JPWO2020175619A1 - Package for mounting electronic components, electronic devices and light emitting devices - Google Patents
Package for mounting electronic components, electronic devices and light emitting devices Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2020175619A1 JPWO2020175619A1 JP2021502364A JP2021502364A JPWO2020175619A1 JP WO2020175619 A1 JPWO2020175619 A1 JP WO2020175619A1 JP 2021502364 A JP2021502364 A JP 2021502364A JP 2021502364 A JP2021502364 A JP 2021502364A JP WO2020175619 A1 JPWO2020175619 A1 JP WO2020175619A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protrusion
- electronic component
- wiring board
- component mounting
- package according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 62
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 16
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 16
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
電子部品搭載用パッケージは、第1面を有する基部と、第1面から突出し第1面に接する第2面を有する突出部と、を含む基体と、第2面上に位置する配線基板と、を備え、突出部は、第2面に突起を有しており、突起の少なくとも一部は、第2面に垂直な方向から見て、配線基板と重なるように位置している。The electronic component mounting package includes a substrate including a base having a first surface, a protrusion having a second surface protruding from the first surface and contacting the first surface, and a wiring board located on the second surface. The protrusion has a protrusion on the second surface, and at least a part of the protrusion is located so as to overlap the wiring board when viewed from a direction perpendicular to the second surface.
Description
本開示は、電子部品搭載用パッケージ、電子装置及び発光装置に関する。 The present disclosure relates to electronic component mounting packages, electronic devices and light emitting devices.
基体と、電子部品が搭載される配線基板と、を備える電子部品搭載用パッケージがある。特開2007−150182号公報に示すように、配線基板と基体の間に調整板などを挟んで、接合材により基体から適宜な高さの位置で接合する場合がある。 There is a package for mounting electronic components, which comprises a substrate and a wiring board on which electronic components are mounted. As shown in JP-A-2007-150182, an adjusting plate or the like may be sandwiched between a wiring board and a substrate, and the wiring board may be bonded at an appropriate height from the substrate by a bonding material.
本開示の一の態様は、
第1面を有する基部と、前記第1面から突出し前記第1面に接する第2面を有する突出部と、を含む基体と、
前記第2面上に位置する配線基板と、
を備え、
前記突出部は、前記第2面に突起を有しており、
前記突起の少なくとも一部は、前記第2面に垂直な方向から見て、前記配線基板と重なるように位置している、
電子部品搭載用パッケージである。One aspect of the present disclosure is
A substrate comprising a base having a first surface and a projecting portion having a second surface protruding from the first surface and in contact with the first surface.
The wiring board located on the second surface and
Equipped with
The protrusion has a protrusion on the second surface, and the protrusion has a protrusion.
At least a part of the protrusion is located so as to overlap the wiring board when viewed from a direction perpendicular to the second surface.
It is a package for mounting electronic components.
また、本開示の他の一の態様は、
上記の電子部品搭載用パッケージと、
前記配線基板に搭載される電子部品と、
を備える電子装置である。In addition, another aspect of the present disclosure is
With the above package for mounting electronic components,
Electronic components mounted on the wiring board and
It is an electronic device provided with.
また、本開示の他の一の態様は、
上記の電子部品搭載用パッケージと、
前記配線基板に搭載される発光素子と、
を備える発光装置である。In addition, another aspect of the present disclosure is
With the above package for mounting electronic components,
