KR100403291B1 - Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 캐쏘드 전극 간의 크로스 토크와 전기적 단락을 방지하기 위한 세퍼레이터를 포함하는 유기 전계발광 소자에 관한 것으로서, 상기 유기 전계발광 소자는 투명 기판, 상기 투명 기판 상에 형성된 다수의 애노드 전극, 상기 애노드 전극의 상면 일 부분에 형성된 다수의 세퍼레이터, 및 상기 다수의 세퍼레이터 사이의 애노드 전극 상면에 순차적으로 형성된 유기층과 캐쏘드 전극을 포함하고, 상기 다수의 세퍼레이터 각각은, 상기 애노드 전극 상면에 형성되는 하부 세퍼레이터와 그 폭이 상기 하부세퍼레이터보다 큰 상부 세퍼레이터로 구성되고, 상기 상부 세퍼레이터와 상기 하부 세퍼레이터를 구성하는 물질은 동일하며, 상기 상부 세퍼레이터는 전자빔에 의해 경화되어 있는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to an organic electroluminescent device comprising a separator for preventing crosstalk and an electrical short between the cathode electrodes, the organic electroluminescent device comprises a transparent substrate, a plurality of anode electrodes formed on the transparent substrate, the anode A plurality of separators formed on a portion of the upper surface of the electrode, and an organic layer and a cathode electrode sequentially formed on the upper surface of the anode electrode between the plurality of separators, each of the plurality of separators, the lower separator formed on the upper surface of the anode electrode And an upper separator having a width larger than that of the lower separator, wherein the upper separator and the material forming the lower separator are the same, and the upper separator is cured by an electron beam.
Description
본 발명은 유기 전계발광 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 캐쏘드 전극간의 크로스 토크와 전기적 단락을 방지하기 위한 세퍼레이터를 포함하는 유기 전계발광 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic electroluminescent device and a method for manufacturing the same, and more particularly to an organic electroluminescent device and a method for manufacturing the same comprising a separator for preventing crosstalk between the cathode electrode and the electrical short.
유기 전계발광 소자는 CRT(Cathode Ray Tube)와 같은 수준의 응답 속도를 가지며, 구동 전압이 낮고, 초박막화가 가능하므로 벽걸이형 또는 휴대용 표시 소자로서 유용하며, 또한 면발광 소자이므로, 시야각이 넓고 고휘도의 발광을 얻을 수 있어 옥외용 표시 소자로서도 유용하다.The organic electroluminescent device has the same response speed as the Cathode Ray Tube (CRT), has a low driving voltage, enables ultra-thin film, and thus is useful as a wall-mounted or portable display device. Since light emission can be obtained, it is also useful as an outdoor display element.
유기 전계발광 소자는 기본적으로, 일함수 값이 큰 투명 전극(애노드 전극), 전자 관련층, 발광층, 정공 관련층 및 일함수 값이 작은 전극(캐쏘드 전극)을 포함한다. 도 1을 참고로 이와 같은 유기 전계발광 소자의 기본 구조를 살펴본다.The organic electroluminescent device basically includes a transparent electrode (anode electrode) having a large work function value, an electron related layer, a light emitting layer, a hole related layer, and an electrode having a small work function value (cathode electrode). With reference to Figure 1 looks at the basic structure of such an organic electroluminescent device.
