KR100466148B1

KR100466148B1 - Apparatus and method for drying substrates

Info

Publication number: KR100466148B1
Application number: KR1019970006786A
Authority: KR
Inventors: 유지 가미카와; 기냐 우에노
Original assignee: 동경 엘렉트론 주식회사
Priority date: 1996-03-01
Filing date: 1997-02-28
Publication date: 2005-03-16

Abstract

본 발명의 기판 건조 장치는, 처리실(19, 210)과, 이 처리실 내로 기판을 반입 반출하는 반송 수단(32, 240)과, 액상의 유기 용제를 받아들이는 용기(125,221)와 이 용기 내의 액상의 유기 용제를 가열해서 유기 용제의 증기를 발생시키는 히터(105, 223)를 구비하는 용제 증기 생성실(86,220), 용기 내로 액상의 유기 용제를 공급하는 용제 공급원(88,226)과, 용제 증기 생성실 및 처리실과 각각 연통하고 유기 용제의 증기가 흐르는 제 1 관로(85, 215), 용제 증기 생성실 내의 용기 및 용제 공급원과 각각 연통하고 액상의 유기 용제가 흐르는 제 2 관로(89, 225), 용제 공급원에서 용기 내로의 액상의 유기 용제의 공급 유량을 조정하는 유량 조정기(143, 145, 228)과, 용제 공급원(88, 226), 용제 증기 생성실(86, 220), 처리실(19, 210) 중 적어도 1개에 있어서의 유기 용제의 상태를 검지하고 그 검지한 유기 용제의 상태에 따라서 유량 조정기(143, 145, 228)의 동작을 제어하는 제어 수단(93, 260)을 마련하였다.The substrate drying apparatus of the present invention includes processing chambers 19 and 210, conveying means 32 and 240 for carrying in and out of the substrate into the processing chamber, containers 125 and 221 for receiving a liquid organic solvent, and the liquid in the container. Solvent vapor generating chambers 86 and 220 having heaters 105 and 223 for heating organic solvents to generate vapors of organic solvents, solvent sources 88 and 226 for supplying liquid organic solvents into the vessel, solvent vapor generating chambers, and First conduits 85 and 215 in communication with the processing chamber and through which the vapor of the organic solvent flows, second conduits 89 and 225 in communication with the container and the solvent source in the solvent vapor generating chamber and through which the liquid organic solvent flows respectively, and the solvent source In the flow rate regulators 143, 145 and 228, the solvent supply sources 88 and 226, the solvent vapor generating chambers 86 and 220, and the processing chambers 19 and 210, respectively. Detecting the state of the organic solvent in at least one In that detecting a state of an organic solvent thus prepared the flow regulators (143, 145, 228) control means (93, 260) for controlling operation of.

Description

Substrate drying apparatus and substrate drying method {APPARATUS AND METHOD FOR DRYING SUBSTRATES}

본 발명은 알콜류 등의 유기 용제의 증기를 사용해서 반도체 웨이퍼나 LCD용 유리 기판을 건조시키는 기판 건조 장치 및 기판 건조 방법에 관한 것이다.This invention relates to the board | substrate drying apparatus and board | substrate drying method which dry the semiconductor wafer and the glass substrate for LCD using vapor of organic solvents, such as alcohol.

반도체 디바이스의 제조에 있어서는 웨이퍼 표면으로부터 이물질(particles)이나 유기물 등의 오염물을 제거하는 웨이퍼형 세정 건조 시스템이 사용되고 있다. 웨이퍼형 세정 건조 시스템에서는 연속 배치 처리(continuous batch process)를 가능하게 하기 위해 여러 개의 세정 처리조와 건조 처리조를 구비하고 있다. 각 세정 처리조에는 약액 또는 순수한 물이 공급되고, 여러 개의 웨이퍼가 액중에 일괄적으로 침지(浸漬)되어 세정된다. 한편, 건조 처리조 내에는 이소프로필알콜((CH₃)₂CHOH, 이하 「IPA」라 한다)과 같은 유기 용제의 증기가 공급되고 유기 용제 증기의 작용에 의해 여러 개의 웨이퍼는 일괄적으로 건조된다.BACKGROUND OF THE INVENTION In the manufacture of semiconductor devices, wafer-type cleaning drying systems are used that remove contaminants such as particles and organic matter from the wafer surface. Wafer type cleaning drying systems are equipped with several cleaning processing tanks and drying processing tanks in order to enable a continuous batch process. Each cleaning treatment tank is supplied with a chemical liquid or pure water, and several wafers are immersed in the liquid at once to be cleaned. On the other hand, vapor of an organic solvent such as isopropyl alcohol ((CH ₃ ) ₂ CHOH, hereinafter referred to as "IPA") is supplied into the drying tank, and several wafers are collectively dried by the action of the organic solvent vapor. .

클로우즈드 방식(colsed-type)의 세정 건조 장치에서는 조 하부에서 세정액(순수한 물)을 배수하면서 처리조 내로 IPA 증기를 공급하고, 세정 직후에 웨이퍼를 건조 처리할 수 있게 되어 있다. 이 방식에 따르면 웨이퍼의 표면에서 세정액(순수한 물)의 막이 제거되므로, 웨이퍼 표면에 물자국(water mark)을 발생시키지 않고 깨끗한 건조면을 얻을 수 있다. 이 방식의 장치에서는 IPA액 공급원으로부터 증기 발생실 내로 IPA액을 공급하고 증기 발생실 내에서 IPA액을 가열해서 증기를 발생시키고, 그 IPA 증기를 증기 발생실로부터 처리조 내로 도입한다.In a closed-type cleaning drying apparatus, IPA vapor is supplied into the processing tank while draining the cleaning liquid (pure water) from the bottom of the tank, and the wafer can be dried immediately after the cleaning. According to this method, since the film of the cleaning liquid (pure water) is removed from the surface of the wafer, a clean dry surface can be obtained without generating water marks on the surface of the wafer. In this type of apparatus, the IPA liquid is supplied from the IPA liquid source into the steam generating chamber, the IPA liquid is heated in the steam generating chamber to generate steam, and the IPA steam is introduced from the steam generating chamber into the treatment tank.

그런데, 이 방식의 장치에서는 증기 발생실 내의 IPA액이 소비되므로, IPA액 공급원에서 증기 발생실 내로 IPA액을 보급할 필요가 있다. 그러나, IPA 증기의 생성에 의해 증기 발생실의 내압이 점차 상승해 가면, IPA액 공급원에서 증기 발생실 내로 IPA액을 공급하기 곤란해진다.By the way, in this type of apparatus, since the IPA liquid in the steam generating chamber is consumed, it is necessary to replenish the IPA liquid from the IPA liquid supply source into the steam generating chamber. However, when the internal pressure of the steam generating chamber gradually rises due to the generation of IPA steam, it becomes difficult to supply the IPA liquid from the IPA liquid supply source into the steam generating chamber.

일본국 특허 등록 번호 제 2544971 호에는 일정량의 유기 용제를 예비실 내의 열판(hot plate) 상에 떨어뜨려 일정량의 용제 증기를 생성하고, 이 정량의 용제 증기를 주챔버 내로 공급하고 유리 기판을 건조시키는 세정 건조 장치가 개시되어 있다. 그러나, 이 장치에서는 전체 처리 기간에 걸쳐 증기 발생실 내로 용제를 정량 공급하므로, 증기 발생실로부터 처리조로 증기가 과잉 공급되어 용제의 총 소비량이 과대하게 된다.Japanese Patent Registration No. 2544971 discloses a certain amount of organic solvent being dropped on a hot plate in a preliminary chamber to produce a certain amount of solvent vapor, supplying this quantity of solvent vapor into the main chamber, and drying the glass substrate. A cleaning drying apparatus is disclosed. However, in this apparatus, since the solvent is quantitatively supplied into the steam generating chamber over the entire treatment period, the steam is excessively supplied from the steam generating chamber to the treatment tank, and the total consumption of the solvent is excessive.

본 발명의 목적은 건조용 증기의 기본으로 되는 유기 용제를 증기 발생실로 원활하게 공급할 수 있고, 또 유기 용제의 소비량을 저감할 수 있는 기판 건조 장치 및 기판 건조 방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a substrate drying apparatus and a substrate drying method capable of smoothly supplying an organic solvent serving as a basis for drying steam to a steam generating chamber and reducing the consumption of organic solvents.

본 발명자들은 유기 용제 증기에 의한 기판의 건조 현상에 대해 예의(銳意) 연구 노력을 거듭한 결과, 건조 효율에 영향을 미치는 요소로서 다음의 3가지가 중요하다는 것을 알았다.The present inventors made intensive research efforts on the drying phenomenon of the substrate by the organic solvent vapor, and found that the following three factors are important as factors that influence the drying efficiency.

[1] 용제 증기의 양[1] volume of solvent vapor

[2] 용제 증기의 농도[2] concentrations of solvent vapor

[3] 용제 증기와 기판의 접촉 면적[3] area of contact between solvent vapor and substrate

상기 [1], [2]를 조정하는데는 용제의 히터 가열량을 조정하는 것이 고려된다. 그러나, 종래에는 히터 가열량의 조절에 의해 용제의 증발 속도를 조정하는 것은 가능하지만, 용제 증기의 발생량을 단시간에 예를 들면 2∼3초간에 변화시키는 것은 불가능하다. 이와 같이 종래 기술은 저응답성이므로, 용제 증기의 발생량이나 농도를 정확하게 제어할 수 없어 건조 처리의 정밀도가 낮고 또 유기 용제의 소비량이 과대해진다.In adjusting the above [1] and [2], it is considered to adjust the heater heating amount of the solvent. However, although the evaporation rate of a solvent can be adjusted conventionally by adjustment of a heater heating amount, it is impossible to change the generation amount of solvent vapor in 2 to 3 second in a short time. As described above, since the conventional technology is low response, the amount and concentration of solvent vapor cannot be controlled accurately, so that the precision of the drying process is low and the consumption amount of the organic solvent is excessive.

본 발명에 따른 기판 건조 장치는 처리실, 이 처리실 내로 기판을 반입 반출하는 반송 수단, 액상의 유기 용제를 받아들이는 용기와 이 용기 내의 액상의 유기 용제를 가열해서 유기 용제의 증기를 발생시키는 히터를 구비하는 용제 증기 생성실, 상기 용기 내로 액상의 유기 용제를 공급하는 용제 공급원, 상기 용제 증기 생성실 및 상기 처리실과 각각 연통하고 유기 용제의 증기가 흐르는 제 1 관로, 상기 용제 증기 생성실 내의 용기 및 상기 용제 공급원과 각각 연통하고 액상의 유기 용제가 흐르는 제 2 관로, 용제 공급원에서 용기 내로의 액상의 유기 용제의 공급 유량을 조정하는 유량 조정기, 상기 용제 공급원, 상기 용제 증기 생성실, 상기 처리실 중의 적어도 1개에 있어서의 유기 용제의 상태를 검지하고 그 검지한 유기 용제의 상태에 따라서 상기 유량 조정기의 동작을 제어하는 제어 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.The substrate drying apparatus according to the present invention includes a processing chamber, a conveying means for carrying in and out of the substrate into the processing chamber, a container for receiving a liquid organic solvent, and a heater for heating the liquid organic solvent in the container to generate vapor of the organic solvent. A solvent vapor generating chamber, a solvent supply source for supplying a liquid organic solvent into the vessel, a first pipe communicating with the solvent vapor generating chamber and the processing chamber, respectively, in which the vapor of the organic solvent flows, the vessel in the solvent vapor generating chamber, and the A second conduit in communication with the solvent source and through which the liquid organic solvent flows, a flow regulator for adjusting a flow rate of the liquid organic solvent from the solvent source into the vessel, the solvent source, the solvent vapor generating chamber, and at least one of the processing chambers The state of the organic solvent in a dog is detected, and the above is determined according to the state of the detected organic solvent. And control means for controlling the operation of the flow regulator.

본 발명에 관한 기판 건조 방법은 유기 용제 공급원에서 용제 증기 생성실 내로 공급한 액상의 유기 용제를 가열하는 것에 의해 유기 용제의 증기를 발생시키고, 그 유기 용제 증기를 처리실 내로 도입해서 처리실 내의 기판을 건조시키는 기판 건조 방법에 있어서, 상기 용제 증기 생성실에서 처리실 내로 유기 용제의 증기를 도입하고 있을 때에는 유기 용제 공급원에서 상기 용제 증기 생성실 내로 액상의 유기 용제를 공급하지 않고 상기 유기 용제 공급원에서 상기 용제 증기 생성실 내로 액상의 유기 용제를 공급하고 있을 때에는 상기 용제 증기 생성실 내에서의 유기 용제의 증기의 생성을 억제하는 것을 특징으로 한다.In the substrate drying method according to the present invention, the organic solvent vapor is generated by heating the liquid organic solvent supplied from the organic solvent source into the solvent vapor generating chamber, and the organic solvent vapor is introduced into the processing chamber to dry the substrate in the processing chamber. In the substrate drying method of the present invention, when the organic solvent vapor is introduced into the processing chamber from the solvent vapor generating chamber, the solvent vapor is supplied from the organic solvent source without supplying a liquid organic solvent from the organic solvent source into the solvent vapor generating chamber. When the liquid organic solvent is supplied into the production chamber, generation of vapor of the organic solvent in the solvent vapor generating chamber is suppressed.

본 발명에 의하면, 유기 용제를 가열해서 증기를 발생시키고 있을 때에는 증기 발생실의 내압이 상승하고 있고, 증기 발생실 내에는 유기 용제를 공급하지 않는다. 한편, 증기 발생실 내로 유기 용제를 공급할 때에는 유기 용제의 증기의 발생을 억제하고 증기 발생실의 내압을 낮춘다. 유기 용제의 증기의 발생을 억제하기 위해 유기 용제의 가열을 중지하도록 해도 좋고, 또 증기 발생실 내의 증기를 냉각 기능을 구비한 트랩 파이프 등으로 방출하도록 해도 좋다. 증기 발생실 내의 압력을 낮춘 상태로 하고 나서 공급원으로부터의 유기 용제를 증기 발생실 내로 도입한다. 이와 같이 증기 발생실 내의 압력이 낮은 상태에서만 유기 용제를 공급하므로, 공급원에서 유기 용제를 원활하게 공급하는 것이 가능하게 된다.According to the present invention, when the organic solvent is heated to generate steam, the internal pressure of the steam generating chamber is increased, and the organic solvent is not supplied to the steam generating chamber. On the other hand, when supplying an organic solvent into a steam generating chamber, generation | occurrence | production of the vapor of an organic solvent is suppressed and the internal pressure of a steam generating chamber is reduced. In order to suppress the generation of the vapor of the organic solvent, the heating of the organic solvent may be stopped, or the vapor in the steam generating chamber may be discharged to a trap pipe or the like having a cooling function. After the pressure in the steam generating chamber is lowered, the organic solvent from the source is introduced into the steam generating chamber. Thus, since the organic solvent is supplied only in a state where the pressure in the steam generating chamber is low, it is possible to smoothly supply the organic solvent from the supply source.

또, 용제 공급원의 내압을 높이는 것에 의해 용제 공급원에서 증기 발생실 내로 유기 용제를 압송할 수 있다.In addition, by increasing the internal pressure of the solvent supply source, the organic solvent can be pumped from the solvent supply source into the steam generating chamber.

또, 유기 용제의 증기를 처리조 내로 도입할 때 처리조 내로 유기 용제의 증기를 증기 압력으로 도입하도록 해도 좋고, 캐리어 가스에 의해 유기 용제의 증기를 처리조 내로 도입하도록 해도 좋다.When the vapor of the organic solvent is introduced into the treatment tank, the vapor of the organic solvent may be introduced into the treatment tank at a vapor pressure, or the vapor of the organic solvent may be introduced into the treatment tank by a carrier gas.

또, 증기 발생실 내의 유기 용제의 액위(液位)를 검출하고 검출 액위가 임계값 이하로 되었을 때 유기 용제 공급원에서 증기 발생실 내로 유기 용제를 공급하는 것이 바람직하다. 또, 유기 용제의 증기의 온도를 검출하고 검출 온도가 임계값 이상으로 되었을 때 유기 용제 공급원에서 증기 발생실 내로 유기 용제를 공급하는 것이 바람직하다. Moreover, it is preferable to detect the liquid level of the organic solvent in a steam generating chamber, and to supply an organic solvent from an organic solvent supply source to a steam generating chamber when the detection liquid level becomes below a threshold value. In addition, it is preferable to supply the organic solvent from the organic solvent supply source into the steam generating chamber when the temperature of the vapor of the organic solvent is detected and the detection temperature becomes higher than or equal to the threshold value.

본 발명에 관한 기판 건조 방법은 유기 용제 공급원에서 용제 증기 생성실 내로 공급한 액상의 유기 용제를 가열하는 것에 의해 유기 용제의 증기를 발생시키고, 그 유기 용제 증기를 처리실 내로 도입해서 처리실 내의 기판을 건조시키는 기판 건조 방법에 있어서, 기판의 처리 상황을 검지하고 검지한 기판의 처리 상황에 따라서 상기 용제 증기 생성실로의 액상의 유기 용제의 공급량을 제어하는 것에 의해, 상기 용제 증기 생성실에서 상기 처리실 내로 공급할 유기 용제의 증기의 농도를 변경하는 것을 특징으로 한다.In the substrate drying method according to the present invention, the organic solvent vapor is generated by heating the liquid organic solvent supplied from the organic solvent source into the solvent vapor generating chamber, and the organic solvent vapor is introduced into the processing chamber to dry the substrate in the processing chamber. In the substrate drying method, the processing state of the substrate is detected, and the supply amount of the liquid organic solvent to the solvent vapor generating chamber is controlled in accordance with the processing state of the detected substrate to supply the solvent vapor generating chamber into the processing chamber. It is characterized by changing the concentration of the vapor of the organic solvent.

