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KR0143751B1 - 침지형 기판처리장치 - Google Patents

침지형 기판처리장치

Info

Publication number
KR0143751B1
KR0143751B1 KR1019940032580A KR19940032580A KR0143751B1 KR 0143751 B1 KR0143751 B1 KR 0143751B1 KR 1019940032580 A KR1019940032580 A KR 1019940032580A KR 19940032580 A KR19940032580 A KR 19940032580A KR 0143751 B1 KR0143751 B1 KR 0143751B1
Authority
KR
South Korea
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processing
processing liquid
tank
liquid supply
supply pipe
Prior art date
Application number
KR1019940032580A
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English (en)
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KR950021165A (ko
Inventor
마사후미 가와타니
고오조오 데라시마
하지메 시라카와
Original Assignee
이시다 아키라
다이닛뽕 스크린 세이조오 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이시다 아키라, 다이닛뽕 스크린 세이조오 가부시키가이샤 filed Critical 이시다 아키라
Publication of KR950021165A publication Critical patent/KR950021165A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0143751B1 publication Critical patent/KR0143751B1/ko

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Abstract

보지로드가 처리조의 저면 근처의 처리조내에 배치된다. 보지로드는 2개의 처리액 공급관 사이의 처리조의 저부중앙부에 위치한다. 보지로드는 격막체수단으로 이용하므로서, 처리조의 저면을 따라 처리조의 저중앙부를 향해서 분출하는 분출공에서의 처리액이 보지로드에 부딪쳐서, 상방으로 그 방향을 바꾸어 처리조 내에서 균일하게 순환하기 시작한다.

Description

침지형 기판처리장치
제1도는 본 발명의 제1실시예에 대한 침지형 기판처리장치의 주요부를 나타내는 도면.
제2도는 본 발명의 제1실시예와 같은 장치 주위의 일부와 처리액 액공급관의 일부수직 단면도.
제3도는 본 발명의 제1실시예의 기판홀더의 측면도.
제4도는 본 발명의 제1실시예의 기판홀더의 사시도.
제5도는 본 발명의 침지형 기판처리장치의 처리액 공급장치의 구조를 나타내는 도면.
제6도는 본 발명의 제1실시예에서 처리액 공급관에서 분출된 처리액의 흐름을 나타내는 도면.
제7도는 본 발명의 제2실시예에 대한 침지형 기판처리장치의 주요부를 나타내는 도면.
제8도는 본 발명의 제2실시예에서 처리액 공급관에서 분출된 처리액의 흐름을 나타내는 도면.
제9도는 본 발명의 제3실시예에 대한 침지형 기판처리장치의 주요부를 나타내는 도면.
제10도는 단일층구조의 처리액 공급관에서 분출된 처리액의 분출속도의 변화를 나타내는 도면.
제11도는 본 발명의 제1실시예의 처리액 공급관의 장치의 외관을 나타내는 도면.
제12도는 제2도의 처리액 공급관에서 분출된 처리액의 제트류의 분출속도의 균등화를 나타내는 도면.
제13a도는 및 제13b도는 처리액 공급관에서 처리액의 흐름을 나타내는 도면.
제14도는 유로 폭에 대한 분출폭을 그린 그래프.
제15도는 내부관의 편심에 대한 분출폭을 그린 그래프.
제16a도 및 제16b도는 다른 실시예의 처리액 공급관의 각각의 수평단면도 및 측면도.
제17a,17b도 및 제17c도는 주분출공의 변형을 나타내는 도면.
제18도는 내부관의 편심과 분출폭 및 슬릿수 사이의 관계를 나타내는 그래프.
제19도는 5개의 짧은 슬릿에 의해 각각 형성된 분출공에서 분출된 처리액의 흐름을 나타내는 도면.
제20도는 다른 구성의 주분출공의 도면.
제21도는 또다른 구성의 주분출공의 도면.
제22도는 또다른 구성의 처리액 공급관의 정면도.
제23도는 종래 침지형 기판처리장치의 주요부를 나타내는 수직단면도.
제24도는 종래 침지형 기판처리장치의 처리액 공급관에서 분산된 처리액의 흐름을 나타내는 도면이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
2:처리액 10:침지형 기판처리장치
11:처리조 11b:저면
11c:돌출부 12:처리액 공급관
15:주분출공 17:기판보지홀더
20:보지로드 23:플레이트부재
CR:저중앙부
본 발명은 반도체 기판과 포토마스크용 글라스기판(이 후 간단히 기판이라 한다)과 같은 박판 모양의 플레이트기판을 처리하기 위한 침지형 기판처리장치에 관한 것이다. 본 발명은 또한 기판이 침지되는 처리조에서 처리액의 흐름을 제어하는 방법에 관한 것이다.
제23도는 종래의 침지형 기판처리장치의 주요부를 나타내는 수직단면도이다.
처리조(1)에는 세정액 및 화학액(이 이후 간단히 처리액이라 한다)과 같은 처리액(2)으로 채워져 있다. 기판(3)의 아래 가장자리에는 제23도의 평면에 수직방향으로 연장된 3개의 기판보지대(7)의 가이드홈(7a)으로 삽입되어 있어서 기판(3)은 기판보지대(7)에 의해 상방으로 보지되어 있다. 기판보지대(7)에 의해 보지되어, 기판(3)은 처리액(2)로 침지되어서 기판(3)의 표면에 소정의 처리가 행해진다.
처리액 공급관(4)는 처리조(1)내의 기판(3) 아래에 배치된다. 처리액 공급관(4)는 제23도의 평면에 수직방향으로 처리조(1)의 측벽에서 바깥으로 처리조(1)를 관통하여 처리조(1)의 관통공에서 액이 새지않게 고정된다.
처리액 공급관(4)는 단층관이다. 각 처리액 공급관(4)의 측면상에 복수의 액분출공(5)이 기판(3)의 거의 중앙부 쪽으로 제23도의 평면에 수직방향의 소정의 간격으로 열지어 형성된다. 소정의 처리액(2)는 처리조(1)에 외부에 배치된 처리액 공급장치(도시되지 않음)에서 처리액관(4)로 공급된다. 처리액(2)은 기판(3)쪽으로 분출공(5)에서 흘러나오게 된다.
처리액(2)의 제트류가 기판(3) 표면상의 위쪽으로 흘러서, 처리액(2)은 처리조(1)의 주변에 외부에서 부착된 외부조(6)에 의해 수집되도록 처리조(1)의 가장자리(1a) 위로 넘쳐흐른다. 그래서 수집된 처리액(2)은 배관(6a)을 통해서 배수된다.
이러한 방법에서는 기판(3)의 표면은 아래위로 세차게 흐르는 처리액(2)에 의해 처리조(1)에서 처리되면, 처리액은 처리조의 가장자리를 넘쳐흐른다(오버흘러워방법). 항상 처리액(2)의 신선한 공급이 있기 때문에 처리시간이 짧아진다.
