KR0139271Y1

KR0139271Y1 - Microwave oven

Info

Publication number: KR0139271Y1
Application number: KR2019930015580U
Authority: KR
Inventors: 성연학
Original assignee: 김광호; 삼성전자주식회사
Priority date: 1993-08-13
Filing date: 1993-08-13
Publication date: 1999-03-20
Also published as: KR950006853U

Abstract

본 고안은 마이크로파에 의해 조리등을 행하는 고주파 가열장치에 관한 것으로 일측에 개구부가 형성된 캐비티와, 상기 캐비티내로 마그네트론에서 발진된 마이크로파를 전송하는 도파관을 갖춘 고주파 가열장치에 있어서, 상기 캐비티(1)에 형성된 개구부(1a)에는 캐비티(1)내에서 도파관(3)내로 역유입되는 반사파의 량을 제어하는 반사파 제어수단(10)이 설치된 것으로 저부하에서의 출력 및 효율을 증대시킬 뿐만 아니라 반사파가 마그네트론에 미치는 영향을 최소화 할 수 있게 된다.The present invention relates to a high frequency heating apparatus for cooking and cooking by microwaves, the high frequency heating apparatus having a cavity having an opening formed at one side, and a waveguide for transmitting microwaves oscillated at the magnetron into the cavity, wherein the cavity (1) The formed opening 1a is provided with reflection wave control means 10 for controlling the amount of the reflected wave flowing back into the waveguide 3 in the cavity 1, which not only increases the output and efficiency at low load but also affects the magnetron. The impact can be minimized.

Description

High frequency heater

제1도는 종래의 고주파 가열장치를 나타내는 결합단면도1 is a cross-sectional view showing a conventional high frequency heating apparatus

제2도는 종래 고주파 가열장치에 있어서 도파관의 개구부구조를 나타내는 도면2 is a view showing the opening structure of the waveguide in the conventional high frequency heating apparatus

제3도는 본 고안에 따른 고주파 가열장치를 나타내는 일부 절개 사시도Figure 3 is a partially cut perspective view showing a high frequency heating apparatus according to the present invention

제4도는 본 고안에 따른 고주파 가열장치에 있어서 도파관의 개구부구조를 나타내는 도면4 is a view showing the opening structure of the waveguide in the high frequency heating apparatus according to the present invention

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

1: 캐비티 1a : 개구부1: cavity 1a: opening part

3 : 도파관 10 : 반사파 제어수단3: waveguide 10: reflected wave control means

11a, 11b : 차폐부 12 : 차폐봉11a, 11b: shield 12: shield rod

A : 피가열물 a : 간격A: heated object a: interval

본 고안은 마이크로파에 의해 피가열물을 가열시켜 조리를 행하는 고주파 가열장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 도파관내로 진행된 마이크로파가 캐비티내로 입사된후 다시 도파관내로 유입될 때 반사파의 량을 제어하여 마그네트론으로 전달되는 반사파의 영향을 최소화함과 동시에 저부하에서의 효율을 향상시킬 수 있도록 된 고주파 가열장치에 관한 것이다.The present invention relates to a high frequency heating apparatus for cooking by heating a heated object by microwaves, and more particularly, when a microwave that has been advanced into the waveguide is introduced into the cavity and then introduced into the waveguide, the amount of reflected wave is controlled to the magnetron. The present invention relates to a high frequency heating apparatus capable of improving the efficiency at low load while minimizing the influence of the reflected wave.