본 발명에 관한 기판 건조 방법은 기판을 세정액에 침지해서 세정한 후에 기판과 세정조를 상대적으로 이동시킴과 동시에 용제 증기 생성실 내에서 생성된 유기 용제의 증기를 기판과 접촉시키고 기판을 건조시키는 기판 건조 방법에 있어서, 기판과 세정조의 상대 이동 중에 있어서 세정액의 액면의 위쪽으로 노출하는 기판의 표면적을 검지하고, 검지한 기판의 표면적에 따라서 상기 용제 증기 생성실 내로의 액상의 유기 용제의 공급량을 제어하는 것에 의해 세정액의 액면의 위쪽으로 노출한 기판과 접촉시키는 유기 용제의 증기의 농도를 변경하는 것을 특징으로 한다.In the substrate drying method of the present invention, the substrate is immersed in a cleaning liquid to clean the substrate, and then the substrate and the cleaning tank are moved relatively, and at the same time, the substrate of the organic solvent generated in the solvent vapor generating chamber is brought into contact with the substrate and the substrate is dried. In the drying method, the surface area of the substrate exposed above the liquid level of the cleaning liquid during the relative movement of the substrate and the cleaning tank is detected, and the supply amount of the liquid organic solvent into the solvent vapor generating chamber is controlled in accordance with the surface area of the detected substrate. The density | concentration of the vapor | steam of the organic solvent brought into contact with the board | substrate exposed to the upper surface of the liquid level of a washing | cleaning liquid is changed, by the said thing.

또, 유기 용제를 증발시키고 있는 증기 발생실 내에서는 유기 용제 중에 포함되어 있는 불순물이 점차 고이는 경향에 있다. 그래서, 증기 발생실 내의 유기 용제를 여과하는 것에 의해 유기 용제중의 불순물을 제거하도록 하는 것이 바람직하다. 이 경우에 증기 발생실 내의 유기 용제를 순환시키는 회로를 형성하고, 이 순환 회로 도중에 필터에 의해 유기 용제중의 불순물을 포착 제거하도록 해도 좋다.Moreover, in the steam generation chamber which evaporates the organic solvent, the impurities contained in the organic solvent tend to gradually increase. Therefore, it is preferable to remove impurities in the organic solvent by filtering the organic solvent in the steam generation chamber. In this case, a circuit for circulating the organic solvent in the steam generating chamber may be formed, and an impurity in the organic solvent may be trapped and removed by a filter in the middle of the circulation circuit.

또, 처리조 내로 도입하는 도중에 유기 용제의 증기가 응축하지 않도록 유기 용제의 증기를 가열하도록 해도 좋다. 그렇게 하면 증기 발생실 내에서 만들어낸 유기 용제의 증기를 효율적으로 처리조로 공급할 수 있게 된다.In addition, the vapor of the organic solvent may be heated so that the vapor of the organic solvent does not condense while being introduced into the treatment tank. In this way, the vapor of the organic solvent produced in the steam generation chamber can be efficiently supplied to the treatment tank.

또, 용제 공급원에 유기 용제를 보충하는 경우나 용제 공급원을 교환하는 경우에 있어서 용제 공급원을 대기로 개방할 필요가 생긴다. 이러한 경우에 증기 발생실의 내압이 높은 상태에서 대기로 개방하면 증기 발생실 내의 증기가 용제 공급원측으로 역류하여 유기 용제의 증기가 외부로 분출해서 화재 사고를 발생시킬 염려가 있다. 여기에서, 용제 공급원에 유기 용제를 보충하는 경우나 유기 용제 공급원을 교환하는 경우에는 용제 공급원과 증기 발생실 사이를 접속하고 있는 회로를 대기로 개방하기 전에 미리 증기 발생실 내를 대기압으로 해 두는 것이 바람직하다.Moreover, when replenishing a solvent supply source with an organic solvent or replacing a solvent supply source, it is necessary to open a solvent supply source to the atmosphere. In such a case, when the internal pressure of the steam generating chamber is opened to the atmosphere, the steam in the steam generating chamber flows back to the solvent supply side, and the vapor of the organic solvent may be ejected to the outside, causing a fire accident. Here, when replenishing the solvent source with the organic solvent or when replacing the organic solvent source, it is recommended that the steam generator chamber be at atmospheric pressure before opening the circuit connecting the solvent source and the steam generating chamber to the atmosphere. desirable.

또, 증기 발생실의 주위의 분위기를 비산화성 가스의 분위기로 해도 좋다. 또, 처리조 주변의 분위기를 비산화성 가스의 분위기로 해도 좋다. 그렇게 하면, 증기 발생실이나 처리조에서의 방폭 대책으로 되어 안전성이 확보된다.In addition, the atmosphere around the steam generating chamber may be an atmosphere of non-oxidizing gas. The atmosphere around the treatment tank may be an atmosphere of non-oxidizing gas. By doing so, it becomes an explosion-proof measure in a steam generation chamber or a treatment tank, and safety is ensured.

또한, 건조 처리용의 유기 용제로는 이소프로필알콜 이외에 이소프로판올(isopropanol), 메탄올(methanol), 1-프로판올(1-propanol), 테르트-부탄올(tert-butanol) 등의 단체 또는 이들 혼합물을 사용해도 좋다.In addition, as an organic solvent for drying treatment, a single or mixture of isopropanol, methanol, 1-propanol, tert-butanol, and the like, in addition to isopropyl alcohol, may be used. Also good.

(실시예)(Example)

이하, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 여러 가지 바람직한 실시예에 대해서 설명한다.Hereinafter, various preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이 세정 건조 시스템(1)은 로더부(loader section)(2), 프로세스부(3) 및 언로더부(4)를 구비하고 있다. 로더부(2)에는 카세트 스테이션(5) 및 이송 장치(7)가 마련되어 있다. 카세트 스테이션(cassette station)(5)에는 도시하지 않은 반입 장치에 의해 여러 개의 카세트(C)가 반입해서 탑재되도록 되어 있다. 각 카세트(C)에는 세정 처리 전의 25장의 웨이퍼(W)가 수용되어 있다. 이송 장치(7)는 2개의 카세트(C)를 스테이지(6)로 일괄 이송하기 위한 것이다.As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the cleaning drying system 1 includes a loader section 2, a process section 3, and an unloader section 4. The loader unit 2 is provided with a cassette station 5 and a transfer device 7. In the cassette station 5, several cassettes C are loaded and loaded by a carrying-in apparatus not shown. Each cassette C contains 25 wafers W before the cleaning process. The conveying apparatus 7 is for collectively conveying two cassettes C to the stage 6.

프로세스부(3)에는 3대의 반송 장치(30, 31, 32) 및 여러 개의 처리조(11∼19)가 마련되어 있다. 각 반송 장치(30, 31, 32)는 X축, Y축, Z축의 각 방향으로 이동할 수 있게 되어 있다. 제 1 반송 장치(30)는 웨이퍼 척(36)을 구비하고, 이 웨이퍼 척(36)에 의해 스테이지(6) 상의 2개의 카세트(C)에서 50장의 웨이퍼(W)를 일괄적으로 꺼내고 또 각 처리조로 반송하도록 되어 있다. 제 2 반송 장치(31)는 웨이퍼 척(37)을 구비하고, 이 웨이퍼 척(37)에 의해 처리조 내에서 50장의 웨이퍼(W)를 일괄적으로 꺼내어 다음의 처리조로 반송하도록 되어 있다. 또, 제 3 반송 장치(32)도 웨이퍼 척(38)을 구비하고, 이 웨이퍼 척(38)에 의해 처리조 내에서 50장의 웨이퍼(W)를 일괄적으로 꺼내어 다음의 처리조로 반송하도록 되어 있다. The process part 3 is provided with three conveying apparatuses 30, 31, 32 and several processing tanks 11-19. Each conveying apparatus 30, 31, 32 can move to each direction of an X-axis, a Y-axis, and a Z-axis. The 1st conveyance apparatus 30 is equipped with the wafer chuck 36, 50 wafers W are collectively taken out from the two cassettes C on the stage 6 by this wafer chuck 36, and each is carried out. It is supposed to return to the treatment tank. The 2nd conveyance apparatus 31 is equipped with the wafer chuck 37, and this wafer chuck 37 removes 50 wafers W in a processing tank collectively, and conveys them to the next processing tank. Moreover, the 3rd conveying apparatus 32 is also equipped with the wafer chuck 38, and this wafer chuck 38 removes 50 wafers W collectively in a processing tank, and conveys them to the next processing tank. .

언로더부(4)에는 스테이지(20) 및 카세트 스테이션(21)이 마련되어 있다. 스테이지(20)는 상기와 마찬가지의 카세트 이송 장치(7)를 구비하고 있다. 카세트 스테이션(21)에는 여러 개의 카세트(C)가 탑재되고 이들 카세트(C)에 세정 건조 처리가 완료된 웨이퍼(W)가 수용되도록 되어 있다. 또, 도시하지 않은 반출 장치에 의해 카세트 스테이션(21)에서 카세트(C)가 반출되도록 되어 있다.The unloader section 4 is provided with a stage 20 and a cassette station 21. The stage 20 is provided with the cassette conveyance apparatus 7 similar to the above. In the cassette station 21, a plurality of cassettes C are mounted, and the cassettes C are accommodated in the wafers W having been cleaned and dried. Moreover, the cassette C is carried out from the cassette station 21 by the carrying-out apparatus which is not shown in figure.

프로세스부(3)의 최초의 처리조(11)는 제 1 웨이퍼 척(36)을 세정 및 건조하기 위한 것이다. 처리조(12, 15)는 웨이퍼(W)를 약액 세정하기 위한 것이다. 처리조(13, 14, 16, 17)는 약액 세정된 웨이퍼(W)를 순수한 물로 린스하기 위한 것이다. 처리조(18)는 제 3 웨이퍼 척(38)을 세정 및 건조하기 위한 것이다. 최후의 처리조(19)는 웨이퍼(W)를 건조시키기 위한 것이다.The first processing tank 11 of the process section 3 is for cleaning and drying the first wafer chuck 36. The processing tanks 12 and 15 are for cleaning the wafer W with chemical liquids. The treatment tanks 13, 14, 16, and 17 are for rinsing the chemical liquid cleaned wafer W with pure water. The processing tank 18 is for cleaning and drying the third wafer chuck 38. The final processing tank 19 is for drying the wafer W. As shown in FIG.

제 2 처리조(12)에는 암모니아 수용액과 과산화수소 용액의 혼합 약액(NH₄OH+H₂O₂+H₂O)이 순환 공급되도록 되어 있다. 이 순환 회로에는 암모니아액 공급부(98)에서 암모니아액이 보급되도록 되어 있다. 이 제 2 처리조(12)에서는 웨이퍼 표면에 부착된 유기물이나 이물질을 제거하는 소위 SC1 세정을 실행한다. 한편, 제 5 처리조(15)에는 염산 수용액과 과산화수소 용액의 혼합 약액(HCl+H₂O₂)이 순환 공급되도록 되어 있다. 이 제 5 처리조(15)에서는 웨이퍼 표면에서 금속 이온을 제거하는 소위 SC2 세정을 실행한다. 최후의 처리조(19)에는 묽은 플루오르산 수용액(希弗酸水溶液)(HF+H₂O)이 순환 공급되고, 또 순수한 물이 공급되고, 또 IPA 증기가 공급되도록 되어 있다. 또한, 세정 처리용 약액으로서 이 이외에 황산 수용액과 과산화수소 용액의 혼합 약액(H₂SO₄+H₂O₂)을 사용해도 좋다.In the second treatment tank 12, a mixed chemical liquid (NH ₄ OH + H ₂ O ₂ + H ₂ O) of an aqueous ammonia solution and a hydrogen peroxide solution is circulated to be supplied. In this circulation circuit, the ammonia liquid is supplied from the ammonia liquid supply part 98. In this second processing tank 12, so-called SC1 cleaning for removing organic matter and foreign matter adhering to the wafer surface is performed. On the other hand, the fifth processing tank 15 has been allowed to mix the chemical solution (HCl + H ₂ O ₂₎ is supplied to the circulating aqueous solution of hydrochloric acid and hydrogen peroxide solution. In this fifth processing tank 15, so-called SC2 cleaning for removing metal ions from the wafer surface is performed. The final treatment tank 19 is circulated and supplied with dilute aqueous hydrofluoric acid solution (HF + H ₂ O), pure water is supplied, and IPA vapor is supplied. Further, as a chemical solution for the cleaning process may be used in addition to the mixed chemical solution in the aqueous solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution _{_{_{(H 2 SO 4 + H 2}}} O 2).

다음에, 도 4를 참조하면서 반송 장치(32)에 의해 웨이퍼(W)를 처리조(19)로 반입/반출하는 경우에 대해서 설명한다.Next, the case where the wafer W is carried in / out of the processing tank 19 by the transfer apparatus 32 will be described with reference to FIG. 4.

반송 장치(32)의 웨이퍼 척(38)은 50장의 웨이퍼(W)를 일괄적으로 잡기하기 위한 1쌍의 파지 부재(把持部材, holding members)(41a, 41b)를 구비하고 있다. 각 파지 부재(41a, 41b)는 수평암(horizontal arm)(42a, 42b)을 거쳐서 지지부(43)에 각각 지지되어 있다. 각 수평암(42a, 42b)은 지지부(43)에 내장된 θ회전 기구에 의해서 축 주위를 회전 운동할 수 있도록 되어 있다. 또, 지지부(43)는 Z축 구동 기구(44)에 의해서 승강할 수 있게 지지되어 있다. 또, Z축 구동 기구(44) 자체는 리니어 가이드(33)를 따라서, 프로세스부(3)를 따라 X축 방향으로 슬라이딩 이동할 수 있게 마련되어 있다. 또, 웨이퍼 척(38) 전체는 지지부(43)에 내장된 Y축 구동 기구(도시하지 않음)에 의해서 Y축 방향으로 이동할 수 있게 마련되어 있다. 또, 방향 조정 기구(도시하지 않음)에 의해서 지지부(43) 자체는 수평면 내에서 그 방향을 미세 조정할 수 있도록 되어 있다.The wafer chuck 38 of the conveying device 32 is provided with a pair of holding members 41a and 41b for collectively holding 50 wafers W. As shown in FIG. Each holding member 41a, 41b is supported by the support part 43 via the horizontal arm 42a, 42b, respectively. Each horizontal arm 42a, 42b is made to be able to rotate around an axis by the (theta) rotation mechanism built in the support part 43. As shown in FIG. In addition, the support part 43 is supported by the Z-axis drive mechanism 44 so that it can be elevated. Moreover, the Z-axis drive mechanism 44 itself is provided so that it may slide along the process part 3 along the linear guide 33 in the X-axis direction. Moreover, the whole wafer chuck 38 is provided so that it can move to a Y-axis direction by the Y-axis drive mechanism (not shown) built into the support part 43. FIG. Moreover, the support part 43 itself is able to finely adjust the direction in a horizontal plane by the direction adjustment mechanism (not shown).

수평암(42a, 42b)에는 파지 부재(41a, 42b)의 각 상단부가 고정 부착되고, 또 이들 각 파지부재(41a, 41b)의 하단부 사이에는 상하 2단에 석영제의 파지봉(47a, 47b, 48a, 48b)이 평행하게 놓여져 있다. 이들 각 파지봉(47a, 47b, 48a, 48b)에는 웨이퍼 파지용의 50개의 홈(47g, 48g)이 각각 형성되어 있다.The upper ends of the gripping members 41a and 42b are fixedly attached to the horizontal arms 42a and 42b, and the quartz gripping rods 47a and 47b are disposed at two upper and lower ends between the lower ends of the respective gripping members 41a and 41b. , 48a, 48b) are placed in parallel. Each of the gripping rods 47a, 47b, 48a, and 48b is formed with 50 grooves 47g and 48g for wafer holding, respectively.

각 처리조 내에는 석영제의 보트(50)가 각각 마련되어 있다. 보트(50)의 수평 지지봉(53, 54, 55)에는 웨이퍼 유지용의 50개의 홈(53g, 54g, 55g)이 각각 형성되어 있다. 이들 홈(53g, 54g, 55g) 및 상기 홈(47g, 48g)의 피치 간격은 카세트(C)의 홈의 피치 간격과 실질적으로 동일하다. In each processing tank, the boat 50 made of quartz is provided, respectively. 50 grooves 53g, 54g, 55g for wafer holding are formed in the horizontal support rods 53, 54, 55 of the boat 50, respectively. The pitch spacing of these grooves 53g, 54g, 55g and the grooves 47g, 48g is substantially the same as the pitch spacing of the grooves of the cassette C. FIG.

다음에, 도 3∼도 8을 참조하면서 최후의 처리조(19)에 대해서 설명한다.Next, the last process tank 19 is demonstrated, referring FIGS. 3-8.

최후의 처리조(19)에서는 웨이퍼(W)를 세정한 직후에 건조하도록 되어 있다. 처리조(19)는 상부가 뚫린 대략 상자형을 이루고, 그 주위에는 외부조(60)가 마련되어 있다. 처리조(19)의 위쪽에는 개폐뚜껑(71)이 마련되어 처리조(19)의 상부 개구에 덮여지도록 되어 있다. 이 뚜껑(71)의 더 위쪽에는 필터(72)를 구비한 팬필터 유닛(fan filter unit)이나 팬 유닛 등의 공조기(air conditioner)가 마련되어 청정화된 공기의 다운플로우(downflow)가 처리조(19)를 향해서 형성되도록 되어 있다.In the last processing tank 19, the wafer W is dried immediately after washing. The treatment tank 19 has a substantially box shape with an upper portion drilled therein, and an outer tank 60 is provided around it. An opening / closing lid 71 is provided above the treatment tank 19 so as to be covered by the upper opening of the treatment tank 19. Further above the lid 71, an air conditioner such as a fan filter unit having a filter 72 or a fan unit is provided so that downflow of the purified air is carried out by the treatment tank 19. It is supposed to be formed toward).

