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KR100261539B1 - Organic light emitting device having good stability - Google Patents

Organic light emitting device having good stability Download PDF

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KR100261539B1
KR100261539B1 KR1019970074297A KR19970074297A KR100261539B1 KR 100261539 B1 KR100261539 B1 KR 100261539B1 KR 1019970074297 A KR1019970074297 A KR 1019970074297A KR 19970074297 A KR19970074297 A KR 19970074297A KR 100261539 B1 KR100261539 B1 KR 100261539B1
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light emitting
emitting device
organic light
formula
hole transport
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이재경
강은정
하창식
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김덕중
사단법인고등기술연구원연구조합
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Abstract

PURPOSE: An organic light-emitting device having improved stability is provided to have excellent heat resistance, thin film property and stability by forming a hole carrier layer as a mixed layer composed of hole carrier material and fluoro polymer and making a light emission/electron carrier film as a mixed layer of light-emitting material and polyimide polymer. CONSTITUTION: The organic light-emitting device comprises a flat glass(a), an ITO layer(b), a hole carrier film(c), a light emission/electron carrier film(d) and a cathode(e). The hole carrier film(c) comprises hole carrier material and fluoro polymer. The light emission/electron carrier film(d) comprises light-emitting material and polyimide. A host-guest system is applied to the hole carrier film(c) and light emission/electron carrier film(d) for the stability of the organic light-emitting device.

Description

안정성이 우수한 유기발광소자Excellent organic light emitting device

본 발명은 안정성이 우수한 유기발광소자에 관한 것으로, 상세하게는 양극 전극, 정공수송층, 발광/전자수송층 및 음극을 포함하는 유기발광소자에 있어서 정공수송층이 정공수송 물질 및 불소 고분자를 포함하고 발광/전자수송층이 유기금속 발광물질 및 폴리이미드를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to an organic light emitting device having excellent stability, and more particularly, in an organic light emitting device including an anode electrode, a hole transport layer, a light emitting / electron transporting layer, and a cathode, the hole transporting layer includes a hole transporting material and a fluorine polymer. The electron transport layer is characterized in that it comprises an organometallic light emitting material and polyimide.

종래의 유기전기발광소자로는 양극과 음극사이에 (1) 단분자 발광층을 가지는 소자, (2) 단분자 정공수송층과 단분자 발광/전자수송층을 가지는 소자, (3) 고분자 발광층을 가지는 소자, (4) 고분자 정공수송층과 고분자 발광/전자수송층을 가지는 소자, (5) 고분자 정공수송/발광층과 고분자 전자수송층을 가지는 소자, (6) 이외 유기박막 다층구조를 가지는 소자가 있다.Conventional organic electroluminescent devices include (1) a device having a monomolecular emission layer between an anode and a cathode, (2) a device having a monomolecular hole transport layer and a monomolecular emission / electron transport layer, (3) a device having a polymer light emitting layer, (4) a device having a polymer hole transport layer and a polymer light emitting / electron transport layer, (5) a device having a polymer hole transport / light emitting layer and a polymer electron transport layer, and a device having an organic thin film multilayer structure other than (6).

이중 정공수송층, 발광층, 전자수송층이 단분자 물질로 진공증착된 소자는 결정화 등과 같은 열화현상에 의해 소자의 안정성이 매우 저하되어 있고, 고분자 물질을 포함하는 소자도 폴리(p-페닐렌 비닐렌)(PPV) 계열을 사용함으로써 안정성 문제를 해결하지 못하고 있다.In the device in which the double hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer are vacuum-deposited with a monomolecular material, the stability of the device is very deteriorated due to deterioration such as crystallization, and the device including the polymer material is also poly (p-phenylene vinylene). The use of the (PPV) family does not solve the stability problem.

따라서 본 발명의 목적은 안정성이 우수한 유기발광소자를 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide an organic light emitting device having excellent stability.

