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KR100255659B1 - 반도체 장치의 sog층 처리 방법 - Google Patents

반도체 장치의 sog층 처리 방법 Download PDF

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KR100255659B1
KR100255659B1 KR1019960009578A KR19960009578A KR100255659B1 KR 100255659 B1 KR100255659 B1 KR 100255659B1 KR 1019960009578 A KR1019960009578 A KR 1019960009578A KR 19960009578 A KR19960009578 A KR 19960009578A KR 100255659 B1 KR100255659 B1 KR 100255659B1
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황병근
구주선
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Abstract

본 발명은 반도체 장치의 SOG층 처리방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 SOG층 처리방법은 소정의 패턴이 형성된 하지막상에 SOG층을 형성하는 단계와, 상기 SOG층을 400∼750℃의 온도로 경화(bake)시키는 단계와, 상기 SOG층상에 산화막을 형성하는 단계와, 얻어진 결과물을 550∼800℃의 온도에서 어닐링하는 단계를 포함한다. 본 발명의 방법에 따르면, 반도체 장치에서 층간 절연막으로 사용되는 SOG층의 흡습성을 현저하게 감소시킬 수 있다.

Description

반도체 장치의 SOG층 처리 방법
제1도 및 제2도는 본 발명에 따라 반도체 장치의 SOG층을 처리하는 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
제3도는 본 발명에 따른 방법의 효과를 확인하기 위하여 각 SOG층에 대하여 FTIR 분석 결과를 나타낸 그래프이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 하지막 20 : 소정의 패턴
30 : SOG층 40 : 흡습 방지층
본 발명은 반도체 장치의 SOG(spin-on-glass)층 처리방법에 관한 것으로, 특히 SOG층의 흡습성을 감소시킬 수 있는 SOG층의 처리방법에 관한 것이다.
일반적으로, 1메가 바이트 이상의 반도체 장치에서 다층으로 구성된 금속층을 형성할 때에는, 단차를 없애고 금속층을 상호 절연시키기 위한 평탄화막으로서 SOG층을 사용한다. 그러나, SOG계통의 물질을 금속층 형성전에 평탄화막으로 사용하기 위하여는 열처리를 통하여 SiO2막으로 만들어서 습식 식각율을 감소시키고 또한 흡습성도 감소시킬 필요가 있다. 습식 식각은 콘택 형성 후 도전막을 증착할 때에 자연 산화막을 제거하기 위하여 행하는 것으로서, 습식 식각율이 클 경우에는 콘택 사이즈가 지나치게 커지는 문제가 발생한다. 또한, 흡습성이 클수록 SiO2의 유전율을 증가시키는 결과를 초래하고, 후속공정인 금속 증착시에 바람직하지 않은 영향을 끼칠 수 있다. 물론, SOG물질을 고온에서 열처리하게 되면 습식 식각율 및 흡습을 억제할 수는 있지만 반도체 장치가 점차 고집적화됨에 따라서 열적 제한으로 인해 900℃이상의 열처리는 어렵다.
따라서, 본 발명의 목적은 반도체 장치에서 SOG층을 금속층 형성전의 층간 절연막으로 사용하기 위하여 SOG층의 흡습성을 감소시키기 위한 SOG막의 처리방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 소정의 패턴이 형성된 하지막상에 SOG층을 형성하는 단계와, 상기 SOG층을 750℃이하의 온도로 경화(bake)시키는 단계와, 상기 SOG층상에 흡습 방지층을 형성하는 단계와, 얻어진 결과물을 550℃이상의 온도에서 어닐링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 SOG층 처리방법을 제공한다.
