JPWO2020100205A1 - 荷電粒子線装置および試料観察方法 - Google Patents

Abstract

試料から光が放射される場合であっても試料の観察を可能にする荷電粒子線装置、及びそれを用いた試料観察方法を提供する。試料に荷電粒子線を照射する荷電粒子線源と、前記試料から放出される荷電粒子を検出する検出器と、前記検出器からの出力信号に基づいて画像を生成する制御装置とを備える荷電粒子線装置であって、前記試料から放出される荷電粒子の少なくとも一部を透過させるとともに、前記試料から放射される光を遮蔽するフィルターをさらに備え、前記フィルターは前記試料から見込める前記検出器の検出面を覆うことを特徴とする。

Description

本発明は、荷電粒子線装置、及びそれを用いた試料観察方法に係り、試料から光が放射されるときの試料観察に関する。

走査電子顕微鏡に代表される荷電粒子線装置は、試料の微細な領域を観察するために広く用いられている。特に、試料から放出される反射電子を検出して得られる画像である反射電子像の観察は、試料の組織構造や組成分布を確認するのに有効な手段である。またある範囲のエネルギーを有する反射電子のみを選択して検出すれば、試料の所定の深さに関する情報、例えば高いエネルギーであれば試料の表面に関する情報、低いエネルギーであれば試料の深部に関する情報を確認できる。

特許文献１には、ある範囲のエネルギーを有する反射電子を選択するためのフィルター材として、プラスチック薄膜の両面にアルミやカーボン等の導電物質をコーティングしたものを用いることが開示されている。

特開昭５９−１９７８８１号公報

しかしながら特許文献１では、試料に加熱等の作用を加えたときに放射される光の影響に対する配慮がなされていない。荷電粒子線装置を用いた試料観察では、試料を加熱しながら組織構造や組成分布の変化をその場（In-situ）観察するニーズが高まっている。このような観察に反射電子像が用いられるとき、所定の作用を加えることによって試料から放射される光が反射電子とともに検出されてしまい、反射電子像に悪影響をもたらす場合がある。

そこで本発明は、試料から光が放射される場合であっても試料の観察を可能にする荷電粒子線装置、及びそれを用いた試料観察方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために本発明は、試料に荷電粒子線を照射する荷電粒子線源と、前記試料から放出される荷電粒子を検出する検出器と、前記検出器からの出力信号に基づいて画像を生成する制御装置とを備える荷電粒子線装置であって、前記試料から放出される荷電粒子の少なくとも一部を透過させるとともに、前記試料から放射される光を遮蔽するフィルターをさらに備え、前記フィルターは前記試料から見込める前記検出器の検出面を覆うことを特徴とする。

また本発明は、試料に荷電粒子線を照射する荷電粒子線源と、前記試料から放出される荷電粒子を検出する検出器と、前記検出器からの出力信号に基づいて画像を生成する制御装置を備える荷電粒子線装置を用いて試料を観察する試料観察方法であって、前記試料から放出される荷電粒子の少なくとも一部を透過させるとともに、前記試料から放射される光を遮蔽し、前記試料から見込める前記検出器の検出面を覆うフィルターが前記荷電粒子線装置に取り付けられてから試料を観察することを特徴とする。

本発明によれば、試料から光が放射される場合であっても試料の観察を可能にする荷電粒子線装置、及びそれを用いた試料観察方法を提供することができる。

荷電粒子線装置の一例である走査電子顕微鏡の全体構成図 フィルターの構造を説明する図 検出器とフィルターの脱着及びフィルム部の交換、フィルム部の構成例を説明する図 反射電子の透過と光の反射を説明する図 真空引きを開始するまでの処理の流れを示す図 サブステージとフィルターの装着を検出する検出部を示す図 試料観察方法の処理の流れを示す図 フィルターを装着した検出器とフィルターを装着しない検出器を示す図

以下、添付図面に従って本発明に係る荷電粒子線装置及びそれを用いた試料観察方法の実施例について説明する。荷電粒子線装置は、荷電粒子線を試料に照射することによって試料を観察したり加工したりする装置であり、走査電子顕微鏡や走査イオン顕微鏡、走査透過電子顕微鏡等の様々な装置がある。以下では、荷電粒子線装置の一例として、走査電子顕微鏡について説明する。

