KR100391373B1 - 반사막이 삽입된 ｐ형 전극구조를 가지는 질화물계 발광다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은, 절연기판 상에 형성되는 n형 질화물 반도체층와, 상기 n형 질화물 반도체층의 소정 영역 상에 순차적으로 적층되는 발광 활성층 및 p형 질화물 반도체층와, 상기 발광 활성층 및 p형 질화물 반도체층이 형성되지 않은 상기 n형 질화물 반도체층 표면 상에 형성되는 n형 전극과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되는 p형 전극을 구비하며; 상기 p형 전극은, 상기 p형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 형성되는 반사막과, 상기 반사막을 포함하여 상기 p형 질화물 반도체층의 표면을 덮도록 형성되는 투명전극과, 상기 반사막의 상부에 위치하도록 상기 투명전극 상에 형성되는 와이어 접촉전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 와이어 접촉 전극에서 광이 흡수되는 것이 반사막에 의하여 방지되기 때문에 발광효율이 좋을 뿐만 아니라, 반사막에 의하여 반사된 빛이 발광 활성층의 발광에 다시 관여하기 때문에 발광효율이 더욱 크게 증가하게 된다.

Description

반사막이 삽입된 ｐ형 전극구조를 가지는 질화물계 발광다이오드 및 그 제조방법 {Nitride compound based light-emitting diode having a p-electrode which contains an inserted reflective layer, and fabricating method thereof}

본 발명은 질화물계 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 발광효율이 개선되도록 반사막이 삽입된 p형 전극구조를 가지는 질화물계 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.

질화물 반도체를 이용하여 발광다이오드를 제작하는 데 있어서, 기판으로 사용되는 사파이어(Al₂O₃)가 전기적으로 전도성을 띠지 못하는 절연체이기 때문에, 측면 전류 주입형 발광다이오드가 제조되어 사용되고 있다. 질화물 반도체를 이용한 측면 전류 주입형 발광다이오드에 사용되는 전극으로는 전자를 주입시키기 위한 n형 전극과, 정공을 주입시키기 위한 p형 전극이 있다.

이 두 전극은 모두 금속으로 만드는데, 이들 중에서 p형 전극은, p형 질화물 박막이 가지는 낮은 정공농도와 높은 저항 때문에 발광다이오드 내로의 전류의 효과적인 주입을 위해 p형 질화물 박막 위에 얇은 투명전극을 증착시키고 난 후에, 이 얇은 투명전극 위에 금속으로 이루어진 와이어 접촉 전극을 증착함으로써 형성한다.

이 때, 투명전극 및 와이어 접촉 전극의 빛에 대한 투과도가 우수하지 못하면, 발광 다이오드의 활성층에서 발광되어 나오는 빛의 많은 부분이 여기에서 흡수되어 버리기 때문에, 전체적인 발광다이오드의 발광효율을 떨어지는 문제가 발생한다.

p형 전극의 형성 시에 투명전극으로 사용하는 금속들의 투과도를 높이기 위한 선행기술로, Ho 외 5명이 발표한 논문에서 니켈(Ni)＼금(Au) 층을 증착시킨 후에 공기 중에서 열처리를 하여 니켈 산화물을 형성시킴으로써 일반적인 열처리 방법인 질소 분위기 하에서 열처리한 것보다 가시광선 영역에서의 빛에 대한 투과도를 향상시킨 방법이 보고된 바 있다(참고자료: Appl. Phys. Lett. 74, 1275, 1999).

그리고, 마가리스(Margalith)외 6명은 투명전극으로 니켈(Ni)＼금(Au) 층 대신에 ITO(Indium Tin Oxide)막을 사용한 결과 ITO막이 니켈＼금 층보다 가시광선 영역에서 빛에 대한 흡수가 적기 때문에 발광다이오드 제작시 투명전극으로 사용할 수 있음을 보고하였다(참고자료: Appl. Phys. Lett. 74, 3930, 1999).

