KR100246113B1

KR100246113B1 - 감광성 수지 조성물

Info

Publication number: KR100246113B1
Application number: KR1019940009007A
Authority: KR
Inventors: 하기와라 히데오; 가지 마꼬또; 고지마 야스노리
Original assignee: 와까바야시 구니히꾀; 히따찌 케미칼 컴퍼니 리미티드
Priority date: 1993-04-28
Filing date: 1994-04-27
Publication date: 2000-06-01
Anticipated expiration: 2014-04-27
Also published as: EP0622682A1; US6197475B1; EP0622682B1; DE69408709D1; DE69408709T2

Abstract

카르복실기 및/또는 페놀성 히드록실기를 가진 알칼리-가용성 폴리머(A), 및 광 조사로서 아민 화합물을 형성하는 화합물(B)로 이루어진 포지티브형 감광성 수지 조성물이 개시된다.

Description

감광성 수지 조성물

본 발명은 감광성 수지 조성물, 보다 구체적으로는 복잡한 제조 단계를 필요로 하지 않고 클로라이드로서 모범을 야기시키지 않는 우수한 필름 특성, 내열성, 부착성 및 이미지-형성성을 가진 감광성 수지 조성물에 관한 것이다.

반도체 산업에서, 종래에 무기 재료가 층간 절연을 위해 사용된바 있다. 최근에, 폴리이미드 수지와 같은 우수한 내열성을 가진 유기 재료가 그의 특성 때문에 층간 절연용 재료로서 사용되고 있다.

반도체 집적회로에서 패턴을 형성하거나 프린트 기판상에 회로 패턴을 형성하는 방법은 기판 표면상에 레지스트(resist) 물질 필름의 형성; 에칭(etching) 등에 의한 불필요한 부분의 제거; 및 베이스 표면의 세척과 같은 복잡하고 다양한 단계로 이루어진다. 따라서, 내열 감광재료의 개발이 요구된 바 있으며, 이것은 패턴이 광노출 및 현상에 의해 형성된후에 조차 레지스트 재료의 필요한 부분을 절연 재료로서 사용되게 한다.

이러한 재료로서, 예를들어 베이스 폴리머로 감광성 폴리이미드 또는 고리화 폴리부타디엔으로 이루어진 내열 감광 재료가 제안된 바 있다. 감광성 폴리이미드는 우수한 내열성을 가지며 불순물이 쉽게 제거될 수 있으므로 주목되고 있다.

이러한 감광성 폴리이미드로서, 예를들어 감광성기가 에스테르 결합에 의해 폴리이미드 전구체로 도입되는 감광성 폴리이미드 전구체(폴리아미드산 에스테르)가 일본 특허공고 제30207/1980호얘 제안되고 있다. 감광성 폴리이미드 전구체의 합성에서 산 클로라이드기의 사용이 요구되는 이러한 재료는 최종적으로 얻어진 감광성 수지 조성물이 클로라이드로서 쉽게 오염된다는 단점이 있다. 또한, 목적으로 하는 폴리이미드를 얻는데 폴리아미드산 에스테르의 열경화가 고온에서 요구되며, 따라서, 폴리아미드산 에스테르는 고온에서 가열될 수 없는 부재가 사용될 때 사용될 수 없다.

또다른 일예로서, 주로 폴리아미드산, 광할성 작용기를 가진 아민 및 감광재로서 아지드 화합물의 혼합물로 이루어진 감광성 수지 조성물이 일본 특허공개 제168942/1982호에 제안되어 있다.

그러나, 감광성 수지 조성물은 그의 두꺼운 필름이 형성될 수 없다는 단점이 있다.

일본 특허공개 제95697/1979호에서는 주로 폴리아미드산 및 광활성 작용기를 가진 중합성 불포화 화합물의 혼합물로 이루어진 감광성 수지 조성물이 제안되어 있다. 그러나, 이러한 감광성 수지 조성물은 감광성기가 폴리아미드산에 직접 결합되어 있는 감광성기-함유폴리아미드산을 사용하는 감광성 수지 조성물과 비교하여 해상성(resolving porter)이 낮다는 단점이 있다.

본 발명은 선행 기술의 상기에 기재된 문제점을 극복하는 것이며, 본 발명의 목적은 복잡한 제조단계를 필요로 하지 않으며 클로라이드로서 오염을 야기시키지 않는 우수한 필름 특성, 내열성, 접착성 및 이미지-형성성을 가진 감광성 수지 조성물을 제공하는 것이다.

본 발명은 카르복실기 및/또는 페놀성 히드록실기를 가진 알칼리-가용성 폴리머(A), 및 광조사로서 아민 화합물을 형성하는 화합물 (B)로 이루어진 포지티브(positive)형 감광성 수지 조성물에 관한 것이다.

다음에, 본 발명을 상세하게 설명한다.

본 발명의 알칼리-가용성 폴리머(A)는 다음에 언급된 염기성 화합물과 염을 형성할 수 있는 카르복실기, 술폰산기 및/또는 페놀성 히드록실기와 같은 산성기를 가진 폴리머이며 특히 제한되지 않으며, 예를들어 폴리아미드산 수지, 카르복시기와 페놀성 히드록시기중 적어 도 한가지를 가진 용매-가용성 폴리이미드 수지 및 페놀 노볼락 수지를 포함할 수 있다. 그들 가운데, 폴리아미드산 수지가 바람직하며, 다음식으로 표시된 반복단위를 가진 폴리아미드산 수지가 보다 바람직하다:

상기식에서 R¹은 한가지 또는 그 이상의 치환체를 가질 수 있는 사가 기를 나타내며, R²는 한가지 또는 그 이상의 치환체를 가질 수 있는 이가 기를 나타내며; R³및 R⁴는 두개의 카르보닐기중 한가지의 오르토-위치에 각각 존재하며, 별도로 적어도 한가지가 카르복실기라는 조건하에, 수소원자 또는 카르복실기를 나타낸다.