도 5에 도시한 바와 같이, 외부조(60)는 처리조(19)로부터 오버플로우된(overflowed) 액을 받고, 받은 액을 회로(61)를 거쳐서 후술한 세정액 순환 기구(75)로 흐르게 하도록 되어 있다. 처리조(19)의 내측 바닥부에는 정류 수단(64)이 마련되어 있다. 이 정류 수단(64)은 정류판(65)과 확산판(66)을 구비하고 있다. 정류판(65)은 처리조 바닥부(62)와 웨이퍼보트(50) 사이에 대략 수평으로 마련되어 있다. 확산판(66)은 정류판(65)의 아래쪽에 배치되어 있다. 이 정류판(65)에는 여러 개의 슬릿(67)과 여러 개의 작은 구멍(68)이 뚫려 있다. 이들 작은 구멍(68)은 슬릿(67)의 양측에 배열되어 있다.As shown in FIG. 5, the outer tank 60 receives the overflowed liquid from the processing tank 19 and causes the received liquid to flow through the circuit 61 to the cleaning liquid circulation mechanism 75 described later. It is. The rectifying means 64 is provided in the inner bottom part of the processing tank 19. The rectifying means 64 includes a rectifying plate 65 and a diffusion plate 66. The rectifying plate 65 is provided substantially horizontally between the treatment tank bottom 62 and the wafer boat 50. The diffusion plate 66 is disposed below the rectifying plate 65. In this rectifying plate 65, several slits 67 and several small holes 68 are drilled. These small holes 68 are arranged on both sides of the slit 67.

세정액은 회로(63)를 거쳐서 처리조(19) 내로 도입되면 먼저 확산판(66)과 충돌하여 확산판(66)을 돌아들어가서 정류판(65)의 이면 전체로 확산되고 정류판(65)의 슬릿(67) 및 작은 구멍(68)을 각각 통과해서 웨이퍼(W)의 상호간 및 주위를 상승한다. 이 난류를 발생시키지 않는 균등한 유속의 세정액에 의해 웨이퍼(W)는 둘러싸이게 되므로 웨이퍼(W)의 전면이 얼룩 없이 균등하게 세정되도록 되어 있다. When the cleaning liquid is introduced into the treatment tank 19 through the circuit 63, it first collides with the diffuser plate 66, returns to the diffuser plate 66, diffuses to the entire rear surface of the rectifier plate 65, and It passes through the slit 67 and the small hole 68, respectively, and raises each other and the circumference | surroundings of the wafer W. As shown in FIG. Since the wafer W is surrounded by the cleaning liquid of equal flow velocity which does not generate turbulence, the entire surface of the wafer W is cleaned evenly without staining.

도 6에 도시한 바와 같이 오버플로우 회로(61)는 세정액 순환 기구(75)와 연통하고 있다. 한편, 세정액 순환 기구(75)는 회로(63)를 거쳐서 처리조(19)의 바닥부(62)와 연통하고 있다. 이와 같이 회로(61, 63)를 거쳐서 세정액 순환 기구(75)와 처리조(19)는 1개의 순환 회로를 형성하고 있다. 또, 세정액 순환 기구(75)에는 3개의 액 공급원(76, 77, 78)이 연통하여 각 공급원에서 액이 세정액 순환 기구(75)로 각각 공급되도록 되어 있다. 공급원(76)에는 묽은 플루오르산수용액(HF)이 수용되고, 공급원(77)에는 실온 정도의 순수한 물(DIW)이 수용되고, 공급원(78)에는 실온 이상이고 80℃ 이하의 범위로 온도 조절된 순수한 온수(HOT DIW)가 수용되어 있다. 또, 세정액 순환 기구(75)는 배출 회로(80)을 거쳐서 드레인부(79)와 연통하고 있다. 또한, 도시는 하지 않지만, 세정액 순환 기구(75)는 펌프, 댐퍼, 필터, 전환 밸브 등을 내장하고 있다.As shown in FIG. 6, the overflow circuit 61 communicates with the cleaning liquid circulation mechanism 75. On the other hand, the cleaning liquid circulation mechanism 75 communicates with the bottom portion 62 of the treatment tank 19 via the circuit 63. Thus, the washing | cleaning liquid circulation mechanism 75 and the processing tank 19 form one circulation circuit via the circuit 61 and 63. As shown in FIG. Moreover, three liquid supply sources 76, 77, and 78 communicate with the cleaning liquid circulation mechanism 75 so that the liquids are supplied to the cleaning liquid circulation mechanism 75 from each supply source, respectively. The source 76 contains dilute aqueous hydrofluoric acid (HF), the source 77 contains room temperature pure water (DIW), and the source 78 contains a room temperature above 80 ° C. and temperature controlled. Pure hot water (HOT DIW) is housed. In addition, the cleaning liquid circulation mechanism 75 communicates with the drain portion 79 via the discharge circuit 80. Although not shown, the cleaning liquid circulation mechanism 75 includes a pump, a damper, a filter, a switching valve, and the like.

세정액 순환 기구(75) 및 액 공급원(76, 77, 78)의 전원 스위치는 컨트롤러(93)의 출력측에 접속되어 있고, 액의 순환과 배출의 전환 동작이나 각 액의 공급 동작이 각각 제어되도록 되어 있다. 컨트롤러(93)는 조작 패널(92)을 구비하고 있다. 처리조(19)의 전체의 처리 공정은 조작 패널(92)에서의 입력에 따라서 컨트롤러(93)에 의해 제어된다.The power supply switch of the cleaning liquid circulation mechanism 75 and the liquid supply sources 76, 77, and 78 is connected to the output side of the controller 93, and the switching operation of the circulation and discharge of the liquid and the supply operation of each liquid are controlled respectively. have. The controller 93 is provided with an operation panel 92. The whole process of the process tank 19 is controlled by the controller 93 according to the input from the operation panel 92.

컨트롤러(93)의 동작 제어 명령에 의해 처리조(19)로부터의 오버플로액은 액 공급원(76)에서 약액을 보충 받아 회로(63)를 거쳐서 처리조(19)로 재차 되돌려지거나 또는 회로(80)를 거쳐서 드레인부(79)로 배출된다. 또, 액 공급원(77)에서는 실온정도의 순수한 물(DIW)이, 액 공급원(77)에서는 온도가 조절된 순수한 온수(HOT DIW)가 각각 세정액 순환 기구(75)를 거쳐서 처리조(19)로 공급되도록 되어 있다.By the operation control command of the controller 93, the overflow liquid from the processing tank 19 is supplemented with the chemical liquid from the liquid supply source 76 and returned back to the processing tank 19 via the circuit 63 or the circuit 80. Is discharged to the drain 79. In the liquid supply source 77, pure water (DIW) at about room temperature, and pure hot water (HOT DIW) whose temperature is controlled in the liquid supply source 77 are respectively passed to the treatment tank 19 through the washing liquid circulation mechanism 75. It is intended to be supplied.

다음에, 웨이퍼(W)를 세정 처리하는 경우에 대해서 설명한다.Next, the case where the wafer W is cleaned is described.

먼저, 공급원(76)에서 세정액 순환 기구(75)로 소정 유량의 묽은 플루오르산수용액을 공급한다. 그리고, 그 액을 세정액 순환 기구(75)에서 회로(63)를 거쳐서 처리조(19)의 바닥부로 연속적으로 공급하고, 묽은 플루오르산 수용액의 상승류를 처리조(19) 내에 형성한다. 처리조(19)에서 오버플로우된 액은 외부조(60)로 흘러 오버플로우 회로(61)를 거쳐서 세정액 순환 기구(75)로 유입한다. 세정액 순환 기구(75)는 오버플로우 액을 여과해서 세정과 동시에 또 액의 온도 조정 및 농도 조정을 한 후에 다시 액을 처리조(19)로 되돌려 보낸다. 이 경우에 순환액의 농도 조정은 처리조(19) 내의 액의 농도 검출값에 따라서 이루어진다. 또한, 처리조(19) 내의 액 농도는 농도 센서(도시하지 않음)에 의해서 검출되도록 되어 있다. 이와 같이 해서 HF 세정이 종료하면 다음에는 순수한 물(DIW)을 사용해서 웨이퍼(W)를 린스한다.First, a dilute hydrofluoric acid aqueous solution of a predetermined flow rate is supplied from the supply source 76 to the washing liquid circulation mechanism 75. Then, the liquid is continuously supplied from the washing liquid circulation mechanism 75 to the bottom portion of the treatment tank 19 via the circuit 63, and an upward flow of the dilute hydrofluoric acid aqueous solution is formed in the treatment tank 19. The liquid overflowed from the processing tank 19 flows to the outer tank 60 and flows into the cleaning liquid circulation mechanism 75 through the overflow circuit 61. The washing liquid circulation mechanism 75 filters the overflow liquid, and at the same time as washing, adjusts the temperature and concentration of the liquid, and then returns the liquid to the treatment tank 19. In this case, the concentration adjustment of the circulating fluid is performed in accordance with the concentration detection value of the liquid in the treatment tank 19. In addition, the liquid concentration in the processing tank 19 is detected by a density sensor (not shown). Thus, when HF cleaning is complete | finished, next, the wafer W is rinsed using pure water (DIW).

린스 세정 공정에서는 처리조(19) 내에 묽은 플루오르산 수용액이 들어 있는 상태로 공급원(77)으로부터 세정액 순환 기구(75)로 실온 정도의 순수한 물(DIW)의 공급을 개시한다. 순수한 물은 세정액 순환 기구(75)에서 처리조(19) 내로 도입되어 처리조(19) 내에서 묽은 플루오르산 수용액을 배출시킨다. 처리조(19)에서 오버플로우된 액은 외부조(60), 회로(61), 세정액 순환 기구(75), 회로(80)를 경유해서 드레인부(79)로 배출된다. 공급원(77)에서 순수한 물을 처리조(19) 내로 공급하는 한편, 오버플로우액을 드레인부(79)로 배출하는 것에 의해 처리조(19) 내를 순수한 물로 치환한다. 또한, 처리조(19) 내가 순수한 물로 치환되었는지의 여부는 비저항계(도시하지 않음)에 의해 처리조(19) 내의 액의 비저항을 계측하고, 그 계측 결과에 따라서 컨트롤러(93)이 판단한다.In the rinse washing step, the supply of pure water (DIW) at room temperature is started from the source 77 to the washing liquid circulating mechanism 75 in a state in which the diluted hydrofluoric acid aqueous solution is contained in the treatment tank 19. Pure water is introduced into the treatment tank 19 in the washing liquid circulation mechanism 75 to discharge the diluted aqueous solution of fluoric acid in the treatment tank 19. The liquid overflowed from the processing tank 19 is discharged to the drain portion 79 via the outer tank 60, the circuit 61, the cleaning liquid circulating mechanism 75, and the circuit 80. Pure water is supplied from the source 77 into the treatment tank 19, while the overflow liquid is discharged into the drain 79 to replace the inside of the treatment tank 19 with pure water. In addition, whether or not the treatment tank 19 is replaced with pure water is measured by a resistivity meter (not shown), and the specific resistance of the liquid in the treatment tank 19 is measured, and the controller 93 determines the result according to the measurement result.

다음에, 세정액 순환 기구(75)로 공급원(78)에서 온도가 조절된 순수한 온수(HOT DIW)의 공급을 개시한다. 순수한 온수에 의해 처리조(19) 내의 순수한 물(DIW)을 배출하고 처리조(19) 내를 순수한 온수로 치환한다. 순수한 온수에 의해 웨이퍼(W)는 온실 이상 80℃이하 정도로 가열된 상태로 된다. 또한, 처리조(19) 내의 액이 순수한 온수로 치환되었는지의 여부는 온도계(도시하지 않음)에 의해 회로(61) 중의 액의 온도를 계측하고, 그 계측 결과에 따라서 컨트롤러(93)가 판단한다. 또, 세정액 순환 기구(75)는 처리조(19) 내의 순수한 온수(HOT DIW)를 드레인부(79)로 배출한다.Next, the supply of pure hot water (HOT DIW) whose temperature is adjusted from the supply source 78 to the cleaning liquid circulation mechanism 75 is started. Pure hot water is discharged from the pure water (DIW) in the treatment tank 19 and the inside of the treatment tank 19 is replaced with pure hot water. The wafer W is heated to a degree of not less than 80 degrees C or more by pure hot water. In addition, whether or not the liquid in the processing tank 19 is replaced with pure hot water measures the temperature of the liquid in the circuit 61 by a thermometer (not shown), and the controller 93 judges the result according to the measurement result. . Moreover, the washing | cleaning liquid circulation mechanism 75 discharges the pure hot water (HOT DIW) in the processing tank 19 to the drain part 79. FIG.

도 6에 도시한 바와 같이 외부조(60)의 측벽을 관통해서 회로(85)가 처리조(19)와 연통하고 있다. 이 회로(85)를 거쳐서 IPA 증기 발생실(86)에서 IPA 증기가 처리조(19) 내로 도입되도록 되어 있다. 이 회로(85)의 주위에는 테이프히터(tape heater)(87)가 장착되어 있다. 테이프 히터(87)에 의해 회로(85)는 약 80℃로 가열되어 회로(85) 내에서의 IPA 증기의 응축이 방지되고 있다. 또한, IPA액 공급원(88)에서 회로(89)를 거쳐서 IPA 증기 발생실(86)로 IPA액이 공급되도록 되어 있다.As shown in FIG. 6, the circuit 85 communicates with the processing tank 19 through the side wall of the outer tank 60. The IPA steam is introduced into the treatment tank 19 in the IPA steam generating chamber 86 via the circuit 85. A tape heater 87 is mounted around the circuit 85. The circuit 85 is heated to about 80 ° C by the tape heater 87 to prevent the condensation of IPA vapor in the circuit 85. In addition, the IPA liquid is supplied from the IPA liquid supply source 88 to the IPA steam generating chamber 86 via the circuit 89.

IPA액 도입용의 회로(90)가 처리조(19)의 상부와 연통해 있다. 이 회로(90)의 한쪽 끝측은 IPA 증기 발생실(86)의 바닥부측이 뚫려 있는 반면, 회로(90)의 다른쪽 끝측은 처리조(19)의 내벽과 접촉한 상태로 뚫려 있다. 회로(90)의 한쪽 끝측 개구를 거쳐서 IPA 증기 발생실(86) 내에서 IPA액을 빼내어 회로(90)의 다른쪽 끝측 기구에서 IPA액을 처리조(19)의 내벽으로 전달하면서 처리조(19) 내로 공급되도록 되어 있다.The circuit 90 for introducing the IPA liquid communicates with the upper portion of the treatment tank 19. One end side of the circuit 90 is bored at the bottom side of the IPA steam generating chamber 86, while the other end side of the circuit 90 is bored in contact with the inner wall of the treatment vessel 19. The treatment tank 19 is drained out of the IPA vapor generating chamber 86 through one end opening of the circuit 90, and the IPA liquid is delivered from the other end mechanism of the circuit 90 to the inner wall of the treatment tank 19. ) Is to be supplied.

처리조(19) 및 IPA 증기 발생실(86) 주위에는 여러 개의 소화 노즐(91a)이 마련되어 있다. 각 노즐(91a)은 CO₂소화기(91)와 연통하여 각각에서 CO₂가스가 분사되도록 되어 있다.Several fire extinguishing nozzles 91a are provided around the treatment tank 19 and the IPA steam generating chamber 86. Each nozzle 91a communicates with the CO ₂ fire extinguisher 91 so that CO ₂ gas may be injected from each nozzle 91a.

다음에, 도 7을 참조하면서 IPA 증기 발생실(86)에 대해서 설명한다.Next, the IPA steam generating chamber 86 will be described with reference to FIG. 7.

IPA 증기 발생실(86)은 기밀한 케이스(airtight casing)(100)에 의해서 둘러싸여 있다. 케이스(100) 내에는 용기(101)가 마련되고 이 용기(101)에 각 회로(85, 89, 90)의 한쪽 끝이 각각 연통하고 있다. 회로(89)의 다른쪽 끝은 밸브(102) 및 필터(103)를 거쳐서 IPA액 공급원(88)과 연통하고 있다. 용기(101)의 바닥부에는 히터(105)가 마련되어 있다. 이 히터(105)의 전원은 컨트롤러(93)에 접속되고, 용기(101) 내의 IPA액(153)은 비등점(약 80℃) 이상의 온도(예를 들면 약 120℃)로 가열이 제어되도록 되어 있다. IPA액(153)을 가열하면 용기(101) 내에는 IPA 증기(154)가 발생하여 용기(101)의 내압은 대기압보다 높아진다.The IPA steam generating chamber 86 is surrounded by an airtight casing 100. In the case 100, a container 101 is provided, and one end of each circuit 85, 89, 90 communicates with the container 101, respectively. The other end of the circuit 89 communicates with the IPA liquid supply source 88 via the valve 102 and the filter 103. A heater 105 is provided at the bottom of the container 101. The power supply of this heater 105 is connected to the controller 93, and heating of the IPA liquid 153 in the container 101 is controlled to a temperature (for example, about 120 degreeC) or more above the boiling point (about 80 degreeC). . When the IPA liquid 153 is heated, IPA vapor 154 is generated in the container 101, and the internal pressure of the container 101 becomes higher than atmospheric pressure.

