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KR100241010B1 - 환원분광의 용융가스화로내로의 직접장입장치 - Google Patents

환원분광의 용융가스화로내로의 직접장입장치 Download PDF

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KR100241010B1
KR100241010B1 KR1019970071701A KR19970071701A KR100241010B1 KR 100241010 B1 KR100241010 B1 KR 100241010B1 KR 1019970071701 A KR1019970071701 A KR 1019970071701A KR 19970071701 A KR19970071701 A KR 19970071701A KR 100241010 B1 KR100241010 B1 KR 100241010B1
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KR
South Korea
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ore
reduced
gasifier
reducing
spectroscopy
Prior art date
Application number
KR1019970071701A
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KR19990052246A (ko
Inventor
신명균
주상훈
Original Assignee
이구택
포항종합제철주식회사
신현준
재단법인포항산업과학연구원
파투치 알렉산더
뵈스트-알핀 인두스트리안라겐바우 게엠바하
토이플아르민
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Priority to BR9807590-0A priority patent/BR9807590A/pt
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Abstract

본 발명은 일반탄 및 분철광석을 이용한 용철제조공정에 있어서 고온의 환원미분광을 용융가스화로내로 직접장입할 수 있는 장치에 관한 것으로서, 최종환원된 환원분광을 로외로의 비산배출량을 최대한 억제하면서 용융가스화로내에 직접장입할 수 있는 장치를 제공하는데, 그 목적이 있다.
본 발명은 분철광석을 환원하도록 구성되고 그리고 환원된 분철광석을 로외로 배출하기 위한 다수개의 환원광석배출구를 포함하는 최종유동환원로와 괴형태의 일반탄이 장입되어 그 내부에 석탄충진층이 형성되고, 그리고 상기 최종유동환원로에서 환원된 분철광석이 장입되어 용철이 제조되도록 구성되는 용융가스화로를 포함하는 용철제조장치에 있어서, 상기 석탄충진층이 형성되는 용융가스화로 부위의 측벽에 형성되는 다수개의 환원광석장입구; 및 상기 최종유동환원로의 환원광석배출구와 상기 환원광석장입구를 광석소통관계로 연결하는 환원광석장입도관을 포함하여 최종유동환원로에서 연속적으로 배출되는 환원분광을 상기한 용융가스화로내에 형성되어 있는 석탄충진층내부로 직접 연속장입하는 환원분광의 용융가스화로내로의 직접장입장치를 그 요지로 한다.

Description

환원분광의 용융가스화로내로의 직접장입장치
본 발명은 일반탄 및 분철광석을 이용한 용철제조공정에 있어서 고온의 환원미분광을 용융가스화로내로 직접장입할 수 있는 장치에 관한 것으로서, 보다 상세히는 일반탄 및 분철광석을 이용한 용철제조공정에 있어서 유동환원로를 통해 환원, 배출되는 고온의 환원분광을 고온의 가스기류가 형성되어 있는 석탄충진층형 용융가스화로내에 비산에 의한 손실을 억제하면서 직접장입할 수 있는 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 용철생산설비의 대종을 이루고 있는 고로법은 그 반응기 특성상 일정수준이상의 강도를 보유하고 있으며 로내 통기성 확보를 보장할 수 있는 입도를 보유한 원료를 요구하는 바, 연료 및 환원제로 사용하는 탄소원으로서는 특정 원료탄을 가공처리한 코우크스에 의존하고 있으며, 철원으로서는 일련의 괴상화 공정을 거친 소결광에 주로 의존하고 있다. 이에 따라 현행 고로법은 코우크스 제조설비 및 소결설비 등의 원료예비처리설비가 반드시 수반되고 있는 바, 상기한 부대설비 구축에 필요한 제비용 및 상기 부대설비에서 발생하는 제반 환경오염물질에 대한 전세계적인 규제를 극복하기 위한 막대한 환경오염방지설비에 대한 막대한 투자비용 등에 의해 현행 고로법의 경쟁력은 급속히 잠식되고 있는 상황이다.
