KR100360854B1 - Plasma used surface modification apparatus - Google Patents
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Abstract
직류 또는 고주파 전력을 통한 반응성 가스의 플라즈마를 이용하여 시료기판상에 특정 성질을 가지는 고분자 중합물을 형성함으로써, 시료기판의 표면을 처리하는 장치에 관한 것으로, 상기 장치는, 직류전압 또는 고주파 펄스 전압이 인가되어 + 또는 -로 바이어스되는 애노드(anode, +극) 또는 능동전극(active electrode)과 상기 애노드 또는 능동전극에 대응하여 접지된 캐소드(cathode, -극) 또는 수동전극(passive electrode)으로 이루어지는 전극부, 챔버, 진공펌프, 전력공급부 및 반응성 가스주입부 이외에, 장치의 챔버 내부의 불순물을 제거할 수 있는 불순물제거를 위한 필터부를 구비하는 것을 특징으로 한다. 챔버 내부의 불순물을 제거함으로써, 진공이 아닌 대기압상태에서도 고분자 중합체 합성이 가능하고, 청정 공기를 반응성 가스로 사용함으로써, 진공유지 장치가 필요 없어 장비의 구성이 간단하고 장치의 제작비용을 절감할 수 있다.The present invention relates to an apparatus for treating a surface of a sample substrate by forming a polymer polymer having a specific property on a sample substrate by using a plasma of a reactive gas through direct current or high frequency electric power. An electrode made of an anode or an active electrode applied and biased to + or-and a cathode or positive electrode grounded to correspond to the anode or the active electrode. In addition to the unit, the chamber, the vacuum pump, the power supply unit and the reactive gas injection unit, characterized in that it comprises a filter for removing impurities that can remove impurities in the chamber of the device. By removing impurities in the chamber, it is possible to synthesize polymers at atmospheric pressure instead of vacuum, and by using clean air as a reactive gas, it is not necessary to maintain a vacuum device, thus simplifying the construction of equipment and reducing the manufacturing cost of the device. have.
Description
본 발명은 직류 또는 고주파 플라즈마를 이용하여 특정 성질을 가지는 중합막을 시료에 증착함으로써 시료기판의 표면을 처리하는 표면처리장치에 관한 것으로서, 특히 장치 챔버 내부의 불순물 제거를 위한 필터부를 구비함으로써, 진공상태가 아닌 대기압에서도 고분자 중합체를 합성할 수 있는 플라즈마를 이용한 표면처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a surface treatment apparatus for treating the surface of a sample substrate by depositing a polymer film having a specific property on a sample by using a direct current or a high frequency plasma. The present invention relates to a surface treatment apparatus using plasma capable of synthesizing a polymer even at atmospheric pressure.
종래 기술에 의하면, 고분자 중합체를 합성하여 표면을 개질시키기 위하여 높은 에너지(수십 keV ∼ 수MeV)를 이용한 이온주입(ion implantation)이나 이온빔 조사(ion irrsdiation)방법을 이용하거나, 비교적 낮은 에너지(0∼수keV)의 입자를 생성하는 이온원(ion source)을 이용하는 이온빔 스퍼터링(ion beam sputtering deposition)이나 다중 이온원 증착(multi ion beam deposition) 또는 이온도움 증착(ion assisted deposition)을 이용하였다.According to the related art, in order to synthesize the polymer and modify the surface, ion implantation or ion beam irradiation using high energy (tens of keV to several MeV) is used, or relatively low energy (0 to 0). Ion beam sputtering, multi ion beam deposition, or ion assisted deposition using an ion source that produces particles of several keV was used.
그러나 이러한 방법은 비교적 높은 에너지와 저진공상태를 요구하기 때문에, 고분자의 합성이 용이하지 않고, 소요되는 비용이 높은 단점이 있었다.However, since this method requires a relatively high energy and low vacuum state, the synthesis of the polymer is not easy and the cost required is high.
