KR100347463B1

KR100347463B1 - 프로브방법및프로브장치

Info

Publication number: KR100347463B1
Application number: KR1019980043646A
Authority: KR
Inventors: 시게아키 다카하시; 유키히코 후카사와
Original assignee: 동경 엘렉트론 주식회사
Priority date: 1997-10-20
Filing date: 1998-10-19
Publication date: 2002-09-18
Also published as: TW396475B; KR19990037193A; US6111421A

Abstract

X, Y, Z 및 θ 방향으로 이동 가능하고, 소정의 검사 온도로 가열된 탑재대(20)상에 탑재된 피검사체[웨이퍼(W)]의 전극과 프로브 카드(22)의 프로브 단자(22A)를 접촉시킴으로써 피검사체의 전기적 특성을 검사하는 프로브 방법에 있어서, 고온 검사중에 탑재대(20)가 검사 위치로부터 떨어진 위치로 후퇴하고, 그 상태에 있는 시간(후퇴 시간)을 후퇴 시간 산출 기구(34)에 의해 산출한다. 이 후퇴 시간에 근거하여 예열 실행 판정 기구(35)는 프로브 카드 및 프로브 단자를 예열하는지의 여부를 판단한다. 예열한다라고 판단되었을 때에는, 예열 시간 산출 기구(36)는 예열 실행 시간을 구한다. 예열 종료 판정 기구(37)에 의해 정해진 예열 실행 시간만큼 예열이 실행되고, 프로브 단자의 위치 편차를 보정하는 프로브 방법이 개시되어 있다.

Description

프로브 방법 및 프로브 장치{PROBE METHOD AND APPARATUS}

본 발명은 피(被)검사체의 전기적 특성을 검사하는 프로브 방법 및 프로브장치에 관한 것으로, 특히 소정의 온도하에서 피검사체의 검사 대상의 전기적 특성을 검사하는 프로브 방법 및 프로브 장치에 관한 것이다.

피 검사체의 검사 대상의 전형적인 예로서, 실리콘 웨이퍼[이하, 웨이퍼(W)라고 함]상에 형성된 집적 회로(이하, 칩이라고 함)를 들 수 있지만, 본 발명의 검사 대상은 그러한 칩에 한정되지 않고, 소위 프로브 방법에 의해 그 전기적 특성을 검사할 수 있는 어떠한 전자 기기 및 전자 부품이라도 포함된다.

종래의 프로브 장치(10)의 일예가 도 14에 도시되어 있다. 도 14에 있어서, 로더실(loader chamber)(11)내의 카셋트(C)내에 수납된 피검사체[이하, 웨이퍼(W)라고 함]는 웨이퍼(W)를 검사하는 프로버실(prober chamber)(12)로 반송된다. 이 프로버실(12) 및 로더실(11)은 제어기(13)에 의해 제어된다. 이 제어기(13)를 조작하기 위한 조작 패널을 겸하는 표시 장치(14)가 구비된다.

상기 로더실(11)내에는 웨이퍼 반송 기구(15) 및 서브 척(16)이 배치된다. 웨이퍼 반송 기구(15)가 웨이퍼(W)를 카셋트(C)로부터 프로버실(12)로 반송하는 동안에, 웨이퍼(W)는 그 오리엔테이션 플랫(orientation flat)을 기준으로 하여 서브 척(16)에 의해 사전 정렬된다. 로더실(11)내에는 바 코드 판독기나 OCR 등으로 이루어지는 웨이퍼 인식 기구(도시하지 않음)가 설치된다. 이 웨이퍼 인식 기구가 웨이퍼(W)의 일부에 표시된 바 코드나 문자 정보를 판독된다.

상기 프로버실(12)내에는 웨이퍼(W)가 탑재되고, 소정의 온도로 제어되는 탑재대(main chuck)(20)가 설치된다. 이 탑재대(20)는 X-Y(스테이지) 이동 기구(18) 및 승강 기구(도시하지 않음) 등에 의해 X, Y, Z 및 θ 방향으로 이동할 수 있다.프로버실(12)내에는 웨이퍼(W)의 전기적 검사를 실행하기 위한 프로브 단자를 갖는 프로브 카드와, 상기 탑재대(20) 및 이 탑재대(20)상에 탑재된 웨이퍼(W)를 해당 프로브 단자에 대하여 정확히 정렬하는 정렬 기구(21)가 설치된다. 정렬 기구(21)는, 예를 들면 화상 인식을 위한 하측의 CCD 카메라(21D)와, 상측의 CCD 카메라(21A)가 하향으로 설치된 얼라인먼트 브리지(21B)와, 이 얼라인먼트 브리지(21B)를 Y 방향으로 왕복 이동시키기 위한 한 쌍의 가이드 레일(21C)이 구비되어 있다. 또한, 도 14에는 상측의 CCD 카메라만이 도시되어 있고, 하측의 CCD 카메라는 도시되어 있지 않지만, 하측의 CCD 카메라는 예를 들어 탑재대에 설치되어 있다.

웨이퍼(W)를 검사하는 경우에는, 웨이퍼 반송 기구(15)가 로더실(11)내의 카셋트(C)로부터 한 장의 웨이퍼(W)를 반출한다. 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(15)에 의해 탑재대쪽으로 반송되는 동안에, 서브 척(16)에 의해 사전 정렬된다. 이와 병행하여, 도 12a에 도시된 바와 같이, 복수의 프로브 단자(probe needle)(22A)가 정렬 기구(21) 및 탑재대(20)에 의해 정렬된다. 그 후, 얼라인먼트 브리지가 프로브 센터로 이동함과 동시에 탑재대(20)가 X, Y 및 Z 방향으로 이동하고, 도 12b에 도시된 바와 같이, 탑재대(20)에 부착된 전후 이동 가능한 타겟(21E) 및 상하측의 CCD 카메라(21A, 21D)를 이용하여 프로버실(12)내의 기준 위치를 구한다. 그 후, 웨이퍼 반송 기구(15)가 로더실(11)로부터 프로버실(12)내의 탑재대(20)상으로 웨이퍼(W)를 인도한 후에, 도 12c에 도시된 바와 같이 탑재대(20)가 X, Y 및 θ 방향으로 이동하여, CCD 카메라(21A)를 이용하여 웨이퍼(W)를 정렬한다. 그 후, 탑재대(20)의 이동에 의해, 최초로 검사해야 할 칩은 프로브 카드(22)의 바로 아래로 이동되고, 탑재대(20)가 그 위치로부터 Z 방향으로 상승하여, 프로브 단자(22A)와 칩의 전극 패드를 접촉시킨 후, 또한 탑재대(20)는 오버 드라이브된 상태로, 웨이퍼(W)의 전기적 특성의 검사가 시작된다.

프로브 카드는 프로버실(12)의 상면에 설치된, 개폐 가능한 헤드 플레이트의 중앙의 개구부에 삽입 링을 거쳐서 고정되어 있다. 프로버실(12)의 상면에는 테스트 헤드(도시하지 않음)가 이동 가능하게 배치된다. 이 테스트 헤드는 프로브 카드의 프로브 단자와 테스터(도시하지 않음) 사이를 전기적으로 접속하고, 테스터로부터의 소정의 신호를 프로브 단자를 거쳐서 웨이퍼(W)상에 형성된 칩의 전극과의 사이에서 송 수신하며, 상기 칩의 전기적 검사는 테스터에 의해서 순차적으로 검사된다.

예를 들면 180℃의 고온하에서, 칩의 전기적 특성을 검사하는 경우에, 탑재대(20) 및 웨이퍼(W)는 탑재대(20)의 내부에 설치된 가열 기구에 의해 소정의 고온으로 가열된다. 그 후, 해당 칩의 전극 패드와 프로브 단자가 전기적으로 접촉되고, 해당 칩의 전기적 특성이 검사된다. 또한, 예를 들어 -50℃의 저온하에서 웨이퍼(W)의 전기적 특성을 검사하는 경우에는, 탑재대(20) 및 웨이퍼(W)는 탑재대(20)의 내부에 설치된 냉각 기구에 의해 소정의 저온으로 냉각된다. 그 후, 칩의 전극 패드와 프로브 단자가 전기적으로 접촉되어, 칩의 전기적 특성이 검사된다. 저온 검사의 경우에도, 칩은 고온 검사와 마찬가지로 소정의 저온으로 냉각되어, 그 전기적 특성이 검사된다.

그런데, 웨이퍼(W)상에 형성된 전극 패드와 프로브 카드의 프로브 단자의 정렬에 이어서, 예를 들어 180℃의 고온에서 검사를 실행하는 경우, 탑재대(20)로부터의 방사열에 의해 프로브 카드가 서서히 가열되고 열팽창함으로써, 이 프로브 카드에 설치된 프로브 단자의 위치 좌표가 프로브 정렬시의 위치 좌표로부터 서서히 편차가 생긴다. 저온 검사의 경우에, 프로브 카드는 저온에 의해 수축하고, 그 위치 좌표는 편차가 생긴다.

도 13에는 고온 검사에 있어서의 프로브 단자의 Z 방향의 위치 편차(변위)의 예를 나타낸다. 도 13에는 프로브 단자의 선단이 측정 개시때부터 수 시간에 걸쳐 Z 방향으로 상승하는 것이 나타나 있다. 이 때문에, 프로브 단자와 검사 대상의 전극 패드는 정상적으로 접촉되지 않고, 프로브 단자의 위치 편차나 침압(針壓) 이상이 발생하여, 검사의 신뢰성이 저하되는 과제가 있었다. 이러한 프로브 단자의 선단의 위치 편차는 고온 검사시에서 뿐만 아니라, 저온 검사시에도 발생한다. 또한, 이러한 위치 편차는 프로브 카드 및 프로브 단자가 소정의 검사 온도에 도달하는 과정에서 발생하고, 예를 들면 신규로 측정이 시작되는 경우 및 중단된 측정이 재개되는 경우에 발생한다.

이후, 웨이퍼 사이즈가 예를 들어 12인치의 시대가 되면, 웨이퍼 사이즈가 커질 뿐만 아니라, 칩의 패턴이 초미세화되고, 그 전극 패드간의 피치가 좁아진다. 또한, 복수개(예를 들면 32개)의 칩을 동시에 검사하는 경우, 프로브 카드도 대형화됨과 동시에 프로브 단자의 수도 많아져서 프로브 단자간의 피치가 좁아지기 때문에, 상술한 열적 영향이 점점 현저하게 된다. 그 때문에, 검사전에 프로브 카드를 미리 예비 가열(preheat)하여, 프로브 카드의 열적 영향을 가능한 한 방지할 필요가 있고, 이 예비 가열을 위해, 상당한 시간이 필요로 되고, 스루풋은 현저히 저하된다.

또한, 검사 도중에, 검사가 중단되고, 탑재대가 검사 위치로부터 멀어지는 경우가 있다. 이 경우의 예로서는 검사 도중에 프로브 단자의 침적(針跡) 체크나 침연마(針硏磨)가 있다. 이 경우 탑재대(20)는 상기 오버 드라이브의 위치로부터 멀어지므로, 프로브 카드 및 프로브 단자의 온도는 서서히 저하한다. 검사가 재개될 때, 프로브 단자의 위치는 전술한 바와 같이 프로브 정렬시의 위치 좌표로부터 서서히 편차가 생긴다. 이러한 위치 편차를 회피하기 위해서, 그 때마다 매뉴얼 조작에 의해 프로브 카드 및 프로브 단자를 예열하는 것은 스루풋을 현저히 저하시킨다.

본 발명의 목적은 피처리체의 검사에 있어서 프로브 단자와 피검사체의 전극을 적정한 침압에 의해 확실히 접촉시켜, 높은 신뢰성의 프로브 방법 및 프로브 장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 프로브 카드 및 프로브 단자가 소정의 검사 온도에 도달하는 도중의, 해당 프로브 단자의 위치 편차를 보정하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 소정의 온도에서 실행되는 검사를 중단하고 프로브 카드 및 프로브 단자의 온도가 저하되는 것에 기인하여 발생하는 프로브 단자의 위치 편차를 보정하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 고온 검사 도중에 탑재대(20)가 상기 오버 드라이브의 위치로부터 멀어짐으로써, 해당 프로브 카드 및 해당 프로브 단자의 온도가 저하 하더라도, 자동적으로 프로브 카드를 예열하여 검사의 신뢰성을 높이고, 스루풋을 향상시키는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 고온 검사시 및 저온 검사시에 해당 프로브 카드 및 프로브 단자가 소정의 검사 온도에 도달하는 도중에, 프로브 카드(22) 및 프로브 단자가 탑재대(20)에 의해 서서히 가열 또는 냉각되는 과정에서의, 프로브 단자의 핀 선단의 위치 편차를 보정하는 것이다.

