광 장치 전체를 제어하고 있고, 특히 가변 블라인드 구동장치 6a, 마스크 MS, 플레이트 제어부 15를 제어하고 있다. 즉, 제어부 12는 마스크 M1-M4의 패턴 데이터에 따라 가변 블라인드 구동장치 6a를 통해 가변 블라인드 6의 개구부의 크기를 바꾸어 조명 영역을 설정하고 있다. 또, 제어부 12는 도시하지 않은 얼라인먼트 광학계가 검출한 마스크 M1-M4의 얼라인먼트 데이터에 의거해 노광 대상이 되는 마스크 위치 결정을 마스크 스테이지 MS에 의해 행하고 있다. 또, 제어부 12는 마스크의 패턴 데이터에 의거해 XY 스테이지 17c 의 스텝 이동하는 위치를 플레이트 제어부 15에 지령한다.
또, 제어부 12에서 검출된 마스크 M1(또는 M2-M4)의 높이 및 광축 AX 에 대한 경사의 기준위치에 대한 변위차는 플레이트 제어부 15에 송출되고, 해당 변위에 의거해 레벨링 홀더 17a 및 Z 축 스테이지 17b를 구동함으로써 이 상태에서의 마스크 M1(또는 M2-M4)에 대해 감광 기판 P가 공역인 위치가 되도록 할 수 있다.
이상 구성에서 도 3은 마스크스테이지 MS 상에 올려진 복수의 마스크 M1, M2, M3 및 M4를 제어부 12에 의해 순차 광축 AX로 이동하고, 각 마스크 M1, M2, M3 및 M4에 형성된 각각의 패턴(이하, 이것을 단위 패턴이라 부른다)를 감광 기판 P상에 순차 노광하는 상태를 나타내고 있다. 제어부 12는 마스크의 패턴데이터에 의거해 가변 블라인드 구동장치 6a를 통해 가변 블라인드 6의 개구를 설정함과 함께, 플레이트 제어부 15를 통해 감광 기판 P의 이동 및 정지를 반복하면서 마스크 M1에 형성된 단위 패턴 A1 의 옆에 마스크 M2에 형성된 단위 패턴 B1을 이음부 JN1을 사이에 두고 전사한다. 따라서 감광 기판 P에 전사된 단위 패턴 A1 및 B1은 이음부 JN1을 사이에 두고 이어진다.
또, 제어부 12는 플레이트 제어부 15를 제어해서 감광 기판 P 상에 전사된 단위 패턴 B1의 옆에 마스크 M3에 형성된 단위 패턴 C1을 이음부 JN2를 사이에 두고 전사한다. 따라서 감광 기판 P에 형성된 단위 패턴 C1이 이음부 JN2를 사이에 두고 이어진다. 마찬가지로, 제어부 12는 감광 기판 P 상에 전사된 단위 패턴 C1 옆에 마스크 M4에 형성된 단위 패턴 D1을 이음부 JN3을 사이에 두고 전사한다. 따라서 감광 기판 P에 전사된 단위 패턴 C1 및 DA은 이음부 JN3을 사이에 두고 이어진다. 단위 패턴 D1은 이음부 JN4를 통해 이어진다.
이렇게 해서 감광 기판 P 상에는 마스크 M1-M4의 각 단위 패턴 A1, B1, C1 및 D1 이 이음부 JN1, JN2, JN3 및 JN4를 사이에 두고 분할 노광되고, 이것에 의해 하나의 층(제 1 층 LY11)이 형성된다. 또, 각 단위 패턴 A1-D1의 각각에는 오버랩부가 형성되어 있고, 각각의 오버랩부의 투영상에 의해 이음부 JN1-JN4에서 다른 단위 패턴 A1-D1와 이음(합성)이 행해진다. 이 오버랩(2중 노광)된 부분은 각각 2㎛정도이다.
이 상태에서 제어부 12는 마스크스테이지 MS 상의 마스크를 변환해서 도 4에 나타낸 바와 같이 제 2 층용 마스크 M11, M12, M13 및 M14 에 의해 제 1 층 LY11이 형성된 감광 기판 P에 제 2층을 전사한다. 즉, 도 4는 마스크 스테이지 MS 상에 올려진 복수의 마스크 M11, M12, M13 및 M14를 제어부 12에 의해 순차 광축 AX 상에 이동하고 각 마스크 M11-M14에 형성된 각각의 패턴(이하, 이것을 단위 패턴이라 부른다)을 제 1 층 LY11이 형성된 감광 기판 P 상에 순차 노광하는 상태를 나타내고 있다. 제어부 12는 가변 블라인드 구동장치 6a 와 플레이트 제어부 15를 제어해서 마스크 M11에 형성된 단위 패턴 A2를 감광 기판 P 상에 노광한 후, 해당 감광 기판 P 상에 전사된 단위 패턴 A2의 옆에 마스크 M12에 형성된 단위 패턴 B2를 이음부 JN11을 사이에 두고 전사한다. 따라서 감광 기판 P 상에 전사된 단위 패턴 A2 및 B2는 이음부 JN11을 사이에 두고 이어진다.
마찬가지로, 제어부 12는 가변 블라인드 구동장치 6a와 플레이트 제어부 15를 제어해서 감광 기판 P 상에 전사된 단위 패턴 B2 옆에 마스크 M13에 형성된 단위 패턴 C2를 이음부 JN12를 사이에 두고 전사한다. 따라서 감광 기판 P 상에 전사된 단위 패턴 B2 및 C2 는 이음부 JN12를 사이에 두고 이어진다. 또, 제어부 12는 감광 기판 P 상에 전사된 단위 패턴 C2 옆에 마스크 M14에 형성된 단위 패턴 D2를 이음부 JN13을 사이에 두고 전사한다. 따라서 감광 기판 P 상에 전사된 단위 패턴 C2 및 D2는 이음부 JN13을 사이에 두고 이어진다. 단위 패턴 D2는 이음부 JN14를 사이에 두고 이어진다.
이렇게 해서 제 1 층 LY11 이 형성된 감광 기판 P 상에는 마스크 M11-M14의 각 단위 패턴 A2, B2, C2 및 D2가 이음부 JN11, JN12, JN13 및 JN14를 사이에 두고 분할 노광되고, 이것에 의해 제 2 층(제 2 층 LY12)이 형성된다.
여기서 제 2 층용 마스크 M11, M12, M13 및 M14 에 형성된 단위 패턴 A2, B2, C2, 및 D2 는 각각 제 1 층용 마스크 M1, M2, M3 및 M4 에 형성된 단위 패턴 A1, B1, C1 및 D1 에 대해 다른 크기로 형성되어 있고, 이 결과 감광 기판 P 상에 형성된 제 1 층 LY11 및 제 2 층 LY12 의 각 단위 패턴의 이음부 JN1-JN4 및 JN11-JN14는 도 5에 나타낸 바와 같이, 비낌량 d(이 실시예의 경우 2mm) 정도 비낀 상태로 형성된다.
도 6은 감광 기판 P 상에 형성된 제 1 층 LY11 및 제 2 층 LY12의 단면을 나타내고, 제 1 층 LY11에서 단위 패턴 D1 및 C1은 이음부 JN3을 사이에 두고 이어지고 있고, 해당 제 1 층상에 형성된 제 2 층 LY12에서는 단위 패턴 D2 및 C2가 이음부 JN13에 의해 이어지고 있다. 제 2 층 LY12의 이음부 JN13이 형성된 위치는 제 1 층 LY13에 의해 이음부 JN3이 형성된 위치보다도 비낌량 d 만큼 비껴 있다.