The light emitting element mounted on the wiring board and
It is a light emitting device provided with.
以下、実施の形態を図面に基づいて説明する。
図1は、本実施形態の電子装置1の全体斜視図である。Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is an overall perspective view of the electronic device 1 of the present embodiment.
電子装置1は、電子部品搭載用パッケージ100と、電子部品500とを備える。
電子部品搭載用パッケージ100は、基体11と、信号線12と、配線基板14と、接合材16と、導電性接合材17と、蓋体20などを備える。The electronic device 1 includes an electronic
The
基体11は、導電性の金属である。基体11には、熱伝導度及び放熱性の高いものが用いられてよい。基体11は、基部111と、突出部112とを含む。基部111は、ここでは、例えば、直径が3〜10mm、厚さが0.5〜2mmの円板状形状を有するが、これには限られない。基部111は、複数の貫通孔111aと第1面111bとを有する。図1では、貫通孔111aは、2個示されている。貫通孔111aの一端1111は、第1面111bにある。貫通孔111a内は、絶縁部材113により占められている。絶縁部材113は、例えば、ガラス又はセラミック材である。絶縁部材113の材質及び貫通孔111aの大きさは、信号線12による信号伝送に係る所望の特性インピーダンスに応じて定められればよい。基部111と突出部112は一体的であってよい。基体11は、信号線12のうち接地線と電気的に接続されて、接地状態とされ得る。
The
突出部112は、基部111において貫通孔111aの端を含む面のうち一方の第1面111bからX方向に突出している。基体11の突出部112は、第1面111bに接する第2面112aを有する。突出部112は、この第2面112aの平面上に後述のように突起を有する。第2面112aの上方には、接合材16を介して配線基板14が位置している。物体の上方及び面上とは、当該面の外向き法線ベクトルの側を意味する。
The
配線基板14は、第3面14aと第4面14bとを有する。第3面14a上には、配線パターン141が位置している。第4面14bは、第3面14aとは反対側の面である。第4面14b上には、接地層142が位置している。ここでは、配線基板14は、例えば、高周波線路基板として用いられる。配線基板14は、平板状の絶縁基板であり、例えば、樹脂又はセラミック基板である。配線パターン141の形状、並びに配線基板14の厚さ及び材質、特に配線基板14の比誘電率は、信号伝送に係る所望の特性インピーダンスに応じて適宜決定されればよい。配線基板14の第3面14a及び第4面14bは、それぞれ基体11の基部111の第1面111bに接している。ここでは、第1面111bは、Z方向に沿って位置しており、第3面14a及び第4面14bは、第1面111bに対して垂直である。すなわち、第3面14a及び第4面14bは、X方向に沿って位置している。
The
接地層142は、例えば、金(Au)薄膜層であってもよい。接地層142は、第4面14b全面を覆っていなくてもよい。接地層142は、例えば、Y方向に沿って第3面14aの上方から見て配線パターン141の範囲を囲う種々の形状を有していてもよい。
The
接合材16は、配線基板14の接地層142の第4面14b及び突出部112の第2面112aの間に位置して、それぞれと接合している。接合材16は、ここでは、接合前の状態で適宜な粘性を有する。これにより、接合材16の層の厚さを適切に調整して、接合、固化させることが可能である。ここでは、接合材16は、ナノ粒子焼結型接合材ペーストである。ナノ粒子焼結型接合材ペーストは、表面安定剤に覆われたナノサイズの金属粒子、例えば銀又は銅などと、有機溶剤とが混在している。ナノ粒子焼結型接合材ペーストは、金属粒子が活性化して当該金属粒子同士が反応して結合するとともに、金属粒子が金属面とも反応して固着する。ナノ粒子焼結型接合材ペーストは、固着した後には、有機溶剤が揮発している。ここでは、接合材16の熱伝導度は、基体11の熱伝導度よりも大きい。また、接合材16は、金属粒子を含むエポキシ樹脂系の接着剤などでもよい。
The
配線パターン141は、電子部品500と電気的に接続されて、当該電子部品500に電力及び信号を供給する。配線パターン141は、抵抗の小さい導体金属膜、ここでは、金薄膜であってもよい。配線パターン141は、ここでは2箇所が導電性接合材17を介して信号線12と接合している。配線パターン141の形状、長さ及び位置は、接続される電子部品500のサイズ及び端子位置に応じて適宜定められてよい。配線パターン141は、配線基板14により接地層142と隔てられている。すなわち、配線基板14では、マイクロストリップライン構造により信号が伝送される。
The
信号線12は棒状の導体である。信号線12は、基部111の第1面111bとは反対の面111cの側で突出していてもよい。突出した信号線12は、外部配線などと電気的に接続されて、リード電極として用いられる。信号線12の直径は、例えば、0.1〜1.0mm程度であってもよい。信号線12のうち少なくとも1本は、基体11の接地線であり、基部111に直接接合している。その他の信号線12、ここでは、2本の信号線12は、基部111のそれぞれ異なる貫通孔111aを貫通して先端が第1面111bに露出している。信号線12は、第1面111bから突出していない。この先端は、第1面111bと同一の面内にあるか又は第1面111bからくぼんでいてもよい。
The
2本の信号線12は、それぞれ別個の貫通孔111a内を占める絶縁部材113のほぼ中央に位置して貫通孔111aの延在方向に絶縁部材113を貫通している。信号線12は、絶縁部材113の内部では、当該絶縁部材113により外側の基部111と隔てられており、基部111内では同軸線路構造により信号が伝送される。
The two
導電性接合材17は、第1面111bから露出している信号線12と第3面14aの配線パターン141とを電気的に接続する。導電性接合材17は、信号線12及び配線パターン141だけでなく、貫通孔111a内の絶縁性の絶縁部材113及び配線基板14にも接合することができるものであってよい。ここでは、導電性接合材17は、例えば、ナノ粒子焼結型接合材ペーストである。上述のナノ粒子焼結型接合材ペーストは、固着時における金属粒子同士の結合により導電性を有する。
The
破線で示す電子部品500は、配線基板14に搭載される。電子部品500は、第3面14a上に位置しており、直接及び/又はワイヤボンディングなどにより配線パターン141と接合して、互いに電気的に接続している。電子部品500は、例えば、レーザーダイオードであり、この場合、電子装置1は、例えば光源として用いられる発光装置である。あるいは、電子部品500としては、フォトダイオードといった受光素子、LED(Light Emitting Diode)といった上記レーザーダイオード以外の他の発光素子、ペルチェ素子又は各種センサ素子など種々のものが用いられてよい。
The
点線で示す蓋体20は、第1面111bに接合し、突出部112、配線基板14、配線パターン141及び電子部品500を覆ってこれらを外部と隔離する。蓋体20は、窓部21を有する。窓部21は、電子部品500から出射される出射光の波長を透過させる材質である。また、窓部21は、ここでは、レンズ構造となっている(図2B参照)。窓部21は、電子部品500、すなわちレーザーダイオードからの出射光を適切に集光してもよく、少なくとも当該出射光を拡散させないものであってよい。