회로(85)는 용기(101)의 상부에서 외부조(60)의 측부까지 마련되어 있다. 이 회로(85)에는 밸브(107)가 부착되고 용기(101)의 내압이 대기압보다 높아진 상태에서 밸브(107)를 열면, 차압에 의해 IPA 증기(154)가 용기(101)로부터 처리조(19)로 공급되도록 되어 있다.The circuit 85 is provided from the upper part of the container 101 to the side part of the outer tub 60. When the valve 107 is attached to this circuit 85 and the valve 107 is opened in a state where the internal pressure of the container 101 is higher than atmospheric pressure, the IPA steam 154 is discharged from the container 101 by the differential pressure. ) Is supplied.

회로(90)는 용기(101)의 하부에서 처리조(19)의 내벽 상부까지 마련되어 있다. 이 회로(90)의 한쪽 끝은 용기(101) 내의 IPA액 중에 침지되어 있다. 회로(90)에는 개폐 밸브(110)가 부착되어 처리조(19)로의 IPA액의 공급이 조정되도록 되어 있다.The circuit 90 is provided from the lower part of the container 101 to the upper part of the inner wall of the processing tank 19. One end of this circuit 90 is immersed in the IPA liquid in the container 101. The on-off valve 110 is attached to the circuit 90 to adjust the supply of the IPA liquid to the treatment tank 19.

N₂가압 가스 공급원(141)이 회로(112)를 거쳐서 용기(101)와 연통하여 N₂가압 가스가 용기(101) 내로 공급되도록 되어 있다. 회로(112)에는 밸브(111)가 마련되어 있다. 회로(90)의 밸브(110)를 개방한 상태에서 회로(112)의 밸브(111)를 개방하면, N₂가압 가스가 증기 발생실 본체(101) 내로 도입되어 용기 바닥부의 IPA액(153)을 회로(90)로 밀어내고, IPA액(153)을 회로(90)를 거쳐서 처리조(19) 내로 도입할 수 있다. 이 경우에, 회로(90)는 처리조(19)의 내벽 상부와 접촉된 상태로 뚫려 있으므로, IPA액을 처리조(19)의 내벽으로 전달하면서 처리조(19)로 도입할 수 있다. 또한, 처리조(19) 내로의 IPA액의 공급은 IPA 증기 발생실(86)의 내압과 처리조(19)의 내압의 차압을 이용해서 실행하도록 해도 좋다.The N ₂ pressurized gas supply source 141 communicates with the vessel 101 via the circuit 112 so that the N ₂ pressurized gas is supplied into the vessel 101. The circuit 112 is provided with a valve 111. When the valve 111 of the circuit 112 is opened while the valve 110 of the circuit 90 is opened, the N ₂ pressurized gas is introduced into the steam generating chamber main body 101 to provide the IPA liquid 153 at the bottom of the container. Can be pushed out to the circuit 90 and the IPA liquid 153 can be introduced into the processing tank 19 via the circuit 90. In this case, since the circuit 90 is drilled in contact with the upper portion of the inner wall of the treatment tank 19, the IPA liquid can be introduced into the treatment tank 19 while delivering the IPA liquid to the inner wall of the treatment tank 19. In addition, the supply of the IPA liquid into the treatment tank 19 may be performed by using a pressure difference between the internal pressure of the IPA steam generating chamber 86 and the internal pressure of the treatment tank 19.

용기(101)의 상면에는 온도센서(115)가 마련됨과 동시에 회로(116, 117)가 각각 접속되어 있다. 온도센서(115)에는 열전쌍을 사용할 수 있다. 이 온도센서(115)는 용기(101)의 상부에 충만되어 있는 IPA 증기(154)의 온도를 측정하고 온도측정신호를 컨트롤러(93)에 입력한다. 또한, 회로(16)의 한쪽 끝측은 용기(101)의 내부와 연통하고 회로(116)의 다른쪽 끝측은 밸브(118)를 거쳐서 대기중으로 개방되어 있다.The temperature sensor 115 is provided on the upper surface of the container 101, and the circuits 116 and 117 are connected, respectively. A thermocouple may be used for the temperature sensor 115. The temperature sensor 115 measures the temperature of the IPA vapor 154 filled in the upper portion of the vessel 101 and inputs a temperature measurement signal to the controller 93. In addition, one end side of the circuit 16 communicates with the inside of the container 101, and the other end side of the circuit 116 is open to the atmosphere via the valve 118.

회로(117)는 밸브(120)를 거쳐서 트랩 파이프(121)의 상단에 접속되어 있다. 트랩 파이프(121)의 주위에는 냉각용 워터 자켓(water jacket)(122)이 장착되어 있다. 밸브(120)를 개방하면 용기(101) 내의 IPA 증기(154)가 회로(117)에서 트랩 파이프(121) 내로 유입하여 워터 자켓(122)에 의해 냉각되고 응축되도록 되어 있다. 또, 트랩 파이프(121)의 하단은 밸브(123)를 구비하는 회로(124)를 거쳐서 용기(101)의 하부와 연통하고 있다. 이와 같이 용기(101)의 상부의 IPA 증기(154)는 워터 자켓(122)에 의해 액화되어 용기(101) 내로 다시 되돌려 보내진다.The circuit 117 is connected to the upper end of the trap pipe 121 via the valve 120. A cooling water jacket 122 is mounted around the trap pipe 121. Opening the valve 120 allows the IPA vapor 154 in the vessel 101 to enter the trap pipe 121 in the circuit 117 to be cooled and condensed by the water jacket 122. Moreover, the lower end of the trap pipe 121 communicates with the lower part of the container 101 via the circuit 124 provided with the valve 123. As shown in FIG. As such, the IPA vapor 154 at the top of the vessel 101 is liquefied by the water jacket 122 and sent back into the vessel 101.

용기(101)는 실리콘 스폰지와 같은 단열재(125)에 의해서 덮여져 있다. 이것에 의해 용기(101) 내의 IPA 증기(154)가 보온되어 용기(101) 내에서의 IPA 증기(154)의 응축을 방지하고 있다. The container 101 is covered with a heat insulating material 125 such as a silicone sponge. As a result, the IPA vapor 154 in the container 101 is kept warm to prevent condensation of the IPA vapor 154 in the container 101.

레벨 게이지(level gauge)(126)가 용기(101)의 옆쪽에 부착되어 용기(101) 내의 IPA액(153)의 액위가 표시되도록 되어 있다. 이 레벨 게이지(126)에 표시되는 액위를 센서(127)에 의해 측정하여 그 측정 신호를 컨트롤러(93)에 입력하도록 되어 있다. A level gauge 126 is attached to the side of the container 101 so that the liquid level of the IPA liquid 153 in the container 101 is displayed. The liquid level displayed on the level gauge 126 is measured by the sensor 127, and the measurement signal is input to the controller 93.

용기(101)의 하부에는 순환 회로(130)가 형성되고, 이 순환 회로(130)에 의해 IPA액(153)을 용기(101)의 하부에서 순환시키도록 되어 있다. 이 순환 회로(130)에는 펌프(131) 및 필터(132)가 마련되어 있다. 용기(101) 및 트랩 파이프(121)는 케이스(100) 내에 수납되고, 이 케이스(100)에는 회로(135)를 거쳐서 N₂퍼지 가스 공급원(142)이 연통하고 있다. 이 공급원(142)에서 케이스(100) 내로 N₂가스가 퍼지되어 케이스(100) 내는 비산화성 분위기로 유지되도록 되어 있다.The circulation circuit 130 is formed in the lower part of the container 101, and the IPA liquid 153 is circulated in the lower part of the container 101 by this circulation circuit 130. As shown in FIG. The circulation circuit 130 is provided with a pump 131 and a filter 132. The container 101 and the trap pipe 121 are housed in the case 100, and an N ₂ purge gas supply source 142 communicates with the case 100 via a circuit 135. The N ₂ gas is purged from the source 142 into the case 100 so that the inside of the case 100 is maintained in a non-oxidizing atmosphere.

도 8에 도시한 바와 같이, IPA액 공급원(88)은 캐니스터 탱크(canister tank)(140), N₂가압 가스 공급원(143)을 구비하고 있다. 캐니스터 탱크(140)에는 IPA액(153)이 수용되고, 이 캐니스터 탱크(140)의 하부에 회로(89)의 한쪽끝이 뚫려 있다. N₂가압 가스 공급원(143)은 회로(141)를 거쳐서 캐니스터 탱크(140)의 상부와 연통하고 있다. 이 회로(141)에는 개폐 밸브(142)가 마련되어 있다. 공급원(143)에서 N₂가압 가스를 캐니스터 탱크(140)로 도입하면, IPA액(153)이 탱크(140)에서 회로(89)를 통해서 용기(101)로 압송된다.As shown in FIG. 8, the IPA liquid supply source 88 includes a canister tank 140 and an N ₂ pressurized gas supply source 143. The IPA liquid 153 is accommodated in the canister tank 140, and one end of the circuit 89 is drilled in the lower portion of the canister tank 140. The N ₂ pressurized gas supply source 143 communicates with the upper portion of the canister tank 140 via the circuit 141. This circuit 141 is provided with an on-off valve 142. When the N ₂ pressurized gas is introduced into the canister tank 140 from the source 143, the IPA liquid 153 is pumped from the tank 140 to the vessel 101 through the circuit 89.

IPA 증기 발생실(86) 및 IPA액 공급원(88)의 주위에 배치된 밸브(102, 107, 110, 111, 118, 120, 123, 140), 히터(105), 펌프(131)는 컨트롤러(93)에 의해서 다음과 같이 제어된다.The valves 102, 107, 110, 111, 118, 120, 123, 140 disposed around the IPA steam generating chamber 86 and the IPA liquid supply source 88 may include a controller ( 93 is controlled as follows.

먼저, 컨트롤러(93)는 회로(89)의 밸브(102)와 회로(141)의 밸브(142)를 모두 개방해서 캐니스터 탱크(140) 내에 N₂가압 가스를 공급하고, IPA액(153)을 용기(101) 내로 압송한다. IPA액 공급원(88)에서 IPA 증기 발생실(86) 내로 IPA액(153)을 공급하고 있는 동안에는 히터(105)로 통전(通電)시키지 않고 IPA액(153)을 가열하지 않으므로, IPA 증기(154)는 발생하지 않는다. 이 때의 용기(101)의 내압은 대기압과 대략 동일하므로, N₂가압 가스의 캐니스터 탱크(140) 내로의 도입에 의해 IPA액(153)은 용기(101) 내로 원활하게 압송된다.First, the controller 93 opens both the valve 102 of the circuit 89 and the valve 142 of the circuit 141, supplies the N ₂ pressurized gas into the canister tank 140, and supplies the IPA liquid 153. It is pumped into the container 101. Since the IPA liquid 153 is not energized by the heater 105 while the IPA liquid 153 is being supplied from the IPA liquid supply source 88 into the IPA steam generating chamber 86, the IPA vapor 154 ) Does not occur. Since the internal pressure of the container 101 at this time is substantially the same as the atmospheric pressure, the IPA liquid 153 is smoothly conveyed into the container 101 by introduction of the N ₂ pressurized gas into the canister tank 140.

다음에, 회로(90)의 밸브(110)와 회로(112)의 밸브(111)를 모두 개방하고, 용기(101) 내로 N₂가압 가스를 공급해서 IPA액(153)을 용기(101)로부터 처리조(19)로 압송한다. 이 때, 히터(105)에 의해 용기(101) 내의 IPA액(153)을 예를 들어 약 80℃로 가열해도 좋다.Next, both the valve 110 of the circuit 90 and the valve 111 of the circuit 112 are opened, and the N ₂ pressurized gas is supplied into the container 101 to supply the IPA liquid 153 from the container 101. It feeds into the processing tank 19. At this time, the heater 105 may heat the IPA liquid 153 in the container 101 to about 80 ° C, for example.

다음에, 히터(105)에 의한 가열 온도를 80℃보다 높은 온도로 예를 들면 약 120℃로 설정하고, 용기(101) 내에서 IPA액(153)을 비등시켜 다량의 IPA 증기(154)를 생성한다. 이 상태에서 회로(85)의 밸브(107)를 열고 상승한 용기(101)의 내압을 이용해서 IPA 증기(154)를 용기(101)로부터 처리조(19)로 공급한다. 단, IPA 증기(154)를 처리조(19) 내로 공급하고 있을 때에는 회로(89)의 밸브(102)는 닫아두고 용기(101) 내로는 IPA액(153)을 공급하지 않는다. 이것에 의해, 용기(101) 내의 IPA액(153)이 회로(89)를 통해서 캐니스터 탱크(140)쪽으로 역류하는 것이 방지된다.Next, the heating temperature by the heater 105 is set at a temperature higher than 80 ° C., for example, about 120 ° C., and the IPA liquid 153 is boiled in the vessel 101, thereby producing a large amount of IPA vapor 154. Create In this state, the valve 107 of the circuit 85 is opened and the IPA steam 154 is supplied from the vessel 101 to the treatment tank 19 using the internal pressure of the vessel 101 that has risen. However, when the IPA vapor 154 is being supplied into the treatment tank 19, the valve 102 of the circuit 89 is closed and the IPA liquid 153 is not supplied into the container 101. This prevents the IPA liquid 153 in the container 101 from flowing back toward the canister tank 140 through the circuit 89.

또, IPA 증기(154)의 처리조(19)로의 도입을 일시적으로 대기 또는 중단시키는 경우나 처리조(19)로 도입하는 IPA 증기(154)의 유량을 억제하는 경우에는 회로(117)의 밸브(120)를 열고 용기(101) 내의 IPA 증기(154)의 일부 또는 전부를 트랩 파이프(121) 내로 유입시키고, 이것을 냉각 응축시킨다. 액화된 IPA액(153)을 용기(101) 내로 되돌려 보낸다. 이와 같이 용기(101) 내의 IPA 증기(154)를 트랩 파이프(121) 내로 방출시킴으로써, 용기(101)의 내압이 과대하게 되는 것을 방지함과 동시에 IPA 증기(154)의 공급 유량을 조정할 수 있다. In addition, in the case where the introduction of the IPA steam 154 into the treatment tank 19 is temporarily suspended or stopped, or when the flow rate of the IPA steam 154 introduced into the treatment tank 19 is suppressed, the valve of the circuit 117 is provided. Open 120 and introduce some or all of the IPA vapor 154 in vessel 101 into trap pipe 121, which cools and condenses it. The liquefied IPA liquid 153 is returned to the container 101. By discharging the IPA vapor 154 in the container 101 into the trap pipe 121 in this manner, the supply pressure of the IPA vapor 154 can be adjusted while preventing the internal pressure of the container 101 from becoming excessive.

IPA액(153)의 소비에 따라서 용기(101) 내의 IPA액(153)이 부족해지면, 히터(105)의 가열 설정 온도를 80℃보다 낮은 온도로 낮추고, IPA 증기(154)의 생성을 중단한다. 용기(101)의 내압이 대기압과 거의 동일하게 되면, 회로(89)의 밸브(102)와 회로(141)의 밸브(142)를 열고 N₂가압 가스에 의해 캐니스터 탱크(140) 내의 IPA액(153)을 용기(101)로 압송한다. 이것에 의해, IPA액(153)은 용기(101) 내로 보급된다. 또한, 용기(101)의 내압을 신속하게 낮추기 위해서 밸브(120)을 열고 용기(101) 내의 IPA 증기(154)의 일부 또는 전부를 트랩 파이프(121) 내로 유입시키도록 해도 좋다.When the IPA liquid 153 in the container 101 is insufficient in accordance with the consumption of the IPA liquid 153, the heating set temperature of the heater 105 is lowered to a temperature lower than 80 ° C, and the generation of the IPA vapor 154 is stopped. . When the internal pressure of the container 101 becomes approximately equal to atmospheric pressure, the valve 102 of the circuit 89 and the valve 142 of the circuit 141 are opened and the IPA liquid in the canister tank 140 by N ₂ pressurized gas ( 153 is pressed into the container 101. As a result, the IPA liquid 153 is supplied into the container 101. In addition, in order to reduce the internal pressure of the container 101 quickly, the valve 120 may be opened and some or all of the IPA vapor 154 in the container 101 may be introduced into the trap pipe 121.

레벨 게이지(126)에 표시되는 액위를 센서(127)로 검출하고 그 검출 액위를 컨트롤러(93)에 입력하여, 용기(101) 내의 IPA액(153)의 부족을 검지한다. 이 경우에, 컨트롤러(93)에 있어서 미리 임계값을 설정해 두고, 센서(127)에 의해 검출한 액위가 그 임계값 이하로 되었을 때 캐니스터 탱크(140)에서 용기(101) 내로 IPA액(153)을 압송한다. 이와 같이 하면, 용기(101) 내의 IPA액(153)이 없어져 버린다는 사태를 미연에 회피할 수 있게 된다. 또, 용기(101) 내의 IPA액(153)의 부족은 온도센서(115)에 의해서도 검지할 수 있다. 즉, 용기(101) 내의 IPA액(153)이 부족하면 IPA 증기(154)의 온도가 점차 상승해 가므로, IPA 증기(154)의 온도를 센서(115)에 의해서 검출하고, 검출 온도가 소정의 임계값 이상으로 되었을 때 캐니스터 탱크(140) 내에서 IPA액(153)을 용기(101) 내로 압송해도 좋다. The liquid level displayed on the level gauge 126 is detected by the sensor 127, and the detected liquid level is input to the controller 93 to detect the shortage of the IPA liquid 153 in the container 101. In this case, the threshold value is set in advance in the controller 93, and the IPA liquid 153 into the container 101 from the canister tank 140 when the liquid level detected by the sensor 127 is equal to or lower than the threshold value. To be transported. In this way, the situation that the IPA liquid 153 in the container 101 disappears can be avoided beforehand. In addition, the shortage of the IPA liquid 153 in the container 101 can also be detected by the temperature sensor 115. In other words, if the IPA liquid 153 in the container 101 is insufficient, the temperature of the IPA vapor 154 gradually increases, so that the temperature of the IPA vapor 154 is detected by the sensor 115, and the detected temperature is predetermined. The IPA liquid 153 may be pumped into the container 101 in the canister tank 140 when the threshold value is equal to or greater than.

