KR100363090B1 - 개구부용 포토마스크의 불투명 결함 수리 방법 - Google Patents

Abstract

개구부용 포토마스크에 발생한 불투명 결함의 수리 방법에 관해 개시한다. 본 발명에 따른 포토마스크 결함의 수리 방법은 전-식각 단계에 의해 결함의 두께를 낮춘 후, 광투과부 영역내의 전-식각된 결함이 형성되어 있는 영역을 제외한 영역에만 선택적으로 보정막을 형성한 다음 보정막 및 전-식각된 결함을 동시에 식각하여 불투명 결함을 수리한다. 본 발명의 수리 방법에 따르면, 포토마스크의 불투명 결함을 높은 정확도로 수리할 수 있다.

Description

개구부용 포토마스크의 불투명 결함 수리 방법{Method for repairing opaque defect on photomask defining opening}

본 발명은 포토마스크의 결함 수리 방법에 관한 것으로, 특히 개구부용 포토마스크의 불투명 결함을 수리하는 방법에 관한 것이다.

집적회로 제조 공정은 일반적으로 반도체 기판의 표면에 회로 소자들을 형성하기 위하여 실시하는 다수의 사진 식각 공정을 포함한다. 특히, 고집적 회로를 신뢰도 높은 사진 식각 공정으로 형성하기 위해서는 포토마스크가 미세 패턴을 정의할 수 있어야 하며, 결함이 없게 형성되어야 한다. 포토마스크내에 발생하는 결함은 크게, 투명 결함(clear defect)과 불투명 결함(opaque defect)으로 나눌 수 있다. 투명 결함이란 패턴의 일부 영역이 손실된 경우를 지칭한다. 반면, 불투명 결함(30)은 도 1에 도시되어 있는 바와 같이 차광 물질 패턴 또는 위상 반전 물질 패턴들(20)에 의해 정의되며 개구부 이미지를 전사하기 위한 광투과부(25)에 차광 물질막 또는 위상 반전 물질이 잔존하는 것을 지칭한다.

불투명 결함을 수리하기 위하여 널리 사용되는 방법중의 하나가 FIB(focused ion beam)를 이용하는 방법이다. FIB를 이용하는 방법은 도 2에 도시되어 있는 바와 같이 불투명 결함(30)에만 FIB(40)를 조사하여 결함을 식각해서 제거한다.

그런데, 도 3에 도시되어 있는 바와 같이, 종래의 방법에 따라 불투명 결함(30)에만 FIB를 조사하여 결함을 제거할 경우 불투명 결함의 가장자리를 따라서 강바닥(River-bed)과 같은 형상의 리세스된 영역(R)이 형성된다. 이는 불투명 결함(30)을 식각하는 동안 결함(30) 가장 자리 부분의 기판(10) 또한 동시에 식각 공정에 노출되기 때문에 발생하는 현상이다. 이러한 현상은 불투명 결함(30)의 측벽 프로파일이 도 2에 도시되어 있는 바와 같이 완전히 수직이 아니라 경사면을 가지는 경우 더욱 심화된다. 또, 불투명 결함을 식각할 때 사용했던 이온이 광투과부(25)의 기판(10) 표면에 남아 형성한 이온 얼룩을 제거하기 위하여 실시하는 오버 에칭에 의해 리세스된 영역(R)의 깊이는 더욱 깊어지고 광투과부(25) 내의 결함이 존재했던 기판 영역과 정상 기판 영역간에는 큰 단차(d)가 발생한다.