그러나, 오버흘러워 방법은 상술한 대로 침지형 기판처리장치로 처리액을 공급하는데 제한적이다. 즉, 처리조(1)내로 처리액 공급관(4)을 통해서 공급되는 처리액(2)중 약간이 어떤 특별영역에 머문다. 불편하게도 이 특별영역만으로 처리액(12)을 새롭게 공급할 수 없다(처리액(2)이 머무는 그러한 특별한 영역을 이 이후는 체류역이라고 한다).
제24도는 처리조(1)의 중앙부의 단면에서 처리액(2)의 흐름을 나타내는 도면이다.
분출공(5)에서 분출된 처리액(2)의 제트류는 기판(3)의 중앙 부근에서 충돌해서 좌우로 나뉘어, 일부는 가장자리(1a)에서 흘러나옴과 동시에 나머지는 처리조(1)측면의 내벽에 따라 아래로 흘러서 순환하면서 결국은 가장자리(1a)로 흘러나온다.
좌우의 처리액 공급관(4)의 중간에는 처리액(2)의 분출류에 의해 아래 방향으로 회전이 생겨, 완만하게 순환하는 체류와(2a,2b)가 생긴다. 이 영역에 직접 공급되는 처리액(2)이 많지 않으므로, 체류와(2a,2b)는 체류역(A)으로 된다.
처리액 공급관(4)에서 공급되는 처리액(2)이 아미리 많아도, 체류역(A)으로 처리액(2)의 새로운 공급이 거의 일어나지 않는다. 이것이 처리액(2)이 같은 영역에 순환하여 머물게 하는 것이다. 그러므로, 기판(3)의 표면처리에서 생긴 파티클과 중금속 등의 이물(이하 간단히 이물이라 한다)이 해당 체류역(A)에 섞여들고, 이물이 가장자리(1a)상이 처리조(1)의 바깥으로 제트류에 의해 배출되지 않는다. 그 대신에 해상 체류역(A)내에 영원히 머물게 된다.
이 체류역(A)에 있는 이물이 기판(3)의 표면에 재부착하여, 기판의 처리정도를 열화시키는 원으로 되어 있다.
이 종래의 방법은 또다른 문제가 있다. 분출공(5)에서 분출된 처리액(2)의 양은 좌우 처리액 공급관(4) 사이에서 때때로 다르다. 이 차가 크면 다른 체류역(A)이 형성되고 상기와 같은 문제를 발생한다.
본 발명의 제1특성에 있어서, 처리액에 기판을 침지시키는 것에 의해 상기 기판의 표면처리를 행하는 침지형 기판처리장치는 처리액을 담는 저면을 가지는 처리조와, 서로 일정간격을 띄워서 평형한 상태로 상기 처리조의 저부 근방 위치에 병렬로 설치되며, 처리액을 상기 처리조의 상기 저부와 거의 평행으로 또는 상기 저부로 향해서 분출하기 위한 각각의 긴 방향 측면에 형성된 분출공을 가지는 2개의 처리액 공급관과, 처리액 공급관에 처리액을 공급하기 위한 처리조의 외부에 설치된 처리액 공급수단과, 상기 처리조의 상기 저부근방에 또 상기 처리액 공급관으로 에워싸인 저중앙부에 배치된 격벽체 수단을 구비하고, 상기 격벽체가 상기 분출공에서 분출된 처리액의 흐름방향을 상방향으로 바꾸도록 구성되어 있다.
또, 본 발명의 제1의 특성은 분출공에서 분출된 처리액이 처리조의 저면과 근접하고, 처리액 공급관들 사이에 있는 저중앙부로 향해서 처리조의 저면을 따라서 흐른다. 처리액은 격벽체 수단에 부딪치게 되어 격벽체 수단에서 회전하여 처리조 내에서 균일하게 순환을 시작한다.
본 발명의 제2의 특성은 처리액 공급관은 외부관과 다층 관구조를 가지는 외부관 내에 삽입된 적어도 하나의 내부관을 각각 포함하고, 상기 분출공을 주분출공으로 외부관 내에 형성되며, 적어도 하나의 내부관은 그 측면에 부분출공을 포함하고, 적어도 하나의 내부관 내에 형성된 부분출공의 개구위상이 외부관 내에 형성된 주분출공의 개구위상에서 빗나가서 주 및 부분출공의 개구가 서로 정열되지 않고 처리액 공급수단이 처리조 안으로 처리액을 공급하는 처리액 공급관의 가장내부의 내부관에 연결된다.
본 발명은 저면을 가진 처리조에서 처리액의 흐름을 제어하는 방법에 관한 것으로, 다음의 스텝으로 구성된다. 처리조 내에 서로 평행으로 되고 소정의 거리만큼 서로 떨어지고 처리액을 분출하기 위한 분출공을 가지는 두개의 처리액 공급관을 설치하고, 처리조의 저면앞으로 또는 거의 평행으로 처리액을 분출하는 처리액 공급관으로 처리액을 공급하며, 처리조 내에서 저면에 격막체수단을 설치하고, 처리액이 상방향으로 흐르도록 격막수단에 의해 분출공에서 분출되는 처리액의 방향을 바꾸는 스텝으로 구성된다.
따라서, 본 발명의 목적은 처리조 내에 가능한한 거의 체류역을 거의 만들지 않는 침지형 기판처리장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 처리액의 초기흐름이 균일한 침지형 기판처리장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 처리액이 처리조 내에서 균등하게 순환되도록 해서 체류역이 생기지 않게한 침지형 기판처리장치 내의 처리액의 흐름을 제어하는 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 특성과 목적, 구조와 잇점은 첨부된 도면과 함께 발명의 자세한 설명으로부터 명확하게 된다.
본 발명의 실시예에 따른 기판처리용 침지용 장치는 해당도면을 참조해서 이 이후에 기술된다. 본 발명의 기술사상이 아래의 기술에 의해 제한되는 것이 아님을 주시해야 한다.
여기에 기술된 대로, 제트 분출의 개구각도의 처리액 공급관의 중앙부에 대해 제트분출의 개구의 중앙각도를 언급한다. 바꾸어 말하면, 이것은 개구단과 제17a~17c로에 나타난 바와 같은 관의 중앙점 사이를 접속하는 두개 쇄점선에 의해 구획된 각도이다. 한편, 개구위상은 처리액 공급관의 중앙부 주위에 개구각도의 상대적 위치를 말한다.
[제1실시예]
제1도는 본 발명의 제1실시예에 관한 침지형 기판처리장치의 주요부의 구성을 나타내는 도면이다.
