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KR100294979B1 - 다중대역세라믹칩안테나 - Google Patents

다중대역세라믹칩안테나 Download PDF

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KR100294979B1
KR100294979B1 KR1019980021898A KR19980021898A KR100294979B1 KR 100294979 B1 KR100294979 B1 KR 100294979B1 KR 1019980021898 A KR1019980021898 A KR 1019980021898A KR 19980021898 A KR19980021898 A KR 19980021898A KR 100294979 B1 KR100294979 B1 KR 100294979B1
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helical
helical conductor
conductor
ceramic chip
strip line
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성재석
이우성
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김춘호
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Abstract

다중 대역 세라믹 칩 안테나를 개시한다. 이 다중 대역 세라믹 칩 안테나는 세라믹 유전체를 재료로 하여 직육면체로 형성되는 본체와, 본체 내부에 독립적으로 형성되는 다수의 헬리컬 도체를 포함한다. 다수의 헬리컬 도체는 나선 형상으로 형성된 하나 이상의 메인 헬리컬 도체와, 각 메인 헬리컬 도체 내부에 나선형으로 형성되는 다수의 서브 헬리컬 도체를 포함한다. 각 헬리컬 도체의 나선 회전축은 본체의 밑면과 옆면에 각각 평행하다. 각 헬리컬 도체의 길이 등을 다르게 형성함으로서 각 헬리컬 도체의 사용 주파수 대역이 달라지게 된다. 따라서 다수의 주파수 대역을 사용할 수 있으며, 크기가 작아서 휴대 단말기에 내장이 가능하고, 또한 비교적 넓은 밴드 폭을 갖는다.

Description

다중 대역 세라믹 칩 안테나
이 발명은 세라믹 칩 안테나(ceramic chip antenna)에 관한 것으로서, 더욱 상세하게 말하자면 세라믹 칩 내부에 서로 다른 주파수 대역에서 동작하는 다수의 헬리컬(helical) 도체를 내장시킴으로서 다수의 주파수 대역에서 사용가능한 다중 대역(multi band) 세라믹 칩 안테나에 관한 것이다.
일반적으로, 소형 안테나는 휴대 단말기에 장착되어 마이크로웨이브(microwave) 대역으로 변조된 신호의 시작과 끝이 되는 시점으로서 무선 통신에서 기본이 되는 부품이며, 이러한 안테나 자체의 성능은 휴대 단말기 전체의 성능에 중요한 역할을 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조로 하여 종래의 안테나에 대하여 설명한다.
도 1(a)는 종래 다이폴(dipole) 안테나를 도시한 도면이다.
도 1(a)에 도시되어 있듯이, 종래 다이폴 안테나는 공진 주파수의 파장(λ)의 1/4 길이에 해당하는 2개의 다이폴(1, 3)이 연결된 형태이다. 이러한 다이폴 안테나는 단순한 구조를 갖고 있어서 제조하기가 쉽고, 또한 넓은 주파수 범위에서 사용 가능하다는 장점은 있으나, 다이폴 안테나의 길이가 매우 커지기 때문에 휴대하기가 불편하여 휴대용 단말기에서의 사용은 어렵다.
도 1(b)는 종래 헬리컬 안테나를 도시한 도면이다.
도 1(b)에 도시되어 있듯이, 종래 헬리컬 안테나는 절연 물질의 지지대(5)에 도선(7)이 나선 코일 형태로 감겨서 형성되며, 코일의 감긴 수와 간격 및 길이 등을 조절하여 공진 주파수 대역을 결정한다. 이러한 헬리컬 안테나는 전체적인 길이가 상기한 다이폴 안테나에 비하여 작기 때문에 휴대 단말기 등에서 사용이 가능하다.
최근에 CDMA(Code Division Multiple Access), PCS(Personal Communication Service), GSM(Group Special Mobile), DECT(Digital European Cordless Tlelphone) 등과 같이 사용 주파수 대역이 서로 다른 여러 종류의 무선 통신 서비스가 공급되어 각국의 가입자들이 이들을 사용하고 있으나, 각 서비스간의 호환이 되지 않는다는 단점이 있기 때문에, 이러한 단점을 보완하기 위하여 하나의 휴대 단말기로서 여러 주파수 대역에서 사용할 수 있는 넓은 밴드폭을 갖는 안테나가 필요하게 되었다.
도 1(c)는 종래 이중 대역형 헬리컬 안테나를 도시한 도면이다.
도 1(c)에 도시되어 있듯이, 종래 이중 대역형 헬리컬 안테나는 절연 물질의 지지대(9)에 사용 중심 주파수가 다르게 설계된 2개의 헬리컬 안테나를 형성하는 구조이며, 지지대(9)의 상단부(11)와 하단부(13) 각각을 코일(15, 17)로 나선 형태로 감아서 2개의 헬리컬 안테나를 형성한다. 또한, 지지대(9)의 내부에는 동축선이 형성되고, 이러한 동축선을 통하여 전압이 공급되도록 하여 2가지 주파수 대역에서 사용 가능해 진다.
일반적인 휴대 단말기에서 사용되는 안테나는 다이폴 안테나와 헬리컬 안테나가 결합된 형태의 리트랙터블(retractable) 안테나로, 휴대 단말기의 상단부에 신축 자재하게 형성되어, 휴대 단말기 사용시 신장시켜서 사용하고, 사용하지 않을 때에는 축소시켜서 휴대하게 된다.
그러나, 상기한 단일 대역 및 이중 대역형 헬리컬 안테나와, 상기한 리트랙터블 안테나는 휴대 단말기의 상단부에 돌출되어 위치하므로 파손 등의 문제가 있고, 휴대 또한 불편하고, 휴대 단말기에서 안테나가 차지하는 부피가 너무 크다는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여, 세라믹 칩 제조 기술을 이용하여 초소형이며 휴대 단말기 내부로의 내장이 가능한 칩 안테나가 개발되었다.
도 2는 종래 세라믹 칩 안테나를 도시한 도면이고, 도 3은 도 2의 안테나의 주파수별 리턴 로스(return loss)를 도시한 도면이다.
도 2에 도시되어 있듯이, 종래 세라믹 칩 안테나는 칩 적층 공정을 이용하여 세라믹 칩(19) 내부에 코일을 나선형으로 감아서 형성된 헬리컬 도체를 포함하는 구조이다. 이 때, 헬리컬 도체는 밑면(25)에 평행하게 후막(thick film) 인쇄된 수평 스트립 선(21)과, 밑면(25)에 수직으로 형성된 비아 홀(via hole)에 전도성 패이스트(paste)가 채워져 형성된 수직 스트립 선(23)으로 이루어진다.
한편, 헬리컬 도체의 일측 끝단은 세라믹 칩(19)의 표면으로 돌출되고, 이렇게 돌출된 끝단에 헬리컬 도체로 전압을 인가하기 위한 전압 공급용 단자가 형성된다.
종래 세라믹 칩 안테나는, 도 3에 도시되어 있듯이, 특정 주파수(fo)에서 리턴 로스의 최소값을 보이기 때문에, 특정 주파수(fo)를 중심으로 하는 주파수 대역을 사용할 수가 있다.
이러한 종래 세라믹 칩 안테나는 최근에 초소형의 SMD(Surface Mounted Device) 형태로 휴대 단말기에 내장이 가능한 단계까지 왔으나, 사용 주파수 대역이 하나로서 단일 대역으로 사용되기 때문에 여러 주파수 대역의 무선 통신 서비스를 동시에 수행하기가 어렵다는 문제점이 있다.
따라서, 이 발명의 목적은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 사용 가능 주파수 대역이 다수 개이며, 크기가 작아서 휴대 단말기에 내장 가능한 다중 대역 세라믹 칩 안테나를 제공하는 데 있다.
이 발명의 또 다른 목적은 비교적 넓은 밴드 폭을 갖는 다중 대역 세라믹 칩 안테나를 제공하는 것이다.
도 1(a)는 종래 다이폴(dipole) 안테나를 도시한 도면이고,
도 1(b)는 종래 헬리컬(helical) 안테나를 도시한 도면이고,
도 1(c)는 종래 이중 대역형 헬리컬 안테나를 도시한 도면이고,
도 2는 종래 세라믹 칩 안테나를 도시한 도면이고,
도 3은 도 2의 안테나의 주파수별 리턴 로스를 도시한 도면이고,
도 4는 이 발명의 제1 실시예에 따른 다중 대역 세라믹 칩 안테나의 사시도이고,
도 5는 도 4의 안테나의 분해 사시도이고,
도 6은 도 4의 안테나의 주파수별 리턴 로스를 도시한 도면이고,
도 7은 이 발명의 제2 실시예에 따른 다중 대역 세라믹 칩 안테나의 사시도이고,
도 8은 도 7의 안테나의 주파수별 리턴 로스를 도시한 도면이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 수단으로서 이 발명은 하나의 세라믹 유전체 칩 내부에 서로 다른 주파수 대역으로 동작하는 다수의 헬리컬 도체를 내장시키는 것이다.
상기 다수의 헬리컬 도체는 나선 형상으로 형성된 하나 이상의 메인 헬리컬 도체와, 각 메인 헬리컬 도체 내부에 나선형으로 형성된 다수의 서브 헬리컬 도체를 포함한다.
세라믹 유전체 칩은 다수의 그린 쉬트를 적층하여 제조하는 세라믹 칩 제조 공정을 통하여 제조된다.
다수의 그린 쉬트 중 특정의 그린 쉬트에 스트립 선과 비아 홀이 형성되고, 다수의 그린 쉬트 적층시 특정 그린 쉬트에 형성된 스트립 선과 비아 홀에 의하여 메인 헬리컬 도체 및 서브 헬리컬 도체가 형성된다.
각 헬리컬 도체의 양 끝단은 세라믹 유전체 칩 외부로 돌출되어 전압 공급용 단자를 형성하고, 이 전압 공급용 단자를 통하여 각 헬리컬 도체로 전압이 인가되면 각 헬리컬 도체가 서로 다른 다수의 주파수 대역에서 공진하게 된다.
이하, 이 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 이 발명을 용이하게 실시할 수 있는 실시예를 첨부된 도면을 참조로 하여 상세히 설명한다.
도 4는 이 발명의 제1 실시예에 따른 다중 대역 세라믹 칩 안테나의 사시도이고, 도 5는 도 4의 안테나의 분해 사시도이고, 도 6은 도 4의 안테나의 주파수별 리턴 로스를 도시한 도면이다.
도 4 및 도 5에 도시되어 있듯이, 이 발명의 제1 실시예에 따른 다중 대역 세라믹 칩 안테나는 유전체 세라믹 그린 쉬트(green sheet)(130 ∼ 180)가 적층되어 직육면체 형상으로 형성된 세라믹 칩 본체(100)와, 세라믹 칩 본체(100) 내부에 나선형으로 형성되어 있는 제1 헬리컬 도체(110)와, 제1 헬리컬 도체(110) 내부에 제1 헬리컬 도체(110)와는 분리되어 나선형으로 형성되어 있는 제2 헬리컬 도체(120)를 포함한다.
여기에서, 유전체 세라믹 그린 쉬트(130 ∼ 180)는 글래스 세라믹(glass ceramic)을 기반으로 하는 고주파용 저온소성 세라믹(LTCC:Low Temperature Cofiring Ceramics) 재료를 주성분으로 한다.
일부 그린 쉬트(140, 150, 170, 180)의 표면에는 전도성 페이스트로 도전 스트립 선(1401 ∼ 1403, 1501 ∼ 1505, 1701 ∼ 1704, 1801 ∼ 1804)이 인쇄되어 있고, 각 스트립 선(1401 ∼ 1403, 1501 ∼ 1505, 1701 ∼ 1704)의 양 끝단에는 그린 쉬트(140, 150, 170)를 두께 방향으로 통과하는 작은 홀인 비아 홀(1410, 1420, 1510 ∼ 1540, 1710 ∼ 1740)이 형성되고, 각 비아 홀은 전도성 페이스트로 채워진다.
여기에서, 전도성 페이스트는 전도상(conductive phase), 바인더(binder), 비이클(vehicle) 및 첨가제(additives)로 구성된다.
한편, 일부 그린 쉬트(160)에도 상기 그린 쉬트(140, 170)에 형성된 비아 홀의 위치에 해당하는 다수의 비아 홀(1610 ∼ 1640)이 형성되어 있다.
그린 쉬트(130 ∼ 180) 적층시 각 스트립 선(1401 ∼ 1403, 1803 ∼ 1804)이 각 비아 홀(1410, 1420, 1510, 1520, 1610, 1620, 1710, 1720)을 통하여 연결되어, 나선형태로 감긴 제1 헬리컬 도체(110)가 형성된다.
또한, 그린 쉬트(130 ∼ 180) 적층시 각 스트립 선(1510 ∼ 1540, 1710 ∼ 1740)이 각 비아 홀(1530, 1540, 1630, 1640, 1730, 1740)을 통하여 연결되어, 나선형태로 감긴 제2 헬리컬 도체(110)가 형성된다.
예를 들면, 그린 쉬트(130 ∼ 180)가 적층될 때 그린 쉬트(180)의 스트립 선(1801)은 비아 홀(1710, 1610, 1510, 1410)을 통하여 그린 쉬트(140)의 스트립 선(1401)에 연결되고, 스트립 선(1401)은 비아 홀(1420, 1520, 1620, 1720)을 통하여 그린 쉬트(180)의 스트립 선(1803)에 연결되고, 상기와 같은 방법에 의해 나머지 스트립선(1402 ∼ 1403, 1803 ∼ 1804)들이 모두 연결되어 제1 헬리컬 도체(110)를 형성한다.
마찬가지로, 그린 쉬트(130 ∼ 180)가 적층될 때 그린 쉬트(180)의 스트립 선(1802)은 비아 홀(1730, 1630, 1530)을 통하여 그린 쉬트(150)의 스트립 선(1501)에 연결되고, 스트립 선(1501)은 비아 홀(1540, 1640)을 통하여 그린 쉬트(170)의 스트립 선(1701)에 연결되고, 상기와 같은 방법에 의해 나머지 스트립 선(1502 ∼ 1505, 1701 ∼ 1704)들이 모두 연결되어 제2 헬리컬 도체(120)를 형성한다.
한편, 그린 쉬트(180)의 스트립 선(1801)에서 다른 그린 쉬트(140)의 스트립 선(1401)에 연결되는 끝단을 제외한 다른 끝단은 세라믹 칩 본체(100)의 표면으로 돌출되어 제1 헬리컬 도체(110)에 전압을 인가하기 위한 전압 공급용 단자(1850)를 형성한다.
또한, 그린 쉬트(180)의 스트립 선(1802)에서 다른 그린 쉬트(150)의 스트립 선(1501)에 연결되는 끝단을 제외한 다른 끝단도 세라믹 칩 본체(100)의 표면으로 돌출되어 제2 헬리컬 도체(120)에 전압을 인가하기 위한 전압 공급용 단자(1860)를 형성한다.
여기에서, 그린 쉬트(140, 150, 170, 180)의 표면에 직선으로 인쇄된 스트립 선(1401 ∼ 1403, 1501 ∼ 1505, 1701 ∼ 1704, 1801 ∼ 1804)은 그린 쉬트(180)에 수평한 수평 스트립 선이고, 그린 쉬트(130 ∼ 170) 적층시 비아 홀(1410, 1420, 1510 ∼ 1540, 1610 ∼ 1640, 1710 ∼ 1730)에 의하여 그린 쉬트(180)에 수직하게 형성된 스트립 선은 수직 스트립 선이다.
제1 헬리컬 도체(110)는 다수의 수평 스트립 선과 다수의 수직 스트립 선에 의하여 나선 형태로 형성되며, 제1 헬리컬 도체(110)의 나선 회전축(A)은 세라믹 칩 본체(100)의 밑면(200)과 옆면(190)에 각각 평행하다.
제2 헬리컬 도체(120)도 마찬가지로, 다수의 스트립 선과 다수의 수직 스트립 선에 의하여 나선 형태로 형성되며, 제2 헬리컬 도체(120)의 나선 회전축(B) 또한 밑면(200)과 옆면(190)에 각각 평행하다.
이 때, 제1 헬리컬 도체(110)와 제2 헬리컬 도체(120)는 서로 연결되지 않고 독립적으로 형성되고, 각 도체(110, 120)의 나선 회전축(A, B)은 서로 일치하거나 또는 평행하다.
또한, 제1 헬리컬 도체(110)의 나선 회전축(A)으로부터 수직 스트립 선까지의 거리가 제2 헬리컬 도체(120)의 나선 회전축(B)로부터 수직 스트립 선까지의 거리보다 크다. 다시 말해서, 제2 헬리컬 도체(120)가 제1 헬리컬 도체(110)의 내부에 형성된다.
한편, 각 그린 쉬트(130 ∼ 180) 내의 스트립 선과 비아 홀들은 정밀한 정렬을 통하여 제1 헬리컬 도체(110) 및 제2 헬리컬 도체(120)가 형성되도록 3차원적으로 연결된다.
세라믹 칩 본체(100)는 정밀하게 정렬된 각 그린 쉬트(130 ∼ 180)를 압착한 후 동시 소성하는 등의 칩 제조 공정을 통해 형성된다.
제1 헬리컬 도체(110)와 제2 헬리컬 도체(120)의 사용 주파수 대역은 각 도체(110, 120)의 길이, 각 스트립 선간의 거리, 수평 스트립 선의 기울기 각도, 및 총 전도체의 길이 등에 따라서 결정된다.
결국, 제1 헬리컬 도체(110)의 사용 주파수 대역과 제2 헬리컬 도체(120)의 사용 주파수 대역이 다르도록 각 도체(110, 120)의 길이 등을 조절함으로서 서로 다른 2개의 주파수 대역을 사용할 수 있게 된다.
도 6에 도시되어 있듯이, 제1 헬리컬 도체(110)의 중심 주파수가 f'o이고, 제2 헬리컬 도체(120)의 중심 주파수가 f"o일 때, 서로 다른 중심 주파수 f'o와 f"o에서 리턴 로스값이 최소값을 나타내게 되어, 제1 헬리컬 도체(110)와 제2 헬리컬 도체(120)를 포함하는 세라믹 칩 안테나는 서로 다른 2가지의 주파수 대역을 사용할 수 있을 뿐만 아니라, 이로 인하여 주파수 대역 또한 넓어진다.
예를 들어, 제1 헬리컬 도체(110)의 중심 주파수 f'o가 900MHz이고, 제2 헬리컬 도체(120)의 중심 주파수 f"o가 1800MHz(1.8GHz)일 경우, 세라믹 칩 안테나의 사용 주파수 대역 또한 두 개의 주파수 대역이 된다.
한편, 제1 헬리컬 도체(110) 및 제2 헬리컬 도체(120)는 직선인 수평 스트립 선과 수직 스트립 선에 의하여 직사각형 형상으로 감겨서 형성되는 것만으로 한정되지 않고, 원 형상 또는 다른 형상으로 감겨서 형성되어도 좋다.
또한, 세라믹 칩 본체(100) 내부에 제1 헬리컬 도체(110)와 제2 헬리컬 도체(120)가 형성되는 것으로 설명하였지만, 세라믹 칩 본체(100)의 표면에 스트립 선을 인쇄하여 각 헬리컬 도체(110, 120)를 형성하여도 좋다.
도 7은 이 발명의 제2 실시예에 따른 다중 대역 세라믹 칩 안테나의 사시도이고, 도 8은 도 7의 안테나의 주파수별 리턴 로스를 도시한 도면이다.
도 7에 도시되어 있듯이, 이 발명의 제2 실시예에 따른 다중 대역 세라믹 칩 안테나는 다수의 유전체 세라믹 그린 쉬트를 적층하여 직육면체 형상으로 형성된 세라믹 칩 본체(210)와, 세라믹 칩 본체(210) 내부에 나선형으로 형성되어 있는 4개의 헬리컬 도체(220, 230, 240, 250)를 포함한다.
이 발명의 제2 실시예는 제1 실시예와 비교하여 세라믹 칩 본체(210) 내부에 4개의 헬리컬 도체(220, 230, 240, 250)를 포함하는 것을 제외하고는 동일하다.
4개의 헬리컬 도체(220, 230, 240, 250)는 두 개의 헬리컬 도체(220, 230) 한 쌍과 다른 두 개의 헬리컬 도체(240, 250) 한 쌍으로 나누어진다.
첫 번째 쌍의 헬리컬 도체(220, 230)는 제3 헬리컬 도체(220)와 제4 헬리컬 도체(230)로 이루어져 있고, 제3 헬리컬 도체(220)의 나선 회전축(C)으로부터 수직 스트립 선까지의 거리가 제4 헬리컬 도체(230)의 나선 회전축(D)로부터 수직 스트립 선까지의 거리보다 크다. 즉, 제4 헬리컬 도체(230)가 제3 헬리컬 도체(220)의 내부에 형성된다.
마찬가지로, 두 번째 쌍의 헬리컬 도체(240, 250)도 제5 헬리컬 도체(240)와 제6 헬리컬 도체(250)로 이루어져 있고, 제5 헬리컬 도체(240)의 나선 회전축(E)으로부터 수직 스트립 선까지의 거리가 제6 헬리컬 도체(250)의 나선 회전축(F)로부터 수직 스트립 선까지의 거리보다 크다. 즉, 제6 헬리컬 도체(250)가 제5 헬리컬 도체(240)의 내부에 형성된다.
한편, 4개의 헬리컬 도체(220, 230, 240, 250)의 일측 끝단들은 세라믹 칩 본체(210)의 표면으로 돌출되어 각 헬리컬 도체(220, 230, 240, 250)에 전압을 인가하기 위한 전압 공급용 단자(280, 290, 320, 330)를 형성한다.
4개의 헬리컬 도체(220, 230, 240, 250)의 각 나선 회전축(C, D, E, F)은 세라믹 칩 본체(210)의 밑면(260)과 옆면(270)에 각각 평행하다.
이 때, 각 헬리컬 도체(220, 230, 240, 250)는 서로 연결되지 않고 독립적으로 형성되고, 제3 헬리컬 도체(220)의 나선 회전축(C)과 제4 헬리컬 도체(230)의 나선 회전축(D)은 서로 일치하거나 또는 평행하며, 제5 헬리컬 도체(240)의 나선 회전축(E)과 제6 헬리컬 도체(250)의 나선 회전축(F)도 서로 일치하거나 또는 평행하다.
한편, 4개의 헬리컬 도체(220, 230, 240, 250)의 사용 주파수 대역은 각 도체(220, 230, 240, 250)의 길이, 각 스트립 선간의 거리, 수평 스트립 선의 기울기 각도, 및 총 전도체의 길이 등에 따라서 결정된다.
결국, 각 헬리컬 도체(220, 230, 240, 250)의 사용 주파수 대역이 다르도록 각 도체(220, 230, 240, 250)의 길이 등을 조절함으로서 서로 다른 4개의 주파수 대역을 사용할 수 있게 된다.
도 8에 도시되어 있듯이, 제3 헬리컬 도체(220)의 중심 주파수가 f1이고, 제4 헬리컬 도체(230)의 중심 주파수가 f2이고, 제5 헬리컬 도체(240)의 중심 주파수가 f3이고, 제6 헬리컬 도체(250)의 중심 주파수가 f4일 때, 서로 다른 중심 주파수 (f1, f2, f3, f4)에서 리턴 로스값이 최소값을 나타내게 되어, 4개의 헬리컬 도체(220, 230, 240, 250)를 포함하는 세라믹 칩 안테나는 서로 다른 4가지의 주파수 대역을 사용할 수 있을 뿐만 아니라, 이로 인하여 주파수 대역 또한 넓어진다.
이와 같이, 하나의 세라믹 칩 본체(210) 내부에 다수의 메인 헬리컬 도체(220, 240)를 나선형으로 형성시키고, 각 메인 헬리컬 도체 내부에 서브 헬리컬 도체(230, 250)를 상기 다수의 메인 헬리컬 도체(220, 240)와 각각 분리시켜 나선형으로 형성하면, 다수의 주파수 대역을 사용할 수 있는 세라믹 칩 안테나를 제조할 수가 있다.
이상에서와 같이 이 발명의 실시예에서, 서로 다른 주파수 대역을 갖는 헬리컬 도체를 사용함으로서 두 개의 주파수 대역을 사용할 수 있으며, 크기가 작아서 휴대 단말기에 내장이 가능하고, 또한 비교적 넓은 밴드 폭을 갖는 다중 대역 세라믹 칩 안테나를 제공하는 것이다.
비록, 이 발명이 가장 실제적이며 바람직한 실시예를 참조하여 설명되었지만, 이 발명은 상기 개시된 실시예에 한정되지 않으며, 후술되는 특허청구범위 내에 속하는 다양한 변형 및 등가물들도 포함한다.

Claims (7)

  1. 세라믹 유전 재료로 형성되는 칩 본체와,
    상기 칩 본체 내부에 나선형으로 형성되는 하나 이상의 메인 헬리컬 도체와,
    상기 메인 헬리컬 도체 각 내부에 각각 나선형으로 형성되는 하나 이상의 서브 헬리컬 도체를 포함하며,
    상기 서브 헬리컬 도체는 각각 분리되어 형성되고, 상기 메인 헬리컬 도체와 상기 서브 헬리컬 도체 각각의 일측 끝단은 상기 칩 본체 표면으로 돌출되어 상기 메인 헬리컬 도체와 서브 헬리컬 도체 각각으로 전압을 인가하기 위한 전압 공급용 단자를 형성하는 것을 특징으로 하는 다중 대역 세라믹 칩 안테나.
  2. 제1항에 있어서,
    상기한 칩 본체는 직육면체 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 다중 대역 세라믹 칩 안테나.
  3. 제2항에 있어서,
    상기한 메인 헬리컬 도체의 나선 회전축과 상기 서브 헬리컬 도체 각각의 나선 회전축은 상기 칩 본체의 밑면과 옆면에 각각 평행한 것을 특징으로 하는 다중 대역 세라믹 칩 안테나.
  4. 제3항에 있어서,
    상기한 메인 헬리컬 도체의 나선 회전축과 상기 서브 헬리컬 도체 각각의 나선 회전축은 일치하는 것을 특징으로 하는 다중 대역 세라믹 칩 안테나.
  5. 제1항에 있어서,
    상기한 칩 본체는 다수의 그린 쉬트가 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 다중 대역 세라믹 칩 안테나.
  6. 제5항에 있어서,
    상기한 제1 헬리컬 도체는 다수의 그린 쉬트 중 제1 및 제2 그린 쉬트에 각각 제1스트립선과 제2스트립선이 형성되고, 상기 제1 및 제2 그린 쉬트 사이의 그린 쉬트에는 도전성 전도 물질이 채워진 비아홀이 형성되고, 상기 다수의 그린 쉬트가 적층될 때 상기 제1스트립선과 제2스트립선이 상기 비아홀을 통하여 전기적으로 연결되어 형성되고,
    상기한 제2 헬리컬 도체는 다수의 그린 쉬트 중 제3 및 제4 그린 쉬트에 각각 제3스트립선과 제4스트립선이 형성되고, 상기 제3 및 제4 그린 쉬트 사이의 그린 쉬트에는 도전성 전도 물질이 채워진 비아홀이 형성되고, 상기 다수의 그린 쉬트가 적층될 때 상기 제3스트립선과 제4스트립선이 상기 비아홀을 통하여 전기적으로 연결되어 형성되는 것을 특징으로 하는 다중 대역 세라믹 칩 안테나.
  7. 제6항에 있어서,
    상기한 메인 헬리컬 도체와 상기 서브 헬리컬 도체 각각의 나선 회전축을 중심으로 감긴 형상이 직사각형 형상인 것을 특징으로 하는 다중 대역 세라믹 칩 안테나.
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