따라서 종래의 방법에 의해 수리된 포토마스크를 사용하면 리세스된 영역(R)에서 빛의 산란이 일어나고, 단차(d)로 인해 위상 차이가 발생하여, 광투과부(25)를 투과하는 광의 투과율이 저하된다. 이러한 현상은 일정한 광 투과율을 유지해야 하고 임계 치수의 여유도(CD margin)가 작은 개구부용 포토마스크에서 더욱 심각해진다. 따라서, 종래의 방법으로 수리된 개구부용 포토마스크를 사진 식각 공정에 사용하는 것이 거의 불가능한 경우가 많이 발생한다.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 광투과부 내의 결함이 발생했던 기판 영역과 정상 기판 영역간의 단차 발생을 최소화하고 강바닥 현상의 발생을 방지할 수 있는 포토마스크의 결함 수리 방법을 제공하는 것이다.

도 1은 불투명 결함이 발생한 개구부용 포토마스크의 사시도이다.

도 2 내지 도 3은 도 1에 도시된 포토마스크의 불투명 결함을 수리하는 종래의 방법을 설명하기 위한 단면도들로 도 1의 II-II'선을 따라 자른 단면도들이다.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 의해 수리될 불투명 결함이 형성된 포토마스크의 사시도이다.

도 5a 내지 도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따라 포토마스크의 결함을 수리하는 공정 중간 단계를 각각 도시하는 도면들로, 각 공정 단계의 포토마스크의 단면도는 a로 사시도는 b로 표시되어 있다.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따라 수리된 포토마스크의 AFM(Atomic Force Microscope) 이미지를 나타내는 도면이다.

도 9는 종래의 방법에 의해 수리된 포토마스크의 AFM 미지를 나타내는 도면이다.

도 10은 전-식각 없이 보정막만을 증착한 후 식각 공정을 실시하여 수리된 포토마스크의 AFM 이미지를 나타내는 도면이다.

도 11a 내지 도 11d는 각각 0.36㎛, 0.33㎛, 0.30㎛ 및 0.27㎛ 크기의 콘택홀을 정의하는 포토마스크로, 본 발명에 따라 수리된 포토마스크와 정상 포토마스크를 사용하여 형성한 콘택홀의 임계 치수를 측정한 결과를 나타내는 그래프들이다.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 수리 방법에 의해 수리되는 포토마스크는 빛에 대해 투명한 기판 및 상기 기판상에 형성되고 개구부 이미지를 전사하기 위한 소정 크기의 광투과부를 정의하는 물질막 패턴을 구비하는 포토마스크로, 상기 광투과부내에 상기 물질막으로 이루어진 불투명 결함이 발생한 포토마스크이다.

본 발명에 따른 수리 방법은 전-식각 단계, 보정막 형성 단계 및 최종 식각 단계로 구성된다. 전-식각 단계에서는 상기 결함을 일부 식각하여 결함의 두께를 낮춘다. 보정막 형성 단계에서는 상기 광투과부 내의 상기 전-식각된 결함이 형성되어 있는 영역을 제외한 영역에만 선택적으로 보정막을 형성한다. 최종 식각 단계에서는 상기 광투과부 영역만 식각하여 상기 보정막 및 상기 전-식각된 결함을 동시에 제거함으로써 상기 보정막과 상기 전-식각된 불투명 결함을 완전히 제거한다.

바람직하기로는 전-식각 단계는 광투과부 전면에 대해서 실시한다. 그리고, 상기 광투과부는 원 평면이 사각형이고, 상기 최종 식각 단계는 상기 사각형 모양을 따라 진행하는 것이 바람직하다.

본 발명의 수리 방법에 따르면, 결함을 완전히 제거함과 동시에 광투과부내의 결함이 발생했던 기판 영역과 정상 기판 영역간의 단차 발생을 방지할 수 있다.