본 발명의 프로브 방법은, X, Y, Z 및 θ 방향으로 이동 가능하고, 또한 소정의 고온으로 제어된 탑재대에, 복수의 검사 대상을 갖는 피검사체를 탑재하는 단계와; 상기 피검사체와 프로브 카드에 설치된 프로브 단자의 위치를 정렬하는 위치 정렬 단계와; 상기 탑재대를 인덱스 이송하여, 상기 피검사체의 검사 대상중의 적어도 하나의 검사 대상을 검사 준비 위치에 설정하는 인덱스 이송 단계와; 상기 탑재대를 상기 프로브 카드 방향으로 이동시킴으로써, 상기 적어도 하나의 검사 대상의 전극과 상기 프로브 단자를 전기적으로 접촉시키는 접촉 단계와; 상기 프로브 단자에 접속된 테스터에 의해 상기 검사 대상의 전기적 특성을 검사하는 측정 단계를 포함하고, 상기 인덱스 이송 단계, 상기 접촉 단계 및 측정 단계를 반복하여 실시함으로써, 상기 검사 대상중의 소정의 검사 대상의 전기적 특성을 검사하는 프로브 방법(이하, 관련 프로브 방법이라 칭함)에 관한 것이다.

본 발명의 제 1 실시예에 따라, 상기 관련되는 프로브 방법에 있어서, 탑재대는 소정의 고온으로 제어되고, 상기 접촉 단계는, 상기 탑재대가 소정의 검사 준비 위치로부터 상기 프로브 카드에서 떨어진 방향으로 후퇴함으로써, 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자의 온도가 상기 소정의 고온보다 저하된 것을 감지하는 단계와, 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자의 온도가 상기 소정의 고온보다 저하된 것이 감지된 경우, 상기 온도의 저하에 의한 프로브 단자의 위치 편차를 보정하기 위한 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 방법이 제공된다.

본 발명의 제 2 실시예에 따라, 상기 제 1 실시예에 따른 프로브 방법에 있어서, 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자의 온도가 소정의 상기 고온보다 저하된 것을 감지하는 상기 단계는, 상기 탑재대가 소정의 검사 준비 위치로부터 상기 프로브 카드에서 떨어진 방향으로 계속 후퇴한 시간을 감지하고, 상기 계속 후퇴한 시간에 근거하여, 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자가 상기 소정의 고온보다 저하된 것을 판정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 방법이 제공된다.

본 발명의 제 3 실시예에 따라, 상기 제 1 실시예에 따른 프로브 방법에 있어서, 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자의 온도가 소정의 상기 고온보다 저하된 것을 감지하는 상기 단계는, 상기 탑재대가 소정의 검사 준비 위치로부터 상기 프로브 카드에서 떨어진 방향으로 계속 후퇴한 시간을 감지하고, 상기 계속 후퇴한 시간에 근거하여, 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자가 상기 소정의 고온보다 저하된 것을 판정하는 단계를 포함하고, 상기 프로브 단자의 위치 편차를 보정하는상기 단계는, 상기 계속 후퇴한 시간에 근거하여, 상기 프로브 카드 및 프로브 단자를 가열하는 예열 실행 시간을 설정하고, 상기 예열 실행 시간 동안, 상기 프로브 카드 및 프로브 단자를 가열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 방법이 제공된다.

본 발명의 제 4 실시예에 따라, 상기 제 3 실시예에 따른 프로브 방법에 있어서, 상기 프로브 단자의 위치 편차를 보정하는 상기 단계는 상기 계속 후퇴한 시간에 근거하여, 상기 프로브 카드 및 프로브 단자를 가열하는 예열 실행 시간을 설정하는 단계와; 상기 예열 실행 시간 동안, 상기 프로브 카드 및 프로브 단자를 가열하는 단계와; 상기 가열하는 단계 후에 상기 탑재대의 위치를 제어함으로써, 상기 탑재대에 탑재된 피검사체의 검사 대상과 상기 프로브 단자의 위치 정렬을 실행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 방법이 제공된다.

본 발명의 제 5 실시예에 따라, 상기 제 3 실시예에 따른 프로브 방법에 있어서, 상기 계속 후퇴한 시간에 근거하여 상기 프로브 카드 및 프로브 단자를 가열하는 예열 실행 시간을 설정하는 단계는, 또한 실온의 프로브 카드를 상기 소정의 고온으로 가열시키는 데 요구되는 시간을 초과하지 않는 범위내에서, 상기 계속 후퇴한 시간에 근거하여 상기 예열 실행 시간을 설정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 방법이 제공된다.

본 발명의 제 6 실시예에 따라, X, Y, Z 및 θ 방향으로 이동 가능하고, 또한 소정의 온도로 제어된 탑재대에, 복수의 검사 대상을 갖는 피검사체를 탑재하는 단계와; 상기 피검사체와, 프로브 카드에 설치된 프로브 단자의 위치를 정렬하는위치 정렬 단계와; 상기 탑재대를 인덱스 이송하여, 상기 피검사체의 검사 대상중의 적어도 하나의 검사 대상을 검사 준비 위치에 설정하는 인덱스 이송 단계와; 상기 탑재대를 상기 프로브 카드의 방향으로 이동시킴으로써, 상기 적어도 하나의 검사 대상의 전극과 상기 프로브 단자를 전기적으로 접촉시키는 접촉 단계와; 상기 프로브 단자에 접속된 테스터에 의해 상기 검사 대상의 전기적 특성을 검사하는 측정 단계를 포함하고, 상기 인덱스 이송 단계, 상기 접촉 단계 및 측정 단계를 반복하여 실시함으로써, 상기 검사 대상중의 소정의 검사 대상의 전기적 특성을 검사하는 프로브 방법에 있어서, 상기 프로브 카드 및 프로브 단자의 온도가 상기 소정의 온도로 되도록 제어되고 있는 경과 기간중에, 반복하여 실시되는 상기 접촉 단계의 각각에 앞서서, 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자의 위치 편차를 보정하는 보정 단계가 실시되는 것을 특징으로 하는 프로브 방법이 제공된다.

본 발명의 제 7 실시예에 따라, 상기 제 6 실시예에 따른 프로브 방법에 있어서, 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자의 위치 편차를 보정하는 보정 단계는, 상기 프로브 카드 및 프로브 단자의 온도가 상기 소정의 온도로 되도록 제어되는 경과 기간중에, 반복하여 실시되는 상기 접촉 단계의 각각에 앞서서, 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자의 X, Y 및 θ 방향의 위치 편차를 보정하는 보정 단계와; 상기 기간중에, 상기 접촉 단계의 각각은 상기 탑재대를 상기 프로브 카드의 방향으로 이동시키는 거리를 보정함으로써, 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자의 Z 방향의 위치 편차를 보정하는 보정 단계가 실시되는 것을 특징으로 하는 프로브 방법이 제공된다.

본 발명의 제 8 실시예에 따라, 상기 제 6 실시예에 따른 프로브 방법에 있어서, 상기 프로브 단자의 위치 편차를 보정하는 보정 단계는, 최초의 검사 대상의 검사를 실행하기 전에, 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자의 위치 편차를 보정하는지의 여부를 판단하는 단계와; 상기 단계에 있어서의 판단에 따라 상기 위치 편차의 보정을 실행하는 단계와; 두 번째 이후의 각각의 검사 대상의 검사 이전에, 위치 편차 보정 종료 조건에 근거하여 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자의 위치 편차를 보정하는지의 여부를 판단하는 단계와; 상기 단계의 판단에 근거하여, 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자의 위치 편차를 보정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 방법이 제공된다.

본 발명의 제 9 실시예에 따라, 상기 제 8 실시예에 따른 프로브 방법에 있어서, 최초의 검사 대상의 검사를 실행하기 전에, 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자의 위치 편차를 보정하는지의 여부를 판단하는 단계와; 두 번째 이후의 각각의 검사 대상의 검사 이전에, 위치 편차 보정 종료 조건에 근거하여 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자의 위치 편차를 보정하는지의 여부를 판단하는 단계는, 상기 프로브 카드 및 프로브 단자의 온도를 검출하여, 상기 온도가 상기 소정의 온도로 되었는지의 여부에 의해 판단하는 것을 특징으로 하는 프로브 방법이 제공된다.

본 발명의 제 10 실시예에 따라, 상기 제 8 실시예에 따른 프로브 방법에 있어서, 상기 위치 편차 보정 종료 조건은, 이전 검사시의 상기 프로브 단자의 선단 위치로부터 현재의 선단 위치 사이의 변위량이 허용 범위내인지의 여부의 판단에근거하여 설정되는 것을 특징으로 하는 프로브 방법이 제공된다.

본 발명의 제 11 실시예에 따라, 상기 제 8 실시예에 따른 프로브 방법에 있어서, 상기 위치 편차 보정 종료 조건은, 이전까지의 검사에 요구된 시간이 상기 프로브 카드 및 프로브 단자의 온도가 상기 소정의 온도로 되는 데에 필요한 최소 검사 시간을 초과하는지의 여부의 판단에 근거하여 설정되는 것을 특징으로 하는 프로브 방법이 제공된다.

본 발명의 제 12 실시예에 따라, 상기 제 8 실시예에 따른 프로브 방법에 있어서, 상기 위치 편차 보정 종료 조건은, 이전 검사시의 상기 프로브 단자의 선단 위치로부터 현재의 선단 위치 사이의 변위량이 허용 범위내인지의 여부의 판단과, 이전까지의 검사에 요구된 시간이 상기 프로브 카드 및 프로브 단자의 온도가 상기 소정의 온도로 되는 데에 필요한 최소 검사 시간을 초과하는지의 여부의 판단과, 상기 양 판단에 있어서, 상기 프로브 단자의 선단 위치의 상기 변위량이 상기 허용 범위내이고, 또한 이전까지의 검사에 요구된 시간이 상기 최소 검사 시간을 초과하면, 동시에 또한 연속하여 판단한 회수에 의해 설정되는 것을 특징으로 하는 프로브 방법이 제공된다.

또한, 본 발명의 프로브 장치는 피검사체의 전기적 특성을 검사하는 프로버실과; 상기 프로버실의 상면에 배치되고, 프로브 단자를 갖는 프로브 카드와; 상기 프로버실내에서 상기 프로브 카드의 하측에 배치되고, X, Y, Z 및 θ 방향으로 이동 가능하며, 소정의 고온으로 설정되어 상기 피검사체를 탑재하기 위한 탑재대와; 상기 탑재대상에 탑재된 상기 피검사체와 상기 프로브 단자의 위치를 맞추는 위치정렬 기구와; 상기 탑재대를 인덱스 이송하여, 상기 피검사체의 검사 대상중의 적어도 하나의 검사 대상을 검사 준비 위치에 설정하는 인덱스 이송 기구와, 상기 탑재대를 상기 프로브 카드의 방향으로 이동시켜, 상기 탑재대에 탑재된 상기 피검사체의 전극과 상기 프로브 단자를 전기적으로 접촉시키는 탑재대 이동 기구와; 상기 프로브 단자에 접속되어, 검사 대상의 전기적 특성을 측정하는 테스터를 포함하고, 여기서 상기 검사 대상의 인덱스 이송, 상기 피검사체의 전극과 상기 프로브 단자의 전기적 접촉 및 검사 대상의 전기적 특성의 측정이 반복하여 실시되는 프로브 장치(이하, 관련 프로브 장치라고 함)에 관한 것이다.