이에 대하여 낮은 에너지와 저진공상태에서 시료기판위에 고분자 중합체를 형성시킴으로써 시료기판의 표면을 처리할 수 있는 플라즈마를 이용한 표면처리방법이 개발되었다. 상기 방법에서는, 합성하고자 하는 물질의 모노머(monomer)들로된 반응성 가스를 일정량 챔버 내부로 주입하고, 진공을 인가한 후 전력공급부를 사용하여 직류 또는 고주파로 방전시키면, 그 반응성 가스의 플라즈마가 발생하고, 그 중 소정의 이온들이 시료기판 또는 전극으로 이동하여 그 위에 소정의 고분자 중합체를 합성시킨다. 이때, 반응가스의 종류, 직류전류· 전압, 고주파전력 또는 증착시간 등에 따라 여러 가지 다양한 화학결합이 이루어져, 표면강도, 접착· 흡착, 친수· 소수성과 같은 필요한 물성을 가지는 고분자 중합물을 시료표면에 증착시킴으로써, 시료기판의 고유한 성질에는 영향을 주지 않고 시료표면을 개질시킬 수 있다.On the other hand, the surface treatment method using plasma which can process the surface of a sample board by forming a polymer polymer on a sample board in low energy and low vacuum state was developed. In the above method, when a reactive gas made of monomers of a material to be synthesized is injected into a chamber, a vacuum is applied, and then discharged at a direct current or high frequency using a power supply unit, plasma of the reactive gas is generated. Then, predetermined ions are moved to the sample substrate or the electrode to synthesize a predetermined polymer thereon. At this time, various chemical bonds are made according to the type of reaction gas, DC current, voltage, high frequency power, or deposition time to deposit a polymer polymer having required physical properties such as surface strength, adhesion, adsorption, hydrophilicity, and hydrophobicity on the sample surface. In this way, the sample surface can be modified without affecting the inherent properties of the sample substrate.
이러한 플라즈마를 이용한 고분자 중합체 합성에 사용되는 장치는 일반적으로, 챔버, 전극, 직류 또는 고주파 전력공급부, 반응성가스 주입구, 진공펌프 및 진공도 측정수단 등으로 이루어진다.The apparatus used for synthesizing the polymer using the plasma generally includes a chamber, an electrode, a direct current or high frequency power supply unit, a reactive gas inlet, a vacuum pump, and a vacuum degree measuring unit.
이러한 장치의 일 실시예가 도 1에 도시되어 있으며, 챔버(1), 전력공급부(3), 전극(4), 유확산펌프(5) 및 로터리펌프(6)로 이루어진 진공펌프, 챔버 내부의 진공도를 측정하기 위한 열전쌍 진공계(7)와 이온 게이지(8), 반응성 가스를 주입하기 위한 주입 포트(9, 10)로 이루어져 있다.One embodiment of such a device is shown in FIG. 1, a vacuum pump consisting of a chamber 1, a power supply 3, an electrode 4, a diffusion pump 5 and a rotary pump 6, and a degree of vacuum inside the chamber. It consists of a thermocouple vacuum gauge (7) for measuring the ion gauge (8) and injection ports (9, 10) for injecting reactive gases.
