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JPWO2020151932A5 - - Google Patents

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JPWO2020151932A5 JP2021542331A JP2021542331A JPWO2020151932A5 JP WO2020151932 A5 JPWO2020151932 A5 JP WO2020151932A5 JP 2021542331 A JP2021542331 A JP 2021542331A JP 2021542331 A JP2021542331 A JP 2021542331A JP WO2020151932 A5 JPWO2020151932 A5 JP WO2020151932A5
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装置100は、さらに、加熱アセンブリ114を備える。加熱アセンブリ114は、回転可能チャック102にマウントされたウエハに照射するよう構成されたLED116のアレイを備える。LED116は、回転可能チャックによって受け入れられたウエハ(例えば、ウエハ101)を加熱するための発光加熱素子として機能する。この例において、LEDは、380nm~650nmの波長範囲の光を放射するよう構成されている。例えば、LED116は、380nm~650nmの波長範囲で最大強度を有する光を放射してよい。発明者は、この波長範囲が半導体ウエハを加熱するのに適することを見出した。透明プレート112は、LED116によって放射された波長に対して実質的に透過的であるよう構成されており、すなわち、LED116によって放射された光のすべてまたは大部分が、透明プレート112によって伝達される。 Apparatus 100 further comprises heating assembly 114 . Heating assembly 114 includes an array of LEDs 116 configured to illuminate a wafer mounted on rotatable chuck 102 . LEDs 116 function as light emitting heating elements for heating a wafer (eg, wafer 101) received by the rotatable chuck. In this example, the LED is configured to emit light in the wavelength range of 380nm to 650nm. For example, LED 116 may emit light having a maximum intensity in the wavelength range of 380 nm to 650 nm. The inventors have found that this wavelength range is suitable for heating semiconductor wafers. Transparent plate 112 is configured to be substantially transparent to wavelengths emitted by LED 116 , ie, all or most of the light emitted by LED 116 is transmitted by transparent plate 112 .

加熱アセンブリ314は、さらに、プレート318を備える。LED316は、プレート318の上面に取り付けられている。プレート318は、LED316のアレイのためのヒートシンクとして機能することで、LED316によって生成された熱を放散させる。例えば、プレート318は、アルミニウムなどの金属で形成されてよい。LED316のための駆動回路(図示せず)を備えた回路基板320が、プレート318の下面上に提供されている。LED316のアレイと回路基板上の駆動回路との間の相互接続が、プレート318を通してなされる。プレート318は、固定ポスト322に取り付けられている。固定ポスト322は、チャック本体304と共に回転しないように、チャック本体304に接続されていない。プレート318は、透明プレート312と実質的に平行である。 Heating assembly 314 further comprises plate 318 . LED 316 is attached to the top surface of plate 318 . Plate 318 dissipates heat generated by LEDs 316 by acting as a heat sink for the array of LEDs 316 . For example, plate 318 may be formed of a metal such as aluminum. A circuit board 320 with drive circuitry (not shown) for the LEDs 316 is provided on the underside of the plate 318 . Interconnection between the array of LEDs 316 and the drive circuitry on the circuit board is made through plate 318 . Plate 318 is attached to fixed post 322 . Fixed post 322 is not connected to chuck body 304 so that it does not rotate with chuck body 304 . Plate 318 is substantially parallel to transparent plate 312 .

装置300は、さらに、LED316に供給される電力を制御するため、および、光センサ324からの測定値出力(例えば、出力信号)を受信するために、コントローラ(図示せず)を備えてよい。コントローラは、要求された機能を実行するためにソフトウェアをインストールされた任意の適切なコンピュータデバイスであってよい。例えば、コントローラは、LED316のアレイに供給される電力の量を制御するため、および、光センサ324からの測定値出力を受信するために、通信インターフェース(例えば、USB、イーサネット、など)を介して、回路基板320に接続されてよい。コントローラは、LED116のアレイのための様々な制御パラメータ(例えば、電力レベル)が格納されているメモリを備えてよい。コントローラは、光センサ324から受信された測定データも格納してよい。 Device 300 may further comprise a controller (not shown) for controlling the power supplied to LED 316 and for receiving the measurement output (eg, output signal) from light sensor 324 . The controller may be any suitable computing device installed with software to perform the required functions. For example, the controller can control the amount of power supplied to the array of LEDs 316 and receive the measurement output from the light sensor 324 via a communication interface (eg, USB, Ethernet, etc.). , may be connected to the circuit board 320 . The controller may include memory in which various control parameters (eg, power levels) for the array of LEDs 116 are stored. The controller may also store measurement data received from optical sensor 324 .