또한, 장(Jang) 외 2명은 투명전극으로 사용하는 금속을백금(Pt)＼루비듐(Rb)으로 사용한 결과 니켈＼금 층을 사용한 경우보다 우수한 투과도를 얻었다고 보고하였다(참고자료: Appl. Phys. Lett. 76, 2898, 2000).

일반적으로, 와이어 접촉 전극은 투명전극 상에 형성되며, 니켈(Ni)층 및 금(Au)층이 순차적으로 적층되어 수백 Å 이상의 두께로 형성된다. 그리고, 이러한 와이어 접촉 전극은 발광 다이오드의 발광 활성층에서 발광되어 나오는 빛이 지나가는 경로에 위치하기 때문에, 와이어 접촉 전극에서의 빛의 흡수에 의해 발광 다이오드의 발광 효율이 크게 저하되게 된다.

그럼에도 불구하고, 이제까지는 p형 전극의 투과도를 높이기 위하여, 투명전극으로 사용하는 금속의 열처리 분위기를 바꾸거나, 투명전극으로 사용하는 금속의 종류를 바꾸어서, 가시광선 영역에서의 빛에 대한 투과도를 높이는 방법 등만을 연구하여 왔을 뿐, 투명전극 위에 형성되는 와이어 접촉 전극에 의한 빛의 흡수를 줄이는 방법에 대해서는 연구가 미비한 실정이다.

따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 반사막을 이용하여 질화물계 발광다이오드의 p형 전극을 구성하는 부분 중에서 투명전극 상의 와이어 접촉 전극에 의한 빛의 흡수를 줄임으로써, 다이오드의 발광효율 저하를 방지할 수 있는 질화물계 발광다이오드를 제공하는 데 있다.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 상기 기술적 과제를 달성하는 데 적합한 질화물계 발광다이오드 제조방법을 제공하는 데 있다.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 질화물계 발광다이오드를 설명하기 위한 단면도;

도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 질화물계 발광다이오드를 설명하기 위한 단면도;

도 3a 및 도 3b는 도 1의 질화물계 발광다이오드를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들;

도 3c는 도2의 질화물계 발광다이오드를 완성하는 단계를 설명하기 위한 단면도;

도 4는 반사막이 있는 도 1의 발광다이오드와 반사막이 없는 종래 발광다이오드의 전류-전압 특성 그래프;

도 5는 반사막이 있는 도 1의 발광다이오드와 반사막이 없는 종래 발광다이오드의 발광세기를 각각 나타내는 그래프; 및

도 6은 도 5에서 측정된 발광세기로부터 계산된 발광효율을 나타낸 그래프이다.