따라서 예를 들면 제 1 층 LY11의 단위 패턴 D1이 목표로 하는 노광 위치에 대해 -△x 만큼 비껴 노광되고, 이것에 대해 제 2 층 LY12의 단위 패턴 D2가 목표로 하는 노광 위치에 대해 +△x 만큼 비껴 노광되고, 이것에 대해 제 2 층 LY 12의 단위 패턴 D2가 목표로 하는 노광 위치에 대해 +△x 만큼 비껴 노광된 경우, 제 1 층 LY11 의 단위 패턴 D1과 제 2 층 LY12의 단위 패턴 D2 의 노광 위치의 차는 제 1 층 LY11의 단위 패턴 D1을 기준으로 하여 해당 단위 패턴 D1에 대한 중첩정밀도로 보면 +2△x 가 된다.
이것에 대해 예를 들면 제 1 층 LY11의 단위 패턴 C1이 목표로 하는 노광 위치에 대해 +△x 만큼 비겨 노광되고, 이것에 대해 제 2 층 LY12의 단위 패턴 C2가 목표로 하는 노광 위치에 대해 -△x 만큼 비껴 노광된 경우, 제 1 층 LY11 의 단위 패턴 C1과 제 2 층 LY12 의 단위 패턴 C2의 노광 위치의 차는 제 1 층 LY11의 단위 패턴 C1을 기준으로 하여, 해당 단위 패턴 C1에 대한 중첩정밀도로 보면 -2△x 가 된다. 따라서 도 7에 나타낸 바와 같이 제 1 층 LY11에 대한 제 2 층 LY12 의 중첩 정밀도는 제 1 층 LY11의 단위 패턴 D1과 제 2 층 LY12의 단위 패턴 D2가 겹쳐져 있는 제 1 영역 AR1에서 2△x가 되고, 제 1 층 LY11 의 단위 패턴 C1과 제 2 층 LY12의 단위 패턴 C2가 겹쳐진 제 3층 영역 AR3에서 -2△x 가 되어 있다.
여기서 제 1 층에서 이음부 JN3과 제 2 층에서 이음부 JN13과는 비낌량 d 만큼 비껴 형성되어 있어 제 1 영역 AR1과 제 3영역 AR3과의 사이에는 제 1 층 LY11의 단위 패턴 C1과 제 2 층 LY12의 단위 패턴 D2가 다른 제 2 영역 AR 2가 폭 d에 걸쳐 형성된다. 이 제 2 영역 AR2 는 제 1 층 LY11 의 단위 패턴 C1이 목표로 하는 노광 위치에 대해 +△x 만큼 비껴 노광되고, 이것에 대해 제 2 층 LY12의 단위 패턴 D2가 목표로 하는 노광 위치에 대해 +△x 만큼 비껴 노광되어 있고, 이 결과, 제 2 영역 AR2에서 제 1 층과 제 2 층의 중첩정밀도는 0이 된다.
이렇게 제 1 층 LY11의 단위 패턴 D1 및 C1이 각각 이음부 JN3을 경계로 해서 역방향으로 비껴 노광됨과 함께 제 2 층 LY12 의 단위 패턴 D2 및 C2 가 각각 이음부 JN13을 경계로 해서 역방향으로 비껴 노광되고, 제 1 영역 AR1에서 제 1 층 LY11 및 제 2 층 LY12 의 중첩정밀도와 제 3 영역 AR3에서 제 1 층 LY11 및 제 2 층 Y12 의 중첩정밀도와의 차가 가장 커지는 노광 위치의 오차가 생긴 경우, 제 1 층 LY11의 이음부 JN3과 제 2 층 LY12의 이음부 JN13을 각각 비낌량 d 만큼 비껴나게 하여 된 제 2 영역 AR2에서 제 1 층 LY11 및 제 2 층 LY12 가 동일방향으로 비껴나가는 것으로부터 그 중첩정밀도가 상쇄된다.
따라서 해당 제 2 영역 AR2의 중첩정밀도와 제 1 영역 AR1의 중첩정밀도의 차는 2△x 가 되고, 또 제 2 영역 AR2의 중첩정밀도와 제 3 영역 AR3의 중첩정밀도의 차도 2△x가 된다. 이 결과 도 8에 나타낸 바와 같이, 제 1 층 LY11에 형성된 박막 트랜지스터의 게이트 GA 와 제 2 층에 형성된 드레인 DR의 겹침 면적(PIL1, PIL2, PIL3)은 제 1 영역 AR1에서 가장 작게(PIL1), 제 3 영역 AR3에서 가장 크게 (PIL3), 제 2 영역 AR2에서는 그 중간이 되고(PIL 2), 제 1 영역 AR1과 제 3 영역 AR3 사이에서 제 1 영역 AR 1 의 콘트라스트와 제 3 영역 AR3의 콘트라스트의 거의 중간 콘트라스트의 영역(제 2 영역 AR2)이 형성된다.
따라서 제 1 영역 AR1 및 제 3 영역 AR3 이 직접 이어진 경우에 비해 콘트라스트의 변화가 완만해지고, 단위 패턴마다의 콘트라스트차가 눈에 띄지 않게 할 수 있다.
이상 구성에 의하면 단위 패턴마다의 이음부를 제 1 층 LY11 및 제 2 층 LY12에서 비낀 량 d 만큼 비껴나도록 해서 제 2 층 LY12 의 이음부 JN11, JN12, JN13 및 JN14 는 어느 것이나 제 1 층 LY11 의 단위 패턴상에 형성되고, 이것에 의해 제 2 층 LY12에서 각 단위 패턴의 이음부를 경계로 해서 변화하는 콘트라스트차는 해당 제 2 층 LY12 의 노광 위치의 오차만으로 결정되고, 종래와 같이 제 1 층 노광 위치의 오차에 의한 콘트라스트차가 더해지는 일이 없으므로 이음부를 경계로 해서 변화하는 콘트라스트차를 실용상 충분한 정도로 저감할 수 있다.
이어 이 실시예의 경우, 중첩오차의 최대치가 거의 반으로 되고, 그 중첩오차의 불량에 의한 수율의 저하를 방지할 수 있다.
또 상술한 실시예에서는 하나의 마스크에 하나의 단위 패턴을 형성하고, 복수의 마스크를 순차 투명 광학계 PL 의 광축 AX 상에 이동해서 노광하는 경우에 대해 서술했지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 하나의 마스크에 복수의 단위 패턴을 형성하고, 가변 블라인드 6에 의해 필요한 단위 패턴만을 노광하는 경우에서도 본 발명을 적용할 수 있다.