식(I)에서, R¹의 사가 기는 예를들어 다음의 기를 포함할 수 있으며:

및 그의 수소화기,

(상기식에서 A는또는또는 단일 결합을 나타내며, 각 A는 같거나 서로 다르고, R⁷및 R⁸은 서로 같거나 다를 수 있고 각각은 탄소원자 1-10개인 알킬기, 탄소원자 3-8개인 시클로알킬기, 탄소원자 6-14개인 아릴기 또는 탄소원자 7-17개인 아르알킬기를 나타내며, 5는 0 또는 1 또는 그 이상의 정수를 나타낸다),

R²의 이가 기는 예를들어 다음의 기를 포함할 수 있다:

및 그의 수소화기,

(상기식에서 B는 A와 동일한 의미를 가지며, 각 B는 같거나 서로 다르며, R⁹및 R¹⁰은 서로 같거나 다를 수 있고 각각은 탄소원자 1-10개인 알킬렌기, 탄소원자 3-8개인 시클로알킬렌기, 탄소원자 6-14개인 아릴렌기 또는 탄소원자 7-17개인 아르알킬렌기를 나타내며, R¹¹및 R¹²는 서로 같거나 다를 수 있고 각각은 탄소원자 1-10개인 알킬기, 탄소원자 3-8개인 시클로알릴기, 탄소원자 6-14개인 아릴기 또는 탄소원자 7-17개인 아르알킬기를 나타내며, t는 1 또는 그 이상의 정수를 나타낸다).

상기 사가 기의 방향족 고리는 탄소원자 1-6개인 알릴기 및 탄소원자 1-6개인 알콕시기와 같은 한가지 또는 그 이상의 치환체를 가질 수 있다.

상기 이가 기의 방향족 고리는 탄소원자 1-6개인 알킬기, 탄소 원자 1-6개인 알콕시기 및 히드록실기와 같은 한가지 또는 그 이상의 치환체를 가질 수 있다.

R³와 R⁴는 R¹에 결합된 카르보닐기의 한가지에 대해 오르토-위치에 존재하며, 적어도 한가지는 카르복실기이고 나머지는 수소원자 또는 카르복실기이다.

폴리아미드산 수지는 바람직하게도 수평균분자량 3,000-200,000, 보다 바람직하게는 5,000-100,000, 가장 바람직하게는 7,000-50,000이다.

수평균분자량이 너무 낮다면, 기계적 특성이 저하된다. 수펑균분자량이 너무 높다면, 해상성이 저하된다.

식(I)에 의해 표시된 반복단위를 가진 폴리아미드산 수지는 예를 들어 유기 용매에서 산 성분으로서 테트라카르복실산 이무수물과 아민 성분으로서 디아민을 반응시켜 제조될 수 있다.

이러한 경우에, 식(I)에서 R¹과 R²로 표시된 기는 Rl¹에 대해 산 성분 잔기 및 R²에 대해 아민 성분 잔기를 나타낸다.

상기의 테트라카르복실산 이무수물로서, 예를들어, 피로멜리트산 이무수물, 3,3′,4,4′-벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 3,3′,4,4′-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 2,3,5,6-피리딘테트라카르복실산 이무수물, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 3,4,9,10-페릴렌테트라카르복실산 이무수물, 4,4′-술포닐디프탈산 이무수물, m-테르페닐-3,3″,4,4″-테트라카르복실산 이무수물, p-테르페닐-3,3″,4,4″-테트라카르복실산 이무수물, 4,4′-옥시디프탈산 무수물, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2,2-비스-(2,3- 또는 3,4-디카르복시페닐)프로판 이무수물, 2,2-비스(2,3- 또는 3,4-디카르복시페닐)프로판 이무수물, 2,2-비스[4-(2,3- 또는 3,4-디카르복시페녹시)페닐]프로판 이무수물, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2,2-비스[4-(2,3- 또는 3,4-디카르복시페녹시)페닐]프로판 이무수물, 다음식(III)으로 표시된 테트라카르복실산 이무수물과 같은 또다른 방향족 테트라카르복실산 이무수물:

(상기식에서 R⁷과 R⁸은 서로 동일하거나 다를 수 있으며 각각 탄소원자 1-10개인 알릴기, 탄소원자 3-8기인 시클로알킬기, 탄소원자 6-14개인 아릴기 또는 탄소원자 7-17개인 아르알킬기와 같은 일가 탄화수소기를 나타내며; s는 0 또는 1 또는 그 이상의 정수를 나타낸다), 상기의 방향족 테트라카르복실산 이무수물와 수소화 화합물, 및 다음식(IV)으로 표시된 지방족고리 테트라카르복실산 이무수물이 바람직하게 사용될 수 있다:

상기의 테트라카르복실산 이무수물은 단독으로 또는 조합하여 사용될 수 있다. 식(III)의 화합물은 전체 산 성분을 기초로 바람직하게는 1-30몰%, 보다 바람직하게는 2-10몰%의 양으로 사용될 수 있으며 식(IV)의 화합물은 동일한 것을 기초로 바람직하게는 5-50몰%, 보다 바람직하게는 5-20몰%의 양으로 사용될 수 있다. 그들 가운데, 방향족 테트라카르복실산 이무수물이 가장 바람직하다. 테트라카르복실산 이무수물의 벤젠 고리는 탄소원자 1-6개인 알킬기 또는 탄소원자 1-6개인 알콕시기와 같은 치환체에 의해 치환될 수 있다.

상기에 언급된 테트라카르복실산 이무수물에 더하여, 지방족 테트라카르복실산 이무수물이 내열성 및 기계적 특성이 저하되지 않는 범위로 사용될 수 있다.

상기의 디아민으로서, 예를들어 p-페닐렌디아민, m-패닐렌디아민, p-크실릴렌디아민, m-크실릴렌디아민, 1,5-디아미노나프탈렌, 3,3′-디메틸벤지딘, 3,3′-디메톡시벤지딘, 4,4′- (또는 3,4′-, 3,3′-, 2,4′ 또는 2,2′-)디아미노디페닐메탄, 4,4′- (또는 3,4′-, 3,3′-, 2,4′-또는 2,2′-)디아미노디페닐 에테르, 4,4′- (또는 3,4′-, 3,3′-,2,4′- 또는 2,2′-)디아미노디페닐 에테르, 4,4′- (또는 3,4′-,3,3′-, 2,4′- 또는 2,2′-)디아미노디페닐술폰, 4,4′- (또는 3,4′-,3,3′-, 2,4′- 또는 2,2′-)디아미노디페닐술파이드, 4,4′-번조페논디아민, 4,4′-디(4-아미노페녹시)페닐술폰, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2,2-비스(4-아미노페닐)프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 3,3′-디메틸-4,4′-디아미노디페닐메탄, 3,3′,5,5′-테트라메틸-4,4′-디아미노디페닐메탄, 4,4′-디(3-아미노페녹시)페닐술폰, 3,3′-디아미노디페닐술폰 및 2,2-비스(4-아미노페닐)프로판과 같은 방향족 디아미노 화합물; 및 상기의 방향족 디아미노 화합물의 수소화 화합물인 지방족고리 디아미노 화합물이 사용될 수 있다.