상기와 같은 상황에 대처하기 위하여 세계 각국은 연료 및 환원제로서 일반탄을 직접 사용하며, 철원으로서는 전세계 광석생산량의 80% 이상을 점유하고 있는 분진을 직접 사용하여 용철을 제조하는 신제선공정의 개발에 박차를 가하고 있다.
이와 같은 기술과 관련된 종래의 일반탄 및 분광을 직접사용하는 용철제조설비에 관해서는 오스트리아에 특허출원중인 AT2096/92 등이 알려져 있다.
상기 특허출원에 있어 용철제조설비는 예열로, 예비환원로 및 최종환원로 등 3단의 유동환원로와 석탄충진층이 형성되어 있는 용융가스화로로 구성되어 있으며, 상기 용철제조설비를 이용하여 용철을 제조하는 공정에 있어서는 최상단의 반응기(예열로)에 연속적으로 장입되는 상온의 분광이 상기한 3단의 유동환원로를 거치면서 상기한 용융가스화로로부터 공급되는 고온환원기류와 접촉함으로서 승온 및 90% 이상의 환원이 이루어진 고온의 환원분광으로 전환되어 배출되며, 상기한 환원분광은 석탄충진층이 형성되어 있는 용융가스화로내에 연속적으로 장입되어 상기한 석탄충진층내에서 용융됨으로서 용선으로 전환되어 상기한 용융가스화로외로 배출된다. 또한, 상기한 용융가스화로에 있어서는 로상부에서 괴상의 일반탄이 연속적으로 공급되어 로내부에 일정한 높이의 석탄충진층을 형성하게 되며, 상기 충진층내로 상기 충진층 외벽 하단에 형성되어 있는 복수개의 풍구를 통해 산소가 취입되어 충진층내 석탄이 연소되고 상기 연소가스가 충진층을 상승하면서 고온의 환원기류로 전환되어 상기 용융가스화로외로 배출되어 상기한 3단의 유동환원로로 공급된다.
한편, 상기한 용융가스화로에 있어서 로내 고온기류의 유속이 상당한 바, 로내로 장입되는 상기한 환원분광 및 로내에 장입된 괴상의 일반탄으로부터 열할에 의해 발생하는 석탄미분이 고온의 기류에 의해 로외로 다량 비산되는 것을 방지하기 위하여 상기 용융가스화로내에 형성되어 있는 석탄충진층위에는 석탄충진층에 비해 상대적으로 평균단면적이 크며 또한 상당한 부피로 형성되어 있는 공간을 마련함으로서 상기한 고온 미분환원광 및 석탄미분의 로외 비산량을 최대한 억제하고자 하고 있다. 그러나 상기한 석탄충진층위에 형성되어 있는 공간내의 평균유속이 0.5m/sec 정도인 바, 고온 미분광의 경우에는 100㎛ 이하, 석탄미분의 경우에는 400㎛ 이하의 입도를 가진 입자들이 로외로 배출되는 것은 불가피하다. 특히, 고온미분광의 입도분포를 고려하였을 때 상기한 100㎛ 이하의 입도를 가진 입자들이 차지하는 분율은 중량비율로서 약 30~35%를 차지하고 있는 바, 상기한 바와 같은 용선제조공정에 있어서 상기 용융가스화로에 장입되는 환원분광중 상당량이 로외로 비산배출됨으로서 높은 철손실율이 야기되고 이에 따라 상기한 용선제조공정의 생산성이 크게 악화되는 문제점을 내포하고 있다.
본 발명은 상기한 일반탄 및 분철광석을 직접 사용하는 용철제조공정에 있어서 최종환원된 환원분광을 로외로의 비산배출량을 최대한 억제하면서 용융가스화로내에 직접장입할 수 있는 장치를 제공하는데, 그 목적이 있다.
제1도는 본 발명에 부합되는 일반탄 및 분철광석을 이용한 용철제조공정에 있어서 환원분광의 용융가스화로내로의 직접장입장치에 대한 개략도.
제2도는 본 발명에 부합되는 용철제조공정에 있어서 환원분광의 용융가스회로내로의 직접장입장치의 일부 확대도.