즉, 도 9는 감광 기판 상에 노광하는 제 1 층용 단위 패턴 A1, B1, C1, D1, E1, F1, G1, H1, 및 I1을 형성한 마스크 M21을 나타내고, 이 마스크 M21을 이용해 제 1 층을 노광하고, 그 후 도 10에 나타낸 제 2 층용의 마스크 M22를 이용해 제 2 층을 노광한다. 이때 제 2 층용 마스크 M22의 각 단위 패턴 A2, B2, C2, D2, E2, F2, G2, H2, 및 I2은 각각 대응하는 제 1 층용 마스크 M21의 각 단위 패턴 A1, B1, C1, D1, E1, F1, G1, H1, 및 I1 과 다른 크기로 형성되어 있고, 이 결과 I1에 나타낸 바와 같이, 감광 기판 상에 형성된 제 1 층의 각 단위 패턴의 이음부 JN21 및 제 2 층의 각 단위 패턴의 이음부 JN22는 각각 비낌량 d 만큼 비껴난 위치에 형성된다.
이렇게 해서 도 5에 대해 상술한 경우와 같이 해서 이음부 JN21, JN22를 경계로 하는 각 단위 패턴의 콘트라스트차를 작게 할 수 있다. 이 경우, 도 1에 나타낸 바와 같은 마스크 스테이지 MS를 갖는 노광 장치를 대신해 하나의 마스크를 광축 AX 상에 위치 결정하고, 가변 블라인드 65에 의해 필요한 단위 패턴만을 조명하는 노광 장치를 이용해도 좋다.
또 상술한 실시예에서는 제 1 층 및 제 2 층의 각각의 이음부를 2mmn 비껴나게 형성하는 경우에 대해 서술했지만, 본 발명은 이것에 한하지 않고, 실험에서 기초한 데이터에 의해 비낌량 d는 적어도 1.5mm 이상이면 실용상 충분한 정도로 콘트라스트차가 눈에 띄지 않게 할 수 있다.
또 상술한 실시예에서는 하나의 투영 광학계 PL을 갖는 노광 장치를 이용하는 경우에 대해 서술했지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 예를 들면 복수의 투영 광학계를 갖는 주사형 투영 노광 장치를 이용해도 좋다.
또, 상술한 실시예에서는 감광 기판 P 상에 두 개의 층(LY11, LY12)를 형성한 경우에 대해 서술했지만, 본 발명은 이것에 한하지 않고, 3층 또는 4층을 형성하는 경우 등, 요약하면 다수층중에 형성된 각 단위 패턴의 이음부를 비껴나게 하면 좋고, 여러 개의 층을 형성하는 경우에 넓게 적용할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 제 1 층 이음부와 제 2 층 이음부를 비껴나게 노광하도록 해서 각 이음부를 경계로 해서 변화하는 콘트라스트 차를 작게 할 수 있고, 이것으로 이음부에서 콘트라스트차가 눈에 띄지 않게 할 수 있다.
이어서 본 발명의 제 2 실시예에 대해 도 12 내지 도 14를 이용해 설명한다.
우선, 제 2 실시예에 의한 투영 노광 방법에 이용하는 투영 노광 장치의 개략의 구성을 도 12를 이용해 설명한다. 도 12는 복수의 투영 광학계를 가지고, 전체로써 정립정상으로 확대 배율이 1배인 주사형 투영 노광 장치 100이 사시도이다. 도 12에서는 소정 회로 패턴이 마련된 레티클 102와, 레지스트가 도포된 유리 기판 104가 운송되는 방향(주사방향)을 X축, 레티클 102의 평면 내에서 X축과 직교하는 방향을 Y축, 레티클 102의 법선방향을 Z축으로 한 좌표계를 최하고 있다. 도 12에서 도면 중 XY 평면내의 레티클 102를 균일하게 조명하는 조명 광학계 103에는 인접하는 패턴의 광상이 소정량 오버랩하도록 대형상의 시야 조리개(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 조명 광학계 103은 도시하지 않은 광원으로부터 사출된 빔을 플라이아이렌즈 등을 포함하는 광학계를 통해 광량을 균일화한 후, 시야 조리개에 의해 각 투영 노광 영역이 대형상으로 정형되어 레티클 102상의 회로 패턴을 조명하도록 되어 있다.
레티클 102는 도시하지 않은 레티클 스테이지상에 올려지고, 레티클 스테이지의 이동해 수반해 X, Y 방향으로 이동할 수 있도록 되어 있다.
레티클 102 의 하방에는 시야 조리개의 각 개구에 대응하는 위치에 복수의 투영 광학계 105a-105g 가 배치되어 있다. 투영 광학계 105a-105g는 각각 2조의 다이슨형 광학계를 조합해 구성되어 있다. 투영 광학계 105a-105g는 Z 방향으로부터 보아 투영 광학계 105a, 105b, 105c 와 투영 광학계 105a, 105e, 105f, 105g 가 2열로 지그재그로 배열되어 있다.
이러한 구성으로 레티클 102 상에 대형상의 조명광 106a-106g가 조사되면, 레티클 102상의 패턴은 투영 광학계 105a-105g를 통해 유리 기판 104상의 대형 상의 투영 영역 107a-107g에 결상한다. 유리 기판 104는 도시하지 않은 X-Y 스테이지상에 올려지고, 스테이지의 이동과 함께, Y 방향으로 이동할 수 있도록 되어 있다.
레티클 스테이지 및 X-Y 스테이지를 투영 광학계에 대해 동기시켜 X 방향으로 이동시킴으로써 유리 기판 104 상의 전방향에 걸쳐 균일한 노광량 분포에서 광장치 100은 복수의 투영 광학계 105a-105g를 조합한 구성이므로, 개개의 투영 광학계의 노광 영역을 크게 하는 일 없이 큰 노광 영역을 얻을 수 있도록 되어 있다.
도 13은 투영 광학계 105a-105g에 의해 유리 기판 104상에 투영된 노광광의 투영 영역 107a-107g을 나타낸 평면도이다. 주사방향(X방향)을 따른 투영 영역 107a-107g 폭의 총합이 Y 방향의 어느 위치에서도 항상 일정하게 되도록 각 투영 영역 107a-107g 는 대형상으로 결상되고, 또 소정 중복 폭(예를 들면, 5mm)으로 중복하도록 대형의 상저(上底)가 대향해서 지그재그로 결상하도록 되어 있다. 따라서 주사 노광시켜 유리 기판 104상의 투영 영역 107a-107g의 중복하는 투영 영역의 노광량의 총합은 중복되지 않는 영역과 같은 노광량을 얻을 수 있으므로, 유리 기판 104 상에는 전면에 걸쳐 균일한 노광량 분포가 얻어지게 된다. 또, 본 실시예는 투영 영역 107a-107g의 형상을 대형상으로 했지만, 균일한 노광량 분포를 얻기 위한 투영 영역의 형상의 조합은 대형상에 한정되지 않고 예를 들면 육각 형상이라도 좋다. 이러한 주사형 투영 노광 장치 100을 복수대 이용하고, TFT 의 각층마다 다른 주사형 투영 노광 장치 100으로 노광이 행해진다.
도 14를 이용해 본 발명의 실시예에 의한 투영 노광 방법을 설명한다. 본 실시예에서는 게이트 전극층과 소스/드레인 전극층을 형성하는 공정을 예로 들어 설명한다. 이하 설명에서 게이트 전극층의 노광에 이용되는 주사형 투영 노광 장치 및 그 구성부재에는 도 12에서 붙인 부호를 이용하고, 소스/드레인 전극의 노광에 이용되는 다른 주사형 투영 노광 장치 및 그 구성부재에는 도 12의 부호에 '를 붙인 것을 이용해 양자를 구별하게 한다. 도13에서 설명한 투영 영역 107a-107g에 대해서도 동일하게 구별하는 것으로 한다.