그런데, IPA액(153)을 장기간에 걸쳐 가열 증발시키고 있으면, IPA액 중에 포함되어 있는 불순물이 점차 농축되어 용기(101) 내에 축적된다. 그래서, 컨트롤러(93)는 정기적으로 펌프(131)를 구동시켜 용기(101) 내의 IPA액(153)을 회로(130)로 순화시켜 불순물을 필터(132)에 의해 여과 제거하도록 한다.By the way, when the IPA liquid 153 is evaporated by heating for a long time, the impurities contained in the IPA liquid gradually concentrate and accumulate in the container 101. Thus, the controller 93 periodically drives the pump 131 to purify the IPA liquid 153 in the container 101 to the circuit 130 so that impurities are filtered out by the filter 132.

캐니스터 탱크(140)의 교환이나 보수(maintenance)를 실행하는 경우에는 회로(116)의 밸브(118)를 열어서 용기(101) 내를 대기압으로 한다. 이렇게 해서 용기(101) 내를 대기압으로 한 후에 비로소 회로(89)를 대기로 개방할 수 있다. 이것에 의해 용기(101) 내가 고온고압의 상태로 개방되지 않고 온도의 IPA 증기(154)가 회로(89)를 역류해서 공급원(88) 내로 분출되는 사고를 회피할 수 있다.When the canister tank 140 is replaced or maintained, the valve 118 of the circuit 116 is opened to bring the inside of the container 101 to atmospheric pressure. In this way, after making the inside of the container 101 atmospheric pressure, the circuit 89 can be opened to air | atmosphere. As a result, an accident in which the IPA vapor 154 at the temperature flows back into the circuit 89 and is blown into the supply source 88 without opening the container 101 in a state of high temperature and high pressure can be avoided.

다음에, 웨이퍼(W)의 세정 건조 동작에 대해서 설명한다.Next, the cleaning drying operation of the wafer W will be described.

아직 세정되어 있지 않은 25장의 웨이퍼(W)를 수납한 카세트(C)를 로더부(2)로 반입하여 카세트스테이션(5)상에 탑재한다. 카세트(C)를 이송 장치(7)에 의해서 스테이션(5)에서 스테이지(6) 상으로 이송한다. 스테이지(6) 상에서는 2개의 카세트(C)에서 50장의 웨이퍼(W)를 동시에 꺼내고 또 웨이퍼(W)의 오리엔테이션 플랫(orientation plat)을 동일한 방향으로 정렬한다.The cassette C containing 25 wafers W which have not been cleaned yet is loaded into the loader 2 and mounted on the cassette station 5. The cassette C is transferred from the station 5 onto the stage 6 by the transfer device 7. On the stage 6, 50 wafers W are simultaneously taken out from two cassettes C, and the orientation plats of the wafers W are aligned in the same direction.

반송 장치(30)의 웨이퍼 척(36)에 의해 50장의 웨이퍼(W)를 일괄적으로 잡고 이들 웨이퍼(W)를 처리조(2, 13, 14)로 순차 반송한다. 처리조(12)에서는 암모니아 수용액과 과산화수 용액의 혼합 약액(NH₄OH/H₂O₂/H₂O)을 사용해서 웨이퍼(W)를 소위 SC1 세정한다. 처리조(13, 14)에서는 순수한 물을 사용해서 웨이퍼(W)를 린스한다.50 wafers W are collectively grasped by the wafer chuck 36 of the conveying apparatus 30, and these wafers W are sequentially conveyed to the processing tanks 2, 13, and 14. As shown in FIG. In the treatment tank 12, the so-called SC1 is cleaned of the wafer W using a mixed chemical liquid (NH ₄ OH / H ₂ O ₂ / H ₂ O) of an aqueous ammonia solution and a peroxide solution. In the treatment tanks 13 and 14, the wafer W is rinsed using pure water.

SC1 세정 및 린스 세정이 종료하면, 다음의 반송 장치(31)의 웨이퍼 척(37)에 의해 50장의 웨이퍼(W)를 처리조(14)에서 일괄적으로 꺼낸다. 또, 그들 웨이퍼(W)를 다음의 처리조(15, 16, 17)로 순차 반송한다. 처리조(15)에서는 염산 용액과 과산화수 용액의 혼합 약액(HC1/H₂O₂/H₂O)을 사용해서 웨이퍼(W)를 소위 SC2 세정한다. 이 SC2세정에 있어서는 웨이퍼 표면에서 금속 이온이 제거되고, 이것에 의해 웨이퍼 표면이 안정화된다. 또, 처리조(16, 17)에서는 순수한 물을 사용해서 웨이퍼(W)를 린스한다.When SC1 washing | cleaning and rinse washing | cleaning are complete | finished, 50 wafers W are collectively taken out from the processing tank 14 by the wafer chuck 37 of the following conveying apparatus 31. As shown in FIG. Moreover, these wafers W are sequentially conveyed to the following process tanks 15, 16, and 17. FIG. In the treatment tank 15, the so-called SC2 is cleaned of the wafer W using a mixed chemical solution (HC1 / H ₂ O ₂ / H ₂ O) of a hydrochloric acid solution and a peroxide solution. In this SC2 cleaning, metal ions are removed from the wafer surface, whereby the wafer surface is stabilized. In addition, in the treatment tanks 16 and 17, pure water is used to rinse the wafer (W).

SC2 세정과 린스 세정이 종료하면, 다음의 반송 장치(32)의 웨이퍼 척(38)에 의해 50장의 웨이퍼(W)를 처리조(17)에서 일괄적으로 꺼낸다. 또, 50장의 웨이퍼(W)를 일괄적으로 다음의 처리조(19)로 반송한다.When SC2 washing | cleaning and rinse washing | cleaning are complete | finished, 50 wafers W are collectively taken out from the processing tank 17 by the wafer chuck 38 of the following conveying apparatus 32. As shown in FIG. In addition, 50 wafers W are collectively conveyed to the next processing tank 19.

다음에, 도 9의 흐름도를 참조하면서 웨이퍼(W)를 처리조(19)에서 세정하고 건조하는 경우에 대해서 설명한다.Next, the case where the wafer W is cleaned and dried in the processing tank 19 will be described with reference to the flowchart of FIG. 9.

처리조(19) 내에는 소정농도의 묽은 플루오르산 용액(HF)(150)이 수용되어 있다. 이 HF용액(150)은 회로(61, 63)를 거쳐서 처리조(19)와 세정액 순환 기구(75) 사이를 순환된다. 처리조(19) 내에서는 HF용액(150)의 상승류가 형성되어 있다. 이 처리조(19)의 위쪽에는 웨이퍼(W)를 잡은 웨이퍼 척(38)이 대기하고 있다.In the treatment tank 19, a dilute fluoric acid solution (HF) 150 of a predetermined concentration is accommodated. The HF solution 150 is circulated between the treatment tank 19 and the cleaning liquid circulation mechanism 75 via the circuits 61 and 63. In the processing tank 19, the upward flow of the HF solution 150 is formed. Above the processing tank 19, the wafer chuck 38 holding the wafer W stands by.

뚜껑(71)을 열고 웨이퍼 척(38)을 하강시키고 50장의 웨이퍼(W)를 처리조(19) 내의 보트(50) 상으로 일괄적으로 이송한다. 웨이퍼 척(38)을 위쪽으로 퇴피시키고 뚜껑(71)을 닫는다. 그리고, 도 9의 공정 S1에 도시한 바와 같이 웨이퍼(W)를 HF용액(150) 내에 모두 담그고, HF 용액의 순환 상승류에 의해서 웨이퍼(W)를 세정한다. 이 HF 세정 처리 동작은 소정의 레시피(recipe)(설정 농도/설정 시간)에 따라서 컨트롤러(93)에 의해서 제어된다.The lid 71 is opened, the wafer chuck 38 is lowered, and 50 wafers W are collectively transferred onto the boat 50 in the processing tank 19. The wafer chuck 38 is retracted upwards and the lid 71 is closed. Then, as shown in step S1 of FIG. 9, the wafers W are all immersed in the HF solution 150, and the wafers W are cleaned by circulating upward flow of the HF solution. This HF cleaning processing operation is controlled by the controller 93 in accordance with a predetermined recipe (set concentration / set time).

HF 세정 처리가 종료하면 HF 용액(150)의 순환 및 공급을 정지하고, 공급원(77)에서 실온 정도의 순수한 물(냉수)(151)을 처리조(19) 내로 공급한다. 이 공급냉수(151)에 의해 HF용액(150)을 처리조(19)에서 오버플로우하게 하고, 오버플로우액은 회로(80)를 거쳐서 드레인부(79)로 배출한다.When the HF washing process is completed, circulation and supply of the HF solution 150 are stopped, and pure water (cold water) 151 at room temperature is supplied into the treatment tank 19 from the supply source 77. The supply cold water 151 causes the HF solution 150 to overflow in the treatment tank 19, and the overflow liquid is discharged to the drain portion 79 via the circuit 80.

이렇게 해서 도 9의 공정 S2에 도시한 바와 같이, 잠시 동안은 공급원(77)에서 냉수(151)를 계속 공급하고, 처리조(19) 내의 HF용액(150)을 냉수(151)로 치환하면서 웨이퍼(W)를 냉수(151)로 린스한다. 처리조(19) 내의 액의 비저항값을 검출하고 검출값이 규정값을 하회하게 된 지점에서 냉수의 공급을 정지한다.In this manner, as shown in step S2 of FIG. 9, the wafer is continuously supplied with cold water 151 from the supply source 77 for a while, and the HF solution 150 in the treatment tank 19 is replaced with cold water 151. Rinse (W) with cold water 151. The specific resistance value of the liquid in the processing tank 19 is detected, and the supply of cold water is stopped at the point where the detected value falls below the prescribed value.

다음에 실온 이상이고 80℃이하로 온도가 조정된 순수한 물(온수)(152)을 공급원(78)에서 처리조(19) 내로 공급한다. 이 공급 온수(152)에 의해 냉수(151)를 처리조(19)에서 오버플로우하게 하고, 오버플로우액은 회로(80)를 거쳐서 드레인부(79)로 배출한다.Next, pure water (hot water) 152, which is at least room temperature and whose temperature is adjusted below 80 ° C., is supplied from the source 78 into the treatment tank 19. The supplied hot water 152 causes the cold water 151 to overflow in the treatment tank 19, and the overflow liquid is discharged to the drain portion 79 via the circuit 80.

이렇게 해서 도 9의 공정 S3에 도시한 바와 같이, 잠시 동안은 공급원(78)에서 온수(152)를 계속 공급하고, 처리조(19) 내의 냉수(151)를 온수(152)로 치환하면서 웨이퍼(W)를 온수(152)로 린스한다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)는 실온 이상이고 80℃이하의 온도로 조정된다. 이 온수 린스 공정 S3은 컨트롤러(93)에 의해서 시간 제어되고 있으므로, 온수의 공급 개시부터 소정 시간이 경과하면 온수(152)의 공급이 정지된다. 또한, 세정액 순환 기구(75)는 도시하지 않은 펌프, 댐퍼, 필터, 여러 개의 액 공급용 통로, 액 배출용 통로를 내장하고 있다.In this way, as shown in process S3 of FIG. 9, for a while, the hot water 152 is continuously supplied from the supply source 78, and the cold water 151 in the treatment tank 19 is replaced with the hot water 152. W) is rinsed with hot water 152. Thereby, the wafer W is adjusted to the temperature of room temperature or more and 80 degrees C or less. Since the hot water rinse step S3 is controlled by the controller 93, the supply of the hot water 152 is stopped when a predetermined time elapses from the start of the hot water supply. Moreover, the washing | cleaning liquid circulation mechanism 75 has the pump, damper, filter which are not shown in figure, several liquid supply passages, and the liquid discharge passage.

다음에, IPA 증기 발생실(86) 내에서 약 80℃로 가열한 IPA액(153)을 회로(90)를 거쳐서 용기(101)에서 빼내어 처리조(19) 내로 도입한다. 이 IPA액(153)의 처리조(19)로의 도입 동작은 컨트롤러(93)에 의해서 제어된다. 즉, 2개의 밸브(110, 111)를 열고 용기(101) 내로 N₂가압 가스를 공급하고, IPA액(153)을 용기(101)에서 회로(90)를 거쳐서 처리조(19)로 압송한다. 이렇게 해서 도 9의 공정 S4에 도시한 바와 같이, IPA액(153)의 층에 의해 온수(152)의 액면은 모두 덮여져 버린다. 이 표면층을 형성하는 IPA액(153)은 온수(152)와 거의 동일한 온도이다.Next, the IPA liquid 153 heated to about 80 ° C. in the IPA steam generating chamber 86 is removed from the container 101 via the circuit 90 and introduced into the treatment tank 19. The introduction operation of the IPA liquid 153 into the treatment tank 19 is controlled by the controller 93. That is, the two valves 110 and 111 are opened, the N ₂ pressurized gas is supplied into the container 101, and the IPA liquid 153 is pumped from the container 101 to the processing tank 19 via the circuit 90. . In this way, as shown in process S4 of FIG. 9, the liquid level of the hot water 152 is covered by the layer of the IPA liquid 153. The IPA liquid 153 which forms this surface layer is almost the same temperature as the hot water 152.

또한, IPA 증기(154)를 IPA 증기 발생실(86)에서 회로(85)를 거쳐서 처리조(19) 내로 도입하여, IPA액(153)의 층을 형성해도 좋다. 이와 같은 IPA액(153)의 층은 온수(152)의 온도가 IPA 증기(154)의 온도보다 낮은 경우에 용이하게 형성할 수 있다. 또, IPA 증기(154)를 발생시키면 용기(101)의 내압이 처리조(19)의 내압(대기압)보다 높아지므로, 양자의 차압을 이용해서 IPA 증기(154)를 처리조(19) 내로 도입할 수 있다.In addition, the IPA steam 154 may be introduced into the processing tank 19 from the IPA steam generating chamber 86 via the circuit 85 to form a layer of the IPA liquid 153. The layer of the IPA liquid 153 can be easily formed when the temperature of the hot water 152 is lower than the temperature of the IPA steam 154. In addition, when the IPA steam 154 is generated, the internal pressure of the container 101 becomes higher than the internal pressure (atmospheric pressure) of the processing tank 19. Therefore, the IPA steam 154 is introduced into the processing tank 19 by using the differential pressure of both. can do.

이렇게 해서 IPA액(153)의 층을 형성한 후에 IPA 증기 발생실(86)에서 IPA 증기(154)를 처리조(19) 내로 도입하기 시작한다. 또는, IPA 증기(154)를 처리조(19) 내로 도입하는 것에 의해 IPA액(153)의 층을 형성하는 경우에는 또 IPA 증기(154)를 처리조(19) 내로 계속 도입한다. 또한, 이와 같이 처리조(19) 내로 IPA 증기(154)를 도입하는 경우에는 히터(105)에서 IPA액(153)을 약 120℃(IPA의 비등점 이상의 온도)로 가열하고, 용기(101) 내에서 IPA액(153)을 비등시킨다. 또, 테이프 히터(87)의 가열에 의해 회로(85)는 약 80℃의 온도로 유지되고 있으므로, IPA 증기(154)는 회로(85) 내에서 응축되지 않고 처리조(19)로 도입된다.After forming the layer of the IPA liquid 153 in this manner, the IPA steam 154 is introduced into the treatment tank 19 in the IPA steam generating chamber 86. Alternatively, when a layer of the IPA liquid 153 is formed by introducing the IPA steam 154 into the treatment tank 19, the IPA steam 154 is continuously introduced into the treatment tank 19. In addition, in the case of introducing the IPA vapor 154 into the treatment tank 19 in this manner, the heater 105 heats the IPA liquid 153 to about 120 ° C. (temperature above the boiling point of the IPA), and thus, the container 101. In the IPA solution 153 is boiled. In addition, since the circuit 85 is maintained at a temperature of about 80 ° C. by the heating of the tape heater 87, the IPA vapor 154 is introduced into the processing tank 19 without condensing in the circuit 85.

도 9의 공정 S5에 도시한 바와 같이 IPA 증기(154)를 처리조(19) 내로 도입하고 있는 상태를 유지하면서 처리조(19) 내의 온수(152)를 회로(63, 80)를 거쳐서 드레인부(79)로 서서히 배수한다. 이 배수 공정 S5가 종료할 때까지 온수(152)는 IPA액(153)의 층에 의해서 항상 덮여져 있으므로, 수증기가 IPA 증기(154)에 혼입되지 않아, 처리조(19) 내의 IPA 증기(154)는 고순도로 유지된다. 처리조(19) 내에서 온수(152)를 배수하고 또 IPA액(153)도 배출한다.As shown in step S5 of FIG. 9, the hot water 152 in the treatment tank 19 is drained through the circuits 63 and 80 while maintaining the state in which the IPA steam 154 is introduced into the treatment tank 19. Slowly drain to 79. Since the hot water 152 is always covered by the layer of the IPA liquid 153 until this drainage step S5 ends, water vapor is not mixed in the IPA steam 154, so that the IPA steam 154 in the treatment tank 19 is maintained. ) Is maintained at high purity. The hot water 152 is drained in the treatment tank 19 and the IPA liquid 153 is also discharged.