종래의 고주파 가열장치는 제1도에 도시한 바와 같이 캐비티(1)의 일측에는 마그네트론(2)에서 발진된 마이크로파를 선단에 형성된 개구부(1a)를 통하여 상기 캐비티(1)내로 전송하는 도파관(3)이 형성되어 있고, 상기 캐비티(1)의 하측에는 구동수단(4)의 작동에 따라 회전되는 트레이(5)가 설치되어 있으며, 상기 트레이(5)상에는 피가열물(A)이 놓여져 있다.In the conventional high frequency heating apparatus, as shown in FIG. 1, the waveguide 3 which transmits the microwaves oscillated from the magnetron 2 to one side of the cavity 1 through the opening 1a formed at the tip thereof. ) Is formed, a tray 5 which is rotated in accordance with the operation of the driving means 4 is provided below the cavity 1, and a heated object A is placed on the tray 5.

따라서, 상기 마그네트론(2)에서 마이크로파가 발진되면 도파관(3)내를 따라 전송된 후 개구부(1a)를 통하여 캐비티(1)내로 조사되어져 피가열물(A)에 전달됨으로써 조리를 행하게 되며, 상기 피가열물(A)는 구동수단(4)의 작동에 따라 회전되는 트레이(5)에 의해 회전됨으로써 개구부(1a)를 통과한 마이크로파가 균일하게 피가열물(A)에 조사되어 진다.Therefore, when the microwave is oscillated in the magnetron 2 is transmitted along the inside of the waveguide 3 and irradiated into the cavity 1 through the opening 1a to be delivered to the heated object A to cook. The object to be heated (A) is rotated by the tray (5) rotated in accordance with the operation of the drive means 4, the microwaves passing through the opening (1a) is uniformly irradiated to the object (A).

그런데, 제2도에 도시한 바와 같이 직사각형상의 개구부(1a)를 통과하여 상기 캐비티(1)내로 조사도니 마이크로파는 그 대부분이 피가열물(A)에 흡수되어 가열을 행하지만 그 일부분은 다시 반사되어 개구부(1a)를 통하여 도파관(3)내로 역유입됨으로써 마그네트론(2)을 가열시키는 등의 악영향을 미칠 뿐만 아니라 반사파와 입사되는 마이크로파의 간섭에 의해 출력을 저하시키고, 특히 반사파의 량이 많이 형성되는 저부하의 피가열물일 경우에는 반사파에 의한 악영향이 매우 심각하게 되는 등의 여러가지 문제점이 있었다.By the way, as shown in FIG. 2, the microwave is irradiated through the rectangular opening 1a into the cavity 1, and most of the microwave is absorbed by the heated object A to be heated, but a part of it is reflected again. And backflow into the waveguide 3 through the opening 1a not only adversely affect the heating of the magnetron 2, but also reduce the output by interference of the reflected wave and the incident microwaves, and in particular, a large amount of the reflected wave is formed. In the case of a low-loaded heated object, there are various problems such as adverse effects caused by reflected waves become very serious.

본 고안은 상기한 바와 같은 종래기술의 문제점들을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 고안의 목적은 도파관내로 역유입되는 반사파의 량을 제어하여 마그네트론에 미치는 악영향을 최소화함과 동시에 마이크로파의 출력을 증대시키고, 특히 저부하에서의 효율을 증대시킬 수 있는 고주파 가열장치를 제공하는데 있다.The present invention has been made to solve the problems of the prior art as described above, the object of the present invention is to control the amount of reflected wave flowing back into the waveguide to minimize the adverse effect on the magnetron and at the same time increase the output of the microwave In particular, the present invention provides a high frequency heating apparatus capable of increasing efficiency at low loads.

이와 같은 목적을 실현하기 위하여 이루어진 본 고안에 따른 고주파 가열장치는 일측에 개구부가 형성도니 캐비티와, 상기 캐비티내로 마그네트론에서 발진된 마이크로파를 전성하는 도파관을 갖춘 고주파 가열장치에 있어서, 상기 캐비티에 형성된 개구부에는 캐비티내에서 도파관내로 역유입되는 반사파의 량을 제어하는 반사파 제어수단이 설치된 것으로 저부하에서의 출력 및 효율을 증대시킬 뿐만 아니라 반사파가 마그네트론에 미치는 영향을 최소화할 수 있게 되는 것을 특징으로 한다.In the high frequency heating apparatus according to the present invention made to achieve the above object, in the high frequency heating apparatus having a cavity having an opening formed on one side, and a waveguide for conducting microwaves oscillated in the magnetron into the cavity, the opening formed in the cavity It is characterized in that the reflected wave control means for controlling the amount of the reflected wave flowing back into the waveguide in the cavity is not only to increase the output and efficiency at low load, but also to minimize the effect of the reflected wave on the magnetron.

