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KR100285967B1 - Data storage device and method using flash memory - Google Patents

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KR100285967B1
KR100285967B1 KR1019980043787A KR19980043787A KR100285967B1 KR 100285967 B1 KR100285967 B1 KR 100285967B1 KR 1019980043787 A KR1019980043787 A KR 1019980043787A KR 19980043787 A KR19980043787 A KR 19980043787A KR 100285967 B1 KR100285967 B1 KR 100285967B1
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KR
South Korea
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flash memory
channel
data
memory unit
unit
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KR1019980043787A
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강경인
장현석
김이을
김용민
성단근
최순달
Original Assignee
윤덕용
한국과학기술원
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Abstract

본 발명은 입력 채널별로 분리되어 있는 플래쉬 메모리부를 동시에 제어하고, 각 플래쉬 메모리부를 구성하는 다수의 플래쉬 메모리소자를 하나의 소자처럼 사용함으로써, 동영상 신호와 같은 대용량의 데이터를 보다 빠르게 처리할 수 있는 플래쉬 메모리를 이용한 데이터 저장장치 및 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.The present invention simultaneously controls the flash memory unit separated for each input channel, by using a plurality of flash memory elements constituting each flash memory unit as a single device, a flash that can process a large amount of data, such as a video signal faster It is an object of the present invention to provide a data storage device and method using the memory.

본 발명에 따르면, 각각의 플래쉬 메모리소자로 인가되는 중앙처리장치의 억세스 명령과 기록 명령을 입력받아서, 다수의 채널을 통해 입력되는 데이터신호를 각 채널별로 할당된 플래쉬 메모리부에 저장하는 데이터 저장장치에 있어서, 임의의 한 채널로부터 입력되는 상기 데이터신호를 시스템버스의 버스크기로 크기 변환하는 각 채널별로 할당된 버퍼 메모리부와; 상기 버퍼 메모리부에서 출력되는 크기 변환된 데이터신호를 각 채널별로 할당된 플래쉬 메모리부로 전송하고, 상기 중앙처리장치의 억세스 명령과 기록 명령을 상기 플래쉬 메모리부 각각으로 동시에 전송하는 데이터 경로 선택 회로부; 상기 데이터 경로 선택 회로부를 통해 입력되는 상기 크기 변환된 데이터신호를 저장하는 각 채널별로 할당된 상기 플래쉬 메모리부; 및 상기 각 채널별로 할당된 버퍼 메모리부, 데이터 경로 선택 회로부, 각 채널로 제어신호를 인가하는 제어부를 포함한 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리를 이용한 데이터 저장장치를 제공한다.According to the present invention, a data storage device which receives an access command and a write command of a central processing unit applied to each flash memory device, and stores data signals input through a plurality of channels in a flash memory unit allocated to each channel. A buffer memory unit allocated for each channel for converting the data signal input from any one channel into a bus size of a system bus; A data path selection circuit unit for transmitting the size-converted data signal output from the buffer memory unit to a flash memory unit allocated to each channel and simultaneously transmitting an access command and a write command of the central processing unit to each of the flash memory units; The flash memory unit allocated to each channel for storing the size-converted data signal inputted through the data path selection circuit unit; And a buffer memory unit allocated to each channel, a data path selection circuit unit, and a controller for applying a control signal to each channel.

Description

플래쉬 메모리를 이용한 데이터 저장장치 및 방법Data storage device and method using flash memory

본 발명은 데이터 저장장치에 관한 것으로, 특히 플래쉬 메모리를 이용한 데이터 저장장치 및 데이터 저장방법에 관한 것이다.The present invention relates to a data storage device, and more particularly, to a data storage device and a data storage method using a flash memory.

플래쉬 메모리(Flash Memory)란, 전원이 꺼지면 저장된 데이터가 소멸되는 일반 램(Random Access Memory : RAM)과는 달리 전원이 꺼져도 저장된 데이터가 그대로 보존되는 진보된 반도체를 말한다. 이러한 플래쉬 메모리의 특성 때문에, 플래쉬 메모리는 밧데리가 소모되어도 데이터가 안정되게 저장되어야 하는 전자수첩등의 데이터 저장장치에 많이 사용되고 있는 추세이다.Flash memory is an advanced semiconductor in which stored data is preserved even when the power is turned off, unlike ordinary RAM, which stores stored data when the power is turned off. Due to the characteristics of the flash memory, the flash memory has been widely used in data storage devices such as electronic notebooks in which data should be stably stored even when the battery is exhausted.

일반적으로 플래쉬 메모리는 다수의 페이지(page)로 이루어지고 각각의 페이지는 다수의 칼럼(column)으로 이루어지며, 각 칼럼에는 1바이트(byte) 혹은 2바이트의 데이터(data)가 저장된다. 따라서, 플래쉬 메모리에 데이터를 저장하려면, 저장하고자 하는 데이터정보와 함께 데이터가 저장되는 번지(address)정보를 함께 제공하여야 하며, 이러한 번지정보에는 칼럼번지와 페이지번지가 포함된다.In general, a flash memory is composed of a plurality of pages, each page is composed of a plurality of columns, and each column stores one byte or two bytes of data. Therefore, in order to store data in the flash memory, address information for storing data is provided together with data information to be stored, and such address information includes a column address and a page address.

이러한 종래의 플래쉬 메모리를 이용한 데이터 저장장치는 대한민국 공개특허 96-86675호 "플래쉬메모리를 사용하는 동영상신호 실시간 처리방법 및 그 장치"에 상세하게 기술되어 있으며, 이는 도 1에 도시된 바와 같다.Such a conventional data storage device using a flash memory is described in detail in Korean Patent Publication No. 96-86675, "Real Time Processing Method and Apparatus Using a Flash Memory," as shown in FIG.