또, 우선 주사형 투영 노광 장치 100을 이용해 하층의 게이트 전극을 형성하는 게이트 전극형성용 패턴이 그려진 레티클 102를 주사형 투영 노광 장치 100의 도시하지 않은 레티클 스테이지에 올려놓는다. 패턴상은 투영 광학계 105a-105g에 의해 분할되고 도 13에서 나타낸 투영 영역 107a-107g에서 유리 기판 104 상에 도포된 레지스트층(미도시)에 투영된다.
복수의 투영 광학계 105a-105g에 대해 레티클 102와 유리 기판 104를 동기시켜 이동시킴으로써 게이트 전극형성용 패턴 전체를 유리 기판 104 상의 레지스트층에 노광한다.
이 주사형 노광 장치 100을 이용하는 노광에서는 유리 기판 104상의 투영 영역 107a, 및 투영 투영 영역 107e의 중복부분을 도 14b에 나타낸다. 도 14b에 나타낸 바와 같이, 투영 영역 107a 에 패턴을 결상하는 투영 광학계 105a의 결상 특성이 화살표로 나타낸 바와 같이 +Y 방향으로 △P의 크기로 결상 위치의 비낌을 생기게 하는 것과, 마찬가지로 투영 영역 107e 에 패턴을 결상하는 투영 광학계 105e의 결상 특성은 화살표로 나타낸 바와 같이 -Y 방향으로 △P의 크기로 결상 위치의 비낌을 생기게 한다.
노광 후 현상한 레지스트층을 게이트 전극형성용 마스크로서 하층의 금속 배선층을 패터닝해서 게이트 전극층이 형성된다.
이어 게이트 전극, 채널층 등을 형성한 후, 게이트 전극 형성성에 이용한 주사형 투영 노광 장치 100과는 다른 주사형 투영 노광 장치 100'를 이용해 소스/드레인 전극 형성을 위한 노광을 한다.
우선, 주사형 투영 노광 장치 100'를 이용해 상층의 소스/드레인 전극을 형성하는 소스/드레인 전극 형성용 패턴이 그려진 레티클 102'를 주사형 투영 노광 장치 100'의 도시되지 않은 레티클 스테이지에 올려놓는다.
이때, 조명 광학계 103'의 도시되지 않은 시야 조리개의 복수의 개구부와, 해당 개구부에 대응해서 설치된 복수의 투영 광학계 105a'-105g'에 대해 레티클 102'의 소스/드레인 전극 형성용 패턴 및 유리 기판 104를 투영 광학계 105'a-105g'의 광축과 레티클 102' 및 유리 기판 104의 이동방향에 수직인 방향(즉, Y 방향)에 소정 비낀량만큼 비껴나게 한다. 소스/드레인 전극 형성용 패턴의 레티클 102'상의 묘화 위치와 게이트 전극 형성용 패턴의 레티클 102'상의 묘화 위치가 거의 동일하면, 레티클 102'가 올려진 주사형 투영 노광 장치 100'의 레티클 스테이지를 이동시켜 게이트 전극형성에 이용한 주사형 투영 노광 장치 100의 레티클 스테이지상의 레티클 102의 재치위치에서 Y 방향에서 소정 비낌량만큼의 위치에 레티클 102'를 이용시키면 좋다. 이 조작과 함께 유리 기판 104가 올려진 X-Y 스테이지도 Y 방향으로 소정량 비껴나게 한다.
레티클 102'의 패턴상은 투영 광학계 105a'-105g'에 의해 분할되어 투영 영역 107a'-107g'에서 유리 기판 104 상에 도포된 레지스트층(미도시)에 투영된다.
이 주사형 투영 노광 장치 100'를 이용한 노광에서 유리 기판 104 상의 투영 영역 107a', 및 투영 영역 107e'의 중복부분근방을 도 14a에 나타낸다.
도 14a에 나타낸 바와 같이, 투영 영역 107a'에 패턴이 결상하는 투영 광학계 105a'의 결상 특성은 화살표로 나타낸 바와 같이 -Y 방향으로 △P 크기로 결상 위치의 비낌을 생기게 한 것으로, 마찬가지로, 투영 영역 107e'에 패턴을 결상하는 투영 광학계 105e' 의 결상 특성은 화살표로 나타낸 바와 같이 +Y방향으로 △P의 크기로 결상 위치의 비낌을 생기게 한다.
레티클 102' 및 유리 기판 104를 투영 광학계 105a'-105g'에 대해 소정량 벗어났기 때문에 도면중의 소스/드레인 전극을 형성하기 위한 투영 영역 107a', 107e'의 중복영역 b'는 게이트 전극을 형성하기 위한 투영 영역 107a, 107e 의 중복영역 b에 대해 소정량 비낀 Y방향으로 비껴 있다. 본 실시예에서는 이 소정량 비낀 량을 투영 영역 107a', 107e'의 중복영역 b' 폭으로 하고 있다.
이러한 복수의 투영 광학계 105a'-105g'에 대해 레티클 102'와 유리 기판 104를 동기시켜 X 방향으로 이동시켜 소스/드레인 전극 형성용 패턴 전체를 유리 기판 104 상의 레지스트층에 노광한다. 노광 후 현상한 레지스트층을 소스/드레인 전극 형성용 마스크로 하여 하층의 금속 배선층을 패터닝해서 소스/드레인 전극층이 형성된다.
이렇게 해서 형성된 게이트 전극 및 소스/드레인 전극에서 중첩 오차를 도 14c를 이용해 설명한다. 도 14c에서 횡축은 Y 방향의 위치를 나타내고, 종축은 오차를 나타내고 있다.
도면 중에 파선 A 는 게이트 전극의 위치 비낌을 나타내고, 가는 실선 B는 형성된 소스/드레인 전극의 위치비낌을 나타내고 있다. 큰 실선 C 는 게이트 전극과 소스/드레인 전극의 중첩 오차(C=B-A)를 나타내고 있다. 중첩 오차는 하층의 게이트 전극에 대한 상층의 소스/드레인 전극의 위치 비낌 차이므로 영역 a 에 형성된 게이트 전극과 소스/드레인 전극의 중첩 오차는 -2△P 가 된다. 한편, 영역 c에 형성된 게이트 전극과 소스/드레인 전극의 중첩 오차는 2△p가 된다. 또, 형성된 게이트 전극층의 이음부(영역 b)와 소스/드레인 전극층의 이음부(영역 b')는 인접하지만 중복되지 않으므로 영역 b에서의 중첩 오차는 게이트 전극의 위치 비낌에 대응해서 -2△P 로부터 0까지 직선적으로 변화하는 것과 같이 영역 b'에서의 중첩 오차는 소스/드레인 전극의 위치 비낌에 대해 0에서 △2P 까지 직선적으로 변화한다. 따라서 영역 b+b'에서의 중첩 오차의 변화량이 △P 가 된다. 결국, 본 실시예에서 투영 노광 방법에 따르면, 하층의 게이트 전극층의 이음부와 상층의 소스/드레인 전극층의 이음부를 적층하는 층간에서 폭만큼 비껴나도록 했기 때문에 각 이음부에서의 중첩 오차의 변화는 해당 이음부의 위치오차의 변화에 같게 할 수 있다. 중첩 오차의 변화량 4△P 는 종래와 같지만, 중첩 오차가 변화하는 영역의 폭이 2 배로 늘어나므로 이음부에서의 TFT의 소자 특성의 변화의 비율(도면 중 큰 실선 C 의 균배)을 종래와 비교해서 1/2 로 할 수 있다. 따라서 소자 특성이 다른 2 종류의 TFT 사이에 양자를 보충하도록 완만하게 소자 특성이 변화하는 복수의 TFT가 형성되어 각 투영 광학계의 결상 특성의 차로 생기는 양면 나뉨을 저감할 수 있다.