Claims (18)

ウエハを処理するための装置であって、
ウエハを受け入れるよう適合された回転可能チャックと、
前記ウエハを加熱するために、前記回転可能チャックによって受け入れられた前記ウエハに照射するよう構成された発光加熱素子アレイを備えた加熱アセンブリと、
前記発光加熱素子アレイによって放射された光を検出するよう構成され、前記発光加熱素子アレイによって放射された光の強度に関する信号を出力する1または複数の光センサと、を備え
前記1または複数の光センサは、前記発光加熱素子アレイの反対側に配置された光センサを含み
前記発光加熱素子アレイの反対側に配置された前記光センサは、前記ウエハが前記回転可能チャックによって受け入れられた時に、前記発光加熱素子アレイに対して、前記ウエハの反対側にあるように配置されており、
前記1または複数の光センサは、前記ウエハが前記回転可能チャックによって受け入れられている時に前記ウエハから反射された前記発光加熱素子アレイ由来の光を検出するよう構成された光センサを含む、装置。
An apparatus for processing wafers, comprising:
a rotatable chuck adapted to receive a wafer;
a heating assembly comprising a light emitting heating element array configured to irradiate the wafer received by the rotatable chuck to heat the wafer;
one or more optical sensors configured to detect light emitted by the luminescent heating element array and output a signal relating to the intensity of the light emitted by the luminescent heating element array ;
wherein the one or more optical sensors include optical sensors located on opposite sides of the luminescent heating element array ;
The optical sensor located opposite the array of luminescent heating elements is located so as to be on the opposite side of the wafer relative to the array of luminescent heating elements when the wafer is received by the rotatable chuck. and
The apparatus , wherein the one or more optical sensors comprise optical sensors configured to detect light from the array of light emitting heating elements reflected from the wafer while the wafer is being received by the rotatable chuck .
請求項に記載の装置であって、前記発光加熱素子アレイの反対側に配置された前記光センサは、前記回転可能チャックの回転軸上に配置され、および/または、前記回転軸を中心としている、装置。 2. The apparatus of claim 1 , wherein the optical sensor located opposite the array of luminescent heating elements is located on and/or about an axis of rotation of the rotatable chuck. There is a device. 請求項1または請求項2に記載の装置であって、前記発光加熱素子アレイの反対側に配置された前記光センサは、前記発光加熱素子アレイに対して所定の固定位置に配置されている、装置。 3. Apparatus according to claim 1 or claim 2, wherein the light sensor located on the opposite side of the luminescent heating element array is located at a predetermined fixed position with respect to the luminescent heating element array. Device. 請求項から請求項のいずれか一項に記載の装置であって、前記装置は、前記発光加熱素子アレイの反対側に配置された前記光センサに迷光が到達するのを防止するよう構成されたカバーを備える、装置。 4. A device according to any one of claims 1 to 3 , wherein the device is arranged to prevent stray light from reaching the light sensor located on the opposite side of the luminescent heating element array. an apparatus comprising a fitted cover. 請求項に記載の装置であって、前記発光加熱素子アレイの反対側に配置された前記光センサは、前記カバーの内側に配置されるか、または、取り付けられている、装置。 5. Apparatus according to claim 4 , wherein the light sensor located opposite the array of light emitting heating elements is located or attached to the inside of the cover. 請求項または請求項に記載の装置であって、前記カバーは、前記装置の処理チャンバのフレームに取り付け可能である、装置。 6. Apparatus according to claim 4 or claim 5 , wherein the cover is attachable to a frame of a process chamber of the apparatus. 請求項から請求項のいずれか一項に記載の装置であって、前記装置は、前記発光加熱素子アレイの反対側に配置された1つだけの光センサを備える、装置。 7. A device according to any one of the preceding claims, wherein the device comprises only one photosensor arranged opposite the array of luminescent heating elements. 請求項に記載の装置であって、前記反射光を検出するよう構成された前記光センサと、前記発光加熱素子アレイとは、前記装置の同じ基板に統合されている、装置。 2. The device of claim 1 , wherein the optical sensor configured to detect the reflected light and the array of luminescent heating elements are integrated in the same substrate of the device. 請求項または請求項に記載の装置であって、前記装置は、前記ウエハが前記回転可能チャックによって受け入れられている時に前記ウエハから反射された前記発光加熱素子アレイ由来の光を検出するよう構成された複数の光センサを備える、装置。 9. The apparatus of claim 1 or claim 8 , wherein the apparatus is adapted to detect light from the array of light emitting heating elements reflected from the wafer while the wafer is being received by the rotatable chuck. An apparatus comprising a plurality of configured optical sensors. 請求項1から請求項のいずれか一項に記載の装置であって、
前記発光加熱素子は、所定の波長、または、所定の波長範囲内の波長を有する光を放射するよう構成されたLEDであり、
前記1または複数の光センサは、前記所定の波長、または、前記所定の波長範囲内の波長を有する光を検出するよう適合されている、装置。
10. A device according to any one of claims 1 to 9 ,
said luminous heating element is an LED configured to emit light having a predetermined wavelength or a wavelength within a predetermined wavelength range;
The apparatus, wherein the one or more light sensors are adapted to detect light having the predetermined wavelength or wavelengths within the predetermined wavelength range.