図１を用いて本実施例の走査電子顕微鏡の全体構成について説明する。なお図１中の鉛直方向をＺ方向、水平方向をＸ方向及びＹ方向とする。

荷電粒子線源である電子銃１から放射された一次電子ビーム２は、第一集束レンズ３により一度集束されたのちに広がり、対物絞り４に達する。対物絞り４に達した一次電子ビーム２の一部は対物絞り４の孔を通過し、孔の径よりも外側に広がった一次電子ビーム２は遮断される。試料１１に照射される一次電子ビーム２の電流量は、第一集束レンズ３による集束の程度と対物絞り４の孔の大きさによって調整される。

対物絞り４を通過した一次電子ビーム２は第二集束レンズ５及び対物レンズ６によって、試料ステージ８上に載せられた試料１１の観察面上で集束される。また一次電子ビーム２は偏向コイル７の作用により試料１１の観察面上で走査される。一次電子ビーム２の照射により試料１１から発生する荷電粒子である反射電子や二次電子は検出器９で検出される。検出器９は検出された荷電粒子の量に応じて検出信号を出力する。

電子銃１から対物レンズ６までを含む電子光学系は鏡筒１２内に配置され、試料ステージ８や検出器９は試料室１３内に配置される。電子光学系は一次電子ビーム２の光軸を回転軸とした回転体形状を有する。鏡筒１２と試料室１３は、それぞれ真空排気され、一次電子ビーム２が通過する開口１４を介してつながっている。鏡筒１２内に配置される電子銃１や対物絞り４は高い真空度のもとで使用されるものであるので、試料室１３の真空度の低下が鏡筒１２に及ぼす影響を小さくすることが望ましい。そこで、鏡筒１２内の真空度の低下を抑制するために、開口１４を差動排気絞りとして機能させる。

鏡筒１２及び試料室１３内に配置される各部は、制御装置１５によって制御される。制御装置１５は、検出器９から出力される検出信号に基づいて観察用の画像、例えば反射電子像を生成する。なお制御装置１５は各部の制御等の処理を行う専用のハードウェアであっても良いし、汎用的なプロセッサ、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）やＧＰＵ（Graphics Processing Unit）、ＤＳＰ（Digital Signal Processor）等であっても良い。制御装置１５が汎用的なプロセッサである場合、制御等の処理を行うソフトウェアが実装される。

制御装置１５には、画像表示装置１６、記憶装置１７、操作盤１８が接続される。画像表示装置１６には、観察用の画像や操作用の画面が表示される。記憶装置１７には、生成された観察用の画像（静止画、動画を含む）や、制御等の処理に用いられる制御プログラム等が格納される。操作盤１８は操作者の操作指示が入力されるインタフェースであり、例えばキーボード、タッチパネル、マウスのようなポインティングデバイスである。操作者は、画像表示装置１６に表示される画像を観察しながら操作盤１８に操作指示を入力することによって試料ステージ８をＸＹＺ方向に移動させて所望の観察箇所を探す。

試料ステージ８には、試料１１に所定の作用を加えるサブステージ１０を装着できる。サブステージ１０は、試料１１を加熱したり、試料１１に力を加えたりするものであり、所定の作用が加えられることにより試料１１に生じる微視的な変化を観察するIn-situ観察のときに試料ステージ８に装着される。サブステージ１０は制御装置１５によって制御されても良いし、外部の制御装置、例えばＰＣ（Personal Computer）等によって制御されても良い。

試料１１の加熱や試料１１への力の印加といった所定の作用によって、試料１１から光が放射される場合がある。試料１１から放射される光が検出器９により検出されると、検出器９からの検出信号に余分な信号が重畳され、生成される画像に悪影響をもたらす。そこで本実施例では、試料１１から放出される荷電粒子、例えば反射電子は検出器９に検出させながら、試料１１から放射される光は検出器９に検出させないようにし、生成される画像、例えば反射電子像への悪影響をなくす。なお試料１１から放射される光とは可視光に限らず、検出器９によって検出される赤外線や紫外線等も含まれる。

図２を用いて本実施例の要部であり光を遮蔽するフィルターについて検出器９とともに説明する。図２（ａ）と図２（ｃ）は、一次電子ビーム２の光軸と平行な断面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）中のＡ−Ａ矢視図である。

