KR100446926B1 - 반도체제조장치의 감시 및 제어방법과 그 실시장치 - Google Patents

Abstract

본 발명의 목적은 반도체제조장치를 그 처리결과를 예측하면서 제어 또는 감시하는 방법 및 시스템을 제공하는 것이다.

그 시스템은 처리상태를 감시하는 센서와, 센서로부터 송출되는 센서데이터를 보존하는 센서데이터보존부와, 제조장치에서 처리한 반도체디바이스의 처리결과의 측정치를 입력하는 입력장치와, 입력된 처리결과 측정치의 보존부와, 보존된 센서데이터와 처리결과 측정치로부터 모델식을 생성하는 모델식 생성부와, 생성된 모델식을 보존하는 모델식 보존부와, 보존된 모델식과 센서데이터로부터 처리결과를 예측하는 모델식에 의한 예측부와, 예측된 처리결과로부터 제조장치의 처리조건을 제어하는 처리조건제어부를 포함한다.

Description

반도체제조장치의 감시 및 제어방법과 그 실시장치{METHOD OF MONITORING AND/OR CONTROLLING A SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS AND A SYSTEM THEREFOR}

본 발명은 반도체처리장치에 관한 것으로, 특히 처리결과를 예측하여 장치의 가동률과 신뢰성을 향상시킨 반도체처리장치 및 반도체제조장치를 감시 및/또는 제어하는 방법에 관한 것이다.

최근, 반도체디바이스의 치수는 미세화되고 있어 가공의 치수 정밀도도 0.1㎛ 이하의 게이트전극을 10% 이하의 치수정밀도로 가공하지 않으면 안될 만큼 엄격해지고 있다. 한편 열이나 플라즈마를 사용하여 반도체웨이퍼를 물리화학적으로 가공하는 반도체제조장치에서는 장치 내부의 화학반응에 의해 생성되는 반응생성물 등이 장치의 내벽에 부착하여 잔류하고, 시간과 함께 웨이퍼의 처리상태를 변화시킨다. 이 때문에 웨이퍼의 처리를 몇매나 겹쳐짐에 따라 웨이퍼상의 반도체디바이스의 가공형상이 서서히 변화하여 성능이 열화한다. 이 문제에 대응하기 위하여 통상은 챔버 내벽의 부착물을 플라즈마에 의해 세정하거나, 챔버벽의 온도를 올려 부착물이 부착하기 어렵게 하는 등의 대책이 취해진다. 그러나 대부분의 경우 이들 대책은 완전하지 않아, 결국 반도체디바이스의 가공형상은 서서히 변화하여 버린다. 이 때문에 가공형상이 문제가 될 수록 바뀌기 전에 제조장치 부품의 교환이나 세정을 행하지 않으면 안된다. 또 퇴적막 이외에도 다양한 장치상태의 변동이 웨이퍼 가공형상의 변동에 관여한다. 이 때문에 반도체체조장치 내부의 처리상태의 변화를 검출하고, 검출결과를 반도체제조처리장치의 입력에 피드백하여 처리상태를 일정하게 유지하는 등의 연구가 고안되어 왔다.

플라즈마처리의 변동을 감시하는 방법은 예를 들면 일본국 특개평10-125660호에 개시되어 있다. 이 공보에는 플라즈마처리특성과 장치의 전기신호의 관계식을 사용하여 장치성능을 예측하거나 플라즈마의 상태를 진단하는 방법이 나타나 있다. 그 방법으로서는 3개의 전기신호와 장치의 플라즈마처리특성의 관계를 나타내는 근사식을 중회귀분석에 의해 구하는 방법이 나타나 있다. 또 하나의 예가 일본국 특개평11-87323호에 나타나어 있다. 이 공보에는 기존의 복수의 검출기를 설치한 일반적인 검출시스템을 반도체제조장치에 적용하여 그 검출신호의 상관신호로부터 장치의 상태를 감시하는 방법이 개시되어 있다. 그 상관신호를 생성하는 방법으로서는 6개의 전기신호의 비에 의한 계산식이 개시되어 있다. 또 하나의 예가 미국특허제5658423호에 나타나 있다. 이 공보에는 빛이나 질량분석기의 수 많은 신호를 도입하여 상관신호를 생성하여 장치의 상태를 감시하는 방법이 나타나 있다. 이 상관신호를 생성하는 방법으로서는 주성분 분석을 이용하는 방법이 나타나 있다.