본 발명의 제 13 실시예에 따라, 상기 관련 프로브 장치에 있어서, 상기 탑재대는 고온으로 설정되고, 상기 탑재대 이동 기구는 상기 탑재대가 소정의 검사 준비 위치로부터, 상기 프로브 카드에서 떨어진 방향에 후퇴함으로써, 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자의 온도가 소정의 상기 고온보다 저하한 것을 감지하는 온도 저하 감지 기구와, 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자가 소정의 상기 고온보다 저하한 것이 감지된 경우, 상기 온도의 저하에 의한 프로브 단자의 위치 편차를 보정하기 위한 위치 편차 보정 기구를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 장치가 제공된다.

본 발명의 제 14 실시예에 따라, 상기 제 13 실시예에 따른 프로브 방법에 있어서, 상기 온도 저하 감지 기구는, 상기 탑재대가 상기 소정의 검사 준비 위치로부터 상기 프로브 카드에서 떨어진 방향으로 계속 후퇴한 시간을 감지하는 후퇴 시간 감지 기구와; 상기 계속 후퇴한 시간에 근거하여, 상기 프로브 카드 및 상기프로브 단자가 상기 소정의 고온보다 저하한 것을 판정하는 온도 저하 판정 기구를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 장치가 제공된다.

본 발명의 제 15 실시예에 따라, 상기 제 13 실시예에 따른 프로브 방법에 있어서, 상기 온도 저하 감지 기구는, 상기 탑재대가 상기 소정의 검사 준비 위치로부터 상기 프로브 카드에서 떨어진 방향으로 계속 후퇴한 시간을 감지하는 후퇴 시간 감지 기구와; 상기 계속 후퇴한 시간에 근거하여, 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자가 상기 소정의 고온보다 저하한 것을 판정하는 온도 저하 판정 기구를 포함하고, 상기 위치 편차 보정 기구는 상기 계속 후퇴한 시간에 근거하여, 상기 프로브 카드 및 프로브 단자를 가열하는 예열 실행 시간을 설정하는 예열 실행 시간 설정 기구 및 상기 예열 실행 시간 동안, 상기 프로브 카드 및 프로브 단자를 가열하는 예열 실행 기구를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 장치가 제공된다.

본 발명의 제 16 실시예에 따라, 상기 제 15 실시예에 따른 프로브 방법에 있어서, 상기 위치 편차 보정 기구는, 상기 계속 후퇴한 시간에 근거하여, 상기 프로브 카드 및 프로브 단자를 가열하는 예열 실행 시간을 설정하는 예열 실행 시간 설정 기구와; 상기 예열 실행 시간 동안 상기 프로브 카드 및 프로브 단자를 가열하는 예열 실행 기구와; 상기 예열 실행 기구에 의해, 상기 프로브 카드와 상기 프로브 단자가 소정의 고온으로 가열된 후, 상기 탑재대를 제어하여 상기 탑재대에 탑재된 상기 피검사체의 검사 대상과 상기 프로브 단자의 위치 정렬을 실행하는 위치 정렬 기구를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 장치가 제공된다.

본 발명의 제 17 실시예에 따라, 상기 제 15 실시예에 따른 프로브 방법에있어서, 상기 예열 실행 시간 설정 기구는 상기 계속 후퇴한 시간에 근거하여, 또한 실온의 프로브 카드를 상기 소정의 고온으로 가열시키는 데에 요구되는 시간을 초과하지 않은 범위내에서, 상기 예열 실행 시간을 설정하는 것을 특징으로 하는 프로브 장치가 제공된다.

본 발명의 제 18 실시예에 따라, 상기 관련하는 프로브 방법에 있어서, 상기 탑재대는 소정의 온도로 설정되고, 상기 위치 정렬 기구 및 상기 탑재대 이동 기구중 어느 하나는, 상기 프로브 카드 및 프로브 단자의 온도가 상기 소정의 온도로 되도록 제어되는 경과 기간중에, 상기 반복하여 실시되는 상기 전기적 접촉의 각각에 앞서서, 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자의 위치 편차를 보정하는 카드 콘택트 보정 처리 기구를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 장치가 제공된다.

본 발명의 제 19 실시예에 따라, 상기 제 18 실시예에 따른 프로브 방법에 있어서, 상기 카드 콘택트 보정 처리 기구는, 상기 프로브 카드 및 프로브 단자의 온도가 상기 소정의 온도로 되도록 제어되어 있는 경과 기간중에, 상기 반복하여 실시되는 상기 전기적 접촉의 각각에 앞서서, 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자의 X, Y 및 θ 방향의 위치 편차를 보정하기 위해 상기 위치 정렬 기구에 설치된 보정 기구와; 상기 경과 기간중에, 상기 반복하여 실시되는 상기 전기적 접촉의 각각에 앞서서, 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자의 Z 방향의 위치 편차를 보정하기 위해 상기 탑재대 이동 기구에 설치된 보정 기구를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 장치가 제공된다.

본 발명의 제 20 실시예에 따라, 상기 제 18 실시예에 따른 프로브 방법에있어서, 상기 카드 콘택트 보정 처리 기구는, 최초의 검사 대상의 검사를 실행하기 전에, 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자의 위치 편차를 보정하는지의 여부를 판단하는 카드 콘택트 보정 설정 기구와; 두 번째 이후의 각각의 검사 대상의 검사 이전에, 상기 위치 편차의 보정을 종료하는지의 여부의 기준이 되는 위치 편차 보정 종료 조건을 설정하는 위치 편차 보정 종료 조건 설정 기구와; 이들 설정 기구에 의한 설정 내용을 기억하는 위치 편차 보정 조건 기억 기구와; 상기 위치 편차 보정 조건 기억 기구에 기억된 설정 내용에 근거하여, 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자의 위치 편차를 보정하는 카드 콘택트 보정 처리 기구를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 장치가 제공된다.

본 발명의 제 21 실시예에 따라, 상기 제 20 실시예에 따른 프로브 장치에 있어서, 상기 카드 콘택트 보정 처리 수단은, 두 번째 이후의 상기 각 검사 대상의 검사를 실행하기 전에, 상기 프로브 카드와 상기 프로브 단자의 현재 위치를 체크하고, 이 체크 내용에 근거하여, 상기 프로브 단자의 위치 편차를 보정하는 위치 편차 실행 처리 기구를 갖는 것을 특징으로 하는 프로브 장치가 제공된다.

본 발명의 제 22 실시예에 따라, 상기 제 20 실시예에 따른 프로브 장치에 있어서, 상기 위치 편차 보정 종료 조건은, 이전 검사시의 상기 프로브 단자의 선단 위치로부터 현재의 선단 위치 사이의 변위량이 허용 범위내인지의 여부의 판단에 근거하여 설정되는 것을 특징으로 하는 프로브 장치가 제공된다.

본 발명의 제 23 실시예에 따라, 상기 제 20 실시예에 따른 프로브 장치에 있어서, 상기 위치 편차 보정 종료 조건은, 이전까지의 검사에 요구된 시간이 상기프로브 카드 및 프로브 단자의 온도가 상기 소정의 온도로 되는 데에 필요한 최소 검사 시간을 초과하는지의 여부의 판단에 근거하여 설정되는 것을 특징으로 하는 프로브 장치가 제공된다.

본 발명의 제 24 실시예에 따라, 상기 제 20 실시예에 따른 프로브 장치에 있어서, 상기 위치 편차 보정 종료 조건은, 이전 검사시의 상기 프로브 단자의 선단 위치로부터 현재의 선단 위치 사이의 변위량이 허용 범위내인지의 여부의 판단과; 이전까지의 검사에 요구된 시간이, 상기 프로브 카드 및 프로브 단자의 온도가 상기 소정의 온도로 되는 데에 필요한 최소 검사 시간을 초과하는지의 여부의 판단과; 상기 양 판단에 있어서, 상기 프로브 단자의 선단 위치의 상기 변위량이 상기 허용 범위내이고, 또한 이전까지의 검사에 요구된 시간이 상기 최소 검사 시간을 초과한 것을 동시에 또한 연속하여 판단한 회수에 의해 설정되는 것을 특징으로 하는 프로브 장치가 제공된다.

본 발명의 제 25 실시예에 따라, 상기 제 20 실시예에 따른 프로브 장치에 있어서, 상기 카드 콘택트 보정 설정 기구와 상기 위치 편차 보정 종료 조건 설정 기구는, 상기 프로브 카드 및 프로브 단자의 온도를 검출하는 센서와, 상기 검출한 온도에 근거하여, 상기 위치 편차를 보정하는지의 여부를 판단하는 기구를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 장치가 제공된다.

첨부한 도면은 명세서의 일부와 연관하여 또한 일부를 구성하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 도시한다. 그리고, 해당 도면은 상기에 기술한 일반적인 기술과 바람직한 실시예에 관한 상세한 설명에 의해, 본 발명의 설명에 참조된다.

도 1은 본 발명의 프로브 장치의 구성을 나타내는 블럭도,

도 2는 도 1에 도시된 프로브 장치의 CPU의 주요부를 나타내는 기능 블럭도,

도 3은 본 발명의 프로브 방법에 있어서의 예열 동작을 나타내는 그래프,

도 4는 본 발명의 프로브 방법을 실시할 때의 흐름을 나타내는 블럭도,

도 5는 본 발명의 프로브 방법중, 예열 동작의 순서를 나타내는 플로우차트,

도 6은 본 발명의 프로브 장치의 구성을 나타내는 블럭도,

도 7은 도 6에 도시된 프로브 장치의 주요부를 나타내는 기능 블럭도,

도 8은 본 발명의 프로브 방법을 실시할 때 도 6에 도시된 프로브 장치의 표시 장치에 표시되는 조작 화면,

도 9는 본 발명의 프로브 방법을 실시할 때, 최초의 칩을 검사하기까지의 플로우차트,

도 10은 본 발명의 프로브 방법을 실시할 때, 두 번째 이후의 칩을 검사하기까지의 플로우차트,

도 11은 본 발명의 프로브 방법을 실시했을 때의 칩의 검사 회수와 Z 방향의 프로브 단자의 핀 선단의 위치, Z 방향의 변위량 및 각 칩 검사의 검사 시간의 관계를 나타내는 그래프,

도 12a 내지 도 12c는 모두 프로브 장치를 이용한 정렬 방법의 일례를 도시하는 설명도,

도 13은 웨이퍼의 고온 검사를 실행할 때의 검사 경과 시간과 프로브 단자의 핀 선단의 Z 방향의 변위량의 관계를 나타내는 그래프,

도 14는 종래의 프로브 장치의 일부를 파단하여 도시하는 사시도.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

11 : 로더실12 : 프로버실

13 : 제어기20 : 탑재대(main chuck)

22 : 프로브 카드22A : 프로브 단자(probe needle)

31 : 예열 실행 설정 기구35 : 예열 실행 판정 기구

36 : 예열 시간 산출 기구37 : 예열 종료 판정 기구

131A : 카드 콘택트 보정 처리부131B : 웨이퍼 정렬 처리부

132 : 기억 장치132A : 보정 프로그램 기억부

132B : 정렬 조건 기억부132C : 정렬 종료 조건 기억부

도 1 내지 도 5에 있어서, 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.

본 발명의 바람직한 실시예의 프로브 장치(10)는 기본적으로는 도 14에 도시된 종래의 프로브 장치를 기준으로 구성되어 있다. 이 프로브 장치(10)는, 예를 들면 도 1에 도시된 바와 같이, 로더실(11), 프로버실(12) 및 각종 제어기(13, 20A)를 구비한다. 로더실(11)에는 웨이퍼 인식 기구(17)가 설치되고, 이 웨이퍼 인식 기구(17)에 의해서 웨이퍼(W)의 로트(lot) 등이 인식된다. 프로버실(12)에는 정렬 기구를 구성하는 CCD 카메라 등의 화상 인식 기구(21A, 21D)가 설치되고, 이 화상 인식 기구(21A, 21D)에 의해서 웨이퍼(W)의 표면 및 프로브 카드(22)의 프로브 단자가 각각 화상 인식되며, 웨이퍼(W)의 전극 패드와 이것에 대응하는 프로브 단자가 정렬된다. 메인 제어기(13) 및 온도 제어기(20A)의 제어하에서, 탑재대(20)는 가열되거나 냉각되어, 소정의 검사 온도로 제어된다. 도 1은 프로브 카드(22)가 삽입 링에 장착된 상태를 도시하고 있다.