도 9의 공정 S6에 도시한 바와 같이, 처리조(19) 내의 액을 완전히 배출한 후에 있어서도 계속해서 IPA 증기(154)를 처리조(19) 내로 계속 도입함으로써, 처리조(19) 내를 또 건조한 상태로 한다. 액의 배출 개시부터 소정 기간이 경과하면 컨트롤러(93)는 처리조(19) 내로의 IPA 증기(154)의 도입을 정지시킨다. 처리조(19) 내의 IPA 증기(154)에 의해 웨이퍼(W)는 1차 건조된다.As shown in step S6 of FIG. 9, even after the liquid in the treatment tank 19 is completely discharged, the IPA vapor 154 is continuously introduced into the treatment tank 19, thereby further removing the inside of the treatment tank 19. Let dry. When a predetermined period has elapsed since the discharge of the liquid, the controller 93 stops the introduction of the IPA steam 154 into the treatment tank 19. The wafer W is first dried by the IPA vapor 154 in the processing tank 19.

제 1 건조공정 S6이 종료하면 IPA 증기 발생실(86) 내에서의 히터(105)에 의한 IPA액(153)의 가열을 정지한다. 계속해서, 회로(112)의 밸브(111)를 열고 용기(101) 내로 N₂가압 가스를 공급한다. 이 N₂가압 가스는 용기(101)에서 회로(85)를 거쳐서 처리조(19) 내로 도입되어 IPA 증기(154)를 처리조(19) 내에서 배출한다. 도 9의 공정 S7에 도시한 바와 같이 치환 N₂가스(155)에 의해 처리조(19) 내는 비산화성의 건조 분위기로 되고, 이것에 의해 웨이퍼(W)는 2차 건조된다. 이 2차 건조 공정 S7의 목적은 웨이퍼 표면으로부터 부착 IPA를 완전히 제거하여 웨이퍼 표면에 물자국이 생기지 않게 웨이퍼(W)를 완전 건조하는 것에 있다. 또한, 치환 N₂가스(155)는 약 80℃의 온도로 가열되어 있는 것이 바람직하다. 또, 도 6에 도시한 바와 같이, 회로(81)를 거쳐서 가스 공급원(82)에서 N₂가스를 처리조(19) 내로 도입하도록 해도 좋다.When the first drying step S6 ends, the heating of the IPA liquid 153 by the heater 105 in the IPA steam generating chamber 86 is stopped. Subsequently, the valve 111 of the circuit 112 is opened and the N ₂ pressurized gas is supplied into the container 101. This N ₂ pressurized gas is introduced into the processing tank 19 from the vessel 101 via the circuit 85 to discharge the IPA vapor 154 in the processing tank 19. As shown in process S7 of FIG. 9, the substitution N ₂ gas 155 forms a non-oxidizing dry atmosphere in the processing tank 19, whereby the wafer W is secondarily dried. The purpose of this secondary drying step S7 is to completely dry the wafer W so that the adhered IPA is completely removed from the wafer surface and no material marks are formed on the wafer surface. Further, it is preferred that substituted N ₂ gas 155 is heated to a temperature of about 80 ℃. As shown in FIG. 6, the N ₂ gas may be introduced into the processing tank 19 from the gas supply source 82 via the circuit 81.

2차 건조 공정 S7이 종료하면 뚜껑(71)을 열고 반송 장치(32)의 웨이퍼 척(38)에 의해 웨이퍼(W)를 처리조(19)에서 일괄적으로 꺼낸다. 이 경우, 처리조(19)에서 웨이퍼(W)를 반출하기 위한 웨이퍼 반출용 반송 장치를 처리조(19)로 웨이퍼(W)를 반입하기 위한 웨이퍼 반입용 반송 장치와는 별개의 것으로 해도 좋다. 처리가 완료된 웨이퍼(W)는 언로더부(4)로 반송되어 카세트(C)에 수납되고, 또 도시하지 않은 로보트에 의해서 카세트(C)와 함께 반출된다.When secondary drying process S7 is complete | finished, the lid 71 is opened and the wafer W is collectively taken out from the processing tank 19 by the wafer chuck 38 of the conveying apparatus 32. In this case, the conveyance apparatus for carrying out the wafer for carrying out the wafer W from the process tank 19 may be separate from the conveyance apparatus for carrying in the wafer for carrying in the wafer W to the process vessel 19. The processed wafer W is conveyed to the unloader section 4, stored in the cassette C, and carried out together with the cassette C by a robot (not shown).

본 발명에 의하면, 증기 발생실 내의 압력이 낮은 상태에서만 유기 용제를 공급하므로, 유기 용제 공급원에서 유기 용제를 원활하게 공급할 수 있게된다. 또, 증기 발생실 내의 유기 용제 증기가 용제 공급원측으로 역류하는 것도 방지할 수 있으므로, 화재 사고를 일으킬 염려가 없어 안전하다.According to the present invention, since the organic solvent is supplied only in a state where the pressure in the steam generating chamber is low, the organic solvent can be smoothly supplied from the organic solvent supply source. In addition, since the organic solvent vapor in the steam generating chamber can be prevented from flowing back to the solvent supply source side, it is safe without causing a fire accident.

또, 본 발명에 의하면 가압 가스에 의해 유기 용제를 용제 공급원에서 증기 발생실 내로 압송할 수 있다. 또, 증기 발생실의 내압과 처리조의 내압의 차압을 이용해서 용제 증기를 증기 발생실로부터 처리조로 공급할 수 있다. 또, 유기 용제 중에 포함되어 있는 불순물이 증기 발생실 내에서 농축되어 체류하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 또, 증기 발생실 내에서 생성한 용제 증기를 응축시키지 않고 효율적으로 처리조로 공급할 수 있다. 또, 용제 증기를 처리조로 도입하는데 있어서 용제 증기를 기판의 표면 전체로 군일하게 공급할 수 있다.In addition, according to the present invention, the pressurized gas can pressurize the organic solvent into the steam generating chamber from the solvent supply source. Moreover, solvent vapor can be supplied from a steam generating chamber to a processing tank using the differential pressure of the internal pressure of a steam generating chamber and the internal pressure of a processing tank. In addition, impurities contained in the organic solvent can be effectively prevented from being concentrated and retained in the steam generating chamber. Moreover, the solvent vapor produced | generated in the steam generation chamber can be supplied to a processing tank efficiently, without condensing. In addition, in introducing the solvent vapor into the treatment tank, the solvent vapor can be collectively supplied to the entire surface of the substrate.

또, 증기 발생실 내의 유기 용제의 액위를 검출하거나 또는 증기 발생실 내의 용제 증기의 온도를 검출하여, 증기 발생실 내의 유기 용제의 부족을 검지할 수 있으므로, 증기 발생실 내에 항상 충분한 량의 유기 용제가 존재하도록 할 수 있다. 또, 증기 발생실의 주위의 분위기나 처리조 주변을 비산화성 가스의 분위기로 함으로써 화재 사고를 방지할 수 있다.In addition, since the liquid level of the organic solvent in the steam generating chamber can be detected or the temperature of the solvent vapor in the steam generating chamber can be detected, the shortage of the organic solvent in the steam generating chamber can be detected. Can be present. In addition, a fire accident can be prevented by setting the atmosphere around the steam generating chamber and the treatment tank around to an atmosphere of non-oxidizing gas.

다음에, 도 10∼도 16을 참조하면서 제 2 실시예에 대해서 설명한다.Next, a second embodiment will be described with reference to FIGS. 10 to 16.

본 발명의 장치는 단독으로 사용할 수 있을 뿐만 아니라 도 10에 도시한 기판 세정 건조 처리 시스템에 조립해서 사용할 수도 있다. 이와 같은 기판 세정 건조 처리 시스템은 반입부(270a), 프로세스부(271), 반출부(270b), 3대의 웨이퍼 척(240)을 구비하고 있다. 반입부(270a)는 미처리의 기판을 받아들이도록 되어 있다. 프로세스부(271)는 기판을 세정하고 건조하기 위한 여러 개의 처리 유닛을 구비하고 있다. 반출부(270b)는 처리후의 기판을 반출하도록 되어 있다.Not only can the apparatus of the present invention be used alone, but also the assembly of the substrate cleaning drying processing system shown in Fig. 10 can be used. Such a substrate cleaning drying processing system includes a carry-in portion 270a, a process portion 271, a carry-out portion 270b, and three wafer chucks 240. The carrying-in part 270a is to receive an unprocessed board | substrate. The process unit 271 is equipped with several processing units for cleaning and drying a substrate. The carrying out portion 270b is configured to carry out the substrate after the treatment.

프로세스부(271)는 제 1 척 세정 건조유닛(272), 제 1 약액 세정 유닛(273), 제 1 수세 유닛(274), 제 2 약액 세정 유닛(275), 제 2 수세 유닛(water washing unit)(276), 제 3 약액 세정 유닛(277), 제 2 척 세정 건조유닛(278) 및 최종 수세건조 유닛(279)을 구비하고 있다. 제 2 약액 세정 유닛(275)에서는 암모니아 수용액과 과산화수소 용액의 혼합 약액을 사용해서 기판을 세정 처리한다. 제 3 약액 세정 유닛(277)에서는 플루오르화수소산 수용액(HF 수용액)을 사용해서 기판을 세정 처리한다. 또, 순환 공급중에 제 2 약액에 함유된 암모니아 성분이 소비되므로, 공급부(98)에서 유닛(275)의 순환 회로에 암모니아액을 보급하도록 되어 있다. 또, 순환 공급 중에 제 3 약액에 함유된 플루오르화수소산 성분이 소비되므로, 공급부(99)에서 유닛(277)의 순환 회로에 플루오르화수소산액을 보급하도록 되어 있다.The process unit 271 may include a first chuck cleaning drying unit 272, a first chemical cleaning unit 273, a first washing unit 274, a second chemical washing unit 275, and a second washing unit. ) 276, a third chemical liquid cleaning unit 277, a second chuck cleaning drying unit 278, and a final flush drying unit 279. In the second chemical liquid cleaning unit 275, the substrate is cleaned by using a mixed chemical liquid of an aqueous ammonia solution and a hydrogen peroxide solution. In the third chemical liquid cleaning unit 277, the substrate is cleaned by using an aqueous hydrofluoric acid solution (HF aqueous solution). In addition, since the ammonia component contained in the second chemical liquid is consumed during the circulation supply, the supply unit 98 supplies the ammonia liquid to the circulation circuit of the unit 275. In addition, since the hydrofluoric acid component contained in the third chemical liquid is consumed during circulation supply, the hydrofluoric acid solution is supplied from the supply unit 99 to the circulation circuit of the unit 277.

기판 세정 건조 장치(200)는 세정 건조 처리부(210), 용제 증기 생성기(220), 용제 탱크(226) 및 N₂가스 공급원(227)을 구비하고 있다. 처리부(210)는 웨이퍼(W)를 세정하기 위한 세정조(211)와 웨이퍼(W)를 건조하기 위한 건조 처리실(212)을 갖는다. 이 건조 처리실(212)은 세정조(211)의 바로 위에 위치하고 있다. 용제 증기 생성기(220)는 IPA 증기 공급용 관(215)을 거쳐서 처리실(212)과 연통하고 있다. 용제 탱크(226)는 IPA액 공급용 관(225)을 거쳐서 용제 증기 생성기(220)와 연통하고 있다. 관(225)에는 IPA액(153)의 유량을 조정하기 위한 유량 조정기(228)가 마련되어 있다. N₂가스 공급원(227)은 N₂가스 공급용 관(227a)을 거쳐서 용제 증기 생성기(220)와 연통하고 있다. 관(227a)에는 N₂가스의 유량을 조정하기 위한 유량 조정기(227b)가 마련되어 있다.The substrate cleaning drying apparatus 200 includes a cleaning drying processing unit 210, a solvent vapor generator 220, a solvent tank 226, and an N ₂ gas supply source 227. The processing unit 210 has a cleaning tank 211 for cleaning the wafer W and a drying processing chamber 212 for drying the wafer W. As shown in FIG. This drying process chamber 212 is located directly above the washing tank 211. The solvent vapor generator 220 communicates with the processing chamber 212 via the IPA vapor supply pipe 215. The solvent tank 226 communicates with the solvent vapor generator 220 via the IPA liquid supply pipe 225. The pipe 225 is provided with a flow regulator 228 for adjusting the flow rate of the IPA liquid 153. The N ₂ gas supply source 227 communicates with the solvent vapor generator 220 via the N ₂ gas supply pipe 227a. The pipe 227a is provided with a flow regulator 227b for adjusting the flow rate of the N ₂ gas.

하부 오버플로우 조(212a)는 세정조(211)의 상부 개구를 둘러싸도록 형성되고, 세정조(211)에서 오버플로우된 세정액이 하부 오버플로우 조(212a)로 흘러들어가도록 되어 있다.The lower overflow tank 212a is formed to surround the upper opening of the cleaning tank 211, and the cleaning liquid overflowed from the cleaning tank 211 flows into the lower overflow tank 212a.

상부 오버플로우 조(213)는 건조 처리실(212)의 상부 개구를 둘러싸도록 형성되고, 처리실(212)에서 오버플로우된 세정액이 상부 오버플로우 조(213)로 흘러들어가도록 되어 있다. 오버플로우 조(213)를 포함하는 건조 처리실(212)의 상부 개구에는 개폐할 수 있는 뚜껑(214)이 덮여져 있다.The upper overflow tank 213 is formed so as to surround the upper opening of the drying processing chamber 212, and the cleaning liquid overflowed from the processing chamber 212 flows into the upper overflow tank 213. The upper opening of the drying process chamber 212 including the overflow bath 213 is covered with a lid 214 that can be opened and closed.

하부 오버플로우 조(212a)의 바닥부에는 액체 배출구(212b)가 형성되고, 액체 배출구(212b)에는 드레인관(212d)가 접속되어 있다. 이 드레인관(212d)은 개폐밸브(212c)를 거쳐서 드레인 용기(도시하지 않음)와 연통하고 있다. 마찬가지로, 상부 오버플로우 조(213)의 바닥부에도 액체 배출구(213a)가 형성되고, 이 액체 배출구(213a)에는 드레인관(213c)이 접속되어 있다. 이 드레인관(212d)은 개폐 밸브(213b)를 거쳐서 드레인 용기(도시하지 않음)와 연통하고 있다.The liquid discharge port 212b is formed in the bottom part of the lower overflow tank 212a, and the drain pipe 212d is connected to the liquid discharge port 212b. This drain pipe 212d communicates with a drain container (not shown) via the on / off valve 212c. Similarly, the liquid discharge port 213a is formed also in the bottom part of the upper overflow tank 213, and the drain pipe 213c is connected to this liquid discharge port 213a. This drain pipe 212d communicates with a drain container (not shown) via the on / off valve 213b.

또, 세정조(211)의 내부 바닥부에는 여러 개의 노즐(211a)이 마련되어 있다. 각 노즐(211a)은 관(216)을 거쳐서 순수한 물 공급원(217)과 연통하고 있다. 또한, 순수한 물 공급용 관(216)에는 펌프(218) 및 개폐 밸브(219)가 부착되어 있다. 또, 세정조(211)의 바닥부 중앙에는 액체 배출구(211b)가 형성되고, 이 액체 배출구(211b)에 개폐 밸브(211c)를 거쳐서 액체 배출관(211d)이 접속되어 있다.Moreover, several nozzle 211a is provided in the inner bottom part of the washing tank 211. As shown in FIG. Each nozzle 211a is in communication with a pure water supply source 217 via a pipe 216. In addition, a pump 218 and an on / off valve 219 are attached to the pure water supply pipe 216. Moreover, the liquid discharge port 211b is formed in the center of the bottom part of the washing tank 211, and the liquid discharge pipe 211d is connected to this liquid discharge port 211b via the opening-closing valve 211c.

도 12에 도시한 바와 같이, 세정조(211)의 개구단부 및 건조 처리실(212)의 상단의 개구단부에는 소정 피치 간격으로 노치(notch)(211e, 212e)가 각각 형성되어 있다. 이들 노치(211e, 212e)를 통해서 세정액은 각 오버플로우 조(212a, 213)로 흘러들어가도록 되어 있다.As shown in FIG. 12, notches 211e and 212e are formed in the opening end of the washing tank 211 and the opening end of the upper end of the drying process chamber 212 at predetermined pitch intervals, respectively. The cleaning liquid flows into the respective overflow tanks 212a and 213 through these notches 211e and 212e.

건조 처리실(212) 내에는 웨이퍼 보트(230)가 마련되어 있다. 이 웨이퍼 보트(230)는 1쌍의 지지 부재(233), 중앙 유지봉(234) 및 2개의 측부 유지봉(235)을 구비하고 있다. 지지 부재(233)의 형상은 역 T자형을 이루고, 그의 하단부에 3개의 유지봉(234, 235)이 수평으로 지지되어 있다. 지지 부재(233)의 상단부는 부재(232)에 볼트(232a)에 의해 체결되고, 또 부재(232)는 승강 기구(231)의 가동부에 연결되어 있다.The wafer boat 230 is provided in the drying process chamber 212. The wafer boat 230 is provided with a pair of support members 233, a center holding rod 234, and two side holding rods 235. The shape of the support member 233 forms an inverted T-shape, and the three holding rods 234 and 235 are horizontally supported by the lower end part. The upper end of the supporting member 233 is fastened to the member 232 by a bolt 232a, and the member 232 is connected to the movable portion of the lifting mechanism 231.