도 1은 본 발명의 유기발광소자의 구조를 나타내고,1 shows a structure of an organic light emitting device of the present invention,

도 2a와 2b는 각각 본 발명의 유기발광소자의 전압 인가 전과 후의 에너지 띠 구조를 나타내고,2A and 2B show energy band structures before and after voltage application of the organic light emitting diode of the present invention, respectively.

도 3은 Alq3 진공증착 박막과 Alq3/PEI 박막의 광발광 스펙트럼을 나타내고,Figure 3 shows the photoluminescence spectrum of the Alq3 vacuum deposition thin film and Alq3 / PEI thin film,

도 4a와 4b는 본 발명의 유기발광소자의 인가전압에 따른 유기발광소자의 전류밀도의 변화를 나타내고,4a and 4b show the change in current density of the organic light emitting device according to the applied voltage of the organic light emitting device of the present invention,

도 5a와 5b는 본 발명의 유기발광소자의 인가전압에 따른 전기발광강도의 변화를 나타내고,5a and 5b show the change in the electroluminescence intensity according to the applied voltage of the organic light emitting device of the present invention,

도 6은 본 발명의 유기발광소자의 전류밀도에 따른 전기발광강도의 변화를 나타낸다.6 shows a change in electroluminescence intensity according to the current density of the organic light emitting device of the present invention.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는, 양극 전극, 정공수송층, 발광/전자수송층 및 음극을 포함하는 유기발광소자에 있어서 정공수송층이 정공수송 물질 및 불소 고분자를 포함하고 발광/전자수송층이 유기금속 발광물질 및 폴리이미드를 포함하는 것을 특징으로 하는 소자를 제공한다.In order to achieve the above object, in the present invention, in the organic light emitting device comprising an anode electrode, a hole transport layer, a light emitting / electron transport layer and a cathode, the hole transport layer comprises a hole transport material and a fluorine polymer, the light emitting / electron transport layer is an organic metal light emitting Provided is a device comprising a material and a polyimide.

이하 본 발명의 유기발광소자에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the organic light emitting diode of the present invention will be described in detail.

본 발명에서의 유기발광소자는 유리-ITO 기판위에 유기물질로 된 정공수송층, 발광/전자수송층 및 전자수송전극을 기본으로 포함하며, 안정성 도모를 위해 정공수송층과 발광/전자수송층에 호스트-게스트 시스템을 적용하였다.The organic light emitting device according to the present invention includes a hole transport layer, a light emitting / electron transporting layer and an electron transporting electrode made of organic materials on a glass-ITO substrate, and a host-guest system in the hole transporting layer and the light emitting / electron transporting layer for stability. Was applied.

본 발명의 발광소자에서 호스트-게스트 시스템이 적용되는 정공수송층은 호스트로 사용되는 고분자 물질로서 불소 고분자와 게스트인 정공수송물질이 균일하게 혼합된 박막을 이루게 되고, 또다른 호스트-게스트 시스템이 적용되는 발광/전자수송층은 호스트로 사용되는 고분자 물질로서 폴리이미드와 발광특성 뿐 아니라 전자전달 특성도 함께 갖는 유기금속 발광물질이 균일하게 혼합된 박막을 이루게 된다.In the light emitting device of the present invention, the hole transport layer to which the host-guest system is applied forms a thin film in which a fluorine polymer and a guest hole transport material are uniformly mixed as a polymer material used as a host, and another host-guest system is applied. The light emitting / electron transport layer is a polymer material used as a host to form a thin film in which polyimide and an organometallic light emitting material having not only light emitting characteristics but also electron transfer characteristics are uniformly mixed.

정공수송 물질로는 하기 구조식 (I)의 N,N'-디페닐-N,N'-디(m-톨릴)벤지딘(TPD), 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐-페닐아미노)트리페닐아민(MTDATA), 폴리(9-비닐카바졸) 등이 있으며, TPD가 바람직하다.Examples of the hole transport material include N, N'-diphenyl-N, N'-di (m-tolyl) benzidine (TPD), 4,4 ', 4' '-tris (3-methylphenyl-phenyl) Amino) triphenylamine (MTDATA), poly (9-vinylcarbazole), and the like, with TPD being preferred.