도 2에 있어서, 본 실시형태의 프로브 장치(10)의 CPU의 주요부를 설명한다. 프로브 카드(22)를 탑재대(20)에 의해 예열하기 위한 예열 실행 설정 기구(31) 및 예열 실행 기구(32)가 설치된다. 예열 실행 설정 기구(31)는 예열을 실행하는지의 여부를 설정하기 위한 기구이다. 예를 들면 표시 장치(14)의 화면을 터치하여 조작함으로써, 예열을 실행하는지의 여부가 설정된다. 예열을 실행하는 내용이 설정되면, 고온 검사중에 탑재대(20)가 검사 위치보다 낮은 위치로 후퇴했을 때, 소정의 프로그램에 따라서 예열 실행 기구(32)가 작동하고, 후술하는 조건하에서 자동적으로 예열이 실행된다. 프로버실(12)내에는 탑재대(20)의 높이를 검출하기 위한 위치 검출 센서(33)가 설치된다. 이 위치 검출 센서(33)에 의해, 탑재대(20)의 높이는 항상 감시된다. 탑재대(20)가 소정의 높이보다 낮은 위치까지 하강했을 때, 해당 위치 검출 센서(33)는 나타내는 신호를 제어기(13)로 보낸다.

다음에, 상기 예열 실행 기구(32)를 도 2를 참조하여 설명한다. 예열 실행 기구(32)는 상기 위치 검출 센서(33)의 검출 결과에 근거하여 탑재대(20)의 후퇴 시간을 산출하는 후퇴 시간 산출 기구(34)와, 이 후퇴 시간에 근거하여 예열을 실행하는지의 여부를 판정하는 예열 실행 판정 기구(35)와, 이 예열 실행 판정 기구(35)가 예열한다고 판정했을 때, 후퇴 시간 및 프로브 카드(22)의 종류에 근거하여 예열 실행 시간을 산출하는 예열 시간 산출 기구(36)와, 탑재대(20)가 상기 예열 실행 시간 동안에 예열된 것을 확인하는 예열 종료 판정 기구(37)를 구비한다. 이들 기구는 예열용의 프로그램에 따라 작동될 수 있다. 후퇴 시간 산출 기구(34), 예열 실행 판정 기구(35), 예열 시간 산출 기구(36), 예열 종료 판정 기구(37)는 제어기(13)의 중앙 처리 장치(CPU)(38)의 일부로서 구성될 수 있다.

또한, 여기서 검사 준비 위치는 프로브 단자가 피처리체에 접촉하여 검사가 실행되는 위치에 비해서, 피처리체로부터 떨어져 있는 위치를 의미한다. 예를 들면, 해당 검사 준비 위치는 탑재대가 X, Y 방향으로 이동하여, 피처리체를 소위 인덱스 이송(indexing)하는 위치가 될 수 있다. 탑재대(20)의 후퇴 시간은 탑재대(20)가 프로브 단자로부터 떨어진 위치에 도달한 시점에서부터, 해당 떨어진위치로부터 프로브 단자쪽으로 되돌아갈 때까지의 시간을 의미한다.

이 후퇴 시간은 위치 검출 센서(33)로부터의 신호에 근거하여 제어기(13)의 실 시간 크럭(real time clock)(39)에 의해서 계측되고, 계측 개시 시간부터 계측 종료 시간까지 실 시간 기억 기구(40)에 순차적으로 저장된다. 후퇴 시간 산출 기구(34)는 실 시간 기억 기구(40)에 저장된 계측 개시 시각과 계측 종료 시각에 근거하여 탑재대(20)의 후퇴 시간을 산출한다. 후퇴 시간 산출 기구(34)에 의해 후퇴 시간이 산출되면, 이 후퇴 시간에 근거하여 예열 실행 판정 기구(35)는 프로브 카드(22) 및 프로브 단자를 예열하는지의 여부를 판정한다.

예열 실행 판정 기구(35)의 판정 기준은 프로브 카드(22)의 온도이다. 즉, 탑재대(20)가 프로브 카드(22)로부터 멀어져도, 검사 위치로의 복귀가 빠르고 후퇴 시간이 짧으면, 프로브 카드(22)의 온도는 거의 하강하지 않는다. 프로브 단자(22A)는 본래의 위치로부터 편차가 거의 없고, 예열하지 않고서 검사가 재개되더라도 하등의 문제가 없다. 따라서, 예열 실행 판정 기구(35)는 탑재대(20)가 후퇴한 후, 그대로 고온 검사가 재개되더라도 문제가 없는 소정의 후퇴 최대 시간을 기준 시간으로 하여, 예열을 실행하는지의 여부를 판정한다.

이 기준 시간은 프로브 카드(22)의 종류 및 재질 등에 의해서 미리 정할 수 있다. 탑재대(20)의 후퇴 시간이 기준 시간내이면, 예열 실행 판정 기구(35)는 예열을 실행하지 않는 내용을 판정하고, 해당 후퇴 시간이 기준 시간을 초과하면 예열을 실행하는 내용을 판정한다.

예열을 실행한다라고 판정하면, 예열 시간 산출 기구(36)는 그 판정 결과에근거하여, 그리고 프로브 카드(22)의 종류에 따라 예열 실행 시간을 산출한다. 여기서, 예열 실행 시간(T)은 하기의 수학식 1로 구할 수 있다.

[수학식 1]

T = a(t-τ)

여기서, T는 예열 실행 시간, t는 후퇴 시간, τ는 기준 시간, a는 프로브 카드(20)의 종류에 의해서 결정되는 시간 계수이다. 이 관계는 도 3에 도시되어 있다. 이 식에 있어서의 a 및 τ는 제어기(13)의 파라미터 기억 기구(41)에 미리 저장된다. a에는 예를 들면 0 내지 99의 수치가 할당되고, τ에는 예를 들면 30초의 수치가 할당된다. τ가 30초로 설정된 것은, 예열한 후 프로브 정렬을 실행하면, 해당 프로브 정렬이 실행되고 있는 동안에 30초가 경과할 가능성이 있기 때문이다. 프로브 정렬에 30초 이상을 소비하면, 다시 예열을 실행해야 하므로, 결과적으로 예열과 프로브 정렬을 영원히 반복하게 된다.

산출된 예열 실행 시간(T)이 예열 최대 시간을 초과하는 경우, 예열은 해당 예열 최대 시간으로 실행된다. 예열 최대 시간은, 예를 들면 검사 개시 때와 같이, 프로브 카드(22)가 전혀 가열되지 않는 상태에서부터, 검사 온도까지 가열되는 데에 요구되는 시간을 의미한다. 도 3에 있어서, To은 예열 최대 시간을 나타내고, B는 탑재대(20)가 프로브 카드(22)로부터 시간 t2만큼 떨어짐으로써 산출된 예열 실행 시간을 나타낸다. 예열 실행 시간(B)은 예열 최대 시간(To)을 초과하므로, 예열 실행 시간은 예열 최대 시간(To)으로 설정된다.

상술한 바와 같이, 예열 실행 시간이 산출되면, CPU(38)를 거쳐서 예열 타이머(42)에 해당 예열 실행 시간이 세트된다. 예열 종료 판정 기구(37)는 해당 예열 타이머(42)를 항상 감시한다. 예열 타이머(42)로부터의 타임 업 신호에 근거하여, 예열의 종료가 판정된다.

예열 후에 프로브 정렬을 실행해야 하는 경우도 있다. 예열 실행 설정 기구(31)와 마찬가지로 표시 장치(14)의 표시 화면을 사용하여, 프로브 정렬 설정 기구(43)에 의한 프로브 정렬을 실행하는 내용의 설정이 실행된다. 프로브 정렬을 실행하는 것이 설정된 경우, 예열이 종료된 후에, 미리 정해진 프로브 단자(22A)의 초기 위치와의 차이에 근거하여 탑재대(20)의 위치를 제어함으로써 프로브 정렬이 실행된다. 이 프로브 정렬에 의해, 프로브 단자(22A)의 위치 편차가 해소되고, 침압이 적정값으로 교정된다. 이어서, 탑재대(20)가 검사를 위해 이동하고, 검사가 재개된다.

또한, 이 프로브 장치(10)에 있어서의 예열 기능은 도 4의 기능 블럭도에 도시한 바와 같이, 각종 검사 기능, 각종 정지 기능 및 각종 오류 발생 기능을 구비하고 있다. 각종 검사 기능은 필요시 실행되는 전술한 예열 기능 뿐만 아니라 상술한 침적 체크나 침연마의 후에 실행하는 예열 기능을 포함하고 있다. 각종 정지 기능은 프로브 장치(10)가 정지한 후, 다시 검사를 시작할 때 실행하는 예열 기능이고, 각종 오류 발생 기능은 프로브 장치(10)에 오류가 발생했을 때, 오류 복구후 다시 검사를 시작할 때에 실행하는 예열 기능이다. 본 실시형태에서는 고온 검사시의 예열 기능을 대상으로 하기 때문에, 도 4에 도시되는 바와 같은 각종 검사 기능이 실행된다.

다음에, 상기 프로브 장치(10)를 이용한 본 발명의 프로브 방법을 도 4를 참조하여 설명한다.

도 4에 있어서, 고온 검사 중에 어떠한 원인에 의해 탑재대(20)(도 4에서는 스테이지)가 검사 위치보다 낮은 위치까지 하강하여 후퇴한다(S1). CPU(38)를 거쳐서 실 시간 클럭(39)의 현재 시각이 실 시간 기억 기구(40)(도 4에서는 메모리)에 저장된다(S2). 자동적으로 검사 처리가 선택되고 실행된다. 계속해서 CPU(38)를 거쳐서 실 시간 클럭(39)의 현재 시각이 순차적으로 실 시간 기억 기구(40)에 저장된다(S3). 단계(S2)와 단계(S3)에서 판독된 시각에 근거하여 후퇴 시간 산출 기구(34)(도 4에서는 CPU)가 후퇴 시간(t)을 산출한다(S4). 이어서, 예열 실행 판정 기구(35)가 후퇴 시간(t)(도 4에서는 경과 시간)과 파라미터 기억 기구(41)에 기억된 기준 시간(τ)을 비교하고(S5), 예열하는지의 여부를 판정한다. 예열한다고 판정된 경우, 예열 시간 산출 기구(36)는 도 3에 나타내는 관계로부터 예열 실행 시간을 산출하고, 예열 타이머(42)에 그 시간이 세트된다(S6). 후퇴 시간의 경과에 따라 탑재대(20)는 검사 위치(도 4에서는 카드 세퍼레이트)까지 상승한다. 예열 종료 판정 기구(37)는 예열 타이머(42)의 기능을 감시하고(S8), 예열 타이머(42)가 타임 업(time-up)되면(S9), 예열이 종료된 내용을 판정한다(S10). 그렇게 하면, 이 판정에 근거하여 탑재대(20)는 웨이퍼(W)와의 접촉 위치로 상승하고, 고온 검사가 재개된다(S11).

도 4는 프로브 카드(22)를 예열할 때의 순서를 나타내고 있다. 상술한 바와 같이, 프로브 카드(22)를 예열하지 않는 경우도 있다. 그 판정 순서는 도 5에나타나 있다. 도 5에 있어서, 미리 예열 실행 설정 기구(31)에 의해 예열을 실행하는 내용이 설정되어 있다. 탑재대(20)가 검사 위치보다 낮은 위치까지 후퇴되었을 때, 예열 실행 기구(32)는 자동적으로 예열을 실행하는 내용을 판정한다(단계 S21). 예열 실행 판정 기구(35)는 이미 산출된 후퇴 시간(t)과 이미 설정된 기준 시간(τ)을 비교하여(S22), 후퇴 시간(t)이 기준 시간(τ)보다 큰 경우, 탑재대(20)는 검사 준비 위치까지 이동하고(S23), 동일 위치에서 정지하여 프로브 카드(22) 및 프로브 단자를 예열한다(S24). 이 시점부터 예열 타이머(42)는 작동한다. 예열 종료 판정 기구(37)는 예열 타이머(42)의 동작을 항상 감시하고, 해당 예열의 시간이 예열 실행 시간을 경과하였는지의 여부가 판정된다(S25). 예열 실행 시간을 경과하지 않으면, 이 판정 동작이 반복된다. 예열 종료 판정 기구(37)가 예열 실행 시간이 경과하였다고 판정하면, 예열은 종료된다(S26). 그 후에는 본래의 고온 검사의 프로그램으로 되돌아가고, 웨이퍼(W)가 프로브 카드(22)의 프로브 단자(22A)와 접촉한다(S27).