The
図2Aは、電子部品搭載用パッケージ100の第1面111bに平行な面における断面を示す図である。図2Bは、電子部品搭載用パッケージ100の接地層142の下面位置における断面を示す図である。つまり、図2Aは、X方向に垂直な断面であり、図2Bは、Y方向に垂直な断面である。ここでは、第1面111bに垂直なX方向について突出部112の側を電子部品搭載用パッケージ100の正面側、すなわち、上方とする。また、第2面112aに垂直なY方向について配線基板14の側を電子部品搭載用パッケージ100の上側とする。すなわち、図2Aは、正面視での断面であり、図2Bは、平面視での断面となる。
FIG. 2A is a diagram showing a cross section of the electronic
図2Aに示すように、突出部112は、第2面112aの一部において、突起1121を有する。そして、突起1121の少なくとも一部は、平面視した場合に、配線基板14と重なるように位置している。ここで、突起1121は、第2面112aの前記一部以外の部分よりも高くなっている。なお、ここでいう「突起1121が第2面112aの前記一部以外の部分よりも高い」とは、Y方向において、突起1121が、第2面112aの前記一部以外の部分よりも、電子部品搭載用パッケージ100の上側、すなわち、配線基板14に近接して位置することを意味する。突起1121の最も高い部分を突起1121の頂点と記す。突起1121の頂点は、それぞれY方向について配線基板14の下方にある。すなわち、突起1121の頂点は、電子部品搭載用パッケージ100の上側からY方向について平面視した場合に配線基板14に隠れる。突起1121は、直接配線基板14の接地層142の第4面14bと接していてもよいし、突起1121の頂点以外の他の部位と比較して非常に薄い接合材16を介して配線基板14の接地層142に接合していてもよい。突起1121の頂点以外の部位と配線基板14との間の空間は、接合材16により占められている。なお、ここでいう接合材16の厚みとは、例えば、Y方向に沿った接合材16の寸法である。
As shown in FIG. 2A, the
突起1121の高さは、配線パターン141の位置を規定することができる。突起1121の高さは、配線基板14の第3面14a上の配線パターン141が、X方向から見て貫通孔111a及び絶縁部材113と重なるように定められていてもよい。また、この突起1121は、X方向から見て貫通孔111a及び絶縁部材113のいずれとも重ならなくてもよい。また、突起1121は、それぞれ全体が第2面112aの第1面111bに沿ったZ方向において両端の貫通孔111a(第1貫通孔及び第2貫通孔)及び絶縁部材113の外側位置間の範囲Wに位置していてもよい。ここでは、貫通孔111aは2個であるので、突起1121は、当該2個の貫通孔111aの外側位置間の範囲Wに位置している。
なお、ここでいう突起1121の高さとは、例えば、第2面112aの平面部分からの突起1121の突出長さをいう。より具体的には、突起1121の高さとは、例えば、Y方向における、第2面112aの平面部分から突起1121の頂点までの距離とすることができる。The height of the
The height of the
ここでは、図2Bに示すように、平面視で、第2面112a上で一の直線に乗らないように分散した3個以上、例えば、4個の突起1121がある。配線基板14と突起1121とが3箇所以上で接することで、当該配線基板14の支持面、すなわち配線基板14の固定位置が定まる。ここでは、突起1121の高さは、互いに等しく、支持面は、Y方向に垂直である。突起1121の形状は、特には限られないが、ここでは、半球に近い曲面状の凸部であってもよい。これらの突起1121は、図2Bに示すように、Y方向に沿って配線基板14の第3面14aの上方から見て電子部品500の搭載位置と重ならない位置であってもよい。上述のように、接合材16の熱伝導度が基体11の熱伝導度よりも大きい。そのため、配線基板14における電子部品500の搭載位置が接合材16を介して基体11の突出部112に接することで、電子部品500の熱が基体11の広い範囲に効率よく拡散して伝わる。なお、接合材16の熱伝導度が基体11の熱伝導度より大きくない場合、又は熱伝導度の大小にかかわらず、第3面14aの上方から見て電子部品500の搭載位置と突起1121の位置とが重なってもよい。
なお、ここでいう「突起1121の高さが互いに等しい」とは、複数の突起1121のそれぞれの高さが、互いに実質的に等しければよく、厳密にそれぞれの高さが同一である必要はない。Here, as shown in FIG. 2B, there are three or more, for example, four
It should be noted that "the heights of the
突起1121は、例えば、第2面112aに対して当該突起1121に応じた凹部を有する金型を打ち込むことで形成されてもよい。あるいは、突起1121は、切削工具などにより第2面112aに凹凸が形成されることで得られてもよい。貫通孔111aも金型により形成されてもよい。このときに、第1面111bに垂直なX方向から見た正面視で、貫通孔111aと突起1121が重ならないよう配置されていてもよい。この場合、金型が突起1121に当たらないように容易に制御しながら第2面112aを加工することが可能となる。なお、突起1121の位置が正面視で貫通孔111aの位置と重なってもよい。例えば、突起1121及び貫通孔111aが切削工具などにより形成される場合には、突起1121と貫通孔111aの上記位置関係が加工の難易度に必ずしも影響を与えない。また、突起1121の高さを適宜に定めて、正面視で配線パターン141及び配線基板14の第3面14aと貫通孔111aとが重なるように配置してもよい、この場合、信号線12と配線パターン141との接続部分における特性インピーダンスの局所的な変化、特に特性インピーダンスの上昇を低減し、信号の反射などによる損失を低減させることができる。
The
突起1121が形成されると、第2面112aにおける突起1121の頂点よりも低い部分を接合材16で埋めたのち、配線基板14を当該接合材16及び突起1121の上側に重ねて配置し、加熱して接合材16を固着させる。このとき、固着する接合材16は、熱によって収縮が生じるが、配線基板14は、突起1121により、当該突起1121によって規定された位置からのずれが低減される。
When the
図3A〜図3Bは、それぞれ突起の変形例1〜3を示す図である。これらの図は、図2Bと同一の断面を示す。
図3Aに示す変形例1の突起1121aは、一定の高さで線状につながった線状の第1部分を有する。ここでいう第1部分の一定の高さとは、突起1121aの最も高い部分(頂点)の高さが一定であることをいう。本変形例では、突起1121aは、平行に位置する複数本(2本)の直線状である。正面視の断面では、図2Aと同一となる。本変形例によれば、上記4つの突起1121による4点での支持よりも更に安定して配線基板14を支持することができる。3A to 3B are views showing deformation examples 1 to 3 of the protrusions, respectively. These figures show the same cross section as FIG. 2B.