Figure kpo00000
Figure kpo00000

불소 고분자로는 하기 구조식 (II)의 반복단위를 가지는 폴리(비닐리덴 플루오라이드-코-헥사플루오로프로필렌)(PVdF-HFP) 또는 폴리(비닐리덴 플루오라이드)(PVdF) 이다.The fluorine polymer is poly (vinylidene fluoride-co-hexafluoropropylene) (PVdF-HFP) or poly (vinylidene fluoride) (PVdF) having a repeating unit of the following structural formula (II).

Figure kpo00001
Figure kpo00001

또한 본 발명에 사용되는 전자수송 특성을 가지는 발광물질로는 하기 구조식 (III)의 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄(Alq3), 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연(II)(Znq2), 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)베릴륨(II)(Beq2), 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)마그네슘(Mgq2), 비스(8-하이드록시-2-메틸퀴놀리나토)아연(II)(ZnMq2), 비스(8-하이드록시-2-퀴놀리나토)베릴륨(BeMq2), 비스(8-하이드록시-2-프로필퀴놀리나토)알루미늄(AlPrq2) 등이 있으며, 이중에서 Alq3가 바람직하다.In addition, as a light emitting material having an electron transporting property used in the present invention, tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum (Alq3), bis (8-hydroxyquinolinato) zinc (II) of formula (III) (Znq2), bis (8-hydroxyquinolinato) beryllium (II) (Beq2), bis (8-hydroxyquinolinato) magnesium (Mgq2), bis (8-hydroxy-2-methylquinolinato Zinc (II) (ZnMq2), bis (8-hydroxy-2-quinolinato) beryllium (BeMq2), bis (8-hydroxy-2-propylquinolinato) aluminum (AlPrq2), and the like. Alq3 is preferred.

Figure kpo00002
Figure kpo00002

발광/전자수송층에 사용되는 폴리이미드로는 하기 구조식 (IV)의 반복단위를 가지는 폴리(에테르이미드)(PEI)가 있다.Examples of the polyimide used for the light emitting / electron transport layer include poly (etherimide) (PEI) having a repeating unit represented by the following structural formula (IV).

Figure kpo00003
Figure kpo00003

본 발명의 소자는 다음과 같이 제조될 수 있다.The device of the present invention can be manufactured as follows.

정공수송 물질을 불소 고분자에 용매를 사용하여 무게비 5 : 95 내지 60 : 40, 바람직하게는 30 : 70으로 분자수준으로 분산시킨 용액을 제조한다. 이때 고형분 함량은 0.2 내지 10 중량%, 바람직하게는 0.3 중량%이고, 용매로는 디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 테트라하이드로푸란 또는 아세톤이 사용될 수 있다. 이 용액을 유리-ITO 기판위에 코팅하여 고분자 정공수송층 박막을 제조한다. 코팅 방법으로는 스핀-코팅, 닥터-블레이딩(Doctor-blading) 또는 스크린 프린팅(Screen Printing) 등의 방법이 사용될 수 있으며, 바람직하게는 1,000 내지 5,000 rpm에서 1 내지 5 분 동안 스핀-코팅하는 것이고, 더욱 바람직하게는 3,000rpm에서 3분동안 스핀-코팅하는 것이다. 코팅된 박막을 40 내지 90℃에서 30분 이상 건조시킨다.A hole transport material is prepared by dispersing a molecular weight at a weight ratio of 5:95 to 60:40, preferably 30:70 using a solvent in a fluorine polymer. In this case, the solid content is 0.2 to 10% by weight, preferably 0.3% by weight, and dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, tetrahydrofuran or acetone may be used as the solvent. The solution is coated on a glass-ITO substrate to prepare a polymer hole transport layer thin film. As the coating method, a method such as spin-coating, doctor-blading or screen printing may be used, and preferably spin-coating for 1 to 5 minutes at 1,000 to 5,000 rpm. More preferably, spin-coating for 3 minutes at 3,000 rpm. The coated thin film is dried at 40 to 90 ° C. for at least 30 minutes.