이어서, 본 발명의 제 3 실시예를 도 5를 이용해 설명한다. 본 실시예의 주사형 투영 노광 장치는 제 2 실시예에서 설명한 것과 동일하므로 설명은 생략한다. 또 각 투영 노광 장치의 각 투영 광학계의 결상 특성도 도 14에서 설명한 것과 동일하다.
도 15a 및 15b는 유리 기판 104 상의 소스/드레인 영역을 형성하기 위한 투영 영역 107a', 107e'와 게이트 전극을 형성하기 위한 투영 영역 107a, 107e 의 위치관계를 나타내고 있다. 제 3 실시예에서는 게이트 전극을 형성할 시 투영 영역 107a, 107e 의 Y 축 방향의 위치와 소스/드레인 전극을 형성할 시의 투영 영역 107a', 107e'의 비낌량을 제 2 실시예보다 한층 크게 해서 Y 방향으로 상대적으로 영역 b'+b"의 폭 만큼 비껴나 있다. 영역 b' 및 영역 b"의 폭은 각각 이음부 b의 폭에 거의 같은 길이로 하고 있다.
도 15c에 나타낸 그래프는 본 제 3 실시예에 의한 투영 노광 방법을 이용해 주사형 투영 노광 장치 100에서 유리 기판 104 상에 하층의 게이트 전극을 형성하고, 주사형 투영 노광 장치 100'에서 상층의 소스/드레인 전극을 형성한 경우의 중첩 오차를 나타내고 있다. 도면에서 횡축은 Y 방향의 위치를 나타내고, 종축은 오차를 나타내고 있다.
도면 중에 파선 A 는 형성된 게이트 전극의 위치 비낌을 나타내고, 가는 실선 B는 형성된 소스/드레인 전극의 위치 비낌을 나타낸다. 굵은 실선 C는 게이트 전극과 소스/드레인 전극의 중첩 오차(C=B-A)를 나타낸다. 중첩 오차를 하층의 게이트 전극에 대한 상층의 소스/드레인 전극의 위치 비낌의 차가 되므로 영역 a 에 형성된 게이트 전극과 소스/드레인 전극의 중첩 오차는 -2△P 가 된다.
또, 형성된 게이트 전극층의 이음부(영역b)와 소스/드레인 전극층의 이음부(영역 b")가 중복되지 않으므로 영역 b에서의 중첩 오차는 게이트 전극의 위치 비낌에 대응해서 -2△P에서 0까지 직선적으로 변화한다.
하층의 이음부(영역 b)와 상층의 이음부(영역 b")사이의 영역 b' 에서의 중첩 오차는 중첩되는 투영 영역 107e 및 107a' 의 각 투영 광학계의 결상특성이 같고, 각각 동일한 위치오차에서 게이트 전극 및 소스/드레인 전극이 형성되므로 중첩 오차는 0이된다.
영역 b"에서의 중첩 오차는 소스/드레인 전극의 위치 비낌에 대응해서 0에서 2△P 까지 직선적으로 변화한다.
이렇게 본 제 3 실시예에서의 투영 노광 방법에 의하면 하층의 게이트 전극층의 이음부와 상층의 소스/드레인 전극층의 이음부를 적층하는 층간에서 이음부의 폭의 2배 만큼 비껴나도록 했으므로 각 이음부에서의 중첩 오차의 변화는 해당 이음부의 위치오차의 변화에 같게 할 수 있고, 소정 비낌 량을 이음부의 폭보다 크게 해서 상층과 하층의 이음부가 상호 영향을 주지 않도록 했으므로 중첩 오차의 변화량을 종래 4△P에서 2△P로 할 수 있다. 또, 중첩 오차가 변화하는 영역을 2 단계로 했으므로 이음부에서의 TFT 의 소자 특성의 변화의 비율(도면 중 굵은 실선 C의 균배)을 제 2 실시예보다 한층 완만하게 할 수 있다. 따라서 소자 특성이 다른 2 종류의 TFT 의 사이에 양자를 보간하도록 완만하게 소자 특성이 변화하는 복수의 TFT가 형성되므로 각 투영 광학계의 결상특성의 차로 생기는 화면 나뉨을 저감할 수 있게 된다.
또, 중첩 오차의 최대치를 종래 반으로 할 수 있으므로 이음부를 비껴나게 해서 이음부가 2 배로 늘어나도 화면 나뉨을 보이지 않는다.
이렇게 주사형 투영 노광 장치의 투영 광학계에 대해 패턴 및 유리 기판을 Y방향으로 상대적으로 이음부 b 폭의 거의 2 배 비껴나게 해서 게이트 전극과 소스/드레인 전극의 중첩 오차에 의한 이음부에서의 TFT의 소자 특성의 변화에 의한 화면 나뉨을 한층 눈에 띄지 않게 할 수 있다.
화면 나뉨은 중첩정도가 이음부 경계에서 급하게 변화함으로써 좌우의 화질의 차가 인간의 시야에 의해 확인되는 현상이다. 본 실시예의 투영 노광 방법에 따르면 이음부 경계에서의 중첩 오차가 종래 방법에 비해 완만하게 변화하므로 화면 나뉨을 충분하게 제어할 수 있다.
본 발명은 상기 실시예에 한하지 않고 여러 변형이 가능하다.
예를 들면 상기 제 2, 제 3 실시예에서는 소정의 비낌 량을 이음부의 폭(영역 b의 폭)과 거의 같은 경우와 2배로 한 경우에 대해 설명했지만, 본 발명은 물론 이것에 한하지 않고 예를 들면 이음부의 폭 이하의 비낌량으로 하더라도 이음부 경계에서의 중첩 오차를 변화시킬 수 있으므로 상응하는 화면 나뉨의 억제를 실현 할 수 있다.
또, 예를 들면, 상기 실시예에서는 특히 화면 나뉨에 영향을 주는 층으로써 게이트 전극과 소스/드레인 전극층을 노광하는 경우에 대해 설명했지만, 화면 나뉨의 영향을 받기 쉬운 축적용량선과 표시전극의 중첩 등의 노광 시에도 본 발명을 이용할 수 있다.
또, 상기 실시예에서는 형성된 층의 이음부를 소정 비낌량만큼 비껴나게 하므로 상층을 형성하기 위한 레티클 102'의 레티클 스테이지 상의 재치위치는 하층을 형성하기 위한 레티클 102의 재치위치보다 상대적으로 Y 축 방향으로 소정의 비낌량만큼 비껴나도록 하는 방법을 이용했지만, 본 발명은 이것에 한하지 않고, 상대적으로 하층과 상층의 이음부를 비껴나게 하여도 좋다. 따라서 예를 들면, 소스/드레인 전극 형성용 패턴의 레티클 상에서의 묘화 위치와, 게이트 전극 형성용 패턴의 레티클상의 묘화 위치를 상대적으로 Y 방향으로 소정 비낌량만큼 어긋난 레티클을 형성해서, 해당 레티클을 이용해 노광하도록 해도 좋다. 또, 주사형 투영 노광 장치 100'의 시야 조리개의 개구부 및 투영 광학계 105a'a-105g'의 설치위치를 주사형 투영 노광 장치 100의 시야 조리개의 개구부 및 투영 광학계 105a-105g의 설치위치보다 Y축 방향으로 소정량 비껴나게 해도 좋다.