반면, 단계(S22)에 있어서 후퇴 시간(t)이 기준 시간(τ)보다 작을 때에는, 예열 실행 판정 기구(33)는 예열하지 않는다라고 판정하고, 순서는 단계(S22)로부터 단계(S27)로 점프하여, 웨이퍼(W)와 프로브 카드(22)의 접촉 동작이 시작된다. 프로브 정렬 설정 기구(43)에 의해 프로브 정렬을 실행하는 내용이 설정되어 있으면, 예열후 프로브 정렬이 실행된 후, 웨이퍼(W)와 프로브 카드(22)의 접촉 동작이 시작된다.

예열 실행 설정 기구(31)에서 예열이 실행되지 않는 것으로 설정되어 있으면, 순서는 단계(S21)로부터 단계(S27)로 점프하고, 웨이퍼(W)와 프로브 카드(22)의 접촉 동작이 시작된다.

이상 설명한 바와 같이, 본 실시형태에 의하면, 웨이퍼(W)의 고온 검사중에 탑재대(20)가 검사 위치보다 낮은 위치까지 후퇴했을 때에는, 위치 검출 센서(33)에 의해 해당 후퇴가 자동적으로 검출된다. 후퇴 시간 산출 기구(34)에 의해, 탑재대(20)의 후퇴 시간(t)이 산출되고, 이 후퇴 시간(t)에 근거하여 예열 실행 판정 기구(35)는 프로브 카드(22)를 예열하는지의 여부를 판정한다. 해당 기구(35)가 예열한다고 판정했을 때에는, 예열 시간 산출 기구(36)에 의해 후퇴 시간(t) 및 프로브 카드의 파라미터(a)에 근거하여 예열 실행 시간(T)이 산출되고, 예열 종료 판정 기구(37)에 의해 해당 시간(T)만큼 예열이 실행된다. 웨이퍼(W)와 프로브 단자는 정확히 접촉되어, 검사의 신뢰성은 높아지고, 검사의 스루풋은 향상한다.

프로브 정렬 설정 기구(43)에 의해, 예열 후, 프로브 정렬을 실행하는 것이 설정되어 있으면, 예열 후, 웨이퍼(W)와 프로브 단자의 접촉 동작 개시전에 프로브 정렬이 행해져, 보다 신뢰성이 높은 검사가 행해진다.

본 발명에 의하면, 소정의 온도에 의해 검사중에, 만일 탑재대가 검사 위치보다 낮은 위치까지 하강하고 그 위치에 정지하여 프로브 카드 및 프로브 단자의 온도가 하강하더라도, 자동적으로 프로브 카드 및 프로브 단자는 예열되어, 검사의 신뢰성이 높아지고, 스루풋은 향상된다. 또한, 본 발명에 의하면, 고온 검사의 신뢰성을 더욱 향상시킬 수 있다.

본 발명은 상기 실시형태에 전혀 제한되지 않는다. 중요한 것은 검사중에예기하지 않은 원인에 의해 피검사체의 탑재대가 검사 위치로부터 하강했을 경우, 프로브 카드 및 프로브 단자를 자동적으로 예열하는 기술이라면, 본 발명의 프로브 방법 및 프로브 장치에 포함된다.

또한, 도 6 내지 도 13에 의해, 본 발명의 다른 실시예를 설명한다.

도 14에 도시된 상기 프로브 장치에 의해, 피검사체가 고온에 의해 또는 저온에 의해 검사되는 경우로서, 프로브 카드 및 프로브 단자가 검사 온도로 되도록 예열되지 않고서 검사가 시작되는 경우, 프로브 단자는 프로브 카드 및 프로브 단자가 검사 온도로 될 때까지의 과정에서, 프로브 단자의 핀 선단(pin point)의 위치에 편차가 생기고, 프로브 단자와 웨이퍼(W)가 정확하게 접촉할 수 없게 되는 우려가 있다.

도 6은 고온 검사의 경우에 있어서의, 본 발명의 다른 실시예가 설명된다. 본 실시형태의 프로브 장치(10)는 프로브 카드(22) 및 프로브 단자(22A)가 열팽창했을 때, 프로브 단자(22A)의 위치를 보정하는 기능을 갖고, 프로브 단자(22A)와 웨이퍼(W)를 정확하고 또한 확실히 접촉시킨다. 이 보정 기능은 카드 콘택트 보정 프로그램(이하,「보정 프로그램」이라고 칭함)에 따라서 실행된다.

카드 콘택트 보정에 대하여 설명한다. 본 실시예에 있어서의, 도 6의 메인 제어기(13)의 주요부가 도 7에 도시되어 있다. 메인 제어기(13)는 중앙 처리 장치(CPU)(131) 및 기억 장치(132)를 구비하고 있다. 카드 콘택트 보정 프로그램(이하, 보정 프로그램이라고 함)은 기억 장치(132)의 카드 콘택트 보정 프로그램 기억부(이하, 보정 프로그램 기억부라고 함)(132A)에 저장되어 있다. 이 보정 프로그램은 CPU(131)를 거쳐서 기동되고, 화상 처리 제어기(14A)를 거쳐서 도 8에 도시된 조작 화면(141)상에 표시된다. 후술하는 바와 같이 조작 화면(141)상에서 카드 콘택트 보정에 관련된 여러가지의 설정이 실행된다. 이 보정 프로그램이 기동되면, 도 7에 도시된 CPU(131)는 카드 콘택트 보정 처리부(131A)로서 기능한다. 이 카드 콘택트 보정 처리부(131A)의 제어하에서 웨이퍼 정렬 실행 처리부(이하, 웨이퍼 정렬 처리부라고 함)(131B)가 동작하고, 고온 검사중에 열팽창하는 프로브 카드(22)의 프로브 단자(22A)와 각 칩의 전극이 확실히 접촉되도록 콘택트 위치를 보정한다.

카드 콘택트 보정의 예를 설명한다. 1개의 프로브 단자(22B)가 미리 기준 프로브 단자로서 등록된다. 최초의 칩의 검사 개시 이전에, 해당 기준 프로브 단자를 이용하여, 프로브 단자(22A)의 정렬(프로브 정렬)을 실행한다. 두 번째 이후의 각 칩의 검사 이전에, 상기 기준 프로브 단자(22B)를 이용하여 프로브 정렬이 실행된다. 전자의 정렬은 최초의 칩의 검사전에 한 번만 실행되고, 후자의 정렬은 두 번째 이후의 각 칩의 검사를 행할 때마다 실행되며, 프로브 카드(22) 및 프로브 단자가 열적으로 안정될 때까지 계속된다. 후자의 정렬을 실행할지의 여부는 카드 콘택트 보정 처리부(131A)에서 판단된다. 이 판단은 후술하는 정렬 종료 조건을 기준으로 하여 실행된다. 후자의 정렬에서는, 프로브 정렬 후, 상황에 따라 웨이퍼 정렬 처리부(131B)에 의해 웨이퍼(W)의 정렬도 실행된다.

도 8에 도시되어 있는 바와 같이, 상기 카드 콘택트 보정 처리의 내용은 처리 항목별로 조작 화면(141)상에 표시된다. 그 처리 항목의 예는 「카드 콘택트보정」, 「전(全)정렬」, 「전정렬 체크」 및 「측정 중단시의 재정렬」이다. 전정렬이란 프로브 정렬 후에 실행되는 웨이퍼(W)의 정렬 처리를 말한다. 「카드 콘택트 보정」, 「전정렬」 및 「측정 중단시의 재정렬」에는 각각 「실행」키(141A, 141B, 141C) 및 「미실행」키(141D, 141E, 141F)가 부대(附帶) 표시된다. 카드 콘택트 보정 설정 수단으로서의 이들 키를 터치하여 조작함으로써, 각 처리 항목이 실행되는지의 여부가 설정된다. 또한, 처리 항목 「전정렬 체크」에는 「5점」키(141G), 「1점」키(141H) 및 「미실행」키(141I)가 표시되어 있다. 카드 콘택트 보정 설정 수단으로서의 이들 키중, 「5점」키가 조작된 경우에는, 전정렬시에 탑재대(20)가 X, Y 방향으로 이동하는 동안에 웨이퍼(W)상의 미리 등록된 5점을 화상 인식 기구(21A)(상방 CCD 카메라)에 의해 인식하고, 정렬이 실행된다. 「1점」키가 조작된 경우에는, 웨이퍼(W)상의 미리 등록된 1점을 화상 인식 기구(21A)에 의해 화상 인식하고, 정렬 체크가 실행된다. 또한, 도 7에 있어서, 카드 콘택트 보정 설정 수단은 카드 콘택트 보정을 위한「실행」키(141A) 및「미실행」키(141D)에 의해, 다른 키까지 대표하게 한다. 도 7에 도시하는 바와 같이, 이들 설정 조건은 기억 장치(132)의 정렬 조건 기억부(132B)에 저장된다.

또한, 상기 조작 화면(141)을 사용하여, 정렬 종료 조건이 설정된다. 이 정렬 종료 조건은 프로브 단자(22A)의 핀 선단의 위치가 안정되었는지의 여부의 판단 기준이다. 카드 콘택트 보정 처리부(131A)가 해당 정렬 종료 조건을 충족시켰는지의 여부를 판단한다. 본 실시형태에서는 정렬 종료 조건으로서, 도 8에 도시한 바와 같이 이전의 검사전의 프로브 단자(22A)의 핀 선단 위치로부터 현재의 핀 선단위치까지의 변위량의 허용값, 칩의 검사에 필요한 최소 검사 시간 및 이들 양자를 연속하여 동시에 충족시켜야 하는 정렬 회수가 정렬 종료 조건 설정 수단(141J)에 의해 설정된다. 도 7에 도시하는 바와 같이, 이들 설정값은 기억 장치(132)의 정렬 종료 조건 기억부(132C)에 저장된다.

(1) 변위량의 허용값 및 최소 검사 시간

본 발명을 실시하는 사람은 검사 대상의 전극 및 프로브 단자의 크기 및 구조 등을 고려하여, 웨이퍼의 품종에 따라 X, Y 및 Z 방향의 각각마다, 변위량의 허용값을 설정할 수 있다. 예를 들면, X 방향의 허용값은 3㎛, Y 방향의 허용값은 3㎛ 및 Z 방향의 허용값은 5㎛로 설정될 수 있다.

열적으로 팽창 또는 수축에 의한 프로브 단자(22A)의 핀 선단의 변위량은 프로브 카드(22) 및 프로브 단자(22A)가 검사 온도에 도달할 때까지, 각 칩의 검사가 반복될 때마다 점차 증가한다. 프로브 카드(22) 및 프로브 단자(22A)가 검사 온도에 접근함에 따라, 그 변위량은 점차 감소하여, 최종적으로는 0으로 된다. 따라서, 각 칩의 검사 시간의 장단(長短)에 의해 프로브 단자(22A)의 핀 선단의 변위량이 크게 영향을 받는다. 예를 들면, 이전의 검사전의 핀 선단 위치로부터 현재의 핀 선단 위치까지의 변위량이 허용값내이더라도, 그 검사 시간이 짧으면, 프로브 카드(22) 및 프로브 단자(22A)가 열적으로 안정되었다고는 할 수 없다. 이전의 칩 검사 시간이 소정의 최소 검사 시간보다 짧은 경우, 예를 들면 상기 변위량이 허용값내이더라도, 다음번의 검사전에 프로브 단자(22A)의 정렬을 실행하는 것이 바람직하다. 이 정렬 회수는 후술하는 바와 같이, 이전까지의 정렬 회수에 가산된다.최소 검사 시간은 예를 들면 120초로 설정될 수 있다.