그러나 일본국 특개평10-125660호의 방법에서는 장치를 감시하는 센서데이터가 많은 종류 있었을 때에 예측하고자 하는 처리성능과 무관한 많은 신호가 설명변수에 들어가기 때문에 중회귀분석에 의한 예측을 잘 할 수 없게 된다. 또 일본국 특개평11-87323호의 방법은 잘 알려진 복수의 검출수단으로부터의 복수의 검출신호의 상관을 취한 신호를 진단에 사용한다는 일반적인 방법이다. 개시된 상관을 취하는 방법도 몇가지 신호의 비를 취한다는 종래의 방법이고, 많은 변동원인에 따라다양한 상태를 취하는 반도체제조장치의 상태를 정확하게 감시하는 시스템에 적용하는 것은 곤란하다. 미국특허제5658423호에는 이상의 방법과 달리 장치로부터 모니터한 다량의 데이터를 주성분 분석하여 장치상태의 변동을 촉진함으로써 플라즈마의 상태를 감시하는 방법이 개시되어 있다. 그러나 실제의 양산에 사용되는 반도체제조장치에서는 이와 같이 일반적인 통계처리의 방법을 적용하는 것만으로는 잘 가동하지 않는다. 예를 들면 주성분이 어떻게 변화하면 처리결과가 어떻게 되는지를 알 수 없는 경우가 대부분이기 때문이다.

본 발명의 목적은 다양한 종류의 디바이스를 처리하는 반도체제조장치에 있어서, 처리상태를 모니터하여 모니터출력에 의거하여 이상처리를 검출 또는 처리결과를 예측함으로써 장치의 가동률과 신뢰성을 향상시킨 반도체처리장치 및 방법을 제공하는 것이다.

도 1a는 본 발명의 일 실시예를 나타내는 반도체디바이스의 처리장치의 제어시스템의 블록도,

도 1b는 도 1a의 제어시스템의 수정예를 나타내는 블록도,

도 2는 도 1의 처리상태 감시부의 다른 실시예를 나타내는 블록도,

도 3은 부처리상태 감시부의 실시예를 나타내는 블록도,

도 4는 디바이스의 처리상태의 감시방법의 예를 나타내는 플로우도,

도 5a는 모델생성부의 동작을 설명하기 위한 플로우도,

도 5b는 n매의 웨이퍼의 처리결과 판정치의 예측법을 예시하는 테이블,

도 6은 이상데이터프리의 예측모델생성법을 설명하는 도,

도 7은 모델식 작성을 위한 플로우도,

도 8은 처리조건제어부의 보정동작을 설명하기 위한 테이블,

도 9는 처리조건 생성부의 동작을 설명하기 위한 플로우도,

도 10은 처리조건의 제어방법을 설명하기 위한 도면이다.

상기 과제를 해결하기 위하여 다음과 같은 방법을 채용하였다.

본 발명의 하나의 형태에 따르는 반도체처리장치는 반도체웨이퍼를 처리하는 반도체처리장치의 처리상태를 감시하는 센서와, 상기 반도체처리장치에 의하여 처리한 반도체웨이퍼의 처리결과의 측정치를 입력하는 처리결과 입력수단과, 상기 센서가 취득한 센서데이터 및 상기 측정치에 의거하여 상기 센서데이터를 설명변수로서 처리결과를 예측하는 모델식을 생성하는 모델식 생성부와, 상기 모델식 및 상기 센서데이터에 의거하여 처리결과를 예측하는 처리결과 예측부와, 상기 예측한 처리결과와 미리 설정한 설정치를 비교하여 그 어긋남을 보정하도록 상기 반도체처리장치의 처리조건을 제어하는 처리조건제어부를 포함한다.

이와 같은 구성에 의하여 본 발명에 의하면 반도체제조장치로부터 센서에 의하여 모니터데이터를 취득하고, 시료의 처리결과를 측정하기 전이나 또는 측정하는 일 없이 처리결과를 모델식에 의해 예측함으로써 반도체제조장치의 가동률과 신뢰성을 향상한다.

이하에 본 발명의 실시예를 도면에 따라 설명한다.