즉, 이는 시간분할 기법을 이용한 것으로써, 제1레지스터부(10)와, 다단 레지스터부(20), 다단 선입선출 메모리부(30), 다단 플래쉬 메모리부(40), 그리고 클럭 분주부(50)로 구성된다.That is, it uses a time division technique, and includes a first register unit 10, a multi-stage register unit 20, a multi-stage first-in first-out memory unit 30, a multi-stage flash memory unit 40, and a clock divider unit 50. It is composed of

상기한 제1레지스터부(10)는 연속적으로 입력되는 동영상신호와 데이터 클럭을 입력받아 동영상신호를 데이터 클럭에 동기화시켜 출력하는데, 이 데이터 클럭은 동영상신호의 시간분할 처리에 적합한 주파수를 가진다. 다단 레지스터부(20)는 다수의 레지스터들이 병렬로 연결되어 구성되는데, 다수의 레지스터들은 클럭 분주부(50)에서 출력되는 분주된 데이터 클럭에 의해 순차적으로 동작한다. 다단 레지스터부(20)를 구성하는 다수의 레지스터들이 순차적으로 동작하는 동안에 데이터 클럭에 동기화된 동영상신호는 다단 선입선출 메모리부(30)에 순차적으로 저장된다.The first register unit 10 receives the continuously input video signal and the data clock and synchronizes the video signal with the data clock. The data clock has a frequency suitable for time division processing of the video signal. The multi-stage register unit 20 is composed of a plurality of registers connected in parallel, the plurality of registers are sequentially operated by the divided data clock output from the clock divider 50. While a plurality of registers constituting the multi-stage register unit 20 are sequentially operated, the moving picture signal synchronized with the data clock is sequentially stored in the multi-stage first-in-first-out memory unit 30.

이와 같이 동영상신호를 분주한 후 다단 선입선출 메모리부로 저장하는 이유는, 플래쉬 메모리가 고속의 동영상신호를 실시간에 처리할 수 없기 때문이다. 따라서, 다단 레지스터부(20)를 이용하여 동영상신호를 분주하고, 분주된 동영상신호를 다단 선입선출 메모리부(30)를 통해 다단 플래쉬 메모리부(40)에 저장한다.The reason why the video signal is divided and stored in the first-in first-out memory unit is that the flash memory cannot process the high-speed video signal in real time. Therefore, the multi-stage register unit 20 divides the video signal, and stores the divided video signal in the multi-stage flash memory unit 40 through the multi-stage first-in first-out memory unit 30.

상기 다단 선입선출 메모리부(30)는 다단 레지스터부(20)의 각각의 레지스터에 대응하는 선입선출(First In First Out:FIFO) 메모리들이 직렬로 연결되어 구성된다. 다단 레지스터부(20)의 각각의 레지스터를 통해 입력되는 분주된 동영상신호를 입력받아 각각의 선입선출 메모리에 임시 저장한다.The multi-stage first-in first-out memory unit 30 is configured by first-in-first-out (FIFO) memories corresponding to each register of the multi-stage register unit 20 connected in series. A divided video signal input through each register of the multi-stage register unit 20 is received and temporarily stored in each first-in first-out memory.

다단 플래쉬 메모리부(40)는 다단 선입선출 메모리부(30)의 각각의 선입선출 메모리에 각각 대응하는 플래쉬 메모리들로 구성되어 있으며, 다단 선입선출 메모리부(30)의 각각의 선입선출 메모리에서 출력되는 분주된 동영상신호를 입력받아 각각의 플래쉬 메모리에 순차적으로 저장한다.The multi-stage flash memory unit 40 is composed of flash memories corresponding to respective first-in first-out memory of the multi-stage first-in first-out memory unit 30, and is output from each first-in first-out memory of the multi-stage first-in first-out memory unit 30. The divided video signals are sequentially received in each flash memory.

이때, 다단 플래쉬 메모리부(40)를 구성하는 각각의 플래쉬 메모리는 도시되지 않은 중앙처리장치의 제어를 받아 구동한다. 즉, 중앙처리장치로부터 플래쉬 메모리로 억세스(access) 명령이 인가되면 플래쉬 메모리는 선입선출 메모리에 임시 저장되어 있는 분주된 동영상신호의 한 페이지 분량을 내부 페이지 버퍼에 기록한다. 그 후, 중앙처리장치로부터 기록 명령이 인가되면 플래쉬 메모리는 내부 페이지 버퍼에 저장된 동영상신호를 플래쉬 메모리의 메모리셀로 이동시켜 기록한다. 상기 클럭 분주부(50)는 데이터 클럭을 제1레지스터(10)로 제공하고, 분주된 데이터 클럭을 다단 레지스터부(20)의 각각의 레지스터에 순차적으로 출력한다.At this time, each flash memory constituting the multi-stage flash memory unit 40 is driven under the control of a central processing unit (not shown). That is, when an access command is applied from the CPU to the flash memory, the flash memory writes one page of the divided video signal temporarily stored in the first-in first-out memory into the internal page buffer. Then, when a write command is applied from the central processing unit, the flash memory moves and records the moving picture signal stored in the internal page buffer to the memory cell of the flash memory. The clock divider 50 provides a data clock to the first register 10 and sequentially outputs the divided data clock to each register of the multi-stage register unit 20.

이러한 종래의 데이터 저장장치는, 입력되는 동영상신호를 시간분할 기법을 이용하여 분주한 후 다단 선입선출 메모리부(30)에 임시 저장한다. 그 후, 다단 선입선출 메모리부(30)에 임시 저장된 동영상신호를 다단 플래쉬 메모리부에 저장하기 위하여, 먼저 플래쉬 메모리의 내부 페이지 버퍼에 한 페이지 분량의 동영상신호를 저장하고, 그 다음에 내부 페이지 버퍼에 저장된 동영상신호가 플래쉬 메모리의 메모리셀로 이동할 때까지 대기한다.The conventional data storage device divides an input video signal using a time division technique and temporarily stores the first moving image signal in the multi-first-in first-out memory unit 30. Then, in order to store the moving picture signal temporarily stored in the multi-first-in first-out memory unit 30 in the multi-stage flash memory unit, first, one page worth of video signal is stored in the internal page buffer of the flash memory, and then the internal page buffer. Wait until the moving picture signal stored in the memory cell moves into the flash memory.

이때, 동영상신호가 선입선출 메모리로부터 플래쉬 메모리의 내부 페이지 버퍼로 기록되는 시간을 억세스 시간, 플래쉬 메모리의 내부 페이지 버퍼로부터 메모리셀로 이동하여 기록되는 시간을 기록 시간이라고 한다. 플래쉬 메모리의 특성상, 기록 시간은 억세스 시간에 비하여 매우 길며, 중앙처리장치는 기록 시간동안에 다른 제어를 수행하지 못하고 대기한다.At this time, the time when the moving picture signal is written from the first-in first-out memory into the internal page buffer of the flash memory is called the access time, and the time recorded by moving from the internal page buffer of the flash memory to the memory cell is recorded. Due to the nature of the flash memory, the write time is very long compared to the access time, and the central processing unit waits without performing other control during the write time.