또한, 다음식(V)으로 표시된 또다른 디아미노 화합물이 상기의 디아민 화합물과 조합하여 사용될 수 있다:

상기식에서 R⁹와 R¹⁰은 탄소원자 1-10개인 알킬렌기, 탄소원자 3-8개인 시클로알킬렌기, 탄소원자 6-14개인 아릴렌기 또는 탄소원자 7-17개인 아르알킬렌기와 같은 이가 탄화수소기를 나타내며; R¹¹과 R¹²는 탄소원자 1-10개인 알킬기, 탄소원자 6-14개인 아릴기 또는 탄소원자 7-17개인 아르알킬기와 같은 일가 탄화수소기를 나타내며; R⁹와 R¹⁰, R¹¹과 R¹²는 각각 동일하거나 서로 다를 수 있으며; t는 1 또는 그 이상의 정수를 나타낸다. 식(V)으로 표시된 상기의 디아미노 화합물은 디아민 화합물의 총량을 기초로 바람직하게는 1-30몰%, 보다 바람직하게는 2-10몰%의 양으로 사용될 수 있다.

또한 디아민으로서, 3,3′-히드록시벤지딘, 3,4′-디아미노-3′,4-디히드록시-비페닐, 3,3′-디히드록시-4,4′-디아미노디페닐 옥사이드, 3,3′-디히드록시-4,4′-디아미노디페닐술폰, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)프로판, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2,2-비스-(3-아미노-4-히드록시페닐)프로판, 비스-(3-히드록시-4-아미노-페닐)메탄, 3,3′-디히드록시-4,4′-디아미노밴조페논, 1,1-비스(3-히드록시-4-아미노페닐)에탄, 2,2-비스(3-히드록시-4-아미노페닐)프로판, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2,2-비스기-(3-히드록시-4-아미노페닐)프로판, 1,3-디아미노-4-히드록시벤젠, 1,3-디아미노-5-히드록시벤젠, 1,3-디아미노-4,6-디히드록시 벤젠, 1,4-디아미노-2-히드록시벤젠 및 1,4-디아미노-2,5-디히드록시벤젠과 같은 히드록실기-함유 디아민이 바람직하게도 사용될 수 있다.

디아민은 단독으로 또는 조합하여 사용될 수 있다.

상기의 반응에서 사용될 수 있는 유기 용매로서, 생성하는 폴리아미드산 수지를 완전히 용해하는 극성 용매가 일반적으로 바람직하며, 예를들어 N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메탈아세트아미드, N,N-디메틸 포름아미드, 디메틸술폭시드, 테트라메틸우레아, 헥사메틸인산 트리아미드 및 γ-부티로락톤이 언급될 수 있다.

이들 극성 용매에 더하여, 케톤, 에스테르, 락론, 에테르, 할로겐화 탄화수소 및 탄화수소, 예를들어, 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, 시클로헥사논, 메틸 아세테이트, 에틸 아세테이트, 부틸 아세테이트, 디에틸 옥살레이트, 디메틸 말로네이트, γ-부티로락톤, 디에틸 에테르, 에틸렌글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 디메틸 에테르, 테트라히드로퓨란, 디클로로메탄, 1,2-디클로로에탄, 1,4-디클로로에탄, 트리클로로에탄, 클로로벤젠, o-디클로로벤젠, 헥산, 헵탄, 옥탄, 벤젠, 톨루엔 및 크실렌이 사용될 수 있다.

유기 용매는 단독으로 또는 조합하여 사용될 수 있다.

광조사로서 아민 화합물을 형성하는 본 발명의 화합물(B)은 특히 제한되지 않으며, 다음식(II)으로 표시된 화합물이 바람직하게도 사용될 수 있다:

상기식에서 R⁵는 방향족 고리기를 나타내며; R⁶는 수소원자 또는 일가 유기기를 나타내며; X는 수소원자 또는 일가 치환체를 나타내며, Y는 일가 유기기를 나타내며; m은 1 내지 5의 정수를 나타내며, m이 2 또는 그 이상일 때, 복수의 X는 동일하거나 서로 다를 수 있다.

R⁵로 표시된 방향족 고리는 특히 제한되지 않으며, 벤젠(페닐렌), 나프탈렌 및 안트라센 고리가 바람직하다.

R⁶로 표시된 일가 유기기는 특히 제한되지 않으며, 탄소원자 1-6개, 바람직하게는 탄소원자 1-3개인 알킬기가 바람직하다.

X로 표시된 일가 치환체는 특히 제한되지 않으며; 탄소원자 1-10개인 알킬기, 탄소원자 1-10개인 알콕실기, 할로겐원자, 니트로기 및 시아노기가 바람직하다.

특히, 식(X)으로 표시된 일가 치환체로서 적어도 한개의 메톡시기를 가진 화합물(B)은 우수한 감도를 제공하는 것으로 예상된다.

Y로 표시된 일가 유기기는 특히 제한되지 않으며, 탄소원자 1-10개, 바람직하게는 탄소원자 1-4개인 알킬기, 탄소원자 3-8개, 바람직하게는 탄소원자 3-6개인 시클로알킬기, 탄소원자 7-17, 바람직하게는 탄소원자 7-12개인 아르알킬기, 및 탄소원자 1-10개, 바람직하게는 탄소원자 1-5개인 히드록시알킬기가 바람직하다.

특히, 식(Y)으로 표시된 일가 유기기로서 히드록시에틸기를 가진 화합물(B)은 보다 우수한 분해능을 제공하는 것으로 예상된다.