투명 기판(100) 상에, 일방향으로 평행하게 신장하는 다수의 애노드 전극(200)이 이격 배치되어 있다. 애노드 전극(200)은 통상 ITO로 이루어진다. 애노드 전극(200)과 실질적으로 직교하며 화소를 구성하는 다수의 유기층(300)이 애노드 전극(200) 상에서 이격 배치되어 있다. 상기 유기층(300) 상부에는 일반적으로 알루미늄으로 이루어진 다수의 캐쏘드 전극(400)이 형성되어 있다. 그리고 인접하는 캐쏘드 전극(400)간의 크로스 토크와 전기적 단락을 줄이거나 방지하기 위해 유기층(300)과 캐쏘드층(400)의 적층 구조들 사이에는 세퍼레이터(500)가 형성되어 있다. 세퍼레이터(500)는 절연물질로 형성되어 있으며, 세퍼레이터(500)의 높이가 높을 수록 인접하는 캐쏘드 전극(400)간의 크로스 토크와 전기적 단락을 방지할 수 있다. 한편, 도 1에 도시된 구조의 유기 전계발광 소자에서, 유기층(300)은 전자 관련층, 발광층 및 정공 관련층의 역할을 모두 수행한다. 즉, 애노드 전극(200)과 캐쏘드 전극(400)에 적당한 전압이 인가되면, 유기층(300) 내에서는, 전자와 정공이 포논과 상호 작용하여 양성 및 음성 폴라톤이 생성되고, 이 폴라톤은 전기장 하에서 재결합하여 여기자를 생성한다. 그리고 생성된 여기자가 기저 상태로 돌아갈 때 유기층(300)이 발광하게 된다.On the transparent substrate 100, a plurality of anode electrodes 200 extending in parallel in one direction are spaced apart from each other. The anode electrode 200 is usually made of ITO. A plurality of organic layers 300, which are substantially orthogonal to the anode electrode 200 and constituting the pixel, are spaced apart from the anode electrode 200. A plurality of cathode electrodes 400 made of aluminum are generally formed on the organic layer 300. A separator 500 is formed between the stacked structures of the organic layer 300 and the cathode layer 400 in order to reduce or prevent crosstalk and electrical short between the adjacent cathode electrodes 400. The separator 500 is formed of an insulating material, and as the height of the separator 500 increases, crosstalk between adjacent cathode electrodes 400 and electrical short circuits can be prevented. Meanwhile, in the organic electroluminescent device having the structure shown in FIG. 1, the organic layer 300 performs all the roles of the electron related layer, the light emitting layer, and the hole related layer. That is, when an appropriate voltage is applied to the anode electrode 200 and the cathode electrode 400, in the organic layer 300, electrons and holes interact with the phonon to generate positive and negative polartons. Recombination produces an exciton under an electric field. The organic layer 300 emits light when the generated excitons return to the ground state.
종래 일반적으로 사용되는 세퍼레이터를 포함하는 유기 전계발광 소자가 도 2에 도시되어 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 투명 기판(105) 상부에는 투명한 도전 물질인 ITO로 이루어진 애노드 전극(205)이 형성되며, 애노드 전극(205) 상부에는 상호 이격되고 애노드 전극과 직교하며 신장하는 절연섬(255)이 형성된다.An organic electroluminescent device comprising a conventionally used separator is shown in FIG. 2. As shown in FIG. 2, an anode electrode 205 made of ITO, which is a transparent conductive material, is formed on the transparent substrate 105, and an insulating island that is spaced apart from each other and is orthogonal to and extends from the anode electrode 205. 255 is formed.
절연섬(255)의 상부에는 세퍼레이터(505)가 형성된다. 상기 세퍼레이터(505)의 형성 방법을 설명하면, 먼저 애노드 전극(205) 전면에 네거티브 타입 포토레지스트를 도포한 다음, 세퍼레이터(505)가 형성될 영역이 오픈된 마스크(미도시)를 이용하여 상기 네거티브 타입 포토레지스트를 노광한다. 그런데, 마스크를 투과한 광원의 세기는 가우시안(Gaussian) 분포를 하므로, 마스크에서 절연섬(255)쪽으로 진행하면서 노광되는 면적이 줄어들게 된다. 네거티브 타입 포토레지스트는 노광된 부분이 현상 공정 후에 잔존하게 되므로, 네거티브 타입 포토레지스트의 현상 공정을 거쳐 형성되는 세퍼레이터(505)는 도 2에 도시된 바와 같이 절연섬(255)에 가까워질수록 폭이 작아지는 네거티브 프로파일을 갖는다.The separator 505 is formed on the insulating island 255. A method of forming the separator 505 will be described. First, a negative type photoresist is applied to the entire surface of the anode electrode 205, and then the negative is formed using a mask (not shown) in which an area where the separator 505 is to be formed is opened. Type photoresist is exposed. However, since the intensity of the light source passing through the mask has a Gaussian distribution, the exposed area decreases as it progresses toward the insulating island 255 in the mask. Since the exposed portion of the negative type photoresist remains after the developing process, the separator 505 formed through the developing process of the negative type photoresist becomes wider as it approaches the insulating island 255 as shown in FIG. 2. It has a negative profile that becomes smaller.