상기 장치를 이용하여 시료(2)에 고분자 중합물을 증착하기 위하여, 챔버(1) 내부에 시료 (2)를 설치하고 로터리 펌프(6)와 유확산펌프(5)를 기동시켜 챔버 내부의 압력을 챔버 위에 부착된 열전쌍 진공계(thermocouple gauge, 7)와 이온 게이지 (ion gauge, 8)로 확인하면서 10-3Torr 이하로 유지시킨다. 시료는전력공급부(3)에 의하여 애노드 (+) 또는 캐소드 (-)로 바이어스 (bias)된 곳에 위치시키고, 반대쪽 전극(4)은 접지되어 있다, 챔버의 압력이 일정 진공도로 유지되면, 소정양의 아세틸렌과 질소와 같은 반응성 가스가 주입 포트(9, 10)를 통하여 챔버 내부로 주입되고, 이어서 전력공급부(3)를 사용하여 기판에 소정 전력을 인가함으로써 반응성 가스를 방전시킨다. 그러면, 직류 또는 고주파에 의하여 발생된 플라즈마 내에서 반응가스들의 분자결합이 끊어지게 되고, 끊어진 체인과 활성화된 양이온 또는 음이온들이 결합하여 전극 사이에 위치하는 시료기판 표면에 고분자 중합체가 형성되며, 고전위를 가지는 시료기판에는 주로 음이온들이 고분자 중합체 합성에 도움을 주며, 저전위를 가지는 시료기판 또는 전극에는 주로 양이온들이 도움을 준다. 이 때, 기판은 주로 알루미늄(Aℓ)을 사용하였으나, 금속 이외의 절연체, 세라믹스 또는 고분자도 가능하다. 또한, 전극 사이에서 시료기판의 위치를 변경시킴으로써 증착되는 고분자의 종류를 변경시킬 수 있으며, 접지된 두 전극 사이에 시료기판을 위치시키는 대신, 전극중 하나를 시료기판으로 대체시켜 시료기판에는 전력을 인가하고 나머지 전극은 접지시키는 것도 가능하다.In order to deposit the polymer polymer on the sample 2 using the apparatus, the sample 2 is installed inside the chamber 1, and the rotary pump 6 and the diffusion pump 5 are started to increase the pressure inside the chamber. Maintain below 10 -3 Torr, checking with a thermocouple gauge (7) and ion gauge (8) attached to the chamber. The sample is placed at the anode (+) or cathode (-) biased by the power supply unit 3, and the opposite electrode 4 is grounded. When the pressure in the chamber is maintained at a constant vacuum, a predetermined amount Reactive gas, such as acetylene and nitrogen, is injected into the chamber through the injection ports 9 and 10, and then the reactive gas is discharged by applying a predetermined power to the substrate using the power supply unit 3. Then, the molecular bonds of the reaction gases in the plasma generated by direct current or high frequency are broken, and the broken chain and the activated cations or anions are bonded to form a polymer polymer on the surface of the sample substrate positioned between the electrodes. Anion helps the synthesis of the polymer polymer mainly in the sample substrate having a, and cations mainly help the sample substrate or the electrode having a low potential. At this time, the substrate mainly used aluminum (Al), but insulators, ceramics, or polymers other than metal may be used. In addition, the type of polymer deposited can be changed by changing the position of the sample substrate between the electrodes. Instead of placing the sample substrate between the two grounded electrodes, one of the electrodes is replaced with a sample substrate to supply power to the sample substrate. It is also possible to apply and ground the remaining electrodes.
이러한 종래의 장치를 이용하여 고분자 중합체 형성하는 경우, 챔버를 진공상태로 만드는 것은 챔버 내부 공기 중에 존재하는 불순물로 인하여 합성되는 중합체의 조성이 변화하는 것을 방지하기 위해서이다. 즉, 주어진 반응가스와 다른 종류의 가스 또는 입자들이 존재하면 원하는 상태의 처리를 하기 어렵다. 이러한 이유로 챔버 내부를 진공시킨 후에 반응성 가스를 주입하면, 챔버 내부에 원하는 반응성 가스만 순수하게 존재하게 됨으로써, 원하는 고분자 중합체를 형성시킬 수 있는 것이다. 따라서, 챔버 내부의 공기 중에 있는 불순물을 제거할 수만 있다면, 진공에 필요한 장치가 필요 없게 되어 장치의 구성을 간단하게 할 수 있을 것이다.In the case of forming a polymer polymer using such a conventional apparatus, the chamber is vacuumed in order to prevent the composition of the polymer to be synthesized due to impurities present in the air inside the chamber. In other words, if there are different kinds of gases or particles from a given reaction gas, it is difficult to process the desired state. For this reason, if a reactive gas is injected after vacuuming the inside of the chamber, only the desired reactive gas is purely present in the chamber, thereby forming a desired polymer. Thus, as long as it is possible to remove impurities in the air inside the chamber, the device necessary for vacuum will be eliminated and the configuration of the device can be simplified.