도 1a는 본 발명의 제 1 실시예를 나타낸다. 상기 도면에 있어서 처리장치 (1)에는 처리상태를 감시하는 2개의 처리상태 감시부(2)가 구비되어 있다. 처리상태 감시부(2)는 장치(1) 중에 조립되어 있어도 좋고, 장치(1)의 바깥쪽에 설치되어 있어도 좋다. 또 네트워크 등을 거쳐 떨어진 장소에 설치하여도 좋다. 또한 도 1b와 같이 기능의 일부가 네트워크 등을 거쳐 분리되어 있어도 좋다. 처리상태 감시부(2)는 다음과 같은 구성을 가진다. 먼저, 처리장치(1)에서의 웨이퍼의 처리상태를 감시하는 센서(3)를 가진다. 센서는 통상 몇가지 종류의 센서를 사용한다. 예를 들면 플라즈마에칭장치나 플라즈마CVD장치 등에 있어서의 플라즈마처리에서는 센서(3)는 처리중인 플라즈마의 발광을 분광기를 사용하여 스펙트럼분해하고, 분해한 각 파장마다의 발광강도를 센서데이터로서 취득한다. 예를 들면 1000채널의 CCD 어레이를 가지는 분광기를 사용하였을 때에는 1000개의 센서데이터를 1회의 샘플링별로 취득할 수 있다. 또 장치의 압력이나 온도, 가스유량 등도 센서데이터로서 사용한다. 또 전류, 전압, 임피던스나 그것들의 고조파성분 등의 전기적 측정결과를 센서데이터로서 사용할 수 있다. 웨이퍼의 처리 중에는 적당한 시간 간격으로 이들 센서데이터가 취득되고, 취득된 센서데이터는 센서데이터보존부(4)에 보존한다. 한편 처리가 끝난 웨이퍼는 장치(1)의 외부 또는 장치에 조립된 처리결과 측정기에 의해 처리결과를 측정한다. 처리결과 측정에는 CDSEM에 의한 게이트폭의 측정이나 단면 SEM에 의한 단면형상과 같은 가공형상의 측정, 또는 가공한 디바이스의 전기적 특성의 측정이다. 이들 측정은 모든 웨이퍼에 행할 필요는 없고, 통상 일부의 웨이퍼를 추출하여 처리결과를 측정하면 된다. 처리상태 감시부(2)는 이 처리결과의 측정치를 수취하기 위하여 처리결과 측정치 입력수단(5)을 가진다. 입력수단(5)은 유연한 디스크나 CDROM등의 운반가능한 매체에 기록된 정보를 판독하는 판독기이어도 좋고, 유선이나 무선의 네트워크접속장치이어도 좋다[입력수단 (56)]. 수취한 처리결과의 측정치는 처리결과 측정치 보존부(6)에 보존된다. 보존부(6)에는 각종 디바이스 등에 처리결과의 측정치가 보존된다. 모델식 생성부 (7)는 센서데이터 보존부(4)와 처리결과 측정치 보존부(6)로부터 동일한 종류의 디바이스이고, 또한 센서데이터와 처리결과 측정치의 양쪽의 데이터가 보존되어 있는 샘플을 인출한다. 이 샘플의 수가 예를 들면 3개 이상일 때 센서데이터를 설명변수로 하여 처리결과 측정치를 예측하는 모델식을 작성한다. 통상 이때의 센서데이터의 종류나 수는 다수이고, 예측에 사용하는 센서데이터를 자동적으로 선출하는 것은 어렵다. 특히 다양한 디바이스가 처리되는 경우 등은 디바이스별로 예측에 유효한 센서데이터가 다르기 때문에 미리 예측에 사용하는 센서를 결정하여 두는 것은 곤란하다.

도 5a는 PLS법에 의한 모델식 작성 처리를 설명하는 도면이다. 도 5a에 나타내는 바와 같이 PLS법은 예측해야 할 데이터의 변동과 가장 상관이 강해지도록 설명변수를 다수의 센서데이터로부터 자동적으로 생성한다. 동시에 센서데이터로부터 설명변수를 계산하기 위한 함수도 얻어진다. 예를 들면 n매의 웨이퍼의 처리결과 측정치를 예측대상으로 하고, Yi에서 i번째 웨이퍼의 처리결과 측정치를 나타내는 것으로 한다. 하나의 웨이퍼로부터 m개의 센서데이터가 얻어졌을 때에 Sij로 i번째 웨이퍼의 j번째 센서데이터를 나타낸다. 이 m개의 센서데이터는 동일한 센서의 다른 시간에 있어서의 데이터이어도 좋고, 다른 센서로부터의 데이터이어도 좋다. 도 5b는 센서데이터(Sij)의 예를 설명하는 도면이다. 이 도면과 같이 장치(1)의 1매의 웨이퍼의 처리가 3단계의 처리조건으로 나뉘어져 있어 센서가 A, B, C 3종류일 때에 도시한 바와 같이 Sij를 S11 내지 Sn9로 취하면 좋다. Sij는 각 단계처리 중의 센서데이터의 평균치로 하여도 좋고, 2승이나 역수 등의 센서데이터를 변환한 값인 쪽이 좋은 경우도 있다. PLS법을 사용하면 센서데이터(Sij)를 처리결과 측정치(Yi)의 변동과의 상관의 강도순으로 나열한 m개의 설명변수(Xik)로 변환할 수 있다. 센서데이터(Sij)로부터 설명변수(Xk)로 변환하는 함수(Fk)는 수학식 1과 같이 나타낸다.