< 도면의 주요 부분에 대한 참조번호의 설명 >

10: 기판 20: GaN 핵생성층

32: n형 GaN층 34: p형 GaN층

40: 발광 활성층 50: p형 전극

52: 반사막 54: 투명전극

62: 와이어 접촉 전극 64: n형 전극

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 예에 따른 질화물계 발광다이오드는, 절연기판 상에 형성되는 n형 질화물 반도체층와, 상기 n형 질화물 반도체층의 소정 영역 상에 순차적으로 적층되는 발광 활성층 및 p형 질화물 반도체층와, 상기 발광 활성층 및 p형 질화물 반도체층이 형성되지 않은 상기 n형 질화물 반도체층 표면 상에 형성되는 n형 전극과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되는 p형 전극을 구비하며; 상기 p형 전극은, 상기 p형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 형성되는 반사막과, 상기 반사막을 포함하여 상기 p형 질화물 반도체층의 표면을 덮도록 형성되는 투명전극과, 상기 반사막의 상부에 위치하도록 상기 투명전극 상에 형성되는 와이어 접촉전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 예에 따른 질화물계 발광다이오드는, 절연기판 상에 형성되는 n형 질화물 반도체층와, 상기 n형 질화물 반도체층의 소정 영역 상에 순차적으로 적층되는 발광 활성층 및 p형 질화물 반도체층와, 상기 발광 활성층 및 p형 질화물 반도체층이 형성되지 않은 상기 n형 질화물 반도체층 표면 상에 형성되는 n형 전극과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되는 p형 전극을 구비하며; 상기 p형 전극은, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되는 투명전극과, 상기 투명전극 상의 소정 영역에 형성되는 반사막과, 상기 반사막 상에 형성되는 와이어 접촉 전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 예에 따른 질화물계 발광다이오드 제조방법은, 절연 기판 상에 n형 질화물 반도체층, 발광 활성층 및 p형 질화물 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계와; 상기 n형 질화물 반도체층이 노출되도록 상기 p형 질화물 반도체층 및 발광 활성층을 순차적으로 식각하는 단계와; 상기 노출된 n형 질화물 반도체층 상에 n형 전극을 형성하는 단계와; 상기 p형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 반사막을 형성하는 단계와; 상기 반사막을 포함하여 상기 p형 질화물 반도체층의 표면을 덮는 투명전극을 형성하는 단계와; 상기 반사막 상부에 위치하도록 상기 투명전극 상에 와이어 접촉전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 예에 따른 질화물계 발광다이오드 제조방법은, 절연 기판 상에 n형 질화물 반도체층, 발광 활성층 및 p형 질화물 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계와; 상기 n형 질화물 반도체층이 노출되도록 상기 p형 질화물 반도체층 및 발광 활성층을 순차적으로 식각하는 단계와; 상기 노출된 n형 질화물 반도체층 상에 n형 전극을 형성하는 단계와; 상기 p형 질화물 반도체층 상에 투명전극을 형성하는 단계와; 상기 투명전극 상의 소정영역에 반사막을 형성하는 단계와; 상기 반사막 상에 와이어 접촉 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

상술한 본 발명에 따른 질화물계 발광다이오드 및 그 제조방법에 있어서, 상기 투명전극은 백금, 니켈, 금, 또는 팔라디움(Pd)으로 이루어지는 것이 바람직하고, 상기 반사막은 알루미늄, 금, 또는 은(Ag)으로 이루어지는 것이 바람직하며, 상기 와이어 접촉 전극은 니켈층 및 금층이 순차적으로 적층되어 이루어지는 바람직하다. 그리고, 상기 반사막은 1~1000Å의 두께를 가지는 것이 바람직하다.

이하에서, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명한다.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 질화물계 발광다이오드를 설명하기 위한 단면도이다. 도 1을 참조하면, (0001) 사파이어 기판(10) 상에는 GaN 핵생성층(20)이 형성되어 있으며, GaN 핵생성층(20) 상에는 n형 GaN층(32)이 형성되어 있다. 그리고, n형 GaN층(32)의 소정 영역 상에는 발광 활성층(40) 및 p형 GaN층(34)이 순차적으로 적층되어 형성되어 있다. 여기서, 발광 활성층(40)은 GaN층 및 InGaN층이 번갈아 적층되어 이루어진다.

발광 활성층(40) 및 p형 GaN층(34)이 형성되지 않은 n형 GaN층(20) 상에는 Ti층 및 Al층이 순차적으로 적층된 n형 전극(64)이 형성되어 있다. 그리고, p형 GaN층(34) 상에는 반사막(52), 투명전극(54) 및 와이어 접촉 전극(62)으로 이루어지는 p형 전극(50)이 형성되어 있다. 여기서, 반사막(52)은 p형 GaN층(34) 상의 소정 영역에 1~1000Å의 두께로 형성되며, 알루미늄으로 이루어진다. 반사막(52)은 알루미늄 이외에 금, 또는 은으로 이루어질 수도 있다. 그리고, 투명전극(54)은 반사막(52)을 포함하여 p형 GaN층(34)의 표면을 덮도록 형성되며, 백금으로 이루어진다. 투명전극(54)은 백금 이외에 니켈, 금 또는 팔라디움으로 이루어질 수도 있다. 와이어 접촉 전극(62)은 반사막(52)의 상부에 위치하도록 1 ~ 10000Å의 두께로 투명전극(54) 상에 형성되며, 니켈층 및 금층이 순차적으로 적층되어 이루어진다.