(2) 정렬 회수

정렬 회수는 변위량의 허용값 및 최소 검사 시간에 관한 정렬 종료 조건이 연속하여 동시에 충족되어야 하는 회수이다. 이 회수는 다음번의 검사중에 프로브 단자(22A)의 핀 선단이 변위를 일으키지 않는 값으로 설정된다. 이 회수는 예를 들면 3회로 설정될 수 있다.

칩을 검사하는 동안에, (1)의 정렬 종료 조건이 충족되면, 프로브 카드(22) 및 프로브 단자(22A)는 열적으로 안정된 상태에 가깝다. 이는 다음번의 검사에 의해 각 프로브 단자(22A)가 대응하는 각 전극 패드에 접촉하고, 소정의 검사가 확실히 실행되는 상태인 것을 나타낸다. 정렬 회수가 그 때마다 가산되고, 이 회수가 설정값에 도달한 후에는 각 칩은 정렬없이 정확히 검사될 수 있다. 또한, (1)의 정렬 종료 조건중 어느 한쪽이 충족되어 있지 않을 때에는, 가령 그 전에 (1)의 조건이 충족되어 있더라도 프로브 카드(22)는 열적으로 불안정한 상태에 있다. 이 경우에는, 그 때마다 정렬 회수를 클리어하고, 그 회수는 0으로 설정된다.

상기 조작 화면(141)상에는, 「전(前) 화면」키 및「중지」키가 표시된다. 「전 화면」키가 조작되면, 상기 조작 화면(141)은 전 화면으로 되돌아가고, 「중지」키가 조작되면, 보정 프로그램의 실행은 중지된다.

도 6 내지 도 11을 참조하여, 본 발명의 프로브 방법의 일 실시형태를 설명한다. 본 발명의 프로브 방법이 실시되는 경우, 도 8에 도시되는 조작 화면(141)상의 「카드 콘택트 보정」키(도시하지 않음)를 터치하여 조작하면, 그 처리 항목이 도 8에 도시되는 바와 같이 조작 화면(141)상에 표시된다. 이 조작 화면(141)상에서 콘택트 보정에 필요한 여러가지의 조건이 설정된다. 예를 들면, 조작 화면(141)상에서 「카드 콘택트 보정」의 「실행」키(141A), 「전정렬」의 「실행」키(141B), 「전정렬 체크」의 「5점」키(141G) 및 「측정 중단시의 재정렬」의 「실행」키(141C)를 각각 터치하여 조작하면, CPU(131)는 카드 콘택트 보정 처리부(131A)가 각각의 항목을 자동적으로 실행한다라고 판단한다. 조작 화면(141)상에서 4개의 정렬 종료 조건의 각 수치가 키 보드 등으로 입력되면, 이 정렬 종료 조건을 기준으로 하여 두 번째 이후의 칩이 검사될 때마다, 카드 콘택트 보정 처리부(131A)는 각각의 검사전에 그 후의 프로브 정렬을 행하는지의 여부를 판단한다.

상술한 바와 같이 여러가지의 조건을 설정한 후, 프로브 장치(10)에 의한 측정이 시작된다. 탑재대(20)는 이미 검사 온도(예를 들면, 180℃)에 도달한다. 도 9에 도시하는 바와 같이, CPU(131)가 PTPA(Probe to pad Alignment)를 실행하는지의 여부를 판단한다(S1). CPU(131)가 PTPA를 실행한다라고 판단한 경우에는, 종래와 마찬가지의 순서에 의해 하방 CCD 카메라(21D)에 의해서 복수개의 등록 프로브 단자(22A)[기준 프로브 단자(22B) 이외의 정렬의 대상으로 되는 프로브 단자]의 화상을 인식하고, 해당 화상에 근거하여 프로브 정렬이 행하여진다(S2). 로더실내의 웨이퍼 반송 기구(15)가 웨이퍼(W)를 탑재대(20)상에 탑재한 후(S3), 정렬 기구(21)[상방의 CCD 카메라(21A)] 및 탑재대(20)에 의해 웨이퍼(W)의 정렬을 실행한다(S4). 그리고, 탑재대(20)가 구동되어, 웨이퍼(W)상의 처음으로 검사되는 칩이 프로브 카드(22)의 바로 아래로 이동한다(S5). 여기까지의 동작은 종래의 검사용 프로그램에 따라서 실행된다.

이 동안에도 프로브 카드(22)는 탑재대(20)로부터의 열적 영향을 받아 서서히 열팽창(수축)한다. 프로브 단자(22A)의 핀 선단 위치는 변위함으로써, 웨이퍼(W)와 적정히 접촉하는 것이 어려워진다. 그런데, 본 실시형태에서는 미리 조작 화면(141)을 이용하여 「카드 콘택트 보정」이 실행되도록 설정되어 있기 때문에, 카드 콘택트 보정 처리부(131A)가 프로브 정렬을 실행한다라고 판단한다(S6). 하방 CCD 카메라(21D)를 사용하여, 예를 들면 1개의 기준 프로브 단자(22B)를 기준으로 하여 프로브 정렬이 행하여진다. 하방의 CCD 카메라(21D)에 의해 현재의 등록 프로브 단자(22A)의 핀 선단 위치가 화상 인식된다(S7). 탑재대(20)가 Z 방향으로 상승하여, 프로브 단자(22A)와 최초의 칩의 전극 패드를 접촉시키고, 또한 탑재대(20)가 오버 드라이브되며, 해당 최초의 칩의 검사가 행하여진다(S8).

또한, 단계(S1)에 있어서, PTPA를 실행하지 않는다라고 판단된 경우에는, 등록 프로브 단자(22A)와는 별도의 정렬 조건 기억부(132B)에 미리 등록된 1개의 기준 프로브 단자(22B)를 이용하여 정렬이 행하여지고(S9), 단계(S3)가 실행된다. 조작 화면(141)을 이용하여 「카드 콘택트 보정」을 실행하지 않는 내용의 설정이 실행된 경우에는, 단계(S6)로부터 단계(S8)로 직접 이행하고, 프로브 정렬을 하지 않고서 최초의 칩이 검사된다.

최초의 칩이 검사된 후, 도 10에 나타나는 단계(S11)로 이행한다.단계(S11)에서는 두 번째의 칩을 검사하기 전에, 카드 콘택트 보정 처리부(131A)에 있어서 미리 설정된 칩 정렬 종료 조건(전술한 3개의 정렬 종료 조건)마다 충족되는지의 여부가 판단된다. 그 조건이 충족되지 않는다라고 판단된 경우에는, 카드 콘택트 보정 처리부(131A)로부터의 지령 신호에 근거하여, X-Y 이동 기구(18) 및 승강 기구(19)에 의해 탑재대(20)는 이동되고, 기준 프로브 단자(22B)의 정렬이 행하여진다(S12). 이어서, 카드 콘택트 보정 처리부(131A)에 있어서, 최초의 칩의 검사전의 기준 프로브 단자(22B)의 변위량이 허용값내에 있는지의 여부가 판단된다(S13). X, Y 및 Z 방향의 적어도 하나의 해당 변위량이 허용값을 초과하는 경우에는, 정렬 종료 조건의 카운트 수를 0으로 클리어한다(S14). 1개의 기준 프로브 단자(22B)를 이용하여 프로브 정렬이 실행되고, 현재의 핀 선단 위치가 화상 인식되어, 그 위치로 콘택트 위치는 보정된다(S15).

또한, 본 실시형태에서는 전정렬 및 전정렬 체크가 각각 실행되도록 설정되어 있다. 이 때문에, 웨이퍼 정렬 실행 처리부(131B)는 파라미터 전정렬(각 칩마다의 정렬이고, 해당 파라미터는 2 콘택트째 이후의 프로브 등록 핀의 정렬 후, 웨이퍼 정렬를 실행하는지의 여부를 설정함)을 실행한다라고 판단한 후(S16), 전정렬 체크를 실행한다라고 판단한다(S17).

또한, 5점에서 전정렬 체크를 실행한다라고 설정되어 있기 때문에, 웨이퍼 정렬 실행 처리부(131B)는 자동적으로 그 내용을 판단한다(S18). 웨이퍼 정렬 실행 처리부(131B)로부터의 신호에 근거하여, 얼라인먼트 브리지(21B)는 프로브 센터까지 이동하고, 탑재대(20)는 상기 5점이 상방 CCD 카메라(21A)의 바로 아래에 오도록 순차적으로 이동하며, 웨이퍼(W)상의 해당 5점의 현재 위치가 화상 인식에 의해 체크된다(S19). 웨이퍼 정렬이 실행되어 웨이퍼(W)의 X, Y 및 Z의 각 위치가 보정된다(S20). 탑재대(20)가 X-Y 이동 기구(18) 및 승강 기구(19)에 의해 이동되고, 프로브 단자(22A)와 두 번째의 칩의 전극 패드가 정확하고 또한 확실히 접촉하여, 그 칩의 검사가 확실히 실행된다(S21).

단계(S13)에 있어서, 카드 콘택트 보정 처리부(131A)가 최초의 칩의 검사전의 기준 프로브 단자(22A)의 핀 선단 위치로부터 현재의 핀 선단 위치까지의 변위량이 허용값내라고 판단했을 때에는, 단계(S22)로 이행한다. 그리고, 단계(S22)에 있어서 카드 콘택트 보정 처리부(131A)는 최초의 칩의 실검사 시간과 최소 검사 시간을 비교하여, 실검사 시간이 최소 검사 시간을 초과한다라고 판단했을 때에는, 정렬 종료 조건의 연속 카운트를 1회 가산한다(S23). 이 카운트수는 미리 설정된 정렬 회수와 비교된다(S24). 이 카운트수가 정렬 회수의 설정값에 도달하지 않으면, 단계(S21)로 이행하여, 다음 정렬이 실행되고, 두 번째의 칩의 검사가 실행된다. 단계(S24)에 있어서 해당 카운트수가 정렬 회수의 설정값에 도달하면, 단계(S25)의 매 칩 프로브 정렬 처리 종료의 단계를 지나서, 단계(S21)로 이행하여, 매 칩 프로브 정렬 처리는 실행되지 않고 다음번 이후의 칩 검사가 실행된다. 그러나, 통상, 이 단계에서는 단계(S25)로 이행하지는 않는다.

단계(S22)에 있어서, 최초의 칩의 검사 시간이 최소 검사 시간에 도달하지 않는다라고 판단된 경우에는, 정렬 종료 조건의 카운트수는 0으로 클리어된다(S26). 단계(S21)로 이행하여 두 번째의 칩을 검사한다. 따라서, 다음번의 칩의 검사전에 정렬 회수는 처음부터 카운트된다.

두 번째 칩의 검사를 종료하면, 단계(S11)로 되돌아가고, 단계(S11)로부터 상술한 각 단계가 반복된다. 검사가 반복되고, 검사의 누적 시간이 길어지면, 프로브 카드(22) 및 프로브 단자는 웨이퍼(W)의 검사 온도에 서서히 접근하고, 기준 프로브 단자(22B)의 변위량은 점차 감소한다. 그 때문에, 단계(S13)에서 단계(S22)로 이행하고, 검사 시간만이 판단된다. 최종적으로는 정렬 회수는 연속적으로 카운트되기 때문에, 단계(S25)로 이행한다. 그 후에는 정렬을 실행하지 않고서, 본래의 검사가 정확하고 또한 확실히 실행된다.