이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써 본 발명을 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록하며, 통상의 지식을 가진자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 첨부된 도면에서 여러 막과 영역들의 두께 및 광투과부의 크기는 명료성을 위해서 강조되었다. 그리고 FIB는 포커싱(focusing) 전자기장 또는 콜리메이팅(collimating) 전자기장과 같은 전자기장에 의해 집속된(shaped) 이온 빔을 지칭한다. 도면에서 동일 참조 부호는 동일 부재를 나타낸다.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 수리될 불투명 결함(130)이 발생한 포토마스크의 사시도이다. 포토마스크 기판(110)상에 개구부 이미지를 전사하기 위한 소정 크기의 광투과부(125)를 정의하는 물질막 패턴(120)이 형성되어 있다. 그리고, 광투과부(125) 내에 원하지 않는 불투명 결함(130) 또한 형성되어 있다.

포토마스크 기판(110)은 빛에 대해 투명한 물질 예컨대, 석영 또는 유리로 형성된다. 물질막 패턴(120)은 포토마스크가 통상의 포토마스크일 경우에는 차광 물질로, 위상 반전 포토마스크일 경우에는 위상 반전 물질로 형성된다. 차광 물질로는 빛에 대한 투과율이 5%이하인 저투과율 물질, 예컨대, 크롬, 몰리브덴, 또는 알루미늄 등이 사용된다. 위상 반전 물질로는 CrO, CrON, CrOCN, MoSiO, MoSiON 또는 WSix 등이 사용된다.

포토마스크에 결함이 발생되었는지 여부는 제조된 포토마스크와 모델 포토마스크를 비교하여 검출한다. 포토마스크에 결함이 발생했는지 여부를 검출하는 방식으로는 직접적인 방식과 간접적인 방식이 있다.

간접적인 방식은 먼저 제조된 포토마스크를 사용하여 웨이퍼상에 포토레지스트 패턴을 형성한다. 이렇게 형성된 포토레지스트 패턴의 이미지를 주사 전자 현미경과 같은 장치에서 모델 포토마스크를 사용하여 형성한 포토레지스트 패턴의 이미지와 비교하여 결함의 발생 여부와 발생 위치를 결정한다. 결정된 결함의 좌표를 기록한 후, 포토마스크를 포토마스크 수리 장치내에 위치시켜 결함을 수리한다. 그런데 이 방법은 포토레지스트에 전사될 수 있는 결함만 검출할 수 있다는 단점이 있다.

이와는 달리 직접적인 방식은 포토마스크상에서 직접 검출하는 방식이다. 이 때, 검출 장치는 수리 장치와 분리되어 있을 수도 있고, 함께 결합되어 존재할 수도 있다. 결함 검출 장치와 결함 수리 장치가 함께 결합되어 있는 FIB 장치를 예로 들어 설명하면, 금속 이온 소스, 예컨대 갈륨(Ga) 이온 소스로부터 방출되는 이온 빔을 소정의 광학 장치를 이용하여 포토마스크상에 조사한다. 포토마스크로부터 방출된 2차 대전 입자들(a secondary charged particles)(2차 전자, 2차 이온 등)을 검출기가 포착하여 스캐닝된 이온 이미지를 형성한다. 스캐닝된 이온 이미지를 미리 저장된 모델 이미지와 비교하여, 결함이 발생하였는지 여부 및 결함 발생 위치를 결정한다. 검출된 정보를 사용하여 수리되어야 할 결함이 형성되어 있는 영역을 이온 빔이 조사되는 부위에 위치시킨다.

즉, FIB 장치가 불투명 결함의 좌표를 확인하면 먼저 도 5a에 도시되어 있는 바와 같이 불투명 결함(130)이 형성된 영역을 FIB 조사부 아래에 위치시킨 후, FIB(140)를 불투명 결함(130)에 조사하는 전-식각(pre-etching) 단계를 실시한다. 도 5a는 도 4의 V-V'선을 따라 자른 단면도이다.