検出器９は検出器本体２０と検出面２１を有する。検出面２１は例えば円環形状の半導体検出素子であり、入射する荷電粒子や光の量に応じて検出信号を出力する。検出器本体２０は検出面２１を保持する部材であり、検出面２１と同心円状の円環形状を有し、検出面２１と中心孔１９を共有する。中心孔１９の径、すなわち検出器本体２０と検出面２１の内径は、一次電子ビーム２が通過できる程度の大きさである。検出器本体２０は検出面２１よりも大きい外径を有し、試料１１の側の面は検出面２１と同一平面であり、光も電子も透過させない材質である。なお検出面２１は複数の領域に分割されていても良い。

検出器９と試料１１の間には、光を遮蔽するフィルターが配置される。フィルターはフィルム部２２と保持部２３と筒部２４を有する。

フィルム部２２は試料１１から放射される光を反射もしくは吸収するとともに、試料１１から放出される反射電子等の荷電粒子を透過するものであり、例えば０．１〜１μｍの厚さの金属膜を少なくとも含む。なおフィルム部２２の機械的強度を向上させるために、１〜１００μｍの厚さのポリマーの薄膜にＡｌ等の金属を蒸着した積層構造であっても良い。フィルム部２２の中心には一次電子ビーム２が通過できる孔が設けられる。

保持部２３は、フィルム部２２をＺ方向から挟み込んで弛ませずに保持する部材であり、光も電子も透過させない材質である。なお保持部２３の帯電を防止するために、導電性の材質であることが望ましい。保持部２３には、図２（ｂ）に示すような形状の開口部２５が設けられ、光や電子は開口部２５を通過できる。保持部２３の中心にも一次電子ビーム２が通過できる孔が設けられる。

筒部２４は、フィルム部２２及び保持部２３に設けられた孔に挿入される円筒形状を有する部材であり、光も電子も透過させない材質である。なお筒部２４の帯電を防止するために、導電性の材質であることが望ましい。筒部２４の内径は、一次電子ビーム２が通過できる程度の大きさである。筒部２４のＺ方向の長さは、フィルム部２２及び保持部２３に設けられた孔をＺ方向に突き抜けられるとともに、検出器９の中心孔１９に嵌合させられる程度の長さである。なお一次電子ビーム２の光軸と平行な断面における筒部２４の形状は、図２（ａ）のようなＬ字形状であっても、図２（ｃ）のようなフィルム部２２の位置に凸部を有する形状であっても良い。

図３を用いて、検出器９とフィルターの脱着、フィルターのフィルム部２２の交換、フィルム部２２の構成例について説明する。図３（ａ）は、フィルム部２２と保持部２３と筒部２４を有するフィルターが検出器９から外された状態を示す図である。図３（ａ）の状態から、検出器９の中心孔１９にフィルターの筒部２４の先端が嵌合されることにより、検出器９にフィルターが装着される。すなわち検出器９とフィルターとは脱着可能な構造である。

図３（ｂ）は、電子銃１の側の保持部２３とフィルム部２２が筒部２４から外され、試料１１の側の保持部２３の位置がずらされた状態を示す図である。フィルム部２２と保持部２３は筒部２４から取り外せるので、フィルム部２２が破損した場合や、保持部２３や筒部２４が経年劣化した場合には、各部を交換することができる。

図３（ｃ）にフィルム部２２の構成例を示す。図３（ｃ）に示すフィルム部２２は、ポリマーの薄膜２２ｐと金属の薄膜２２ｍが積層され、金属の薄膜２２ｍが試料１１の側に配置されたものである。このような構成により、試料１１から放射される光を金属の薄膜２２ｍが反射もしくは吸収しながら、ポリマーの薄膜２２ｐによってフィルム部２２の機械的強度を向上させ、反射電子を透過させることができる。なお特許文献１ではプラスチック薄膜の両面に導電物質をコーティングしているのに対し、図３（ｃ）に示すフィルム部２２ではポリマーの薄膜２２ｐの試料１１の側にのみ金属の薄膜２２ｍがコーティングしているので、反射電子をより透過させることができる。