식(II)로 표시된 화합물(B)의 제조방법은 특히 제한되지 않으며, 예를들어 식(II)에서 R⁵의 방향족 고리가 벤젠 고리일 때, 벤질알코올 유도체와 다음식 (VI)에 제시된 이소시아네이트 화합물을 반응시킴으로서 수행될 수 있다:

상기식에서 R⁶, X, Y 및 m은 식(II)에서와 동일한 의미를 가진다.

반응에서, 촉매가 필요하다면 사용될 수 있다.

식(II)으로 표시된 화합물은 예를들어 다음의 화합물을 포함할 수 있다:

및

본 발명에서, R¹이또는

이고, R²가또는

이며 R³와 R⁴가 모두 -COOH기인 화합물(A)을 사용하는 것이 특히 바람직하다.

또한, R⁵가이고, R⁶가 -CH₃이며, X가 -OCH₃이고, m이 2이며 Y가 -CH₂CH₂OH 또는 시클로헥실기인 화합물(B)을 사용하는 것이 특히 바람직하다.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 알칼리-가용성 폴리머(A)와 화합물(B)을 혼합함으로서 얻어질 수 있다.

본 발명은 폴리아미드산 수지 뿐만아니라 카르복시기와 페놀 히드록시기중 적어도 한가지를 가진 용매-가용성 폴리이미드 수지 및 알칼리-가용성 폴리머(A)로서 페놀 노볼락 수지를 사용함으로서 성취될 수 있다. 상기 용매는 폴리아미드산 수지를 제조하는 반응에 사용된 유기 용매를 의미한다.

본 발명의 감광성 수지 조성물에서, 화합물(B)은 폴리머(A)를 기초로 바람직하게는 1-250중량%, 보다 바람직하게는 50-170중량%의 범위로 사용될 수 있다.

필요하다면, 기판에 대한 접착성을 증가시키기 위하여, 커플링제 또는 계면활성제가 본 발명의 감광성 수지 조성물에 첨가될 수 있다.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 상기에 기재된 여러 가지 성분을 함유한다. 그 조성물을 함유한 코팅 용액의 고형분은 바람직하게는 5-50중량%, 보다 바람직하게는 10-30중량%이며, 코팅 용액의 점도는 바람직하게는 1-300 poise, 보다 바람직하게는 30-200 poise이다. 이들 성분을 혼합하는 순서 및 이들 성분을 혼합하는 방법은 특히 제한되지 않으며, 조성물을 구리-클래드 라미네이트 및 실리콘 웨이퍼와 같은 기판에 디핑법, 스프레잉법, 스크린 프린팅법 및 스피너 코팅법에 의해 도포하고, 건조시켜 필름을 형성할 수 있다.

또한, 가요성 기판, 예를들어, 폴리에스테르 필름을 감광성 수지조성물로서 코팅하고; 건조시켜 적층화한 다음; 그 적층을 폴리에틸렌 등으로 제조된 카버 시트로서 덮어서 샌드위치 구조를 가진 건조 필름을 미리 제조할 수 있으며, 건조 필름의 커버 시트를 벗김으로서 피복될 기판상에 필름을 제조할 수 있다.

커버 시트는 반드시 사용되지 않을 수 있다.

원하는 패턴을 가진 마스크를 통해 필름에 활성 광선을 조사함으로서, 조사부(노출부)에서 성분(B)로부터 유래하는 아민 화합물이 발생된다. 조사부는 아민 화합물의 존재하에 수용성이 되며, 반면에 비조사부(비노출부)는 수불용성으로 된다.

상기의 활성 광선으로서, 자외선 또는 가시광이 통상적으로 사용된다. 몇가지 경우에, 전자선 및 방사선과 같은 전리성 방사선을 조사함으로서 필름이 유사하게 형성될 수 있다.

이와 같이 처리된 필름의 표면을 현상액으로서 물로 처리함으로서, 아민 화합물의 존재하에 수용성으로 되는 조사부가 제거될 수 있으며, 불용성으로 되어 있는 비 조사부가 남아 원하는 수지 페턴이 얻어질 수 있다.

본 발명에서 사용될 수 있는 현상액으로서, 상기와 같이 물이 통상적으로 사용될 수 있다. 이때 더하여, 유기 용매, 수용성 유기 용매와 물의 혼합 용매 및/또는 알칼리 수용액이 사용될 수 있다.

유기 용매는 예를들어 N-메틸-피롤리돈, N-아세틸-2-피를리돈, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸술폭시드, 헥사메틸렌인산 트리아미드, γ-부티로락톤, 메탄올, 에탄올 및 이소프로판올과 같은 알코올, 톨루엔 및 크실렌과 같은 방향족 탄화수소 화합물, 아세톤, 메틸 에틸 케톤 및 메틸 이소부틸 케톤과 같은 케톤, 에틸 아세테이트 및 메틸 포로피오네이트와 같은 에스테르, 및 테트라히드로퓨란 및 디옥산과 같은 에테르를 포함할 수 있다.

알칼리 수용액은 물에 용해된 염기성 화합물의 용액이다. 염기성 화합물로서, 예를들어, 알칼리 금속 또는 사차 암모늄의 히드록시드, 카보네이이트, 히드로겐카보네이트, 실리케이트, 포스페이트, 피로포스페이트, 아세테이트 및 아민이 사용될 수 있다. 구체적인 실예로서, 리튬 히드록시드, 소디움 히드록시드, 포타슘 히드록시드, 암모늄 히드록시드, 트리메틸벤질암모늄 히드록시드, 테트라메틸암모늄 히드록시드, 소디움 카보네이트, 포타슘 카보네이트, 소디움 히드로겐카보네이트, 소디움 실리케이트, 소디움 포스페이트, 소디움 피로포스페이트, 소디움 아세테이트, 모노에탄올아민, 디에탄올아민 및 트리에탄올아민이 언급될 수 있다.

물의 양을 기초로 염기성 화합물의 양은 바람직하게도 용해도에서 또는 용해속도에서 충분한 차이가 조사부 및 비조사부 사이에 야기되는 양이다.

이와같이 얻어진 패턴은 우선 50-250℃에서 건조시키고, 그후 300-400℃에서 가열, 즉 후경화(post-curing)함으로서 내열성을 가진 반도체, 다층인쇄배선판 및 고밀도 포장 기판의 표면 보호 필름 또는 층간 절연 필름으로 전환될 수 있다. 본 발명의 감광성 수지 조성물은 주로 상기에 언급된 정밀 가공 분야에서 매우 유용하다.