전-식각 단계는 불투명 결함(130)의 두께를 낮추기 위해서 실시한다. 만약 불투명 결함(130)의 두께를 낮추지 않고 직접 보정막을 형성한 후 FIB를 사용하여 한번의 식각 공정만을 실시하여 불투명 결함(130)을 제거하면 불투명 결함(130)의 가장자리 부위에 불투명 결함이 일부 잔류하게 된다. 그 이유는 FIB 장치의 이미지 해상도의 한계와 보정막 증착 정확도의 한계로 인하여 보정막이 불투명 결함(130)과의 인접부에서 오버랩되어 형성되기 때문이다. 따라서, 전-식각에 의해 불투명 결함(130)의 두께를 낮추는 것이 필수적으로 요구된다.

전-식각은 불투명 결함(130)을 포함한 광투과부(125) 전면에 걸쳐 진행하는 것이 바람직하다. 불투명 결함(130)부위로만 한정하여 식각을 진행하는 것보다 광투과부(125) 전면에 걸쳐 식각하는 것이 식각 여유도가 있기 때문이다. 불투명 결함(130) 부위에만 한정하여 식각하는 경우보다 광투과부(125) 전면에 걸쳐 식각을 할 경우에 광투과부(125)내의 불투명 결함(130)이 형성되어 있지 않은 기판(110) 영역 표면에 손상이 발생하나 이는 최종 식각 공정시 보상될 수 있다. 전-식각을 실시한 결과 두께가 T 만큼 낮아진 불투명 결함(130a)을 포함하는 포토마스크가 도 5b에 도시되어 있다. 낮아지는 두께 T는 후속 보정막(도 6b의 160) 증착 공정의 여유도 및 최종 식각 공정의 공정 변수 설정의 용이성을 고려하여 설정한다. 바람직하기로는 전-식각전의 불투명 결함(130) 두께의 1/5 이하 범위내가 적당하다.

전-식각후, 도 6a에 도시되어 있는 바와 같이, 광투과부(125)내의 전-식각된 결함(130a)이 형성되어 있는 영역을 제외한 영역에만 선택적으로 소정의 물질(150)을 증착하여 보정막(도 6b의 160)을 형성한다. 보정막(160)은 FIB 유도 증착법에의해 형성하는 것이 바람직하다. 보정막(160)을 구성하는 물질의 식각률과 두께는 전-식각되어 잔류하는 불투명 결함(130a)의 두께 및 불투명 결함(130a)을 구성하는 물질의 식각률을 고려하여 선택되어져야 한다. 적절한 식각률과 두께를 설정해야만 전-식각된 불투명 결함(130a)과 보정막(160)이 후속의 최종 식각 공정에 의해 기판으로부터 동시에 완전히 제거될 수 있으며, 광투과부(125)내의 결함이 발생했던 기판 영역과 정상 기판 영역간의 단차 발생을 최소화할 수 있다. 바람직하기로는 보정막(160)의 식각률은 물질막 패턴(120) 식각률의 1배 내지 1.5배인 식각률을 가지는 물질로 형성한다. 물질막 패턴(120)이 크롬으로 구성되어 있을 경우에는 탄소(150)를 사용하는 것이 바람직하다.

이어서, 도 7a에 도시되어 있는 바와 같이 광투과부(125) 전면에 걸쳐 FIB(170)를 조사하여 최종 식각 공정을 진행하여 전-식각된 불투명 결함(130a) 및 보정막(160)을 동시에 제거한다. 앞서 설명한 바와 같이, 전-식각된 불투명 결함(130a) 및 보정막은 일정시간 식각 공정을 진행하면 광투과부(125)의 기판(110) 표면으로부터 동시에 제거될 수 있도록 두께 및 식각률이 설정되어 있다. 따라서, 미리 설정된 식각 시간 동안 최종 식각 공정을 진행하면 도 7b에 도시되어 있는 바와 같이 광투과부(125)내의 보정막(160) 및 전-식각된 불투명 결함(130a)이 완전히 제거됨과 동시에 기판 표면에 단차가 발생하지 않게 된다. 즉, 종래의 수리 방법에서 발생하던 강바닥 현상과 같은 손상이 발생하지 않는다.