처리조(11)는 석영으로 형성되어서, 기판(3)의 직경보다 약간 넓은 폭을 가지고 있고, 그 하방은 저부로 확장된 테이퍼 형상을 하고 있다. 또, 처리조의 저면(11b)는 그 중앙부가 약간 깊게 된 계곡모양의 단면으로 되어 있다. 처리조(11)의 구조에 대해서는 테이퍼가 없는 형상이어도 좋으나, 똑바른 측벽을 가져도 좋다.
처리조(11)의 외부에 따라 같은 석영으로 형성된 외부조(22)가 설치되어 있고 처리조(11)의 가장자리(11a)에서 넘쳐나온 처리액(2)을 이 외부조(22)로 받어서, 폐액관(22a)을 통해서 폐액 탱크(38)(제5도 참조)로 회수한다.
외부조(22)는 깊이가 깊은 조(22b)를 구비하고 있으므로, 일시적으로 처리조(11)에서 넘치는 처리액(2)의 량이 폐액관(22a)을 통과해서 폐액되는 양보다 크게 되어도 바깥조(22)에서의 오버흘로워가 생길 우려가 없다.
처리조(11)의 저면(11b)의 양귀에는 2개의 석영제의 처리액 공급관(12)이 제1도의 지면에 수직한 방향으로 용착되어 누액되지 않는 상태로 각각 고착되어 있다. 또 이들 처리액 공급관(12)은 일정간격을 띄워 거의 평행으로 배치되어 있다. 이하, 설명의 편의에서, 처리조(11)의 저면(11b) 근방에서, 2개의 처리액 공급관(12)으로 에워싼 영역(CR)을 「저중앙부」라고 칭한다.
처리액 공급관(12)은 제2의 확대단면도에 나타난 바와 같이, 외부관(13)과 그 외부관(13)내에 내부관(14)를 동심 모양으로 삽입되어 있는 2중관구조를 가지고 있고, 외부관(13)의 수평선(HL)에서 아래각도에서 경사진 방향을 중심을 한 슬릿모양의 주분출공(15)이 외부관(13)의 긴방향(제2도의 지면에 대해서 직교하는 방향)에 직교해서 복수 평행으로 설치되어 있는 한편, 내부관(14)에는 부분출공(16)이 해당 내부관(14)의 긴방향으로 소정간격으로 열지어 형성되어 있다(더 자세한 것은 후에 설명). 이 부분출공(16)은 그 개구중심이 주분출공(15)의 개구중심에서 정확히 180° 반전시킨 위치에 형성된다. 또한, 부호(VL)는 외부관(13)의 수직선이다.
이와 같이 구성된 처리액 공급관(12)에서는 제2도에 나타낸 바와 같이 내부관(14)의 부분출공(16)에서 분출된 처리액(2)이 외부관(13)의 내벽으로 일단 충돌하여, 그 충돌점(T)에서 유속이 0으로 되며, 외부관(13)의 각 주분출공(15)에 대해서 새로운 기점으로 되며, 처리액(2)이 각각의 지점에서 외부관(13)과 내부관(14)과의 사이를 경유해서 해당 주분출공(15)에서 분출된다. 그리고, 노출된 처리액은 화살표(F)에 나타난 바와 같이 처리조(11)의 저면(11b)과 거의 평행으로 또 처리액 공급관(12)으로 에워싼 저부 중앙부(CR)로 향해서 흐른다.
비록 제1실시예에서는 부분출공(16)을 복수개 내부관(14)의 긴방향으로 열지어 형성되어 있으나, 내부관(14)의 측면에 긴방향으로 신장되는 단일의 슬릿공을 설치하여, 이 슬릿공을 부분출공(16)으로해서 기능시켜도 좋다. 또, 이 실시예의 처리액 공급관(12)은 2중관구조를 가지고 있으나, 오히려 내부관(14)를 포함자지 않는 단일층관이어도 좋다. 그러나 2중관구조의 관(12)이 더 잇점이 있는 것에 주시되어야 한다. 이것에 대해서는 제1 내지 제3실시예를 기술한 후에 자세히 설명하도록 한다.
또, 제1실시예에서는 주분출공(15)에서 분출된 처리액(2)이 저면(11b)와 거의 평행으로 저중앙부(CR)로 흐르도록 하고 있으나, 주분출공(15)의 개구각도를 넓혀서 처리액 공급관(12)에서의 처리액(2)의 토출각도를 넓게 하도록 해도 좋다. 이 경우, 주분출공(15)을 수평선(HL)방향, 또는 그것보다도 상방으로 향하게 할 수 있다. 또, 처리액(2)을 저면(11b)으로 향해서 토출하도록 해도 좋고, 어느쪽의 경우도 처리액(2)는 저면(11b)을 따라서 저중앙부(CR)로 흐른다.
제1도로 돌아가서, 17은 복수의 기판(3)을 일정간격으로 수직으로 보지하기 위한 기판보지홀더이고, 서스펜딩부재(18)와 그 하부에 설치된 기판보지프레임(19)으로 구성된다. 3개의 보지로드(20,21,21)는 제1도의 평면에 수직방향으로 연장되는 기판보지프레임(19)에 부착된다. 보지로드(20,21,21)의 상면에는 등핏치(P)로 가이드홈(20a,21a,21a)이 각각 형성되며, 기판(3)은 그 하부 가장자리를 해당 가이드홈(20a,21a,21a)에 삽입하는 것에 의해 처리조(11)내에서 일단에 보지되게 된다.
제3도는 측면에서 나타난 대로 기판홀드(17)를 나타내고, 제4도는 기판홀더(17)의 부분사이도이다. 제3도에서 보지로드(20,21,21)은 베이스 보지프레임(19)에서 수평으로 연장된다. 서스펜딩 부재(18)은 복수의 처리 스테이숀 사이에서 기판홀더(17)를 반송하는 반송 메카니즘(TM)에 의해 상부에서 지지된다. 그러므로, 전송 메카니즘(TM)과 함께, 기판이 기판홀더(17)에 의해 처리조(11)에서 유지할 때 기판(3)의 제거가 가능하며 다른 위치로 기판을 반송하는 것이 가능하다. 기판을 보지 및 반송하도록 처리조(11)가 척을 수납하는데 충분히 넓을 필요가 없으므로서 보다 유용하며, 따라서 처리액(2)이 적은양 만이 필요하게 된다.
수직방향으로 측정한 대로 보지로드(21,21)사이에 위치한 보지로드(20)는 제1실시예에서 보지로드(21,21)보다 길다. 제1도에서 나타난 대로, 처리조(11)안에서 기판홀더(17)를 침지함으로써 기판(3)을 처리하는데 있어서, 보지로드(20)는 저중앙부(CR)에서 격막체 수단으로 이용한다. 즉, 저중앙부(CR)쪽으로 처리액 공급관(12)에서 공급되고, 처리액(2)의분출은 저면(11b)을 따라 흘러서 보지로드(20)의 저부에 부딪친다. 그 결과, 처리액(2)의 분출이 상방으로 회전한다. 처리액(2)의 상방류는 기판(3)의 표면위를 닦아 낸다. 가장자리(11a)상의 처리조(11) 바깥으로 약간의 상방분출이 흐르는 반면에 다른 상방분출은 처리조(11)의 측벽을 따라 하방으로 회전하고, 주분출공(15)에서 분출된 처리액(2)의 새로운 흐름에 합류한다. 그래서, 처리조(11) 내에 처리액(2)이 균일하게 순환하며 체류역이 생기지 않는다.