[실시예]

본 발명을 실시예에 관련하여 상세하게 기술하나, 본 발명의 범위는 이들 실시예에 한정되지 않는다.

[실시예 1]

[폴리아미드산 수지의 합성]

교반기, 온도계 및 건조 질소가스 도입구가 있는 100ml 세퍼러블 플라스크(separable flask)에서, 디아미노디페닐 에테르(이후 “DDE”로서 약칭함) 7.8092g을 N-메틸-2-피롤리돈(이후 “NMP”로서 약칭함)75.4g에 첨가하여 질소 분위기하에 교반하면서 그것을 용해시켰다.

아민 용액에 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)프로판 이무수물(이후 “6-FDA”로서 약칭함) 17.3253g(0.039mol)을 첨가하였고, 혼합물을 상온에서 8시간 동안 반응시켜 폴리아미드산 수지의 점성 용액(이후 “PA-1”로서 약칭함)을 얻었다.

[감광성 수지 조성물의 제조]

1-(2-니트로페닐)에틸-N-시클로헥실카르바메이트 3g과 폴리에틸렌글리콜 0.5g을 상기에서 합성된 폴리아미드산 수지 용액(PA-1) 10g에 첨가하였고, 교반하면서 용해시키고, 이어서 5㎛ 필터로서 여과시켜 감광성 수지 조성물을 얻었다.

[평가]

실리콘 웨이퍼를 상기에 제조된 감광성 수지 조성물로서 스핀 코팅하고, 100℃에서 300초간 프리베이킹하여(prebaked) 두께가 5㎛인 균일한 필름을 얻었다. 그후, 마스크를 통해 필름을 초고압 수은등(20 mW/cm²)으로 100초간 조사하였다. 필름을 물에 침지시켜 현상을 수행하고, 물로 린스한 다음 건조시켜 고 해상도를 가진 포지티브형 투명 릴리프(relief) 패턴을 얻었다. 릴리프 패턴을 100℃에서 30분간, 200℃에서 60분간, 및 그후 350℃에서 50분간 열경화하여 패턴에 변화가 없이, 폴리이미드를 얻었다. 또한, 다른 실리콘 웨이퍼에 두께 20㎛인 코팅 필름을 형성하고 어떠한 패턴을 형성함이 없이 상기의 조건에 의해 필름을 경화하였다. 경화된 필름을 웨이퍼로부터 벗겨내었을 때, 견고한 폴리이미드 필름이 얻어질 수 있었다는 것을 발견할 수 있었다. 또한, 필름의 가열중에 중량 감소-개시 온도가 400℃ 또는 그 이상이었고 이로서 필름이 또한 내열성에서 우수하다는 것을 발견할 수 있다.

[실시예 2]

[폴리아미드산 수지의 합성]

고형분 25%인 폴리아미드산 수지 용액(이후 “PA-2”로서 약칭함)을 6-FAD를 4,4′-옥시디프탈산(ODPA)으로 바꾸고 그들을 동일량으로 반응 시키는 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방식으로 얻었다.

[감광성 수지 조성물의 제조]

상기에서 합성된 폴리아미드산 수지 용액(PA-2) 10g에 1-(3,4-디메톡시-6-니트로페닐)에틸-N-시클로헥실카르바메이트 3g과 폴리에틸렌글리콜 0.5g을 첨가하고, 혼합물을 교반하면서 용해시키고, 이어서 5㎛필터로 여과하여 감광성 수지 조성물을 얻었다.

[평가]

실리콘 웨이퍼를 이와같이 제조된 감광성 수지 조성물로서 스핀 코팅하고, 100℃에서 300초간 프리베이킹하여 두께가 5㎛인 균일한 필름을 얻었다. 그후, 마스크를 통해 필름을 초고압 수은등(20mW/cm²)으로 100초간 조사하였다. 필름을 물에 침지시켜 현상을 수행하고, 물로 린스한 다음 건조시켜 고 해상도를 가진 포지티브형 투명 릴리프 패턴을 얻었다. 릴리프 패턴을 100℃에서 30분간, 200℃에서 60분간, 및 그후 350℃에서 60분간 얼경화하여 패턴에 변화가 없이, 폴리이미드를 얻었다. 또한, 다른 실리콘 웨이퍼에 두께 20㎛인 코팅 필름을 형성하고 어떠한 패턴을 형성함이 없이 상기의 조건에 의해 필름을 경화하였다. 경화된 필름을 웨이퍼로부터 벗겨내었을 때, 견고한 폴리이미드 필름이 얻어질 수 있었다는 것을 발견할 수 있었다. 또한, 필름의 가열중에 중량 감소-개시 온도가 400℃ 또는 그 이상이었고 이로서 필름이 또한 내열성에서 우수하다는 것을 발견할 수 있다.

[실시예 3]

[폴리아미드산 수지의 합성]

고형분 25%인 폴리아미드산 수지 용액(이후 “PA-3”로서 약칭함)을 DDE를 메타페닐렌디아민(이후 “MOP”로서 약칭함)으로 바꾸고 6-FAD를 피로멜리트산 이무수물(PMDA)로 바꾸고 그들을 동일량으로 반응시키는 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방식으로 얻었다.

[감광성 수지 조성물의 제조]

상기에서 합성된 폴리아미드산 수지 용액(PA-3) 10g에 1-(3,4-디메톡시-6-니트로페닐)에틸-N-시클로헥실카르바메이트 3g과 폴리메틸렌글리콜 0.5g을 첨가하고, 혼합물을 교반하면서 용해시키고, 이어서 5㎛ 필터로 여과하여 감광성 수지 조성물을 얻었다.