이후, 세퍼레이터(505)가 포함된 기판(105) 전면에 유기 물질층 및 캐쏘드 전극 물질층을 순차적으로 증착하여 애노드 전극(205)과 직교하는 유기층(305)과 캐쏘드 전극(405)을 형성함과 동시에 세퍼레이터(505) 상에도 유기층(302)과 도전층(402)을 형성한다. 여기서, 세퍼레이터(505)에 의해서 캐쏘드 전극(405)은 인접하는 다른 캐쏘드 전극(405)과 절연된다. 그리고, 인접하는 캐쏘드 전극(405)간의 절연을 위한 세퍼레이터(505)가 네거티브 프로파일을 가지므로, 절연섬(255)사이에 형성된 캐쏘드 전극(405)과 세퍼레이터(505) 상에 형성된 도전층(402)과의 크로스 토크와 전기적 단락이 방지된다.Thereafter, the organic material layer and the cathode electrode material layer are sequentially deposited on the entire surface of the substrate 105 including the separator 505 to form the organic layer 305 and the cathode electrode 405 orthogonal to the anode electrode 205. At the same time, the organic layer 302 and the conductive layer 402 are also formed on the separator 505. Here, the cathode 405 is insulated from the adjacent cathode 405 by the separator 505. Since the separator 505 for insulation between the adjacent cathode electrodes 405 has a negative profile, the conductive layer formed on the cathode electrode 405 formed between the insulation islands 255 and the separator 505 ( Crosstalk with 402 and an electrical short are prevented.
그러나, 이와 같은 방법으로 세퍼레이터(505)를 형성하면 네거티브 타입 포토레지스트의 노광 공정에서 입사광 외에도 포토레지스트를 투과한 광이 네거티브 타입 포토레지스트 하부에 형성되어 있는 애노드 전극(205) 및 기판(105)에서 반사되어 2차광이 생성되며, 상기 2차광도 네거티브 타입 포토레지스트에 도달된다. 따라서 마스크에 의해 한정된 영역보다 더 넓은 영역이 광에 노출되게 되므로, 네거티브 타입 포토레지스트의 현상 후에 남게 되는 세퍼레이터의 디멘젼은 설계치보다 크게 되어, 세퍼레이터의 임계 디멘젼(critical dimension: CD)의 변동이 생길 수 있다.However, when the separator 505 is formed in this manner, the anode 205 and the substrate 105 in which the light transmitted through the photoresist is formed under the negative type photoresist in addition to the incident light in the exposure process of the negative type photoresist. Reflected to produce secondary light, the secondary light also reaches the negative type photoresist. Therefore, since a wider area than the area defined by the mask is exposed to light, the dimension of the separator remaining after the development of the negative type photoresist becomes larger than the design value, which may cause variation in the critical dimension (CD) of the separator. have.