제3도는 본 발명에 부합되는 용철제조공정에 있어서 환원분광의 용융가스화로내로의 직접장입장치의 배치방법에 대한 일례를 나타내는 개략도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 예열유동로 20 : 예비유동환원로
30 : 최종유동환원로 40 : 용융가스회로
31 : 환원광석배출구 41 : 석탄충진층
51 : 환원광석장입구(도관) 52 : 환원광석장입도관
52a : 질소취입구 53 : 신축관
이하, 본 발명에 대하여 설명한다.
본 발명은 분철광석을 환원하도록 구성되고 그리고 환원된 분철광석을 로외로 배출하기 위한 다수개의 환원광석배출구를 포함하는 최종유동환원로와 괴형태의 일반탄이 장입되어 그 내부에 석탄충진층이 형성되고, 그리고 상기 최종유동환원로에서 환원된 분철광석이 장입되어 용철이 제조되도록 구성되는 용융가스화로를 포함하는 용철제조장치에 있어서, 상기 석탄충진층이 형성되는 용융가스화로 부위의 측벽에 형성되는 다수개의 환원광석장입구(도관); 및 상기 최종유동환원로의 환원광석배출구와 상기 환원광석장입구를 광석소통관계로 연결하는 환원광석장입도관을 포함하여 최종유동환원로에서 연속적으로 배출되는 환원분광을 상기한 용융가스화로내에 형성되어 있는 석탄충진층내부로 직접 연속장입하는 환원분광의 용융가스화로내로의 직접장입장치에 관한 것이다.
이하, 본 발명을 도면을 통해 상세히 설명한다.
본 발명의 환원분광의 용융가스화로내 직접장입장치(50)는 제1도에 나타난 바와 같이 분철광석을 환원하도록 구성되고 그리고 환원된 분철광석을 로외로 배출하기 위한 다수개의 환원광석배출구(31)를 포함하는 최종유동환원로(30)와 괴형태의 일반탄이 장입되어 그 내부에 석탄충진층(41)이 형성되고, 그리고 상기 최종유동환원로(30)에서 환원된 분철광석이 장입되어 용철이 제조되도록 구성되는 용융가스화로(40)를 포함하는 용철제조장치에 적용되는 것이다.
제1도에는 분철광석을 건조 및 예열하는 예열유동로(10), 건조 및 예열된 분철광석을 예비환원하는 예비유동환원로(20), 및 예비환원된 분철광석을 최종환원하는 최종유동환원로(30), 및 최종환원된 분철광석을 일반탄을 이용하여 용철로 제조하는 용융가스화로(40)로 이루어지는 용철제조장치가 제시되어 있는데, 본 발명의 환원분광의 용융가스화로내 직접장입장치(50)는 제1도에 제시된 용철제조장치에만 적용되는 것은 아니며, 예를들면, 2단의 유동층식 환원로를 포함하는 용철제조장치등에도 적용됨은 물론이다.
제1도 및 제2도에 나타난 바와 같이, 본 발명의 환원분광의 용융가스화로내 직접장입장치(50)는 상기 석탄충진층(41)이 형성되는 용융가스화로(40) 부위의 측벽에 형성되는 다수개의 환원광석장입구(51); 및 상기 최종유동환원로(30)의 환원광석배출구(31)와 상기 환원광석장입구(51)를 광석소통관계로 연결하는 환원광석장입도관을 포함하여 구성된다.
상기 환원광석장입구(51)의 수는 환원분광(1)의 석탄충진층(41)내로의 균일한 분산이라는 측면을 고려하여 적절히 선정되는 것으로서, 4개이상이 바람직하며, 보다 바람직하게는, 6-8개이다.
특히, 상기 석탄충진층(41)이 형성되는 용융가스화로(40) 부위의 직경이 7.3cm 정도인 경우에는 6-8개정도가 바람직하다.
상기 환원광석장입구(51)는 제3도에 나타난 바와 같이, 용융가스화로(40)의 원주방향으로 일정간격을 갖고 형성되는 것이 바람직하다.
물론, 상기 최종유동환원로의 환원광석배출구(31)의 수는 적어도 상기 환원광석장입구(51)의 수와 같거나 또는 그 보다 많아야 함은 물론이다.