이 설명변수(Xik) 중의 몇가지를 사용하여 처리결과 측정치를 예측한다. 통상은 설명변수(Xi1)가 가장 처리결과 측정치(Yi)와의 상관이 강하기 때문에 Xi1, Xi2, Xi3 등을 설명변수로서 선택한다. PLS법에서는 수학식 2와 같은 예측식이 동시에 생성되는 것으로 설명한 Xi1 등의 설명변수를 사용하여 수학식 2와 같은 예측식를 작성하는 것이 좋은 경우도 있다.

한편, 처리결과 측정치 중에는 웨이퍼의 처리상태가 나쁘고 이상한 처리결과 측정치를 나타내는 웨이퍼의 데이터도 들어 있다. 이와 같은 데이터에 대하여 통상의 중회귀분석으로 예측을 행하면, 도 6에 나타내는 바와 같이 이상한 데이터에 영향을 받은 예측 정밀도가 나쁜 모델식이 생성되어 버린다. 이 때문에 로버스트회귀분석을 예측에 사용한다. 로버스트회귀분석을 사용하면 도 6에 나타낸 바와 같은 이상이 있는 데이터가 아웃라이어로서 예측대상으로부터 벗어나기 때문에 정확한 예측모델식을 생성할 수 있다.

도 7은 모델식 생성부(7)의 모델식 작성처리를 설명하는 플로우도이다.

모델식 생성부(7)에 있어서 센서데이터의 종류가 많이 있을 때에는 센서데이터의 주성분 해석을 행하고(단계 701, 702), 얻어진 주성분을 사용하여 로버스트회귀분석을 행하여 처리결과를 예측한다(단계 705, 706). 이 때 처리결과의 예측에 필요가 없는 주성분도 설명변수에 포함되기 때문에 플로우차트에 나타내는 바와 같이 회귀계수가 작은 주성분을 제거하여(단계 707) 다른 주성분(제 2 주성분)을 설명변수에 추가하고(단계 704), 다시 중회귀분석을 행한(단계 706)다는 처리에 예측에러가 설정치 이하가 되기까지(단계 708) 반복하여 행한다. 이들 회귀분석은 선형이어도 좋고, 처리의 물리적특성이나 경험치로부터 유도되는 비선형의 회귀분석을 사용하여도 좋다.

상기한 바와 같은 방법으로 생성된 모델식은 도 1의 모델식 보존부(8)에 보존된다. 모델식은 동일 종류의 디바이스별로 작성되기 때문에 모델식 보존부(8)에는 처리장치에서 처리하는 디바이스 수만큼의 모델식이 보존된다.

처리장치(1)에 소정의 디바이스 웨이퍼가 로드되어 처리될 때 이 디바이스에 대응하는 모델식이 예측부(9)에 로드된다. 이 디바이스를 처리 중에 센서(3)로부터 얻어진 신호는 필요하면 PLS법에 의해 얻어진 수학식 1을 사용하여 설명변수로 변환되거나 또는 주성분 분석에 의해 주성분으로 변환되어 수학식 2의 모델식에 의하여 처리결과의 예측치가 계산된다. 계산한 예측치는 처리조건 제어부(10)에 건네지고, 제어부(10)는 처리결과의 설정치와 예측치의 어긋남을 보정하도록 처리조건을 변경한다.

다음에 상기한 처리조건제어부(10)에서 처리조건을 보정하는 구체적 방법을 설명한다. 여기서 다시 PLS법을 사용한다. 통상의 반도체디바이스의 처리에서는 가공의 요구로서 몇가지 상반되는 처리성능이 요구되는 일이 많다. 예를 들면 게이트전극의 에칭가공 등에서는 게이트전극의 측벽의 수직성과 밑바탕 산화막과 게이트폴리실리콘의 에칭선택성이 요구된다. 즉, 측벽의 수직성을 달성하기 위해서는 퇴적성이 낮은 에칭조건을 사용한 쪽이 좋고, 밑바탕 산화막과의 고선택성을 달성하기 위해서는 퇴적성이 높은 에칭조건을 사용한 쪽이 좋다. 이와 같이 2개의상반되는 요구가 있는 경우에는 처리조건의 제어는 어렵다. 도 8 내지 도 10은 이와 같은 상반요구를 만족시키는 처리조건을 설명하기 위한 도면이다. 예를 들면 처리조건 1 [여기서는 가스(A)의 유량이라 한다)을 감소시키면 수직성이 좋아진다고 하여도 동시에 밑바탕 산화막의 선택성이 나빠져 처리조건으로서는 바람직하지 않다.