또, 레티클의 패턴 및 유리 기판을 투영 광학계에 대해 Y 축 방향으로 소정량 비껴나게 주사 노광 시 이음부를 비껴나게 하는 방법으로써 화면 나뉨에 영향을 주는 한쪽 층을 +Y 방향으로 비껴나게 해서 노광하고, 다른 쪽을 -Y 방향으로 비껴나게 노광해서 상대적으로 소정량 비껴나도록 노광시켜도 좋고, 여러 형태가 가능하다.
또, 본 실시예에서는 도 12에 나타낸 바와 같이, 레티클 102와 유리 기판 104를 수평방향을 따라 유지하는 타이프의 주사형 노광 장치를 이용했지만, 레티클 102 와 유리 기판 104와 연직방향(Z 방향)을 따라 유지하는 종형 스테이지를 갖춘 주사형 노광 장치를 이용해도 좋다.
이상과 같이, 본 발명에 따르면 중첩 오차를 충분하게 억제할 수 있고, TFT/LCD의 화질을 열화시키는 화면 나뉨을 감소시킬 수 있게 된다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예의 노광 장치를 나타낸 측면도이다.
도 2는 본 발명에 의한 마스크위치 검출계의 구성을 나타낸 평면도이다.
도 3은 제 1 층 노광 설명에 제공할 평면도이다.
도 4는 제 2 층의 노광 설명에 제공할 평면도이다.
도 5는 감광 기판에 형성된 제 1 층의 이음부 및 제 2 층의 이음부를 나타낸 평면도이다.
도 6은 제 1 층의 이음부 및 제 2 층의 이음부를 나타낸 단면도이다.
도 7은 이음부를 사이에 두고 변화하는 중첩차를 나타낸 약선도이다.
도 8은 중첩차이에 의한 전극의 중첩 면적의 차를 나타낸 평면도이다.
도 9는 복수의 단위 패턴을 형성한 마스크를 나타낸 평면도이다.
도 10은 복수의 단위 패턴을 형성한 마스크를 나타낸 평면도이다.
도 11은 감광 기판상의 이음부를 나타낸 평면도이다.
도 12는 본 발명의 제 2 실시예를 나타낸 주사형 투영 노광 장치의 개략을 나타낸 사시도이다.
도 13은 유리 기판 상에 투영한 투영 영역을 설명하는 도면이다.
도 14는 본 발명의 제 2 실시예에 의한 투영 노광방법의 설명도이다.
도 15는 본 발명의 제 3 실시예에 의한 투영 노광 방법의 설명도이다.
도 16은 TFT/LCD를 설명하는 도면이다.
도 17은 종래 제 1 층 이음부 및 제 2 층의 이음부를 나타낸 단면도이다.
도 18은 종래 중첩정도의 변화를 나타낸 도면이다.
도 19는 종래 전극의 중첩 면적차를 나타낸 평면도이다.
도 20은 종래 투영 노광 방법을 설명하는 도면이다.
도 21은 종래 투영 노광 방법을 설명하는 도면이다.
도 22는 종래 투영 노광 방법을 설명하는 도면이다.
Claims (14)
- 제 1 층에 노광하는 노광 패턴을 복수의 단위 패턴으로 해서 마스크로 형성하고, 상기 단위 패턴의 이음부를 사이에 두고 감광 기판 상에 상기 제 1 층의 노광 패턴을 형성하는 단계와,제 2 층에 노광하는 노광 패턴을 복수의 단위 패턴으로 해서 마스크로 형성하고, 상기 단위 패턴의 이음부를 사이에 두고 상기 제 1 층이 형성된 상기 감광 기판에 상기 제 2 층의 노광 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 노광 방법에 있어서,상기 제 2 층의 노광 패턴을 형성할 때, 상기 제 1 층의 이음부의 영역과 상기 제 2 층의 이음부의 영역을 상대적으로 비껴나게 하여 노광하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 노광 방법은, 상기 제 1 층의 단위 패턴의 이음부의 영역과 상기 제 2층의 단위 패턴의 이음부의 영역을 적어도 1.5mm 이상 비껴나게 하여 노광하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 노광 방법은, 상기 제 1 층에 의해 액정 패널내의 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 형성하고, 상기 제 2 층에 의해 상기 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 노광 방법은, 상기 제 1 층용 마스크에 형성된 단위 패턴에 대해 상기 제 2 층용 마스크의 단위 패턴을 다른 크기로 형성하고,상기 제 1 층의 이음부의 단위 패턴에 대해 상기 제 2 층의 이음부의 단위 패턴 위치가 다른 것을 특징으로 하는 노광 방법.
- 이음부를 갖는 복수의 분할 패턴이 형성된 마스크에 광원으로부터의 빔을 조명하는 조명 광학계와,상기 조명 광학계에 의한 상기 마스크의 조명 영역의 크기를 변경하는 수단과,상기 마스크를 투과한 빔을 감광 기판에 투영하는 투영 광학계를 갖춘 노광 장치에 있어서,제 1 층에 노광하는 상기 분할 패턴의 크기와, 제 2 층에 노광하는 상기 분할 패턴의 크기가 다를 때, 상기 변경 수단을 통해 상기 조명 영역을 바꾸는 동시에 상기 제 1 층의 이음부의 영역과 상기 제 2 층의 이음부의 영역이 비껴나게 제어하는 노광 장치.
- 소정 영역마다 분할되어 이루어지는 각 분할 영역을 이어서 감광 기판 상에 제 1 층을 노광 형성한 후, 소정 영역마다 분할해서 이루어진 각 분할 영역을 이어 상기 제 1 층상에 제 2 층을 노광 형성하는 노광 장치의 상기 각 분할 영역에 대응한 각 단위 패턴이 형성된 마스크에 있어서,상기 제 1 층의 상기 각 분할 영역에 대해 상기 제 1 층의 이음부의 영역과 상기 제 2 층의 이음부의 영역이 비껴나게 각각 다른 크기로 분할해서 이루어진 상기 제 2 층의 상기 각 분할 영역에 대응하는 단위 패턴을 상기 제 2 층용으로 해서 형성하는 것을 특징으로 하는 마스크.