이어서, 유기금속 발광물질을 가용성 폴리이미드에 클로로포름과 같은 용매를 사용하여 무게비 5 : 95 내지 75 : 25, 바람직하게는 70 : 30로 분자수준으로 분산시킨 용액을 제조한다. 이때, 고형분 함량은 0.5 내지 10 중량%, 바람직하게는 0.5중량%이다. 이 용액을 상기 정공수송층 박막위에 코팅하여, 고분자 정공수송층과 고분자 전자수송층의 이중고분자층 박막을 제조한다. 코팅 및 건조 방법은 정공수송 박막의 경우에서와 동일하다.Subsequently, a solution in which the organometallic luminescent material is dispersed at a molecular level in a weight ratio of 5:95 to 75:25, preferably 70:30 in a soluble polyimide using a solvent such as chloroform is prepared. At this time, the solid content is 0.5 to 10% by weight, preferably 0.5% by weight. The solution is coated on the hole transport layer thin film to prepare a double polymer layer thin film of a polymer hole transport layer and a polymer electron transport layer. Coating and drying methods are the same as in the case of hole transport thin films.

상기 이중층 박막위에 0.5 내지 1 ㎚/sec의 속도로 금속을 진공증착시켜 최종 금속층의 두께가 300 내지 500㎚, 바람직하게는 400㎚가 되도록 한다. 이때 금속으로는 알루미늄, 은, 칼슘, 마그네슘, 구리 및 이들 금속들의 합금을 사용할 수 있다.The metal is vacuum deposited on the bilayer thin film at a rate of 0.5 to 1 nm / sec so that the thickness of the final metal layer is 300 to 500 nm, preferably 400 nm. In this case, aluminum, silver, calcium, magnesium, copper and alloys of these metals may be used.

본 발명의 소자위에 추가로 보호/전도층을 증착할 수도 있다.Further protective / conductive layers may be deposited on the devices of the present invention.

상기와 같이 제작된 소자의 개략적인 구조는 도 1에 나타낸 바와 같이, 유리(a), ITO 층(b), 정공수송층(c), 발광/전자수송층(d), 및 음극(e)으로 이루어진다.As shown in FIG. 1, the schematic structure of the device manufactured as described above is composed of a glass (a), an ITO layer (b), a hole transport layer (c), a light emitting / electron transport layer (d), and a cathode (e). .

이하 본 발명을 실시예에 의하여 상세히 설명하나, 본 발명의 내용이 이에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by way of examples, but the content of the present invention is not limited thereto.

실시예Example

미리 준비한 유리-ITO 기판위에 TPD를 PVdF-HFP에 디메틸아세트아미드를 사용하여 무게비 30:70(TPD:PVdF-HFP)로 분산시킨 용액(고형분 약 0.3 중량% 함유)을 3,000 rpm에서 3 분 동안 스핀코팅한 후, 50℃에서 1 시간 동안 건조시켰다.Spin a solution (containing about 0.3 wt% solids) of TPD dispersed in a weight ratio of 30:70 (TPD: PVdF-HFP) by using dimethylacetamide in PVdF-HFP on a glass-ITO substrate prepared in advance for 3 minutes at 3,000 rpm. After coating, it was dried at 50 ° C. for 1 hour.

이어서 Alq3를 PEI에 클로로포름을 사용하여 무게비 70:30(Alq3:PEI)로 분산시킨 용액(고형분 함량 약 0.5 중량% 함유)을 상기 TPD/PVdF-HFP 박막위에 3,000 rpm에서 3 분 동안 스핀코팅한 후, 50℃에서 1 시간 동안 건조시켰다.Subsequently, a solution in which Alq3 was dispersed in PEI using chloroform in a weight ratio of 70:30 (Alq3: PEI) (containing about 0.5 wt% of solid content) was spin-coated on the TPD / PVdF-HFP thin film at 3,000 rpm for 3 minutes. And dried at 50 ° C. for 1 hour.