다른 곳에서 보다 처리액 공급관(12)중 하나에서 그 이상의 처리액이 공급되며, 저면(11b)에 따라 흐르는 처리액(2)은 항상 보지로드(20)에 부딪치고 예외없이 상방으로 회전하여 두개의 처리액 공급관에서의 제트류는 저중앙부(CR)에서 결코 서로 방해하지 않는다. 그러므로, 두개의 처리액 공급관(12) 사이의 공급량의 차이가 체류역을 만들지 않는다. 그럼에도 불구하고, 처리조(11)의 좌측 영역과 우측 영역내에서의 제트류 사이에서의 불균형이 없도록 처리액 공급관(12)의 좌우측에서의 공급량을 정확하게 제어하는 것이 물론 바람직하다.
제5도는 처리액 공급장치(30)의 구조를 나타내는 도면이다.
전기 펌프(31)는 전기자기 밸브(32)의 스위칭 동작수단에 의해 순수탱크(34) 또는 화학액탱크(33)에서 각각 화학액 또는 순수를 선택적으로 펌프해 내고, 공급튜브(37)를 통해서 각 처리액 공급관(12)의 내부관(14)으로 선택된 액을 공급한다.
처리조(11)의 바깥으로 흐르는 화학액(35) 또는 순수(36)는 외부조(22)에 의해 수집되어 폐액관(22a)를 통해서 폐액탱크(38)로 도입된다.
제어부(39)는 저기펌프(31)의 동작제어와 어떤 형태의 처리액이 공급되는가를 선택하는 전기전자밸브(32)의 동작을 제어한다.
흐름센서는 공급튜브(37)내에 배치되어도 좋다. 이 경우, 제어부(39)는 흐름센서에서 공급되는 피이드백에 의거해서 전기펌프(31)의 제어동작을 제어해서 처리액(2)의 공급이 더 정확하게 제어되게 된다. 또한, 동일한 구조을 가지는 처리액 공급관(12)이 동일량의 처리액(2)을 정확하게 공급할 수 있어도, 두개의 공급관(12)은 서로 약간 다르게 제조될 수 있으므로 흐름제어밸브는 둘중하나 또는 처리액(2)의 공급을 정밀하게 제어하기 위한 유로(37a,37b) 모두에 부착해도 좋다.
또한, 폐액탱크(38)에 의해 수집된 처리액(2)이 필터 또는 다른 적당한 수단에 의해 정화되면 재사용하는 것이 가능하여 제조경비의 감소를 기할 수 있다.
제6도는 처리액 공급관(12)를 통해서 처리액 공급장치(30)에서 처리조(11)로 공급되는 처리액(2)의 실질적인 흐름의 도면이다.
제6도에서, 주분출공(15)을 통해서 처리액 공급관(12)에서 분출된 제트처리액(2)이 보지로드(20)의 저부에 부딪쳐서 상방으로 회전한다. 그때 제트류는 기판(3)의 중앙부로 흐르고, 기판(3)의 수직중앙선에 대해 수직으로 대칭 루우트를 추적한다. 기판(3)의 전면을 균일하게 쓸어낸 후, 가장자리(11a) 상에 바깥으로 처리조(11)의 테이퍼부를 따라서 상방으로 약간의 제트류(R1)가 흐른다. 다른 제트류(R2)는 측방에서 회전하고 처리조(11)의 내부측벽을 따라서 아랫방향으로 흐른다. 그때, 제트류(R2)는 주분출공(15)에서 분출된 처리액(2)의 새로운 제트류과 합쳐지고, 저면(11b)을 따라서 보지로드(20)쪽으로 흐른다. 전처리조(11)내에서 순환하는 동안, 제트류(R2)는 가장자리(11a)상의 바깥쪽으로 결국 흘러나가게 된다. 그러므로, 제류역이 처리조 내에서 효과적으로 예방되어서 체류역에 이물이 머물지 않고 기판(3)의 표면상에 다시 부착할 가능성이 없다.
처리조(11)의 저면(11b)의 구조는 상술한 바와 같이 제한되지 않는다. 오히려 평면 또는 언덕모양이어도 좋다. 저면(11b)이 상기와 같이 구성되어도, 보지로드(20)에 대해 저면(11b)쪽이나 또는 거의 평행으로 처리액 공급관(12)에서 처리액(2)을 분출함에 의해, 처리액(2)은 상술한 바와 같이 체류역이 발생함이 없이 전처리조(11)내에서 순환하게 된다. 그 결과, 기판이 완전하게 처리하게 된다. 또한, 제1실시예에서 저면(11b)가 밸리와 같은 구조로 끝나면, 처리조(11)는 보다 적어지고 처리액(2)의 양은 저면이 평탄하거나, 언덕 같은 형태일 때 보다 덜 요구된다. 이것은 처리액 공급관(12)이 저면(11b)이 밸리와 같은 구조로 마무리될 때 저중앙부(CR) 아래에 위치하기 때문이다.
제1실시예의 처리조(11)내의 기판(3)을 보지하기 위한 기판홀더(17)는 캔틸레버식 홀더(제3도 참조)이어도, 기판홀드(17)는 2개의 서스펜딩 부재에 의해 양단에서 반송되는 보지로드(20,21,21)과 같은 홀더이어도 좋다. 또한, 기판홀드(17) 대신에 카셋트의 저면에 부착된 격막체 수단에 해당하는 부재를 가지는 정규카셋트를 사용해도 좋다. 제1실시예에서 보지로드(20)는 전송 메카니즘(TM)의 수단에 의해 처리조(11)내의 기판홀더(17)의 보지위치를 설정함에 의해 저중앙부(CR)에 위치하게 된다. 이러한 구조에 있어서, 격막체 수단으로 보지로드(20)가 기능하므로서, 장치의 구조가 단순하게 된다.
처리조(11)의 저면(11b)와 보지로드(20)의 하단부가 서로 약간 떨어져서 있는 제1도에 나타난 바와 같이 같지 않게 서로 접촉하지 않어도, 보지로드(20)와 저면(11b)의 저단부는 가능한한 서로 근접해 있고 서로 접촉하지 않는 것이 바람직하다. 보지로드(20)과 저면(11b)의 하단부가 서로 멀리 떨어질 때 처리액(2)의 흐름이 방해되지 않도록 주위를 기울려야 한다. 한편, 보지로드(20)의 하단부와 저면(11b)이 서로 접촉하면, 접촉에 의한 먼지의 발생을 피하는데 주위를 기울려야 한다.