발광 활성층(40)에서 발광되어 나오는 가시광선 영역의 빛은 반사막(52)에 의해 반사되어 다시 발광 활성층(40)으로 보내지게 되고, 이러한 방법으로 보내어진 빛에 의해서 발광 활성층(40)에서 여분의 전자와 정공이 생성되게 되고, 이렇게 생성된 전자와 정공이 재결합하여 발광함으로써 발광다이오드의 발광효율이 증가하게 된다.

이와같이 본 발명의 제1 실시예에 의하면, 와이어 접촉 전극(62)에서 광이 흡수되는 것이 반사막(52)에 의하여 방지되기 때문에 발광효율이 좋을 뿐만 아니라, 반사막(52)에 의하여 반사된 빛이 발광 활성층(40)의 발광에 다시 관여하기 때문에 발광효율이 더욱 크게 증가하게 된다.

도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 질화물계 발광다이오드를 설명하기 위한 단면도이다. 도 1과의 차이점은 투명전극(54)과 반사막(52)의 상하 위치가 뒤바뀌었다는 것이다. 구체적으로, p형 GaN층(34) 상에 바로 투명전극(54)이 형성되며, 반사막(52)은 투명전극(54) 상의 소정영역에 형성되고, 반사막(52) 상에 바로 와이어 접촉 전극(62)이 형성된다는 점이 도 1과의 차이이다. 본 발명의 제2 실시예의 구조에 따르더라도, 제1 실시예의 경우와 동일한 효과를 얻을 수 있다.

도 3a 및 도 3b는 도 1의 질화물계 발광다이오드를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

도 3a는 GaN 핵생성층(20), n형 GaN층(32), 발광 활성층(40), 및 p형 GaN층(34)을 형성하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다. 먼저, 500℃에서 (0001) 사파이어 기판(10) 상에 GaN 핵생성층(20)을 300Å의 두께가 되도록 형성한다. 그 다음에, 1020℃에서 1.5㎛ 두께의 n형 GaN층(32)을 형성하고, GaN층 및 InGaN층이 번갈아 적층된 구조를 갖는 발광 활성층(40)을 1500Å의 두께로 형성한다. 그리고,발광 활성층(40) 상에 p형 GaN층(34)을 0.25㎛의 두께로 형성한다.

여기에서 각각의 층들은 유기금속증착법(metalorganic chemical vapor deposition, MOCVD)을 이용하여 형성하며, 이 때 갈륨, 인듐 및 질소의 소스원료로는 트리메틸갈륨(trimethylgallium: TMGa), 트리메틸인듐(trimethylindium: TRIn) 및 암모니아(NH3)를 각각 사용하였다.

도 3b는 n형 전극(64)과 p형 전극(50)을 형성하여 도 1의 질화물계 발광다이오드를 완성하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다. 먼저, 유도결합형 플라즈마(inductivly coupled plasma) 반응기에서, 메탄(CH4)/염소(Cl2)/수소(H2)/아르곤(Ar)의 공급유량을 8/30/8/16 sccm, 압력을 10mTorr, 온도를 10℃, ICP 출력을 1000W, 그리고 RF 테이블 출력을 100W로 하여, n형 GaN층(32)이 4000Å의 두께만큼 식각될 때까지 p형 GaN층(34), 발광 활성층(40) 및 n형 GaN층(32)을 건식 식각하여 단차부를 형성한다.

다음에, 식각되어 노출된 n형 GaN층(32) 표면에 전자빔 증착법으로 Ti 및 Al을 300Å 및 800Å의 두께 만큼 각각 증착하여 Ti＼Al으로 이루어지는 n형 전극(64)을 형성한 후에, 본 발명이 특징부인 p형 전극(50)을 형성한다.

p형 전극(50)을 형성하는 방법을 구체적으로 설명하면, 먼저, p형 GaN층(34) 상의 소정영역에 전자빔 증착법으로 Al을 80Å의 두께로 증착하여 반사막(52)을 형성한다. 반사막(52)은 400~500nm의 파장범위를 가지는 빛을 90% 이상 반사하기만 하면, Al 이외에 금 또는 은으로 형성하여도 무방하다. 그리고, 그 두께는 1~1000Å의 범위 내라면 무방하다.