또, 광투과부의 원래 평면은 주로 사각형으로 형성된다. 광투과부에 의해 정의되는 개구부가 주로 콘택홀 또는 비아등을 형성하는데 사용되는 것이므로 접촉면을 최대로 하기 위해서 사각형으로 형성되는 것이다. 따라서, 최종 식각 단계 또한 FIB를 사용하여 사각형 모양의 광투과부를 따라 스캐닝하여 진행하는 것이 바람직하다. 이렇게 사각형 모양으로 최종 식각 공정을 진행하면, 전-식각시 기판 표면에 발생한 손상에 의해 광투과부(125)를 통과하는 광투과율이 감소하는 것을 보상할 수 있다. 구체적으로, 실제 결함이 발생하지 않은 정상적인 포토마스크의 개구부 이미지를 전사하기 위한 광투과부는 포토마스크를 형성하는데 사용되는 빔 형태의 한계에 의해 완전한 사각형으로 형성되는 것이 아니라 사각 코너 부분이 라운드져서 형성된다. 그러므로 라운드진 영역만큼 광투과율이 감소한다. 반면 본 발명에 의해 결함이 수리된 광투과부는 최종 식각 단계에서 FIB를 사용하여 사각형 형태로 스캐닝하여 결함을 수리한 것이므로 광투과부의 평면이 완전한 사각형을 나타내게 된다. 따라서, 정상적인 포토마스크와 달리 빛이 네 코너 부분을 투과하게 된다. 따라서, 전-식각 공정시 기판 표면에 형성된 손상으로 인한 투과율의 감소를 충분히 보상할 수 있다. 그러므로, 본 발명에 따라 수리된 포토마스크의 광투과부를 투과하는 광투과율은 정상적인 포토마스크의 광투과율보다 크거나 같다.

이어서, 도면에는 도시되어 있지 않지만, 세정액을 처리하여 기판(110) 표면에 형성된 이온 얼룩을 제거한다. 이 단계에서 광투과부(125)의 기판(110) 표면은 약간 오버 에칭된다. 오버 에칭되더라도 광투과율에는 변화가 없다.

본 발명에 따라 포토마스크를 수리하면 광투과부내의 결함이 발생한 기판 영역과 결함이 발생하지 않은 기판 영역간의 단차가 거의 없다. 또, 전-식각 공정에 의해 발생한 결함에 의해 광 투과율 저하가 발생하더라도 이를 사각으로 식각하는최종 식각 공정에 의해 보상할 수 있으므로 전체적인 광 투과율의 저하 또한 발생하지 않는다. 그리고, 전-식각 공정을 실시한 후에 보정막을 형성하기 때문에 수리된 광투과부에 결함이 잔류하지 않고 완전히 제거된다.

본 발명은 하기의 실험예를 참고로 더욱 상세히 설명되며, 이 실험예가 본 발명을 제한하려는 것은 아니다.

<실험예 1>

1.0㎛ ×1.0㎛ 크기의 콘택홀 이미지를 정의하는 복수개의 광투과부를 구비하며, 하나의 광투과부내에 700Å 두께의 불투명 결함이 발생한 포토마스크 3매를 준비하였다.

1매는 본 발명의 수리 방법에 따라 FIB를 0.1CnC/㎛²의 도우즈로 조사하여 광투과부 전면에 대하여 전-식각을 실시하여 불투명 결함을 약 100Å 식각한 후, FIB 장치를 이용하여 결함이 존재하지 않는 광투과부 영역에만 탄소막을 증착하여 보정막을 형성하였다. 계속해서, FIB를 0.35nC/㎛²의 도우즈로 조사하면서 보정막과 결함이 형성되어 있는 광투과부를 사각형 모양으로 스캐닝하여 광투과부 기판상의 결함 및 보정막을 완전히 식각하여 결함을 수리하였다. 이어서, 결함이 수리된 포토마스크의 AFM 이미지를 측정하였다. 그 결과가 도 8에 도시되어 있다.