상기 환원광석장입구(51)는 상기 석탄충진층(41)이 형성되는 용융가스화로(40) 부위의 측벽에 형성되어야 하는데, 바람직하게는 상기 석탄충진층(41)의 상부표면으로부터 석탄충진층(41) 높이(두께)의 10-20%되는 용융가스화로(40)부위의 측벽에 형성되는 것이며, 보다 바람직하게는 15%가 되는 위치에 형성되는 것이다.
상기 환원광석장입구(51)가 형성되는 위치는 환원분광(1)이 비산하여 로외로 배출되는 것을 방지한다는 측면과 환원분광의 석탄충진층내로의 분산이라는 측면을 고려하여 적절히 선정되는 것이다.
즉, 상기 환원광석장입구(51)가 형성되는 위치가 너무 높으면, 환원분광이 비산하여 로외로 배출되고, 너무 낮으면, 환원분광의 석탄충진층내로의 분산능이 떨어지게 된다.
상기 환원광석장입구(51)는 그 선단이 용융가스화로(40)내로 일정거리 만큼 돌출되는 것이 바람직한데, 그 선단의 돌출길이는 석탄충진층 반경의 3-50%로 선정하는 것이 바람직하며, 용융가스화로(40)내의 온도 및 분위기등을 고려하면 석탄충진층 반경의 3-7%정도가 바람직하며, 보다 바람직하게는 5%정도이다.
상기 환원광석장입구(51)의 선단이 용융가스화로(40)내로 너무 길게 돌출되면, 환원분광의 석탄충진층내로의 분산능이 떨어지게 된다.
상기 환원광석장입구(51)는 하방을 향해 일정한 각도 만큼 기울어지도록 형성하는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 20-45°기울어지도록 선정하는 것이다.
상기 환원광석장입구(51)의 하방을 향한 기울기가 너무 적은 경우에는 하강되는 광석의 흐름이 원만히 이루어지지 못하고 너무 큰 경우에는 환원분광의 석탄충진층내로의 분산능이 떨어지게 된다.
상기 환원광석장입도관(52)는 상기 최종유동환원로(30)의 환원광석배출구(31)와 상기 환원광석장입구(51)를 광석소통관계로 연결하는데, 상기 환원광석장입도관(52)과 상기 환원광석장입구(51)의 연결방식으로는 상기 환원광석장입도관(52)의 선단부와 상기 환원광석장입구(51)의 후단부에 플랜지를 형성하고, 두 플랜지 사이에 신축관(53)를 삽입하여 연결하는 방식이 바람직하다.
상기 각 환원광석장입도관(52)에는 그 내부에서의 환원미분광의 흐름이 원활하게 유지될 수 있도록 질소취입구(52a)를 구비시키는 것이 바람직하다.
이하, 본 발명의 작용을 설명한다.
최종유동환원로(30)에 복수개로 형성되어 있는 환원광석배출구(31)들에서 연속적으로 배출되는 환원분광(1)은 복수개의 환원광석배출구(31)들에 각각 대응되어 일대일로 연결되어 있는 환원광석장입도관(52)을 통해 중력이송되고, 복수개의 환원광석장입도관(52)에 각각 대응하여 용융가스화로(40)에 형성되어 있는 석탄충진층(41)의 상부표면으로부터 일정한 거리만큼 떨어져 있는 위치에서 석탄충진층 하부방향으로 환원광석장입구(51)를 통해 연속적으로 상기 석탄충진층을 구성하고 있는 석탄입자들 사이에 형성되어 있는 공극내로 유입된다.
상기 석탄충진층내의 석탄입자들은 연속적으로 하부방향으로 이동하고 있는 바, 기 장입되어 장입구 선단의 석탄입자들 사이에 형성된 공극내에 유입된 환원분광은 상기 석탄입자들과 함께 상기 석탄충진층 하부로 연속적으로 이동하게 되고 상기 환원광석장입구(51)의 선단에는 다시 환원분광이 유입될 수 있는 석탄입자들 사이의 공극이 형성되므로 상기 장입구(51)를 통한 상기한 환원분광의 석탄충진층(41)내로의 장입이 연속적으로 이루어질 수 있게 되는 것이다. 한편, 상기한 바와같은 분광 장입에 의해 장입구(41) 선단부의 통기성이 저하되어 석탄충진층(41) 내부에 형성되어 있는 고온상승기류의 균일한 분포확보에 악영향을 미칠 수 있는 바, 상기한 분광장입은 4개이상, 바람직하게는 6~8개의 복수개로 형성되어 있는 장입구(51)를 통해 분산되어 이루어지도록 하며, 각 장입구사이의 간격을 동일하게 배치하여 대칭성을 확보한다.