또한 세퍼레이터(505)의 형성은 전적으로 네거티브 포토레지스트의 노광 및 현상 공정으로 이루어지므로, 세퍼레이터 형성 공정의 마진이 부족하다. 예를 들어, 세퍼레이터의 네거티브 프로파일의 각을 크게 하기 위해 광의 세기를 작게 하면, 절연섬(255) 바로 위까지 광이 도달하지 못하거나, 도달된 광의 세기가 상당히 약하므로, 절연섬(255) 상면의 포토레지스트가 제거되어 언더컷이 발생할 수 있다. 반면 노광광의 세기를 증가시키면 세퍼레이터(505)의 네거티브 프로파일이 적절하지 못하게 되어 캐쏘드 전극(405)과 도전층(402)이 단락되거나 이들간의 크로스 토크를 억제할 수 없게 된다. 또한 세퍼레이터(505) 내부의 용매 또는 가스의 제거(outgassing)를 위한 열처리 공정과 캐쏘드 전극 형성 후의 패시베이션막 형성시의 열처리 공정에 의해 세퍼레이터(505)의 형태가 변형되거나, 세퍼레이터(505)를 구성하는 네거티브 타입 포토레지스트의 표면 에지가 부러지기도 한다.In addition, since the separator 505 is formed entirely of the exposure and development processes of the negative photoresist, the separator formation process lacks a margin. For example, if the light intensity is reduced to increase the angle of the negative profile of the separator, the light does not reach directly above the insulation island 255, or the intensity of the reached light is considerably weak. Of the photoresist may be removed and undercut may occur. On the other hand, if the intensity of the exposure light is increased, the negative profile of the separator 505 is not appropriate, and the cathode electrode 405 and the conductive layer 402 are shorted or crosstalk between them cannot be suppressed. In addition, the shape of the separator 505 is deformed or the separator 505 is formed by a heat treatment process for removing the solvent or gas inside the separator 505 and a heat treatment process at the time of forming the passivation film after the cathode electrode is formed. The surface edge of the negative type photoresist may be broken.
따라서, 본 발명의 목적은 전술한 문제점들을 해결할 수 있는 세퍼레이터를 갖는 유기 전계발광 소자 및 그의 제조 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 네거티브 포토레지스트의 노광 및 현상 공정에 따른 공정 마진의 취약성을 해결할 수 있는 유기 전계발광 소자 및 그의 제조 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 또 다른 목적은 오버행 구조를 가지는 세퍼레이터를 정밀하고 신뢰성 있게 형성할 수 있는 유기 전계발광 소자의 제조 방법을 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide an organic electroluminescent device having a separator that can solve the above problems and a method of manufacturing the same. Another object of the present invention is to provide an organic electroluminescent device and a method of manufacturing the same, which can solve the vulnerability of process margins caused by exposure and development of negative photoresist. It is still another object of the present invention to provide a method for manufacturing an organic electroluminescent device which can accurately and reliably form a separator having an overhang structure.
도 1은 통상적인 유기 전계발광 소자의 개략 사시도를 나타낸다.1 shows a schematic perspective view of a conventional organic electroluminescent device.
도 2는 종래 기술에 따른 세퍼레이터를 구비한 유기 전계발광 소자의 단면도를 나타낸다.2 shows a cross-sectional view of an organic electroluminescent device having a separator according to the prior art.
도 3은 본 발명에 따른 세퍼레이터를 구비한 유기 전계발광 소자의 단면도를 나타낸다.3 is a cross-sectional view of an organic electroluminescent device having a separator according to the present invention.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명에 따른 세퍼레이터를 구비한 유기 전계발광 소자를 제조하는 단계를 보여주는 단면도들이다.4A to 4D are cross-sectional views illustrating steps of manufacturing an organic electroluminescent device having a separator according to the present invention.
본 발명의 목적을 달성하기 위해, 투명 기판, 상기 투명 기판 상에 형성된 다수의 애노드 전극, 상기 애노드 전극의 상면 일 부분에 형성된 다수의 세퍼레이터, 및 상기 다수의 세퍼레이터 사이의 애노드 전극 상면에 순차적으로 형성된 유기층과 캐쏘드 전극을 포함하고, 상기 다수의 세퍼레이터 각각은, 상기 애노드 전극 상면에 형성되는 하부 세퍼레이터와 그 폭이 상기 하부 세퍼레이터보다 큰 상부 세퍼레이터로 구성되고, 상기 상부 세퍼레이터와 상기 하부 세퍼레이터를 구성하는 물질은 동일하며, 상기 상부 세퍼레이터는 전자빔에 의해 경화되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자를 제공한다.In order to achieve the object of the present invention, a transparent substrate, a plurality of anode electrodes formed on the transparent substrate, a plurality of separators formed on a portion of the top surface of the anode electrode, and the anode electrode formed between the plurality of separators sequentially An organic layer and a cathode; each of the plurality of separators includes a lower separator formed on an upper surface of the anode electrode and an upper separator having a width greater than that of the lower separator, and constitutes the upper separator and the lower separator. The material is the same, and the upper separator provides an organic electroluminescent device, which is cured by an electron beam.