3개의 유지봉(234, 235)은 한쪽의 지지부재(233)에서 다른쪽의 지지부재(233)(도시하지 않음)까지 부착되어 있다. 유지봉(234)은 2개의 유지봉(235)의 대략 중앙에 위치하고 있다. 각 유지봉(234, 235)에는 50개의 홈(234a, 235a)이 각각 소정 피치 간격으로 형성되어 있다. 이들 유지봉(234, 235)은 내식성, 내열성 및 내강도성이 우수한 폴리에테르에테르케톤(PEEK)과 같은 엔지니어링 플라스틱이나 또는 석영으로 만들어져 있다. The three holding rods 234 and 235 are attached from one support member 233 to the other support member 233 (not shown). The retaining rods 234 are located approximately in the center of the two retaining rods 235. Fifty grooves 234a and 235a are formed in the holding rods 234 and 235 at predetermined pitch intervals, respectively. These retaining rods 234 and 235 are made of engineering plastics such as polyetheretherketone (PEEK) or quartz which are excellent in corrosion resistance, heat resistance and strength.

위뚜껑(214)에는 용제 증기 공급구(214a)가 형성되고, 이 용제 증기 공급구(214a)에 관(215)을 거쳐서 용제 증기 생성기(220)가 연통하고 있다. 도 13에 도시한 바와 같이 용제 증기 생성기(220)는 석영제의 밀폐 용기(221)를 구비하고, 이 밀폐 용기(221) 내에는 IPA용 증발 접시(222) 및 히터(223)가 수용되어 있다. IPA용 증발 접시(222)는 전부 5개이고, 이들 5개의 증발 접시(222)로 IPA 탱크(226)에서 IPA액(153)이 공급되도록 되어 있다. 증발 접시(222)는 열전도율이 좋고 내식성이 풍부한 스테인레스강이나 석영으로 만들어져 있다. 히터(223)는 증발 접시(222) 근방에 마련되어 증발 접시(222)에 받은 IPA액(153)을 히터(223)에 의해 가열하도록 되어 있다.A solvent vapor supply port 214a is formed in the upper lid 214, and the solvent vapor generator 220 communicates with the solvent vapor supply port 214a via a pipe 215. As illustrated in FIG. 13, the solvent vapor generator 220 includes a sealed container 221 made of quartz, in which the evaporating dish 222 for the IPA and the heater 223 are housed. . There are five evaporating dishes 222 for IPA, and the IPA liquid 153 is supplied from the IPA tank 226 to these five evaporating dishes 222. The evaporating dish 222 is made of stainless steel or quartz having good thermal conductivity and rich in corrosion resistance. The heater 223 is provided near the evaporating dish 222 to heat the IPA liquid 153 received by the evaporating dish 222 by the heater 223.

도 13에 도시한 바와 같이, 5개의 증발 접시(222)는 원통 지주(221a)에 의해서 소정 피치 간격으로 다단으로 지지되어 있다. 원통 지주(221a)는 석영으로 만들어져 있다. 상단의 증발 접시(222)에는 하류구(downstream port)(222a)가 형성되고, 이 하류구(222a)를 거쳐서 IPA액(153)은 하단의 증발 접시(222)로 흐르도록 되어 있다. 또한, 하단측의 하류구(222a)는 상단측의 하류구(222a)에서 분리되도록 위치를 어긋나게 해서 형성되고, IPA액(153)의 흐름은 상단 증발 접시(222)쪽에서 하단의 증발 접시(222)를 향해서 지그재그로 이동하도록 되어 있다. 또, 히터(223)는 밀폐 용기(221)의 바닥부, 측벽부 및 지주(221a)의 중공부(中空部, hollow portion) 내에 각각 마련되어 있고, 각 히터(223)의 뒤쪽부에는 각각 단열재(224)가 부착되어 있다.As shown in FIG. 13, five evaporating dishes 222 are supported in multiple stages by a cylindrical pitch 221a at predetermined pitch intervals. The cylindrical support 221a is made of quartz. A downstream port 222a is formed in the upper evaporating dish 222, and the IPA liquid 153 flows to the lower evaporating dish 222 via the downstream port 222a. In addition, the downstream port 222a on the lower side is formed by shifting the position so as to be separated from the downstream port 222a on the upper side, and the flow of the IPA liquid 153 is the bottom of the evaporating plate 222 on the upper evaporating plate 222 side. ) To move zigzag. In addition, the heater 223 is provided in the bottom part of the airtight container 221, the side wall part, and the hollow part of the support | pillar 221a, respectively, and the back part of each heater 223 has a heat insulating material ( 224 is attached.

IPA액(153)은 최상단의 증발 접시(222)에서 순차 하단의 증발 접시(222)로 흘러내리는 과정에 있어서 히터(223)에 의해 가열되어 IPA 증기(154)가 생성된다. IPA액(153)이 5단의 증발 접시(222)를 통과하는 동안 다량의 IPA 증기(154)가 생성된다. 이와 같이 용제 증기 생성기(20)가 다단화된 증발 접시(222)를 구비함으로써, 용제 증기 생성기(20)를 소형화할 수 있어 IPA 증기(154)의 생성 효율을 대폭으로 증대시킬 수 있다.The IPA liquid 153 is heated by the heater 223 in the process of flowing down from the uppermost evaporating dish 222 to the lower evaporating dish 222 to generate the IPA vapor 154. A large amount of IPA vapor 154 is produced while the IPA liquid 153 passes through the five stage evaporator 222. Thus, by providing the vaporization dish 222 by which the solvent vapor generator 20 was multistage, the solvent vapor generator 20 can be miniaturized and the generation efficiency of the IPA vapor 154 can be significantly increased.

용제 증기 생성기(220)에서 생성된 IPA 증기(154)는 N₂가스 공급원(227)에서 공급되는 N₂가스에 의해서 처리실(212) 내로 공급되도록 되어 있다. 또한, N₂가스 공급원(227) 및 밀폐 용기(221)와 연통하는 관(227a)에는 히터(227b)가 부착되고, 공급 N₂가스는 히터(227b)에 의해 소정 온도로 가열되도록 되어 있다.The IPA vapor 154 is generated in a solvent vapor generator 220 is adapted to be fed into the process chamber 212 by the N ₂ gas supplied from N ₂ gas supply source (227). In addition, a heater 227b is attached to the pipe 227a that communicates with the N ₂ gas supply source 227 and the sealed container 221, and the supply N ₂ gas is heated to a predetermined temperature by the heater 227b.

IPA 탱크(226)는 내약품성이 풍부한 불소 수지 등으로 만들어져 있다. 이 IPA 탱크(226)는 전용의 순환관로(226c)를 구비하고 있다. 순환관로(226c)는 펌프(226a) 및 필터(226b)가 부착되고, IPA액(153)에 포함되는 불순물이 필터(226b)에 의해 제거되도록 되어 있다.The IPA tank 226 is made of fluorine resin or the like rich in chemical resistance. This IPA tank 226 is provided with the exclusive circulation line 226c. The circulation line 226c has a pump 226a and a filter 226b attached thereto, and impurities contained in the IPA liquid 153 are removed by the filter 226b.

유량 조정기(228)는 벨로즈(bellows)(228a)와 볼 나사 기구(228b)를 갖는 정량 전동 모터 구동식 벨로즈 펌프로 이루어진다. 펄스 모터(228c)에 의한 볼 나사 기구(228b)의 구동에 의해서 벨로즈(228a)가 왕복 운동하고, 이것에 의해 IPA액(153)이 매초 0.01∼5cc의 유량으로 용제 증기 생성기(220)로 공급되도록 되어 있다.The flow regulator 228 consists of a fixed-quantity electric motor driven bellows pump having bellows 228a and a ball screw mechanism 228b. The bellows 228a reciprocates by the drive of the ball screw mechanism 228b by the pulse motor 228c, thereby causing the IPA liquid 153 to flow into the solvent vapor generator 220 at a flow rate of 0.01 to 5 cc per second. It is intended to be supplied.

펄스 모터(228c)의 전원 스위치는 CPU(260)의 출력부에 접속되어 있다. 농도 센서(250)가 처리실(212) 내의 용제 증기(154)의 농도를 검출하도록 마련되어 있다. 농도 센서(250)는 CPU(260)의 입력부에 접속되어 있다. CPU(260)는 센서(250)에서 증기 농도 검출 신호를 수신하면, 이것에 따라서 펄스 모터(228c)의 동작을 제어하고, 이것에 의해 탱크(226)에서 용제 증기 생성기(220)로 공급하는 IPA액(153)의 유량이 조정된다.The power switch of the pulse motor 228c is connected to the output of the CPU 260. The concentration sensor 250 is provided to detect the concentration of the solvent vapor 154 in the processing chamber 212. The concentration sensor 250 is connected to the input of the CPU 260. When the CPU 260 receives the vapor concentration detection signal from the sensor 250, the CPU 260 controls the operation of the pulse motor 228c accordingly and thereby supplies the IPA supplied from the tank 226 to the solvent vapor generator 220. The flow rate of the liquid 153 is adjusted.

또, CPU(260)의 출력부는 컨트롤러(262)에 접속되고, 컨트롤러(262)의 출력부는 모터 드라이브(264)에 접속되어 있다. 또, 모터 드라이브(264)의 출력측은 보트 승강 기구(231)의 구동 전원 스위치에 접속되어 있다.The output of the CPU 260 is connected to the controller 262, and the output of the controller 262 is connected to the motor drive 264. The output side of the motor drive 264 is connected to a drive power switch of the boat elevating mechanism 231.

또한, 용제 증기 공급관(215)에는 개폐 밸브(215a) 및 필터(215b)를 거쳐서 처리실(212) 내의 퍼지용 N₂가스의 공급원(215c)이 접속되어 있다. 또, 용제 증기 생성기(220)의 밀폐 용기(221) 내에는 온도계(229)가 설치되고, 용제 증기 생성기(220) 내의 온도를 항상 관측할 수 있도록 되어 있다. 또, 용제 증기 생성기(220)의 밀폐용기(221)의 바닥부에는 드레인관(220a)이 접속되어 밀폐 용기(221) 내에 고이는 폐수액을 드레인관(220a)을 거쳐서 배출하도록 되어 있다.Moreover, the supply source 215c of the purge N ₂ gas in the process chamber 212 is connected to the solvent vapor supply pipe 215 via the on-off valve 215a and the filter 215b. Moreover, the thermometer 229 is provided in the airtight container 221 of the solvent vapor generator 220, and the temperature in the solvent vapor generator 220 is always able to be observed. In addition, a drain pipe 220a is connected to the bottom of the sealed container 221 of the solvent vapor generator 220 so that the wastewater collected in the sealed container 221 is discharged through the drain pipe 220a.

다음에, 도 14의 흐름도를 참조하면서 상기 세정 건조 장치(200)를 사용해서 웨이퍼(W)를 세정 건조하는 처리 공정 S21∼S30에 대해서 설명한다. 또한, 간략화를 위해 도 14에 있어서는 웨이퍼 척(240), 보트(230) 및 노즐(211a) 등의 도시를 생략하고 있다.Next, the process steps S21 to S30 of washing and drying the wafer W using the cleaning drying apparatus 200 will be described with reference to the flowchart of FIG. 14. In addition, in FIG. 14, illustration of the wafer chuck 240, the boat 230, the nozzle 211a, etc. is abbreviate | omitted in FIG.

도 14의 공정 S21에서는 먼저 처리부(210)로 순수한 물(151)을 공급하고, 처리실(212)에서 오버플로우 조(213)로 순수한 물(151)을 오버플로우 되게 한다. 이 때, 웨이퍼 보트(230)는 처리실(212)의 지점에 대기시켜 둔다.In step S21 of FIG. 14, pure water 151 is first supplied to the processing unit 210, and the pure water 151 is overflowed from the processing chamber 212 to the overflow tank 213. At this time, the wafer boat 230 is kept at the point of the processing chamber 212.

다음에, 도 14의 공정 S22에서는 웨이퍼 척(240)에 의해서 웨이퍼(W)를 처리부(210)로 반입하고 웨이퍼(W)를 척(240)에서 보트(230) 상으로 이송한다. 웨이퍼 척(240)을 위쪽으로 퇴피시키고 뚜껑(214)를 닫는다.Next, in step S22 of FIG. 14, the wafer W is loaded into the processing unit 210 by the wafer chuck 240, and the wafer W is transferred from the chuck 240 onto the boat 230. Wafer chuck 240 is retracted upward and lid 214 is closed.

도 14의 공정 S23에 도시한 바와 같이, 보트(230)와 함께 웨이퍼(W)를 세정조(211)까지 하강시킨다. 이 때, 웨이퍼(W)가 액면에 대해 노출되지 않도록 처리실(212) 내의 순수한 물(151)을 배출한다. 순수한 물(151)의 위쪽 공간으로 가스공급원(215)에서 N₂가스를 공급하여 처리실(212)의 내벽에 부착된 이물질을 순수한 물(151)과 함께 배출함과 동시에 세정조(211)에서 오버플로우되는 순수한 물(151)의 액면에 떠오르는 이물질도 배출한다. 이것에 의해 도 14의 공정 S24에 도시한 바와 같이 처리실(212) 내는 N₂가스로 치환된다.As shown in process S23 of FIG. 14, the wafer W is lowered down to the cleaning tank 211 together with the boat 230. At this time, pure water 151 in the processing chamber 212 is discharged so that the wafer W is not exposed to the liquid surface. The N ₂ gas is supplied from the gas supply source 215 to the space above the pure water 151 to discharge the foreign matter attached to the inner wall of the process chamber 212 together with the pure water 151 and at the same time over the washing tank 211. It also discharges the foreign matter that floats on the liquid surface of the pure water (151) flowing. As a result, the process chamber 212 is replaced with N ₂ gas as shown in step S24 of FIG. 14.

다음에, 도 14의 공정 S25에 도시한 바와 같이, IPA 증기(154) 및 N₂가스를 처리실(212) 내로 공급한다. 처리실(212) 내를 IPA 증기 분위기로 한 후에 도 14의 공정 S26에 도시한 바와 같이 웨이퍼 보트(230)를 상승시키고 웨이퍼(W)를 IPA 증기 분위기 중으로 이동시켜 웨이퍼(W)를 IPA 증기(154)와 접촉시킨다.Next, as shown in step S25 of FIG. 14, the IPA vapor 154 and the N ₂ gas are supplied into the processing chamber 212. After the process chamber 212 is in the IPA vapor atmosphere, as shown in step S26 of FIG. 14, the wafer boat 230 is raised and the wafer W is moved into the IPA vapor atmosphere to move the wafer W into the IPA vapor 154. ).

도 14의 공정 S27에 도시한 바와 같이 웨이퍼(W)를 IPA 증기(154)와 접촉시키면 소위 마란고니(marangoni) 효과에 의해서 표면 부착액이 웨이퍼에서 제거되어 웨이퍼 표면이 건조한 상태로 된다.As shown in step S27 of FIG. 14, when the wafer W is brought into contact with the IPA vapor 154, the surface adhesion liquid is removed from the wafer by a so-called marangoni effect, and the wafer surface is dried.

도 15는 횡축에 건조 시간을 취하고 종축에 처리실 내로 공급할 IPA 증기 농도(중량%)를 취하여 건조 공정 S27에 있어서의 공급 IPA 증기의 농도 변화를 나타내는 특성선도이다. 도 15에 도시한 바와 같이 건조 초기(시각 t₁∼t₂)의 단계에서는 IPA 증기(154)의 공급 동작을 제어해서 공급 IPA 증기 농도를 약 7중량%의 레벨로 한다. 계속해서, 건조 중기(시각 t₂∼t₃)의 단계에서는 공급 IPA 증기 농도를 약 2중량%의 레벨까지 저하시킨다. 또, 건조 후기(시각 t₃∼t₄)의 단계에서는 공급 IPA 증기 농도를 재차 약 7중량%의 레벨까지 상승시킨다. 이와 같이 하면, 초기에는 단시간에 용제 증기 분위기를 형성할 수 있음과 동시에 후기에는 웨이퍼(W) 이외의 부재인 보트(230), 세정조(211)의 내벽 및 바닥벽 등도 신속하게 건조시킬 수 있어 높은 스루풋의 처리가 실현된다. 또, 중기에는 IPA액(153)의 소비량을 대폭으로 절감할 수 있다.FIG. 15 is a characteristic diagram showing a change in the concentration of the supplied IPA vapor in the drying step S27 by taking the drying time on the horizontal axis and the IPA vapor concentration (weight%) to be supplied into the processing chamber on the vertical axis. As shown in FIG. 15, in the initial stage of drying (time t _{1 to} t ₂ ), the supply operation of the IPA vapor 154 is controlled to bring the supply IPA vapor concentration to a level of about 7% by weight. Subsequently, in the stage of drying intermediate stage (time t _{2 to} t ₃ ), the supply IPA vapor concentration is lowered to a level of about 2% by weight. In addition, in the stage of late drying (time t _{3 to} t ₄ ), the supply IPA vapor concentration is increased again to a level of about 7% by weight. In this manner, a solvent vapor atmosphere can be formed in a short time in the beginning, and at the same time, the inner wall and the bottom wall of the boat 230 and the cleaning tank 211 other than the wafer W can be quickly dried. High throughput processing is realized. In the medium term, the consumption of the IPA liquid 153 can be greatly reduced.