The
図3Bに示す変形例2の突起1121bは、一本の線状であり、2箇所で折れ曲がって電子部品500を取り囲むように位置している。すなわち、上記の4点の突起1121で囲まれるエリアの3辺が支持されることになり、配線基板14は、更に安定して支持される。また、図3Cに示す変形例3の突起1121cは、線状の部分と点状の部分との組み合わせである。
The
図4Aは、突起の変形例4を示す図である。図4Bは、突起の変形例5を示す図である。これらの図は、図2Aと同一の断面である。
図4Aに示す変形例4の突起1121dは、最も高い部分が変形例1の突起1121aと同じように2列の線状である。これら2列の線状の部分の間の部分Dの高さは、これら2列の線状の部分よりも低く、かつ当該線状の部分の外側よりも高くなっている。すなわち、この突起1121dは、面状、ここでは平面状の1段目の突起部分から更に、最も高い部分が2段目の頂部として外方に突出した複数段階の突起形状となっている。言い換えれば、突起1121dは、平面状の1段目の第2部分と2列の線状の2段目の頂部とを有している。この場合、1段目の平面状の部分をなす部分Dは、配線基板14を支持しない。この部分Dでは、2段目の線状の部分の外側よりも接合材16が薄くなる。この部分Dの高さは、第1面111bからの距離に応じて変化してもよい。FIG. 4A is a diagram showing a modified example 4 of the protrusion. FIG. 4B is a diagram showing a modified example 5 of the protrusion. These figures have the same cross section as FIG. 2A.
The
図4Bに示す変形例5の突起1121eは、最も高い頂点部分が一定の高さで平面状に広がっている。すなわち、配線基板14の接地層142の一部が平面状の突起1121eの頂点部分と接する。この場合、平面状の頂点部分と配線基板14とが直接接してもよいし、平面状の頂点部分と配線基板14との間に非常に薄い接合材16の膜が存在してもよい。突起1121eの平面状の頂点部分以外の部分では、配線基板14と第2面112aの間に接合材16が位置し、当該接合材16を介して配線基板14と第2面112aとが接合している。
In the
以上のように、本実施形態の電子部品搭載用パッケージ100は、第1面111bを有する基部111と、第1面111bから突出し第1面111bに接する第2面112aを有する突出部112と、を含む基体11と、第2面112a上に位置する配線基板14と、を備える。突出部112は、第2面112aに突起1121を有しており、突起1121の少なくとも一部は、第2面112aに垂直な方向から見て、配線基板14と重なるように位置している。
突出部112が第2面112aに上述のような突起1121〜1121eを有することで、接合材16を固着させる際の加熱などにより当該接合材16に収縮が生じても、配線基板14の位置が突起1121〜1121eにより規定されてずれが低減される。特に接合材16が厚い場合にこのような効果が顕著になる。したがって、配線基板14の位置が所望の位置に固定され、これに伴って、当該配線基板14に搭載される電子部品500の位置ずれも低減される。電子部品500が特にレーザーダイオードなどの発光素子、とりわけ指向性の強いものの場合、これにより、光の出射方向が精度よく定まる。すなわち、この電子部品搭載用パッケージ100によれば、電子部品の位置精度をより向上させることができる。As described above, the electronic
Since the
また、突出部112は、突起1121を3個以上有していてもよい。
これらの突起1121により配線基板14の位置が精度よく規定され、安定して支持される。Further, the protruding
The position of the
また、変形例1、2のように、突出部112は、線状の突起1121a、1121bを含んでいてもよい。このように線で配線基板14を支持することでより歪みを低減でき、安定して配線基板14の位置を保つことができる。
Further, as in the first and second modifications, the
また、変形例1のように線状の突起1121aを複数含んでいてもよい。これにより配線基板14をより安定して支持することができる。
Further, a plurality of
また、突出部112には、複数本(ここでは2本)の線状の突起1121aが互いに平行に位置していてもよい。この場合、金型で容易に突起1121aを形成しやすい。その結果、電子部品搭載用パッケージ100において、コストの上昇を低減しながら効率よく配線基板14をより精度よく所望の位置で保持することができる。
Further, a plurality of (here, two)
また、変形例4、5のように、突起には、一定の高さの面状の突起1121d、1121eの部分が含まれてもよい。この場合、突起の合計体積を増やすことで、接合材16の使用量を低減しながら配線基板14をより精度よく所望の位置で保持することができる。
Further, as in the modified examples 4 and 5, the protrusion may include a portion of
また、突起1121dは、平面状の突起である第2部分からさらに外方に突出している頂部を有してもよい。このように、配線基板14を線及び/又は点で支持しつつ、その他の部分も面状に突出させることで、配線基板14の位置精度を向上させながら接合材16の使用量も低減することができる。
Further, the
また、突出部112は、突起1121を複数有し、当該突起1121の各々の高さは、互いに等しくてもよい。これらの突起1121に接するように配線基板14が位置することで、配線基板14は、第2面112aの突起1121を除く平面部分に平行となる。特に第2面112aが第1面111bと垂直であれば、基部111の第1面111bの態勢に応じて配線基板14の向き、すなわち、電子部品500の向きを容易かつ精度よく定めることができる。
Further, the protruding
また、基体11は、第1面111bを有する基部111と、第1面111bから突出し当該第1面111bに接する第2面112aを有する突出部112と、を含んでもよい。基部111は、第1面111bに一端1111がある貫通孔111aを有し、突起1121aは、第1面111bに垂直な方向から見て貫通孔111aと重ならないように位置している。
これにより、貫通孔111aを金型により形成する際に突起1121が障害とならず、コストや手間の増加を低減することができる。Further, the
As a result, the
また、基部111は、貫通孔111aを複数有し、複数の貫通孔111aは、第2面112aの第1面111bに沿った方向において両端の第1貫通孔及び第2貫通孔を含み、突起1121は、第2面112a上で第1面111bに沿った方向において第1貫通孔と第2貫通孔の間に位置していてもよい。突起1121が貫通孔111a及び信号線12に対して外側にはみ出さないことで、必要以上に突出部112を大きくする必要がなく、これにより、蓋体20を第1面111bに接合するスペースを維持することができる。したがって、この電子部品搭載用パッケージ100は、コンパクトさを維持しながら高い電子部品500の位置精度を得ることができる。