본 발명은 또한 투명 기판을 준비하는 단계, 상기 투명 기판 상에 다수의 애노드 전극을 형성하는 단계, 각각이 하부 세퍼레이터와 그의 폭이 상기 하부 세퍼레이터의 폭보다 큰 상부 세퍼레이터로 구성되고, 상기 상부 세퍼레이터와 상기 하부 세퍼레이터는 동일 물질로 구성되되 상기 상부 세퍼레이터는 전자빔에 의해 경화되어 있는 다수의 세퍼레이터를 상기 애노드 전극의 일 부분에 형성하는 단계, 및 상기 다수의 세퍼레이터 사이의 애노드 전극 상면에 유기층과 캐쏘드 전극을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자의 제조 방법을 제공한다.The present invention also provides a method of preparing a transparent substrate, forming a plurality of anode electrodes on the transparent substrate, each comprising a lower separator and an upper separator whose width is greater than the width of the lower separator, The lower separator may be made of the same material, and the upper separator may include forming a plurality of separators on one portion of the anode electrode, which are cured by an electron beam, and an organic layer and a cathode electrode on an upper surface of the anode electrode between the plurality of separators. It provides a method of manufacturing an organic electroluminescent device comprising the step of sequentially forming.
여기서, 상기 세퍼레이터는 전자빔에 의해 경화될 수 있는 물질로 이루어지는 전자빔 경화형 물질층을 상기 애노드 전극 상부에 형성하는 단계, 상기 전자빔 경화형 물질층의 소정 부분을 노출시키는 마스크를 상기 전자빔 경화형 물질층 상면에 형성하는 단계, 상기 마스크가 형성된 전자빔 경화형 물질층을 노광, 현상하는 단계, 상기 현상된 전자빔 경화형 물질층에 전자빔을 조사하여 상기 전자빔 경화형 물질층의 상부를 경화하는 단계, 및 상기 전자빔 경화형 물질층을 식각하는 단계에 의하여 형성되는 것이 바람직하다. 또한 상기 전자빔 경화형 물질은 포지티브 타입 포토레지스트 또는 광민감성 스핀-온 폴리머(photosensitive spin-on polymer: SOP)인 것이 바람직하다.The separator may include forming an electron beam curable material layer formed of a material that may be cured by an electron beam on the anode, and forming a mask on the upper surface of the electron beam curable material layer to expose a portion of the electron beam curable material layer. Exposing and developing the electron beam curable material layer on which the mask is formed; irradiating an electron beam to the developed electron beam curable material layer to cure an upper portion of the electron beam curable material layer; and etching the electron beam curable material layer. It is preferably formed by the step of. In addition, the electron beam curable material is preferably a positive type photoresist or a photosensitive spin-on polymer (SOP).