図４を用いて、試料１１から放出される反射電子２７の透過と試料１１から放射される光２８の反射について説明する。試料室１３には、試料ステージ８と検出器９が配置される。試料ステージ８には試料１１に所定の作用を加えるサブステージ１０が装着され、試料１１と検出器９の間にはフィルム部２２と保持部２３と筒部２４を有するフィルターが配置される。なおフィルターは、試料１１から見込める検出器９の検出面２１を覆っている。より具体的には、一次電子ビーム２が照射される面である試料１１の観察面と平行な検出面２１はフィルターのフィルム部２２によって覆われ、観察面と直交する検出面２１である内周面は筒部２４によって覆われる。

サブステージ１０によって試料１１に所定の作用を加えながら一次電子ビーム２を試料１１に照射すると、試料１１から反射電子２７等の荷電粒子が放出されるとともに光２８が放射される。反射電子２７は保持部２３の開口部２５を通過するとともにフィルム部２２を透過して検出面２１に到達するのに対し、光２８は保持部２３の開口部２５を通過するもののフィルム部２２で反射し検出面２１に到達できない。すなわち本実施例により、試料１１から光２８が放射される場合であっても、検出器９の検出面２１に光２８を到達させずに反射電子２７を到達させられるので、光２８の悪影響を受けることなく反射電子像の観察を可能にする荷電粒子線装置を提供することができる。

なお保持部２３の開口部２５はフィルム部２２よりも小さな外径を有し、検出器９の検出面２１よりも大きな外径を有することが好ましい。開口部２５がフィルム部２２よりも小さな外径を有することによって試料１１から放射される光が検出器９に検出されることを防止できる。また開口部２５が検出面２１よりも大きな外径を有することによって試料１１から放出される反射電子が検出器９によって検出されやすくなる。

図５を用いて、本実施例において試料室１３の真空引きを開始するまでの処理の流れの一例を説明する。検出器９がフィルターによって覆われると反射電子の検出効率は低下するので、サブステージ１０が装着されない場合は、検出器９からフィルターを取り外しておいたほうが良い。しかしサブステージ１０により試料１１に所定の作用を加えるときにフィルターが未装着であると、試料１１から放射される光によって画像に不具合が生じて試料観察ができない。そこで図５ではサブステージ１０やフィルターの装着状態に応じたメッセージを操作者へ通知し、試料１１から光が放射される場合にフィルターが未装着となることを回避する。なお以降では、サブステージ１０が試料１１を加熱する加熱ステージである場合について説明する。

（Ｓ５０１）
制御装置１５は加熱ステージが装着されているか否かを判定する。加熱ステージが装着されてなければＳ５０２へ処理が進み、装着されていればＳ５０３へ処理が進む。

本ステップの判定には、図６に示すようなサブステージ検知部６１が用いられる。サブステージ検知部６１は、例えばレーザ変位計であり、サブステージ検知部６１からの距離に基づいてサブステージの装着を判定する。なおサブステージ検知部６１はレーザ変位計に限定されず、試料ステージ８の周囲を映し出すカメラや試料ステージ８に取り付けられる接触センサーであっても良い。

（Ｓ５０２）
制御装置１５は通常の試料交換フローとして処理を進める。すなわち、試料ステージ８に試料１１が搭載された後、検出器９にフィルターを装着せずに真空引きが開始される。

（Ｓ５０３）
制御装置１５は、例えば「加熱ステージが装着されています。高温で反射電子検出器を利用する場合には、フィルターを事前に取り付ける必要があります。」といったメッセージを画像表示装置１６に表示させて、操作者に通知する。

（Ｓ５０４）
制御装置１５は、試料１１が閾値温度Ｔｔｈ以上に加熱されるか否かを判定する。操作者が操作盤１８を介して設定した観察温度がＴｔｈ以上であればＳ５０５へ処理が進み、観察温度がＴｔｈ未満であれば真空引きが開始される。閾値温度Ｔｔｈは、高温であるか否かを判定するための値、例えば３００℃であって、記憶装置１７に予め記憶されており、制御装置１５によって読み出される。

（Ｓ５０５）
制御装置１５は、反射電子を検出する検出器である反射電子検出器が利用されるか否かを判定する。操作者が操作盤１８を介して設定した撮影条件において、反射電子検出器が利用されないのであればＳ５０６へ処理が進み、利用されるのであればＳ５０８へ処理が進む。

（Ｓ５０６）
制御装置１５は、例えば「反射電子検出器を抜き出してください。」といったメッセージを画像表示装置１６に表示させて、操作者に通知する。

（Ｓ５０７）
制御装置１５は反射電子検出器が抜き出されているか否かを判定する。反射電子検出器が抜き出されていなければＳ５０６へ処理が戻り、抜き出されていれば真空引きが開始される。