또한, 장입구의 위치는 상기한 통기성 저하를 고려하여 최대한 석탄충진층(41)의 상부표면에 가깝게 하되, 장입된 환원분광이 고온상승기류에 유입되어 비산되지 않도록 석탄충진층상부 표면으로부터 하부방향으로 석탄충진층 전체길이의 10-20% 정도되는 지점에 두고, 상기한 통기성 저하를 방지하기 위해 환원광석장입구(51)의 선단을 충진층내부로 삽입하되 장입구(51) 선단의 고온기류에 의한 용손을 방지할 수 있도록 그 삽입(돌출)길이는 석탄충진층 반경의 3-50% 정도로 하는 것이 바람직하다.
한편, 상기한 복수개 환원광석장입도관(52)에는 그 내부에서의 환원미분광의 흐름이 원활하게 유지될 수 있도록 각 환원광석장입도관(52)에 질소취입구(52a)를 마련하며, 환원광석장입도관(52)는 상기한 신축관(53)을 사이에 두고 상기한 환원광석장입구(51)와 연결됨으로서 상기 신축관(53)이 열응력에 대한 완충작용을 할 수 있게 된다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
[실시예]
석탄충진층내에 장입된 분광의 비산강도를 평가하고자 가스기류의 평균유속이 공탑속도가 0.4m/sec로 유지되는 상부 공간을 가지고 있으며 평균 기공율이 0.4인 충진층에 8mm 이하의 입도를 가진 분광을 상부공간과 충진층 상부로부터 하부방향으로 충진층 높이의 각각 10%, 30%, 50% 되는 지점 등에 장입하였을 경우 비산배출되는 입자들을 포집하여 상기 비산배출 입자들 중의 최대입도를 측정하는 시험을 수행하였다. 상기 시험결과 상부공간에 장입되는 경우에는 비산배출되는 최대입도가 100㎛인 것에 비해 충진층내로 장입되는 경우에는 충진층 상부로부터 하부방향으로 충진층 높이의 10%되는 지점 등에 장입하였을 경우에는 비산배출된 최대입도가 30㎛으로 현저하게 감소되었으며, 충진층 상부로부터 하부방향으로 충진층 높이의 30% 및 50% 되는 지점들에 장입하였을 경우에는 비산배출되는 최대입도가 공히 10㎛ 이하로 장입위치가 충진층 하부로 내려갈수록 비산배출되는 최대입도가 작아지고 있음을 알 수 있다. 이는 충진층입자들 사이의 공극에 유입되어 충진층 하부로 이동하는 분광들은 그 주위에 입자들로 둘러싸여 있는 바 일단 충진층내로 장입된 분광이 상승기류에 유입되어 비산배출되는 정도가 상부공간에 장입되는 경우에 비해 현저하게 감소하는 것을 시사하고 있다.
상기한 바와 같이, 본 발명은 분철광석을 환원하는 유동환원로와 내부에 석탄충진층이 형성되는 용융가스화로로 구성되는 일반탄 및 분철광석을 이용한 용철제조공정에 있어서, 상기 유동환원로로부터 배출되는 고온의 환원미분광을 고온기류에 의한 비산손실량을 최소화하면서 용융가스화로내에 연속적으로 직접장입할 수 있는 수단을 제공함으로서 상기한 용철제조공정의 철손실율을 크게 감소시켜 생산성 제고에 효과가 있는 것이다.