따라서, 본 발명의 목적은 챔버 내부 공기중의 불순물을 제거함으로써, 대기압에서 고분자 중합물을 증착시킬 수 있는 플라즈마를 이용한 표면처리장치를 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a surface treatment apparatus using a plasma capable of depositing a polymer polymer at atmospheric pressure by removing impurities in the air inside the chamber.
본 발명의 다른 목적은, 진공에 필요한 장치를 구비하지 않음으로써, 간단한 구성을 가지는 저렴한 플라즈마를 이용한 표면처리장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a surface treatment apparatus using an inexpensive plasma having a simple configuration by not having a device necessary for vacuum.
본 발명의 또 다른 목적은, 공기를 반응가스로 사용할 수 있는 플라즈마를 이용한 표면처리장치를 제공하는 것이다.Still another object of the present invention is to provide a surface treatment apparatus using plasma which can use air as a reaction gas.
도 1은 종래 기술에 의한 플라즈마를 이용한 표면처리장치를 도시하는 도면이다.1 is a view showing a surface treatment apparatus using a plasma according to the prior art.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 표면처리장치를 도시하는 것으로서, 불순물 제거를 위한 필터부로서 에어 클리너(또는 에어 필터) 및 팬(fan)이 장착되어 있다.2 shows a surface treatment apparatus according to an embodiment of the present invention, in which an air cleaner (or an air filter) and a fan are mounted as a filter unit for removing impurities.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예를 도시하는 것으로, 공기흡입부, 공기배출부를 구비하고, 불순물 제거를 위한 필터부가 공기흡입부쪽에 장착되어 있다.Fig. 3 shows a second embodiment of the present invention, in which an air suction part and an air discharge part are provided, and a filter part for removing impurities is mounted on the air suction part.
**도면의 주요부분에 대한 부호의 설명**** Description of the symbols for the main parts of the drawings **
1 : 챔버 2 : 시료1: Chamber 2: Sample
3 : 전력공급부 4 : 전극(캐소드 전극)3: power supply unit 4: electrode (cathode electrode)
5 : 유확산 펌프 6 : 로터리 펌프5: diffusion pump 6: rotary pump
7 : 열전쌍 진공계 8 : 이온 게이지7: thermocouple vacuum gauge 8: ion gauge
9, 10 : 반응성 가스 주입부 21 : 챔버9, 10: reactive gas injection unit 21: chamber
22 : 시료 23 : 전력공급부22: Sample 23: power supply
24 : 전극 26 : 불순물 제거를 위한 필터부24 electrode 26 filter part for removing impurities
27 : 팬(fan) 28 : 가스 주입부27: fan 28: gas inlet
31 : 공기흡입부 32 : 공기배출부31: air suction part 32: air discharge part
전술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 챔버; 상기 챔버 내부에 위치하고, 애노드(anode)와 캐소드(cathode)로 이루어지는 전극부; 상기 챔버 내부에 반응성 가스를 주입하는 가스주입부; 상기 전극부의 애노드에 고전압을 인가하여 플라즈마 방전을 하도록 하는 전력공급부;를 포함하여 구성되는 플라즈마를 이용한 표면처리장치에 있어서, 상기 챔버의 외부에서 상기 챔버 내부의 공기를 흡입하여 불순물을 제거하여 정화된 공기를 다시 챔버 내부로 유입시키는 불순물을 제거하기 위한 불순물 제거를 위한 필터부:를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 표면처리장치를 제공한다.Chamber to achieve the above object of the present invention; An electrode part disposed inside the chamber, the electrode part including an anode and a cathode; A gas injection unit injecting a reactive gas into the chamber; A surface treatment apparatus using a plasma comprising a power supply unit for applying a high voltage to the anode of the electrode portion to perform a plasma discharge, the surface treatment apparatus using a plasma, comprising the inhalation of air from the outside of the chamber to remove impurities It provides a surface treatment apparatus using a plasma, characterized in that further comprising: a filter unit for removing impurities for removing impurities that introduce air back into the chamber.