다시 이 기판을 진공챔버에 넣고 알루미늄을 10-6torr에서 진공증착하여 최종 두께 400 nm인 유기발광소자를 제작하였다.The substrate was placed in a vacuum chamber and aluminum was vacuum deposited at 10 −6 torr to produce an organic light emitting diode having a final thickness of 400 nm.

상기와 같이 제작한 유기발광소자에 직류전압을 인가하기 전과 후의 에너지 띠 구조를 관찰하였으며 이를 각각 도 2a와 2b에 나타내었다. 점선은 예측되는 최고 점유 분자 오비탈(Highest Occupied Molecular Orbital(HOMO)) 준위이다. 여기에서 보듯이 소자에 직류전압을 인가하지 않았을 때는 도 2a에서처럼 HOMO 및 LUMO 에너지 상태가 평행한 구조로 있다가, 전압을 인가하게 되면 도 3b에서처럼 에너지 띠 구조가 경사진 구조로 변하여, 알루미늄 전극(음극)에서는 전자가, ITO 전극(양극)에서는 정공이 유기 박막 쪽으로 주입된다. 음극에서 주입된 전자의 대부분은 TPD/PVdF-HFP 층의 높은 LUMO 에너지 준위 때문에 유기 박막계면에 축적되고, 양극에서 주입된 정공은 HOMO 준위를 지나서 Alq3/PEI 층의 HOMO 준위쪽으로 약간 감속되어 이동하여서, 궁극적으로 Alq3/PEI 층 박막 내부에서 이미 축적된 전자와 재결합을 하여 빛을 내게된다.The energy band structures before and after applying the DC voltage to the organic light emitting diodes manufactured as described above were observed and shown in FIGS. 2A and 2B, respectively. The dashed line is the highest Occupied Molecular Orbital (HOMO) level expected. As shown here, when the DC voltage is not applied to the device, as shown in FIG. 2A, the HOMO and LUMO energy states are parallel, but when the voltage is applied, the energy band structure is changed to the inclined structure as shown in FIG. 3B. Electrons are injected from the cathode) and holes are injected into the organic thin film from the ITO electrode (anode). Most of the electrons injected from the cathode accumulate in the organic thin film interface due to the high LUMO energy level of the TPD / PVdF-HFP layer. Ultimately, the light is recombined with electrons already accumulated inside the Alq3 / PEI layer.

한편, 폴리이미드 고분자가 소자의 전기 발광에 미치는 영향을 살펴보기 위해, 먼저 유기금속 발광물질인 Alq3만을 석영(quartz) 기판위에 진공증착하여 최종 두께 50 ㎚로 PEI를 포함하지 않는 박막을 제조하고, Alq3를 PEI에 클로로포름을 사용하여 무게비 50 : 50 (Alq3 : PEI)로 분자수준으로 분산시킨 용액 (고형분 함량: 1 중량%)을 석영 기판위에 스핀-코팅한 후 건조시켜 50 ㎚ 두께로 폴리이미드를 포함하는 박막을 제조하고, 이들 박막의 광발광 스펙트럼을 측정하였으며, 그 결과를 도 3에 나타내었다. 도 3에서 점선은 Alq3 박막이고 실선은 Alq3/PEI 박막이다. 여기에서 보듯이, PEI를 포함하지 않는 박막은 520㎚ 근처에서 발광피크가 관찰된 데 반하여 PEI를 포함하는 박막은 510㎚ 근처에서 발광피크가 관찰되어 에너지가 큰 쪽으로 청색이동(blue shift)되었음을 알 수 있다. 이러한 현상은 발광분자들이 기질인 PEI로 인해 분자간 거리가 멀어져 생기는 "희석 효과(dilution effect)"에 기인하는 것이다. 따라서, PEI에 발광물질을 분산시킨 박막은 색조정(color tunning)이 가능함을 알 수 있다.On the other hand, in order to examine the effect of the polyimide polymer on the electroluminescence of the device, by first vacuum-depositing only Alq3, an organic metal light emitting material on a quartz substrate to prepare a thin film containing no PEI with a final thickness of 50 nm, Alq3 was dissolved in PEI with chloroform at a molecular weight of 50: 50 (Alq3: PEI) in a molecular level solution (solid content: 1 wt%) on a quartz substrate by spin-coating and drying the polyimide to 50 nm thickness. Thin films were prepared, the photoluminescence spectra of these thin films were measured, and the results are shown in FIG. 3. In FIG. 3, the dotted line is an Alq3 thin film and the solid line is an Alq3 / PEI thin film. As shown here, the light emitting peak was observed at around 520 nm for the thin film without PEI, whereas the light emission peak was observed at around 510 nm for the thin film containing PEI, indicating that the blue shifted toward the higher energy. Can be. This phenomenon is due to the "dilution effect" caused by the intermolecular distance caused by the light-emitting molecules PEI substrate. Therefore, it can be seen that the thin film in which the light emitting material is dispersed in the PEI is capable of color tunning.