다음에, 반사막(52)을 포함하여 p형 GaN층(34)의 표면을 덮도록 백금(Pt)을 80Å의 두께만큼 증착하여 투명전극(52)을 형성한다. 여기서, 투명전극(52)은 백금 이외에 니켈, 금 또는 팔라디움으로 이루어질 수도 있다.

이어서, 반사막(52) 상에 니켈층 및 금층을 300Å 및 800Å의 두께로 순차적으로 형성하고 이를 패터닝하여 반사막(52) 상부에만 위치하는 와이어 접촉 전극(62)을 형성함으로써 p형 전극(50)을 완성한다.

도 3c는 도2의 질화물계 발광다이오드를 완성하는 단계를 설명하기 위한 단면도로서, p형 전극(50)을 형성하는 방법을 제외하고는 도 3b와 동일하다. p형 전극(50)을 형성하는 방법을 구체적으로 설명하면, 먼저, p형 GaN층(34) 상에 투명전극(52)을 형성한 다음에, 투명전극(52) 상의 소정 영역에 반사막(52)을 형성한 후에, 반사막(52) 상에 와이어 접촉 전극(62)을 형성함으로써 p형 전극(50)을 완성한다.

도 4는 반사막이 있는 도 1의 발광다이오드와 반사막이 없는 종래 발광다이오드의 전류-전압 특성 그래프를 각각 나타낸 것이다. 도 4를 참조하면, 구동전류가 20mA일 때, 반사막이 있는 경우와 반사막이 없는 경우의 구동전압은 각각 3.40V 및 3.36V 로써, 서로 비슷한 구동전압을 갖음을 알 수 있다.

도 5는 반사막이 있는 도 1의 발광다이오드와 반사막이 없는 종래 발광다이오드의 발광세기를 각각 나타내는 그래프이다. 여기서, 발광세기는 광검출기와 연결된 실리콘 포토다이오드를 이용하여 발광다이오드의 윗방향으로 방출되어 나오는 빛을 측정하여 얻은 것이다. 도 5를 참조하면, 도 1에 따른 발광다이오드의 발광세기가 훨씬 크다는 것을 알 수 있다.

도 6은 도 5에서 측정된 발광세기로부터 계산된 발광효율을 나타낸 그래프이다. 도 6을 참조하면, 반사막이 없는 경우보다 반사막이 있는 도 1의 경우가 20mA의 구동전류에서 발광효율이 약 2.5배 크다는 것을 알 수 있다.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 질화물계 발광다이오드 및 그 제조방법에 의하면, 와이어 접촉 전극에서 광이 흡수되는 것이 반사막에 의하여 방지되기 때문에 발광효율이 좋을 뿐만 아니라, 반사막에 의하여 반사된 빛이 발광 활성층의 발광에 다시 관여하기 때문에 발광효율이 더욱 크게 증가하게 된다.

본 발명은 상기 실시예들에만 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 많은 변형이 가능함은 명백하다.

Claims (20)

1. 절연기판 상에 형성되는 n형 질화물 반도체층와, 상기 n형 질화물 반도체층의 소정 영역 상에 순차적으로 적층되는 발광 활성층 및 p형 질화물 반도체층와, 상기 발광 활성층 및 p형 질화물 반도체층이 형성되지 않은 상기 n형 질화물 반도체층 표면 상에 형성되는 n형 전극과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되는 p형 전극을 구비하는 질화물계 발광다이오드에 있어서,