- 기판면 상에서 각 투영 영역이 분리되어 있고, 또 상기 각 투영 영역의 인접 부분끼리가 기판면내에서 기판의 주사 방향과 수직인 방향으로 소정의 중복 폭으로 중복하고 있는 제 1 복수 투영 영역에서 상기 기판 상에 제 1 패턴의 일부를 투영하고, 상기 제 1 복수 투영영역에 대하여 상기 제 1 패턴과 상기 기판을 동기시켜 상기 주사 방향에 주사시켜 상기 기판 상에 상기 제 1 패턴을 전사하고,상기 기판면 상에서 각 투영 영역이 분리되어 있고, 또 상기 각 투영 영역의 인접부분끼리 기판면 내에서 기판의 주사방향과 수직인 방향으로 소정의 중복 폭으로 중복되어 있는 동시에 그 중복 부분과 상기 제 1복수 투영 영역에 의한 중복 부분이 비껴나도록, 상기 제 1복수 투영 영역에 대하여 상대적으로 상기 기판면 내에서 상기 주사방향과 직각인 방향으로 소정 폭만큼 비껴나게 한 제 2복수 투영 영역에서, 상기 제 1패턴이 전사된 기판 상에 제 2패턴의 일부를 투영하면서 상기 제 2 복수 투영 영역에 대하여 상기 제 2패턴과 상기 기판을 동기시켜 상기 주사방향으로 주사시켜서 상기 제 2패턴을 상기 기판 상에 전사하는 것을 특징으로 하는 투영 노광 방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 패턴이 묘화된 레티클 및 상기 기판의 배치에 대해 상기 제 2 패턴이 묘화된 레티클 및 상기 기판의 배치를 상기 기판면내에서 상기 주사 방향과 직각인 방향으로 상대적으로 상기 소정 폭 비껴나게 해서,상기 제 1 복수의 투영 영역에 대해 상기 제 2 복수의 투영 영역을 상대적으로 비껴나게 하는 것을 특징으로 하는 투영 노광 방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 패턴의 레티클 상에서의 묘화 위치에 대해 상기 제 2 패턴의 레티클상 에서의 묘화 위치를 상기 기판면내에서 상기 주사 방향과 직각인 방향으로 상대적으로 소정 폭 비껴나게 하고,상기 제 1 패턴에 대한 상기 기판의 위치에 대해 상기 제 2 패턴에 대한 상기 기판의 위치를 상기 기판면 내에서 상기 주사 방향과 직각인 방향으로 상대적으로 소정 폭 비껴나게 하고,상기 제 1 복수의 투영 영역에 대해 상기 제 2 복수의 투영 영역을 상대적으로 비껴나도록 하는 것을 특징으로 하는 투영 노광 방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 복수의 투영 영역에 투영하는 제 1 복수의 투영 광학계에 대해, 상기 제 2 복수의 투영 영역에 투영하는 제 2 복수의 투영 광학계를 상기 기판면 내에서 상기 주사 방향과 직각인 방향으로 상대적으로 소정 폭 비껴나게 해서,상기 제 1 복수의 투영 영역에 대한 상기 제 2 복수의 투영 영역을 상대적으로 비껴나게 하는 것을 특징으로 하는 투영 노광 방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 소정 폭은 상기 소정 중복 폭과 거의 같게 하는 것을 특징으로 하는 투영 노광 방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 소정 폭은 상기 소정 중복 폭의 거의 2배의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 투영 노광 방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 패턴을 투영하는 상기 제 1 복수 투영 영역의 중복부와 상기 제 2 패턴을 투영하는 상기 제 2 복수 투영 영역의 중복부와의 상대적인 엇갈림 폭은 상기 중복 폭 보다 큰 것을 특징으로 하는 투영 노광 방법.
- 제 13 항에 있어서, 상기 제 1 패턴과 상기 제 2 패턴은 상기 기판 위에서 상층과 하층 관계의 패턴인 것을 특징으로 하는 투영 노광 방법.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13942996A JPH09298155A (ja) | 1996-05-08 | 1996-05-08 | 露光方法、露光装置及びマスク |
| JP139429/1996 | 1996-05-08 | ||
| JP8213414A JPH1062809A (ja) | 1996-08-13 | 1996-08-13 | 投影露光方法 |
| JP213414/1996 | 1996-08-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970077112A KR970077112A (ko) | 1997-12-12 |
| KR100468234B1 true KR100468234B1 (ko) | 2005-06-22 |
Family
ID=26472251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019970015622A KR100468234B1 (ko) | 1996-05-08 | 1997-04-25 | 노광방법,노광장치및디스크 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6204912B1 (ko) |
| KR (1) | KR100468234B1 (ko) |
Families Citing this family (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU4057999A (en) * | 1998-06-02 | 1999-12-20 | Nikon Corporation | Scanning aligner, method of manufacture thereof, and method of manufacturing device |
| AU4167199A (en) * | 1998-06-17 | 2000-01-05 | Nikon Corporation | Method for producing mask |
| KR20000003752A (ko) * | 1998-06-29 | 2000-01-25 | 김영환 | 패턴 투영 장치 |
| JP2000260695A (ja) * | 1999-03-09 | 2000-09-22 | Nikon Corp | パターン転写方法 |
| JP2001154371A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-08 | Nikon Corp | 回路デバイスや表示デバイスの製造方法、及び大型ディスプレー装置 |
| US6734971B2 (en) * | 2000-12-08 | 2004-05-11 | Lael Instruments | Method and apparatus for self-referenced wafer stage positional error mapping |
| US7871002B2 (en) * | 2000-12-08 | 2011-01-18 | Litel Instruments | Method and apparatus for self-referenced wafer stage positional error mapping |
| US6699627B2 (en) | 2000-12-08 | 2004-03-02 | Adlai Smith | Reference wafer and process for manufacturing same |
| US7261983B2 (en) * | 2000-12-08 | 2007-08-28 | Litel Instruments | Reference wafer and process for manufacturing same |
| US20020127747A1 (en) * | 2001-03-08 | 2002-09-12 | Motorola, Inc. | Lithography method and apparatus with simplified reticles |
| US7091136B2 (en) | 2001-04-16 | 2006-08-15 | Basol Bulent M | Method of forming semiconductor compound film for fabrication of electronic device and film produced by same |
| US7136144B2 (en) * | 2001-09-20 | 2006-11-14 | Litel Instruments | Method and apparatus for self-referenced dynamic step and scan intra-field lens distortion |
| US6906780B1 (en) * | 2001-09-20 | 2005-06-14 | Litel Instruments | Method and apparatus for self-referenced dynamic step and scan intra-field lens distortion |
| US6906303B1 (en) | 2001-09-20 | 2005-06-14 | Litel Instruments | Method and apparatus for self-referenced dynamic step and scan intra-field scanning distortion |
| US7268360B2 (en) * | 2001-09-20 | 2007-09-11 | Litel Instruments | Method and apparatus for self-referenced dynamic step and scan intra-field scanning distortion |
| US7262398B2 (en) * | 2001-09-20 | 2007-08-28 | Litel Instruments | Method and apparatus for self-referenced dynamic step and scan intra-field scanning distortion |
| GB2382156A (en) * | 2001-11-15 | 2003-05-21 | Marconi Optical Components Ltd | Manufacture of optical devices |
| KR100848087B1 (ko) * | 2001-12-11 | 2008-07-24 | 삼성전자주식회사 | 기판 위에 패턴을 형성하는 방법 및 이를 이용한 액정표시 장치용 기판의 제조 방법 |
| EP1353230A1 (en) * | 2002-04-12 | 2003-10-15 | ASML Netherlands B.V. | Device manufacturing method and computer programs |
| EP1353234A1 (en) * | 2002-04-12 | 2003-10-15 | ASML Netherlands B.V. | Device manufacturing method, device manufactured thereby and computer program |
| US7016041B2 (en) * | 2002-09-06 | 2006-03-21 | Lsi Logic Corporation | Reticle overlay correction |
| JP4109944B2 (ja) * | 2002-09-20 | 2008-07-02 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
| JP2004111866A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Canon Inc | 半導体装置の製造方法 |
| JP4294311B2 (ja) * | 2002-12-27 | 2009-07-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法および表示装置の加工基板 |
| KR100575230B1 (ko) * | 2002-12-28 | 2006-05-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 노광 장치를 이용한 노광 방법 |
| US7261982B2 (en) * | 2003-08-07 | 2007-08-28 | Jds Uniphase Corporation | Planar circuit optimization |
| US7065737B2 (en) * | 2004-03-01 | 2006-06-20 | Advanced Micro Devices, Inc | Multi-layer overlay measurement and correction technique for IC manufacturing |