다른 1매는 비교예로서 종래의 방법에 따라 결함 부위에만 FIB를 0.5nC/㎛²의 도우즈로 조사하여 결함을 수리한 후 AFM 이미지를 측정하였다. 그 결과가 도 9에 도시되어 있다.

또 다른 1매는 전-식각 공정의 유, 무에 따른 효과를 확인하기 위한 비교예로서, 결함을 전-식각하지 않고, 광투과부 영역내의 결함 부위를 제외한 영역에 보정막인 탄소막을 형성한 후, 결함 및 보정막이 형성되어 있는 광투과부 영역에 FIB를 0.35nC/㎛²의 도우즈로 조사하면서 스캐닝하여 결함을 수리한 후 AFM 이미지를 측정하였다. 그 결과가 도 10에 도시되어 있다.

도 8의 A 영역과 같이 본 발명에 따른 방법으로 포토마스크의 불투명 결함을 수리할 경우 광투과부의 기판상에 단차가 발생하지 않고 결함이 완전히 제거됨을 알 수 있다.

반면, 종래의 방법으로 포토마스크를 수리할 경우에는 도 9에 도시되어 있는 B영역과 같이 강바닥 현상이 발생함을 알 수 있다.

또, 도 10의 결과로부터 전-식각 공정 없이 보정막만을 형성한 후 식각할 경우에는 C 영역과 같이 광투과부의 기판상에 결함이 일부 잔류함을 알 수 있다.

이로부터 본 발명과 같이 전-식각, 보정막 형성 및 최종 식각을 차례대로 실시할 경우에만 결함을 완전히 제거할 수 있고 광투과부의 기판내에 단차가 발생하지 않음을 알 수 있다.

<실험예 2>

0.36㎛×0.36㎛ 크기의 콘택홀을 웨이퍼상에 정의하는 광투과부로 실제 마스크내의 크기는 1.44×1.44㎛인 복수개의 광투과부를 구비하며, 이중 3개의 광투과부에 결함이 발생한 포토마스크룰 실험예 1의 본 발명에 따른 수리 방법으로 수리하였다. 이어서, 사진 식각 공정을 실시하여 포토레지스트 패턴을 형성하였다. 사진 식각 공정은 다음과 같이 실시하였다. 먼저, 복수개의 웨이퍼상에 각각 1㎛의 포토레지스트막을 도포한 후, 정상 마스크 1매와 본 발명의 수리 방법으로 수리된 포토마스크를 사용하고, 노광원으로는 i-라인 스테퍼(개구수:0.65, σ:0.52)를 사용하고, 노광원의 포커스를 0, ±0.2㎛, ±0.4㎛ 으로 다르게 하여 포토레지스트를 노광 현상하여 콘택홀을 정의하는 포토레지스트 패턴을 형성하였다. 이렇게 형성된 포토레지스트 패턴에 의해 정의되는 콘택홀의 임계 치수를 측정하였다. 측정된 결과가 도 11a에 도시되어 있다. 도 11a에서 -◆-는 정상 마스크를, - ■-, - ▲-, - ×-는 각각 본 발명에 따라 수리된 첫번째, 두번째 및 세번째 광투과부에 의해 정의된 콘택홀을 나타낸다. 도 11a의 결과로부터 알 수 있듯이 본 발명에 따라 수리된 포토마스크의 경우 정상적인 포토마스크와 동일한 포커스 여유도를 가지며, 임계 치수의 편차 범위도 10nm 내로 매우 양호함을 알 수 있었다. 이로부터 본 발명에 따라 포토마스크의 결함을 수리할 경우 콘택홀을 정의하는 광투과부의 기판 표면에 단차가 발생하지 않음을 알 수 있고, 최종 식각 공정을 사각형 모양으로 스캐닝하여 실시하기 때문에 광 투과율의 저하 또한 방지할 수 있음을 알 수 있다.