[평가]

실리콘 웨이퍼를 이와같이 제조된 감광성 수지 조성물로서 스핀 코팅하고, 100℃에서 300초간 프리베이킹하여 두께가 5㎛인 균일한 필름을 얻었다. 그후, 마스크를 통해 필름을 초고압 수은등(20mW/cm²)으로 100초간 조사하였다. 필름을 물에 침지시켜 현상을 수행하고, 물로 린스한 다음 건조시켜 고 해상도를 가진 포지티브형 투명 릴리프 패턴을 얻었다. 릴리프 패턴을 100℃에서 30분간, 200℃에서 60분간, 및 그후 350℃에서 60분간 열 경화하여 패턴에 변화가 없이, 폴리이미드를 얻었다. 또한, 다른 실리콘 웨이퍼에 두께 20㎛인 코팅 필름을 형성하고 어떠한 패턴을 형성함이 없이 상기의 조건에 의해 필름을 경화하였다. 경화된 필름을 웨이퍼로부터 벗겨내었을 때, 견고한 폴리이미드 필름이 얻어질 수 있었다는 것을 발견할 수 있었다. 또한, 필름의 가열중에 중량 감소-개시 온도가 400℃ 또는 그 이상이었고 이로서 필름이 또한 내열성에서 우수하다는 것을 발견할 수 있다.

[실시예 4]

[폴리아미드산 수지의 합성]

고형분 25%인 폴리아미드산 수지 용액(이후“PA-4”로서 약칭함)을 DDE를 4,4′-디아미노디페닐술폰(이후“p-DDS”로 약칭함)으로 바꾸고 6-FDA를 3,3′,4,4′-비페닐테트라카르복실산 이무수물(s-BDPA)로 바꾸고 그들을 동일량으로 반응시키는 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방식으로 얻었다.

[감광성 수지 조성물의 제조]

상기에서 합성된 폴리아미드산 수지 용액(PA-4) 10g에 1-(2-니트로페닐)에틸-N-시클로헥실카르바메이트 3g과 폴리에틸렌글리콜 0.5g을 첨가하고, 혼합물을 교반하면서 용해시키고, 이어서 5㎛필터로 여과하여 감광성 수지 조성물을 얻었다.

[평가]

실리콘 웨이퍼를 이와같이 제조된 감광성 수지 조성물로서 스핀 코팅하고, 100℃에서 300초간 프리베이킹하여 두께가 5㎛인 균일한 필름을 얻었다. 그후, 마스크를 통해 필름을 초고압 수은등(20mW/cm²)으로 100초간 조사하였다. 필름을 물에 침지시켜 현상을 수행하고, 물로 린스한 다음 건조시켜 고 해상도를 가진 포지티브형 투명 릴리프 패턴을 얻었다. 릴리프 패턴을 100℃에서 30분간, 200℃에서 60분간, 및 그후 350℃에서 60분간 열경화하여 패턴에 변화가 없이, 폴리이미드를 얻었다. 또한, 다른 실리콘 웨이퍼에 두께 20㎛인 코팅 필름을 형성하고 어떠한 패턴을 형성함이 없이 상기의 조건에 의해 필름을 경화하였다. 경화된 필름을 웨이퍼로부터 벗겨내었을 때, 견고한 폴리이미드 필름이 얻어질 수 있었다는 것을 발견할 수 있었다. 또한, 필름의 가열중에 중량 감소-개시 온도가 400℃ 또는 그 이상이었고 이로서 필름이 또한 내열성에서 우수하다는 것을 발견할 수 있다.

[실시예 5]

[폴리아미드산 수지의 합성]

고형분 25%인 폴리아미드산 수지 용액(이후 “PA-1”로서 약칭함)을 실시예 1과 동일한 방식으로 얻었다.

[감광성 수지 조성물의 제조]

상기에서 합성된 폴리아미드산 수지 용액(PA-1) 10g에 1-(2-니트로페닐)에틸-N-시클로헥실카르바메이트 3g과 폴리에틸렌글리콜 0.5g을 첨가하고, 혼합물을 교반하면서 용해시키고, 이어서 5㎛필터로 여과하여 감광성 수지 조성물을 얻었다.

[평가]

실리콘 웨이퍼를 이와같이 제조된 감광성 수지 조성물로서 스핀 코팅하고, 100℃에서 300초간 프리베이킹하여 두께가 5㎛인 균일한 필름을 얻었다. 그후, 마스크를 통해 필름을 초고압 수은등(20mW/cm²)으로 100초간 조사하였다. 필름을 물에 침지시켜 현상을 수행하고, 물로 린스한 다음 건조시켜 고 해상도를 가진 포지티브형 투명 릴리프 패턴을 얻었다.

릴리프 패턴을 100℃에서 30분간, 200℃에서 60분간, 및 그후 350℃에서 60분간 열경화하여 패턴에 변화가 없이, 폴리이미드를 얻었다. 이 릴리프 패턴의 분해능은 실시예 1에서 릴리프 패턴 보다 높았다. 또한, 다른 실리콘 웨이퍼에 두께 20㎛인 코팅 필름을 형성하고 어떠한 패턴을 형성함이 없이 상기의 조건에 의해 필름을 경화하였다. 경화된 필름을 웨이퍼로부터 벗겨내었을 때, 견고한 폴리이미드 필름이 얻어질 수 있었다는 것을 발견할 수 있었다. 또 한, 필름의 가열중에 중량 감소-개시 온도가 400℃ 또는 그 이상 이었고 이로서 필름이 또한 내열성에서 우수하다는 것을 발견할 수 있다.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 복잡한 단계와 이온성 불순물과의 오염없이 용이하게 제조될 수 있다. 또한, 물이 현상액으로 사용될 수 있으므로 환경에 전혀 영향이 없다. 또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 높은 이미지-형성성, 필름 특성 및 내열성을 가지고 있다.

Claims

적어도 한가지의 카르복실기 및 페놀성 히드록실기를 가진 알칼리- 가용성 폴리머(A), 및 광 조사로서 아민 화합물을 형성하는 화합물(B)로 이루어진 포지티브형 감광성 수지 조성물.
제1항에 있어서, 알칼리-가용성 폴리머(A)가 폴리아미드산 수지, 카르복시기 및 페놀성 히드록시기중에서 적어도 한가지를 가진 용매-가용성 폴리이미드 수지 및 페놀 노볼락 수지중에서 선택된 수지인 감광성 수지 조성물.
제1항에 있어서, 알칼리-가용성 폴리머(A)가 다음식(I)으로 표시된 반복단위를 가진 폴리아미드산 수지인 감광성 수지 조성물:

상기식에서 R¹은 한가지 또는 그 이상의 치환체를 가질 수 있는 사가 기를 나타내고, 사가 기는 다음을 포함하며,

및 그의 수소화기,

(상기식에서 A는또는또는 단일 결합을 나타내며, 각 A는 같거나 서로 다르며, R⁷및 R⁸은 서로 같거나 다를 수 있고 각각은 탄소원자 1-10개인 알킬기, 탄소 원자 3-8개인 시클로알킬기, 탄소원자 6-14개인 아릴기 또는 탄소원자 7-17개인 아르알킬기를 나타내며, s는 0 또는 1 또는 그 이상의 정수를 나타낸다), R²의 이가 기는 다음을 포함할 수 있으며;

및 그의 수소화기.