Further, the
また、配線基板14は、第1面111bに垂直な方向から見て貫通孔111aと重なる位置にあってもよい。
すなわち、この配置では、貫通孔111aを貫く信号線12と接地層142の距離を適切に近づけて、信号線12と配線パターン141との接続部分での局所的な特性インピーダンスの変化、特に特性インピーダンスの増加を低減することができる。この場合にも、信号線12と配線基板14との位置関係を突起1121によって精度よく規定することができるので、効果的に信号損失の低減を図ることができる。また、突起1121により配線基板14の高さの調整がなされることで、より容易に配線基板14と信号線12の位置関係を定めることができる、すなわち、固着時に収縮する接合材16の厚さのみで配線基板14の位置を調整したり、配線基板14の厚さ、並びに信号線12及び貫通孔111aと第2面112aとの位置関係を変更して特性インピーダンスの設定を変更したりする手間を要しなくてもよい。Further, the
That is, in this arrangement, the distance between the
また、配線基板14は、金属を含む接合材16を介して第2面112aと接合していてもよい。また、この接合材16が含む金属は、接合前の段階では金属粒子であってもよい。これにより、熱伝導度が高い接合材16を得ることができ、接合時の熱及び電子部品500の発熱を効果的に発散できる。また、ナノ金属粒子を含むナノ粒子焼結型接合材ペースト、及びエポキシ系樹脂に金属粒子が分散されたエポキシ樹脂系接着剤などでは、接合時の温度上昇を低減させることができる。その結果、電子部品搭載用パッケージ100の他の部分への熱負荷の影響を低減させることができる。
Further, the
また、上記の金属は、銀又は銅であってもよい。接合材16にこれらの金属が含まれることで、接合材16の熱伝導性及び導電性を適切に得ることができる。
Moreover, the said metal may be silver or copper. By including these metals in the
また、接合材16は、ナノ粒子焼結型接合材ペーストであってもよい。これは、ナノ粒子焼結型接合材ペーストが固着前の段階では適宜な粘性を有するので、突起1121の隙間を適切に埋めることができる。また、上記銀又は銅を含むナノ粒子焼結型接合材ペーストでは、固着時の加熱温度を他の金属などと比較して高める必要がないので、電子部品搭載用パッケージ100の他の部分への熱負荷の影響を低減させることができる。
Further, the
また、電子部品搭載用パッケージ100は、配線基板14(及び突出部112)を覆う蓋体20を有する。これにより、配線基板14及び電子部品500を外気から隔離させて、安定して電子部品500を動作させることができる。なお、蓋体20は、電子部品500が搭載されていない電子部品搭載用パッケージ100の製品としては、基体11と接合されずに当該基体11と組み合わせて取り扱われてよい。
Further, the electronic
また、蓋体20は、光が透過する窓部21を有していてもよい。電子部品500がレーザーダイオード及び/又はフォトダイオードなどの場合に、窓部21を有することで、適切に光を入出射させることができる。また、上記の構成により配線基板14及び電子部品500の位置精度を向上させることで、電子部品500、特にレーザーダイオードと窓部21、特にレンズ構造との位置関係を正確に合わせやすくなる。その結果、より適正な集光状態の光を容易に出射させることが可能になる。
Further, the
また、本実施形態の電子装置1は、上記の電子部品搭載用パッケージ100と、配線基板14に搭載される電子部品500と、を備える。この電子装置1では、より容易に電子部品500の位置精度が向上するので、当該電子装置1と、他の電子装置及び/又は部品などとの位置関係を合わせやすくなる。
Further, the electronic device 1 of the present embodiment includes the above-mentioned electronic
また、上記の電子部品500が発光素子、特にレーザーダイオードを含む。これにより、発光装置としての電子装置1の発光素子から出射される光の光軸ずれを容易かつより適切に低減し、実装性に優れた小型光源を得ることができる。
Further, the
なお、本発明は、上記実施の形態に限られるものではなく、様々な変更が可能である。
例えば、複数の突起は、全体として平面が規定されれば、高さが同一でなくてもよい。すなわち、配線基板14の第4面14bと第2面112aの突起以外の部分とが平行でなくてもよい。この場合、突起の形状によっては、突起の最も高い位置が配線基板14と接しなくてもよい。The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made.
For example, the plurality of protrusions do not have to have the same height as long as the plane is defined as a whole. That is, the portions of the
また、突起1121が曲面状の凸部であるものとして説明したが、円柱(楕円を含む)、角柱、円錐台又は角錐台などの各種形状であってもよい。あるいは、突起が円錐又は角錐であって、これら円錐又は角錐の頂点が配線基板14の接地層142と接していてもよい。曲面、円錐、円錐台、角錐、角錐台などの形状の突起における傾斜部分の傾斜角度は、適宜定められてよく、また、頂点からの方向により異なっていてもよい。また、複数の突起が互いに分離していなくてもよい。なお、複数の突起は、互いに同じ形状であってもよく、互いに異なる形状であってもよい。
Further, although the
また、上記実施の形態では、線状の突起として、2本の直線状の突起1121a及び2回折れ曲がった突起1121bを例に挙げて説明したが、突起は3本以上であってもよいし、また、曲線状であってもよい。また、複数本の直線状の突起が平行でなく、例えば、第1面111bから離れるほど間隔が広くなるように位置していてもよい。また、1又は複数本の線状の突起が環状又は枠状につながっていてもよい。線状の突起の最も高い部分は、幅を有していてもよく、この幅が一定でなくてもよい。
Further, in the above embodiment, two
また、上記実施の形態では、面状の突起部分に更に線状又は点状の突起を有する2段階構造について説明したが、3段階以上の構造であってもよい。また、線状の突起部分に更に点状の突起を有することも可能である。 Further, in the above-described embodiment, the two-stage structure in which the planar projection portion is further provided with linear or dot-like projections has been described, but the structure may be three or more stages. It is also possible to have further point-shaped protrusions on the linear protrusions.