또한 전술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 챔버; 상기 챔버 내부에 위치하고, 애노드(anode)와 캐소드(cathode)로 이루어지는 전극부; 상기 챔버 내부에 외부공기를 흡입하는 공기흡입부; 상기 챔버 내부의 공기를 외부로 배출하는 공기 배출부; 상기 챔버 내부에 반응성 가스를 주입하는 가스주입부; 상기 전극부의 애노드에 고전압을 인가하여 플라즈마 방전을 하도록 하는 전력공급부;를 포함하여 구성되는 플라즈마를 이용한 표면처리장치에 있어서, 상기 공기흡입부에 배치되어 상기 공기흡입부로 흡입되는 외부 공기로부터 불순물을 제거하여 정화된 공기를 상기 챔버로 공급하는 불순물 제거를 위한 필터부;를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 표면처리장치를 제공한다.In addition, the chamber to achieve the above object of the present invention; An electrode part disposed inside the chamber, the electrode part including an anode and a cathode; An air suction unit for sucking external air into the chamber; An air discharge unit for discharging air inside the chamber to the outside; A gas injection unit injecting a reactive gas into the chamber; In the surface treatment apparatus using a plasma comprising a power supply unit for applying a high voltage to the anode of the electrode portion to perform a plasma discharge, disposed in the air suction unit to remove impurities from the outside air sucked into the air suction unit And a filter unit for removing impurities to supply purified air to the chamber.
또한, 챔버 내부의 공기를 균일하게 혼합하기 위한 팬(fan)과 같은 공기혼합수단을 추가로 포함할 수 있다.In addition, it may further include an air mixing means such as a fan (fan) for uniformly mixing the air in the chamber.
원하는 반응성 가스가 산소 또는 질소인 경우에는, 불순물이 제거된 공기를 반응성 가스로 사용할 수 있다. 종래에 주로 사용된 반응성 가스는 아세틸렌(C2H2)과 질소(N2)인데, 공기중의 질소 비율이 80%에 가까우므로 공기를 반응성 가스로 사용하는 경우 질소가스의 비용을 절감할 수 있다.When the desired reactive gas is oxygen or nitrogen, air from which impurities have been removed can be used as the reactive gas. Reactive gases mainly used in the art are acetylene (C 2 H 2 ) and nitrogen (N 2 ). Since the ratio of nitrogen in the air is close to 80%, the cost of nitrogen gas can be reduced when using air as a reactive gas. have.
이러한 장치의 일 실시예가 도 2에 도시되어 있다. 챔버(21) 내부에는 접지된 전극(24)이 고정되어 있고, 그 사이에 고분자 중합체를 합성하고자 하는 시료(22)가 배치되어 있다. 챔버 외부에 위치하는 전력공급부(23)를 통하여 시료(22)에 직류 또는 고주파 전력이 인가된다. 이때, 고전압이 인가된 시료는 애노드(anode, +극) 또는 능동전극(active electrode)이 되고, 접지된 두 전극(24)은상기 애노드 또는 능동전극에 대응하는 캐소드(cathode, -극) 또는 수동전극(passive electrode)이 된다. 챔버에 반응성 가스를 주입하는 주입구(28)와, 챔버 내부의 공기를 정화하기 위한 에어클리너 또는 에어필터와 같은 불순물 제거를 위한 필터부(26) 및 공기를 균일하게 혼합하기 위한 팬(27)이 장착되어 있다. 에어클리너와 같은 불순물 제거를 위한 필터부는 챔버 내부의 공기를 흡입하여 정화한 후, 다시 챔버 내부로 배출함으로써, 챔버 내부의 공기에 있는 불순물을 제거한다.One embodiment of such a device is shown in FIG. 2. The grounded electrode 24 is fixed inside the chamber 21, and a sample 22 for synthesizing the polymer polymer is disposed therebetween. DC or high frequency power is applied to the sample 22 through the power supply 23 located outside the chamber. At this time, the sample to which a high voltage is applied is an anode or an active electrode, and the two grounded electrodes 24 are a cathode or a passive electrode corresponding to the anode or the active electrode. (passive electrode). Inlet 28 for injecting reactive gas into the chamber, a filter unit 26 for removing impurities such as an air cleaner or air filter for purifying the air inside the chamber, and a fan 27 for uniformly mixing air It is installed. The filter unit for removing impurities such as an air cleaner removes impurities in the air inside the chamber by inhaling and purifying the air inside the chamber and then discharged back into the chamber.