이 때문에 예를 들면 처리조건 1과 처리조건 2(여기서는 웨이퍼디바이스전력으로 한다)를 조합하여 측벽의 수직성을 개선하면서, 또한 밑바탕 산화막의 선택성이 악화하지 않는 조건을 찾아내지 않으면 안된다.

이것을 해결하기 위하여 도 8과 같이 통상으로 처리를 행하는 중심조건의 둘레에 수점 내지 수십점의 처리조건을 바꾼 실험조건을 설정하고, 가공처리를 행하여 처리결과를 측정한다. 도 10에 있어서의 점(1 내지 4)은 도 8의 실험조건(1 내지 4)에 해당한다. 여기서는 처리결과 측정치(A)로서 측벽의 수직성의 측정치를 취하고, 처리결과 측정치(B)로서 밑바탕 산화막 선택비를 취하는 것으로 한다.

도 9에 나타내는 바와 같이 이 실험에 대하여 PLS법을 적용하여 2종류의 처리조건과 2종류의 처리결과 측정치의 상관을 사용하면 도 10에 나타내는 바와 같이 측벽 수직성에 상관이 강한 조건의 방향(A)이 얻어진다. 또 마찬가지로 하여 PLS법에 의하여 얻어지는 밑바탕 산화막 선택비에 상관이 강한 방향으로부터 방향(A)에 직교하여 밑바탕 산화막 선택비에도 상관이 강한 방향(B)을 계산할 수 있다. 이 조건방향(A)과 조건방향(B)을 도 1a의 처리조건 제어부(10)에 설정하여 둔다. 이와 같이 하여 두면 모델식에 의거하여 예측부(9)에서 측벽의 수직성이 악화되어있다고 예측되었을 때에 처리조건을 조건방향(A)으로 수정하면 밑바탕 산화막 선택비를 희생하지 않고 측벽 수직성을 개선할 수 있다. 계산된 처리조건의 제어방향은 처리조건 제어방향 보존수단(14)에 보존되고, 모델식에 의한 처리결과 예측치가 설정치로부터 어긋난 경우에 처리조건을 수정하는 데에 사용한다.

여기서 든 예에서는 2종류의 처리조건을 변화시켰으나, PLS법에서는 다시 많은 종류의 처리조건을 변화시킬 수도 있어 많은 처리조건을 변화시킬 수록 바람직한 결과가 얻어진다. 또 상반하는 처리결과 측정치도 2종류뿐 만이 아니라 더 많은 수의 처리결과를 대상으로 할 수 있다. 예를 들면 측벽의 수직성과 밑바탕 산화막 선택비에 더하여 마스크 선택비 등을 취할 수 있다.

도 2는 본 발명의 또 하나의 실시예를 나타낸다. 도 2의 시스템은 도 1a의 시스템과 대략 동일한 구성이나, 처리조건 제어부(10) 대신에 예측치 표시부(11)를 가지고 장치의 디스플레이 등에 이상을 알리는 메시지를 표시한다. 이 표시부분은 경보를 발하는 버저나 전자메일의 발신 등이어도 좋다.

도 3은 본 발명의 또 하나의 실시예를 나타낸다. 지금까지의 시스템은 모델식에 의한 처리결과의 예측에 의거하고 있으므로 모델식을 생성하고 있지 않은 종류의 디바이스의 처리를 감시할 수 없다. 처리결과의 측정에는 매우 시간이 결리는 경우가 많고, 대부분 처리결과의 측정이 행하여지지 않은 일이 있어 그와 같은 디바이스의 경우에는 모델식을 생성할 수 없다. 이 때문에 도 3과 같이 많은 종류의 센서데이터로부터 주성분 추출부(12)에서 주성분을 추출하고, 주성분의 변동의 불균일을 이상감시부(13)에서 감시함으로써 처리의 이상을 검출한다. 이상을 검출한 경우에는 장치의 다음 웨이퍼의 처리착수를 정지하면 좋다. 이상의 검출에는 예를 들면 SPC(Statistical Process Control)이라 불리우는 불균일의 관리방법을 사용하면 좋다. 이를 위해서는 해당하는 디바이스의 처리 중의 주성분의 평균치와 분산을 기억하여 두고, 측정된 주성분이 평균치로부터 분산의 수배 이상 떨어졌을 때 처리를 이상으로 판정한다.