[제2실시예]
제7도는 본 발명의 제2실시예에 따른 침지형 기판처리장치의 주요부를 나타내는 도면이다. 제7도에서, 제1실시예와 제2실시예와의 주요 차이점은 제2실시예에서 저중앙부(CR)에서의 플레이트부재(23)가 저면(11b)에서 돌출한 것이다. 그 외에는 제2실시예에서는 제1실시예와 거의 유사하며, 해당부에 배당된 유사심볼과 부호는 설명한대로 유사구조로 간주된다.
제2실시예에서 돌출플레이트부재(23)는 기판홀더(17)의 보지로드(20)과 같은 격막체 수단으로 이용된다. 그러므로, 제8도에 나타난 바와 같이, 처리액(2)은 기판(3)을 포함하는 카셋트(24)가 처리조(11)안으로 침지된 후 처리액 공급관(12)으로부터 분출될 때, 처리액 공급관(12)의 주분출공(15)에서 분출되는 처리액(2)은 플레이트부재(23)에 부딪치고 플레이트 부재에서 상방으로 회전한다. 그때 제트류는 기판(3)의 수직중앙선에 대해 수직 대칭루우트로 추적하는 기판(3)의 중앙쪽으로 흐른다. 기판(3)의 전표면위를 균일하게 닦아낸 후, 약간의 제트류(R1)는 가장자리(11a) 위의 바깥으로 처리조(11)의 테이퍼부를 따라서 상방으로 흐른다. 다른 제트류(R2)는 측방으로 회전하여 처리조(11)의 내부측벽을 따라서 아래방향으로 흐른다. 그후, 제트류(R2)는 주분출공(15)에서 분출된 처리액(2)의 새로운 제트류와 합쳐지고 저면(11b)을 따라서 보지로드(20)쪽으로 흐른다. 전처리조(11)에서 순환하면서, 제트류(R2)는 결과적으로 가장자리(11a) 위에서 바깥으로 흐른다. 그러므로, 체류역의 발생을 처리조(11)에서 효과적으로 방지되어서 이물이 체류역에 머물지 않고 또 기판(3)의 표면에 재부착될 가능성이 없어진다.
처리조(11)의 저면(11b)의 구조는 제7도에 나타난 것으로 제한되지 않고 오히려 제1실시예의 선택으로 이용될 수 있다.
또 상기 효과는 제23도의 기판보지로드(7)과 제1실시예의 기판홀더(17)가 카셋트(24) 대신에 사용될 때 확실해진다.
[제3실시예]
제9도는 본 발명의 제3실시예에 따른 침지형 기판처리장치의 주요부를 나타내는 도면이다. 제3실시예의 처리조(11)의 저면(11b)은 저중앙부(CR)에서 돌출부(11c)를 포함한다. 제3실시예에 있어서, 돌출부(11c)는 격막체수단으로 이용된다. 처리액 공급관(12)에서 처리액(2)은 돌출부(11c)에 대해 저중앙부(CR)쪽으로 저면(11b)에 거의 평행으로 흐른다. 그러므로, 처리액(2)은 제1 및 제2실시예에서의 체류역을 만들지 않고 전처리조(11)내에서 순환하므로 기판처리가 완벽하게 이루어진다.
[이중관구조 및 그 효과]
10도는 단층관구조의 처리액 공급관(4)의 도면이다. 출구공(5)(51,52,…)는 처리조의 저중앙부(CR)의 직면하는 처리액 공급관(4)의 길이에 따라서 소정의 간격에서 일렬로 처리액 공급관(4)의 측면에 형성된다. 입구(4A)에 외부로 배치된 처리액 공급장치(30)(제5도 참조)에서 공급된 처리액(2)의 소정의 형태와 함께 처리액 공급관(4)는 기판(13)쪽으로 분출공(5)을 통해서 처리액(2)를 분출한다. 여기서, 각 분출공(51,52,53,…)에서 처리액(2)의 출구속도(V1,V2,V3,…)는 제10도에서 나타난 바와 같이 바뀐다. 더 정확하게는 관(4)의 가장 가까운 단부(턴닝 포인트)(4b)에 위치하는 출구공(51)에서의 출구속도(V1)이 가장 빠르다. 출구속도는 단부(4b)에서 입구(4a)쪽의 거리에 의해 출구공(52,53,54,…)에서 거의 비례적으로 늦어진다. 이로부터 선명한 대비해서 본 발명의 실시예의 2중층관 구조를 가지는 처리액 공급관(12)에 대해서는 각 주분출공(15)에서의 출구속도는 서로 같다.
제11도는 본 발명의 실시예에서 사용되는 이증층 관구조를 가지는 처리액 공급관 구조를 나타내는 도면이다. 주분출공(15)의 핏치는 기판홀더(17)의 가이드 홈(20a)의 핏치와 같다. 주분출공(15)은 기판사이에 각각 위치한 그러한 방법으로 처리액 공급관을 설치함에 의해 기판(3)은 매인접 기판(3)사이에서 흐르는 처리액(2)에 의해 그 표면에서 효과적으로 처리되게 된다.
내부관(14)은 처리액 공급장치(제5도 참조)에서 처리액(2)을 수납하는 공급튜브(37)에 접속된다.
제12도는 처리액 공급관(12)의 주분출공(15)에서 분출된 처리액(2)의 실험적으로 간주된 출구 속도의 결과를 나타내는 도면이다. 제12도에서 주분출공(15)에서의 출구속도는 거의 같다. 기판(3) 쪽으로 분출공(15)에서 분출된 처리액(2)의 양은 서로 같으므로 균일한 표면처리가 가능하다.
같은 분출속도는 다음의 이유로해서 달성되게 된다. 내부관(14)의 부분출공(16)에서 분출된 처리액(2)은 점T(제13a도 참조)에서 외부관(13)의 내벽에 부딪친다. 이 충돌점(T)에서 제트류의 속도가 0으로 감속된다. 외부관(13)의 주분출공(15) 쪽으로 새로운 개시점으로 이용되는 각 충돌점(T)에서 처리액(2)의 제트류는 유로(PT1,PT2)를 통해서 주분출공(15)에서 분출된다.
따라서, 주분출공에서 처리액(2)의 초기 흐름이 처리액 공급장치(12)가 2중관구조를 가질 때 같아지고, 주분출공(15) 사이의 출력시이드의 균형이 주분출공(15)의 크기가 증가해도 바뀌어지지 않고 남어있게 된다. 이 때문에 주분출공(15)은 슬릿홀로써 형성되는 것이다.