본 발명의 제 2 실시예에 의한 고분자 중합물 합성장치가 도 3에 도시되어 있다. 이 장치의 구성은 도 2에 도시된 제 1 실시예와 유사하며, 다만, 챔버에 공기를 유입하기 위한 공기흡입부(31) 및 배출하기 위한 공기배출부(32)를 추가로 구비하고 있으며, 불순물 제거를 위한 필터부(26)가 공기흡입부쪽에 배치되어 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 예를 들어, 불순물 제거를 위한 필터부가 공기배출부 쪽에 배치될 수도 있다. 또한, 공기흡입부와 공기배출부가 챔버 외부에서 연결되어, 순환루프를 형성할 수도 있다.An apparatus for synthesizing a polymer polymer according to a second embodiment of the present invention is shown in FIG. The configuration of the apparatus is similar to that of the first embodiment shown in FIG. 2, except that the apparatus further includes an air inlet 31 for introducing air into the chamber and an air exhaust 32 for discharging. A filter portion 26 for removing impurities is arranged on the air intake side. However, the present invention is not limited thereto, and for example, a filter unit for removing impurities may be disposed on the air discharge side. In addition, the air suction unit and the air discharge unit may be connected outside the chamber to form a circulation loop.
이러한 장치를 사용하여 시료기판 표면에 고분자 중합체를 합성함으로써, 시료기판의 표면을 처리하는 공정을 설명하면 다음과 같다.When the polymer polymer is synthesized on the surface of the sample substrate using such an apparatus, the process of treating the surface of the sample substrate is described as follows.
시료(22)를 접지된 두 전극(24) 사이에 배치하고, 불순물 제거를 위한 필터부를 작동시켜 챔버 내부의 공기를 정화한다. 이때, 균일한 정화와 챔버 내부의 공기 균일화를 위하여 팬(27)이 동시에 작동할 수 있다. 그 후에 주입구(28)를 통하여 반응성 가스가 주입되고, 전력공급부(23)를 통하여 시료(22)에 소정의 직류 또는 고주파 고전압을 소정시간 인가하여 플라즈마를 발생시키면, 시료기판에 고분자 중합체가 합성된다.The sample 22 is disposed between two grounded electrodes 24, and a filter part for removing impurities is operated to purify the air inside the chamber. At this time, the fan 27 may be operated simultaneously for uniform purification and air equalization inside the chamber. Thereafter, a reactive gas is injected through the injection hole 28, and a plasma is generated by applying a predetermined direct current or high frequency high voltage to the sample 22 through the power supply unit 23 for a predetermined time, and then a polymer polymer is synthesized on the sample substrate. .
또한, 제 2 실시예에 의한 장치를 사용하는 경우, 공기흡입부(31)와 공기배출부(32) 및 그에 장착된 불순물 제거를 위한 필터부(26)를 통하여, 정화된 공기를 챔버 내부로 연속적으로 유동시키고, 동시에 주입부(28)를 통하여 반응성 가스를 연속적으로 주입시키면, 고분자 중합체 합성이 연속적으로 이루어질 수 있다. 따라서, 진공을 만들고 중합체를 합성한 후, 챔버 내부의 가스를 배기하고, 다시 진공시키는 구성을 가지는 종래의 장치에 비하여 월등한 생산성을 확보할 수 있다.In addition, in the case of using the apparatus according to the second embodiment, the purified air is introduced into the chamber through the air suction unit 31, the air discharge unit 32, and the filter unit 26 for removing impurities attached thereto. By continuously flowing and simultaneously injecting a reactive gas through the injection unit 28, the polymer synthesis can be continuously performed. Therefore, after producing a vacuum and synthesizing a polymer, it is possible to secure superior productivity as compared with the conventional apparatus having a configuration in which the gas inside the chamber is evacuated and then vacuumed again.