   상기 p형 전극이,

   상기 p형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 형성되는 반사막과,

   상기 반사막을 포함하여 상기 p형 질화물 반도체층의 표면을 덮도록 형성되는 투명전극과,

   상기 반사막의 상부에 위치하도록 상기 투명전극 상에 형성되는 와이어 접촉전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드.
2. 제1항에 있어서, 상기 투명전극이 백금, 니켈, 금 또는 팔라디움으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드.
3. 제1항에 있어서, 상기 반사막이 알루미늄, 금 또는 은으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 다이오드.
4. 제1항에 있어서, 상기 와이어 접촉 전극이 니켈층 및 금층이 순차적으로 적층되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 다이오드.
5. 제1항에 있어서, 상기 반사막이 1~1000Å의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 다이오드.
6. 절연기판 상에 형성되는 n형 질화물 반도체층와, 상기 n형 질화물 반도체층의 소정 영역 상에 순차적으로 적층되는 발광 활성층 및 p형 질화물 반도체층와, 상기 발광 활성층 및 p형 질화물 반도체층이 형성되지 않은 상기 n형 질화물 반도체층 표면 상에 형성되는 n형 전극과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되는 p형 전극을 구비하는 질화물계 발광다이오드에 있어서,

   상기 p형 전극이,

   상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되는 투명전극과,

   상기 투명전극 상의 소정 영역에 형성되는 반사막과,

   상기 반사막 상에 형성되는 와이어 접촉 전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드.
7. 제6항에 있어서, 상기 투명전극이 백금, 니켈, 금 또는 팔라디움으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드.
8. 제6항에 있어서, 상기 반사막이 알루미늄, 금 또는 은으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 다이오드.
9. 제6항에 있어서, 상기 와이어 접촉 전극이 니켈층 및 금층이 순차적으로 적층되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 다이오드.
10. 제6항에 있어서, 상기 반사막이 1~1000Å의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 다이오드.
11. 절연 기판 상에 n형 질화물 반도체층, 발광 활성층 및 p형 질화물 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;

    상기 n형 질화물 반도체층이 노출되도록 상기 p형 질화물 반도체층 및 발광 활성층을 순차적으로 식각하는 단계;

    상기 노출된 n형 질화물 반도체층 상에 n형 전극을 형성하는 단계;

    상기 p형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 반사막을 형성하는 단계;

    상기 반사막을 포함하여 상기 p형 질화물 반도체층의 표면을 덮는 투명전극을 형성하는 단계; 및

    상기 반사막 상부에 위치하도록 상기 투명전극 상에 와이어 접촉전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드 제조방법.
12. 제11항에 있어서, 상기 투명전극이 백금, 니켈, 금 또는 팔라디움으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드 제조방법.
13. 제11항에 있어서, 상기 반사막이 알루미늄, 금 또는 은으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 다이오드 제조방법.
14. 제11항에 있어서, 상기 와이어 접촉 전극이 니켈층 및 금층이 순차적으로 적층되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 다이오드 제조방법.
15. 제11항에 있어서, 상기 반사막이 1~1000Å의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 다이오드 제조방법.
16. 절연 기판 상에 n형 질화물 반도체층, 발광 활성층 및 p형 질화물 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;

    상기 n형 질화물 반도체층이 노출되도록 상기 p형 질화물 반도체층 및 발광 활성층을 순차적으로 식각하는 단계;

    상기 노출된 n형 질화물 반도체층 상에 n형 전극을 형성하는 단계;

    상기 p형 질화물 반도체층 상에 투명전극을 형성하는 단계;

    상기 투명전극 상의 소정영역에 반사막을 형성하는 단계; 및

    상기 반사막 상에 와이어 접촉 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드 제조방법.
17. 제16항에 있어서, 상기 투명전극이 백금, 니켈, 금 또는 팔라디움으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드 제조방법.
18. 제17항에 있어서, 상기 반사막이 알루미늄, 금 또는 은으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 다이오드 제조방법.
19. 제18항에 있어서, 상기 와이어 접촉 전극이 니켈층 및 금층이 순차적으로 적층되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 다이오드 제조방법.
20. 제19항에 있어서, 상기 반사막이 1~1000Å의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 다이오드 제조방법.