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 발명에 따른 세퍼레이터를 구비한 유기 전계발광 소자의 단면도를 나타낸다. 도 3에 도시된 바와 같이, 투명 기판(10) 상에 일방향으로 신장하는 다수의 애노드 전극(20)이 상호 평행하게 이격 배치되어 있다. 필요에 따라, 상기애노드 전극(20) 상의 소정 부분, 즉 이후에 세퍼레이터가 형성될 부분에는 절연섬(25)이 형성되어 있을 수 있으며, 상기 절연섬(25) 사이의 애노드 전극(20) 상면에는 유기층(30)과 캐쏘드 전극(40)이 순차적으로 형성되어 있어, 각 화소를 형성한다. 그리고, 절연섬(25)의 상면에는 상부 세퍼레이터(50b)와 하부 세퍼레이터(50a)로 이루어진 세퍼레이터(50)가 형성되어 있다. 여기서, 상부 세퍼레이터(50b)의 폭은 하부 세퍼레이터(50a)의 폭보다 커서, 세퍼레이터(50)는 전체적으로 오버행(overhang) 구조를 가진다.3 is a cross-sectional view of an organic electroluminescent device having a separator according to the present invention. As shown in FIG. 3, a plurality of anode electrodes 20 extending in one direction are disposed on the transparent substrate 10 in parallel and spaced apart from each other. If necessary, an insulating island 25 may be formed on a predetermined portion of the anode electrode 20, that is, a portion where a separator is to be formed later, and an upper surface of the anode electrode 20 between the insulating islands 25. The organic layer 30 and the cathode electrode 40 are sequentially formed to form each pixel. And the separator 50 which consists of the upper separator 50b and the lower separator 50a is formed in the upper surface of the insulating island 25. As shown in FIG. Here, the width of the upper separator 50b is larger than the width of the lower separator 50a, so that the separator 50 has an overall overhang structure.
상부 및 하부 세퍼레이터(50b, 50a)는 동일한 물질로 이루어지되, 전자빔의 조사에 의해 경화되어 견고해질 수 있는 물질로 이루어진다. 이와 같은 전자빔 경화형 물질로는 포지티브 타입 포토레지스트 또는 광민감성 SOP (photosensitive spin-on polymer)를 사용할 수 있으며, 상기 포지티브 타입 포토레지스트로는 통상적인 노볼락 레진계 또는 PMMA계 포토레지스트 등을 사용할 수 있으며, 상기 광민감성 SOP로는 폴리이미드를 사용할 수 있다. 즉, 상부 세퍼레이터(50b)는 하부 세퍼레이터(50a)와 동일한 물질이되 전자빔에 의해 경화된 상태가 된다.The upper and lower separators 50b and 50a are made of the same material, but are made of a material that can be hardened and hardened by irradiation of an electron beam. As such an electron beam curable material, a positive type photoresist or a photosensitive spin-on polymer (SOP) may be used. As the positive type photoresist, a conventional novolak resin or PMMA type photoresist may be used. As the photosensitive SOP, polyimide may be used. That is, the upper separator 50b is made of the same material as the lower separator 50a but becomes hardened by the electron beam.
그리고, 상부 세퍼레이터(50b)의 상면에는 유기층(30)과 동일한 물질로 이루어진 유기층(32)과 캐쏘드 전극(40)과 동일한 물질로 이루어진 도전층(42)이 적층되어 있다. 본 발명의 세퍼레이터(50)는 전술한 바와 같이 상부 세퍼레이터(50b)에 의해 오버행 구조를 취하므로, 세퍼레이터(50) 상부의 도전층(42)과 절연섬(25) 사이의 캐쏘드 전극(40)간의 크로스 토크와 전기적 단락을 방지할 수 있다. 또한 상기 상부 세퍼레이터(50b)를 구성하는 물질로서 네거티브 타입 포토레지스트를 사용하지 않으므로, 투명 기판(10) 및 애노드 전극(20)으로부터 반사 및 산란된 광에 의해 상부 세퍼레이터(50b)의 디멘젼이 변하지 않게 된다.The organic layer 32 made of the same material as the organic layer 30 and the conductive layer 42 made of the same material as the cathode electrode 40 are stacked on the upper surface of the upper separator 50b. Since the separator 50 of the present invention has an overhang structure by the upper separator 50b as described above, the cathode electrode 40 between the conductive layer 42 and the insulating island 25 on the separator 50 is formed. Crosstalk and electrical short circuit can be prevented. In addition, since a negative photoresist is not used as a material constituting the upper separator 50b, the dimension of the upper separator 50b is not changed by light reflected and scattered from the transparent substrate 10 and the anode electrode 20. do.