また、上記実施の形態では、突起1121が範囲Wにあるものとして説明したが、配線パターン141、並びに信号線12及び貫通孔111aの位置などに応じて、各部のサイズを変更せずとも蓋体20の接合に問題を生じない場合などには、突起1121が範囲Wの外側にあってもよい。
Further, in the above embodiment, the
また、上記実施の形態では、接合材16としてナノ粒子焼結型接合材ペーストを例に挙げて説明したが、これに限られない。接合材16は、導電性を有しないものであってもよい。
Further, in the above embodiment, the nanoparticle sintered type bonding material paste has been described as an example as the
また、上記実施の形態では、蓋体20を有する電子部品搭載用パッケージ100について説明したが、電子部品搭載用パッケージ100は、蓋体20を有しないものであってもよい。また、電子部品500に応じて窓部21がレンズ構造ではなく、光を収束させない単なる窓であってもよい。
Further, in the above embodiment, the electronic
また、上記実施の形態では、信号線12を第1面111bから基部111の外側に突出させず、X方向から見た正面視で貫通孔111aと配線パターン141及び第3面14aとが重なるように位置するものとした。しかしながら、正面視で、信号線12が配線パターン141及び第3面14aよりも上側に位置してもよい。この場合には、信号線12が第1面111bから基部111の外側に突出していてもよい。
Further, in the above embodiment, the
また、上記実施の形態では、信号線12が3本であり、1本が基体11の接地用であり、他の2本が配線パターン141を介して電子部品500に接続されるものとして説明したが、これに限られない。電子部品に対して3本以上の信号線が接続されてもよいし、一方が接地される場合には、1本の信号線のみを当該電子部品の専用に有していてもよい。また、電子部品が2つ以上ある場合には、電子部品搭載用パッケージ100は、各電子部品に対して必要な本数ずつの信号線12を有していてよい。
その他、上記実施の形態で示した具体的な構成、構造、形状及び配置などの具体的な細部は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。Further, in the above embodiment, it has been described that there are three
In addition, specific details such as the specific configuration, structure, shape, and arrangement shown in the above embodiment can be appropriately changed without departing from the spirit of the present invention.
本開示は、電子部品搭載用パッケージ、電子装置及び発光装置に利用することができる。 The present disclosure can be used for electronic component mounting packages, electronic devices and light emitting devices.
1 電子装置
11 基体
111 基部
111a 貫通孔(第1貫通孔、第2貫通孔)
111b 第1面
112 突出部
112a 第2面
113 絶縁部材
12 信号線
14 配線基板
141 配線パターン
142 接地層
14a 第3面
14b 第4面
16 接合材
17 導電性接合材
20 蓋体
21 窓部
100 電子部品搭載用パッケージ
500 電子部品
1121、1121a〜1121e 突起1
111b
Claims (18)
前記第2面上に位置する配線基板と、
を備え、
前記突出部は、前記第2面に突起を有しており、
前記突起の少なくとも一部は、前記第2面に垂直な方向から見て、前記配線基板と重なるように位置している、
電子部品搭載用パッケージ。A substrate comprising a base having a first surface and a projecting portion having a second surface projecting from the first surface and in contact with the first surface.
The wiring board located on the second surface and
Equipped with
The protrusion has a protrusion on the second surface, and the protrusion has a protrusion.
At least a part of the protrusion is located so as to overlap the wiring board when viewed from a direction perpendicular to the second surface.
Package for mounting electronic components.
当該突起の各々の高さは、互いに等しい、請求項1〜7のいずれか一項に記載の電子部品搭載用パッケージ。The protrusion has a plurality of the protrusions and has a plurality of protrusions.
The electronic component mounting package according to any one of claims 1 to 7, wherein the heights of the protrusions are equal to each other.
前記突起は、前記第1面に垂直な方向から見て前記貫通孔と重ならないように位置している
請求項1〜8のいずれか一項に記載の電子部品搭載用パッケージ。The base has a through hole having one end on the first surface.
The electronic component mounting package according to any one of claims 1 to 8, wherein the protrusion is located so as not to overlap the through hole when viewed from a direction perpendicular to the first surface.
複数の前記貫通孔は、前記第2面の前記第1面に沿った方向において両端に位置する第1貫通孔と第2貫通孔を含み、
前記突起は、前記第2面の前記第1面に沿った方向において前記第1貫通孔と前記第2貫通孔の間に位置している、請求項9記載の電子部品搭載用パッケージ。The base has a plurality of the through holes.
The plurality of through holes include a first through hole and a second through hole located at both ends in a direction along the first surface of the second surface.
The electronic component mounting package according to claim 9, wherein the protrusion is located between the first through hole and the second through hole in a direction along the first surface of the second surface.
請求項9又は10記載の電子部品搭載用パッケージ。The electronic component mounting package according to claim 9 or 10, wherein the wiring board is located at a position overlapping the through hole when viewed from a direction perpendicular to the first surface.
載用パッケージ。The electronic component mounting package according to any one of claims 1 to 14, further comprising a lid covering the wiring board.
前記配線基板に搭載される電子部品と、
を備える電子装置。The electronic component mounting package according to any one of claims 1 to 16.