또한 상기에서 제조된 소자의 구동시 전압인가에 따른 전류 밀도의 변화를 살펴보았으며, 그 결과는 도 4a와 4b에 나타내었다. 도 4a와 4b에서 1은 정공수송층이고 2는 발광/전자수송층이며, h+는 정공이고 e-는 전자이다. 여기에서 보듯이 전압을 인가하자마자 누설전류(leakage current)가 점진적으로 증가하다가 약 13 volt부터 전류가 급격히 증가하는 전형적인 다이오드 특성이 나타났다. 따라서, 이 전압에서부터 발광이 됨을 짐작할 수 있다.In addition, the change of the current density according to the voltage applied when driving the device manufactured above, the results are shown in Figures 4a and 4b. 4A and 4B, 1 is a hole transport layer, 2 is a light emitting / electron transport layer, h + is a hole, and e− is an electron. As shown here, a typical diode characteristic was observed in which the leakage current gradually increased as soon as voltage was applied, and then the current rapidly increased from about 13 volts. Therefore, it can be estimated that light emission starts from this voltage.

또한, 상기에서 제조된 소자의 구동시 인가 전압에 따른 전기발광강도의 변화를 살펴보았으며, 그 결과는 도 5a와 5b에 나타내었다. 여기에서 보듯이 12 volt에서 광자(photon)가 감지되었으나(도 5a), 13 volt가 보다 정확한 켜짐 전압임을 알 수 있다(도 5b).In addition, the change in electroluminescent intensity according to the applied voltage when driving the device manufactured above was examined, and the results are shown in FIGS. 5A and 5B. As shown here, photons were detected at 12 volts (FIG. 5A), but it can be seen that 13 volts is a more accurate ON voltage (FIG. 5B).

상기에서 제조된 소자의 전류밀도에 따른 전기발광강도의 변화는 도 6에 나타내었다. 여기에서 보듯이 0 내지 4 ㎃/㎠ 의 구간은 누설전류(leakage current) 구간으로 이 구간에서는 전류는 소자내부로 흐르지만 발광이 되지않으며, 4 내지 45 ㎃/㎠ 의 구간은 주입된 전자가 발광에 기여하는 구간으로 이중 특히 20 내지 45 ㎃/㎠ 의 고전압 구간에서의 기울기는 0.368인데 반해 4 내지 20 ㎃/㎠ 의 저전압 구간에서의 기울기는 0.018이었다. 따라서, 전자의 발광에 대한 기여도는 저전압 구간에서보다는 고전압 구간에서 높음을 알 수 있다.The change in electroluminescent intensity according to the current density of the device manufactured above is shown in FIG. 6. As shown here, a section of 0 to 4 ㎃ / ㎠ is a leakage current section in which current flows into the device but no light is emitted, and a region of 4 to 45 ㎃ / ㎠ is injected. In particular, the slope of the high voltage section of 20 to 45 mA / cm 2 was 0.368, while the slope of the low voltage range of 4 to 20 mA / cm 2 was 0.018. Accordingly, it can be seen that the contribution of the electrons to light emission is higher in the high voltage section than in the low voltage section.