따라서, 상기한 종래의 기술은, 연속적으로 입력되는 고속의 동영상신호가 시간분할 기법에 의해 분주된 후 선입선출 메모리에 연속적으로 입력되더라도, 플래쉬 메모리의 메모리셀에 기록되기 위해서는 플래쉬 메모리의 내부 페이지 버퍼에 기록된 후 메모리셀로 이동하기까지 기다려야 한다. 이로 인해 종래의 플래쉬 메모리를 이용한 데이터 저장장치는, 특정 입력속도 이상의 대용량을 가지는 동영상신호를 처리할 수 없다는 문제점이 있었다.Therefore, in the above-described conventional technique, even if a high speed video signal continuously inputted is divided by a time division technique and subsequently input to the first-in, first-out memory, the internal page buffer of the flash memory is to be written to the memory cells of the flash memory. It must wait until it is recorded in the memory cell before moving to the memory cell. As a result, a conventional data storage device using a flash memory has a problem in that it cannot process a video signal having a large capacity over a specific input speed.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 입력 채널별로 분리되어 있는 플래쉬 메모리부를 동시에 제어하고, 각 플래쉬 메모리부를 구성하는 다수의 플래쉬 메모리를 하나의 소자처럼 사용함으로써, 연속적으로 입력되는 동영상신호와 같은 대용량의 데이터신호를 보다 빠르게 처리하여 저장할 수 있는 플래쉬 메모리를 이용한 데이터 저장장치 및 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, by simultaneously controlling the flash memory unit separated for each input channel, by using a plurality of flash memory constituting each flash memory unit as one element, It is an object of the present invention to provide a data storage device and method using a flash memory that can process and store a large data signal such as a video signal continuously input.

도 1은 종래 기술에 의한 플래쉬 메모리를 이용한 데이터 저장장치의 블록 구성도,1 is a block diagram of a data storage device using a flash memory according to the prior art;

도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 플래쉬 메모리를 이용한 데이터 저장장치의 블록 구성도,2 is a block diagram of a data storage device using a flash memory according to an embodiment of the present invention;

도 3은 도 2에 도시된 버퍼 메모리부의 상세 블록 구성도,3 is a detailed block diagram of a buffer memory unit shown in FIG. 2;

도 4는 도 2에 도시된 데이터 경로 선택 회로부의 상세 블록 구성도,4 is a detailed block diagram of the data path selection circuit shown in FIG. 2;

도 5는 도 4에 도시된 가상 플래쉬 메모리의 상세 구성도이다.FIG. 5 is a detailed configuration diagram of the virtual flash memory shown in FIG. 4.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Explanation of symbols for the main parts of the drawings *

100 : 버퍼 메모리부 110 : 확장 버퍼 메모리부100: buffer memory section 110: extended buffer memory section

130 : 버스 확장 클럭 발생부 200 : 데이터 경로선택 회로부130: bus expansion clock generator 200: data path selection circuit unit

230 : 공통버스 300 : 플래쉬 메모리부230: common bus 300: flash memory unit

400 : 제어부 500 : 중앙처리장치400: control unit 500: central processing unit

600 : 제어클럭 발생부600: control clock generator

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 플래쉬 메모리를 이용한 데이터 저장장치는, 각각의 플래쉬 메모리소자로 인가되는 중앙처리장치의 억세스 명령과 기록 명령을 입력받아서, 다수의 채널을 통해 입력되는 데이터신호를 각 채널별로 할당된 플래쉬 메모리부에 저장하는 데이터 저장장치에 있어서, 임의의 한 채널로부터 입력되는 상기 데이터신호를 시스템버스의 버스크기로 크기 변환하는 각 채널별로 할당된 버퍼 메모리부와; 상기 버퍼 메모리부에서 출력되는 크기 변환된 데이터신호를 각 채널별로 할당된 플래쉬 메모리부로 전송하고, 상기 중앙처리장치의 억세스 명령과 기록 명령을 상기 플래쉬 메모리부 각각으로 동시에 전송하는 데이터 경로 선택 회로부; 상기 데이터 경로 선택 회로부를 통해 입력되는 상기 크기 변환된 데이터신호를 상기 채널에 할당된 다수의 플래쉬 메모리소자에 순차적으로 기록한 후 메모리셀로 이동시켜 저장하는 각 채널별로 할당된 상기 플래쉬 메모리부; 및 상기 각 채널별로 할당된 버퍼 메모리부, 데이터 경로 선택 회로부, 각 채널별로 할당된 플래쉬 메모리부와 공통버스를 통해 연결되어 제어신호를 인가하는 제어부를 포함한 것을 특징으로 한다.A data storage device using a flash memory according to the present invention for achieving the above object, by receiving an access command and a write command of the central processing unit applied to each flash memory device, and receives a data signal input through a plurality of channels A data storage device for storing a flash memory unit allocated to each channel, comprising: a buffer memory unit allocated to each channel for converting the data signal input from any one channel into a bus size of a system bus; A data path selection circuit unit for transmitting the size-converted data signal output from the buffer memory unit to a flash memory unit allocated to each channel and simultaneously transmitting an access command and a write command of the central processing unit to each of the flash memory units; The flash memory unit allocated to each channel to sequentially record the size-converted data signal input through the data path selection circuit unit in a plurality of flash memory devices allocated to the channel, and then move and store the same in a memory cell; And a control unit connected to a buffer memory unit allocated to each channel, a data path selection circuit unit, and a flash memory unit allocated to each channel through a common bus to apply a control signal.