보다큰 개구영역의 슬릿과 같은 주분출공(15)을 형성하기 위해서는 종래 기판처리장치와 같지 않으므로 기판(3)이 충전되지 않으나, 분출속도는 처리액(2)의 공급이 증가할 때 조차도 같게 된다. 또한, 슬릿에서 처리액(2)이 분출될 때, 처리액(2)의 폭이 넓어지므로, 기판(3)은 기판(3)의 표면상을 균일하게 닦는 처리액(2)에 의해 처리된다.
지금부터, 외부 및 내부관(13,14)와 주분출공(15)에서 분출된 처리액(2)의 흐름상의 주분출공(15)의 구조사이에 위치관계의 영향에 대해 설명한다.
A. 외부 및 내부관 사이의 위치관계크기
(1) 동축 이중측관
같은 속도에서 두개의 다른 형태의 동축 이중층 처리액 공급관(12)으로 처리액(2)이 공급될 때 처리액(2)의 흐름을 제13a도 및 제13b도의 도면이 나타내고 있다.
(제13a도에서의 조건)
외부관(13)의 내경: 40mm
내부관(14)의 외경: 30mm
슬릿의 개구각도: 90도
유로(d)의 폭: 5mm
(제13b도에서의 조건)
외부관(13)의 내경: 40mm
내부관(14)의 외경: 20mm
슬릿의 개구각도: 90도
유로(d)의 폭: 10mm
제13a도 및 제13b도의 비교에서 알 수 있는 바와 같이, 처리액(2)의 분출 폭(D)은 유로의 폭(d)(폭(d)의 외부관(13) 및 내부관(14)의 내경과 외경의 차이를 둘로 나누어서 계산된다)보다 제13b도에서 보다 넓다.
제14도는 유로의 폭(d)에 대해 처리액(2)의 분출폭(D)을 나타내는 그래프이다.
제14도에서 처리액(2)의 분출폭(D)는 가능한한 작은 외경의 내부관을 사용하고 유로의 폭(d)을 결과적으로 증가함으로써 증가된다.
실험결과는 처리액(2)의 분출폭(D)은 처리조(11)내의 처리액의 균일한 흐름을 실현시키기 위해 가능한한 크게 되어야 하고 결국은 체류역을 감소시켜야 한다.
유로의 폭(d)이 크면, 유로(PT1,PT2)를 통해서 흐르는 처리액(2)의 속도는 적으므로 술릿의 개구에서 처리액(2)의 충돌력이 약해진다. 그래서 처리액(2)이 쉽게 확산된다. 이것으로 실험결과를 설명하는 것으로 간주한다. 각 주분출공(15)의 개구각도는 이 실시예에서 90도로 설정했다. 그러나, 상술한 바와 같이 처리액(2)의 분출폭(D)은 유로의 폭(d)에 따라서 크게 변하므로, 각 주분출공(15)의 개구각도는 합리적으로 상기 조건으로 되게 설정된다.
(2) 편심이중층관
각 동축이중층관을 사용하는 처리액 공급관(12)에 대한 실험은 상기에서 기술한 바와같다. 지금부터, 내부관(14)을 처리액(2)의 분출폭(D)에서 변화를 관찰하기 위해 외부관(13)의 주분출공(15)에서 중앙에서 떨어진 곳으로 미루어 놓는다. 제15도는 실험결과를 나타낸다(외부관 13의 내경은 40mm로 고정된다).
제15도의 그래프에서 방향(L)으로 동축위치에서 편심(mm)이 수평축을 따라서 측정되며 분출폭(D)에서의 변화비가 수직축을 따라서 측정된다. 편심이 0일 때 상기 비는 1이다. 두 점쇄(41)은 유로의 폭(d)이 5mm일 때 분출폭(D)내의 변화를 나타내고, 점쇄선(42)은 유로의 폭(d)이 7.5mm일 때 출구폭(D)의 변화를 나타내며, 점선(43)은 유로 폭(d)이 10mm일 때 분출폭(D)의 변화를 나타내고, 실선(44)은 유로 폭(d)이 4.5mm일 때 분출폭(D)의 변화를 나타낸다.
그래프는 폭(d)이 10mm 및 4.5mm일 때 분출폭(D)은 편심증가에 따라 감소하는 것을 나타낸다. 그러나, 폭(d)이 7.5mm일 때, 내부관(14)이 중앙에서 이탈할 때 조차도 분출폭(D)은 거의 변화하지 않는다. 폭(d)이 5mm일 때 분출폭(D)은 동출위치에서 내부관이 배열될 때보다 내부관이 중앙에서 이탈할 때 편심에서의 증가가 더 크게 된다.
그래서, 분출폭(D)은 폭(d)이 5mm이하일 때 적어도 편심위치에서 내부관(14)을 배열함으로써 증가될 수 있다.
그러므로, 어떤 구조제한에 의해 폭(d)이 큰값으로 설정하기가 불가능할 때도 분출폭(D)은 약간 L방향쪽으로의 편심위치에서 내부관(14)을 배열함으로써 증가된다.
또한, 내부관(14)이 L방향에 연직한 방향으로 중앙에서 이탈해도 좋다. 이러한 경우에 내부관(14)의 편심위치에 의해 내부관(14)의 외벽과 외부관(13)의 내벽사이의 유로의 폭이 내부관(14)의 편심위치에 조금 가까우나, 반대쪽에는 크다. 그러므로, 두개의 유로사이의 처리액(2)의 양에서의 차이에 의해 주분출공(15)에서 처리액(2)의 분출방향이 내부관(14)의 편심위치쪽으로 향하게 할 수 있다.
B. 슬릿의 구성
(1) 상기 실시예와 같이, 90도의 개구를 가지는 슬릿공 만큼 각 주분출공(15)을 형성하는 대신에 예를들면, 주분출공(15)은 제16a도 및 제16b도에 나타난 바와 같이 같은 개구각도에서 배열된 짧은 슬릿공의 직렬로 각각 형성해도 좋다.
제16b도는 상기 주분출공(15)의 단면을 나타내고 제16a도는 3개의 짧은 슬릿(15a)을 구성하는 주분출공(15)으로 나타낸다. 각 주분출공(15)이 같은 개구 각도에서 배열되는 복수의 짧은 슬릿에 의해 형성될 때, 개구영역이 감소되며 슬릿에서 흐름의 분출조건이 감소되게 되는 것처럼 보인다. 그러나, 실제로 처리액(2)의 분출폭(D)은 넓어지는 경향이 있다.
제17a,17b도 및 17c도는 주분출공(15)는 하나의 긴 슬릿으로 각각 형성되는 처리액 공급관을 나타내고, 같은 간격으로 배열된 3개의 짧은 슬릿홀(15b)과 같은 간격으로 배열되는 5개의 짧은 슬릿홀(15c)은 각 외부관(13)(내부관(14)는 제거되었다)에서 90도의 개구각도 내에서 배열되게 된다. 이들 처리액 공급관(12)에서 흐름을 관찰하도록 하는 실험되고, 그 실험결과는 수직축을 따라 출구폭(D)와 수평축을 따른 몇개의 슬릿을 측정하는 그래프로해서 검사된다. 제18도는 그래프를 나타낸다.