바람직하게는, 상기 SOG층은 실리케이트(silicate), 실록산(siloxan) 또는 실세스퀴옥산(silsesquioxan)으로 형성한다. 또한, 상기 흡습 방지층을 형성하는 단계는 상기 SOG층에 대하여 O2플라즈마 처리, Ar 이온 주입 또는 200℃이상의 온도에서 CVD처리를 행하여 산화막을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 CVD처리는 플라즈마 CVD, 대기압 CVD 또는 감압 CVD처리에 의해 행할 수 있다.
또한 본 발명은, 소정의 패턴이 형성된 하지막상에 CVD에 의해 산화막을 형성하는 단계와, 상기 산화막상에 SOG층을 형성하는 단계와, 상기 SOG층을 750℃이하의 온도로 경화(bake)시키는 단계와, 상기 SOG층상에 흡습 방지층을 형성하는 단계와, 얻어진 결과물을 550℃이상의 온도에서 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 SOG층 처리방법을 제공한다.
본 발명의 방법에 따르면, 반도체 장치에서 층간 절연막으로 사용되는 SOG층의 흡습성을 현저하게 감소시킬 수 있다.
[실시예]
다음에, 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
제1도 및 제2도는 본 발명에 따라 반도체 장치에서 층간 절연막으로 사용되는 SOG층을 처리하는 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
제1도를 참조하면, 소정의 패턴(20)이 형성된 하지막(10)상에 절연막으로서 SOG층(30)을 형성한다. 상기 하지막(10)은 예를 들면 실리콘 기판, 배선이 형성된 기판 또는 절연막이 될 수 있다. 또한, 상기 소정의 패턴(20)은 예를 들면 도전선 또는 커패시터가 될 수 있다. 절연막으로 사용된 상기 SOG층(30)은 크랙(crack) 저항이 우수한 물질을 코팅하여 형성된 층으로서, 구체적으로는 SOG 물질을 웨이퍼 표면상에 적층한 후 웨이퍼를 스핀(spin) 작용에 의해 일정한 속도로 회전시킴으로써 형성할 수 있다. 상기 SOG층(30)을 형성하는 데 사용되는 SOG 물질로서는 유기 또는 무기 SOG 물질을 모두 사용할 수 있으며, 실리케이트(silicate), 실록산(siloxan) 또는 하이드로겐 실세스퀴옥산(hydrogen silsesquioxane)을 사용할 수 있다.
필요에 따라서는, 상기 SOG막(30)을 형성하기 전에 CVD(Chemical Vapor Deposition) 공정에 의해 산화막, 예를 들면 SiO2막을 증착할 수도 있다.
또한 필요에 따라서는, 상기 SOG층(30)에서의 크랙발생을 방지하고 절연 강도를 향상시키기 위하여, 상기 SOG층(30)을 형성한 후에 상기 SOG층(30)에 대하여 O2플라즈마 처리공정 또는 이온주입 공정을 행할 수 있다. 상기 이온주입 공정에 사용가능한 이온으로는 아르곤(argon)이 있다.
그 후, 상기 SOG층(30)을 750℃이하의 온도, 예를 들면 400℃에서 약 30분동안 경화(bake)시킨다.
제2도를 참조하면, 상기 SOG층(30) 위에 흡습 방지층(40)을 증착한다. 상기 흡습 방지층(40)은 상기 SOG층(30)의 안정화 뿐만 아니라 SiO2화 및 조밀화(densification)시키기 위한 것으로서, 상기 SOG층(30)에 대하여 O2플라즈마 처리를 행함으로써 형성될 수 있다.
또는, 상기 흡습 방지층(40)을 형성하기 위하여 200℃이상의 온도에서 CVD(Chemical Vapor Deposition) 처리, 예를 들면 플라즈마 CVD, 대기압 CVD 또는 감압 CVD처리를 행함으로써 산화막(SiO2막)을 형성할 수도 있다.
그 후, 상기 결과물에 대하여 550℃이상의 온도, 예를 들면 700℃에서 30분동안 어닐링을 행한다. 만약, 상기 흡습 방지층(40) 형성을 위한 CVD공정에 있어서 SiO2막의 증착 온도가 600℃이상인 경우에는, 상기한 바와 같은 어닐링 공정은 생략될 수 있다.
[평가예]