또한, 본 발명에 따른 플래쉬 메모리를 이용한 데이터 저장방법은, 다수의 채널을 통해 입력되는 데이터신호를 각 채널별로 할당된 플래쉬 메모리부에 저장하는 데이터 저장방법에 있어서, 임의의 한 채널로부터 입력되는 데이터신호를 시스템버스의 버스크기로 바꾸는 제1단계와; 상기 크기 변환된 데이터신호를 상기 채널에 연결된 임의의 플래쉬 메모리소자의 내부 페이지 버퍼에 기록한 후, 기록 명령을 인가하여 상기 페이지 버퍼에 기록된 데이터가 메모리셀로 이동하여 저장되도록 하는 제2단계; 상기 제2단계에서 상기 임의의 플래쉬 메모리소자의 메모리셀로 데이터가 이동하는 동안에, 다른 플래쉬 메모리소자의 내부 페이지 버퍼에 데이터를 기록한 후, 기록 명령을 인가하여 상기 페이지 버퍼에 기록된 데이터가 메모리셀로 이동하여 저장되도록 하는 제3단계; 상기 제2단계 내지 제3단계를 반복 수행하여, 상기 채널로부터 입력되는 데이터신호를 상기 다수의 플래쉬 메모리소자에 연속적으로 저장하는 제4단계; 및 각 채널에 대하여 상기 제1단계 내지 제4단계를 동시에 수행하여, 모든 채널을 통해 입력되는 데이터를 동시에 저장하는 제5단계를 포함한 것을 특징으로 한다.In addition, the data storage method using a flash memory according to the present invention, in the data storage method for storing a data signal input through a plurality of channels in the flash memory unit allocated to each channel, the data input from any one channel Converting a signal into a bus size of a system bus; A second step of writing the size-converted data signal into an internal page buffer of an arbitrary flash memory device connected to the channel, and then applying a write command to move the data written in the page buffer to a memory cell for storage; While the data is moved to the memory cell of the arbitrary flash memory device in the second step, after writing data to the internal page buffer of another flash memory device, data is written to the page buffer by applying a write command to the memory cell. Moving to and storing in the third step; A fourth step of repeatedly performing the second to third steps to continuously store data signals input from the channels in the plurality of flash memory devices; And a fifth step of simultaneously performing the first to fourth steps with respect to each channel to simultaneously store data input through all channels.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 한 실시예에 따른 플래쉬 메모리를 이용한 데이터 저장장치는 도 2에 도시된 바와 같이, 각 채널별로 할당된 버퍼 메모리부(100)와, 데이터 경로 선택 회로부(200), 각 채널별로 할당된 플래쉬 메모리부(300), 그리고 제어부(400)를 포함한다. 본 발명의 실시예에서는 n개의 채널을 통해 입력되는 데이터신호를 각 채널별로 할당된 플래쉬 메모리부에 저장한다고 가정한다.As shown in FIG. 2, a data storage device using a flash memory according to an embodiment of the present invention may include a buffer memory unit 100 allocated to each channel, a data path selection circuit unit 200, and a channel allocated to each channel. Flash memory unit 300, and the control unit 400. In an embodiment of the present invention, it is assumed that data signals input through n channels are stored in a flash memory unit allocated to each channel.

각 채널별로 할당된 버퍼 메모리부(100)는 각 채널별로 데이터신호와 클럭을 입력받고, 그 출력단은 데이터 경로 선택 회로부(200)의 입력단에 연결된다. 데이터 경로선택 회로부(200)의 출력단은 플래쉬 메모리부(300)의 입력단에 연결된다. 제어부(400)는 공통버스(230)를 통해 각 채널별로 할당된 버퍼 메모리부(100), 데이터 경로선택 회로부(200), 및 각 채널별로 할당된 플래쉬 메모리부(300)와 각각 연결되며, 각 채널을 통해 입력되는 데이터신호가 상기 각 채널별로 할당된 플래쉬 메모리부(300)에 동시에 기록되도록 제어신호를 출력한다. 그러나, 상기한 플래쉬 메모리부(300)에 저장된 데이터를 판독할 때에는 각각의 플래쉬 메모리부에 저장된 데이터가 따로따로 출력되도록 제어신호를 출력한다.The buffer memory unit 100 allocated to each channel receives a data signal and a clock for each channel, and an output terminal thereof is connected to an input terminal of the data path selection circuit unit 200. An output terminal of the data path selection circuit unit 200 is connected to an input terminal of the flash memory unit 300. The control unit 400 is connected to the buffer memory unit 100, the data path selection circuit unit 200, and the flash memory unit 300 allocated to each channel through the common bus 230, respectively. The control signal is output so that the data signal input through the channel is simultaneously recorded in the flash memory unit 300 allocated to each channel. However, when reading the data stored in the flash memory unit 300, the control signal is output so that the data stored in each flash memory unit is separately output.

상기 버퍼 메모리부(100)는 도 3에 도시된 바와 같이, 확장 버퍼 메모리부(110)와 버스 확장 클럭 발생부(130)로 구성된다. 본 발명의 실시예에서는, 각 채널로부터 입력되는 데이터신호의 크기는 8비트이고, 시스템버스의 버스크기는 16비트라고 가정한다. 이때, 확장 버퍼 메모리부(110)는 각 채널별로 할당된 상위 8비트 버퍼와 하위 8비트 버퍼로 구성되는데, 각 채널별로 입력되는 데이터신호는 상위 8비트 버퍼와 하위 8비트 버퍼에 순차적으로 저장된 후 데이터 경로 선택 회로부(200)로 16비트의 데이터를 출력한다.As shown in FIG. 3, the buffer memory unit 100 includes an expansion buffer memory unit 110 and a bus expansion clock generator 130. In the embodiment of the present invention, it is assumed that the size of the data signal input from each channel is 8 bits, and the bus size of the system bus is 16 bits. At this time, the extended buffer memory unit 110 is composed of an upper 8-bit buffer and a lower 8-bit buffer allocated for each channel. The data signal input for each channel is sequentially stored in the upper 8-bit buffer and the lower 8-bit buffer. The 16-bit data is output to the data path selection circuit unit 200.

상기 데이터 경로 선택 회로부(200)는 도 4에 도시된 바와 같이 버스 드라이버부(210)와 버스 트랜시버부(220)로 구성된다. 이 버스 드라이버부(210)는 병렬구조로 형성된 n개의 버스 드라이버(Bus Driver)로 이루어지고, 그 입력단은 버퍼 메모리부(100)의 출력단과 연결되며, 출력단은 플래쉬 메모리부(300)의 입력단과 연결된다.As illustrated in FIG. 4, the data path selection circuit unit 200 includes a bus driver 210 and a bus transceiver 220. The bus driver 210 is composed of n bus drivers formed in a parallel structure, the input terminal of which is connected to the output terminal of the buffer memory unit 100, and the output terminal of the bus driver unit 210 is connected to the input terminal of the flash memory unit 300. Connected.