도 4는 처리상태 감시부(2) 및 부처리상태 감시부(2)의 양쪽을 구비한 처리장치에 적합한 처리플로우를 나타내는 도면이다. 먼저 처리하고자 하는 디바이스에 대한 모델식을 생성하여 보존하여 두고 있는지의 여부를 판정한다(단계 501). 모델식이 보존되어 있는 경우는 처리상태 감시부(2)에 의해 감시제어를 실행한다(단계 502). 모델식이 보존되어 있지 않은 경우는 처리상태 감시부(2')에 의해 감시제어를 실행한다(단계 503).

도 1a, 도 2와 같은 모델식을 사용한 처리상태 감시부 뿐만 아니라 도 3과 같은 주성분만을 사용한 부처리상태 감시부의 2개를 겸하여 구비하면 도 4에 나타내는 바와 같은 모델식이 생성되어 보존되어 있는 디바이스이어도 아직 생성되어 있지 않은 디바이스이어도 처리상태를 감시할 수 있다. 이와 같은 유연성을 가진 감시시스템이 반도체제조장치의 감시에 적합하다.

Claims (17)

1. 반도체웨이퍼를 처리하는 반도체 플라즈마처리장치에 있어서,

   반도체웨이퍼를 처리하는 상기 반도체 플라즈마 처리장치의 처리상태를 감시하는 센서와;

   예비 시험에서 상기 반도체처리장치에 의해 처리한 반도체웨이퍼의 처리결과의 외부측정치를 입력하는 처리결과 입력수단과;

   상기 센서가 취득한 센서데이터 및 상기 외부측정치에 기초하여, 상기 센서에 의하여 취득된 센서데이터를 설명변수로 사용하여 처리결과를 예측하는 모델식을 생성하는 모델식 생성부와;

   상기 모델식 및 상기 센서데이터에 기초하여 처리결과를 예측하는 처리결과 예측부와;

   상기 예측된 처리결과와 사전 설정치를 비교하여 상기 예측된 처리결과와 사전 설정치 사이의 어긋남을 보정하도록 상기 반도체 플라즈마처리장치의 처리조건을 제어하는 처리조건 제어부를 포함하여 이루어지는 반도체 플라즈마처리장치.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 모델식 생성부는 PLS법(Partial Least Square method)을 사용하여 모델식을 생성하는 반도체 플라즈마처리장치.
3. 반도체웨이퍼를 처리하는 반도체 플라즈마처리장치에 있어서,

   반도체웨이퍼를 처리하는 상기 반도체 플라즈마처리장치의 처리상태를 감시하는 센서와;

   예비 시험에서 상기 반도체처리장치에 의해 처리한 반도체웨이퍼의 처리결과의 외부측정치를 입력하는 처리결과 입력수단과;

   상기 센서가 취득한 센서데이터 및 상기 외부측정치에 기초하여 상기 센서에 의하여 취득된 센서데이터를 설명변수로 사용하여 처리결과를 예측하는 모델식을 생성하는 모델식 생성부와;

   상기 모델식 및 상기 센서데이터에 기초하여 처리결과를 예측하는 처리결과 예측부와;

   상기 예측된 처리결과와 사전 설정치를 비교하여 상기 예측된 처리결과와 사전 설정치 사이의 어긋남을 보정하도록 상기 반도체 플라즈마처리장치의 처리조건을 제어하는 처리조건 제어부를 포함하여 이루어지며,

   상기 모델식 생성부는 로버스트회귀분석법(Robust Regression)을 사용하여 모델식을 생성하는 반도체 플라즈마처리장치.
4. 반도체웨이퍼를 처리하는 반도체 플라즈마처리장치에 있어서,

   반도체웨이퍼를 처리하는 상기 반도체 플라즈마처리장치의 처리상태를 감시하는 센서와;

   예비 시험에서 상기 반도체처리장치에 의해 처리한 반도체웨이퍼의 처리결과의 외부측정치를 입력하는 처리결과 입력수단과;

   상기 센서가 취득한 센서데이터 및 상기 외부측정치에 기초하여 상기 센서에 의하여 취득된 센서데이터를 설명변수로 사용하여 처리결과를 예측하는 모델식을 생성하는 모델식 생성부와;

   상기 모델식 및 상기 센서데이터에 기초하여 처리결과를 예측하는 처리결과 예측부와;