다음으로 도 4a 내지 4d를 참고로 본 발명에 따른 세퍼레이터의 제조 방법을 살펴본다.Next, a method of manufacturing a separator according to the present invention will be described with reference to FIGS. 4A to 4D.
도 4a를 참조하면, 투명 기판(60)을 준비하고, 그 상면에 상호 평행하게 이격 배치되는 다수의 애노드 전극(70)을 형성하는 단계 및 애노드 전극(70) 상의 소정 부분에 절연섬(75)을 형성하는 단계는 종래의 기술과 동일하다. 여기서, 애노드 전극(70)은 ITO로 이루어져 있는 것이 바람직하다. 다음으로, 절연섬(75)이 형성된 투명 기판(60) 전면에 평탄화가 잘되면서, 전자빔에 의해 경화될 수 있는 전자빔 경화형 물질(80)을 도포한다. 그러한 물질로서 광민감성 SOP (80: Spin On Polymer)가 사용될 수 있으며, 그 외에 포지티브 타입 포토레지스트가 사용될 수 있다.Referring to FIG. 4A, preparing a transparent substrate 60, forming a plurality of anode electrodes 70 spaced apart from each other in parallel to the upper surface thereof, and insulating islands 75 at predetermined portions on the anode electrodes 70. The forming step is the same as in the prior art. Here, the anode electrode 70 is preferably made of ITO. Next, while flattening the entire surface of the transparent substrate 60 on which the insulation islands 75 are formed, an electron beam curable material 80 that can be cured by an electron beam is applied. Photosensitive SOP (80: Spin On Polymer) may be used as such a material, and a positive type photoresist may be used.
이어서, 도 4b에 도시한 바와 같이, 절연섬(75)에 정렬되는 SOP(80) 상면을 노출시키는 마스크(90)를 SOP(80) 상에 형성하고, 노광하여, 노광된 부분의 화학적 성질을 변형시킨다.Subsequently, as shown in FIG. 4B, a mask 90 exposing the upper surface of the SOP 80 aligned with the insulating island 75 is formed on the SOP 80 and exposed to expose the chemical properties of the exposed portion. Transform.
다음으로, 도 4c에 도시된 바와 같이, 마스크(90)에 의해 한정/노출된 SOP(80) 부분을 현상한 다음, 전자빔을 조사하여 추후 세퍼레이터(50)가 되는 전자빔 경화형 물질(80) 표면으로부터 소정 두께까지 전자빔이 투과되도록 하여, 경화 영역(82)을 형성하는 반면, 하부의 전자빔 경화형 물질(80)은 전자빔에 의해 경화되지 않도록 한다. 여기서, 경화 영역(82)의 두께는 경화 영역을 구성하는 물질의 종류, 전자빔의 세기, 조사 시간 등에 따라 변동될 수 있다. 이와 같이 전자빔 경화형 물질(80)의 상부 영역만을 선별적으로 경화하기 이전에, 상기 전자빔 경화형 물질(80)을 전체적으로 강화하는 전자빔을 조사하여, 전자빔 경화형 물질(80)을 강화시키는 등 전자빔 경화형 물질(80)의 물성을 변화시킬 수도 있다.Next, as shown in FIG. 4C, a portion of the SOP 80 defined / exposed by the mask 90 is developed, and then irradiated with an electron beam to form a separator 50 from an electron beam curable material 80 surface. The electron beam is transmitted to a predetermined thickness to form the hardened region 82, while the lower electron beam curable material 80 is not hardened by the electron beam. Here, the thickness of the hardened region 82 may vary depending on the type of material constituting the hardened region, the intensity of the electron beam, the irradiation time, and the like. As described above, before only the upper region of the electron beam curable material 80 is selectively cured, the electron beam curable material 80 may be irradiated to strengthen the electron beam curable material 80. 80) may be changed.