버스 트랜시버부(220)는 병렬구조로 형성된 n개의 버스 트랜시버(Bus Transceiver)로 이루어지며, 이는 플래쉬 메모리부(300)와 중앙처리장치(500) 사이에 공통버스(230)로 연결된다. 상기 플래쉬 메모리부(300)는 각 채널별로 할당된 k개의 가상 플래쉬 메모리들로 구성된다. 각 가상 플래쉬 메모리는 도 5에 도시된 바와 같이 m개의 플래쉬 메모리소자로 구성되는데, m개의 플래쉬 메모리소자가 하나의 소자처럼 동작한다. 중앙처리장치(500)는 하나의 가상 플래쉬 메모리를 하나의 소자처럼 동작시키기 위하여 칼럼번지와 페이지번지와 함께 m개의 소자번지가 포함된 번지정보를 각각의 가상 플래쉬 메모리로 출력한다.The bus transceiver unit 220 is composed of n bus transceivers (Bus Transceivers) formed in a parallel structure, which is connected to the common bus 230 between the flash memory unit 300 and the central processing unit 500. The flash memory unit 300 is composed of k virtual flash memories allocated for each channel. Each virtual flash memory is composed of m flash memory devices as shown in FIG. 5, where m flash memory devices operate as one device. In order to operate one virtual flash memory as one device, the CPU 500 outputs address information including m device addresses together with column and page addresses to each virtual flash memory.

이러한 구성을 갖는 플래쉬 메모리를 이용한 데이터 저장장치의 동작을 살펴보면 다음과 같다.The operation of a data storage device using a flash memory having such a configuration will be described below.

본 발명은 두 가지 특징이 있다. 첫째, n개의 채널을 통해 각각 입력되는 데이터신호를 동시에 제어하여 각 채널별로 할당된 플래쉬 메모리부(300)로 저장하기 때문에 하나의 중앙처리장치(500)로 제어할 수 있는 데이터 처리량이 n배로 증가한다. 둘째, 각 채널별로 k개의 가상 플래쉬 메모리가 할당되며, 각 가상 플래쉬 메모리는 m개의 플래쉬 메모리소자로 이루어지지만 하나의 소자처럼 동작한다.The present invention has two features. First, since data signals input through n channels are simultaneously controlled and stored in the flash memory unit 300 allocated to each channel, the data throughput that can be controlled by one central processing unit 500 is increased by n times. do. Second, k virtual flash memories are allocated to each channel, and each virtual flash memory is composed of m flash memory devices but operates like a single device.

먼저, n개의 채널을 통해 각각 입력되는 데이터신호를 동시에 제어하는 과정을 살펴본다.First, a process of simultaneously controlling data signals respectively input through n channels will be described.

임의의 한 채널(예를 들어, 제1채널)을 통해 8비트 데이터신호가 확장 버퍼 메모리부(110)로 입력되면, 이 확장 버퍼 메모리부(110)는 이 데이터신호를 16비트 데이터신호로 크기 변환하여 출력한다. 즉, 버스 확장 클럭 발생부(130)가 데이터 클럭에 따라 채널1에 할당된 상위 8비트 버퍼와 하위 8비트 버퍼에 순차적으로 기록클럭(write clock)을 출력하면, 기록클럭이 입력되는 8비트 버퍼가 동작하여 채널1을 통해 입력되는 2개의 8비트 데이터신호가 상위 8비트 버퍼와 하위 8비트 버퍼에 순차적으로 기록된다. 그 후, 제어부(500)가 확장 버퍼 메모리부(110)로 판독클럭(read clock)을 출력하면 상위 8비트 버퍼와 하위 8비트 버퍼에 각각 저장된 데이터신호가 동시에 출력되어 16비트로 크기 변환된 데이터신호가 데이터 경로 선택 회로부(200)로 입력된다.When an 8-bit data signal is input to the expansion buffer memory unit 110 through any one channel (for example, the first channel), the expansion buffer memory unit 110 scales the data signal into a 16-bit data signal. Convert and output That is, when the bus extension clock generator 130 sequentially outputs a write clock to the upper 8-bit buffer and the lower 8-bit buffer allocated to channel 1 according to the data clock, the 8-bit buffer into which the write clock is input. The two 8-bit data signals input through channel 1 are sequentially written to the upper 8-bit buffer and the lower 8-bit buffer. After that, when the control unit 500 outputs a read clock to the expansion buffer memory unit 110, data signals respectively stored in the upper 8-bit buffer and the lower 8-bit buffer are simultaneously output, and the data signal is converted into 16 bits. Is input to the data path selection circuitry 200.

이와 같이, 채널1을 통해 입력되는 데이터신호가 크기 변환되어 데이터 경로 선택 회로부(200)로 입력되는 동안에, 채널2 내지 채널n을 통해 입력되는 데이터신호는 각각 각 채널에 할당된 상위 8비트 버퍼와 하위 8비트 버퍼에 의해 16비트로 크기 변환되어 데이터 경로 선택 회로부(200)로 입력된다.As such, while the data signal input through the channel 1 is size-converted and input to the data path selection circuit unit 200, the data signals input through the channel 2 through the channel n are respectively the upper 8-bit buffers allocated to the respective channels. The size is converted into 16 bits by the lower 8-bit buffer and input to the data path selection circuit unit 200.

즉, 각 채널별로 입력되는 8비트 데이터신호는 2개의 8비트 버퍼에 의해 8비트 신호 2개가 합쳐져서 시스템버스의 크기인 16비트로 바뀌어 데이터 경로 선택 회로부(200)의 버스 드라이버(210)로 입력된다. 이때, 만약 시스템버스의 크기가 32비트라면 확장 버퍼 메모리부(110)는 각 채널별로 4개의 8비트 버퍼가 할당되도록 구성되어야 한다.That is, the 8-bit data signal input for each channel is combined with two 8-bit signals by two 8-bit buffers, and is converted into 16 bits, which is the size of the system bus, and is input to the bus driver 210 of the data path selection circuit unit 200. In this case, if the size of the system bus is 32 bits, the expansion buffer memory unit 110 should be configured to allocate four 8-bit buffers for each channel.

이와 같이 16비트로 크기 변환된 데이터신호는 n개 채널에 대응하는 각각의 버스 드라이버(210)로 인가된다. 이 버스 드라이버(210)는 데이터신호를 플래쉬 메모리부(300)에 전달하거나 전달하지 않게끔 온/오프 동작하며, 제어클럭 발생부(600)에서 출력되는 인에이블신호를 입력받아 스위치 '온'된다.The data signal size-converted into 16 bits as described above is applied to each bus driver 210 corresponding to n channels. The bus driver 210 is turned on or off so as not to transmit or transmit the data signal to the flash memory unit 300, and is switched on by receiving an enable signal output from the control clock generator 600. .