Electronic components mounted on the wiring board and
An electronic device equipped with.
前記配線基板に搭載される発光素子と、
を備える発光装置。The electronic component mounting package according to any one of claims 1 to 16.
The light emitting element mounted on the wiring board and
A light emitting device equipped with.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019036162 | 2019-02-28 | ||
JP2019036162 | 2019-02-28 | ||
PCT/JP2020/008032 WO2020175619A1 (en) | 2019-02-28 | 2020-02-27 | Electronic component mounting package, electronic device, and light-emitting device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020175619A1 true JPWO2020175619A1 (en) | 2021-12-16 |
Family
ID=72239658
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021502364A Pending JPWO2020175619A1 (en) | 2019-02-28 | 2020-02-27 | Package for mounting electronic components, electronic devices and light emitting devices |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPWO2020175619A1 (en) |
WO (1) | WO2020175619A1 (en) |
Citations (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58207645A (en) * | 1982-05-28 | 1983-12-03 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
JPS5935434A (en) * | 1982-08-24 | 1984-02-27 | Nec Corp | Semiconductor device |
JPS6186939U (en) * | 1984-11-12 | 1986-06-07 | ||
JPS62140742U (en) * | 1986-02-27 | 1987-09-05 | ||
JPH02144954A (en) * | 1988-11-28 | 1990-06-04 | Matsushita Electron Corp | Semiconductor device |
JPH02146757A (en) * | 1988-11-28 | 1990-06-05 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
JPH03149864A (en) * | 1989-11-07 | 1991-06-26 | Matsushita Electron Corp | Lead frame |
JPH0438859A (en) * | 1990-06-04 | 1992-02-10 | Hitachi Ltd | Electronic component assembly structure and assembly method |
US5214307A (en) * | 1991-07-08 | 1993-05-25 | Micron Technology, Inc. | Lead frame for semiconductor devices having improved adhesive bond line control |
JPH05243469A (en) * | 1992-02-28 | 1993-09-21 | Nec Kyushu Ltd | Lead frame for semiconductor device |
JPH08116007A (en) * | 1994-10-13 | 1996-05-07 | Nec Corp | Semiconductor device |
JPH0996730A (en) * | 1995-10-02 | 1997-04-08 | Hitachi Ltd | Optical element mounted module, optical element mounting method and optical system composed of optical element mounted module |
JP2000068583A (en) * | 1998-08-18 | 2000-03-03 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor laser |
JP2001168252A (en) * | 1999-12-07 | 2001-06-22 | Shibafu Engineering Kk | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2001284516A (en) * | 2000-03-16 | 2001-10-12 | Microchip Technol Inc | Stress reduction for lead frame during plastic sealing |
JP2002093855A (en) * | 2000-09-18 | 2002-03-29 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
JP2003037324A (en) * | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Sony Corp | Semiconductor laser array device and its forming method |
US20030141782A1 (en) * | 2000-02-14 | 2003-07-31 | Bernhard Bader | Building component with constant distorsion-free bonding, and method for bonding |
JP2005050886A (en) * | 2003-07-29 | 2005-02-24 | Kyocera Corp | Compound substrate and its manufacturing method |
JP2005129721A (en) * | 2003-10-23 | 2005-05-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid state imaging device |
JP2005183899A (en) * | 2003-11-26 | 2005-07-07 | Kyocera Corp | Package for housing light emitting element, light emitting device and illuminating device |
JP2005223083A (en) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Sony Corp | Semiconductor device |
JP2005259851A (en) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Toshiba Corp | Semiconductor laser device |
JP2006278598A (en) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
JP2007109734A (en) * | 2005-10-11 | 2007-04-26 | Ntt Electornics Corp | Optical module and substrate therefor |
JP2007150182A (en) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Mitsubishi Electric Corp | Stem for optical element and optical semiconductor device using the same |
JP2007250739A (en) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optical semiconductor device |
JP2009087964A (en) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Kyocera Corp | Electronic component |
JP2009212367A (en) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Stanley Electric Co Ltd | Semiconductor light-emitting device |
JP2010062512A (en) * | 2008-07-02 | 2010-03-18 | Kyocera Corp | Package for mounting electronic component, and electronic apparatus using the same |
JP2012129330A (en) * | 2010-12-15 | 2012-07-05 | Hitachi Automotive Systems Ltd | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
JP2013004752A (en) * | 2011-06-16 | 2013-01-07 | Fujikura Ltd | Laser module |
US20130021766A1 (en) * | 2011-07-19 | 2013-01-24 | Infineon Technologies Ag | Electronic Component |
JP2014099584A (en) * | 2012-10-18 | 2014-05-29 | Denso Corp | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
JP2017092136A (en) * | 2015-11-05 | 2017-05-25 | 新光電気工業株式会社 | Package for optical element and method of manufacturing the same and optical element device |
WO2017163593A1 (en) * | 2016-03-24 | 2017-09-28 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Semiconductor module and method for manufacturing same |
JP2018147995A (en) * | 2017-03-03 | 2018-09-20 | 株式会社デンソー | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
-
2020
- 2020-02-27 JP JP2021502364A patent/JPWO2020175619A1/en active Pending
- 2020-02-27 WO PCT/JP2020/008032 patent/WO2020175619A1/en active Application Filing
Patent Citations (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58207645A (en) * | 1982-05-28 | 1983-12-03 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
JPS5935434A (en) * | 1982-08-24 | 1984-02-27 | Nec Corp | Semiconductor device |
JPS6186939U (en) * | 1984-11-12 | 1986-06-07 | ||
JPS62140742U (en) * | 1986-02-27 | 1987-09-05 | ||
JPH02144954A (en) * | 1988-11-28 | 1990-06-04 | Matsushita Electron Corp | Semiconductor device |
JPH02146757A (en) * | 1988-11-28 | 1990-06-05 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