(여기서 B는 A와 동일한 의미를 가지며, 각각의 B는 같거나 다르며, R⁹및 R¹⁰은 서로 같거나 다를 수 있고 각각은 탄소원자 1-10개인 알킬렌기, 탄소원자 3-8개인 시클로알킬렌기, 탄소원자 5-14개인 아릴렌기 또는 탄소원자 7-17개인 아르알킬렌기를 나타내며, R¹¹및 R¹²는 서로 같거나 다를 수 있으며 각각 탄소원자 1-10개인 알킬기, 탄소원자 3-8개인 시클로알킬기, 탄소원자 6-14개인 아릴기 또는 탄소원자 7-17개인 아르알킬기를 나타내며, t는 1 또는 그 이상의 정수를 나타낸다.) 상기 치환체는 탄소원자 1-6개인 알릴기, 탄소원자 1-6개인 알콕시기 및 히드록실기를 포함하며; R³와 R⁴는 각각 두개의 카르보닐기 중 한가지의 오르토-위치에 존재하며 별도로 적어도 한가지가 카르복실기라는 조건하에, 수소원자 또는 카르복실기를 나타낸다.
제1항에 있어서, 알칼리-가용성 폴리머(A)가 수펑균분자량이 3,000-200,000인 감광성 수지 조성물.
제3항에 있어서, 폴리아미드산 수지가 테트라카르복실산 이무수물과 디아민의 반응 생성물인 감광성 수지 조성물.
제5항에 있어서, 테트라카르복실산 이무수물이 산 성분의 일부로서 다음식으로 표시된 방향족 테트라카르복실산 이무수물 또는 그의 수소화 화합물로 이루어진 감광성 수지 조성물:

상기식에서 R⁷과 R⁸은 서로 같거나 다를 수 있으며 각각은 탄소원자 1-10개인 알킬기, 탄소원자 3-8개인 시클로알킬기, 탄소원자 6-14개인 아릴기 또는 탄소원자 7-17개인 아르알킬기를 나타내며 s는 0 또는 1 또는 그 이상의 정수를 나타낸다.
제5항에 있어서, 테트라카르복실산 이무수물이 산 성분의 일부로서 다음식(IV)으로 표시된 지방족고리 테트라카르복실산 이무수물중 적어도 한가지로 이루어진 감광성 수지 조성물:

및
제5항에 있어서, 디아민이 아민 성분의 일부로서, 다음식으로 표시된 디아미노 화합물 또는 식(V)의 수소화 화합물인 디아미노 화합물로 이루어진 감광성 수지 조성물:

상기식에서 R⁹와 R¹⁰은 서로 같거나 다를 수 있으며 각각은 탄소원자 1-10개인 알킬렌기, 탄소원자 3-8개인 시클로알킬렌기, 탄소원자 6-14개인 아릴렌기 또는 탄소원자 7-17개인 아르알킬렌기를 나타내며; R¹¹과 R¹²는 서로 같거나 다를 수 있고 각각 탄소원자 1-10개인 알킬기, 탄소원자 3-8개인 시클로알킬기, 탄소원자 6-14개인 아릴기 또는 탄소원자 7-17개인 아르알킬기를 나타내며; t는 1 또는 그 이상의 정수를 나타낸다.
제5항에 있어서, 디아민이 히드록실기-함유 디아민 화합물인 감광성 수지 조성물.
제1항에 있어서, 화합물(B)이 다음식으로 표시된 화합물인 감광성 수지 조성물:

상기식에서 R⁵는 방향족 고리기를 나타내고; R⁶는 수소원자 또는 탄소원자 1-6개인 알킬기를 나타내며; X는 탄소원자 1-10개인 알릴기, 탄소원자 1-10개인 알콕시기, 할로겐 원자, 니트로기 또는 시아노기를 나타내며, Y는 탄소원자 1-10개인 알킬기, 탄소원자 3-8개인 시클로알킬기, 탄소원자 7-17개인 아르알킬기 또는 탄소원자 1-10개인 히드록시알킬기를 나타내며; n은 1 내지 5의 정수를 나타내며, m이 2 또는 그 이상일 때, X는 같거나 서로 다를 수 있다.
제10항에 있어서, R⁵가 벤젠, 나프탈렌 또는 안트라센 고리인 감광성 수지 조성물.
제10항에 있어서, 화합물(B)이 다음중에서 선택된 화합물인 감광성 수지 조성물:

및
제1항에 있어서, 폴리머(A)를 기초로 화합물(B) 1-250중량%로 이루어진 감광성 수지 조성물.
제5항에 있어서, 무수 테트라카르복실산이 피로멜리트산 이무수물, 3,3′,4,4′-벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 3,3′,4,4′-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 2,3,5,6-피리딘테트라카르복실산 이무수물, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 3,4,9,10-퍼릴렌테트라카르복실산 이무수물, 4,4′-술포닐디프탈산 이무수물, m-테르페닐-3,3″,4,4″-테트라카르복실산 이무수물, p-테르페닐-3,3″,4,4″-테트라카르복실산 이무수물, 4,4′-옥시디프탈산 무수물, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2,2-비스(2,3- 또는 3,4-디카르복시페닐)프로판 이무수물, 2,2-비스(2,3-또는 3,4-디카르복시페닐)프로판 이무수물, 2,2-비스[4-(2,3-또는 3,4-디카르복시페녹시)페닐]프로판 이무수물 및 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2,2-비스[4-(2,3- 또는 3,4-디카르복시페녹시)페닐]프로판 이무수물중에서 선택된 적어도 한가지인 감광성 수지 조성물.
제5항에 있어서, 디아민이 p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, p-크실일렌디아민, m-크실일렌디아민, 1,5-디아미노나프탈렌, 3,3′-피메틸벤지딘, 3,3′-디메톡시벤지딘, 4,4′-(또는 3,4′-, 3,3′-, 2,4′- 또는 2,2′ -)디아미노디페닐메탄, 4,4′-(또는 3,4′-, 3,3′-, 2,4′- 또는 2,2′ -)디아미노디페닐에테르, 4,4′-(또는 3,4′-, 3,3′-, 2,4′- 또는 2,2′ -)디아미노디페닐술폰, 4,4′-(또는 3,4′-, 3,3′-, 2,4′- 또는 2,2′ -)디아미노페닐술파이드, 4,4′-벤조페논디아민, 4,4′-디(4-아미노페녹시)페닐술폰, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2,2-비스(4-아미노페닐)프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 3,3′-디메틸-4,4′-디아미노디페닐메탄, 3,3′,5,5′-테트라메틸-4,4′-디아미노디페닐메탄, 4,4′-디(3-아미노페녹시)페닐술폰, 3,3′-디아미노디페닐술폰 및 2,2-비스(4-아미노페닐) 프로판중에서 선택된 적어도 한가지인 감광성 수지 조성물.
제10항에 있어서, 알칼리-가용성 폴리머(A)가 무수 테트라카르복실산 및 디아민의 반응 생성물인 폴리아미드산 수지인 감광성 수지 조성물.
제16항에 있어서, 무수 테트라카르복실산이 피로멜리트산 이무수물, 3,3′,4,4′-벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 3,3′,4,4′-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 2,3,5,6-피리딘테트라카르복실산 이무수물, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 3,4,9,10-퍼릴렌테트라카르복실산 이무수물, 4,4′-술포닐디프탈산 이무수물, m-테르페닐-3,3″,4,4″-테트라카르복실산 이무수물, p-테르페닐-3,3″,4,4″-테트라카르복실산 이무수물, 4,4′-옥시디프탈산 무수물, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2,2-비스(2,3- 또는 3,4-디카르복시페닐)프로판 이무수물, 2,2-비스(2,3- 또는 3,4-디카르복시페닐)프로판 이무수물, 2,2-비스[4-(2,3-또는 3,4-디카르복시페녹시)페닐]프로판 이무수물 및 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2,2-비스[4-(2,3- 또는 3,4-디카르복시페녹시)페닐]프로판 이무수물중에서 선택된 적어도 한가지인 감광성 수지 조성물.
제16항에 있어서, 디아민이 p-페닐렌디아민, n-페닐렌디아민, p-크실일렌디아민, m-크실일렌디아민, 1,5-디아미노나프탈렌, 3,3′-디메틸벤지딘, 3,3′-디메톡시벤지딘, 4,4′-(또는 3,4′-, 3,3′-, 2,4′- 또는 2,2′ -)디아미노디페닐메탄, 4,4′-(또는 3,4′-, 3,3′-, 2,4′- 또는 2,2′ -)디아미노디페닐 에테르, 4,4′-(또는 3,4′-, 3,3′-, 2,4′- 또는 2,2′ -)디아미노디페닐술폰, 4,4′-(또는 3,4′-, 3,3′-, 2,4′- 또는 2,2′ -)디아미노페닐술파이드, 4,4′-벤조페논디아민, 4,4′-디(4-아미노페녹시)페닐술폰, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2,2-비스(4-아미노페닐)프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 3,3′-디메틸-4,4′-디아미노디페닐메탄, 3,3′,5,5′-테트라메틸-4,4′-디아미노디페닐메탄, 4,4′-디(3-아미노페녹시)페닐술폰, 3,3′-디아미노디페닐술폰 및 2,2-비스(4-아미노페닐) 프로판중에서 선택된 적어도 한가지인 감광성 수지 조성물.
제12항에 있어서, 알칼리-가용성 폴리머(A)가 무수 테트라카르복실산 및 디아민의 반응 생성물인 폴리아미드산 수지이며, 무수 테트라카르복실산이 피로멜리트산 이무수물, 3,3′,4,4′-벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 3,3′,4,4′-비페닐테트라카트복실산 이무수물, 1,2,5,5-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복실산 무수물, 2,3,5,6-피리딘테트라카르복실산 이무수물, 1,4,5,8-나프탈렌 테트라카르복실산 이무수물, 3,4,9,10-퍼릴렌테트라카르복실산 이무수물, 4,4′-술포닐디프탈산 이무수물, m-테르페닐-3,3″,4,4″-테트라카르복실산 이무수물, p-테르페닐-3,3″,4,4″-테트라카르복실산 이무수물, 4,4′-옥시 디프탈산 무수물, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2,2-비스(2,3- 또는 3,4-디카르복시페닐)프로판 이무수물, 2,2-비스(2,3- 또는 3,4-디카르복시페닐)프로판 이무수물, 2,2-비스[4-(2,3- 또는 3,4-디카르복시페녹시)페닐]프로판 이무수물 및 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2,2-비스[4-(2,3- 또는 3,4-디카르복시페녹시)페닐]프로판 이무수물중에서 선택된 적어도 한가지이고, 디아민이 p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, p-크실일렌디아민, t-크실일렌디아민, 1,5-디아미노나프탈렌, 3,3′-디메틸벤지딘, 3,3′-디메톡시벤지딘, 4,4′-(또는 3,4′-, 3,3′-, 2,4′- 또는 2,2′ -)디아미노디페닐메탄, 4,4′-(또는 3,4′-, 3,3′-, 2,4′- 또는 2,2′ -)디아미노디페닐에테르, 4,4′-(또는 3,4′-, 3,3′-, 2,4′- 또는 2,2′ -)디아미노디페닐술폰, 4,4′-(또는 3,4′-, 3,3′-, 2,4′- 또는 2,2′ -)디아미노페닐 술파이드, 4,4′-벤조페논디아민, 4,4′-디(4-아미노페녹시)페닐술폰, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2,2-비스(4-아미노페닐)프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 3,3′-디메틸-4,4′-디아미노디페닐메탄, 3,3′,5,5′-테트라메틸-4,4′-디아미노디페닐메탄, 4,4′-디(3-아미노페녹시)페닐술폰, 3,3′-디아미노디페닐술폰 및 2,2-비스(4-아미노페닐)프로판중에서 선택된 적어도 한가지인 감광성 수지 조성물.