한편, 중앙처리장치(500)는 각 채널별로 할당된 각각의 플래쉬 메모리부(300)를 일괄적으로 제어하기 위하여 억세스 명령(access command)과 기록 명령(write command)을 공통버스(230)를 통하여 버스 트랜시버(220)에 출력하고, 이 명령신호는 다시 버스 트랜시버(220)를 통해 각 채널에 대응하는 각각의 플래쉬 메모리부에 동시에 입력된다. 즉, 중앙처리장치(500)는 각 채널별로 동시에 입력되는 데이터신호를 동시에 제어하여, 각 채널별로 할당된 플래쉬 메모리부(300)에 기록할 수 있게 된다.Meanwhile, the central processing unit 500 controls an access command and a write command through the common bus 230 to collectively control each flash memory unit 300 allocated to each channel. The command signal is output to the bus transceiver 220, and the command signal is simultaneously input to each flash memory unit corresponding to each channel through the bus transceiver 220. FIG. That is, the central processing unit 500 may simultaneously control the data signals inputted for each channel at the same time, and write them to the flash memory unit 300 allocated for each channel.

이와 같이 중앙처리장치(500)에서 플래쉬 메모리부(300)로 명령신호가 전송되는 동안에, 버스 트랜시버(220)는 '온' 상태로 동작하여 명령신호가 플래쉬 메모리부(300)로 전달되도록 한다. 한편, 버퍼 메모리부(100)에서 크기 변환된 데이터신호가 버스 드라이버(210)를 통해 플래쉬 메모리부(300)로 전송되는 동안에는, 버스 트랜시버(220)는 '오프' 상태로 동작하여 플래쉬 메모리부(300)로 전송되어야 하는 데이터신호가 공통버스(230) 쪽으로 흐르지 못하도록 한다.As such, while the command signal is transmitted from the central processing unit 500 to the flash memory unit 300, the bus transceiver 220 operates in an 'on' state so that the command signal is transmitted to the flash memory unit 300. Meanwhile, while the data signal converted in size from the buffer memory unit 100 is transmitted to the flash memory unit 300 through the bus driver 210, the bus transceiver 220 operates in an 'off' state to operate the flash memory unit ( The data signal to be transmitted to the 300 is prevented from flowing toward the common bus 230.

제어클럭발생부(600)는 버퍼 메모리부(100)로 판독제어클럭을 출력함과 동시에 플래쉬 메모리부(300)로 기록제어클럭을 출력한다. 이와 동시에, 제어클럭발생부(600)는 버스 드라이버(210)에 온/오프 동작을 위한 인에이블신호와, 버스 트랜시버(220)에 스위칭 동작을 위한 인에이블신호를 각각 인가한다. 플래쉬 메모리부(300)에 저장될 데이터신호는 각각의 채널에 대응하는 버퍼 메모리부(100)를 통하여 중앙처리장치(500)를 거치지 않고 플래쉬 메모리부(300)의 각각의 플래쉬 메모리에 직접메모리접근(Direct Memory Access) 방식으로 직접 전송되어 저장된다.The control clock generator 600 outputs the read control clock to the buffer memory unit 100 and outputs the write control clock to the flash memory unit 300. At the same time, the control clock generator 600 applies an enable signal for an on / off operation to the bus driver 210 and an enable signal for a switching operation to the bus transceiver 220, respectively. The data signal to be stored in the flash memory unit 300 directly accesses each flash memory of the flash memory unit 300 without passing through the central processing unit 500 through the buffer memory unit 100 corresponding to each channel. It is directly transmitted and stored by (Direct Memory Access) method.

이와 같은 동작에 의해 각 채널별로 입력되는 데이터신호들은 동시에 제어되어 각 채널별로 할당된 플래쉬 메모리부(300)에 동시에 기록된다.By such an operation, data signals input for each channel are simultaneously controlled and simultaneously recorded in the flash memory unit 300 allocated to each channel.

다음, 중앙처리장치(500)가 각 채널별로 할당된 k개의 가상 플래쉬 메모리를 제어하여 데이터신호를 기록하고 저장하는 과정을 살펴본다.Next, the CPU 500 controls the k virtual flash memories allocated to each channel to record and store data signals.

먼저, 임의의 한 채널로부터 데이터신호가 입력되면, 버퍼 메모리부(100)는 이 데이터신호를 시스템버스의 버스크기로 변환한다. 이때, 본 발명의 실시예에서는 임의의 한 채널로부터 8비트의 데이터신호가 입력되고, 버퍼 메모리부(100)에서 16비트의 데이터신호로 변환된다고 가정하자.First, when a data signal is input from any one channel, the buffer memory unit 100 converts the data signal into the bus size of the system bus. In this embodiment, it is assumed that an 8-bit data signal is input from one channel and converted into a 16-bit data signal in the buffer memory unit 100.

중앙처리장치(500)는 m개의 플래쉬 메모리소자로 구성된 가상 플래쉬 메모리를 하나의 소자처럼 제어한다. 이를 상세하게 설명하면, 중앙처리장치(500)는 가상 플래쉬 메모리 중 첫 번째 플래쉬 메모리소자로 억세스 명령을 인가하고, 소자번지를 포함하는 번지정보를 인가하여 16비트로 변환된 데이터신호가 첫 번째 플래쉬 메모리소자의 페이지 버퍼에 기록되도록 한다. 첫 번째 플래쉬 메모리소자의 페이지 버퍼가 가득 차면, 중앙처리장치(500)는 첫 번째 플래쉬 메모리소자로 기록 명령을 인가하여 페이지 버퍼에 기록된 데이터가 첫 번째 플래쉬 메모리소자의 첫 번째 메모리셀로 이동되어 저장되도록 한다.The central processing unit 500 controls the virtual flash memory composed of m flash memory devices as one device. In detail, the CPU 500 applies an access command to the first flash memory device of the virtual flash memory and applies address information including the device address to convert the 16-bit data signal into the first flash memory. Write to the device's page buffer. When the page buffer of the first flash memory device is full, the CPU 500 applies a write command to the first flash memory device so that the data written to the page buffer is moved to the first memory cell of the first flash memory device. To be stored.