외부관의 내경은 40mm 각 내부관의 외경은 30mm라는 조건하에서 측정된다. 점쇄선(51)은 내부관(14)이 4mm 정도 중앙에서 벗어났을 때의 분출폭(D)이 변화를 나타내고, 점선(52)은 내부관(14)이 2mm 정도 중앙에서 벗어 났을때의 분출폭(D)의 변화를 나타내며, 실선(53)은 동축 이중층관(내부관(14)는 중앙을 이탈하지 않는다)에 관계하는 분출폭(D)의 변화를 나타낸다. 그래프에서 쉽게 알 수 있는 대로, 분출폭(D)는 내부관(14)이 동축으로 배치되던 중앙 이탈하던가에 관계없이 슬릿수 증가에 따라 증가하는 것이다.
제19도는 주분출공(15)가 5개 짧은 슬릿(제17c도에 해당)(외부관의 내경이 40mm, 내부관의 외경이 20mm, 개구각도가 90도)에 의해 각각 형성되는 동축 이중층관의 주분출공(15)에서 처리액(2)의 흐름을 나타낸다.
제13b도에 비교한 바로는 외부 및 내부관의 내외경과 개구각도가 같어도, 분출폭(D)은 제13b도보다 제14도에서 분명하게 더 크다.
그 이유는 다음과 같다. 주분출공(15)이 5개 짧은 슬릿으로 각각 나누어지므로 처리액(2)이 주분출공(15)에서 바깥으로 똑바로 분출되지 않는다. 오히려, 유로(PT1,PT2)에서 처리액(2)의 흐름의 충돌이 완화되고, 처리액(2)의 흐름이 넓은 개구각도 내에 위치하는 짧은 슬릿에서 분출되고 확산하게 된다.
(2) 상술된 실시예에서, 주분출공(15)는 처리액 공급관(12)(제11도 참조)의 긴방향에 연직방향으로 연장되는 슬릿공으로 각각 형성된다. 그러나, 각 주분출공(15)는 제20도에 나타난 바와 같은 처리액 공급관(12)의 긴방향(X)로 연장하는 슬리공(15d) 또는 제21도에 나타난 바와 같은 것과 같은 원형공(15e)에 의해 형성되어도 좋다.
(3) 복수의 주분출공(15)은 상술의 실시예에서 처리액 공급관(12)의 긴방향(X)에 따라 처리액 공급관(12)의 측면에 형성된다. 대신에 주분출구로서, 처리액 공급관(12)은 처리액 공급관(12)의 긴방향(X)에서 연장된 제22도에 나타난 바와 같은 하나의 긴 슬릿공(15f)를 각각 가져도 좋다. 주분출공(15)을 통해서, 처리액은 처리조(11)에서 보지된 기판(3) 쪽으로 분출된다.
그래서, 처리액(2)의 더 이상적인 공급은 필요에 따라 처리액 공급관(12)의 구성을 변경함에 의해 가능하게 된다.
처리액(2)의 분출폭(D)이 증가되면, 단하나의 처리액 공급관(12)이 두개의 처리액 공급관(12)이 상기 실시예에서 상술한 바와같이, 왼쪽 및 오른쪽 상에 사용되어도, 또 중앙에 배치해도 좋다. 물론, 2개 또는 3개의 처리액 공급관(12)이 사용할 수 있어도, 가능한한 체류역이 덜 생기도록 주의해야 하고 처리액 공급관(12)의 좌우측에서의 공급이 균형을 이루어야 한다.
이전에 기술한 바와같이, 내부관(14)의 부분출공(16)에서 분출된 처리액(2)이 외부관(13)의 내벽에 부딪치고 그 속도가 줄어들어서 주분출공(15)에서의 처리액(2)의 제트류 속도가 서로 같게 된다. 그때 각 부분출공(16)은 각 주분출공(15)의 개구중앙에서 어긋나서 180도 정도 떨어질 수 없다는 것으로 이어진다. 오리혀, 분출공(15,16)의 개구가 서로 정열하지 않는 것이 필요할 뿐이다. 그러나, 부분출공(16)과 주분출공(15)이 서로 반대쪽에 있지 않을 때, 유로(PT1,PT2)가 서로 그이상 같지 않으므로 처리액의 제트류의 방향과 폭의 변화할 기회가 있다.
또한, 처리액 공급관(12)이 두개 이상의 내부관과 내부관의 분출공을 포함하는 다층관으로 각각 구성되며, 외부관이 서로 정열되지 않으면, 처리액의 제트류가 더 균일한 분출속도에서 처리액 공급관(12)에서 분출하는 것이 분명하다.
본 발명은 자세하게 기술되었으나, 상기 설명은 모든 특징을 나타내고 제한되는 것은 아니다. 본 발명의 기술사상을 일탈하지 않는 범위 내에서 변경할 수 있는 것으로 이해해야 한다.

Claims (14)

  1. 처리액에 기판을 침지시키는 것에 의해 상기 기판의 표면처리를 행하는 침지형 기판처리장치는 저면을 가지고 상기 처리액을 저류하기 위한 처리조와, 서로 일정간격으로 띄워서 평형하게 되도록 상기 처리조의 저면 부근 설치되며, 처리액을 상기 처리조의 상기 저면과 거의 평행으로 또는 상기 저부로 향해서 분출되는 분출공을 각각 포함하는 2개의 처리액 공급관과, 상기 처리액 공급관으로 상기 처리액을 공급하기 위하여 상기 처리조의 외부에 배열된 처리액 공급수단과, 상기 처리액이 상방향으로 흐르도록 상기 분출공에서 분출된 상기 분출액의 방향을 바꾸기 위해 상기 처리액 공급관 사이에서 상기 처리조의 저중앙부 내에서 상기 처리조의 상기 저면에 가깝게 배치되는 격막체수단을 구비하는 침지형 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 처리조 내에 상기 기판을 보지하기 위한 부재를 더 구비하고, 상기 부재가 상기 처리조 안에 위치할 때 상기 부재의 일부는 상기 격막체로서 이용되는 침지형 기판처리장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 부재의 일부는 상기 저면에 근접하나 완전히 접속하지 않는 침지형 기판처리장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 격막체 수단은 상기 처리조의 저부에서 위로 연장하는 플레이트 부재에 의해 형성되는 침지형 기판처리장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 처리조의 저면은 상기 저중앙부에서 돌출하는 돌출부를 포함하고, 상기 돌출부는 상기 격막체 수단으로 이용하는 침지형 기판처리장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 저면은 밸리 같은 구성으로 되는 침지형 기판처리장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 저부는 중앙에서 약간 깊은 침지형 기판처리장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 처리액 공급관은 외부관과 다층관 구조를 가지는 상기 외부관 내에 삽입된 적어도 하나의 내부관을 포함하여, 상기 분출공은 주분출공으로 상기 외부관 내에 형성되고 적어도 상기 하나의 내부관은 그 측면상에 부준출공을 포함하고, 상기 적어도 하나의 내부관에 형성된 상기 부분출공의 개구위상은 상기 외부관에 형성된 상기 주분출공의 개구위상에서 벗어나서 상기 주부분출공의 개구는 서로 정렬되지 않도록 구비되며, 상기 처리액 공급수단은 상기 처리조 안으로 상기 처리액을 공급하기 위한 상기 처리액 공급관의 가장 내측 내부관에 접속되는 침지형 기판처리장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 적어도 하나의 내부관은 상기 외부관 내에 동축으로 삽입되는 침지형 기판처리장치.