본 발명의 유기발광소자는 전공수송층을 정공수송 물질과 불소 고분자로 이루어진 혼합층으로 제조하고 발광/전자수송층을 발광물질과 폴리이미드 고분자로 이루어진 혼합층으로 제조함으로써, 내열성 및 박막특성이 우수하여 안정성이 매우 탁월하다.The organic light emitting device of the present invention is made of a mixed layer made of a hole transport material and a fluorine polymer and a light emitting / electron transport layer made of a mixed layer made of a light emitting material and a polyimide polymer. Excellent

또한 본 발명의 소자는 대면적으로 제조가 가능하고, 고분자만으로 이루어지므로 구부리거나 접을 수 있는 표시소자(flexible display)의 제작이 가능해진다.In addition, the device of the present invention can be manufactured in a large area and made of only a polymer, so that a bendable or foldable display device can be manufactured.

본 발명은 유기전자소자 뿐 아니라 대면적 태양전지 및 포토다이오드 등에 활용될 수 있다.The present invention can be utilized in large area solar cells and photodiodes as well as organic electronic devices.

Claims (6)

양극 전극, 정공수송층, 발광/전자수송층 및 음극을 포함하는 유기발광소자에 있어서, 정공수송층이 정공수송 물질 및 불소 고분자를 포함하고 발광/전자수송층이 유기금속 발광물질 및 폴리이미드를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.An organic light emitting device comprising an anode electrode, a hole transport layer, a light emitting / electron transporting layer and a cathode, wherein the hole transporting layer comprises a hole transporting material and a fluorine polymer, and the light emitting / electron transporting layer comprises an organometallic light emitting material and a polyimide An organic light emitting device. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 불소 고분자가 하기 구조식 (II)의 반복단위를 가지는 폴리(비닐리덴 플루오라이드-코-헥사플루오로프로필렌)(PVdF-HFP)인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.An organic light emitting device, wherein the fluorine polymer is poly (vinylidene fluoride-co-hexafluoropropylene) (PVdF-HFP) having a repeating unit represented by the following structural formula (II). 화학식 2Formula 2
Figure kpo00004
Figure kpo00004
제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 폴리이미드가 하기 구조식 (IV)의 반복단위를 가지는 폴리에테르이미드(PEI)인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.An organic light emitting device, characterized in that the polyimide is a polyetherimide (PEI) having a repeating unit of the following structural formula (IV). 화학식 4Formula 4
Figure kpo00005
Figure kpo00005
제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 정공수송물질이 하기 구조식 (I)의 N,N'-디페닐-N,N'-디(m-톨릴)벤지딘(TPD)이고, 발광물질이 하기 구조식 (III)의 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄(Alq3)인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.The hole transport material is N, N'-diphenyl-N, N'-di (m-tolyl) benzidine (TPD) of formula (I), and the luminescent material is tris (8-hydroxy) of formula (III) Quinolinato) aluminum (Alq3), the organic light emitting device characterized in that. 화학식 1Formula 1
Figure kpo00006
Figure kpo00006
화학식 3Formula 3
Figure kpo00007
Figure kpo00007
제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 정공수송층이 정공수송 물질과 불소고분자가 5 : 95 내지 60 : 40의 무게비로 혼합된 것임을 특징으로 하는 유기발광소자.The hole transport layer is an organic light emitting device, characterized in that the hole transport material and the fluorine polymer is mixed in a weight ratio of 5: 95 to 60: 40. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 발광/전자수송층이 유기금속 발광물질과 폴리이미드가 5 : 95 내지 75 : 25의 무게비로 혼합된 것임을 특징으로 하는 유기발광소자.The organic light emitting device, characterized in that the light emitting / electron transport layer is an organic metal light emitting material and a polyimide is mixed in a weight ratio of 5: 95 to 75: 25.
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