그 후, 첫 번째 플래쉬 메모리소자의 페이지 버퍼에 새로운 데이터를 기록하려면 페이지 버퍼에 기록된 데이터가 첫 번째 메모리셀로 이동할 때까지 대기하여야 한다. 그러나, 본 발명의 중앙처리장치(500)는 대기시간없이 두 번째 플래쉬 메모리소자로 억세스 명령을 인가하고, 번지정보를 제공하면서 다음 데이터신호가 두 번째 플래쉬 메모리소자의 페이지 버퍼에 기록되도록 한다. 두 번째 플래쉬 메모리소자의 페이지 버퍼가 가득 차면, 중앙처리장치(500)는 두 번째 플래쉬 메모리소자로 기록 명령을 인가하여 페이지 버퍼에 기록된 데이터가 첫 번째 메모리셀로 이동되어 저장되도록 한다.After that, to write new data to the page buffer of the first flash memory device, it is necessary to wait until the data written to the page buffer moves to the first memory cell. However, the central processing unit 500 of the present invention applies an access command to the second flash memory device without waiting time and provides address information so that the next data signal is written to the page buffer of the second flash memory device. When the page buffer of the second flash memory device is full, the CPU 500 applies a write command to the second flash memory device so that the data written in the page buffer is moved to and stored in the first memory cell.

그 다음, 중앙처리장치(500)는 상기와 같은 동작을 가상 플래쉬 메모리를 구성하는 m개의 플래쉬 메모리소자에 반복 수행하는데, m 번째 플래쉬 메모리소자에 상기와 같은 동작을 수행한 후 첫 번째 플래쉬 메모리소자의 내부 페이지 버퍼로 한 페이지 분량의 데이터를 다시 기록한다. 이때, 첫 번째 플래쉬 메모리소자의 페이지 버퍼에 이전에 기록되었던 데이터는 모두 메모리셀로 이동된 후이기 때문에, 중앙처리장치는 대기시간없이 첫 번째 플래쉬 메모리소자의 페이지 버퍼에 억세스 명령을 인가하여 페이지 버퍼에 데이터신호가 기록되도록 할 수 있다.Next, the CPU 500 repeats the above operation to the m flash memory devices constituting the virtual flash memory. After performing the above operation on the m th flash memory device, the first flash memory device is performed. Rewrite one page's worth of data into the internal page buffer. At this time, since all data previously written to the page buffer of the first flash memory device is moved to the memory cell, the CPU applies the access command to the page buffer of the first flash memory device without waiting for the page buffer. The data signal can be recorded in the.

이와 같이 중앙처리장치는 가상 플래쉬 메모리를 구성하는 다수의 플래쉬 메모리소자를 이용하여, 대기시간없이 연속적으로 데이터를 기록할 수 있다. 즉, 임의의 한 플래쉬 메모리소자의 내부 페이지 버퍼로 데이터를 기록한 후 기록 명령을 인가하고, 페이지 버퍼에 기록된 데이터가 메모리셀로 이동하는 동안에 다른 플래쉬 메모리소자의 내부 페이지 버퍼에 새로운 데이터를 연속적으로 기록한다.In this way, the CPU can continuously record data without waiting time by using a plurality of flash memory elements constituting the virtual flash memory. That is, after writing data to an internal page buffer of one flash memory device, a write command is applied, and new data is continuously written to the internal page buffer of another flash memory device while data written to the page buffer is transferred to the memory cell. Record it.

이와 같이, 가상 플래쉬 메모리에 데이터신호를 기록하기 위하여 제공되는 플래쉬 메모리의 번지정보는 컬럼번지, m개의 플래쉬 메모리소자번지, 그리고 페이지번지를 포함하고 있으며, 각 채널별로 할당된 가상 플래쉬 메모리를 하나의 플래쉬 메모리소자처럼 사용할 수 있다.As such, the address information of the flash memory provided to record a data signal in the virtual flash memory includes a column address, m flash memory device addresses, and a page address, and includes one virtual flash memory allocated to each channel. Can be used like a flash memory device.

앞서 설명한 본 발명의 플래쉬 메모리를 이용한 데이터 저장장치는, 입력 채널별로 할당된 버퍼 메모리부와 플래쉬 메모리부를 모든 채널에 대하여 동시에 제어하기 때문에 대용량의 데이터신호를 보다 빠르게 처리할 수 있는 효과가 있다.The data storage device using the flash memory of the present invention described above has the effect of processing a large data signal faster because the buffer memory unit and the flash memory unit allocated to each input channel are simultaneously controlled for all channels.

또한, 각 채널별로 할당된 다수의 플래쉬 메모리소자를 하나의 소자처럼 이용하기 때문에 연속적으로 입력되는 동영상신호 등의 대용량의 데이터신호를 쉽고 빠르게 저장할 수 있는 효과가 있다.In addition, since a plurality of flash memory devices allocated to each channel are used as one device, a large data signal such as a video signal continuously input can be easily and quickly stored.

Claims (7)