| US7542034B2 (en) | 2004-09-23 | 2009-06-02 | Conversion Works, Inc. | System and method for processing video images |
| US7924406B2 (en) * | 2005-07-13 | 2011-04-12 | Asml Netherlands B.V. | Stage apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method having switch device for two illumination channels |
| US7674574B2 (en) * | 2005-12-01 | 2010-03-09 | Chunghwa Picture Tubes, Ltd. | Method of arranging mask patterns |
| CN1983033B (zh) * | 2005-12-16 | 2010-08-25 | 中华映管股份有限公司 | 掩模图案布置方法 |
| US7790336B2 (en) * | 2006-11-14 | 2010-09-07 | Dalsa Corporation | Method of joining a plurality of reticles for use in producing a semiconductor layout pattern, a computerized system for implementing such a method and a semiconductor mask arrangement produced by implementing such a method |
| US8655052B2 (en) * | 2007-01-26 | 2014-02-18 | Intellectual Discovery Co., Ltd. | Methodology for 3D scene reconstruction from 2D image sequences |
| US20080225059A1 (en) * | 2007-03-12 | 2008-09-18 | Conversion Works, Inc. | System and method for using off-screen mask space to provide enhanced viewing |
| US8274530B2 (en) | 2007-03-12 | 2012-09-25 | Conversion Works, Inc. | Systems and methods for filling occluded information for 2-D to 3-D conversion |
| JP5214904B2 (ja) * | 2007-04-12 | 2013-06-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
| JP2011175032A (ja) * | 2010-02-23 | 2011-09-08 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
| US10311198B2 (en) * | 2014-02-16 | 2019-06-04 | Nova Measuring Instruments Ltd. | Overlay design optimization |
| KR20190009313A (ko) | 2016-05-18 | 2019-01-28 | 타워재즈 파나소닉 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| CN110515485B (zh) * | 2019-07-31 | 2022-05-10 | 芜湖伦丰电子触摸屏产业技术研究院有限公司 | 一种采用小网版制备大尺寸触摸屏功能片的方法 |
| CN116134382A (zh) * | 2020-07-28 | 2023-05-16 | Asml控股股份有限公司 | 用于衬底的多重曝光的光刻设备和方法 |
| JP2023027523A (ja) * | 2021-08-17 | 2023-03-02 | セイコーエプソン株式会社 | 表示方法、表示システム、及び表示装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4708466A (en) * | 1986-02-07 | 1987-11-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| KR960701464A (ko) * | 1993-12-07 | 1996-02-24 | 사토 후미오 | 표시소자 및 그 제조방법(a display element and a method for manufacturing thereof) |
| US5721606A (en) * | 1995-09-07 | 1998-02-24 | Jain; Kanti | Large-area, high-throughput, high-resolution, scan-and-repeat, projection patterning system employing sub-full mask |
| KR100381628B1 (ko) * | 1994-04-28 | 2003-08-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치및노광방법 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02246314A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-02 | Fujitsu Ltd | パターン作成方法 |
| JP3265512B2 (ja) | 1992-06-09 | 2002-03-11 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
| US5403754A (en) * | 1992-09-30 | 1995-04-04 | Texas Instruments Incorporated | Lithography method for direct alignment of integrated circuits multiple layers |
| US5729331A (en) * | 1993-06-30 | 1998-03-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
| JP3374467B2 (ja) * | 1993-09-14 | 2003-02-04 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び露光方法 |
| JP4132095B2 (ja) * | 1995-03-14 | 2008-08-13 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置 |
-
1997
- 1997-04-25 KR KR1019970015622A patent/KR100468234B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-05-08 US US08/848,394 patent/US6204912B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4708466A (en) * | 1986-02-07 | 1987-11-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| KR960701464A (ko) * | 1993-12-07 | 1996-02-24 | 사토 후미오 | 표시소자 및 그 제조방법(a display element and a method for manufacturing thereof) |
| KR0184095B1 (ko) * | 1993-12-07 | 1999-04-15 | 사토 후미오 | 표시소자 및 그 제조방법 |
| KR100381628B1 (ko) * | 1994-04-28 | 2003-08-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치및노광방법 |
| US5721606A (en) * | 1995-09-07 | 1998-02-24 | Jain; Kanti | Large-area, high-throughput, high-resolution, scan-and-repeat, projection patterning system employing sub-full mask |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6204912B1 (en) | 2001-03-20 |
| KR970077112A (ko) | 1997-12-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100468234B1 (ko) | 노광방법,노광장치및디스크 | |
| US6583854B1 (en) | Method and apparatus for the manufacture of circuits for a large display device using stitch exposure | |
| JP3339149B2 (ja) | 走査型露光装置ならびに露光方法 | |
| US20050105071A1 (en) | Methods for patterning substrates having arbitrary and unexpected dimensional changes | |
| TWI474126B (zh) | 曝光設備及電子裝置製造方法 | |
| US9001305B2 (en) | Ultra-large size flat panel display maskless photolithography system and method | |
| KR100849870B1 (ko) | 주사노광방법 및 주사형 노광장치 | |
| KR20100094451A (ko) | 노광방법, 노광장치 및 디바이스 제조방법 | |
| US6288772B1 (en) | Scanning exposure method and scanning type exposure apparatus | |
| US8431328B2 (en) | Exposure method, method for manufacturing flat panel display substrate, and exposure apparatus | |
| US6195153B1 (en) | Scanning type exposure device having individually adjustable optical modules and method of manufacturing same | |
| US20070159612A1 (en) | Liquid crystal display substrate fabrication | |
| WO2009150901A1 (ja) | 露光装置および露光方法 | |
| JP2000331909A (ja) | 走査型露光装置 | |
| KR100614012B1 (ko) | 노광방법 및 주사형 노광장치 | |
| US20080299499A1 (en) | Exposure method, method of manufacturing plate for flat panel display, and exposure apparatus | |
| US6342943B1 (en) | Exposure apparatus | |
| JPH1062809A (ja) | 投影露光方法 | |
| JP2001215717A (ja) | 走査露光方法および走査型露光装置 | |
| US20050099615A1 (en) | System for fabricating electronic modules on substrates having arbitrary and unexpected dimensional changes | |
| JP2007101592A (ja) | 走査型露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 | |
| JPH09298155A (ja) | 露光方法、露光装置及びマスク | |
| KR20010062572A (ko) | 노광 방법 | |
| JP4482998B2 (ja) | 走査露光方法および走査露光装置並びにデバイス製造方法 | |
| JPH11168043A (ja) | 露光装置及び露光方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20111216 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121227 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |