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KR100287174B1 - 다원자계산화물 및 질화물의박막제조방법 - Google Patents

다원자계산화물 및 질화물의박막제조방법 Download PDF

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KR100287174B1
KR100287174B1 KR1019980009062A KR19980009062A KR100287174B1 KR 100287174 B1 KR100287174 B1 KR 100287174B1 KR 1019980009062 A KR1019980009062 A KR 1019980009062A KR 19980009062 A KR19980009062 A KR 19980009062A KR 100287174 B1 KR100287174 B1 KR 100287174B1
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Abstract

다원자계 산화물 및 질화물의 박막을 제조하는 방법을 개시한다. 이 방법은 하지막이 형성된 반도체 기판을 반응챔버 내로 로딩하는 단계와, 상기 하지막 상에 형성될 산화막의 기본이 되는 산소 네트워크층을 형성하는 단계와, 형성될 박막을 구성하는 금속원소들의 전구물질들을 상기 반응챔버 내로 공급하는 단계와, 상기 전구 물질들을 산화막으로 치환하기 위하여 산화가스를 상기 반응챔버 내로 공급하는 단계와, 상기 산화막 표면의 편평도를 개선하기 위하여 유기 리간드를 상기 반응챔버 내로 공급하는 단계를 구비한다.

Description

다원자계 산화물 및 질화물의 박막 제조방법{Method for synthesis of thin film of multi-element oxide and nitride}
본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 상세하게는 삼원자계 이상의 다원자계 산화물 및 질화물의 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조에 있어서, 삼원자계 이상의 다원자계 화합물은 여러 가지 관점에서 우수한 특성을 보인다. 예를 들어, BST(BaSrTiO3)와 같은 우수한 강유전성을 구비하는 페로프스카이트(perovskite) 결정 구조를 갖는 다원자계 화합물의 박막은 DRAM(Dynamic Random Access Memory) 소자, FRAM(Ferroelectric Random Access Memery) 소자, SAW(Surface Acoustic Wave) 소자 등에 활용이 가능하다. 이에 따라, 화학양론적 특성(stoichiometry), 결정성(crystallinity), 균일도(uniformity) 및 단차도포 특성(step coverage) 등이 우수한 다원자계 화합물의 박막을 제조하기 위한 연구가 진행중에 있다.
반도체 소자에 이러한 다원자계 화합물의 박막을 적용함에 있어서, 우수한 단차도포 특성을 가지며 조성비의 조절이 가능하고 또한 피폭손상(radiation damage)을 방지하기 위해서는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)에 의한 박막 제조방법이 요구된다. MOCVD는 표면 동적 영역(surface kinetic regime)에서, 즉 증착온도가 낮은 영역에서 단차도포 특성이 매우 우수하나, 막의 균일성 및 화학양론적 결과가 매우 불량하다. 이러한 불량은, 표면 동적 영역에서는 다원자계 화합물을 구성하는 각 원소들의 성장속도가 증착온도에 매우 민감하여 각 원소들 간의 완벽한 조합이 요구되는 화학양론적 관계를 유지하는 것이 어렵다는 것에 기인한다. 또한, 표면 동적 영역에서는 전구물질(precursor)의 완전한 분해가 이루어지지 않은 상태에서 막이 성장하는 경우가 많기 때문에 막내에 불순물이 포함될 수 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 우수한 단차도포 특성을 구비하면서 또한 막 내의 불순물이 적은 다원자계 산화물 및 질화물의 박막을 제조하는 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 본 발명에 따라 형성된 산화막을 나타내는 단면도로서 편평도 개선 공정을 거치지 않은 상태를 나타낸다.
도 2는 도 1의 산화막이 본 발명에 따라 편평도가 개선된 것을 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따라 다원자계 산화물의 박막을 형성하는 공정을 나타내는 흐름도이다.
도 4는 본 발명에 따라 다원자계 질화물의 박막을 형성하는 공정을 나타내는 흐름도이다.
〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉
10:기판 12:하지막
14:네트워크층 16:편평도 개선전의 산화막
16':편평도 개선 후의 산화막
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다원자계 산화물의 박막 제조방법은, 하지막이 형성된 반도체 기판을 반응챔버 내로 로딩하는 단계와, 상기 하지막 상에 형성될 산화막의 기본이 되는 산소 네트워크층을 형성하는 단계와, 형성될 박막을 구성하는 금속원소들의 전구물질들을 상기 반응챔버 내로 공급하는 단계와, 상기 전구 물질들을 산화막으로 치환하기 위하여 산화가스를 상기 반응챔버 내로 공급하는 단계와, 상기 산화막 표면의 편평도를 개선하기 위하여 유기 리간드를 상기 반응챔버 내로 공급하는 단계를 구비한다.
상기 유기 리간드는 hfac 또는 acac인 것이 바람직하다.
상기 유기 리간드를 공급한 후, 상기 산화막 내에 존재하는 불순물을 제거하기 위하여 산소를 함유한 가스를 상기 반응챔버 내로 공급하는 것을 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 산소 네트워크층은 상기 하지막 상에 형성될 막을 형성하는 결정격자의 중심이 되는 원소를 함유하는 전구물질을 반응챔버 내로 공급하는 단계와, 산소를 함유한 가스를 반응챔버 내로 공급하는 단계를 구비한다.
상기 전구물질들을 상기 반응챔버 내로 공급한 후, 퍼징가스를 상기 반응챔버 내로 공급하여 상기 반응챔버 내에 잔류하는 상기 전구물질들을 상기 반응챔버 외부로 퍼징시키는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 산화가스를 상기 반응챔버 내로 공급한 후, 퍼징가스를 상기 반응챔버 내로 공급하여 상기 반응챔버 내에 잔류하는 상기 산화가스를 상기 반응챔버 외부로 퍼징시키는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 퍼징가스는 Ar, N2등의 불활성 가스인 것이 바람직하다.
막의 결정성을 향상시키기 위하여 상기 산화막을 어닐링 또는 급속 열처리하는 것이 바람직하다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다원자계 질화물의 제조방법은, 하지막이 형성된 반도체 기판을 반응챔버 내로 로딩하는 단계와, 상기 하지막 상에 형성될 질화막의 기본이 되는 질소 네트워크층을 형성하는 단계와, 형성될 박막을 구성하는 금속원소들의 전구물질들을 상기 반응챔버 내로 공급하는 단계와, 상기 전구 물질들을 질화막으로 치환하기 위하여 질화가스를 상기 반응챔버 내로 공급하는 단계와, 상기 산화막 표면의 편평도를 개선하기 위하여 유기 리간드를 상기 반응챔버 내로 공급하는 단계를 구비한다,
상기 유기 리간드는 hfac 또는 acac인 것이 바람직하다.
상기 유기 리간드를 공급한 후, 상기 질화막 내에 존재하는 불순물을 제거하기 위하여 질소를 함유한 가스를 상기 반응챔버 내로 공급하는 것을 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 질소 네트워크층은 상기 하지막 상에 형성될 막을 형성하는 결정격자의 중심이 되는 원소를 함유하는 전구물질을 반응챔버 내로 공급하는 단계와, 질소를 함유한 가스를 반응챔버 내로 공급하는 단계를 구비한다.
상기 전구물질들을 상기 반응챔버 내로 공급한 후, 퍼징가스를 상기 반응챔버 내로 공급하여 상기 반응챔버 내에 잔류하는 상기 전구물질들을 상기 반응챔버 외부로 퍼징시키는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 퍼징가스는 Ar, N2등의 불활성 가스인 것이 바람직하다.
상기 질화가스를 상기 반응챔버 내로 공급한 후, 퍼징가스를 상기 반응챔버 내로 공급하여 상기 반응챔버 내에 잔류하는 상기 질화가스를 상기 반응챔버 외부로 퍼징시키는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
막의 결정성을 향상시키기 위하여 상기 질화막을 어닐링 또는 급속 열처리하는 것이 바람직하다.
이상과 같은 본 발명에 따른 다원자계 산화물 및 질화물의 박막 제조방법은, 막 성장중에 산화공정 및 불순물 제거공정을 도입함으로써 DRAM 소자, FRAM 소자, SAW 소자 등에 활용이 가능하도록 우수한 단차도포 특성을 구비하면서 또한 막 내의 불순물이 적은 다원자계 산화물 및 질화물의 박막을 제조하는 것이 가능하다.
일반적으로, 박막은 그 성장이 층별로(layer by layer) 이루어질 때, 우수한 단차도포 특성과 균일성을 갖는다. 이러한 층별 성장은 에피택시에 의한 막의 성장, 원자층 증착(atomic layer deposition)에 의한 막의 성장 및 표면 동적 영역에서의 CVD에 의한 막의 성장 등에 의해 가능하다.
박막성장에 있어서, 에피택시법을 적용하기 위해서는 막이 증착될 하지막이 단결정 구조를 갖고 있어야 한다. 그러나, 일반적인 반도체 소자의 제조공정에서는 하지막이 비정질 또는 다결정인 경우가 대부분이다. 따라서, 반도체 소자에 있어서 에피택시에 의해 막을 성장시키는 것은 매우 한정된 경우에 가능하다.
또한, 원자층 증착법은 화학적 흡착(chemisorption) 및 화학적 교환에 의해 리간드(ligand)를 제거하는 것이 요구된다. 그러나, 현재 다원자계 화합물의 박막 제조에 사용가능한 전구물질들은 큰 사이즈 및 복잡한 구성의 반응물만이 가능하다. 따라서, 아직까지 원자층 증착법에 의한 다원자계 화합물의 박막제조는 알려져 있지 않다.
그리고, 표면 동적 영역에서의 CVD에 의한 막의 성장은 막 내의 불순물 제거가 어렵고 화학양론적인 막을 제조하는 것이 어렵다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어져서는 안된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 도면에서, 층이나 영역들의 두께는 설명을 명확하게 하기 위하여 과장된 것이다, 도면에서, 동일한 참조번호는 동일한 구성요소를 나타낸다. 또한 어떤 층이 다른 층 또는 기판의 "상부"에 있다고 기재된 경우, 상기 어떤 층은 상기 다른 층 또는 기판의 상부에 직접 접촉하면서 존재할 수도 있고, 그 사이에 다른 제3의 층이 개재될 수도 있다.
〈제1 실시예〉
도 1,2 및 3을 참조하면서, 본 발명에 따라 다원자계 산화물의 박막을 형성하는 방법을 설명하면 다음과 같다.
편의상, BST(BaSrTiO3)와 같은 페로프스카이트 구조를 갖는 삼원자계 산화물을 일반적인 화학식으로 표현하면, ABO3가 된다. 여기서, A는 큰 반경을 갖는 캐션(cation) 원소이고 B는 작은 반경을 갖는 캐션(cation) 원소이며, O는 산소이다.
먼저, 그 위에 임의의 하지막(12)이 형성된 반도체 기판(10)을 반응챔버(미도시) 내로 로딩시킨다 (단계 S300).
이어서, 산화 가스가 존재하지 않는 상태에서 A 및 B 원소의 전구물질들을 반응 챔버 내로 공급하여 A 및 B 원소의 전구물질들이 하지막 상에 결합되도록 한다 (단계 S320). 이 때 제공된 전구물질들은 전부 분해된 상태에 있거나 또는 부분적으로 분해된 상태로 존재할 수도 있다.
한편, 우수한 결정성을 갖는 삼원자계 산화물(여기서는 ABO3로 표현된)의 제조는 그 기본 구조인 산소 네트워크층(여기서는 BO6으로 표현되는 산화물)의 안정된 형성을 통해 보다 쉽게 얻을 수 있다. 따라서, 하지막과의 첫 계면을 형성하기 전에 즉, 상기 전구물질들을 반응챔버 내로 공급하기 전에, 상기 하지막(12) 상에 산화막 형성의 기본이 되는 산소 네트워크층(14)을 대략 0.5-100Å의 두께로 형성하는 것이 바람직하다 (단계 S310). 즉, 결정격자의 중심이 되는 원소(여기서는 B 원소)를 함유하는 전구물질을 반응챔버 내로 공급한 후, 산소를 함유한 가스를 반응챔버 내로 공급하여 산소 네트워크층(14)을 상기 하지막(12) 상에 미리 형성함으로써 결정화 반응이 잘 일어나도록 하는 것이 바람직하다.
그리고, Ar 가스를 반응챔버 내로 공급하여 반응챔버 내에 잔류하는 전구물질들을 반응챔버 외부로 퍼지시킨다 (단계 S330).
그리고, 상기 A 및 B 원소의 전구물질들이 하지막 상에 결합되어 있는 상태에서, O2또는 O3와 같이 산소를 함유한 라디칼 즉, 반응성 산화가스(reactive oxidizing gas)를 반응챔버 내로 공급하여 하지막(12) 상에 산화막(16)을 형성한다 (단계 S340).
이어서, 예를 들면 Ar과 같은 퍼지가스를 반응챔버 내로 공급하여 반응챔버 내에 잔류하는 산화가스를 반응챔버 외부로 퍼지시킨다 (단계 S350).
이와 같은 산화막(16) 형성공정은, A원소 (또는 B원소)의 전구물질만을 반응챔버 내로 공급한 후 반응성 산화가스를 반응챔버 내로 공급하고, 이어서 B원소 (또는 A원소)의 전구물질만을 반응챔버 내로 공급한 후 반응성 산화가스를 반응챔버 내로 공급함으로써 형성할 수도 있다.
이와 같이 형성된 산화막(16)은 도 1에 도시된 바와 같이 그 표면의 편평도가 불량하다. 따라서, hfac(hexafluoroacetylacetone), acac(acetylacetone) 등의 유기 리간드(organic ligand)를 반응챔버 내로 공급하여 반응챔버 내에 남아있는 잔류물을 제거하고 산화막(16) 표면의 편평도를 향상시킨다(단계 S360). 여기서, 유기 리간드만을 금속이 함유된 박막에 공급하면 금속을 보다 휘발성이 강하게 한다. 그 결과, 박막 내의 잉여 금속성분을 제거할 수 있다. 이는 일반적으로 증기압이 작은 금속이 큰 증기압을 가지도록 하는 방법으로서, 유기금속 화합물을 제조하는 원리를 이용한 것이다. 이와 같은 유기 리간드는 잉여 금속성분의 제거뿐만 아니라 탄소등의 불순물이 포함된 산화물을 제거하는 효과를 얻을 수 있다. 이는 안정된 산화막이 불순물이 함유된 산화막에 비해 결합에너지가 크기 때문이다. 따라서, 이러한 유기 리간드를 공급함으로써, 보다 불순물이 적고 편평한 표면을 갖는 박막을 제조할 수 있다.
그리고, 탄소와 결합이 용이한 O2또는 O3와 같이 산소를 함유한 라디칼을 반응챔버 내로 공급하여 산화막(16) 내에 잔류하는 탄소 등의 불순물을 제거한다 (단계 S370).
이렇게 하면 편평한 표면과 불순물이 없는 산화막(16′)을 형성할 수 있다. 이와 같이 한 싸이클을 거쳐 형성되는 산화막(16′)의 두께는 대략 3-100Å이 되도록 하는 것이 바람직하며, 이보다 두꺼운 막은 상기의 사이클 (단계들 S310-S370)을 반복함으로써 얻을 수 있다. 한편, 이와 같이 형성된 산화막(16′)의 결정성을 향상시키기 위하여, 막 성장 후에 어닐링 또는 급속 열처리 공정(Rapid thermal process;RTP)을 진행할 수 있다.
〈제2 실시예〉
도 4를 참조하면서, 본 발명에 따라 다원자계 질화물의 박막을 형성하는 방법을 설명하면 다음과 같다.
편의상, TiSiN, TaAlN과 같은 삼원자계 질화물을 일반적인 화학식으로 표현하면, ABN가 된다. 여기서, A와 B는 임의의 금속 원소를 나타내며, N는 질소이다.
먼저, 그 위에 임의의 하지막이 형성된 반도체 기판을 반응챔버 내에 로딩한다 (단계 S400).
이어서, 질화 가스가 존재하지 않는 상태에서 A 및 B원소의 전구물질을 반응 챔버 내로 공급한다 (단계 S420). 이 때 제공된 전구물질은 전부 분해된 상태에 있거나 또는 부분적으로 분해된 상태로 존재할 수도 있다.
한편, 우수한 결정성을 갖는 삼원자계 질화물(여기서는 ABN으로 표현된)의 제조는 그 기본 구조인 질소 네트워크층(여기서는 B 원소와 질소 원소의 화합물로 표현되는 산화물)의 안정된 형성을 통해 보다 쉽게 얻을 수 있다. 따라서, 하지막(12)과의 첫 계면을 형성하기 전에 즉, 상기 전구물질들을 반응챔버 내로 공급하기 전에, 상기 하지막(12) 상에 질화막 형성의 기본이 되는 질소 네트워크층(14)을 대략 0.5-100Å의 두께로 형성하는 것이 바람직하다 (단계 S310). 즉, 질화막을 형성하는 결정격자의 중심이 되는 원소(여기서는 B 원소)를 함유하는 전구물질을 반응챔버 내로 공급한 후, 질소를 함유한 가스를 반응챔버 내로 공급하여 질소 네트워크층(14)을 상기 하지막(12) 상에 미리 형성함으로써 결정화 반응이 잘 일어나도록 하는 것이 바람직하다.
그리고, Ar 가스를 반응챔버 내로 공급하여 반응챔버 내에 잔류하는 전구물질들을 반응챔버 외부로 퍼지시킨다 (단계 S430).
다음, 상기 A 및 B 원소의 전구물질들이 하지막 상에 결합되어 있는 상태에서, N2또는 NH3와 같이 질소를 함유한 가스 또는 N2라디칼을 반응챔버 내로 공급하여 질화막을 형성한다 (단계 S440).
계속하여, Ar 가스를 반응챔버 내로 공급하여 반응챔버 내에 잔류하는 질소를 함유한 가스를 반응챔버 외부로 퍼지시킨다 (단계 S450).
상기의 질화막 형성공정은, A원소 (또는 B원소)의 전구물질만을 반응챔버 내로 공급한 후 질소를 함유한 라디칼을 반응챔버 내로 공급하고, 이어서 B원소 (또는 A원소)의 전구물질만을 반응챔버 내로 공급한 후 질소를 함유한 라디칼을 반응챔버 내로 공급할 수도 있다.
다음에, hfac, acac 등의 유기 리간드를 반응챔버 내로 공급하여 반응챔버 내에 남아있는 잔류물을 제거하고 질화막 표면의 편평도를 향상시킨다 (단계 S460). 여기서, 유기 리간드만을 금속이 함유된 박막에 공급하면 금속을 보다 휘발성이 강하게 한다. 그 결과, 박막 내의 잉여 금속성분을 제거할 수 있다. 이는 일반적으로 증기압이 작은 금속이 큰 증기압을 가지도록 하는 방법으로서, 유기금속 화합물을 제조하는 원리를 이용한 것이다. 이와 같은 유기 리간드는 잉여 금속성분의 제거뿐만 아니라 탄소등의 불순물이 포함된 산화물을 제거하는 효과를 얻을 수 있다. 이는 안정된 산화막이 불순물이 함유된 산화막에 비해 결합에너지가 크기 때문이다. 따라서, 이러한 유기 리간드를 공급함으로써, 보다 불순물이 적고 편평한 표면을 갖는 박막을 제조할 수 있다.
그리고, 탄소와 결합이 용이한 NH3와 같이 질소를 함유한 라디칼을 반응챔버 내로 공급하여 질화막 내에 잔류하는 탄소 등의 불순물을 제거한다 (단계 S470).
이렇게 하면 편평한 표면과 불순물이 없는 막을 형성할 수 있다. 이와 같이 한 싸이클을 거쳐 형성되는 질화막의 두께는 대략 3-100Å이 되도록 하는 것이 바람직하며, 이보다 두꺼운 막은 상기의 사이클을 반복함으로써 얻을 수 있다. 한편, 이와 같이 형성된 질화막의 결정성을 향상시키기 위하여, 막 성장 후에 어닐링 또는 급속 열처리 공정(Rapid thermal process;RTP)을 진행할 수 있다.