각각의 플래쉬 메모리소자로 인가되는 중앙처리장치의 억세스 명령과 기록 명령을 입력받아서, 다수의 채널을 통해 입력되는 데이터신호를 각 채널별로 할당된 플래쉬 메모리부에 저장하는 데이터 저장장치에 있어서,A data storage device which receives an access command and a write command of a central processing unit applied to each flash memory device, and stores data signals input through a plurality of channels in a flash memory unit allocated to each channel. 임의의 한 채널로부터 입력되는 상기 데이터신호를 시스템버스의 버스크기로 크기 변환하는 각 채널별로 할당된 버퍼 메모리부와;A buffer memory unit allocated to each channel for converting the data signal inputted from any one channel into a bus size of a system bus; 상기 버퍼 메모리부에서 출력되는 크기 변환된 데이터신호를 각 채널별로 할당된 플래쉬 메모리부로 전송하고, 상기 중앙처리장치의 억세스 명령과 기록 명령을 상기 플래쉬 메모리부 각각으로 동시에 전송하는 데이터 경로 선택 회로부;A data path selection circuit unit for transmitting the size-converted data signal output from the buffer memory unit to a flash memory unit allocated to each channel and simultaneously transmitting an access command and a write command of the central processing unit to each of the flash memory units; 상기 데이터 경로 선택 회로부를 통해 입력되는 상기 크기 변환된 데이터신호를 상기 채널에 할당된 다수의 플래쉬 메모리소자에 순차적으로 기록한 후 메모리셀로 이동시켜 저장하는 각 채널별로 할당된 상기 플래쉬 메모리부; 및The flash memory unit allocated to each channel to sequentially record the size-converted data signal input through the data path selection circuit unit in a plurality of flash memory devices allocated to the channel, and then move and store the same in a memory cell; And 상기 각 채널별로 할당된 버퍼 메모리부, 데이터 경로 선택 회로부, 각 채널별로 할당된 플래쉬 메모리부와 공통버스를 통해 연결되어 제어신호를 인가하는 제어부를 포함한 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리를 이용한 데이터 저장장치.And a control unit connected to a buffer memory unit allocated to each channel, a data path selection circuit unit, and a flash memory unit allocated to each channel through a common bus to apply a control signal. 제 1 항에 있어서, 상기 각 채널별로 할당된 버퍼 메모리부는,The method of claim 1, wherein the buffer memory unit allocated to each channel, 임의의 한 채널로부터 입력되는 데이터신호를 순차적으로 임시 저장한 후 상기 시스템버스의 버스크기에 해당되는 크기의 데이터신호를 동시에 출력하는 다수의 버퍼로 이루어진 확장 버퍼 메모리부와,An extended buffer memory unit including a plurality of buffers for temporarily storing data signals inputted from any one channel sequentially and simultaneously outputting data signals having a size corresponding to the bus size of the system bus; 상기 데이터신호의 데이터 클럭에 따라 상기 확장 버퍼 메모리부를 구성하는 각각의 버퍼에 순차적으로 기록클럭을 인가하는 버스 확장 클럭 발생부를 포함한 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리를 이용한 데이터 저장장치.And a bus expansion clock generator for sequentially applying a write clock to each buffer constituting the expansion buffer memory unit according to the data clock of the data signal. 제 1 항에 있어서, 상기 데이터 경로 선택 회로부는,The method of claim 1, wherein the data path selection circuit unit, 상기 제어부에서 출력되는 제어신호에 따라 온/오프 동작하여 버퍼 메모리부에서 출력되는 크기 변환된 데이터신호를 상기 플래쉬 메모리부로 출력하는 각 채널별로 할당된 버스 드라이버와,A bus driver allocated to each channel for turning on / off according to a control signal output from the controller to output a size-converted data signal output from a buffer memory unit to the flash memory unit; 상기 플래쉬 메모리부와 중앙처리장치 사이에 공통버스를 통해 연결되며, 상기 버스 드라이버에서 플래쉬 메모리부로 상기 크기 변환된 데이터신호가 전송되는 동안에는 '오프' 동작하고, 중앙처리장치에서 플래쉬 메모리부로 억세스 명령이나 기록 명령이 전송되는 동안에는 '온' 동작하는 각 채널별로 할당된 버스 트랜시버를 포함한 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리를 이용한 데이터 저장장치.It is connected between the flash memory unit and the central processing unit through a common bus, and is 'off' during transmission of the size-converted data signal from the bus driver to the flash memory unit, and access command from the central processing unit to the flash memory unit is performed. A data storage device using a flash memory, characterized in that it comprises a bus transceiver allocated to each channel operating 'on' while a write command is transmitted. 제1항에 있어서, 상기 버퍼 메모리부에 판독제어클럭을 출력함과 동시에 플래쉬 메모리부에 기록제어클럭을 출력하여, 버퍼 메모리부에서 출력되는 상기 크기 변환된 데이터신호가 직접접근(direct memory access)방식으로 상기 플래쉬 메모리부에 기록되도록 하는 제어클럭 발생부를 더 포함한 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리를 이용한 데이터 저장장치.The data storage device of claim 1, wherein a read control clock is output to the buffer memory unit and a write control clock is output to the flash memory unit so that the size-converted data signal output from the buffer memory unit is directly accessed. And a control clock generator for writing the flash memory to the flash memory. 다수의 채널을 통해 입력되는 데이터신호를 각 채널별로 할당된 플래쉬 메모리부에 저장하는 데이터 저장방법에 있어서,A data storage method for storing data signals input through a plurality of channels in a flash memory unit allocated to each channel, 임의의 한 채널로부터 입력되는 데이터신호를 시스템버스의 버스크기로 바꾸는 제1단계와;A first step of converting a data signal input from any one channel into a bus size of a system bus; 상기 크기 변환된 데이터신호를 상기 채널에 연결된 임의의 플래쉬 메모리소자의 내부 페이지 버퍼에 기록한 후, 기록 명령을 인가하여 상기 페이지 버퍼에 기록된 데이터가 메모리셀로 이동하여 저장되도록 하는 제2단계;A second step of writing the size-converted data signal into an internal page buffer of an arbitrary flash memory device connected to the channel, and then applying a write command to move the data written in the page buffer to a memory cell for storage; 상기 제2단계에서 상기 임의의 플래쉬 메모리소자의 메모리셀로 데이터가 이동하는 동안에, 다른 플래쉬 메모리소자의 내부 페이지 버퍼에 데이터를 기록한 후, 기록 명령을 인가하여 상기 페이지 버퍼에 기록된 데이터가 메모리셀로 이동하여 저장되도록 하는 제3단계;While the data is moved to the memory cell of the arbitrary flash memory device in the second step, after writing data to the internal page buffer of another flash memory device, data is written to the page buffer by applying a write command to the memory cell. Moving to and storing in the third step; 상기 제2단계 내지 제3단계를 반복 수행하여, 상기 채널로부터 입력되는 데이터신호를 상기 다수의 플래쉬 메모리소자에 연속적으로 저장하는 제4단계; 및A fourth step of repeatedly performing the second to third steps to continuously store data signals input from the channels in the plurality of flash memory devices; And 각 채널에 대하여 상기 제1단계 내지 제4단계를 동시에 수행하여, 모든 채널을 통해 입력되는 데이터를 동시에 저장하는 제5단계를 포함한 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리를 이용한 데이터 저장방법.And a fifth step of simultaneously performing the first to fourth steps with respect to each channel to simultaneously store data input through all channels. 제5항에 있어서, 상기 제2단계 내지 제3단계는, 상기 각 채널의 플래쉬 메모리부로 동일한 번지정보를 제공하고, 해당되는 번지의 플래쉬 메모리소자에 상기 크기 변환된 데이터신호를 기록하는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리를 이용한 데이터 저장방법.6. The method of claim 5, wherein the second to third steps include providing the same address information to the flash memory unit of each channel, and writing the size-converted data signal to the flash memory device of the corresponding address. Data storage method using a flash memory. 제6항에 있어서, 상기 번지정보는 플래쉬 메모리소자의 칼럼번지, 소자번지, 페이지 번지를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리를 이용한 데이터 저장방법.7. The method of claim 6, wherein the address information includes a column address, a device address, and a page address of the flash memory device.
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