請求項10に記載の装置であって、前記装置は、前記所定の波長、または、前記所定の波長範囲内の波長を有する光を選択的に伝達するよう構成された光学フィルタを備える、装置。 11. The device of claim 10 , wherein the device comprises an optical filter configured to selectively transmit light having the predetermined wavelength or wavelengths within the predetermined wavelength range. 請求項1から請求項11のいずれか一項に記載の装置であって、さらに、前記発光加熱素子アレイに供給される電力を制御すると共に、前記1または複数の光センサの測定値出力を受信するよう構成されたコントローラを備える、装置。 12. The apparatus of any one of claims 1-11 , further comprising controlling power supplied to the array of luminescent heating elements and measuring output of the one or more photosensors. An apparatus comprising a controller configured to receive a 請求項12に記載の装置であって、前記コントローラは、前記1または複数の光センサの測定値出力、または、前記測定値出力から導出された情報を、基準値と比較し、前記比較に基づいて、
前記発光加熱素子アレイに含まれる前記発光加熱素子の内の1以上の素子の動作状態に関する情報を決定し、および/または、
前記発光加熱素子アレイに含まれる前記発光加熱素子の内の1以上の素子に供給される前記電力を調整するよう構成されている、装置。
13. The apparatus of claim 12 , wherein the controller compares the measurement output of the one or more optical sensors, or information derived from the measurement output, to a reference value and, based on the comparison, hand,
determining information about the operating state of one or more of the luminescent heating elements included in the luminescent heating element array; and/or
An apparatus configured to adjust the power supplied to one or more of the luminescent heating elements included in the luminescent heating element array.
請求項12または請求項13に記載の装置であって、
前記発光加熱素子アレイは、複数の個別に制御可能な発光加熱素子グループで構成され、
前記コントローラは、前記複数の発光加熱素子グループの各々に供給される電力を個別に制御するよう構成されている、装置。
14. A device according to claim 12 or claim 13 , wherein
wherein the luminescent heating element array is composed of a plurality of individually controllable groups of luminescent heating elements;
The apparatus of claim 1, wherein the controller is configured to individually control power supplied to each of the plurality of groups of light emitting heating elements.
請求項14に記載の装置であって、前記コントローラは、
前記複数の発光加熱素子グループの内の1グループの照度を示す測定値出力を前記1または複数の光センサから受信し、
その発光加熱素子グループについての前記測定値出力または前記測定値出力から導出された情報を、そのグループのための基準値と比較し、
前記比較に基づいて、
その発光加熱素子グループの動作状態に関する情報を決定し、および/または、
その発光加熱素子グループに供給される電力を制御するよう構成されている、装置。
15. The apparatus of claim 14 , wherein the controller comprises:
receiving from the one or more photosensors a measurement output indicative of the illuminance of one of the plurality of groups of luminescent heating elements;
comparing the measurement output or information derived from the measurement output for that group of luminescent heating elements to a reference value for that group;
Based on said comparison,
determining information about the operating state of the group of light emitting heating elements; and/or
An apparatus configured to control power supplied to the group of light emitting heating elements.
請求項13から請求項15のいずれか一項に記載の装置であって、前記基準値は、前記1または複数の光センサからの以前の測定値出力であるか、または、前記以前の測定値出力から導出される、装置。 16. An apparatus as claimed in any one of claims 13 to 15, wherein said reference value is a previous measurement output from said one or more optical sensors or said previous measurement A device, derived from the output . 請求項1から請求項16のいずれか一項に記載の装置を制御する方法であって、
前記発光加熱素子アレイに電力を供給する工程と、
前記1または複数の光センサから測定値出力を受信する工程と、
前記測定値出力、または、前記測定値出力から導出された情報を、基準値と比較する工程と、
前記比較に基づいて、
前記発光加熱素子アレイの動作状態に関する情報を決定し、および/または、
前記発光加熱素子アレイに供給される電力を制御する工程と、
を備える、方法。
A method of controlling a device according to any one of claims 1 to 16 , comprising:
powering the array of light emitting heating elements;
receiving measurements output from the one or more optical sensors;
comparing the measurement output, or information derived from the measurement output, to a reference value;
Based on said comparison,
determining information about the operating state of the array of light-emitting heating elements; and/or
controlling power supplied to the array of light emitting heating elements;
A method.
請求項17に記載の方法であって、
前記発光加熱素子の内の1または複数の素子へ選択的に電力を供給する工程と、
前記発光加熱素子の内の前記1または複数の素子の動作状態に関する情報を決定する工程と、
を備える、方法。
18. The method of claim 17 , wherein
selectively powering one or more of the light emitting heating elements;
determining information about the operating state of the one or more of the light emitting heating elements;
A method.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210103956A (en) * 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Substrate processing apparatus including light receiving device and calibration method of light receiving device
KR102406087B1 (en) * 2020-03-23 2022-06-10 엘에스이 주식회사 Substrate processing apparatus using light source built in spin chuck