이하, 본 고안의 바람직한 실시예를 첨부된 도면 제3도 및 제4도에 따라서 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 3 and 4.

도면 제3도는 본 고안에 따른 고주파 가열장치를 나타내는 일부절개 상태의 부분 사시도이고, 제4도는 본 고안의 요부인 개구부를 나타내는 도면으로서 종래의 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일명칭 및 동일부호를 병기하여 상세한 설명을 생략한다.Figure 3 is a partial perspective view of a partially cut state showing a high frequency heating apparatus according to the present invention, Figure 4 is a view showing the opening of the main portion of the present invention with the same name and the same reference numerals for the same configuration as the conventional configuration Detailed description will be omitted.

도면에서 캐비티(1)의 일측에는 마그네트론(2)의 발진에 따른 마이크로파를 전송시키는 도파관(3)이 형성되어 있고, 상기 도파관(3)의 선단, 즉 캐비티(1)의 상측에는 마이크로파가 통과되도록 개구부(1a)를 형성하고 있으며, 이 개구부(1a)는 상기 도파관(3)과 접속되어 상기 마그네트론(2)에서 발진된 마이크로파가 상기 개구부(1a)를 통하여 캐비티(1)내로 조사되어 진다.In the drawing, a waveguide 3 for transmitting microwaves according to the oscillation of the magnetron 2 is formed at one side of the cavity 1, and the microwaves pass through the tip of the waveguide 3, that is, the upper side of the cavity 1. An opening 1a is formed, and the opening 1a is connected to the waveguide 3 so that microwaves oscillated in the magnetron 2 are irradiated into the cavity 1 through the opening 1a.

상기 개구부(1a)내에는 캐비티(1)내에서 역유입되는 반사파의 제어가 가능하도록 반사파 제어수단(10)이 형성되어 있으며, 상기 반사파 제어수단(10)은 제4도에 도시한 바와 같이 개구부(1a)에서 대각선 방향으로 마주하는 차폐부(11a)(11b)가 연장 형성되어 있다.Reflecting wave control means 10 is formed in the opening 1a to control the reflected wave flowing back into the cavity 1, and the reflected wave control means 10 is formed as shown in FIG. In 1a, shielding parts 11a and 11b facing in the diagonal direction are formed to extend.

이때, 상기 차폐부(11a)(11b)의 마주하는 거리(a)는 반사파의 량이 일정하게 통과되도록 관내파장(λg)의 1/2을 벗어나지 않는 범위로 형성됨이 더욱 바람직하다.At this time, the distance (a) facing the shielding portion (11a) (11b) is more preferably formed in a range not to deviate 1/2 of the tube wavelength (λg) so that the amount of the reflected wave is passed through.

또, 상기 개구부(1a)내에는 횡방향으로 다수의 차폐봉(12)이 일정간격을 두고 고정설치되어 있으며, 상기 차폐봉(12)은 금속재로 형성됨이 바람직하고, 그 간격은 도파관(3)내의 전계세기에 따라 가변될 수도 있다.In addition, a plurality of shielding rods 12 are fixedly installed at a predetermined interval in the transverse direction in the opening portion 1a, and the shielding rods 12 are preferably formed of a metal material, and the interval thereof is the waveguide 3. It may vary depending on the electric field strength within.

다음에 이와 같이 구성된 본 고안에 따른 고주파 가열장치의 작용 및 효과를 상세히 설명한다.Next, the operation and effects of the high frequency heating apparatus according to the present invention configured as described above will be described in detail.