도 11b 내지 도 11d는 한 변의 크기가 각각 0.33㎛, 0.30㎛ 및 0.27㎛ 인 콘택홀을 정의하는 다른 포토마스크를 사용하였다는 점을 제외하고는 0.36㎛ 크기의 콘택홀을 정의하는 콘택홀 포토마스크의 수리 방법과 동일한 방법으로 포토마스크의 결함을 수리하고 포토레지스트 패턴을 형성한 후, CD를 측정한 결과를 나타내는 그래프들이다. 도 11b 내지 도 11d의 결과 로부터 본 발명에 따른 수리 방법은 작은 크기의 콘택홀을 정의하는 포토마스크에 발생한 결함 또한 완전히 제거할 수 있고 포토마스크의 광 투과율을 정상적인 포토마스크와 거의 동일하게 유지할 수 있음을 알 수 있다.

본 발명에 따르면, 포토마스크에 발생한 결함을 전-식각 단계, 보정막 형성 단계 및 최종 식각 단계의 3 단계 공정으로 제거한다. 전-식각 단계를 실시함으로써 결함이 광투과부의 기판 영역상에 잔류하는 것을 방지할 수 있고, 보정막을 형성한 후, 광투과부 전면에 대해 식각을 실시하여 보정막 및 결함을 동시에 제거하기 때문에 광투과부의 기판에 단차가 발생하지 않는다. 또, 최종 식각 공정을 사각형 형태로 실시하기 때문에 광 투과율 또한 정상적인 포토마스크와 동일하게 유지할 수 있다.

그러므로, 본 발명에 의해 수리된 포토마스크를 사용하여 사진 식각 공정을 실시하면, 원하는 임계 치수의 프로파일이 우수한 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다.

Claims (7)

1. 빛에 대해 투명한 기판 및 상기 기판상에 형성되고 개구부 이미지를 전사하기 위한 소정 크기의 광투과부를 정의하는 물질막 패턴을 구비하는 포토마스크로, 상기 광투과부내에 상기 물질막으로 이루어진 불투명 결함이 발생한 포토마스크를 제공하는 단계;

   상기 결함을 일부 식각하여 결함의 두께를 낮추는 전-식각 단계;

   상기 광투과부내의 상기 전-식각된 결함이 형성되어 있는 영역을 제외한 영역에만 선택적으로 상기 물질막 식각률의 1배 내지 1.5배인 식각률을 가지는 물질을 사용하여 보정막을 형성하는 단계; 및

   상기 광투과부 영역에만 식각 공정을 실시하여 상기 보정막 및 상기 전-식각된 결함을 동시에 제거함으로써 상기 보정막과 상기 전-식각된 불투명 결함을 완전히 제거하는 최종 식각 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 결함 수리 방법.
2. 제 1항에 있어서, 상기 전-식각 단계는 광투과부 전면에 대해 식각 공정을 실시하여 상기 결함을 일부 제거하는 단계인 것을 특징으로 하는 포토마스크 결함 수리 방법.
3. 제 1항에 있어서, 상기 전-식각시 제거되는 불투명 결함의 두께는 원 불투명 결함 두께의 1 /5 이하인 것을 특징으로 하는 포토마스크 결함 수리 방법.
4. 삭제
5. 제 1항에 있어서, 상기 보정막을 구성하는 물질은 탄소인 것을 특징으로 하는 포토마스크 결함 수리 방법.
6. 제1항에 있어서, 상기 광투과부의 원래 평면은 사각형이고, 상기 최종 식각 단계는 상기 사각형 모양을 따라 진행하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 결함 수리 방법.
7. 제1항에 있어서, 상기 최종 식각 단계 후에 상기 기판의 표면에 잔존하는 상기 이온의 얼룩을 제거하기 위한 세정 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 결함 수리 방법.