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6479801B1 (en) * 1999-10-22 2002-11-12 Tokyo Electron Limited Temperature measuring method, temperature control method and processing apparatus
US6970644B2 (en) * 2000-12-21 2005-11-29 Mattson Technology, Inc. Heating configuration for use in thermal processing chambers
US7734439B2 (en) * 2002-06-24 2010-06-08 Mattson Technology, Inc. System and process for calibrating pyrometers in thermal processing chambers
US7543981B2 (en) * 2006-06-29 2009-06-09 Mattson Technology, Inc. Methods for determining wafer temperature
US8404499B2 (en) 2009-04-20 2013-03-26 Applied Materials, Inc. LED substrate processing
JP5964626B2 (en) 2012-03-22 2016-08-03 株式会社Screenホールディングス Heat treatment equipment
CN105144355B (en) * 2013-05-01 2018-02-06 应用材料公司 For carrying out the apparatus and method for of low-temperature measurement in wafer processing process
KR102317055B1 (en) * 2013-09-30 2021-10-26 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Support ring with encapsulated light barrier
JP2016054242A (en) 2014-09-04 2016-04-14 東京エレクトロン株式会社 Thermal treatment method and thermal treatment apparatus
WO2016080502A1 (en) * 2014-11-20 2016-05-26 住友大阪セメント株式会社 Electrostatic chuck device
US20170316963A1 (en) * 2016-04-28 2017-11-02 Applied Materials, Inc. Direct optical heating of substrates
US10720343B2 (en) 2016-05-31 2020-07-21 Lam Research Ag Method and apparatus for processing wafer-shaped articles
JP6984228B2 (en) * 2016-11-17 2021-12-17 東京エレクトロン株式会社 Exposure device, adjustment method of exposure device and storage medium
US20180337069A1 (en) * 2017-05-17 2018-11-22 Lam Research Ag Systems and methods for detecting undesirable dynamic behavior of liquid dispensed onto a rotating substrate

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