먼저, 마그네트론(2)에서 발진된 마이크로파가 도파관(3)내로 전송되어 개구부(1a)를 통하여 캐비티(1)내로 조사되면 피가열물(A)이 가열되어져 조리가 이루어진다.First, when the microwaves oscillated from the magnetron 2 are transmitted into the waveguide 3 and irradiated into the cavity 1 through the opening 1a, the heated object A is heated to cook.

그리고, 상기 캐비티(1)내로 조사된 마이크로파의 대부분은 피가열물(A)에 흡수되어 가열을 행하게 되며, 피가열물(A)에 흡수되지 않은 나머지의 마이크로파는 반사파로 되어 상기 개구부(1a)를 통하여 다시 도파관(3)내로 역유입되어 진다.Most of the microwaves irradiated into the cavity 1 are absorbed by the heated object A to be heated, and the remaining microwaves which are not absorbed by the heated object A become reflected waves to form the opening 1a. Back through the waveguide (3).

이때, 상기 캐비티(1)내에서 반사되는 반사파중 전계방향이 수직인 마이크로파는 반사파 제어수단(10)에 의해 그 일부가 차폐되어져 일정량의 반사파만이 도파관(3)내로 유입되어 진다.At this time, a part of the reflected waves reflected in the cavity 1 whose vertical electric field is perpendicular is shielded by the reflected wave control means 10 so that only a certain amount of reflected waves are introduced into the waveguide 3.

따라서, 상기 캐비티(1)내의 피가열물(A)이 소량인 경우, 즉 특성 임피던스가 저부하인 경우에는 반사파의 량이 많게 되는데, 이때에도 상기 반사파 제어수단(10)인 차폐부(11a)(11b) 및 다수의 차폐봉(12)에 의해 일정량의 반사파만이 도파관(3)내로 유입됨으로써 부하값에 관계없이 마그네트론(2)에 전달되는 반사파의 량이 일정하게 되어 반사파에 의한 영향을 최소화할 수 있게 된다.Therefore, when the heated object A in the cavity 1 is a small amount, that is, when the characteristic impedance is a low load, the amount of the reflected wave becomes large. In this case, the shield 11a, which is the reflected wave control means 10 ( 11b) and a plurality of shielding rods 12 introduce only a certain amount of reflected waves into the waveguide 3 so that the amount of reflected waves transmitted to the magnetron 2 is constant regardless of the load value, thereby minimizing the influence of the reflected waves. Will be.

상술한 바와 같이 본 고안에 따른 고주파 가열장치에 의하면 캐비티내에서 도파관으로 역유입되는 반사파의 량을 제어하여 특히 저부하에서의 출력 및 효율을 증대시킬 뿐만 아니라 반사파가 마그네트론에 미치는 영향을 최소화할 수 있는 여러가지 효과를 갖는다.As described above, according to the high frequency heating apparatus according to the present invention, the amount of reflected wave flowing back into the waveguide in the cavity can be controlled to increase the output and efficiency, especially at low load, and to minimize the influence of the reflected wave on the magnetron. Has an effect.

Claims

In a high frequency heating apparatus having a cavity in which a rectangular opening is formed at one side, and a waveguide for transmitting microwaves oscillated from a magnetron into the cavity, the rectangular opening 1a formed in the cavity 1 has a predetermined corner at a diagonal edge thereof. Shielding portions 11a and 11b are formed at intervals a, and a plurality of shielding rods 12 are fixedly installed at predetermined intervals in a rectangular side direction at an inner side thereof, and a waveguide ( 3) High frequency heating device characterized by controlling the amount of reflected wave flowing back into

2. The high frequency heating apparatus according to claim 1, wherein the shielding portions (11a) (11b) have a distance (a) facing each other less than 1/2 of the wavelength in the tube (λg).