직류 또는 고주파 전력을 통한 반응성 가스의 플라즈마를 이용하여 시료기판상에 특정 성질을 가지는 고분자 중합물을 형성함으로써 표면을 처리하는, 챔버 내부의 공기에 있는 불순물을 제거하기 위한 필터부를 구비함으로써, 진공이 아닌 상압 또는 대기압 상태에서 표면처리가 가능하다. 따라서, 진공에 필요한 장치를 구비하지 않음으로써, 구성이 간단하고 저렴한 표면처리장치를 제공할 수 있다.By using a plasma of a reactive gas through direct current or high frequency power to form a polymer polymer having a specific property on the sample substrate to provide a filter portion for removing impurities in the air in the chamber, the surface is not vacuum Surface treatment is possible at atmospheric or atmospheric pressure. Therefore, the surface treatment apparatus which is simple in structure and inexpensive can be provided by not providing the apparatus which is necessary for a vacuum.
또한, 공기만을 반응성 가스로 사용하거나 공기중의 질소를 반응성 가스로 사용함으로써, 반응 가스 비용을 절감할 수 있다.In addition, by using only air as the reactive gas or using nitrogen in the air as the reactive gas, the cost of the reactive gas can be reduced.
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100500430B1 (en) * | 2002-12-06 | 2005-07-12 | 주식회사 피에스엠 | Atmospheric pressure plasma processing apparatus and its process by gas suction method |
| KR100549503B1 (en) * | 2002-11-20 | 2006-02-09 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | Surface treatment device of radioactive waste using atmospheric pressure plasma |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020061814A (en) * | 2001-01-18 | 2002-07-25 | 엘지전자주식회사 | Electrode Structure in Plasma Polymer Device |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60154621A (en) * | 1984-01-25 | 1985-08-14 | Hitachi Ltd | Vacuum treatment |
| JPH01100925A (en) * | 1987-10-14 | 1989-04-19 | Hitachi Ltd | Plasma treating apparatus |
| JPH05243167A (en) * | 1992-02-28 | 1993-09-21 | Sony Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPH06224183A (en) * | 1991-12-18 | 1994-08-12 | I N R Kenkyusho:Kk | Plasma utilizing apparatus |
| JPH07106307A (en) * | 1993-10-07 | 1995-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma treatment equipment and plasma treatment method |
-
1998
- 1998-09-25 KR KR10-1998-0040027A patent/KR100360854B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60154621A (en) * | 1984-01-25 | 1985-08-14 | Hitachi Ltd | Vacuum treatment |
| JPH01100925A (en) * | 1987-10-14 | 1989-04-19 | Hitachi Ltd | Plasma treating apparatus |
| JPH06224183A (en) * | 1991-12-18 | 1994-08-12 | I N R Kenkyusho:Kk | Plasma utilizing apparatus |
| JPH05243167A (en) * | 1992-02-28 | 1993-09-21 | Sony Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPH07106307A (en) * | 1993-10-07 | 1995-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma treatment equipment and plasma treatment method |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100549503B1 (en) * | 2002-11-20 | 2006-02-09 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | Surface treatment device of radioactive waste using atmospheric pressure plasma |
| KR100500430B1 (en) * | 2002-12-06 | 2005-07-12 | 주식회사 피에스엠 | Atmospheric pressure plasma processing apparatus and its process by gas suction method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20000021089A (en) | 2000-04-15 |
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