  10. 제8항에 있어서, 상기 적어도 하나의 내부관은 상기 외부관에 편심 삽입되는 침지형 기판처리장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 적어도 하나의 내부관은 상기 외부관의 상기 주분출공에서 중앙에서 벗어나 반전되는 침지형 기판처리장치.
  12. 제10항에 있어서, 상기 적어도 하나의 내부관은 상기 외부관의 상기 주분출공을 향하여 중앙에서 벗어나 있는 침지형 기판처리장치.
  13. 제8항에 있어서, 상기 부분출공의 개구의 중앙은 상기 주분출공의 개구중앙에서 정확히 180도 반전되는 있는 침지형 기판처리장치.
  14. 저면을 가지는 처리조에서 처리액의 흐름을 제어하는 방법은 서로 일정 간격으로 띄워서 서로 평행하게 되도록 상기 저면의 부근에 설치되며, 상기 처리액을 분출하기 위한 분출공을 가지는 2개의 처리액 공급관을 상기 처리조내에 설치하는 스텝과, 상기 처리액을 상기 처리액을 거의 평행으로 또는 상기 처리조의 상기 저면으로 향하여 분출하는 상기 처리액 공급관으로 공급하는 스텝과, 상기 처리조내에 상기 저면에 근접한 격막체 수단을 설치하는 스텝과, 상기 격막체 수단에 의해 상기 분출공에서 분출되는 상기 처리액의 방향으로 바꾸어서 상기 처리액이 상방향으로 향하여 흐르게 하는 스텝을 구비하는 처리액의 흐름을 제어하는 방법.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100841826B1 (ko) * 2005-11-08 2008-06-26 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치
US9598310B2 (en) 2010-10-28 2017-03-21 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus of etching glass substrate
KR20200099610A (ko) * 2018-03-19 2020-08-24 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6532976B1 (en) * 1995-07-10 2003-03-18 Lg Semicon Co., Ltd. Semiconductor wafer cleaning apparatus
JP3212508B2 (ja) * 1995-09-20 2001-09-25 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置
DE19541436C2 (de) * 1995-11-07 1998-10-08 Steag Micro Tech Gmbh Anlage zur Behandlung von Gegenständen in einem Prozeßtank
KR0179783B1 (ko) * 1995-12-19 1999-04-15 문정환 반도체 웨이퍼 세정장치
EP1239512A3 (de) * 1996-04-24 2006-04-12 SCP U.S., Inc., Vorrichtung zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter
JP3343033B2 (ja) * 1996-06-28 2002-11-11 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US5922138A (en) * 1996-08-12 1999-07-13 Tokyo Electron Limited Liquid treatment method and apparatus
KR100195334B1 (ko) * 1996-08-16 1999-06-15 구본준 세정장치
JP3118443B2 (ja) * 1997-12-26 2000-12-18 島田理化工業株式会社 ウェーハ洗浄装置
US6360756B1 (en) * 1999-06-03 2002-03-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Wafer rinse tank for metal etching and method for using
US20020104556A1 (en) * 2001-02-05 2002-08-08 Suraj Puri Controlled fluid flow and fluid mix system for treating objects
JP2003110010A (ja) * 2001-09-28 2003-04-11 Toho Kasei Kk ウェハ受け具
KR20040041763A (ko) * 2002-11-11 2004-05-20 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼 세정시스템 및 그 방법
DE10255884B4 (de) * 2002-11-29 2006-05-11 Atotech Deutschland Gmbh Düsenanordnung
JP5259952B2 (ja) * 2006-12-26 2013-08-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2009231579A (ja) * 2008-03-24 2009-10-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
US8454760B2 (en) * 2009-06-01 2013-06-04 Micron Technology, Inc. Wafer cleaning with immersed stream or spray nozzle
KR101412767B1 (ko) * 2010-08-19 2014-07-02 주식회사 엘지화학 유체 공급 장치 및 이를 이용한 박판 세정 시스템 및 방법
DE102011004232B4 (de) 2011-02-16 2024-04-18 Ecoclean Gmbh Düsenmodul und Reinigungsvorrichtung mit Düsenmodul
US11532493B2 (en) * 2018-07-30 2022-12-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wet bench and chemical treatment method using the same
CN109273383B (zh) * 2018-08-28 2021-04-13 长江存储科技有限责任公司 化学液槽装置
CN108906351B (zh) * 2018-08-28 2021-05-18 长江存储科技有限责任公司 喷嘴和化学液槽装置
US11037805B2 (en) * 2018-11-23 2021-06-15 Nanya Technology Corporation Wafer cleaning apparatus and method of cleaning wafer

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1436700A (en) * 1920-08-30 1922-11-28 Oscar H Eliel Washing machine
US2603460A (en) * 1950-06-01 1952-07-15 Infilco Inc Dissolving and slurrying tank
US3648985A (en) * 1970-12-01 1972-03-14 Fuller Co Blending apparatus
JPS5271871A (en) * 1975-12-11 1977-06-15 Nec Corp Washing apparatus
JPS5783036A (en) * 1980-11-10 1982-05-24 Seiichiro Sogo Cleaning device for semiconductor material
US5186192A (en) * 1990-12-14 1993-02-16 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Apparatus for cleaning silicon wafer
JPH0521444A (ja) * 1991-07-15 1993-01-29 Fujitsu Ltd バイポーラトランジスタの構造及び製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100841826B1 (ko) * 2005-11-08 2008-06-26 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치
US9598310B2 (en) 2010-10-28 2017-03-21 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus of etching glass substrate
KR20200099610A (ko) * 2018-03-19 2020-08-24 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치
KR20220047406A (ko) * 2018-03-19 2022-04-15 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR950021165A (ko) 1995-07-26
US5540247A (en) 1996-07-30
JP2912538B2 (ja) 1999-06-28
JPH07161678A (ja) 1995-06-23

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