   상기 예측된 처리결과와 사전 설정치를 비교하여 상기 예측된 처리결과와 사전 설정치 사이의 어긋남을 보정하도록 상기 반도체 플라즈마처리장치의 처리조건을 제어하는 처리조건 제어부를 포함하여 이루어지며,

   상기 모델식 생성부는 주성분 로버스트회귀분석법(Principal Component Robust Regression)을 사용하여 모델식을 생성하는 반도체 플라즈마처리장치.
5. 반도체웨이퍼를 처리하는 반도체 플라즈마처리장치에 있어서,

   반도체웨이퍼를 처리하는 상기 반도체 플라즈마처리장치의 처리상태를 감시하는 센서와;

   예비 시험에서 상기 반도체처리장치에 의해 처리한 반도체웨이퍼의 처리결과의 외부측정치를 입력하는 처리결과 입력수단과;

   상기 센서가 취득한 센서데이터 및 상기 외부측정치에 기초하여 상기 센서에 의하여 취득된 센서데이터를 설명변수로 사용하여 처리결과를 예측하는 모델식을 생성하는 모델식 생성부와;

   상기 모델식 및 상기 센서데이터에 기초하여 처리결과를 예측하는 처리결과 예측부와;

   상기 예측치 또는 사전 설정치로부터 예측치의 어긋남을 표시하는 표시부를 포함하는 반도체처리장치.
6. 반도체웨이퍼를 처리하는 반도체 처리장치에 있어서,

   반도체웨이퍼를 처리하는 반도체처리장치의 처리상태를 감시하는 센서와;

   상기 반도체처리장치에 의해 처리한 반도체웨이퍼의 처리결과의 측정치를 입력하는 처리결과 입력수단과;

   상기 센서가 취득한 센서데이터 및 상기 측정치에 의거하여 상기 센서데이터를 설명변수로 하여 처리결과를 예측하는 모델식을 생성하는 모델식 생성부와;

   상기 모델식 및 상기 센서데이터에 의거하여 처리결과를 예측하는 처리결과 예측부와;

   상기 예측한 처리결과와 미리 설정한 설정치를 비교하여 그 어긋남을 보정하도록 상기 반도체처리장치의 처리조건을 제어하는 처리조건 제어부와;

   상기 센서에 의하여 취득한 센서데이터에 기초하여 주성분을 추출하는 주성분 추출부와;

   상기 추출부가 추출한 주성분의 변동의 불균일에 의거하여 처리의 이상을 검출하는 이상검출부를 포함하여 이루어지며,

   상기 모델식 생성부에 모델식이 생성되어 있지 않은 경우, 상기 이상검출부가 이상을 검출하였을 때 처리를 정지하며, 상기 모델식 생성부는 PLS법(Partial Least Square method)을 사용하여 모델식을 생성하는 것을 특징으로 하는 반도체처리장치.
7. 제 1항에 있어서,

   상기 센서에 의하여 취득한 센서데이터에 기초하여 주성분을 추출하는 주성분 추출부와;

   상기 추출부가 추출한 주성분의 변동의 불균일에 의거하여 처리의 이상을 검출하는 이상검출부를 더 포함하여,

   상기 모델식 생성부에 모델식이 생성되어 있지 않은 경우, 상기 이상검출부가 이상을 검출하였을 때 처리를 정지하는 것을 특징으로하는 반도체 플라즈마처리장치.
8. 제 1항에 있어서,

   상기 센서데이터를 보존하는 센서데이터 보존부, 및

   처리결과 입력수단에 의해 입력된 처리결과를 보존하는 처리결과 측정치 보존부를 더 포함하여, 상기 모델식 생성부는 상기 각 관련 보전부에 보존된 센서데이터 및 측정치를 기초로 상기 모델식을 생성하고, 생성된 모델식을 모델식 보존부에 보존하는 반도체 플라즈마처리장치.
9. 처리대상을 처리하는 반도체처리장치의 처리상태를 감시하는 센서를 사용하여 반도체처리장치에 있어서의 처리대상의 처리를 제어하는 방법에 있어서,

   상기 반도체처리장치에 의하여 처리한 반도체대상의 처리결과의 측정치를 입력하는 단계와;

   상기 센서가 취득한 센서데이터 및 상기 측정치에 의거하여 상기 센서데이터를 설명변수로서 사용하여 처리결과를 예측하는 모델식을 생성하는 단계와;

   상기 모델식 및 상기 센서데이터에 의거하여 반도체대상의 처리결과를 예측하는 단계와;