본 발명에 따른 SOG층의 처리방법의 효과를 평과하기 위하여, 본 발명의 방법에 따라서 SOG층을 구성하는 SOG 물질로서 무기 SOG 계통의 물질(hydrogen silsesquioxane; 이하 "FOX"라 함)을 사용하여 SOG층을 형성한 후 경화(bake)한 상태의 샘플에 대하여, 각각 SOG층의 처리방법으로서 여러가지 공정, 즉 O2플라즈마 처리 및 CVD 처리, 예를 들면 플라즈마 CVD 처리등의 공정을 행함으로써 흡습 방지층을 형성하고, 그 전 또는 후에 700℃의 온도로 30분간 어닐링한 다음, 5일간 방치한 후의 최종 샘플에 대하여 IR 스펙트럼을 이용하여 SOG층에 함유된 물질에 대하여 그 흡광도를 FTIR(Fourier Transfer Infrared)로 분석하였다. 본 발명에 따른 방법외에 다른 방법, 예를 들면 NH3플라즈마 처리 및 O3-TEOS(Tetra-ethyl-orthosilicate)에 의한 SOG층의 처리결과에 대하여도 동일한 방법으로 분석하였다.
제3도는 FTIR을 이용한 분석결과를 나타낸다.
제3도를 참조하면, 3600㎝-1부근 및 940㎝-1부근의 파장영역에서 형성된 피크는 Si-OH의 검출을 나타내고, 3200∼3500㎝-1부근의 파장영역에서 형성된 피크는 SOG층 내에 흡습된 H2O의 검출을 나타내고, 870㎝-1부근의 파장영역에서 형성된 피크는 Si-O의 검출을 나타낸다.
제3도의 결과로부터, 본 발명의 방법에 따라 흡습 방지층을 형성한 경우에 흡습성이 감소된 것을 알 수 있으며, 그 중에서도 특히 플라즈마 CVD에 의한 공정으로 흡습 방지층을 형성한 후, 700℃의 온도로 30분간 어닐링한 경우에, 3200∼3500㎝-1부근의 파장영역 및 940㎝-1부근의 파장영역에서 Si-OH 피크가 형성되지 않은 사실로부터, 흡습성이 가장 낮은 흡습 방지층을 형성하는 것을 알 수 있다.
상기한 바와 같이 본 발명의 방법에 따르면, 반도체 장치에서 층간 절연막으로 사용되는 SOG층의 흡습성을 현저하게 감소시킬 수 있다.
이상, 본 발명을 구체적인 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상의 범위내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형이 가능하다.

Claims (5)

  1. 소정의 패턴이 형성된 하지막상에 SOG층을 형성하는 단계와, 상기 SOG층을 400∼750℃의 온도로 경화(bake)시키는 단계와, 상기 SOG층상에 산화막을 형성하는 단계와, 상기 산화막이 형성된 결과묵을 550℃∼800℃의 온도에서 어닐링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 SOG층 처리방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 SOG층은 실리케이트(silicate), 실록산(siloxan) 또는 실세스퀴옥산(silsesquioxan)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 SOG층 처리방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 산화막을 형성하는 단계는 200℃이상의 온도에서 CVD 증착법을 이용하여 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 SOG층 처리방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 CVD 증착법은 플라즈마 CVD, 대기압 CVD 또는 감압 CVD 증착법인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 SOG층 처리방법.
  5. 소정의 패턴이 형성된 하지막상에 CVD에 의해 산화막을 형성하는 단계와, 상기 산화막상에 SOG층을 형성하는 단계와, 상기 SOG층을 400∼750℃의 온도로 경화(bake)시키는 단계와, 상기 SOG층상에 산화막을 형성하는 단계와, 얻어진 결과물을 550∼800℃의 온도에서 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 SOG층 처리방법.
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