（Ｓ５０８）
制御装置１５はフィルターが装着されているか否かを判定する。フィルターが検出器９に装着されていなければＳ５０９へ処理が進み、装着されていればＳ５１０へ処理が進む。

本ステップの判定には、図６に示すようなフィルター検知部６２が用いられる。フィルター検知部６２は、例えばレーザ変位計であり、フィルター検知部６２からの距離に基づいてフィルターの装着を判定する。なおフィルター検知部６２はレーザ変位計に限定されず、検出器９の周囲を映し出すカメラや検出器９に取り付けられる接触センサーであっても良い。

（Ｓ５０９）
制御装置１５は、例えば「試料をＴｔｈ以上加熱する場合には、フィルターを取り付けてください。」といったメッセージを画像表示装置１６に表示させて、操作者に通知する。Ｔｔｈの値はＳ５０４にて読み出された値が用いられる。

本ステップのあとＳ５０８へ処理が戻されるので、フィルターが検出器９に装着されなければＳ５０８とＳ５０９が繰り返される。すなわちフィルターの装着が確認もしくは検知されるまで、他のステップへ処理が進まない。

（Ｓ５１０）
制御装置１５は、例えば「フィルター装着時には、加速電圧Ｖａｃｃ以上を推奨します。」といったメッセージを画像表示装置１６に表示させて、操作者に通知する。なおＶａｃｃの値は、例えば１０ｋＶであって、記憶装置１７に予め記憶されており、本ステップにてメッセージが表示されるに先立ち、制御装置１５によって読み出される。

以上説明した処理の流れにより、サブステージ１０が装着されて試料１１から光が放射される場合に、フィルターの装着を促すメッセージが操作者に通知され、フィルターが未装着となることを回避できる。

図７を用いて、本実施例の荷電粒子線装置を用いた試料観察方法のいくつかの例について説明する。図７（ａ）は試料１１の観察と昇温を繰り返す場合、図７（ｂ）は試料１１の観察と昇温、観察、降温を繰り返す場合、図７（ｃ）は試料１１の昇温・降温過程を動画で取得する場合である。以下、各ステップについて説明する。

（Ｓ７０１）
フィルム部２２と保持部２３と筒部２４を有するフィルターが、荷電粒子線装置の一例である走査電子顕微鏡に取り付けられる。また試料１１に所定の作用を加えられるように、試料ステージ８にはサブステージ１０が装着されている。フィルターが取り付けられた後、試料室１３内の真空引きが開始される。

（Ｓ７０２）
試料室１３内が所定の真空度に達した後、試料１１に所定の作用が加えられる前、例えば加熱前の状態でＳＥＭ観察が行われる。本ステップでは、試料１１から放出される二次電子を検出して得られる画像である二次電子像か反射電子像もしくはその両方の画像が取得される。試料１１の表面形状の観察が目的であれば二次電子像が、試料１１の組織構造や組成分布の観察が目的であれば反射電子像が用いられる。なお、試料１１に所定の作用が加えられるときのように変化が予測できない場合には二次電子像と反射電子像の両画像が取得される。