Claims (25)

  1. 분철광석을 환원하도록 구성되고 그리고 환원된 분철광석을 로외로 배출하기 위한 다수개의 환원광석배출구(31)를 포함하는 최종유동환원로(30)와 괴형태의 일반탄이 장입되어 그 내부에 석탄충진층(41)이 형성되고, 그리고 상기 최종유동환원로(30)에서 환원된 분철광석이 장입되어 용철이 제조되도록 구성되는 용융가스화로(40)를 포함하는 용철제조장치에 있어서, 상기 석탄충진층(41)이 형성되는 용융가스화로(40) 부위의 측벽에 형성되는 다수개의 환원광석장입구(51); 및 상기 최종유동환원로(30)의 환원광석배출구(31)와 상기 환원광석장입구(51)를 광석소통관계로 연결하는 환원광석장입도관(52)을 포함하여 최종유동환원로(30)에서 연속적으로 배출되는 환원분광을 상기한 용융가스화로(40)내에 형성되어 있는 석탄충진층(41)내부로 직접 연속장입하는 것을 특징으로 하는 환원분광의 용융가스화로내로의 직접장입장치.
  2. 제1항에 있어서, 최종유동환원로(30)의 환원광석배출구(31)와 환원광석장입구(51)의 수가 각각 4개 이상인 것을 특징으로 하는 환원분광의 용융가스화로내로의 직접장입장치.
  3. 제2항에 있어서, 석탄충진층(41)이 형성되는 용융가스화로(40)로 부위의 직경이 7.3m정도이고, 그리고 최종유동환원로(30)의 환원광석배출구(31)와 환원광석장입구(51)의 수가 각각 6-8개인 것을 특징으로 하는 환원분광의 용융가스화로내로의 직접장입장치.
  4. 제1항에서 제3항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 환원광석장입구(51)가 용융가스화로(40)의 원주방향으로 일정간격을 갖고 형성되는 것을 특징으로 하는 환원분광의 용융가스화로내로의 직접장입장치.
  5. 제1항에서 제3항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 환원광석장입구(51)가 상기 석탄충진층(41)의 상부표면으로부터 석탄충진층(41) 높이(두께)의 10-20%되는 용융가스화로(40)부위의 측벽에 형성되는 것을 특징으로 하는 환원분광의 용융가스화로내로의 직접장입장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 환원광석장입구(51)가 상기 석탄충진층(41)의 상부표면으로부터 석탄충진층(41) 높이(두께)의 15%되는 용융가스화로(40)부위의 측벽에 형성되는 것을 특징으로 하는 환원분광의 용융가스화로내로의 직접장입장치.
  7. 제1항에서 제3항중의 어느 한 항에 있어서, 환원광석장입구(51)의 선단이 석탄충진층 반경의 3-50%만큼 용융가스화로의 측벽으로부터 그 내부로 돌출되어 있는 것을 특징으로 하는 환원분광의 용융가스화로내로의 직접장입장치.
  8. 제7항에 있어서, 환원광석장입구(51)의 선단이 석탄충진층 반경의 3-7%만큼 용융가스화로의 측벽으로부터 그 내부로 돌출되어 있는 것을 특징으로 하는 환원분광의 용융가스화로내로의 직접장입장치.
  9. 제5항에 있어서, 환원광석장입구(51)의 선단이 석탄충진층 반경의 3-50%만큼 용융가스화로의 측벽으로부터 그 내부로 돌출되어 있는 것을 특징으로 하는 환원분광의 용융가스화로내로의 직접장입장치.
  10. 제9항에 있어서, 환원광석장입구(51)의 선단이 석탄충진층 반경의 3-7%만큼 용융가스화로의 측벽으로부터 그 내부로 돌출되어 있는 것을 특징으로 하는 환원분광의 용융가스화로내로의 직접장입장치.
  11. 제6항에 있어서, 환원광석장입구(51)의 선단이 석탄충진층 반경의 3-50%만큼 용융가스화로의 측벽으로부터 그 내부로 돌출되어 있는 것을 특징으로 하는 환원분광의 용융가스화로내로의 직접장입장치.
  12. 제11항에 있어서, 환원광석장입구(51)의 선단이 석탄충진층 반경의 3-7%만큼 용융가스화로의 측벽으로부터 그 내부로 돌출되어 있는 것을 특징으로 하는 환원분광의 용융가스화로내로의 직접장입장치.
  13. 제1항에서 제3항중의 어느 한 항에 있어서, 환원광석장입구(51)가 하방을 향해 20-45°의 각도 만큼 기울어지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 환원분광의 용융가스화로내로의 직접장입장치.