도 11은 기준 프로브 단자(22B)의 핀 선단 위치가 검사 개시 후부터 열적으로 안정될 때까지의, 기준 프로브 단자(22B)의 핀 선단의 Z 위치, Z 위치의 변위, 검사 시간 및 회수를 기록한 것이다. 단, 이 경우에는 프로브 정렬 종료 조건중, 기준 프로브 단자(22B)의 핀 선단의 Z 방향의 허용값은 5㎛, 최소 검사 시간은 120초, 정렬 회수는 2회로 설정되어 있다. 도 11에 의하면, 3번째 및 6번째의 칩 검사의 경우에는, 이전의 검사전의 핀 선단 위치로부터 현재의 핀 선단 위치까지의 Z 방향의 변위량은 모두 5㎛ 미만이지만, 검사 시간이 120초 미만이기 때문에, 도 10의 단계(S22)에서 단계(S26)로 이행하고, 정렬 회수는 0으로 클리어된다. 따라서, 다음번 이후의 칩 검사에 있어서 정렬은 실행되지 않으면 안된다. 또한, 8번째의 칩 검사의 경우에는, 이전의 검사전의 핀 선단 위치와 현재의 핀 선단 위치의 Z 방향의 변위량은 5㎛ 미만이고, 또한 검사 시간이 120초 이상이기 때문에, 단계는 도 10의 단계(S22)에서 단계(S23)로 이행한다. 정렬 회수도 2회 연속하여 가산되기때문에, 단계는 단계(S24)를 경유하여 단계(S25)로 이행하고, 다음번 이후의 칩 검사에서는 정렬이 실행되지 않고서 칩 검사가 실행된다.

고온 검사중에 어떠한 원인에 의해 검사가 중단된 후, 검사가 재개되는 경우, 조작 화면(141)상의 처리 항목 「측정 중단시의 재정렬」의 「실행」키(141C)가 작동됨으로써, 도 9 및 도 10의 플로우차트에 따라 검사가 재개된다.

이상 설명한 바와 같이 본 실시형태에 의하면, 프로브 카드 및 프로브 단자의 열팽창에 의해, 변위된 프로브 단자(22A)와 각 칩의 전극을 접촉시키기 위해서, 이들 양자의 콘택트 위치가 보정된다.

최초의 칩의 검사가 실행되기 전에, 열팽창(수축)하는 기준 프로브 단자(22B)의 콘택트 위치를 보정하기 위해서 기준 프로브 단자(22B)를 사용한 정렬을 실행하는지의 여부가 판단된다. 이 정렬을 실행한다라고 판단되었을 때에는, 그 정렬이 실행된다. 이어서, 두 번째 이후의 각 칩의 검사전에, 정렬 종료 조건에 근거하여 기준 프로브 단자(22B)의 정렬을 종료하는지의 여부가 판단되어, 종료하지 않는다라고 판단되었을 때에는, 정렬이 실행된다. 따라서, 검사중에, 프로브 카드(22) 및 프로브 단자가 열팽창(수축)하는 상태에 있더라도, 항상 웨이퍼(W)와 기준 프로브 단자(22B)는 위치 편차를 발생시키지 않고, 프로브 단자는 항상 안정된 침압에 의해 정확히 웨이퍼(W)의 전극에 접촉하여, 신뢰성이 높은 고온 검사를 실행할 수 있다.

본 발명은 상기 실시형태에 전혀 제한되지 않는다.

예를 들면, 도 6 내지 도 13에 도시된 실시형태 대신에, 정렬 종료 조건 등은 프로브 카드의 종류에 따라 그 때마다 설정될 수 있다. 중요한 것은 소정의 온도에 의해 검사중에 프로브 카드 및 프로브 단자가 가열되거나 냉각되어, 프로브 단자의 핀 선단 위치가 변위되는 경우라면, 어떠한 경우에도 본 발명이 적용될 수 있다.

또한, 본 발명에 있어서의 각종의 제어 및 조작 작업은 전자 회로에 의해 실시될 수도 있고, 컴퓨터 프로그램에 의해 실시될 수도 있다.

또한 본 발명에 있어서, 프로브 카드 및 해당 프로브 단자의 온도가 소정의 상기 고온보다 저하되는 것을 감지하는 단계 및 기구는 온도 센서를 사용한 단계 및 기구일 수 있다.

또한, 본 발명의 해당 탑재대가 계속 후퇴한 시간을 감지하는 단계 및 기구는 탑재대의 위치를 검출하는 센서를 사용한 단계 및 기구, 또는 탑재대를 후퇴시키기 위한 제어 신호에 기초를 둔 단계 및 기구로 할 수도 있다.

또한, 본 발명의 프로브 카드 및 해당 프로브 단자의 온도가 소정의 온도보다 저하되는 것을 감지하는 단계 및 기구는 온도 센서를 사용한 단계 및 기구로 할 수도 있다.

또한, 본 발명의 프로브 단자의 위치 편차를 보정하는 단계 및 기구는 프로브 카드와 프로브 단자의 온도를 측정하여, 해당 온도가 소정의 검사 온도가 되었을 때, 해당 보정을 종료시킬 수도 있다.

또한, 특징 및 변경은 해당 기술 분야의 당업자에게는 착상되는 점이다. 그러므로, 본 발명은 보다 넓은 관점에서, 특정의 상세한 것 및 여기에 개시된 대표적인 실시예에 한정되는 것이 아니다. 따라서, 첨부된 청구항에 정의된 넓은 발명 개념 및 그 균등물의 해석과 범위에 있어서, 거기에서 벗어나지 않고서, 여러가지의 변경을 행할 수 있다.

본 발명에 의하면, 고온 검사를 실행하고 있는 동안에 프로브 카드가 열팽창하더라도 항상 피검사체와 프로브 핀이 위치 편차를 일으키는 일 없이 항상 안정된 침압에 의해 정확히 접촉하고, 신뢰성이 높은 고온 검사를 실행할 수 있다. 또한, 본 발명에 의하면, 고온 검사중 만일 탑재대가 검사 위치보다 낮은 위치까지 하강하여 그 위치에 멈춰 프로브 카드가 냉각되더라도, 필요에 따라 자동적으로 프로브 카드를 예열하여 검사의 신뢰성을 높이고, 또한 스루풋을 향상시킬 수 있다.

Claims

X, Y, Z 및 θ 방향으로 이동 가능하고, 또한 소정의 고온으로 제어된 탑재대에, 복수의 검사 대상을 갖는 피검사체를 탑재하는 단계와,

상기 피검사체와, 프로브 카드에 설치된 프로브 단자의 위치를 정합시키는 위치 정렬 단계와,

상기 탑재대를 인덱스 이송하여, 상기 피검사체의 검사 대상중의 적어도 하나의 검사 대상을 검사 준비 위치에 설정하는 인덱스 이송 단계와,

상기 탑재대를 상기 프로브 카드 방향으로 이동시킴으로써, 상기 적어도 하나의 검사 대상의 전극과 상기 프로브 단자를 전기적으로 접촉시키는 접촉 단계와,

상기 프로브 단자에 접속된 테스터에 의해 상기 검사 대상의 전기적 특성을 검사하는 측정 단계를 포함하고,

상기 인덱스 이송 단계, 상기 접촉 단계 및 측정 단계를 반복하여 실시함으로써, 상기 검사 대상중의 소정의 검사 대상의 전기적 특성을 순차적으로 검사하는 프로브 방법에 있어서,

상기 접촉 단계는,

상기 탑재대가 소정의 검사 준비 위치로부터, 상기 프로브 카드에서 떨어진 방향으로 후퇴함으로써, 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자의 온도가 소정의 상기 고온보다 저하된 것을 감지하는 단계와,

상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자의 온도가 소정의 상기 고온보다 저하된 것이 감지된 경우, 온도의 저하에 의한 프로브 단자의 위치 편차를 보정하기 위한 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는

프로브 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자의 온도가 소정의 상기 고온보다 저하된 것을 감지하는 상기 단계는, 상기 탑재대가 소정의 검사 준비 위치로부터, 상기 프로브 카드에서 떨어진 방향으로 계속 후퇴한 시간을 감지하고, 상기 계속 후퇴한 시간에 근거하여, 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자가 상기 소정의 고온보다 저하된 것을 판정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는

프로브 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자의 온도가 소정의 상기 고온보다 저하된 것을 감지하는 상기 단계는,

상기 탑재대가 소정의 검사 준비 위치로부터, 상기 프로브 카드에서 떨어진 방향으로 계속 후퇴한 시간을 감지하는 단계와,

상기 계속 후퇴한 시간에 근거하여, 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자가 상기 소정의 고온보다 저하된 것을 판정하는 단계를 포함하며,

상기 프로브 단자의 위치 편차를 보정하는 상기 단계는,

상기 계속 후퇴한 시간에 근거하여, 상기 프로브 카드 및 프로브 단자를 가열하는 예열 실행 시간을 설정하는 단계와,

상기 예열 실행 시간 동안, 상기 프로브 카드 및 프로브 단자를 가열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는

프로브 방법.
제 3 항에 있어서,

상기 프로브 단자의 위치 편차를 보정하는 상기 단계는,

상기 계속 후퇴한 시간에 근거하여, 상기 프로브 카드 및 프로브 단자를 가열하는 예열 실행 시간을 설정하는 단계와,

상기 예열 실행 시간 동안, 상기 프로브 카드 및 프로브 단자를 가열하는 단계와,

상기 가열하는 단계 후에, 상기 탑재대의 위치를 제어함으로써, 상기 탑재대에 탑재된 피검사체의 검사 대상과 상기 프로브 단자의 위치 정렬을 실행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는

프로브 방법.
제 3 항에 있어서,

상기 계속 후퇴한 시간에 근거하여 상기 프로브 카드 및 프로브 단자를 가열하는 예열 실행 시간을 설정하는 단계는, 상기 계속 후퇴한 시간에 근거하고, 또한 실온의 프로브 카드를 상기 소정의 고온으로 가열시키는 데 요구되는 시간을 초과하지 않는 범위내에서, 상기 예열 실행 시간을 설정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는

프로브 방법.
X, Y, Z 및 θ 방향으로 이동 가능하고, 또한 소정의 온도로 제어된 탑재대에 복수의 검사 대상을 갖는 피검사체를 탑재하는 단계와,

상기 피검사체와 프로브 카드에 설치된 프로브 단자의 위치를 정렬하는 위치 정렬 단계와,

상기 탑재대를 인덱스 이송하여, 상기 피검사체의 검사 대상중의 적어도 하나의 검사 대상을 검사 준비 위치에 설정하는 인덱스 이송 단계와,

상기 탑재대를 상기 프로브 카드의 방향으로 이동시킴으로써, 상기 적어도 하나의 검사 대상의 전극과 상기 프로브 단자를 전기적으로 접촉시키는 접촉 단계와,

상기 프로브 단자에 접속된 테스터에 의해 상기 검사 대상의 전기적 특성을검사하는 측정 단계를 포함하고,

상기 인덱스 이송 단계, 상기 접촉 단계 및 측정 단계를 반복하여 실시함으로써, 상기 검사 대상중의 소정의 검사 대상의 전기적 특성을 검사하는 프로브 방법에 있어서,

상기 프로브 카드 및 프로브 단자의 온도가 상기 소정의 온도로 되도록 제어되는 경과 기간중에, 반복하여 실시되는 상기 접촉 단계의 각각에 앞서서, 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자의 위치 편차를 보정하는 보정 단계가 실시되는 것을 특징으로 하는

프로브 방법.
제 6 항에 있어서,

상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자의 위치 편차를 보정하는 보정 단계는, 상기 프로브 카드 및 프로브 단자의 온도가 상기 소정의 온도로 되도록 제어되는 경과 기간중에, 반복하여 실시되는 상기 접촉 단계의 각각에 앞서서, 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자의 X, Y 및 θ 방향의 위치 편차를 보정하는 보정 단계를 포함하고,

상기 기간중에, 상기 접촉 단계의 각각은 상기 탑재대를 상기 프로브 카드의 방향으로 이동시키는 거리를 보정함으로써, 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자의 Z 방향의 위치 편차를 보정하는 보정 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는

프로브 방법.
제 6 항에 있어서,

상기 프로브 단자의 위치 편차를 보정하는 보정 단계는,

최초의 검사 대상의 검사를 실행하기 전에, 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자의 위치 편차를 보정하는지의 여부를 판단하는 단계와,

상기 단계에 있어서의 판단에 따라, 상기 위치 편차의 보정을 실행하는 단계와,

두 번째 이후의 각각의 검사 대상의 검사 이전에, 위치 편차 보정 종료 조건에 근거하여, 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자의 위치 편차를 보정하는지의 여부를 판단하는 단계와,

상기 단계의 판단에 근거하여, 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자의 위치 편차를 보정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는