（Ｓ７０３）
サブステージ１０により、試料１１が所定の温度まで昇温される。

（Ｓ７０４）
試料１１が所定の温度に達した後、ＳＥＭ観察が行われる。観察される領域はＳ７０２にて観察された領域と同じであることが好ましい。

図７（ａ）ではＳ７０３とＳ７０４とが必要に応じて繰り返される。

（Ｓ７０５）
サブステージ１０により、試料１１が所定の温度まで降温される。

（Ｓ７０６）
試料１１が所定の温度に達した後、ＳＥＭ観察が行われる。観察される領域はＳ７０２またはＳ７０４にて観察された領域と同じであることが好ましい。

図７（ｂ）ではＳ７０３からＳ７０６までの処理が必要に応じて繰り返される。

（Ｓ７０７）
制御装置１５によって、動画の取り込みが開始される。

図７（ｃ）ではＳ７０３とＳ７０５の処理が必要に応じて繰り返された後、制御装置１５によって、動画の取り込みが終了となる。

以上説明した処理の流れにより、試料１１に所定の作用、例えば試料１１の昇温や降温がなされるときの試料観察ができるようになる。

なおＳ７０２において検出器９にフィルターを装着せずにＳＥＭ観察を行う場合には、図８に示すような構成の検出器９を用いても良い。図８に示される検出器９は、フィルターで覆われる検出面２１と、フィルターで覆われない検出面２９を備える。図８の検出器９を用いることにより、Ｓ７０２のような加熱前のＳＥＭ観察にはフィルターなしの検出面２９、Ｓ７０４のような加熱時のＳＥＭ観察にはフィルターありの検出面２１に容易に切り替えることができる。図８の検出器９は、フィルターを頻繁に取り付けたり取り外したりする場合にも有用である。

本発明の荷電粒子線装置及び試料観察方法は上記実施例に限定されるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施例に開示されている複数の構成要素を適宜組み合わせても良い。さらに、上記実施例に示される全構成要素からいくつかの構成要素を削除しても良い。

１：電子銃、２：一次電子ビーム、３：第一集束レンズ、４：対物絞り、５：第二集束レンズ、６：対物レンズ、７：偏向コイル、８：試料ステージ、９：検出器、１０：サブステージ、１１：試料、１２：鏡筒、１３：試料室、１４：開口、１５：制御装置、１６：画像表示装置、１７：記憶装置、１８：操作盤、１９：中心孔、２０：検出器本体、２１：検出面、２２：フィルム部、２２ｍ：金属の薄膜、２２ｐ：ポリマーの薄膜、２３：保持部、２４：筒部、２５：開口部、２７：反射電子、２８：光、２９：検出面、６１：サブステージ検知部、６２：フィルター検知部

Claims (9)

1. 試料に荷電粒子線を照射する荷電粒子線源と、
   前記試料から放出される荷電粒子を検出する検出器と、
   前記検出器からの出力信号に基づいて画像を生成する制御装置を備える荷電粒子線装置であって、
   前記試料から放出される荷電粒子の少なくとも一部を透過させるとともに、前記試料から放射される光を遮蔽するフィルターをさらに備え、
   前記フィルターは前記試料から見込める前記検出器の検出面を覆うことを特徴とする荷電粒子線装置。
2. 請求項１に記載の荷電粒子線装置であって、
   前記フィルターは、前記試料の観察面と平行な検出面を覆うフィルム部と、前記観察面と直交する検出面を覆う筒部を有することを特徴とする荷電粒子線装置。
3. 請求項２に記載の荷電粒子線装置であって、
   前記フィルム部は交換可能であり、開口部を有する複数の保持部によって挟まれて保持されることを特徴とする荷電粒子線装置。
4. 請求項３に記載の荷電粒子線装置であって、
   前記開口部は、前記フィルム部よりも小さく、観察面と平行な検出面よりも大きいことを特徴とする荷電粒子線装置。
5. 請求項２に記載の荷電粒子線装置であって、
   前記フィルターと前記検出器とは脱着可能であり、前記フィルターが有する前記筒部が前記検出器の中心に設けられる孔である中心孔に嵌合することを特徴とする荷電粒子線装置。
6. 請求項２に記載の荷電粒子線装置であって、
   前記フィルム部はポリマーの薄膜と金属の薄膜とが積層されたものであり、前記金属の薄膜が前記試料の側に配置されることを特徴とする荷電粒子線装置。
7. 試料に荷電粒子線を照射する荷電粒子線源と、
   前記試料から放出される荷電粒子を検出する検出器と、
   前記検出器からの出力信号に基づいて画像を生成する制御装置を備える荷電粒子線装置を用いて試料を観察する試料観察方法であって、
   前記試料から放出される荷電粒子の少なくとも一部を透過させるとともに、前記試料から放射される光を遮蔽し、前記試料から見込める前記検出器の検出面を覆うフィルターが前記荷電粒子線装置に取り付けられてから試料を観察することを特徴とする試料観察方法。
8. 請求項７に記載の試料観察方法であって、
   前記試料から光を放射させる作用を前記試料に加えるサブステージの装着が検知されると、前記フィルターの取り付けを促す通知をすることを特徴とする試料観察方法。
9. 請求項７に記載の試料観察方法であって、
   前記フィルターの装着が検知されるまで、前記フィルターの取り付けを促す通知を繰り返すことを特徴とする試料観察方法。

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