JPH03149864A (en) * | 1989-11-07 | 1991-06-26 | Matsushita Electron Corp | Lead frame |
JPH0438859A (en) * | 1990-06-04 | 1992-02-10 | Hitachi Ltd | Electronic component assembly structure and assembly method |
US5214307A (en) * | 1991-07-08 | 1993-05-25 | Micron Technology, Inc. | Lead frame for semiconductor devices having improved adhesive bond line control |
JPH05243469A (en) * | 1992-02-28 | 1993-09-21 | Nec Kyushu Ltd | Lead frame for semiconductor device |
JPH08116007A (en) * | 1994-10-13 | 1996-05-07 | Nec Corp | Semiconductor device |
JPH0996730A (en) * | 1995-10-02 | 1997-04-08 | Hitachi Ltd | Optical element mounted module, optical element mounting method and optical system composed of optical element mounted module |
JP2000068583A (en) * | 1998-08-18 | 2000-03-03 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor laser |
JP2001168252A (en) * | 1999-12-07 | 2001-06-22 | Shibafu Engineering Kk | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US20030141782A1 (en) * | 2000-02-14 | 2003-07-31 | Bernhard Bader | Building component with constant distorsion-free bonding, and method for bonding |
JP2001284516A (en) * | 2000-03-16 | 2001-10-12 | Microchip Technol Inc | Stress reduction for lead frame during plastic sealing |
JP2002093855A (en) * | 2000-09-18 | 2002-03-29 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
JP2003037324A (en) * | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Sony Corp | Semiconductor laser array device and its forming method |
JP2005050886A (en) * | 2003-07-29 | 2005-02-24 | Kyocera Corp | Compound substrate and its manufacturing method |
JP2005129721A (en) * | 2003-10-23 | 2005-05-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid state imaging device |
JP2005183899A (en) * | 2003-11-26 | 2005-07-07 | Kyocera Corp | Package for housing light emitting element, light emitting device and illuminating device |
JP2005223083A (en) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Sony Corp | Semiconductor device |
JP2005259851A (en) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Toshiba Corp | Semiconductor laser device |
JP2006278598A (en) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
JP2007109734A (en) * | 2005-10-11 | 2007-04-26 | Ntt Electornics Corp | Optical module and substrate therefor |
JP2007150182A (en) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Mitsubishi Electric Corp | Stem for optical element and optical semiconductor device using the same |
JP2007250739A (en) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optical semiconductor device |
JP2009087964A (en) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Kyocera Corp | Electronic component |
JP2009212367A (en) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Stanley Electric Co Ltd | Semiconductor light-emitting device |
JP2010062512A (en) * | 2008-07-02 | 2010-03-18 | Kyocera Corp | Package for mounting electronic component, and electronic apparatus using the same |
JP2012129330A (en) * | 2010-12-15 | 2012-07-05 | Hitachi Automotive Systems Ltd | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
JP2013004752A (en) * | 2011-06-16 | 2013-01-07 | Fujikura Ltd | Laser module |
US20130021766A1 (en) * | 2011-07-19 | 2013-01-24 | Infineon Technologies Ag | Electronic Component |
JP2014099584A (en) * | 2012-10-18 | 2014-05-29 | Denso Corp | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
JP2017092136A (en) * | 2015-11-05 | 2017-05-25 | 新光電気工業株式会社 | Package for optical element and method of manufacturing the same and optical element device |
WO2017163593A1 (en) * | 2016-03-24 | 2017-09-28 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Semiconductor module and method for manufacturing same |
JP2018147995A (en) * | 2017-03-03 | 2018-09-20 | 株式会社デンソー | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2020175619A1 (en) | 2020-09-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5457391B2 (en) | LED package assembly | |
JP6614811B2 (en) | Semiconductor device stem and semiconductor device | |
WO2021020480A1 (en) | Electronic component mounting package, and electronic device | |
WO2006112039A1 (en) | Surface mounting optical semiconductor device and method for manufacturing same | |
US6166435A (en) | Flip-chip ball grid array package with a heat slug | |
WO2020262636A1 (en) | Electronic component mounting package, and electronic device | |
JP6754769B2 (en) | Semiconductor module and its manufacturing method | |
US7816690B2 (en) | Light-emitting device | |
US6548880B1 (en) | Optical semiconductor device and a method of manufacturing the same | |
TW202040773A (en) | Header for semiconductor device, and semiconductor device | |
US20090001406A1 (en) | Light-emitting device and method for fabricating same | |
JP6986453B2 (en) | Semiconductor laser device | |
US11552053B2 (en) | Miniaturization of optical sensor modules through wirebonded ball stacks | |
US20240186207A1 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device | |
JPWO2020175619A1 (en) | Package for mounting electronic components, electronic devices and light emitting devices | |
US7265340B2 (en) | Optical device and method for fabricating the same | |
JPWO2020175626A1 (en) | Package for mounting electronic devices and electronic devices | |
US11955769B2 (en) | Optical element mounting package, electronic device, and electronic module | |
WO2020158928A1 (en) | Electronic component mounting package, and electronic device | |
WO2020158944A1 (en) | Electronic component mounting package, electronic device, and substrate for electronic component mounting package | |
JP3410193B2 (en) | Hermetically sealed optical semiconductor device | |
JP7449295B2 (en) | Packages for mounting optical elements, electronic devices, and electronic modules | |
JPH03109760A (en) | Semiconductor device | |
WO2021020530A1 (en) | Electronic component mounting package, and electronic device | |
JP2002270903A (en) | Back emission chip-type light emitting device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210816 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220920 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20230314 |