   상기 예측한 처리결과와 미리 설정한 설정치를 비교하여 그 비교결과에 의거하여 그 어긋남을 보정하도록 상기 반도체처리장치의 처리조건을 제어하는 단계를 포함하여 이루어지는 반도체처리장치에 있어서의 처리대상의 처리를 제어하는 방법.
10. 제 9항에 있어서,

    상기 모델식 생성단계는 PLS법(Partial Least Square method)을 사용하여 모델식을 생성하는 처리대상의 처리를 제어하는 방법.
11. 제 9항에 있어서,

    상기 모델식 생성단계는 로버스트회귀분석법(Robust Regression)을 사용하여 모델식을 생성하는 처리대상의 처리를 제어하는 방법.
12. 제 9항에 있어서,

    상기 모델식 생성단계는 주성분 로버스트회귀분석법(Principal Component Robust Regression)을 사용하여 모델식을 생성하는 처리대상의 처리를 제어하는 방법.
13. 처리대상을 처리하는 반도체처리장치의 처리상태를 감시하는 센서를 사용하여 반도체장치에서의 처리대상의 처리를 감시하는 방법에 있어서,

    상기 반도체처리장치에 의하여 처리한 반도체대상의 처리결과의 측정치를 입력하는 단계와;

    상기 센서가 취득한 센서데이터 및 상기 측정치에 의거하여 상기 센서데이터를 설명변수로서 사용하여 처리결과를 예측하는 모델식을 생성하는 단계와;

    상기 모델식 및 상기 센서데이터에 의거하여 처리결과를 예측하는 단계와;

    상기 예측한 예측치 또는 그 예측치와 미리 설정한 설정치의 어긋남을 표시하는 단계를 포함하는 반도체장치에서의 처리대상의 처리를 감시하는 방법.
14. 반도체웨이퍼를 처리하는 반도체처리장치의 처리상태를 감시하는 복수의 센서를 사용하여 반도체처리장치에 있어서의 반도체웨이퍼의 처리를 감시하기 위한 반도체 처리감시방법에 있어서,

    상기 복수의 센서가 취득한 복수의 센서데이터에 의거하여 주성분을 추출하는 단계와;

    상기 추출한 주성분의 변동의 불균일에 의거하여 처리의 이상을 검출하는 단계를 포함하는 반도체웨이퍼의 처리를 감시하기 위한 반도체처리 감시방법.
15. 제 9항에 있어서,

    상기 복수의 센서가 취득한 복수의 센서데이터에 의거하여 주성분을 추출하는 단계와;

    상기 추출한 주성분의 변동의 불균일에 의거하여 처리의 이상을 검출하는 단계와;

    상기 모델식 단계에 모델식이 생성되어 있지 않은 경우, 상기 이상검출단계가 이상을 검출하였을때 처리를 정지하는 단계를 더욱 포함하는 반도체처리에 있어서 처리대상의 처리를 제어하는 방법.
16. 제 9항에 있어서,

    상기 센서데이터를 보존하는 센서데이터 보존단계 및 처리결과 입력단계에서 입력한 처리결과를 보존하는 처리결과 측정치 보존단계를 더욱 구비하고, 상기 모델식 생성단계는 상기 각 보존단계에서 보존한 센서데이터 및 측정치에 의거하여 상기 모델식을 생성하는 반도체처리에 있어서 처리대상의 처리를 제어하는 방법.
17. 반도체웨이퍼를 처리하는 반도체 플라즈마처리장치에 있어서,

    반도체웨이퍼를 처리하는 상기 반도체 플라즈마처리장치의 처리상태를 감시하는 센서와;

    상기 센서가 취득한 센서데이터 및 상기 외부측정치에 기초하여 발생되는, 상기 센서에 의하여 취득된 센서데이터를 설명변수로 사용하여 처리결과를 예측하는 모델식을 수신하여 보존하며, 상기 측정치는 예비 시험에서 상기 반도체 플라즈마처리장치에 의해 처리한 반도체웨이퍼의 처리결과이인 모델식 보존부와;

    상기 모델식 및 상기 센서데이터에 기초하여 처리결과를 예측하는 상기 모델식 보존부와 센서에 연결된 처리결과 예측부와;

    상기 예측된 처리결과와 사전 설정치를 비교하여 상기 예측된 처리결과와 사전 설정치 사이의 어긋남을 보정하도록 상기 반도체 플라즈마처리장치의 처리조건을 제어하는 처리조건 제어부를 포함하여 이루어지는 반도체웨이퍼를 처리하는 반도체 플라즈마처리장치.