전자빔을 조사하여 소정 두께의 소정 경도를 갖는 경화 영역(82)을 형성한 다음에는, 도 4d에 도시한 바와 같이, 다시 현상을 하여 경화 영역(82) 하부의 전자빔 경화형 물질(80)을 식각함으로서, 도 3에 도시된 바와 같은 하부 세퍼레이터(50a)를 형성한다. 상기 식각 방법으로는 건식 식각 또는 습식 식각을 사용할 수 있으며, 전자빔 경화형 물질(80)의 상부 일부가 경화되어 있으므로, 식각 공정이 진행될 때, 경화 영역(82)에 비하여 경화 영역(82) 하부의 전자빔 경화형 물질(80)의 식각 속도가 크므로, 경화 영약(82)의 에지가 하부 세퍼레이터(50a)의 형성 도중에 떨어지는 현상이 발생하지 않고, 상부 세퍼레이터(50b)보다 작은 폭의 하부 세퍼레이터(50a)를 형성할 수 있다. 따라서, 도 3에 도시된 것과 같이 상부 세퍼레이터(50b)와 하부 세퍼레이터(50a)로 이루어지는 오버행 구조의 세퍼레이터(50)가 완성된다. 세퍼레이터(50)의 완성 후, 결과물 전면에 유기물질층과 캐쏘드 전극용 도전층을 순차적으로 적층하면, 도 3에 나타난 것과 같은 유지 전계발광 소자를 완성한다.After irradiating the electron beam to form a hardened region 82 having a predetermined hardness, as shown in FIG. 4D, by developing again, the electron beam curable material 80 under the hardened region 82 is etched. 3, the lower separator 50a is formed. Dry etching or wet etching may be used as the etching method, and since the upper portion of the electron beam curable material 80 is cured, an electron beam below the curing region 82 as compared to the curing region 82 when the etching process is performed. Since the etching rate of the curable material 80 is large, the phenomenon that the edge of the curing agent 82 falls during the formation of the lower separator 50a does not occur, and the lower separator 50a having a width smaller than that of the upper separator 50b is removed. Can be formed. Therefore, as shown in FIG. 3, the separator 50 of the overhang structure which consists of the upper separator 50b and the lower separator 50a is completed. After completion of the separator 50, when the organic material layer and the cathode electrode conductive layer are sequentially stacked on the entire surface of the resultant, the sustain electroluminescent element as shown in FIG. 3 is completed.
이상을 정리하면, 본 발명의 세퍼레이터(50)는 오버행 구조를 가지므로, 세퍼레이터(50) 상부에 형성되는 도전층(42)과 캐쏘드 전극(40)간의 크로스 토크와 전기적 단락을 최소화하거나 방지할 수 있다.In summary, since the separator 50 of the present invention has an overhang structure, it is possible to minimize or prevent crosstalk and electrical short between the conductive layer 42 and the cathode electrode 40 formed on the separator 50. Can be.
그리고, 본 발명에서는 네거티브 타입 포토레지스트의 노광 및 현상 공정을 이용하여 세퍼레이터를 형성하지 않으므로, 네거티브 타입 포토레지스트를 사용하여 세퍼레이터를 형성할 경우에 발생되는 공정 마진의 취약성 등의 문제들이 근본적으로 발생되지 않는다.Further, in the present invention, the separator is not formed using the exposure and development processes of the negative type photoresist, and thus problems such as the weakness of the process margin generated when the separator is formed using the negative type photoresist are not fundamentally generated. Do not.
또한, 경화 영역(82)이 상부 세퍼레이터로서 작용함과 동시에 하부 세퍼레이터(50a)형성 용 식각 공정 시의 마스크 역할도 하게 되므로, 전술한 바와 같이 별도의 하부 세퍼레이터(50a) 형성 용 마스크가 요구되지 않으므로, 공정을 보다 단순화시킬 수 있는 이점이 있다.In addition, since the hardened region 82 functions as an upper separator and also serves as a mask during the etching process for forming the lower separator 50a, a mask for forming the lower separator 50a is not required as described above. This has the advantage of simplifying the process.
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