이하에서는 본 발명에 따라 SrTiO3박막을 형성하는 실험예를 기술한다.
〈실험예〉
상기에 설명한 본 발명의 방법에 따라 각각 Sr(C11H19O2)2과 Ti(OC3H7)4를 Sr과 Ti의 전구물질로 사용하여 SrTiO3박막을 다음과 같이 형성하였다.
충분한 증기압을 얻기 위하여 Sr(C11H19O2)2이 채워져 있는 저장조는 175℃를 유지하였고, Ti(OC3H7)4가채워져 있는 저장조는 21.5℃를 유지하였다. 반응챔버 내로 상기 전구물질들이 운반되는 것을 원활히 하기 위하여, Ar을 캐리어 가스로 사용하였으며, Ar의 유량은 100sccm을 유지하였다.
이와 같이 캐리어 가스에 의해 운반되는 Ti(OC3H7)4를 반응챔버 내로 3초 동안 공급한 후, O3가스를 2초 동안 공급하여 반응챔버 내에 놓여진 반도체 기판에 형성된 하지막 상에 산소 네트워크층을 형성하였다.
그리고, 전구물질인 Sr(C11H19O2)2과Ti(OC3H7)4를 동시에 10초 동안 반응챔버 내로 공급하고 Ar 가스를 이용하여 잔류물을 반응챔버 외부로 퍼지시켰다.
이어서 O3가스를 10초 동안 반응챔버 내로 공급하고 다시 Ar 가스를 이용하여 잔류물을 반응챔버 외부로 퍼지시켰다.
계속하여, 유기 리간드인 hfac를 2초 동안 반응챔버 내로 공급한 후, 형성되는 막 내에 함유된 불순물을 제거하기 위하여 O2가스를 5초동안 공급하였다.
공정이 진행되는 동안 반응챔버 내의 온도와 압력은 각각 500℃와 5Torr를 유지하였다.
이와 같은 방법으로 형성된 SrTiO3박막의 두께는 대략 20Å이었으며, 단차도포 특성과 균일성이 우수함을 확인하였다.
이상 도면들과 상세한 설명에서 최적 실시예가 개시되었다. 여기서, 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 것이며 의미를 한정하거나 이하의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 한정하기 위하여 사용된 것이 아니다. 예컨대, 하지막은 산화막 또는 질화막과 같은 임의의 다른 막으로 대체될 수 있다.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 따른 다원자계 산화물 및 질화물의 박막 제조방법은, 막 성장중에 산화공정 및 불순물 제거공정을 도입함으로써 DRAM 소자, FRAM 소자, SAW 소자 등에 활용이 가능하도록 우수한 단차도포 특성을 구비하면서 또한 막 내의 불순물이 적은 다원자계 산화물 및 질화물의 박막을 제조하는 것이 가능하다.

Claims (20)

  1. 하지막이 형성된 반도체 기판을 반응챔버 내로 로딩하는 단계;
    상기 하지막 상에 형성될 산화막의 기본이 되는 산소 네트워크층을 형성하는 단계;
    형성될 산화막을 구성하는 금속원소들의 전구물질들을 상기 반응챔버 내로 공급하는 단계; 및
    산화가스를 상기 반응챔버 내로 공급하여 상기 전구 물질들과 반응시킴으로써 상기 하지막 상에 산화막을 형성하는 단계; 및
    유기 리간드를 상기 반응챔버 내로 공급하여 상기 산화막 표면의 편평도를 개선하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 다원자계 산화물의 박막 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 유기 리간드는 hfac(hexafluoroacetylacetone)인 것을 특징으로 하는 다원자계 산화물의 박막 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 유기 리간드는 acac(acetylacetone)인 것을 특징으로 하는 다원자계 산화물의 박막 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 산화막 표면의 편평도를 개선하는 단계 이후, 산소를 함유한 가스를 상기 반응챔버 내로 공급하여 상기 산화막 내에 존재하는 불순물을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다원자계 산화물의 박막 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 산소 네트워크층은 상기 하지막 상에 형성될 산화막을 형성하는 결정격자의 중심이 되는 금속원소를 함유하는 전구물질을 반응챔버 내로 공급하는 단계; 및
    산소를 함유한 가스를 반응챔버 내로 공급하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 다원자계 산화물의 박막 제조방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 전구물질들을 상기 반응챔버 내로 공급한 후, 퍼징가스를 상기 반응챔버 내로 공급하여 상기 반응챔버 내에 잔류하는 상기 전구물질들을 상기 반응챔버 외부로 퍼징시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다원자계 산화물의 박막 제조방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 퍼징가스는 Ar이나 N2등의 불활성 가스중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 다원자계 산화물의 박막 제조방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 산화가스를 상기 반응챔버 내로 공급한 후, 퍼징가스를 상기 반응챔버 내로 공급하여 상기 반응챔버 내에 잔류하는 상기 산화가스를 상기 반응챔버 외부로 퍼징시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다원자계 산화물의 박막 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 퍼징가스는 Ar이나 N2등의 불활성 가스중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 다원자계 산화물의 박막 제조방법.
  10. 제1항에 있어서,
    막의 결정성을 향상시키기 위하여 상기 산화막을 어닐링 또는 급속 열처리하는 것을 특징으로 하는 다원자계 산화물의 박막 제조방법.
  11. 하지막이 형성된 반도체 기판을 반응챔버 내로 로딩하는 단계;
    상기 하지막 상에 형성될 질화막의 기본이 되는 질소 네트워크층을 형성하는 단계;
    형성될 질화막을 구성하는 금속원소들의 전구물질들을 상기 반응챔버 내로 공급하는 단계; 및
    질화가스를 상기 반응챔버 내로 공급하여 상기 전구 물질들과 반응시킴으로써 상기 하지막 상에 질화막을 형성하는 단계; 및
    유기 리간드를 상기 반응챔버 내로 공급하여 상기 질화막 표면의 편평도를 개선하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 다원자계 질화물의 박막 제조방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 유기 리간드는 hfac(hexafluoroacetylacetone)인 것을 특징으로 하는 다원자계 질화물의 박막 제조방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 유기 리간드는 acac(acetylacetone)인 것을 특징으로 하는 다원자계 질화물의 박막 제조방법.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 질화막 표면의 편평도를 개선하는 단계 이후, 질소를 함유한 가스를 상기 반응챔버 내로 공급하여 상기 질화막 내에 존재하는 불순물을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다원자계 질화물의 박막 제조방법.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 질소 네트워크층은 상기 하지막 상에 형성될 질화막을 형성하는 결정격자의 중심이 되는 원소를 함유하는 전구물질을 반응챔버 내로 공급하는 단계; 및
    질소를 함유한 가스를 반응챔버 내로 공급하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 다원자계 질화물의 박막 제조방법.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 전구물질들을 상기 반응챔버 내로 공급한 후, 퍼징가스를 상기 반응챔버 내로 공급하여 상기 반응챔버 내에 잔류하는 상기 전구물질들을 상기 반응챔버 외부로 퍼징시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다원자계 질화물의 박막 제조방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 퍼징가스는 Ar이나 N2등의 불활성 가스중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 다원자계 질화물의 박막 제조방법.
  18. 제11항에 있어서,
    상기 질화가스를 상기 반응챔버 내로 공급한 후, 퍼징가스를 상기 반응챔버 내로 공급하여 상기 반응챔버 내에 잔류하는 상기 질화가스를 상기 반응챔버 외부로 퍼징시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다원자계 질화물의 박막 제조방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 퍼징가스는 Ar이나 N2등의 불활성 가스중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 다원자계 산화물의 박막 제조방법.
  20. 제19항에 있어서,
    막의 결정성을 향상시키기 위하여 상기 질화막을 어닐링 또는 급속 열처리하는 것을 특징으로 하는 다원자계 질화물의 박막 제조방법.
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