프로브 방법.
제 8 항에 있어서,

최초의 검사 대상의 검사를 실행하기 전에, 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자의 위치 편차를 보정하는지의 여부를 판단하는 단계와, 두 번째 이후의 각각의 검사 대상의 검사 이전에, 위치 편차 보정 종료 조건에 근거하여, 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자의 위치 편차를 보정하는지의 여부를 판단하는 단계는 상기 프로브 카드 및 프로브 단자의 온도를 검출하여, 상기 온도가 상기 소정의 온도로 되었는지의 여부에 의해 판단하는 것을 특징으로 하는

프로브 방법.
제 8 항에 있어서,

상기 위치 편차 보정 종료 조건은, 이전 검사시의 상기 프로브 단자의 선단 위치로부터 현재의 선단 위치 사이의 변위량이 허용 범위내인지의 여부의 판단에 근거하여 설정되는 것을 특징으로 하는

프로브 방법.
제 8 항에 있어서,

상기 위치 편차 보정 종료 조건은, 이전까지의 검사에 요구된 시간이 상기 프로브 카드 및 프로브 단자의 온도가 상기 소정의 온도로 되는 데 필요한 최소 검사 시간을 초과하는지의 여부의 판단에 근거하여 설정되는 것을 특징으로 하는

프로브 방법.
제 8 항에 있어서,

상기 위치 편차 보정 종료 조건은,

이전 검사시의 상기 프로브 단자의 선단 위치로부터 현재의 선단 위치 사이의 변위량이 허용 범위내인지의 여부의 판단과,

이전까지의 검사에 요구된 시간이 상기 프로브 카드 및 프로브 단자의 온도가 상기 소정의 온도로 되는 데에 필요한 최소 검사 시간을 초과하는지의 여부의 판단과,

상기 양 판단에 있어서, 상기 프로브 단자의 선단 위치의 변위량이 상기 허용 범위내이고 또한 이전까지의 검사에 요구된 시간이 상기 최소 검사 시간을 초과한 것을 동시에 또한 연속하여 판단한 회수에 의해 설정되는 것을 특징으로 하는

프로브 방법.
피검사체의 전기적 특성을 검사하는 프로버실과,

상기 프로버실의 상면에 배치되고, 프로브 단자를 갖는 프로브 카드와,

상기 프로버실내에서 상기 프로브 카드의 하방으로 배치되고, X, Y, Z 및 θ 방향으로 이동 가능하며, 소정의 고온으로 설정되는 곳의 상기 피검사체를 탑재하기 위한 탑재대와,

상기 탑재대상에 탑재된 상기 피검사체와 상기 프로브 단자의 위치를 맞추는위치 정렬 기구와,

상기 탑재대를 인덱스 이송하여, 상기 피검사체의 검사 대상중의 적어도 하나의 검사 대상을 검사 준비 위치에 설정하는 인덱스 이송 기구와,

상기 탑재대를 상기 프로브 카드의 방향으로 이동시켜, 상기 탑재대에 탑재된 상기 피검사체의 전극과 상기 프로브 단자를 전기적으로 접촉시키는 탑재대 이동 기구와,

상기 프로브 단자에 접속되어, 검사 대상의 전기적 특성을 측정하는 테스터를 포함하며,

상기 검사 대상의 인덱스 이송, 상기 피검사체의 전극과 상기 프로브 단자의 전기적 접촉 및 검사 대상의 전기적 특성의 측정이 반복하여 실시되는 프로브 장치에 있어서,

상기 탑재대 이동 기구는,

상기 탑재대가 소정의 검사 준비 위치로부터 상기 프로브 카드에서 떨어진 방향에 후퇴함으로써, 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자의 온도가 소정의 상기 고온보다 저하한 것을 감지하는 온도 저하 감지 기구와,

상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자가 소정의 상기 고온보다 저하한 것이 감지된 경우, 상기 온도의 저하에 의한 프로브 단자의 위치 편차를 보정하기 위한 위치 편차 보정 기구를 포함하는 것을 특징으로 하는

프로브 장치.
제 13 항에 있어서,

상기 온도 저하 감지 기구는,

상기 탑재대가 상기 소정의 검사 준비 위치로부터 상기 프로브 카드에서 떨어진 방향으로 계속 후퇴한 시간을 감지하는 후퇴 시간 감지 기구와,

상기 계속 후퇴한 시간에 근거하여, 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자가 상기 소정의 고온보다 저하한 것을 판정하는 온도 저하 판정 기구를 포함하는 것을 특징으로 하는

프로브 장치.
제 13 항에 있어서,

상기 온도 저하 감지 기구는,

상기 탑재대가 상기 소정의 검사 준비 위치로부터 상기 프로브 카드에서 떨어진 방향으로 계속 후퇴한 시간을 감지하는 후퇴 시간 감지 기구와,

상기 계속 후퇴한 시간에 근거하여, 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자가 상기 소정의 고온보다 저하한 것을 판정하는 온도 저하 판정 기구를 포함하며,

상기 위치 편차 보정 기구는,

상기 계속 후퇴한 시간에 근거하여, 상기 프로브 카드 및 프로브 단자를 가열하는 예열 실행 시간을 설정하는 예열 실행 시간 설정 기구와,

상기 예열 실행 시간 동안, 상기 프로브 카드 및 프로브 단자를 가열하는 예열 실행 기구를 포함하는 것을 특징으로 하는

프로브 장치.
제 15 항에 있어서,

상기 위치 편차 보정 기구는,

상기 계속 후퇴한 시간에 근거하여, 상기 프로브 카드 및 프로브 단자를 가열하는 예열 실행 시간을 설정하는 예열 실행 시간 설정 기구와,

상기 예열 실행 시간 동안, 상기 프로브 카드 및 프로브 단자를 가열하는 예열 실행 기구와,

상기 예열 실행 기구에 의해, 상기 프로브 카드와 상기 프로브 단자가 소정의 고온으로 가열된 후, 상기 탑재대를 제어하여, 상기 탑재대에 탑재된 상기 피검사체의 검사 대상과 상기 프로브 단자의 위치 정렬을 실행하는 위치 정렬 기구를 포함하는 것을 특징으로 하는

프로브 장치.
제 15 항에 있어서,

상기 예열 실행 시간 설정 기구는 상기 계속 후퇴한 시간에 근거하여, 또한실온의 프로브 카드를 상기 소정의 고온으로 가열시키는 데에 요구되는 시간을 초과하지 않은 범위내에서, 상기 예열 실행 시간을 설정하는 것을 특징으로 하는

프로브 장치.
피검사체의 전기적 특성을 검사하는 프로버실과,

상기 프로버실의 상면에 배치되고, 프로브 단자를 갖는 프로브 카드와,

상기 프로버실내에서 상기 프로브 카드의 하방으로 배치되고 X, Y, Z 및 θ 방향으로 이동 가능하며 소정의 온도로 설정되는, 상기 피검사체를 탑재하기 위한 탑재대와,

상기 탑재대상에 탑재된 상기 피검사체와 상기 프로브 단자의 위치를 맞추는 위치 정렬 기구와,

상기 탑재대를 인덱스 이송하여, 상기 피검사체의 검사 대상중의 적어도 하나의 검사 대상을 검사 준비 위치에 설정하는 인덱스 이송 기구와,

상기 탑재대를 상기 프로브 카드의 방향으로 이동시켜, 상기 탑재대에 탑재된 상기 피검사체의 검사 대상의 전극과 상기 프로브 단자를 전기적으로 접촉시키는 탑재대 이동 기구와,

상기 프로브 단자에 접속되어, 검사 대상의 전기적 특성을 측정하는 테스터 를 포함하고,

상기 검사 대상의 인덱스 이송, 상기 검사 대상의 전극과 상기 프로브 단자의 전기적 접촉 및 검사 대상의 전기적 특성의 측정이 반복되어 실시되는 프로브 장치에 있어서,

상기 위치 정렬 기구와 상기 탑재대 이동 기구중 어느 하나는 상기 프로브 카드 및 프로브 단자의 온도가 상기 소정의 온도로 되도록 제어되어 있는 경과 기간중에, 반복하여 실시되는 상기 전기적 접촉의 각각에 앞서서, 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자의 위치 편차를 보정하는 카드 콘택트 보정 처리 기구를 포함하는 것을 특징으로 하는

프로브 장치.
제 18 항에 있어서,

상기 카드 콘택트 보정 처리 기구는,

상기 프로브 카드 및 프로브 단자의 온도가 상기 소정의 온도로 되도록 제어되어 있는 경과 기간중에, 반복하여 실시되는 상기 전기적 접촉의 각각에 앞서서, 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자의 X, Y 및 θ 방향의 위치 편차를 보정하기 위해 상기 위치 정렬 기구에 설치된 보정 기구와,

상기 경과 기간중에, 반복하여 실시되는 상기 전기적 접촉의 각각에 앞서서, 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자의 Z 방향의 위치 편차를 보정하기 위해 상기 탑재대 이동 기구에 설치된 보정 기구를 포함하는 것을 특징으로 하는

프로브 장치.
제 18 항에 있어서,

상기 카드 콘택트 보정 처리 기구는,

최초의 검사 대상의 검사를 실행하기 전에, 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자의 위치 편차를 보정하는지의 여부를 판단하는 카드 콘택트 보정 설정 기구와,

두 번째 이후의 각각의 검사 대상의 검사 이전에, 상기 위치 편차의 보정을 종료하는지의 여부의 기준이 되는 위치 편차 보정 종료 조건을 설정하는 위치 편차 보정 종료 조건 설정 기구와,

이들 설정 기구에 의한 설정 내용을 기억하는 위치 편차 보정 조건 기억 기구와,

상기 위치 편차 보정 조건 기억 기구에 기억된 설정 내용에 근거하여, 상기 프로브 카드 및 상기 프로브 단자의 위치 편차를 보정하는 카드 콘택트 보정 처리 기구를 포함하는 것을 특징으로 하는

프로브 장치.
제 20 항에 있어서,

상기 카드 콘택트 보정 처리 수단은 두 번째 이후의 상기 각 검사 대상의 검사를 실행하기 전에, 상기 프로브 카드와 상기 프로브 단자의 현재 위치를 체크하고, 이 체크 내용에 근거하여, 상기 프로브 단자의 위치 편차를 보정하는 위치 편차 실행 처리 기구를 갖는 것을 특징으로 하는

프로브 장치.
제 20 항에 있어서,

상기 위치 편차 보정 종료 조건은, 이전 검사시의 상기 프로브 단자의 선단 위치로부터 현재의 선단 위치 사이의 변위량이 허용 범위내인지의 여부의 판단에 근거하여 설정되는 것을 특징으로 하는

프로브 장치.
제 20 항에 있어서,

상기 위치 편차 보정 종료 조건은, 이전까지의 검사에 요구된 시간이 상기 프로브 카드 및 프로브 단자의 온도가 상기 소정의 온도로 되는 데에 필요한 최소 검사 시간을 초과하는지의 여부의 판단에 근거하여 설정되는 것을 특징으로 하는

프로브 장치.
제 20 항에 있어서,

상기 위치 편차 보정 종료 조건은,

이전 검사시의 상기 프로브 단자의 선단 위치로부터 현재의 선단 위치 사이의 변위량이 허용 범위내인지의 여부의 판단과,

이전까지의 검사에 요구된 시간이, 상기 프로브 카드 및 프로브 단자의 온도가 상기 소정의 온도로 되는 데 필요한 최소 검사 시간을 초과하는지의 여부의 판단과,

상기 양 판단에 있어서, 상기 프로브 단자의 선단 위치의 상기 변위량이 상기 허용 범위내이고 또한 이전까지의 검사에 요구된 시간이 상기 최소 검사 시간을 초과한 것을 동시에 또한 연속하여 판단한 회수에 의해 설정되는 것을 특징으로 하는

프로브 장치.
제 20 항에 있어서,

상기 카드 콘택트 보정 설정 기구와, 상기 위치 편차 보정 종료 조건 설정 기구는,

상기 프로브 카드 및 프로브 단자의 온도를 검출하는 센서와,

상기 검출한 온도에 근거하여, 상기 위치 편차를 보정하는지의 여부를 판단하는 기구를 포함하는 것을 특징으로 하는

프로브 장치.