  14. 제5항에 있어서, 환원광석장입구(51)가 하방을 향해 20-45°의 각도 만큼 기울어지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 환원분광의 용융가스화로내로의 직접장입장치.
  15. 제7항에 있어서, 환원광석장입구(51)가 하방을 향해 20-45°의 각도 만큼 기울어지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 환원분광의 용융가스화로내로의 직접장입장치.
  16. 제6항, 제8항, 제9항, 제10항, 제11항, 또는 제12항중 어느 한 항에 있어서, 환원광석장입구(51)가 하방을 향해 20-45°의 각도 만큼 기울어지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 환원분광의 용융가스화로내로의 직접장입장치.
  17. 제1항에서 제3항중의 어느 한 항에 있어서, 환원광석장입도관(52)과 상기 환원광석장입구(51)의 연결방식이 환원광석장입도관(52)의 선단부와 환원광석장입구(51)의 후단부에 플랜지를 형성하고, 두 플랜지 사이에 신축관(53)를 삽입하여 연결하는 방식인 것을 특징으로 하는 환원분광의 용융가스화로내로의 직접장입장치.
  18. 제5항에 있어서, 환원광석장입도관(52)과 상기 환원광석장입구(51)의 연결방식이 환원광석장입도관(52)의 선단부와 환원광석장입구(51)의 후단부에 플랜지를 형성하고, 두 플랜지 사이에 신축관(53)를 삽입하여 연결하는 방식인 것을 특징으로 하는 환원분광의 용융가스화로내로의 직접장입장치.
  19. 제7항에 있어서, 환원광석장입도관(52)과 상기 환원광석장입구(51)의 연결방식이 환원광석장입도관(52)의 선단부와 환원광석장입구(51)의 후단부에 플랜지를 형성하고, 두 플랜지 사이에 신축관(53)를 삽입하여 연결하는 방식인 것을 특징으로 하는 환원분광의 용융가스화로내로의 직접장입장치.
  20. 제6항, 제8항, 제9항, 제10항, 제11항, 제12항, 제4항 또는 제15항중 어느 한 항에 있어서, 환원광석장입도관(52)과 상기 환원광석장입구(51)의 연결방식이 환원광석장입도관(52)의 선단부와 환원광석장입구(51)의 후단부에 플랜지를 형성하고, 두 플랜지 사이에 신축관(53)를 삽입하여 연결하는 방식인 것을 특징으로 하는 환원분광의 용융가스화로내로의 직접장입장치.
  21. 제13항에 있어서, 환원광석장입도관(52)과 상기 환원광석장입구(51)의 연결방식이 환원광석장입도관(52)의 선단부와 환원광석장입구(51)의 후단부에 플랜지를 형성하고, 두 플랜지 사이에 신축관(53)를 삽입하여 연결하는 방식인 것을 특징으로 하는 환원분광의 용융가스화로내로의 직접장입장치.
  22. 제16항에 있어서, 환원광석장입도관(52)과 상기 환원광석장입구(51)의 연결방식이 환원광석장입도관(52)의 선단부와 환원광석장입구(51)의 후단부에 플랜지를 형성하고, 두 플랜지 사이에 신축관(53)를 삽입하여 연결하는 방식인 것을 특징으로 하는 환원분광의 용융가스화로내로의 직접장입장치.
  23. 제17항에 있어서, 각 환원광석장입도관(52)에는 그 내부에서의 환원미분광의 흐름이 원활하게 유지될 수 있도록 질소취입구(52a)가 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 환원분광의 용융가스화로내로의 직접장입장치.
  24. 제20항에 있어서, 각 환원광석장입도관(52)에는 그 내부에서의 환원미분광의 흐름이 원활하게 유지될 수 있도록 질소취입구(52a)가 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 환원분광의 용융가스화로내로의 직접장입장치.
  25. 제18항, 제19항, 제21항 또는 제22항중 어느 한 항에 있어서, 각 환원광석장입도관(52)에는 그 내부에서의 환원미분광의 흐름이 원활하게 유지될 수 있도록 질소취입구(52a)가 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 환원분광의 용융가스화로내로의 직접장입장치.
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