이와 같이, 처리실(212) 내로의 IPA 증기(154)의 공급 동작은 CPU(260)에 의해서 시간 제어된다. 그러나, 건조 중기 이후의 증기 공급 동작에 있어서는 상기의 시간 제어 대신에 피드백 제어를 사용해도 좋다. 즉, 처리실(212) 내의 IPA 증기(154)의 농도를 센서(250)에 의해서 검출하고, CPU(260)는 그의 검출 증기 농도에 따라서 처리실(212) 내로의 IPA 증기(154)의 공급 동작을 피드백 제어하도록 해도 좋다.In this manner, the supply operation of the IPA steam 154 into the processing chamber 212 is time controlled by the CPU 260. However, in steam supply operation | movement after drying middle stage, you may use feedback control instead of said time control. That is, the concentration of the IPA vapor 154 in the processing chamber 212 is detected by the sensor 250, and the CPU 260 performs the supply operation of the IPA steam 154 into the processing chamber 212 according to the detected vapor concentration thereof. Feedback control may be performed.

도 16은 횡축에 액면에서 웨이퍼 상단까지의 거리 L(mm)를 취하고, 종축에 처리실 내로 공급하는 IPA 증기 농도(중량%)를 취해서 양자의 관계를 도시한 특성선도이다. 건조 공정 S26∼S27에 있어서 CPU(260)는 보트 승강 기구(231)의 서보 모터(도시하지 않음)의 회전수를 카운트하고 카운트한 회전수에 따라서 보트(230)의 상승량을 구하고, 또 액면에서 웨이퍼 상단까지의 거리 L(mm)을 구한다. 이 거리 L(mm)은 액면보다 위쪽에 나타난 웨이퍼(W)의 노출 면적 A에 대응하고 있다. 본 실시예에서는 거리 L(mm)에 따라서 처리실(212) 내로 공급하는 IPA 증기(154)의 농도를 변경하고 있다. 즉, 거리 L(mm)이 웨이퍼(W)의 반경(0. 5D)보다 작은 경우에는 공급 IPA 증기(154)의 농도를 증대시키고, 한편 거리 L(mm)이 웨이퍼(W)의 반경(0. 5D)보다 큰 경우에는 공급 IPA 증기(154)의 농도를 감소시킨다. 거리 L(mm)이 웨이퍼(W)의 반경(0. 5D)과 완전히 동일하게 되는 지점에서는 공급 IPA 증기(154)의 농도를 최대로 한다. 이 경우에는 공급 IPA 증기(154)의 최대 농도를 약 7중량%로 한다.FIG. 16 is a characteristic diagram showing the relationship between the horizontal axis taking the distance L (mm) from the liquid level to the upper end of the wafer and the IPA vapor concentration (% by weight) supplied to the vertical axis on the vertical axis. In the drying steps S26 to S27, the CPU 260 counts the rotational speed of the servo motor (not shown) of the boat elevating mechanism 231 and obtains the amount of increase of the boat 230 according to the counted rotational speed, and at the liquid level. The distance L (mm) to the top of the wafer is obtained. This distance L (mm) corresponds to the exposure area A of the wafer W shown above the liquid level. In this embodiment, the concentration of the IPA vapor 154 supplied into the processing chamber 212 is changed in accordance with the distance L (mm). That is, when the distance L (mm) is smaller than the radius W (0.5D) of the wafer W, the concentration of the supply IPA vapor 154 is increased while the distance L (mm) is the radius (0) of the wafer W. Greater than 5D), reduce the concentration of feed IPA vapor 154. At a point where the distance L (mm) becomes exactly the radius (0.5D) of the wafer W, the concentration of the supply IPA vapor 154 is maximized. In this case, the maximum concentration of the supplied IPA vapor 154 is about 7% by weight.

이와 같이 노출 면적 A의 증가량의 변화량에 따라서 공급 IPA 증기(154)의 농도를 제어하므로, IPA 증기(154)가 유효하게 이용되어 IPA액(153)의 소비량을 대폭으로 저감할 수 있다.Thus, since the density | concentration of the supply IPA vapor | steam 154 is controlled according to the change amount of the increase amount of exposure area A, the IPA vapor | steam 154 can be utilized effectively, and the consumption amount of the IPA liquid 153 can be reduced significantly.

이와 같이 해서, 웨이퍼(W)의 건조 처리가 종료한 후, 도 14의 공정 S28에 도시한 바와 같이 하부 세정조(211) 내의 순수한 물(151)을 배출한다. 도 14의 공정 S29에 도시한 바와 같이 하부 세정조(211)에서 순수한 물(151)을 모두 배출하고 소정시간 경과한 후에 건조 N₂가스를 처리부(210) 내로 도입하고, IPA 증기(154)를 처리부(210)에서 배출시키고 처리부(210) 내를 건조 N₂가스로 치환한다. 도 14의 공정 S30에 도시한 바와 같이 위뚜껑(214)을 열고 웨이퍼 척(240)에 의해 웨이퍼(W)를 처리부(210)에서 반출한다.In this manner, after the drying process of the wafer W is completed, pure water 151 in the lower cleaning tank 211 is discharged as shown in step S28 of FIG. 14. As shown in step S29 of FIG. 14, after the predetermined time elapses after all the pure water 151 is discharged from the lower cleaning tank 211, dry N ₂ gas is introduced into the treatment unit 210, and the IPA vapor 154 is introduced. Discharged from the treatment unit 210 and the inside of the treatment unit 210 is replaced with dry N ₂ gas. As shown in process S30 of FIG. 14, the upper lid 214 is opened and the wafer W is carried out from the processing unit 210 by the wafer chuck 240.

또한, 상기 실시예에서는 반도체 웨이퍼(W)를 세정 건조 처리하는 경우에 대해서 설명했지만, 본 발명은 이것에만 한정되는 것은 아니고 LCD용 유리 기판을 세정 건조 처리하는 것에 사용해도 좋다.In addition, although the said Example demonstrated the case where the washing | cleaning-drying process of the semiconductor wafer W was carried out, this invention is not limited only to this, You may use for carrying out the washing-drying process of the glass substrate for LCD.

본 발명의 구성에 의해, 공급원에서 유기 용제를 원활하게 공급하는 것이 가능하게 되고, 또한 용제 공급원에서 증기 발생실 내로 유기 용제를 압송할 수 있다는 효과가 획득된다.With the configuration of the present invention, it is possible to smoothly supply the organic solvent from the source, and the effect of being able to press the organic solvent from the solvent source into the steam generating chamber is obtained.

도 1은 웨이퍼 세정 건조 장치를 도시한 개략적인 사시도,1 is a schematic perspective view showing a wafer cleaning drying apparatus;

도 2는 웨이퍼 세정 건조 장치의 개략적인 평면도,2 is a schematic plan view of a wafer cleaning drying apparatus;

도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ선으로 절단한 장치를 도시한 단면도,3 is a cross-sectional view showing a device cut by line III-III of FIG.

도 4는 웨이퍼 반송 장치를 도시한 개략적인 사시도,4 is a schematic perspective view showing a wafer conveying apparatus;

도 5는 처리조의 일부를 잘라내어 그 내부를 도시한 사시도,5 is a perspective view showing a part of the treatment tank by cutting the inside thereof;

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 기판의 세정 조건 장치를 도시한 구성 블록도,FIG. 6 is a block diagram showing a cleaning condition apparatus for a substrate according to an embodiment of the present invention; FIG.

도 7은 IPA 증기 생성실의 개요를 도시한 구성 블록도,7 is a block diagram showing the outline of the IPA steam generating chamber;

도 8은 IPA액 공급원의 개요를 도시한 구성 블록도,8 is a block diagram showing an outline of an IPA liquid supply source;

도 9는 웨이퍼의 세정/건조 처리의 흐름도,9 is a flowchart of a cleaning / drying process of a wafer;

도 10은 웨이퍼 세정 건조 장치의 개략적인 평면도,10 is a schematic plan view of a wafer cleaning drying apparatus;

도 11은 본 발명의 실시예에 따른 기판의 세정 건조 장치를 도시한 구성 블록도,11 is a block diagram illustrating a cleaning and drying apparatus for a substrate according to an embodiment of the present invention;

도 12는 처리조 내의 웨이퍼 보트를 도시한 사시도,12 is a perspective view showing a wafer boat in a processing tank;

도 13은 IPA 증기 생성실과 용제 공급원 및 용제 유량 조정 기구를 도시한 단면도,13 is a sectional view showing an IPA steam generating chamber, a solvent supply source, and a solvent flow rate adjusting mechanism;

도 14는 웨이퍼의 세정/건조 처리의 흐름도,14 is a flowchart of a cleaning / drying process of a wafer;

도 15는 건조 시간과 IPA 증기 농도의 관계를 도시한 특성선도,15 is a characteristic diagram showing the relationship between drying time and IPA vapor concentration;

도 16은 액면(液面)으로부터 웨이퍼 상단까지의 거리와 IPA 증기 농도의 관계를 도시한 특성선도.Fig. 16 is a characteristic diagram showing the relationship between the distance from the liquid surface to the top of the wafer and the IPA vapor concentration;

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for the main parts of the drawings

88, 226 : 용제 공급원88, 226: solvent source

86, 220 : 용제 증기 생성실86, 220: solvent vapor generating chamber

19, 210 : 처리실19, 210: treatment chamber

143, 145, 228 : 유량 조정기143, 145, 228: flow regulator

93, 260 : 제어 수단93, 260: control means

Claims

Treatment chamber,

Conveying means for entering and leaving the substrate into the processing chamber;

A solvent vapor generating chamber having a container for receiving a liquid organic solvent, a heater for heating the liquid organic solvent in the container to generate steam of the organic solvent,

A solvent supply source for supplying a liquid organic solvent into the container;

A first pipe line communicating with the solvent vapor generating chamber and the processing chamber, respectively, in which vapor of the organic solvent flows;

A second conduit in communication with the container in the solvent vapor generating chamber and the solvent supply source, respectively, through which a liquid organic solvent flows;

Flow rate adjusting means for adjusting a supply flow rate of a liquid organic solvent from the solvent supply source into the vessel;

Liquid level detecting means for detecting a liquid level of the organic solvent of the container in the solvent vapor generating chamber;

Temperature detecting means for detecting a temperature of the vapor of the organic solvent in the solvent vapor generating chamber;

A control means for receiving a detection signal transmitted from the liquid level detecting means and the temperature detecting means, respectively, and controlling the operation of the flow rate adjusting means based on the detected signal;

The control means operates the flow rate adjusting means based on the liquid level detection signal when receiving the liquid level detection signal from which the liquid level of the organic solvent in the container becomes equal to or less than a predetermined threshold value, based on the liquid level detection signal. The temperature detection means for supplying a liquid organic solvent to the vessel from the solvent supply source through the second pipe line, or for generating a temperature detection signal at which the temperature of the organic solvent vapor in the solvent vapor generating chamber is equal to or higher than a predetermined threshold value. And a liquid organic solvent is supplied from said solvent supply source to said container via said second conduit from said solvent supply source, when receiving from said.

The method of claim 1,

A lower washing vessel provided below the processing chamber so as to communicate with the processing chamber and supplied with a cleaning liquid for cleaning the substrate;

Overflow vessel through which the cleaning liquid overflowed from the lower cleaning tank is introduced

Substrate drying apparatus further comprising.

The method of claim 1,

Further comprising a concentration sensor for detecting the concentration of the organic solvent vapor in the process chamber,

And the control means controls the flow rate regulator based on the detected concentration of the concentration sensor.

The method of claim 1,

Multi-stage evaporation pans provided in a vessel of the solvent vapor generating chamber, each having a downstream port through which liquid organic solvent flows sequentially from top to bottom.

Substrate drying apparatus further comprising.

The method of claim 4, wherein

The heater,

The substrate drying apparatus provided in each bottom part, side wall part, and each support part of the said evaporating dish of the said container.

The method of claim 1,

Further comprising non-oxidizing gas supplying means for supplying non-oxidizing gas into the solvent vapor generating chamber,

And the non-oxidizing gas supply means supplies a non-oxidizing gas to the solvent vapor generating chamber and sends organic solvent vapor together with the non-oxidizing gas to the processing chamber through the first pipe line.

The method of claim 1,

Further provided with a compressed gas supply means for supplying a non-oxidizing pressurized gas to the solvent source,

The pressurized gas supply means supplies a pressurized gas to the solvent supply source and sends a liquid organic solvent from the solvent supply source to the solvent vapor generating chamber via the second pipe line.

The method of claim 1,

Further comprising a circulation circuit for circulating the liquid organic solvent of the solvent source,

And a filter for removing and filtering impurities in the liquid organic solvent flowing through the circulation circuit in the circulation circuit.

The method of claim 1,

And a second heater provided in the first conduit and heating the vapor of the organic solvent flowing in the first conduit to prevent condensation of the vapor of the organic solvent in the first conduit.

The method of claim 1,

A lower portion washing vessel provided in a lower portion of the processing chamber so as to communicate with the processing chamber and supplied with a cleaning liquid for cleaning a substrate, and an overflow vessel into which the cleaning liquid overflowed from the lower cleaning tank is introduced; With more

The said 1st pipe | channel is a board | substrate drying apparatus which penetrates the side wall surface of the said overflow tank, and introduce | transduces the vapor of the organic solvent near the liquid surface of the washing | cleaning liquid of the said lower cleaning tank through the opening of the said 1st piping path.

A substrate drying method in which a liquid organic solvent supplied to a container in a solvent vapor generating chamber is heated from an organic solvent source to generate steam of an organic solvent, the organic solvent vapor is introduced into a processing chamber, and the substrate in the processing chamber is dried.

When the liquid level of the organic solvent in the container is below a predetermined threshold, a liquid organic solvent is supplied to the container from the organic solvent source, or the temperature of the organic solvent vapor in the solvent vapor generating chamber is In case of becoming above a threshold, a liquid organic solvent is supplied to the vessel from the organic solvent source,

When the organic solvent vapor is introduced into the processing chamber from the solvent vapor generating chamber, a liquid organic solvent is not supplied from the organic solvent supply source into the solvent vapor generating chamber,

When a liquid organic solvent is introduced into the solvent vapor generating chamber from the organic solvent source, the generation of vapor of the organic solvent in the solvent vapor generating chamber is suppressed.

Substrate drying method.

The method of claim 11,

And supplying the pressurized non-oxidizing gas to the organic solvent supply source and sending a liquid organic solvent from the organic solvent supply source to the solvent vapor generating chamber.

The method of claim 11,

Drying the substrate in which the vapor of the organic solvent is generated in the solvent vapor generating chamber so that the internal pressure of the solvent vapor generating chamber is higher than the internal pressure of the processing chamber, and the vapor of the organic solvent is introduced into the processing chamber using the pressure difference between the solvent vapor generating chamber and the processing chamber. Way.

The method of claim 11,

A substrate drying method for filtering impurities in a liquid organic solvent by circulating a liquid organic solvent in the solvent vapor generating chamber.

The method of claim 11,

A substrate drying method for preventing condensation by heating the vapor of the organic solvent when the vapor of the organic solvent is supplied from the solvent vapor generating chamber to the processing chamber.

The method of claim 11,

A method of drying a substrate in which a liquid organic solvent is supplied from the organic solvent supply source to the solvent vapor generating chamber after setting the inside of the solvent vapor generating chamber to an atmospheric pressure atmosphere before opening the passage for supplying the liquid organic solvent to the atmospheric pressure atmosphere.

The method of claim 11,

And detecting a liquid level of the organic solvent in the solvent vapor generating chamber and supplying a liquid organic solvent from the solvent source to the solvent vapor generating chamber when the detected liquid level is less than a threshold value.

The method of claim 11,

And detecting the temperature of the vapor of the organic solvent in the solvent vapor generating chamber and supplying the liquid organic solvent from the solvent source to the solvent vapor generating chamber when the detected temperature is greater than the threshold value.

The method of claim 11,

In the atmospheric pressure atmosphere of the solvent vapor generating chamber,

A substrate drying method comprising a non-oxidizing gas.

The method of claim 11,

Atmospheric pressure of the processing chamber,

A substrate drying method comprising a non-oxidizing gas.

A substrate drying method in which a liquid organic solvent supplied from an organic solvent source to a solvent vapor generating chamber is heated to generate an organic solvent vapor, and the organic solvent vapor is introduced into a processing chamber to dry the substrate in the processing chamber.

Detecting the processing status of the substrate;

Controlling the liquid organic solvent supply amount to the solvent vapor generating chamber according to the processing condition of the detected substrate, and changing the concentration of the organic solvent vapor to be supplied from the solvent vapor generating chamber to the processing chamber.

Substrate drying method comprising a.

The method of claim 21,

Supplying the drying gas at a higher concentration in the initial drying start period, then supplying the drying gas at a lower concentration than the initial drying period, and then supplying the drying gas at a higher concentration in the final drying period.

Substrate drying method further comprising.

A substrate drying method in which a substrate is immersed in a cleaning liquid and washed, and then the substrate and the cleaning tank are moved with each other, and the vapor of the organic solvent generated in the solvent vapor generating chamber is brought into contact with the substrate to dry the substrate.

Detecting the surface area of the substrate exposed above the level of the cleaning liquid during the movement of the substrate and the cleaning tank;

Controlling the supply amount of the liquid solvent to the solvent vapor generating chamber based on the surface area of the detected substrate, and changing the concentration of the vapor of the organic solvent in contact with the substrate exposed to the upper portion of the liquid level.

Substrate drying method comprising a.

The method of claim 23,

Detecting the surface area of the substrate holding boat exposed above the level of the cleaning liquid;

Controlling the supply amount of the liquid solvent to the solvent vapor generating chamber based on the surface area of the detected boat and the surface area of the detected substrate.

Substrate drying method further comprising.

The method of claim 1,

The control means,

The substrate drying apparatus which detects the said liquid level and the said temperature of the said organic solvent, and controls the said operation | movement of the said flow regulator based on the detected liquid level and the said temperature of the said organic solvent.